KR101217290B1 - Peripheral Exposure Apparatus - Google Patents
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Abstract
주변 노광 장치는, 레지스트가 도포된 기판(1)을 지지하는 XY 스테이지(2)와, XY 스테이지(2)를 지지하는 회전 테이블(3)과, 기판(1)에 대한 주변 노광을 행하는 주변 노광용 광원(4)과, 주변 노광용 광원(4)을 유지하는 슬라이더(5)와, 주변 노광용 광원(4)의 출력광 강도를 검출하는 조도계(6)와, 주변 노광용 광원(4)에 구동 전류를 공급하는 직류 전원(7)과, 주변 노광용 광원(4)의 온도를 제어하는 온도 제어 기구(8)를 갖고, 소형화, 간단화를 실현함과 더불어, 노광 대상물에 주는 악영향을 대폭 저감하고, 게다가 쓸데없는 전력 소비를 수반하지 않고, 노광 대상물의 주변 영역을 노광한다. The peripheral exposure apparatus is for peripheral exposure which performs the XY stage 2 which supports the board | substrate 1 to which the resist was apply | coated, the rotation table 3 which supports the XY stage 2, and the peripheral exposure to the board | substrate 1. Drive current is applied to the light source 4, the slider 5 holding the ambient light source 4, the illuminometer 6 for detecting the output light intensity of the ambient light source 4, and the ambient light source 4 The DC power supply 7 to supply and the temperature control mechanism 8 which controls the temperature of the ambient light source 4 are realized, realizing miniaturization and simplicity, and significantly reducing the bad influence to an exposure object, The peripheral region of the object to be exposed is exposed without unnecessary power consumption.
Description
도 1은, 본 발명의 주변 노광 장치의 일 실시형태를 개략적으로 도시한 사시도이다. 1 is a perspective view schematically showing one embodiment of the peripheral exposure apparatus of the present invention.
도 2는, 차광 마스크와 조사 영역의 관계를 도시한 개략적 사시도이다. 2 is a schematic perspective view showing a relationship between a light shielding mask and an irradiation area.
도 3은, 차광 마스크가 존재하지 않는 경우의 조사 영역을 도시한 개략적 사시도이다. 3 is a schematic perspective view showing an irradiation area when no light shielding mask is present.
도 4는, 본 발명의 주변 노광 장치의 다른 실시형태를 개략적으로 도시한 사시도이다. 4 is a perspective view schematically showing another embodiment of the peripheral exposure apparatus of the present invention.
도 5는, 단속(斷續)적인 노광의 일례를 개략적으로 도시한 사시도이다. 5 is a perspective view schematically showing an example of intermittent exposure.
도 6은, UV-LED를 바둑판 눈형상 4행 4열로 배열한 주변 노광용 광원을 도시한 개략도이다. Fig. 6 is a schematic diagram showing a peripheral exposure light source in which UV-LEDs are arranged in four rows and four columns of checkerboard eyes.
도 7은, UV-LED를 갈짓자형상으로 배열한 주변 노광용 광원을 도시한 개략도이다. Fig. 7 is a schematic diagram showing a light source for peripheral exposure in which UV-LEDs are arranged in a zigzag shape.
도 8은, UV-LED를 바둑판 눈형상 3행 2열로 배열한 주변 노광용 광원의 조도 분포를 도시한 개략도이다. Fig. 8 is a schematic diagram showing the illuminance distribution of a peripheral exposure light source in which UV-LEDs are arranged in three rows and two columns of checkerboard eyes.
도 9는, 2개의 UV-LED에 의한 조도 분포를 도시한 개략도이다. 9 is a schematic diagram showing illuminance distribution by two UV-LEDs.
도 10은, 2개의 UV-LED의 조사 범위의 가장 외연(外緣)부를 겹친 상태의 조 도 분포를 도시한 개략도이다. Fig. 10 is a schematic diagram showing the illuminance distribution in the state where the outermost portions of the irradiation ranges of the two UV-LEDs overlap each other.
