[go: up one dir, main page]

KR101225252B1 - 다중 봉지층으로서 적어도 하나의 봉지층이 나노입자를 포함하는 다중 봉지층을 구비하는 발광 소자 및 그의 형성 방법 - Google Patents

다중 봉지층으로서 적어도 하나의 봉지층이 나노입자를 포함하는 다중 봉지층을 구비하는 발광 소자 및 그의 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101225252B1
KR101225252B1 KR1020117020217A KR20117020217A KR101225252B1 KR 101225252 B1 KR101225252 B1 KR 101225252B1 KR 1020117020217 A KR1020117020217 A KR 1020117020217A KR 20117020217 A KR20117020217 A KR 20117020217A KR 101225252 B1 KR101225252 B1 KR 101225252B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
encapsulation layer
active region
physical properties
nanoparticles
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020117020217A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110112450A (ko
Inventor
제랄드 에이치. 네글리
에릭 타르사
Original Assignee
크리 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 크리 인코포레이티드 filed Critical 크리 인코포레이티드
Publication of KR20110112450A publication Critical patent/KR20110112450A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101225252B1 publication Critical patent/KR101225252B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

발광 소자가 자신에 가해지는 전압에 반응하여 발광하도록 구성된 활성 영역을 포함한다. 제 1 봉지층은 상기 활성 영역을 적어도 부분적으로 봉지하고, 매트릭스 물질 및 상기 제 1 봉지층의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질하는 나노 입자를 포함한다. 제 2 봉지층은 상기 제 1 봉지층을 적어도 부분적으로 봉지한다.

