KR101223544B1 - Wafer texturing device using inductive coupled plasma antena - Google Patents
Wafer texturing device using inductive coupled plasma antena Download PDFInfo
- Publication number
- KR101223544B1 KR101223544B1 KR1020110025549A KR20110025549A KR101223544B1 KR 101223544 B1 KR101223544 B1 KR 101223544B1 KR 1020110025549 A KR1020110025549 A KR 1020110025549A KR 20110025549 A KR20110025549 A KR 20110025549A KR 101223544 B1 KR101223544 B1 KR 101223544B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ceramic tube
- icp antenna
- chamber
- icp
- texturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 46
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
태양전지 제조장치 중 웨이퍼 표면을 가공하는 텍스처링 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 ICP 안테나를 이용한 대구경 텍스처링 장치에 관하여 개시한다.
본 발명은 내부에 하나 이상의 태양전지용 웨이퍼가 로딩되며, 상기 웨이퍼의 표면이 플라즈마에 의하여 표면 텍스처링 되는 챔버; 상기 챔버의 내부 공간 상부에 동일 높이상에 간격을 두고 형성되는 복수개의 세라믹 관재; 및 상기 세라믹 관재의 내부에 코일 형상으로 형성되는 ICP 안테나;를 포함하는 ICP 안테나를 이용한 대구경 텍스처링 장치를 제공한다.The present invention relates to a texturing apparatus for processing a wafer surface among solar cell manufacturing apparatuses, and more particularly, to a large diameter texturing apparatus using an ICP antenna.
The present invention is a chamber for loading one or more wafers for solar cells therein, the surface of the wafer surface is textured by a plasma; A plurality of ceramic tube members formed at intervals on the same height above the inner space of the chamber; It provides a large-diameter texturing apparatus using an ICP antenna comprising a; and an ICP antenna formed in a coil shape inside the ceramic tube.
Description
본 발명은 태양전지 제조장치 중 웨이퍼 표면을 가공하는 텍스처링(Texturing) 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 ICP 안테나를 이용한 대구경 텍스처링 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a texturing apparatus for processing a wafer surface of a solar cell manufacturing apparatus, and more particularly, to a large diameter texturing apparatus using an ICP antenna.
태양전지의 광흡수율을 높이기 위하여 태양전지용 웨이퍼 표면을 텍스처링을 수행한다. 태양전지용 웨이퍼 표면 텍스처링은 여러가지 방법에 의하여 이루어질 수 있다. 이중 플라즈마 텍스처링 방법은 가스 플라즈마를 사용하여 에칭하는 방식으로 이루어진다.The surface of the wafer for solar cells is textured to increase the light absorption rate of the solar cell. Wafer surface texturing for solar cells can be accomplished by several methods. The dual plasma texturing method is made by etching using gas plasma.
플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 소스로는 ICP(inductive cuopled plasma) 소스와, CCP(capacitively coupled plasma) 소스가 있다.Plasma sources for generating a plasma include an inductive cuopled plasma (ICP) source and a capacitively coupled plasma (CCP) source.
종래의 텍스처링 장치들은 주로 CCP 소스를 사용하고 있었는데, 이는 대구경화에서 ICP 소스를 구현함에 있어서 한계를 가지고 있기 때문이다.Conventional texturing devices mainly use a CCP source because of the limitations in implementing ICP sources in large diameters.
그런데, CCP 소스는 이온 에너지(ion energy)에 의한 플라즈마 데미지(plasma damage)를 유발하여 웨이퍼 또는 장치의 열화를 유발할 수 있는 문제점을 가지고 있다.
However, the CCP source has a problem that may cause plasma damage due to ion energy and cause deterioration of the wafer or the device.
본 발명의 목적은 플라즈마의 밀도를 증가시켜, 텍스처링 패턴 균일화에 유리한 배치 타입(batch type)의 ICP 안테나를 구비하는 텍스처링 장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a texturing apparatus having an ICP antenna of a batch type, which increases the density of the plasma and is advantageous for uniformizing the texturing pattern.
본 발명의 다른 목적은 국부적으로 자기장의 밀도를 조절할 수 있도록 함으로써, 전체적으로 균일한 자기장이 형성되도록 하고, 이를 통해 균일한 플라즈마 생성이 가능한 대구경 텍스처링 장치를 제공함에 있다.