도 11은, 2개의 UV-LED 사이의 조도가 감광 가능한 조도가 되도록 양 UV-LED의 간격을 설정한 상태의 조도 분포를 도시한 개략도이다. Fig. 11 is a schematic diagram showing the illuminance distribution in a state where the intervals of both UV-LEDs are set such that the illuminance between the two UV-LEDs is photosensitive illuminance.
본 발명은, 액정용 유리 기판, 반도체 웨이퍼, 감광 필름 등의 노광 대상물의 주변 소정 위치를 노광하기 위한 주변 노광 장치에 관한 것이다. This invention relates to the peripheral exposure apparatus for exposing the peripheral predetermined position of exposure objects, such as a liquid crystal glass substrate, a semiconductor wafer, and a photosensitive film.
종래부터 액정용 유리 기판, 반도체 웨이퍼, 감광 필름 등의 노광 대상물의 주변 소정 위치를 노광하기 위한 주변 노광 장치가 제공되어 실용화되어 있다. Conventionally, the peripheral exposure apparatus for exposing the predetermined position around the exposure object, such as a liquid crystal glass substrate, a semiconductor wafer, and a photosensitive film, is provided and it is utilized.
액정 표시 패널, 또는 반도체 웨이퍼 등의 기판에 배선 패턴을 형성할 때는, 우선 기판 전면(全面)에 레지스트를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 원하는 형상으로 패터닝하여 배선 패턴이 제작되는데, 통상은 기판 주변부에 폭이 수 mm 정도인 띠형상의 여백이 만들어지도록 마스크 패턴의 노광 위치가 정해지고 있다. When the wiring pattern is formed on a substrate such as a liquid crystal display panel or a semiconductor wafer, a resist is first applied to the entire substrate and then patterned into a desired shape by a photolithography method. The exposure position of a mask pattern is determined so that the strip | belt-shaped margin of width about several mm may be made.
이 때문에, 포토리소그래피 공정에서 포지티브형 레지스트를 사용하면, 현상 처리 후, 기판 주변부에 미(未)노광 레지스트가 띠형상으로 잔존하게 된다. 이 잔존 레지스트는 불필요할 뿐만 아니라, 후속 제조 공정에 있어서 더스트가 되므로, 스루풋 저하 요인 중 하나로서 큰 문제가 된다. 그래서, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 영역을 노광·현상하여 제거할 필요가 있다. For this reason, when a positive resist is used in a photolithography process, after exposure, an unexposed resist remains in strip | belt-shaped part to a board | substrate peripheral part. This remaining resist is not only unnecessary but also becomes a dust in subsequent manufacturing processes, which is a major problem as one of the factors for lowering the throughput. Therefore, it is necessary to expose and develop unnecessary resist areas in the periphery of the substrate.
이러한 문제점을 고려하여, 종래부터 각형(角形) 기판의 주변 노광 장치로서, 예를 들면 일본 특개평11-154639호 공보, 일본 특개평 5-190448호 공보에 기재된 장치가 알려져 있다. In view of such a problem, as the peripheral exposure apparatus of a rectangular substrate, the apparatus of Unexamined-Japanese-Patent No. 11-154639 and 5-190448 is known conventionally.
일본 특개평 11-154639호 공보, 일본 특개평 5-190448호 공보에 기재된 장치에서는, 기판 주변부의 1개소를 노광함에 있어서, 1개의 광원으로서 방전등 1개를 사용하고, 그 내부에는 반사경, 렌즈군, 파장 컷 필터를 구비하고, 거기에서 방사되는 광을 기판 주변부에 조사하면서, 기판 또는 광원을 이동시킴으로써 기판 주변부를 노광할 수 있다. 또, 광원의 냉각은 공냉(空冷)에 의해 달성되며, 거기에서 발생하는 난기는 블로워로 배기된다.In the apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 11-154639 and Japanese Patent Laid-Open No. 5-190448, one discharge lamp is used as one light source in exposing one portion of the periphery of the substrate, and a reflector and a lens group are used therein. And a wavelength cut filter, the substrate peripheral part can be exposed by moving a board | substrate or a light source, irradiating the board | substrate peripheral part with the light radiate | emitted therefrom. Moreover, cooling of a light source is achieved by air cooling, and the warm-up which generate | occur | produces there is exhausted by a blower.