Description

다중 봉지층으로서 적어도 하나의 봉지층이 나노입자를 포함하는 다중 봉지층을 구비하는 발광 소자 및 그의 형성 방법 {LIGHT-EMITTING DEVICES HAVING MULTIPLE ENCAPSULATION LAYERS WITH AT LEAST ONE OF THE ENCAPSULATION LAYERS INCLUDING NANOPARTICLES AND METHODS OF FORMING THE SAME}
본 발명은 크게 마이크로 전자 소자 및 그의 제조에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 발광 소자 및 그의 제조에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 소비재 및 상업적 응용에 널리 사용된다. 당업자에게 잘 알려진 바와 같이, 일반적으로 발광 다이오드는 마이크로 전자 기판 위에 활성 영역을 포함한다. 상기 마이크로 전자 기판은, 예를 들면, 갈륨 아세나이드(gallium arsenide), 갈륨 포스파이드(gallium phosphide), 이들의 합금, 실리콘(silicon) 카바이드, 및/또는 사파이어를 포함한다. LED의 계속적인 개발은 가시광선 범위 및 그 너머까지 커버할 수 있고 효율이 높을 뿐만 아니라 기계적으로도 강건한 광원을 가져왔다. 이러한 공헌은 고체 소자의 긴 잠재 수명과 함께 새로운 다양한 표시장치로서의 응용을 가능하게 할 수 있고, 또한 LED를 확고부동한 백열등 및/또는 형광등과 경쟁할 수 있는 위치에 가져다 둘 수 있다.
통상 표준적인 LED 패키지는 활성 소자를 다른 요소로부터 보호하고, LED 다이스의 광학적 출력을 향상시키기 위해 에폭시계 봉지층을 포함한다. 불행하게도, 에폭시계 봉지층은 비교적 짧은 파장(예를 들면, 525 nm)을 갖는 고 플럭스(flux)의 LED에 사용하면 광학적으로 열화될 수 있다.
본 발명의 일부 구현예에 따르면, 발광 소자는 가해지는 전압에 반응하여 발광하도록 구성된 활성 영역을 포함한다. 제 1 봉지층이 상기 활성 영역을 적어도 부분적으로 봉지하고, 제 1 봉지층은 매트릭스 물질과 상기 제 1 봉지층의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질하는 나노입자를 포함한다. 제 2 봉지층은 상기 제 1 봉지층을 적어도 부분적으로 봉지한다.
본 발명의 다른 구현예에서, 상기 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔(optical gel), 에폭시 수지, 유리, 졸-겔(sol-gel), 에어로겔(aerogel), 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함한다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 상기 제 1 봉지층은 실질적으로 투명하다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 상기 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자(scattering particles), 필러(filler), 인광 물질(phosphors), 및/또는 광 전환 물질을 포함한다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 상기 적어도 하나의 물리적 성질은 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성을 포함한다.
본 발명의 추가적인 구현예에서, 상기 매트릭스 물질은 제 1 매트릭스 물질이고, 상기 나노입자는 제 1 나노입자이다. 상기 제 2 봉지층은 제 2 매트릭스 물질 및 상기 제 2 봉지층의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질하는 제 2 나노입자를 포함한다.
본 발명의 다른 추가적인 구현예에서, 상기 제 2 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔, 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함한다.
본 발명의 다른 추가적인 구현예에서, 상기 제 2 봉지층은 실질적으로 투명하다.
본 발명의 다른 추가적인 구현예에서, 상기 제 2 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자, 필러, 인광 물질, 및/또는 광 전환 물질을 포함한다.
본 발명의 다른 추가적인 구현예에서, 제 2 봉지층의 상기 적어도 하나의 물리적 성질은 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성을 포함한다.
본 발명의 다른 추가적인 구현예에서, 상기 활성 영역의 반대쪽인, 상기 제 1 봉지층의 바깥쪽 표면은 상기 활성 영역으로부터 나온 광선이 상기 제 1 봉지층에 임계각보다 큰 각도로 입사하지 않도록 모양이 이루어질 수 있다.
본 발명의 소자 구현예에 대하여 이상에서 주로 설명하였지만, 본 발명은 발광 소자의 형성 및 제조 방법에도 구체화 될 수 있음은 이해될 것이다.
첨부된 다음 도면과 함께 읽으면, 본 발명의 구체적인 구현예에 관한 발명의 상세한 설명으로부터 본 발명의 다른 특징이 더욱 용이하게 이해될 것이다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일부 구현예에 따른 발광 소자 및 그의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 추가적인 구현예에 따른 발광 소자 및 그의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 추가적인 구현예에 따른 발광 소자 및 그의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변용 및 선택적인 형태가 가능하지만, 이하에서는 본 발명의 구체적인 구현예를 도면의 예를 통해 보이고 이를 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 발명을 개시된 특정 형태에 한정할 의도가 아니며, 반대로, 청구항에 의해 정의되는 발명의 정신과 범위 내에 속하는 모든 변용물, 균등물, 및 선택물을 본 발명은 포함한다. 도면의 설명에서 동일한 참조번호는 동일한 요소를 나타낸다. 도면에서, 층과 영역의 치수는 명확성을 위해 과장되었다. 여기에 개시된 각 구현예는 반대의(상보적인) 전도성을 띠는 구현예도 포함한다.
층, 영역 또는 기판과 같은 어떤 요소가 다른 요소 "위에" 있다고 언급될 때, 그것은 다른 요소의 위에 직접 있을 수도 있고 또는 개재되는 요소가 존재할 수도 있음은 이해될 것이다. 표면과 같은 어떤 요소의 일부가 "내부"라고 언급되는 경우, 그것이 그 요소의 다른 부분보다 소자의 외부로부터 더 먼 것임은 이해될 것이다. 또한, 도면에 나타낸 것과 같은 일 층 또는 영역의 기판 또는 기층에 대한 상대적인 다른 층 또는 영역에 대한 관계를 기술하기 위해 "밑에(beneath)" 또는 "위에(overlie)"와 같은 상대적인 용어가 여기서 사용될 수 있다. 이러한 용어들은 도면에 나타낸 방향뿐만 아니라 소자의 상이한 방향들을 포괄하기 위해 의도되었다. 마지막으로, "직접"이라는 용어는 개재되는 요소가 없음을 의미한다. "및/또는"이라는 용어는 여기에서 사용될 때, 관련되어 열거된 항목의 하나 이상의 어느 것 또는 이들의 조합을 모두 포함한다.
여러 요소, 구성부, 영역, 층 및/또는 섹션을 기술하기 위해 제1, 제2 등의 용어가 여기에 사용될 수 있지만, 이들 요소, 구성부, 영역, 층 및/또는 섹션은 이들 용어에 한정되어서는 아니됨을 이해할 것이다. 이들 용어들은 하나의 요소, 구성부, 영역, 층 및/또는 섹션은 다른 요소, 구성부, 영역, 층 및/또는 섹션과 구별하기 위해 사용되었을 뿐이다. 따라서, 이하에서 논의되는 제 1 요소, 구성부, 영역, 층 및/또는 섹션은 애당초 제 2 요소, 구성부, 영역, 층 및/또는 섹션으로 명명하였더라도 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않는다.