Another object of the present invention is to provide a large-diameter texturing apparatus capable of locally adjusting the density of the magnetic field, thereby forming a uniform magnetic field as a whole, and thereby generating a uniform plasma.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 내부에 하나 이상의 태양전지용 웨이퍼가 로딩되며, 상기 웨이퍼의 표면이 플라즈마에 의하여 표면 텍스처링 되는 챔버; 상기 챔버의 내부 공간 상부에 동일 높이상에 간격을 두고 형성되는 복수개의 세라믹 관재; 및 상기 세라믹 관재의 내부에 코일 형상으로 형성되는 ICP 안테나;를 포함하는 ICP 안테나를 이용한 대구경 텍스처링 장치를 제공한다.
The present invention for achieving this object is a chamber in which one or more wafers for solar cells is loaded therein, the surface of the wafer is surface textured by a plasma; A plurality of ceramic tube members formed at intervals on the same height above the inner space of the chamber; It provides a large-diameter texturing apparatus using an ICP antenna comprising a; and an ICP antenna formed in a coil shape inside the ceramic tube.
상기 복수개의 세라믹 관재는 균일한 간격으로 형성되는 것이 바람직하다.Preferably, the plurality of ceramic tube members are formed at uniform intervals.
이 때, 상기 ICP 안테나는 상기 세라믹 관재를 지그 재그로 통과하여, 서로 인접한 ICP 안테나에 공급되는 전원이 반대 방향이 되도록 하거나, 양측에서 포크 형상으로 분기되어 상기 세라믹 관재를 통과하되, 서로 인접한 ICP 안테나에 공급되는 전원이 반대 방향이 되도록 하면 더욱 바람직하다.At this time, the ICP antenna to pass through the ceramic tube in a zigzag, so that the power supplied to the adjacent ICP antenna in the opposite direction, or branched in a fork on both sides through the ceramic tube, but adjacent to each other ICP antenna It is more preferable to make the power supplied to the reverse direction.
그리고, 상기 ICP 안테나는 국부적으로 다른 피치를 가지는 코일 형상으로 형성되어 국부적인 자기장의 밀도를 조절할 수 있도록 하면 더욱 바람직하다.In addition, the ICP antenna is more preferably formed in a coil shape having a locally different pitch to adjust the density of the local magnetic field.
한편, 상기 세라믹 관재는 양단이 상기 챔버 내벽에 연결되어, 상기 세라믹 관재 내부 공간과 상기 챔버 내부 공간이 분리되도록 하는 것이 바람직하며,On the other hand, the ceramic tube is preferably both ends are connected to the inner wall of the chamber, so that the internal space between the ceramic tube material and the chamber inner space,
상기 챔버 내벽은 ICP 안테나가 관통하는 관통홀을 구비하고, 상기 관통홀의 주변에 절연 부시가 구비되면 더욱 바람직하다.
The inner wall of the chamber may include a through hole through which an ICP antenna passes, and an insulation bush may be provided around the through hole.
본 발명에 따른 텍스처링 장치는 ICP 안테나를 챔버 내부 공간에 형성하되, 세라믹 관재를 이용하여 ICP 안테나를 보호하도록 함으로써 대형 세라믹 판재를 사용하지 않고도 대구경의 텍스처링 장치를 제조할 수 있도록 하는 효과를 가져온다.The texturing apparatus according to the present invention forms an ICP antenna in a space inside the chamber, so that the ICP antenna can be protected using a ceramic tube to produce a large diameter texturing apparatus without using a large ceramic plate.
또한, 본 발명에 따른 텍스처링 장치는 코일 형상의 ICP 안테나를 사용하고, 코일의 피치에 변화를 줌으로써 국부적으로 자기장 밀도를 조절할 수 있도록 하는 효과를 가져온다.In addition, the texturing apparatus according to the present invention uses the coil-shaped ICP antenna, bringing the effect of being able to adjust the magnetic field density locally by changing the pitch of the coil.
따라서, 본 발명에 따른 텍스처링 장치는 균일성이 향상된 고밀도 플라즈마를 생성할 수 있게 함으로써 장비의 효율을 향상시키는 효과를 가져온다.