일본 특개평 11-l54639호 공보, 일본 특개평5-190448호 공보에 기재된 장치에서는, 1개의 광원으로서 방전등 1개를 사용하고 있기 때문에, 이하의 문제점이 발생한다. In the apparatus described in JP-A-11-l54639 and JP-A-5-190448, since one discharge lamp is used as one light source, the following problems arise.
방전등의 대기 시간 및 워밍업 시간이 길기 때문에, 주변 노광을 행할 때도 방전등을 상시 점등해 둘 필요가 있어, 방전등의 수명이 짧아지고, 소비 전력이 필요 이상으로 많아져, 방전등의 교환이 빈번해짐에 따라 작업성이 나빠진다. As the waiting time and the warm-up time of the discharge lamp are long, it is necessary to turn on a discharge lamp at all times even when performing peripheral exposure, and the life of the discharge lamp becomes short, power consumption becomes more than necessary, and as the exchange of discharge lamps becomes frequent Workability worsens.
방전등은 발열량이 많기 때문에, 냉각에 대규모의 블로워를 필요로 한다. Since discharge lamps generate a large amount of heat, a large blower is required for cooling.
방전등은 내부에 수은이 사용되고 있기 때문에, 방전등이 파손되었을 때의 작업자의 건강 피해나, 폐기되는 방전등의 처리시의 환경 부하가 크다. Since mercury is used inside a discharge lamp, the environmental load at the time of processing of discharge lamps discarded and the health damage of an operator when a discharge lamp is damaged are large.
방전등은 구조가 대형이고, 그것에 관계되는 부분의 장치도 대형이 될 수밖 에 없다. The discharge lamp has a large structure, and the device of the part concerned also has to be large.
방전등은 출력광의 파장 분포대가 넓어, 감광에 관계하지 않는 파장대에서도 발광하고 있기 때문에, 쓸데없이 소비하는 전력이 많아진다. Since the discharge lamp has a large wavelength distribution band of output light and emits light in a wavelength band not related to photosensitivity, the power consumption unnecessarily increases.
방전등에서는 전기 에너지의 대부분이 열에너지로 변환되기 때문에, 쓸데없이 소비하는 전력이 많아진다. In a discharge lamp, since most of the electrical energy is converted into thermal energy, power consumed unnecessarily increases.
방전등의 출력광에는 적외선을 포함하기 때문에, 기판에 대해 노광 뿐만 아니라, 열적 영향을 준다. Since the output light of the discharge lamp includes infrared rays, not only the exposure to the substrate but also a thermal effect is exerted.
방전등은 수명이 짧기 때문에, 교환을 빈번히 행할 필요가 있다. Since discharge lamps have a short lifespan, it is necessary to frequently replace them.
방전등은 출력광의 파장 분포대가 넓어, 감광에 관계하지 않는 파장대의 광이 조사되므로, 기판에 대해 광학적 부하가 걸리고, 그것을 방지하기 위해서는, 조사 부분에 불필요한 파장대의 광이 조사되지 않도록 컷하는 필터를 설치할 필요가 있다. Since the discharge lamp has a wide wavelength distribution band of output light and irradiates light in a wavelength band irrelevant to photosensitivity, an optical load is applied to the substrate, and in order to prevent it, a filter is formed to cut the irradiated portion so that light of unnecessary wavelength bands is not irradiated. There is a need.
본 발명은 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 소형화, 간단화를 실현할 수 있음과 더불어, 노광 대상물에 주는 악영향을 대폭 저감할 수 있고, 게다가 쓸데없는 전력 소비를 수반하지 않고, 노광 대상물의 주변 영역을 노광할 수 있는 주변 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and can achieve miniaturization and simplicity, and can significantly reduce adverse effects on the exposure target, and furthermore, it does not involve unnecessary power consumption, and thus the peripheral region of the exposure target. It is an object of the present invention to provide a peripheral exposure apparatus capable of exposing light.