이하에서는 크게 SiC계 또는 사파이어(Al2O3)계 기판 위의 GaN계 발광 다이오드(LED)를 참조하여 본 발명의 구현예들을 설명하고자 한다. 그러나, 본 발명은 그러한 구조에 한정되지 않는다. 본 발명의 구현예에 사용될 수 있는 발광 소자의 예는 미합중국 북캐롤라이나 더햄(Durham)의 크리사(Cree, Inc.)에서 제조 판매되는 소자와 같은 LED 및/또는 레이저 다이오드를 포함하지만 여기에 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명은 미합중국 특허 제6,201,262호, 제6,187,606호, 제6,120,600호, 제5,912,477호, 제5,739,554호, 제5,631,190호, 제5,604,135호, 제5,523,589호, 제5,416,342호, 제5,393,993호, 제5,338,944호, 제5,210,051호, 제5,027,168호, 제5,027,168호, 제4,966,862호, 및/또는 제4,918,497호에 기재된 LED 및/또는 레이저와 함께 사용되는 것이 적합할 수 있다. 이들 미국특허들의 개시 내용은 본 발명에 모두 설명된 것처럼 본 발명에 인용되어 결합된다. 2002년 5월 7일 출원된 미합중국 출원번호 제10/140,796호 "GROUP III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES WITH A QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE, GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL STRUCTURES AND GROUP III NITRIDE BASED SUPERLATTICE STRUCTURES", 및 2002년 1월 25일 출원된 미합중국 출원번호 제10/057,821호 "LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR"에는 다른 적합한 LED 및/또는 레이저가 기재되어 있다. 이들 미국특허들의 개시 내용은 본 발명에 모두 설명된 것처럼 본 발명에 인용되어 결합된다. 또한, 2003년 9월 9일에 출원된 미합중국 출원번호 제10/659,241호 "PHOSPHOR-COATED LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING TAPERED SIDEWALLS AND FABRICATION METHODS THEREFOR"에 기재된 것과 같은 인광 코팅된 LED도 본 발명의 구현예에 사용되기에 적합할 수 있다. 상기 미합중국 출원 일련번호 제10/659,241호의 개시 내용은 본 발명에 모두 설명된 것처럼 본 발명에 인용되어 결합된다.
상기 LED 및/또는 레이저는 상기 기판을 통해 빛의 방사가 일어나도록 "플립-칩" 구성으로 작동하게 구성될 수 있다. 그러한 구현예에서, 상기 기판은, 예를 들면, 2002년 1월 25일에 출원된 미합중국 출원번호 제10/057,821호 "LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR"에 설명된 것과 같이, 소자의 광출력을 향상시키도록 기판이 패턴될 수 있다. 상기 미합중국 출원 일련번호 제10/057,821호의 개시 내용은 본 발명에 모두 설명된 것처럼 본 발명에 인용되어 결합된다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일부 구현예에 따른 발광 소자 및 그의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 도 1a를 참조하면, 본 발명의 일부 구현예에 따른 발광 소자(10)은 전기적으로 상호 연결된 애노드 단자(12), 다이오드 영역과 같은 활성 영역(13) 및 캐소드 단자(14)를 구비하는 LED를 포함한다. 상기 활성 영역(13)은, 예를 들면, 애노드 단자 (12) 및 캐소드 단자(14)를 통해 가해지는 전압에 반응하여 발광하도록 구성된다. 상기 발광 소자(10)는 제 1 봉지층(16)을 더 포함하고, 상기 제 1 봉지층(16)은, 예를 들면, 매트릭스 물질과 나노입자를 포함하며, 상기 나노입자는, 예를 들면, 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성과 같은 상기 제 1 봉지층(16)의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질한다. 상기 제 1 봉지층(16)은 본 발명의 일부 구현예에 따른 활성 영역을 적어도 부분적으로 봉지하고 실질적으로 투명할 수 있다. 본 발명의 다양한 구현예에 따라, 상기 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔, 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함할 수 있다. 유리하게는, 일반적으로 상기 실리콘(silicone) 겔이 상대적으로 고 플럭스, (예를 들면, 525 nm 정도의 오더를 갖는)단파장의 빛에 노출되었을 때, 광학적으로 안정하다. 상기 제 1 봉지층(16)의 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자, 필러, 인광 물질, 및/또는 광 전환 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 상기 제 1 봉지층(16)은 자신의 내부에 TiO2 나노입자를 함유하는 실리콘(silicone) 겔을 포함할 수 있다. 상기 실리콘(silicone) 겔 내에 함유된 TiO2 나노입자는 상기 제 1 봉지층(16)의 굴절율을 증가시켜 상기 제 1 봉지층(16)의 굴절율이 상기 활성 영역(13)의 굴절율에 더욱 가깝게 매치될 수 있도록 할 수 있으며, 그 결과 상기 활성 영역(13)으로부터의 광 추출을 개선할 수 있다.
빛이 하나의 매질로부터 다른 매질로 이동할 때, 다음과 같은 스넬의 법칙에 의해 굴절각이 지배되도록 굴절될 수 있다: n1sinθ1=n2sinθ2, 여기서, n1은 매질 1의 굴절율이고, n2는 매질 2의 굴절율이다. 그러나, 탈출하는 빛은 다음과 같이 정의되는 "임계각" 보다 낮은 범위에서 각도 의존성을 갖는다: θ1임계=sin-1(n2/n1). 상기 임계각보다 큰 각도로 입사하는 빛은 매질 2를 통과하지 않고 대신 매질 1 내부로 반사되어 되돌아간다. 이러한 반사를 흔히 내부 전반사라고 부른다. 상기 제 1 봉지층(16)으로부터의 광 추출을 더욱 향상시키기 위해, 상기 제 1 봉지층(16)의 활성 영역(13) 반대편의 외부 표면은 본 발명의 일부 구현예에 따라 상기 활성 영역(13)으로부터의 광선이 임계각보다 큰 각도로 상기 제 1 봉지층(16)에 입사하지 않도록 모양이 이루어질 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 제 1 봉지층(16)은 제 2 봉지층(18)으로 적어도 부분적으로 봉지되고, 상기 제 2 봉지층(18)은 제 2 매트릭스 물질 및 제 2 나노입자를 포함할 수 있으며, 상기 제 2 나노입자는 예를 들면, 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성과 같은 상기 제 2 봉지층(18)의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질한다. 상기 제 2 봉지층(18)은 실질적으로 투명할 수 있다. 본 발명의 다양한 구현예에 따라, 상기 제 2 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔, 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함할 수 있다. 