Therefore, the texturing apparatus according to the present invention can produce a high-density plasma with improved uniformity, thereby improving the efficiency of the equipment.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 ICP 안테나를 이용한 대구경 텍스처링 장치를 개략적으로 나타낸 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 세라믹 관재 내부에 ICP 안테나가 수용된 상태를 나타낸 도면,
도 3은 세라믹 관재 내부에 수용된 ICP 안테나의 피치를 국부적으로 변화시킨 상태를 나타낸 도면,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 ICP 안테나 형상을 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 ICP 안테나 형상을 나타낸 도면,
도 6은 본 발명에 따른 세라믹 관재와 챔버 내벽의 연결관계를 나타낸 단면도임.1 is a configuration diagram schematically showing a large-diameter texturing apparatus using an ICP antenna according to an embodiment of the present invention,
2 is a view showing a state in which an ICP antenna is accommodated in a ceramic tube according to the present invention;
3 is a view showing a state in which the pitch of the ICP antenna accommodated inside the ceramic tube locally changed;
4 is a view showing the shape of the ICP antenna according to the first embodiment of the present invention;
5 is a view showing the shape of an ICP antenna according to a second embodiment of the present invention;
Figure 6 is a cross-sectional view showing the connection between the ceramic tube and the chamber inner wall according to the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. Advantages and features of the present invention, and methods of achieving the same will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술 등이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 ICP 안테나를 이용한 대구경 텍스처링 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a block diagram schematically illustrating a large-diameter texturing apparatus using an ICP antenna according to an embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 대구경 텍스처링 장치(100)는 내부에 하나 이상의 태양전지용 웨이퍼(10)가 로딩되며, 상기 웨이퍼(10)의 표면이 플라즈마에 의하여 표면 텍스처링 되는 챔버(110)와, 상기 챔버(110)의 내부 공간 상부에 동일 높이상에 간격을 두고 형성되는 복수개의 세라믹 관재(120)와, 상기 세라믹 관재(120)의 내부에 코일 형상으로 형성되는 ICP 안테나(미도시)를 포함한다.As shown, the large-
일반적인 소형 텍스처링 장치의 경우 챔버의 상면 전체를 세라믹 판재로 형성하고, 그 세라믹 판재의 위에 ICP 안테나를 배치하는 형태를 가지고 있다. 그런데, 이렇게 상면 전체를 세라믹 판재로 형성하는 구조로 측면의 길이가 수m에 달하는 대구경 텍스처링 장치를 제조하려면, 한변의 길이가 수m에 달하는 대형 세라믹 재질 판재가 필요하게 된다.In general, the small texturing apparatus has a form in which the entire upper surface of the chamber is formed of a ceramic plate, and an ICP antenna is disposed on the ceramic plate. However, in order to manufacture a large-diameter texturing device having a side length of several meters with a structure in which the entire upper surface is formed of a ceramic plate, a large ceramic plate having a length of several sides is required.
한편, 대형 세라믹 재질의 판재를 제조하기 위해서는, 이를 소결시킬 수 있는 대형 소결로가 필요하므로, 실질적으로 대구경 텍스처링 장치의 상면을 세라믹 재질로 형성하는 것은 매우 곤란하다.On the other hand, in order to manufacture a large plate of ceramic material, since a large sintering furnace capable of sintering it is necessary, it is very difficult to substantially form the upper surface of the large-diameter texturing apparatus with a ceramic material.
본 발명은 ICP 안테나를 챔버(110)의 내부 공간 상부에 형성하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that the ICP antenna is formed on the inner space of the
ICP 안테나를 챔버(110)의 내부 공간에 형성하는 경우, 챔버(110)의 상면을 금속 재질로 형성할 수 있게 된다.
When the ICP antenna is formed in the inner space of the
또한, 본 발명은 내부에 중공을 가지는 세라믹 관재(120)를 이용하여 ICP 안테나를 보호하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized by protecting the ICP antenna using a
이 때, 세라믹 관재(120)의 양단을 챔버(110)의 내벽에 연결하여, ICP 안테나가 수용되는 세라믹 관재(120) 내부 공간과, 텍스처링이 이루어지는 챔버(110) 내부 공간이 차단되도록 하는 것이 바람직하다.
At this time, it is preferable to connect both ends of the
도 2는 본 발명에 따른 세라믹 관재 내부에 ICP 안테나가 수용된 상태를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a state in which the ICP antenna is accommodated in the ceramic tube according to the present invention.