본 발명의 주변 노광 장치는, 노광 대상물의 주변 소정 위치에 대응시켜, 자외광을 방사하는 발광 다이오드를 포함하는 주변 노광용 광원을 배치하여 이루어지는 것이다. The peripheral exposure apparatus of this invention arrange | positions the peripheral exposure light source containing the light emitting diode which emits an ultraviolet light corresponding to the surrounding predetermined position of an exposure object.
여기서 주변 노광용 광원은, 소정의 상대 관계를 유지시킨 상태로 배열된 복수의 발광 다이오드를 포함하는 것이어도 되고, 매트릭스형으로 배열된 복수의 발광 다이오드를 포함하는 것이어도 된다. 또, 주변 노광용 광원은, 발광 다이오드로부터 방사되는 광을, 직접 노광 대상물의 주변 소정 위치에 조사하는 것이어도 된다. Here, the peripheral exposure light source may include a plurality of light emitting diodes arranged in a state in which a predetermined relative relationship is maintained, or may include a plurality of light emitting diodes arranged in a matrix. Moreover, the light source for peripheral exposure may irradiate the light radiated | emitted from a light emitting diode directly to the peripheral predetermined position of an exposure object.
또한, 발광 다이오드를 냉각하는 냉각수를 공급하는 냉각수 생성 장치와, 발광 다이오드 냉각 직후의 냉각수의 온도를 검출하는 수온 검출 장치와, 발광 다이오드 냉각 직후의 냉각수의 온도를 소정 온도로 유지하도록 냉각수 생성 장치를 제어하는 수온 제어 장치를 더 포함하고 있어도 된다.A coolant generating device for supplying a coolant for cooling the light emitting diode, a water temperature detecting device for detecting the temperature of the coolant immediately after cooling the light emitting diode, and a coolant generating device for maintaining the temperature of the coolant immediately after the cooling of the light emitting diode at a predetermined temperature. You may further include the water temperature control apparatus to control.
또한, 노광 대상물의 주변 소정 위치를 노광할 것이 지시된 것에 응답하여 발광 다이오드로 통전하고, 노광 대상물의 주변 소정 위치를 노광하지 않을 것이 지시된 것에 응답하여 발광 다이오드로의 통전을 저지하는 통전 제어 장치를 더 포함하고 있어도 된다. An energization control device that energizes the light emitting diode in response to being instructed to expose the peripheral predetermined position of the exposure target and prevents energization of the light emitting diode in response to being instructed not to expose the peripheral predetermined position of the exposure target. It may further include.
본 발명의 주변 노광 장치에 의하면, 노광 대상물의 주변 소정 위치에 대응시켜, 자외광을 방사하는 발광 다이오드를 포함하는 주변 노광용 광원을 배치하여 이루어지므로, 소형화, 간단화를 실현할 수 있음과 더불어, 노광 대상물에 주는 악영향을 대폭 저감할 수 있고, 게다가 쓸데없는 전력 소비를 수반하지 않고, 노광 대상물의 주변 영역을 노광할 수 있다. According to the peripheral exposure apparatus of the present invention, the peripheral exposure light source including the light emitting diode emitting ultraviolet light is disposed in correspondence with a predetermined position around the exposure object, so that miniaturization and simplicity can be realized. The adverse effect to an object can be reduced significantly, and also the peripheral area | region of an exposure object can be exposed, without involving wasteful power consumption.