상기 제 2 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자, 필러, 인광 물질, 및/또는 광 전환 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 특정 구현예에서, 상기 제 2 봉지층(18)은 상기 발광 소자(10)의 패키지에 강도(剛度, rigidity)를 부여하기 위해 에폭시, 플라스틱 및/또는 유리를 포함할 수 있다. 상기 패키지의 열적 특성을 개선하기 위해, 실질적으로 투명할 수 있는 제 3 봉지층(19)이 본 발명의 일부 구현예에 따라 사용되어 제 2 봉지층(18)을 적어도 부분적으로 봉지할 수 있다. 상기 제 3 봉지층(19)은 열전도성 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 특정 구현예에 따라, 상기 제 1 봉지층(16), 제 2 봉지층(18) 및 제 3 봉지층(19)은 캐스팅 공정(casting process)을 이용하여 형성될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 추가적인 구현예에 따른 발광 소자 및 그의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 도 2a를 참조하면, 본 발명의 일부 구현예에 따른 발광 소자(20)는 상호 전기적으로 연결되는 애노드 단자(22), 다이오드 영역과 같은 활성 영역(23), 및 캐소드 단자(24)를 포함하는 LED를 포함한다. 상기 활성 영역(23)은, 예를 들면, 애노드 단자(22) 및 캐소드 단자(24)를 통해 가해지는 전압에 반응하여 발광하도록 구성된다. 상기 발광 소자(20)는 제 1 봉지층(26)을 더 포함하고, 상기 제 1 봉지층(26)은, 예를 들면, 매트릭스 물질과 나노입자를 포함하며, 상기 나노입자는, 예를 들면, 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성과 같은 상기 제 1 봉지층(26)의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질한다. 상기 제 1 봉지층(26)은 본 발명의 일부 구현예에 따른 활성 영역을 적어도 부분적으로 봉지하고 실질적으로 투명할 수 있다. 본 발명의 다양한 구현예에 따라, 상기 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔, 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함할 수 있다. 상기 제 1 봉지층(26)의 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자, 필러, 인광 물질, 및/또는 광 전환 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 상기 제 1 봉지층(26)은 자신의 내부에 TiO2 나노입자를 함유하는 실리콘(silicone) 겔, 에폭시 및/또는 고분자를 포함할 수 있다. 상기 매트릭스 물질 내에 함유된 TiO2 나노입자는 상기 제 1 봉지층(26)의 굴절율을 증가시켜 상기 제 1 봉지층(26)의 굴절율이 상기 활성 영역(23)의 굴절율에 더욱 가깝게 매치될 수 있도록 할 수 있으며, 그 결과 상기 활성 영역(23)으로부터의 광 추출을 개선할 수 있다.
본 발명의 일부 구현예에 따라 상기 제 1 봉지층(26)으로부터의 광 추출을 더욱 향상시키기 위해, 상기 제 1 봉지층(26)의 활성 영역(23) 반대편의 외부 표면은 상기 활성 영역(23)으로부터의 광선이 임계각보다 큰 각도로 상기 제 1 봉지층(26)에 입사하지 않도록 모양이 이루어질 수 있다. 또한, 본 발명의 일부 구현예에 따라 상기 제 1 봉지층(26)은, 예를 들면, 백색 LED 램프를 제조하기 위해 인광 물질 입자를 더 포함할 수도 있다. 본 발명의 특정 구현예에 따라, 상기 제 1 봉지층(26)은 캐스팅 또는 디스펜싱 공정(dispensing process)을 이용하여 형성될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 발광 소자(20)는 상기 제 1 봉지층(26)을 적어도 부분적으로 봉지하고 실질적으로 투명할 수 있는 제 2 봉지층(27)을 더 포함한다. 상기 제 2 봉지층(27)은 제 2 매트릭스 물질 및 제 2 나노입자를 포함할 수 있으며, 상기 제 2 나노입자는 예를 들면, 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성과 같은 상기 제 2 봉지층(27)의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질한다. 본 발명의 다양한 구현예에 따라, 상기 제 2 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔, 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함할 수 있다. 상기 제 2 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자, 필러, 인광 물질, 및/또는 광 전환 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 특정 구현예에서, 상기 제 2 봉지층(27)은 실리콘(silicone) 겔을 포함할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 상기 제 2 봉지층(27)은 실질적으로 투명할 수 있는 제 3 봉지층(28)으로 적어도 부분적으로 봉지되고, 상기 제 3 봉지층(28)은 제 3 매트릭스 물질 및 제 3 나노입자를 포함할 수 있으며, 상기 제 3 나노입자는 예를 들면, 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성과 같은 상기 제 3 봉지층(28)의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질한다. 본 발명의 다양한 구현예에 따라, 상기 제 3 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔, 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함할 수 있다. 상기 제 3 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자, 필러, 인광 물질, 및/또는 광 전환 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 특정 구현예에서, 상기 제 3 봉지층(28)은 상기 발광 소자(20)의 패키지에 강도(剛度, rigidity)를 부여하기 위해 에폭시, 플라스틱 및/또는 유리를 포함할 수 있다. 상기 패키지의 열적 특성을 개선하기 위해, 제 4 봉지층(29)이 본 발명의 일부 구현예에 따라 사용되어 제 3 봉지층(28)을 적어도 부분적으로 봉지할 수 있다. 상기 제 4 봉지층(29)은 열전도성 물질을 포함할 수 있고, 실질적으로 투명할 수 있다. 본 발명의 특정 구현예에 따라, 상기 제 2 봉지층(27), 제 3 봉지층(28) 및 제 4 봉지층(29)은 캐스팅 공정(casting process)을 이용하여 형성될 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다른 일부 구현예에 따른 발광 소자 및 그의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 도 3a를 참조하면, 본 발명의 일부 구현예에 따른 발광 소자(30)는 상호 전기적으로 연결되는 애노드 단자(32), 다이오드 영역과 같은 활성 영역(33), 및 캐소드 단자(34)를 포함하는 LED를 포함한다. 상기 활성 영역(33)은, 예를 들면, 애노드 단자(32) 및 캐소드 단자(34)를 통해 가해지는 전압에 반응하여 발광하도록 구성된다. 상기 발광 소자(30)는 제 1 봉지층(35)을 더 포함하고, 상기 제 1 봉지층(35)은, 예를 들면, 매트릭스 물질과 나노입자를 포함하며, 상기 나노입자는, 예를 들면, 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성과 같은 상기 제 1 봉지층(35)의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질한다. 