도시된 바와 같이, 세라믹 관재(120)는 내부에 중공이 형성되어 있고, 이 중공에 ICP 안테나(130)가 수용된다.As shown, the
세라믹 관재(120)를 사용하는 것은, 세라믹 재질이 ICP 안테나(130)에서 발생되는 전자기장에 영향을 주지 않기 때문이다.The use of the
또한, 세라믹 관재(120)의 내부 공간은 플라즈마를 이용한 텍스처링이 이루어지는 챔버 내부와는 격리된 공간으로, 세라믹 관재(120)가 ICP 안테나(130)를 보호하는 역할도 수행하게 된다.
In addition, the internal space of the
도 3은 세라믹 관재 내부에 수용된 ICP 안테나의 피치를 국부적으로 변화시킨 상태를 나타낸 것이다.3 shows a state in which the pitch of the ICP antenna accommodated inside the ceramic tube is locally changed.
챔버 내부에는 균일한 자기장이 형성되어야 하는데, 이를 위해서는 국부적인 자기장 밀도의 조절이 필요하다.A uniform magnetic field must be formed inside the chamber, which requires local magnetic field density control.
본원발명은 코일 형상의 ICP 안테나를 사용함으로써, 코일의 피치(p1, p2)에 변화를 주는 방식으로 국부적인 자기장의 밀도 조절이 가능한 장점을 가진다.The present invention has the advantage that by using a coil-shaped ICP antenna, the density of the local magnetic field can be adjusted in a manner that changes the pitch (p1, p2) of the coil.
여기서 코일의 피치(p1, p2)는 개별 코일이 인접 코일과의 간격을 의미한다.Here, the pitches p1 and p2 of the coils mean an interval between the individual coils and the adjacent coils.
자기장의 밀도를 증가시키고자 하는 경우 피치를 좁게 하고, 자기장 밀도를 낮추고자 하는 경우 피치를 넓게 하는 방식으로 국부적인 자기장 밀도를 조절할 수 있다.
In order to increase the density of the magnetic field, the local magnetic field density may be controlled by narrowing the pitch and decreasing the magnetic field density by increasing the pitch.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 ICP 안테나 형상을 나타낸 도면이다.4 is a view showing the shape of the ICP antenna according to the first embodiment of the present invention.
제1실시예에 따른 ICP 안테나는 전체가 하나로 연결되어, 1개의 파워드 앤드(powered end)(132)와, 1개의 그라운드 앤드(ground end)(134)를 가진다.The ICP antenna according to the first embodiment is connected in one whole, and has one powered
ICP 안테나(130)가 파워드 앤드(132)에서 그라운드 앤드(134)까지 세라믹 관재(120)를 지그재그로 통과하도록 형성된다.The
이렇게 되면 서로 인접한 ICP 안테나(130)에 공급되는 전원의 방향은 서로 반대 방향이 된다.
In this case, the directions of power supplied to the
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 ICP 안테나 형상을 나타낸 도면이다.5 is a view showing the shape of an ICP antenna according to a second embodiment of the present invention.
제2실시예에 따른 ICP 안테나는 2개로 분할되어 있으며, 포크 형상으로 분기되어 있다.The ICP antenna according to the second embodiment is divided into two and branched into a fork shape.
파워드 앤드(132)는 세라믹 관재(120)의 양측에 1개씩 형성되고, 그라운드 앤드는 분기된 단부마다 형성된다.One powered
도시된 실시예의 경우 2개의 ICP 안테나(130)가 3개로 분기되어 있어서, 총 6개의 그라운드 앤드(134)를 구비하고 있다.In the illustrated embodiment, two
그리고, 양측에서 진입하는 ICP 안테나(130)가 서로 엇갈리게 배열되어 있으므로, 제1실시예와 마찬가지로 서로 인접한 ICP 안테나(130)에 공급되는 전원의 방향은 서로 반대 방향이 된다.
In addition, since the
도 6은 본 발명에 따른 세라믹 관재와 챔버 내벽의 연결관계를 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a connection relationship between the ceramic tube and the chamber inner wall according to the present invention.