주변 노광용 광원이, 소정의 상대 관계를 유지시킨 상태로 배열된 복수의 발광 다이오드를 포함하는 것인 경우에는, 특별한 기구를 사용하지 않고 광 강도의 평준화를 실현할 수 있다. 주변 노광용 광원이, 매트릭스형으로 배열된 복수의 발광 다이오드를 포함하는 것인 경우에는, 노광 대상물에 광이 조사되는 시간을 길게 하여, 노광 대상물에 부여하는 광 에너지를 증가시킬 수 있다. 주변 노광용 광원이, 발광 다이오드로부터 방사되는 광을, 직접 노광 대상물의 주변 소정 위치에 조사하는 것인 경우에는, 소형화, 간단화를 실현할 수 있다. When the light source for peripheral exposure includes a plurality of light emitting diodes arranged in a state in which a predetermined relative relationship is maintained, leveling of the light intensity can be realized without using a special mechanism. When the light source for peripheral exposure includes a plurality of light emitting diodes arranged in a matrix form, the time for which light is irradiated to the exposure object can be lengthened to increase the light energy applied to the exposure object. When the light source for peripheral exposure emits light emitted from a light emitting diode directly to a predetermined position around the exposure object, miniaturization and simplicity can be realized.
또, 발광 다이오드를 냉각하는 냉각수를 공급하는 냉각수 생성 장치와, 발광 다이오드 냉각 직후의 냉각수의 온도를 검출하는 수온 검출 장치와, 발광 다이오드 냉각 직후의 냉각수의 온도를 소정 온도로 유지하도록 냉각수 생성 장치를 제어하는 수온 제어 장치를 더 포함하고 있는 경우에는, 발광 다이오드의 온도를 거의 일정하게 유지할 수 있어, 노광 품질을 안정시킬 수 있다. A coolant generating device for supplying a coolant for cooling the light emitting diode, a water temperature detecting device for detecting the temperature of the coolant immediately after the light emitting diode cooling, and a coolant generating device for maintaining the temperature of the coolant immediately after the light emitting diode cooling is maintained at a predetermined temperature. In the case of further including a water temperature control device for controlling, the temperature of the light emitting diode can be kept substantially constant, and the exposure quality can be stabilized.
또한, 노광 대상물의 주변 소정 위치를 노광할 것이 지시된 것에 응답하여 발광 다이오드로 통전하고, 노광 대상물의 주변 소정 위치를 노광하지 않을 것이 지시된 것에 응답하여 발광 다이오드로의 통전을 저지하는 통전 제어 장치를 더 포함하고 있는 경우에는, 불필요한 전력 소비를 저지할 수가 있음과 더불어, 발광 다이오드의 수명을 길게 할 수 있다. An energization control device that energizes the light emitting diode in response to being instructed to expose the peripheral predetermined position of the exposure target and prevents energization of the light emitting diode in response to being instructed not to expose the peripheral predetermined position of the exposure target. In the case of further including, the unnecessary power consumption can be prevented and the life of the light emitting diode can be extended.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 주변 노광 장치의 실시형태를 상세히 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of the peripheral exposure apparatus of this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.
도 1은, 본 발명의 주변 노광 장치의 일 실시형태를 개략적으로 도시한 사시도이다. 1 is a perspective view schematically showing one embodiment of the peripheral exposure apparatus of the present invention.
이 주변 노광 장치는, 액정 패널의 주변 노광에 적용되는 것이다. This peripheral exposure apparatus is applied to the peripheral exposure of a liquid crystal panel.