상기 제 1 봉지층(35)은 본 발명의 일부 구현예에 따른 활성 영역을 적어도 부분적으로 봉지하고 실질적으로 투명할 수 있다. 본 발명의 다양한 구현예에 따라, 상기 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔, 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함할 수 있다. 상기 제 1 봉지층(35)의 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자, 필러, 인광 물질, 및/또는 광 전환 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 상기 제 1 봉지층(35)은 자신의 내부에 TiO2 나노입자를 함유하는 실리콘(silicone) 겔, 에폭시 및/또는 고분자를 포함할 수 있다. 상기 매트릭스 물질 내에 함유된 TiO2 나노입자는 상기 제 1 봉지층(35)의 굴절율을 증가시켜 상기 제 1 봉지층(35)의 굴절율이 상기 활성 영역(33)의 굴절율에 더욱 가깝게 매치될 수 있도록 할 수 있으며, 그 결과 상기 활성 영역(33)으로부터의 광 추출을 개선할 수 있다.
상기 제 1 봉지층(35)으로부터의 광 추출을 더욱 향상시키기 위해, 상기 제 1 봉지층(35)의 활성 영역(33) 반대편의 외부 표면은 본 발명의 일부 구현예에 따라 상기 활성 영역(33)으로부터의 광선이 임계각보다 큰 각도로 상기 제 1 봉지층(35)에 입사하지 않도록 모양이 이루어질 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 발광 소자(30)는 상기 제 1 봉지층(35)을 적어도 부분적으로 봉지하고 실질적으로 투명할 수 있는 제 2 봉지층(36)을 더 포함한다. 상기 제 2 봉지층(36)은 제 2 매트릭스 물질 및 제 2 나노입자를 포함할 수 있으며, 상기 제 2 나노입자는 예를 들면, 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성과 같은 상기 제 2 봉지층(36)의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질한다. 본 발명의 다양한 구현예에 따라, 상기 제 2 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔, 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함할 수 있다. 상기 제 2 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자, 필러, 인광 물질, 및/또는 광 전환 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 특정 구현예에서, 상기 제 2 봉지층(36)은, 예를 들면, 백색 LED 램프를 제조하기 위해 인광 물질 입자를 자신의 내부에 함유하는 실리콘(silicone) 겔, 에폭시, 및/또는 고분자를 포함할 수 있고, 본 발명의 일부 구현예에 따른다. 또한, 상기 제 2 봉지층(36)은 본 발명의 일부 구현예에 따라 TiO2 나노 입자를 더 포함할 수 있다. 유리하게는, 상기 제 2 봉지층(36)을 상기 활성 영역(33)으로부터 분리함으로써, 상기 발광 소자로부터 증가된 광 출력을 얻을 수 있다. 본 발명의 특정 구현예에 따라, 상기 제 1 봉지층(35) 및 제 2 봉지층(36)은 캐스팅 또는 디스펜싱 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 발광 소자(30)는 상기 제 2 봉지층(36)을 적어도 부분적으로 봉지하고 실질적으로 투명할 수 있는 제 3 봉지층(37)을 더 포함한다. 상기 제 3 봉지층(37)은 제 3 매트릭스 물질 및 제 3 나노입자를 포함할 수 있으며, 상기 제 3 나노입자는 예를 들면, 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성과 같은 상기 제 3 봉지층(37)의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질한다. 본 발명의 다양한 구현예에 따라, 상기 제 3 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔, 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함할 수 있다. 상기 제 3 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자, 필러, 인광 물질, 및/또는 광 전환 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 특정 구현예에서, 상기 제 3 봉지층(37)은 실리콘(silicone) 겔을 포함할 수 있다.
도 3d를 참조하면, 상기 제 3 봉지층(37)은 실질적으로 투명할 수 있는 제 4 봉지층(38)으로 적어도 부분적으로 봉지되고, 상기 제 4 봉지층(38)은 제 4 매트릭스 물질 및 제 4 나노입자를 포함할 수 있으며, 상기 제 4 나노입자는 예를 들면, 굴절율, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성, 및/또는 광학적 안정성과 같은 상기 제 4 봉지층(38)의 적어도 하나의 물리적 성질을 개질한다. 본 발명의 다양한 구현예에 따라, 상기 제 4 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘(silicone) 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔, 및/또는 광학적으로 안정한 고분자를 포함할 수 있다. 상기 제 4 나노입자는 TiO2, 다이아몬드, 실리콘(silicon) 카바이드, 산란 입자, 필러, 인광 물질, 및/또는 광 전환 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 특정 구현예에서, 상기 제 4 봉지층(38)은 상기 발광 소자(30)의 패키지에 강도(剛度, rigidity)를 부여하기 위해 에폭시, 플라스틱 및/또는 유리를 포함할 수 있다. 상기 패키지의 열적 특성을 개선하기 위해, 제 5 봉지층(39)이 본 발명의 일부 구현예에 따라 사용되어 제 4 봉지층(38)을 적어도 부분적으로 봉지할 수 있다. 상기 제 5 봉지층(39)은 열전도성 물질을 포함할 수 있고, 실질적으로 투명할 수 있다. 본 발명의 특정 구현예에 따라, 상기 제 3 봉지층(37), 제 4 봉지층(38) 및 제 5 봉지층(39)은 캐스팅 공정(casting process)을 이용하여 형성될 수 있다.
일반적으로, 본 발명의 구현예들은 연속적인 여러 개(2 이상)의 봉지층을 포함할 수 있으며, 이들은 각각 다른 층 또는 발광 소자를 완전히 또는 부분적으로 봉지한다. 각 봉지층은 앞서 설명한 바와 같은 여러 가지 매트릭스, 나노 입자, 첨가제/필러 물질의 하나를 포함할 수 있으며, 각 층은 최종적인 패키지의 성능을 향상시키기 위해 특정 보완적인 기능을 수행할 수 있다. 일반적으로, 상기 봉지층은 발광 소자로부터 나오는 빛을 실질적으로 흡수하지 않는 것이 바람직하다. 또한, 상기 봉지층 사이의 계면은 광학적 및/또는 화학적 성질을 향상시키기 위해 설계될 수 있다. 화학 반응, 접착성, 열팽창성 등과 같은 화학적 및 다른 물리적 성질의 양립성은 여러 봉지층 사이 계면의 기하학적 구조 및/또는 구성에 제약 조건을 가져올 수도 있다.
상세한 설명을 맺으며, 본 발명의 원리로부터 실질적으로 이탈하지 않으면서 많은 변용과 변경이 바람직한 구현예에 가해질 수 있음을 주의하여야 한다. 그러한 모든 변용과 변경은 다음 청구항에 설명된 바와 같은 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.