도시된 바와 같이, 세라믹 관재(120)가 챔버 측벽(112)에 연결되어 챔버(110) 내부 공간과 세라믹 관재 내부 공간이 분리된다. 또한, 세라믹 관재(120)가 연결된 측벽(112)에는 ICP 안테나(130)가 통과할 수 있는 관통홀(114)이 형성되어 있다.As shown, the
아울러, 상기 관통홀(114)의 주변에는 절연 부시(140)가 구비된다.In addition, an
절연 부시(140)는 세라믹 관재(120)와 마찬가지로 세라믹 재질로 제작되는 것이 바람직하다.The
절연 부시(140)는 챔버 측벽(112)에 형성된 관통홀(114)의 외부를 감싸도록 형성되어, 고압의 RF Power가 흐르는 ICP 안테나를 절연하는 역할을 수행한다.The insulating
또한, 절연 부시(140)를 세라믹 관재(120)에 직접 연결할 수도 있으며, 이 경우 절연 부시(140)가 세라믹 관재(120)를 챔버 측벽(112)에 체결하는 역할을 수행하게 된다.
In addition, the
지금까지 본 발명인 ICP 안테나를 이용한 대구경 텍스처링 장치에 관한 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 실시적인 변형이 가능함은 물론이다.Although a specific embodiment of the large-diameter texturing apparatus using the ICP antenna of the present invention has been described so far, various embodiments may be modified without departing from the scope of the present invention.
즉, 전술된 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며, 한정적인 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 본 발명의 범위는 전술된 상세한 설명보다는 후술될 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 그 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
In other words, the foregoing embodiments are to be understood in all respects as illustrative and not restrictive, the scope of the invention being indicated by the following claims rather than the foregoing description, and the meanings of the claims and All changes or modifications derived from the scope and the equivalent concept should be construed as being included in the scope of the present invention.
100 : 텍스처링 장치
110 : 챔버
112 : 측벽
114 : 관통홀
120 : 세라믹 관재
130 : ICP 안테나
132 : 파워드 앤드
134 : 그라운드 앤드100: texturing device
110: chamber
112: sidewall
114: through hole
120: ceramic tube
130: ICP antenna
132: powered end
134: Ground End
Claims (9)
상기 챔버의 내부 동일 높이상에 서로 간격을 두고 형성되는 복수개의 세라믹 관재; 및
상기 세라믹 관재의 내부에 배치되며 국부적으로 다른 피치를 가지는 코일 형상을 가지는 ICP 안테나;를 포함하는 대구경 텍스처링 장치.
A chamber in which one or more solar cell wafers are loaded, and the surface of the wafer is surface textured by plasma;
A plurality of ceramic tube members spaced apart from each other on the same height inside the chamber; And
And an ICP antenna disposed inside the ceramic tube and having a coil shape having a locally different pitch.
상기 복수개의 세라믹 관재는 균일한 간격으로 서로 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 대구경 텍스처링 장치.
The method of claim 1,
And the plurality of ceramic tube members are formed parallel to each other at uniform intervals.
상기 ICP 안테나는
상기 세라믹 관재를 지그 재그로 통과하여, 서로 인접한 ICP 안테나에 공급되는 전원이 반대 방향이 되는 것을 특징으로 하는 대구경 텍스처링 장치.
The method of claim 1,
The ICP antenna
Passing through the ceramic tube in a jig zag, the large-diameter texturing apparatus, characterized in that the power supplied to the adjacent ICP antenna in the opposite direction.
상기 ICP 안테나는
양측에서 포크 형상으로 분기되어 상기 세라믹 관재를 통과하되, 서로 인접한 ICP 안테나에 공급되는 전원이 반대 방향이 되는 것을 특징으로 하는 대구경 텍스처링 장치.
The method of claim 1,
The ICP antenna
Branched in a fork shape at both sides and passes through the ceramic tube, the large-diameter texturing apparatus, characterized in that the power supplied to the adjacent ICP antenna is in the opposite direction.
상기 ICP 안테나는 포크 형상으로 분기된 단부가 그라운드 앤드(ground end)가 되는 것을 특징으로 하는 대구경 텍스처링 장치.
The method of claim 5, wherein
The ICP antenna has a large diameter texturing device, characterized in that the fork-shaped end is a ground end (ground end).