Claims (27)

  1. 활성 영역 - 상기 활성 영역은 상기 활성 영역에 가해지는 전압에 반응하여 발광하도록 구성됨 -;
    상기 활성 영역을 적어도 부분적으로 봉지하는 제1 봉지층 - 상기 제1 봉지층은 제1 매트릭스 물질을 포함하고, 상기 제1 봉지층의 물리적 성질에 대응하는 제1 봉지층 기능을 제공함 -;
    상기 제1 봉지층을 적어도 부분적으로 봉지하는 제2 봉지층 - 상기 제2 봉지층은 제2 매트릭스 물질 및 제1 나노입자들을 포함하고, 상기 제2 봉지층의 물리적 성질에 대응하는 제2 봉지층 기능을 제공하고, 상기 제2 봉지층 기능은 상기 제1 봉지층 기능과 상이함 -; 및
    상기 제2 봉지층을 적어도 부분적으로 봉지하는 제3 봉지층 - 상기 제3 봉지층은 제3 매트릭스 물질과 제2 나노입자들을 포함하고, 상기 제3 봉지층의 물리적 성질에 대응하는 제3 봉지층 기능을 제공함 -
    을 포함하고,
    상기 제3 봉지층의 물리적 성질은 광 산란, 회절, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성 및 광학적 안정성의 제3 물리적 성질 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제1 봉지층은 상기 활성 영역과 상기 제2 봉지층 사이에 배열되어 그 사이의 분리를 정의하고,
    상기 제3 봉지층 기능은 상기 제2 봉지층 기능과 상이하고,
    상기 제1 나노입자들은, 광 산란, 회절, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성 및 광학적 안정성 중 적어도 하나를 포함하는 상기 제2 봉지층의 물리적 성질을 개질하는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 매트릭스 물질은 실리콘(silicone), 실리콘 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔(sol-gel), 에어로겔 및 광학적으로 안정한 고분자 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제2 매트릭스 물질은 실리콘, 실리콘 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔 및 광학적으로 안정한 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 실질적으로 투명한 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 나노입자들은 TiO2, 다이아몬드, 실리콘 카바이드, 산란 입자들, 필러들, 인광체들(phosphors) 및 광 변환 물질들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 활성 영역으로부터 나온 광선들이 상기 제1 봉지층에 임계각보다 작거나 같은 각도로 입사하도록, 상기 활성 영역에 대향하는 상기 제1 봉지층의 외부 표면을 쉐이핑하는(shape) 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 봉지층의 물리적 성질은 기계적 강도를 포함하고, 상기 제2 봉지층의 물리적 성질은 열전도도를 포함하는 발광 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 봉지층의 물리적 성질은 열전도도를 포함하고, 상기 제2 봉지층의 물리적 성질은 광 산란을 포함하는 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 봉지층은 광 변환 물질들을 포함하는 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제3 봉지층 기능은 상기 제1 봉지층 기능과 상이하고,
    상기 제2 나노입자들은 TiO2, 다이아몬드, 실리콘 카바이드, 산란 입자들, 필러들, 인광체들 및 광 변환 물질들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 봉지층은 실질적으로 나노입자들이 없는 발광 소자.
  11. 발광 소자의 형성 방법으로서,
    활성 영역에 가해지는 전압에 반응하여 발광하도록 구성된 상기 활성 영역을 형성하는 단계;
    상기 활성 영역을 적어도 부분적으로 봉지하는 제1 봉지층을 형성하는 단계 - 상기 제1 봉지층은 제1 매트릭스 물질을 포함하고, 상기 제1 봉지층의 물리적 성질에 대응하는 제1 봉지층 기능을 제공함 -;
    상기 제1 봉지층을 적어도 부분적으로 봉지하는 제2 봉지층을 형성하는 단계 - 상기 제2 봉지층은 제2 매트릭스 물질 및 제1 나노입자들을 포함하고, 상기 제2 봉지층의 물리적 성질에 대응하는 제2 봉지층 기능을 제공함 -; 및
    상기 제2 봉지층을 적어도 부분적으로 봉지하는 제3 봉지층을 형성하는 단계 - 상기 제3 봉지층은 제3 매트릭스 물질과 제2 나노입자들을 포함하고, 상기 제3 봉지층의 물리적 성질에 대응하는 제3 봉지층 기능을 제공함 -
    를 포함하고,
    상기 제3 봉지층의 물리적 성질은 광 산란, 회절, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성 및 광학적 안정성의 제3 물리적 성질 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제1 봉지층 기능은 상기 제2 봉지층 기능과 상이하고,
    상기 제1 봉지층은 상기 활성 영역과 상기 제2 봉지층 사이에 배열되어 그 사이의 분리를 제공하고,
    상기 제2 봉지층의 물리적 성질은, 상기 제1 봉지층의 물리적 성질과 상이한 광 산란, 회절, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성 및 광학적 안정성을 포함하는 발광 소자의 형성 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 매트릭스 물질은 실리콘, 실리콘 화합물, 광학 겔, 에폭시 수지, 유리, 졸-겔, 에어로겔 및 광학적으로 안정한 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자의 형성 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 실질적으로 투명한 발광 소자의 형성 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 나노입자들은 TiO2, 다이아몬드, 실리콘 카바이드, 산란 입자들, 필러들, 인광체들 및 광 변환 물질 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자의 형성 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 활성 영역으로부터 나온 광선들이 상기 제1 봉지층에 임계각보다 작거나 같은 각도로 입사하도록, 상기 활성 영역에 대향하는 상기 제1 봉지층의 외부 표면을 쉐이핑하는 발광 소자의 형성 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1 봉지층의 물리적 성질은 기계적 강도를 포함하고, 상기 제2 봉지층의 물리적 성질은 열전도도를 포함하는 발광 소자의 형성 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 제1 봉지층의 물리적 성질은 열전도도를 포함하고, 상기 제2 봉지층의 물리적 성질은 회절을 포함하는 발광 소자의 형성 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 제2 봉지층은 인광체들을 포함하는 발광 소자의 형성 방법.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 제2 나노입자들은 TiO2, 다이아몬드, 실리콘 카바이드, 산란 입자들, 필러들, 인광체들 및 광 변환 물질들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자의 형성 방법.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 제1 봉지층은 실질적으로 나노입자들이 없는 발광 소자의 형성 방법.
  21. 활성 영역 - 상기 활성 영역은 상기 활성 영역에 가해지는 전압에 반응하여 발광하도록 구성됨 -;
    상기 활성 영역을 적어도 부분적으로 봉지하는 제1 봉지층 - 상기 제1 봉지층은 제1 물질을 포함하고, 상기 제1 봉지층의 물리적 성질에 대응하는 제1 봉지층 기능을 제공함 -;
    상기 제1 봉지층을 적어도 부분적으로 봉지하는 제2 봉지층 - 상기 제2 봉지층은 제2 물질을 포함하고, 상기 제2 봉지층의 물리적 성질에 대응하는 제2 봉지층 기능을 제공하고, 상기 제2 봉지층 기능은 상기 제1 봉지층 기능과 상이함 -; 및
    상기 제2 봉지층을 적어도 부분적으로 봉지하는 제3 봉지층 - 상기 제3 봉지층은 제3 봉지층의 물리적 성질에 대응하는 제3 봉지층 기능을 수행하는 제3 물질을 포함함 -
    을 포함하고,
    상기 제3 봉지층 기능은 상기 제2 봉지층 기능과 상이하고,
    상기 제1 물질은, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성 및 광학적 안정성 중 적어도 하나를 포함하는 상기 제1 봉지층의 물리적 성질을 개질하고,
    상기 제2 물질은, 광 산란, 회절, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성 및 광학적 안정성 중 적어도 하나를 포함하는 상기 제2 봉지층의 물리적 성질을 개질하고,
    상기 제3 봉지층의 물리적 성질은 광 산란, 회절, 열전도도, 기계적 강도, 내마모성 및 광학적 안정성 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제2 봉지층의 물리적 성질은 상기 제1 봉지층으로부터 수신된 광의 파장을 변환하는 파장 변환 성질을 포함하는 발광 소자.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 제1 물질은 상기 제2 봉지층으로부터 상기 활성 영역을 분리하기 위해 상기 제1 봉지층 기능을 수행하는 제1 매트릭스 물질을 포함하는 발광 소자.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 제2 물질은 상기 제2 봉지층의 물리적 성질을 개질하기 위해 상기 제2 봉지층 기능을 수행하는 제1 나노입자들 및 제2 매트릭스 물질을 포함하는 발광 소자.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 제3 봉지층 기능은 상기 제1 봉지층 기능과 상이한 발광 소자.
  26. 제21항에 있어서,
    상기 제2 봉지층의 물리적 성질은 상기 제1 봉지층으로부터 수신된 광의 파장을 변환하는 파장 변환 성질을 포함하고,
    상기 제3 봉지층의 물리적 성질은 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층으로부터의 열 에너지를 전달하도록 구성된 열전도도 성질을 포함하는 발광 소자.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 제3 물질은 상기 제3 봉지층의 물리적 성질을 개질하기 위해 상기 제3 봉지층 기능을 수행하는 제2 나노입자들 및 제3 매트릭스 물질을 포함하고,
    상기 제2 나노입자들은 TiO2, 다이아몬드, 실리콘 카바이드, 산란 입자들, 필러들, 인광체들 및 광 변환 물질들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
KR1020117020217A 2004-04-06 2005-04-05 다중 봉지층으로서 적어도 하나의 봉지층이 나노입자를 포함하는 다중 봉지층을 구비하는 발광 소자 및 그의 형성 방법 Expired - Fee Related KR101225252B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/818,912 US7868343B2 (en) 2004-04-06 2004-04-06 Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
US10/818,912 2004-04-06
PCT/US2005/011592 WO2005101909A1 (en) 2004-04-06 2005-04-05 Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067020679A Division KR101138540B1 (ko) 2004-04-06 2005-04-05 다중 봉지층으로서 적어도 하나의 봉지층이 나노입자를포함하는 다중 봉지층을 구비하는 발광 소자 및 그의 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110112450A KR20110112450A (ko) 2011-10-12
KR101225252B1 true KR101225252B1 (ko) 2013-01-22

Family

ID=34965375

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067020679A Expired - Fee Related KR101138540B1 (ko) 2004-04-06 2005-04-05 다중 봉지층으로서 적어도 하나의 봉지층이 나노입자를포함하는 다중 봉지층을 구비하는 발광 소자 및 그의 형성방법
KR1020117020217A Expired - Fee Related KR101225252B1 (ko) 2004-04-06 2005-04-05 다중 봉지층으로서 적어도 하나의 봉지층이 나노입자를 포함하는 다중 봉지층을 구비하는 발광 소자 및 그의 형성 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067020679A Expired - Fee Related KR101138540B1 (ko) 2004-04-06 2005-04-05 다중 봉지층으로서 적어도 하나의 봉지층이 나노입자를포함하는 다중 봉지층을 구비하는 발광 소자 및 그의 형성방법

Country Status (8)

Country Link
US (2) US7868343B2 (ko)
EP (1) EP1741315B1 (ko)
JP (2) JP5376801B2 (ko)
KR (2) KR101138540B1 (ko)
AT (1) ATE415072T1 (ko)
DE (1) DE602005011119D1 (ko)
TW (1) TWI364115B (ko)
WO (1) WO2005101909A1 (ko)

Families Citing this family (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP2005167091A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Nitto Denko Corp 光半導体装置
US7355284B2 (en) 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
KR100683674B1 (ko) * 2004-06-29 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
KR100638611B1 (ko) * 2004-08-12 2006-10-26 삼성전기주식회사 다중 렌즈 발광 다이오드
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7675079B1 (en) * 2004-10-28 2010-03-09 Kley Victor B Diamond coating of silicon-carbide LEDs
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US20060091418A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Chew Tong F Side emitting LED device and method of fabrication
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US20060124941A1 (en) * 2004-12-13 2006-06-15 Lee Jae S Thin gallium nitride light emitting diode device
JP2008523637A (ja) * 2004-12-14 2008-07-03 ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージ
US8076680B2 (en) * 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
US7646035B2 (en) * 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
TWI271883B (en) * 2005-08-04 2007-01-21 Jung-Chieh Su Light-emitting devices with high extraction efficiency
US7952108B2 (en) * 2005-10-18 2011-05-31 Finisar Corporation Reducing thermal expansion effects in semiconductor packages
KR100693463B1 (ko) * 2005-10-21 2007-03-12 한국광기술원 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드
JP2007299981A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 発光素子封止用組成物及び発光素子並びに光半導体装置
CN103925521A (zh) 2005-12-21 2014-07-16 科锐公司 照明装置
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
BRPI0711151A2 (pt) 2006-05-02 2011-08-23 Superbulbs Inc método de dispersão de luz e espalhamento preferencial de certos comprimentos de onda de luz para diodos emissores de luz e bulbos construìdos nos mesmos
EP2021683A4 (en) * 2006-05-02 2010-10-27 Superbulbs Inc HEAT DISTRIBUTION DEVICE FOR LED LAMPS
WO2007130358A2 (en) * 2006-05-02 2007-11-15 Superbulbs, Inc. Plastic led bulb
KR100731678B1 (ko) * 2006-05-08 2007-06-22 서울반도체 주식회사 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치
EP2033235B1 (en) 2006-05-26 2017-06-21 Cree, Inc. Solid state light emitting device
CA2647845A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-13 University Of Georgia Research Foundation White phosphors, methods of making white phosphors, white light emitting leds, methods of making white light emitting leds, and light bulb structures
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP4795293B2 (ja) * 2007-03-30 2011-10-19 ローム株式会社 半導体発光装置
WO2008154172A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-18 Superbulbs, Inc. Apparatus for cooling leds in a bulb
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US9401461B2 (en) 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US7791093B2 (en) * 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
US8450927B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Switch Bulb Company, Inc. Phosphor-containing LED light bulb
US8519437B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
US8439528B2 (en) 2007-10-03 2013-05-14 Switch Bulb Company, Inc. Glass LED light bulbs
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
JP2011501464A (ja) 2007-10-24 2011-01-06 テオス・インコーポレイテッド Ｌｅｄ光源用拡散器
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
TW200932035A (en) * 2008-01-04 2009-07-16 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting element
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
CN101960211B (zh) * 2008-03-07 2017-03-08 皇家飞利浦电子股份有限公司 可变色发光器件
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
DE102008016487A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
EP2301071B1 (en) 2008-05-29 2019-05-08 Cree, Inc. Light source with near field mixing
WO2010021676A1 (en) * 2008-08-18 2010-02-25 Superbulbs, Inc. Anti-reflective coatings for light bulbs
WO2010021675A1 (en) * 2008-08-18 2010-02-25 Superbulbs, Inc. Settable light bulbs
US9107273B2 (en) * 2008-09-11 2015-08-11 Switch Bulb Company, Inc. End-of-life bulb circuitry
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
TWI426206B (zh) * 2008-12-25 2014-02-11 Au Optronics Corp 發光二極體裝置
US10214686B2 (en) 2008-12-30 2019-02-26 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US11198270B2 (en) 2008-12-30 2021-12-14 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
US8692274B2 (en) 2009-02-24 2014-04-08 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure
TWI463708B (zh) * 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
US8299489B2 (en) * 2010-08-03 2012-10-30 Silitek Electronics (Guangzhou) Co., Ltd. Illumination device
TWM374650U (en) * 2009-04-20 2010-02-21 Hsin I Technology Co Ltd LED packaging structure
US8168998B2 (en) 2009-06-09 2012-05-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with remote phosphor layer and reflective submount
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
KR101172143B1 (ko) * 2009-08-10 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 ｌｅｄ 소자
KR101163902B1 (ko) * 2010-08-10 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
WO2011028033A2 (ko) 2009-09-02 2011-03-10 엘지이노텍주식회사 형광체, 형광체 제조방법 및 백색 발광 소자
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US8604461B2 (en) 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
JP5678629B2 (ja) * 2010-02-09 2015-03-04 ソニー株式会社 発光装置の製造方法
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102456804A (zh) * 2010-10-20 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 封装体、发光二极管封装结构及封装体的制造方法
JP5940079B2 (ja) 2010-11-10 2016-06-29 ナノシス・インク． ディスプレイバックライトユニット及びディスプレイバックライトユニットの形成方法
JP5733743B2 (ja) * 2010-12-15 2015-06-10 日東電工株式会社 光半導体装置
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US8226274B2 (en) 2011-03-01 2012-07-24 Switch Bulb Company, Inc. Liquid displacer in LED bulbs
JP2012204072A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sharp Corp 発光装置、照明装置および車両用前照灯
WO2012124587A1 (ja) * 2011-03-16 2012-09-20 シャープ株式会社 波長変換部材およびその製造方法、ならびに、発光装置、照明装置および前照灯
WO2012132232A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 パナソニック株式会社 半導体発光装置
KR101644051B1 (ko) * 2011-05-20 2016-08-01 삼성전자 주식회사 광전자 소자 및 적층 구조
KR101771175B1 (ko) * 2011-06-10 2017-09-06 삼성전자주식회사 광전자 소자 및 적층 구조
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
KR20140038553A (ko) 2011-07-21 2014-03-28 크리,인코포레이티드 향상된 화학적 내성을 위한 발광 장치 패키지들, 부품들 및 방법들 그리고 관련된 방법들
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US8591069B2 (en) 2011-09-21 2013-11-26 Switch Bulb Company, Inc. LED light bulb with controlled color distribution using quantum dots
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US20130169144A1 (en) * 2012-01-03 2013-07-04 Lustrous Technology Ltd. Led package structure capable of adjusting the spatial color uniformity and the light distribution curve
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
CN102593321B (zh) * 2012-02-20 2015-11-25 深圳市安普光光电科技有限公司 Led的封装方法、led封装结构及显示屏
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
DE102012215514A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-06 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls und LED-Modul
WO2014080398A1 (en) * 2012-11-26 2014-05-30 Magic Lighting Optics Outdoor lighting device
US20140209950A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Light emitting diode package module
JP6286026B2 (ja) 2013-04-25 2018-02-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光ダイオードコンポーネント
US9799626B2 (en) * 2014-09-15 2017-10-24 Invensas Corporation Semiconductor packages and other circuit modules with porous and non-porous stabilizing layers
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
WO2019057534A1 (en) 2017-09-19 2019-03-28 Lumileds Holding B.V. LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US11075128B2 (en) * 2019-10-03 2021-07-27 Utica Leaseco, Llc Modules incorporating encapsulation layers
WO2024151813A1 (en) * 2023-01-13 2024-07-18 Lumileds Llc Wavelength converter with stepped-index anti-reflection layers