상기 세라믹 관재는,
양단이 상기 챔버 내벽에 연결되어, 상기 세라믹 관재 내부 공간과 상기 챔버 내부 공간이 분리되는 것을 특징으로 하는 대구경 텍스처링 장치.
The method of claim 1,
The ceramic tube material,
Both ends are connected to the chamber inner wall, the large diameter texturing apparatus, characterized in that the space between the ceramic tube and the space inside the chamber.
상기 챔버 내벽은 ICP 안테나가 관통하는 관통홀을 구비하고,
상기 관통홀의 주변에 절연 부시가 구비되는 것을 특징으로 하는 대구경 텍스처링 장치.The method of claim 8,
The inner wall of the chamber has a through hole through which the ICP antenna passes,
Large diameter texturing apparatus, characterized in that the insulating bush is provided around the through hole.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110025549A KR101223544B1 (en) | 2011-03-22 | 2011-03-22 | Wafer texturing device using inductive coupled plasma antena |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110025549A KR101223544B1 (en) | 2011-03-22 | 2011-03-22 | Wafer texturing device using inductive coupled plasma antena |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120107805A KR20120107805A (en) | 2012-10-04 |
| KR101223544B1 true KR101223544B1 (en) | 2013-02-04 |
Family
ID=47279667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110025549A Expired - Fee Related KR101223544B1 (en) | 2011-03-22 | 2011-03-22 | Wafer texturing device using inductive coupled plasma antena |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101223544B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118553594B (en) * | 2024-07-26 | 2024-11-01 | 中科研和(宁波)科技有限公司 | A graphite boat cleaning device and method based on straight rod antenna ICP |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050108257A (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-16 | 학교법인 성균관대학 | Inductively coupled plasma apparatus of module type for large area processing |
| KR20070048480A (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | 세메스 주식회사 | Plasma processing equipment |
-
2011
- 2011-03-22 KR KR1020110025549A patent/KR101223544B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050108257A (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-16 | 학교법인 성균관대학 | Inductively coupled plasma apparatus of module type for large area processing |
| KR20070048480A (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | 세메스 주식회사 | Plasma processing equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120107805A (en) | 2012-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100486712B1 (en) | Inductively coupled plasma generating apparatus with double layer coil antenna | |
| US8231759B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| EP1727186A1 (en) | Plasma chamber with discharge inducing bridge | |
| KR101091356B1 (en) | Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources | |
| CN103794540B (en) | Electrostatic chuck and substrate board treatment | |
| TWI580325B (en) | Antenna for inductively coupled plasma generation, inductively coupled plasma generator, and method of driving the same | |
| JPH10233297A (en) | Plasma treatment device | |
| CN102282917A (en) | Plasma processing equipment and plasma generation equipment | |
| JP2014132570A (en) | Plasma chamber and substrate processing apparatus | |
| KR101496841B1 (en) | Compound plasma reactor | |
| KR100805557B1 (en) | Inductively Coupled Plasma Sources with Multiple Magnetic Cores | |
| US20120061022A1 (en) | Plasma texturing reaction apparatus | |
| TWI451815B (en) | Inductively coupled plasma treatment device | |
| KR101223544B1 (en) | Wafer texturing device using inductive coupled plasma antena | |
| CN1925074B (en) | Induction coupling coil and induction coupling plasma device | |
| TWI661747B (en) | Magnetic field generating mechanism of reaction chamber and reaction chamber | |
| KR20170035141A (en) | A cooling structure improvement of plasma reactor | |
| TWI577247B (en) | Apparatus for generating plasma using dual plasma source and apparatus for treating substrate including the same | |
| KR100980291B1 (en) | Induction Plasma Chamber with Multiple Discharge Tube Bridges | |
| KR101039232B1 (en) | High Density Plasma Generator | |
| CN103687266B (en) | Electromagnetic waveguide and plasma source | |
| KR101058832B1 (en) | Antenna Structure of Substrate Processing Equipment Using Plasma | |
| KR101446554B1 (en) | Palsma chamber having multi discharge tube assembly | |
| KR100743842B1 (en) | Plasma reactor with plasma chamber coupled to the flux channel | |
| KR102407388B1 (en) | Antenna structure for generating inductively coupled plasma |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20110322 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20120504 Patent event code: PE09021S01D |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20121108 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20130111 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20130111 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20161209 |