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6245259B1 (en) * 1996-09-20 2001-06-12 Osram Opto Semiconductors, Gmbh & Co. Ohg Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component
WO2003093393A1 (de) 2002-05-06 2003-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement
JP2004015063A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Lumileds Lighting Us Llc ナノ粒子を用いる発光デバイス
JP2004071908A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4994586U (ko) * 1972-12-08 1974-08-15
JPS60153538U (ja) 1984-03-22 1985-10-12 ロ−ム株式会社 半導体素子
JPS6222491A (ja) 1985-07-23 1987-01-30 Toshiba Corp 半導体発光装置
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) * 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5338994A (en) * 1989-07-20 1994-08-16 General Electric Company Method and apparatus for achieving current balance in parallel connected switching devices
US4966862A (en) * 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US5194161A (en) * 1989-09-25 1993-03-16 Board Of Regents, The University Of Texas System Materials and methods for enhanced photocatalyzation of organic compounds with palladium
US5210051A (en) * 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
JP3183715B2 (ja) 1992-06-18 2001-07-09 ローム株式会社 樹脂封止型光学素子
US5416342A (en) * 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5393993A (en) * 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
US5604135A (en) * 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5803579A (en) * 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
KR100662955B1 (ko) * 1996-06-26 2006-12-28 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
US5912447A (en) * 1997-01-14 1999-06-15 United Parcel Service Of America, Inc. Concentric optical path equalizer with radially moving mirrors
EP0995183A2 (en) 1997-07-11 2000-04-26 Fed Corporation Bonded active matrix organic light emitting device display and method of producing the same
JP3830238B2 (ja) 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JP2001196636A (ja) 2000-01-06 2001-07-19 Casio Comput Co Ltd 発光素子
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6417019B1 (en) * 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
US6765351B2 (en) * 2001-12-20 2004-07-20 The Trustees Of Princeton University Organic optoelectronic device structures
JP4240276B2 (ja) * 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20110118848A (ko) * 2002-09-19 2011-11-01 크리 인코포레이티드 경사 측벽을 포함하고 인광물질이 코팅된 발광 다이오드, 및 그의 제조방법
US6717362B1 (en) * 2002-11-14 2004-04-06 Agilent Technologies, Inc. Light emitting diode with gradient index layering
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP3102445U (ja) * 2003-12-24 2004-07-08 實慶 孫 発光ダイオード装置
JP2005197317A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Toshiba Corp 固体照明素子
JP4789809B2 (ja) * 2004-01-15 2011-10-12 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ナノ結晶をドーピングしたマトリックス
JP2005310756A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6245259B1 (en) * 1996-09-20 2001-06-12 Osram Opto Semiconductors, Gmbh & Co. Ohg Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component
WO2003093393A1 (de) 2002-05-06 2003-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement
JP2004015063A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Lumileds Lighting Us Llc ナノ粒子を用いる発光デバイス
JP2004071908A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7868343B2 (en) 2011-01-11
JP5376801B2 (ja) 2013-12-25
KR20110112450A (ko) 2011-10-12
TW200537714A (en) 2005-11-16
JP2007533140A (ja) 2007-11-15
WO2005101909A1 (en) 2005-10-27
DE602005011119D1 (de) 2009-01-02
KR20070004023A (ko) 2007-01-05
US20050224829A1 (en) 2005-10-13
JP2012089864A (ja) 2012-05-10
EP1741315A1 (en) 2007-01-10
EP1741315B1 (en) 2008-11-19
US8946755B2 (en) 2015-02-03
KR101138540B1 (ko) 2012-04-25
US20110068362A1 (en) 2011-03-24
TWI364115B (en) 2012-05-11
ATE415072T1 (de) 2008-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101225252B1 (ko) 다중 봉지층으로서 적어도 하나의 봉지층이 나노입자를 포함하는 다중 봉지층을 구비하는 발광 소자 및 그의 형성 방법
KR101623422B1 (ko) 고 효율 백색 발광 다이오드들을 위한 광학 설계들
CN102057507B (zh) 具有分隔的波长转换材料的半导体光发射器件及其形成方法
TW569473B (en) Opto-electronic component
CN103180977B (zh) 具有带有导热接触部的转换材料的发射辐射的器件以及其制造方法
CN100452461C (zh) 具有透镜的发光二极管光源
TWI387131B (zh) 發射電磁輻射之光電組件及製造光電組件的方法
US20070063214A1 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
EP2587560A1 (en) Light emitting diode
US20080265268A1 (en) Optoelectronic Component
TW200405587A (en) Light-emitting devices utilizing nanoparticles
TW201108471A (en) Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions on remote surfaces thereof
CN102593330A (zh) 发光装置封装件
US20060192225A1 (en) Light emitting device having a layer of photonic crystals with embedded photoluminescent material and method for fabricating the device
CN105981187A (zh) 光电组件
KR101997257B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
TW202339309A (zh) 多晶片發光二極體封裝件的配置
US20110186891A1 (en) Semiconductor light emitting device package
TWI862802B (zh) 半導體發光裝置
CN114838327A (zh) 发光装置
CN102456808A (zh) 发光二极管封装结构
KR102142718B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
TW202347829A (zh) 發光二極體封裝件中的發射高度排列及相關裝置和方法
CN119452477A (zh) 具有用于以倒装芯片方式安装发光二极管芯片的引线框架结构的发光二极管封装
WO2023147333A1 (en) Arrangements of light-altering coatings in light-emitting diode packages

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
PA0104 Divisional application for international application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A16-div-PA0104

St.27 status event code: A-0-1-A10-A18-div-PA0104

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

Fee payment year number: 1

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151217

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 4

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161220

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 5

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 6

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 7

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 8

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 9

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 10

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 11

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PC1903 Unpaid annual fee

Not in force date: 20240117

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

PC1903 Unpaid annual fee

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20240117

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000