이 주변 노광 장치는, 레지스트가 도포된 기판(1)을 지지하는 XY 스테이지(2)와, XY 스테이지(2)를 지지하는 회전 테이블(3)과, 기판(1)에 대한 주변 노광을 행하는 주변 노광용 광원(4)과, 주변 노광용 광원(4)을 유지하는 슬라이더(5)와, 주변 노광용 광원(4)의 출력광 강도를 검출하는 조도계(6)와, 주변 노광용 광원(4)에 구동 전류를 공급하는 직류 전원(7)과, 주변 노광용 광원(4)의 온도를 제어하는 온도 제어 기구(8)를 갖고 있다. The peripheral exposure apparatus includes an
기판(1)으로서는, 유리 기판, 다른 재질제의 기판, 반도체 웨이퍼, 필름 등을 예시할 수 있다. 또, 여러가지 형상의 것이 채용 가능하다. As the board |
XY 스테이지(2)는 기판(1)을 2차원적으로 이동시키는 것이며, 회전 테이블(3)은 XY 스테이지(2)와 함께 기판(1)을 회전시키는 것이다. The
주변 노광용 광원(4)은, 자외선을 방사하는 발광 다이오드(UV-LED)(4a)를 발광원으로서 포함함과 더불어, 브래킷(4b), 차광 마스크(4c)(도 2 참조) 등을 포함하는 것이다. 차광 마스크(4c)는, 예를 들면 도 2에 도시한 바와 같이, 직사각형의 창구멍을 갖고, UV-LED(4a)에 의한 기판(1)의 조사 영역을 직사각형 형상으로 하여, 노광 영역의 치수 정밀도를 높일 수 있다. 도 3은, 차광 마스크를 사용하지 않는 경우에 노광 영역이 원형이 되는 것을 도시하고 있다. 따라서, 도 3과 대비함으로써, 도 2의 경우에 노광 영역의 치수 정밀도를 높일 수 있는 것을 알 수 있다. The
슬라이더(5)는, XY 스테이지(2)에 의한 소정 방향으로의 기판(1)의 이동 방향과 직교하는 방향으로 주변 노광용 광원(4)을 왕복 이동시키는 것이다. The
조도계(6)는, 슬라이더(5)에 의한 주변 노광용 광원(4)의 이동 한계 위치에 있어서 주변 노광용 광원(4)의 출력광을 수광하는 것이며, 강도 검출 신호를 직류 전원(7)에 공급한다. The
직류 전원(7)은, 소정의 출력광 강도를 얻을 수 있도록, 주변 노광용 광원(4)에 구동 전압 또는 전류를 공급한다. 바람직하게는, UV-LED(4a)를 노광시에만 발광시키고, 또 필요에 따라 노광 조건을 변화시키도록 구동 전압 또는 전류를 제어한다. 그리고, 이러한 제어를 행하기 위해서, 입력 기능, 기억 기능, 비교 연산 기능, 동작 지령 기능 등을 구비한 제어 장치(컴퓨터, 프로그래머블 로직 어레이 등)에 미리 품종별 데이터로서 구동 전압 또는 전류를 등록해 두는 것이 바람직하다. The
또, 조도계(6)에 의해 정기적으로 출력광 강도를 측정하여, 출력광 강도 측정값을 제어 장치에 공급하여, 적절한 UV-LED(4a)의 조사 상태를 연산시키는 것이 바람직하며, UV-LED(4a)가 시간 경과에 따라 열화한 경우라도 안정된 노광 품질을 실현할 수 있다. In addition, it is preferable to periodically measure the output light intensity by the
온도 제어 기구(8)는, 냉각수를 생성하기 위한 칠러(8a)와, 냉각수를 브래킷(4b)에 공급하여 UV-LED(4a)를 냉각하고, 다시 칠러(8a)로 되돌리기 위한 냉각수 유로(8b)와, 냉각수 유로(8b)의 소정 위치에 설치한 밸브(8c), 유량계(8d), 수압계(8e), 및 수온 센서(8f)를 갖고 있다. 또, 수온 센서(8f)는, 브래킷(4b)의 바로 하류측에 설치되어 있고, 온도 검출 신호를 칠러(8a)에 공급하여 칠러(8a)의 동작을 제어한다. The
또, 기판(1)의 반입, 반출은, 도시 생략한 기판 이동 로봇, 셔틀 반송 이재(移載) 기구, 롤러 컨베이어 등에 의해 행하거나, 작업자의 수작업에 의해 행한다. In addition, loading and unloading of the board |
또한, 도시 생략한 L자형 위치맞춤 가이드 또는 L자 상의 3점만 접촉하는 핀형의 가이드를 설치하는 것이 바람직하고, XY 스테이지(2)에 공급된 기판(1)의 위치가 어긋나 있는 경우에, 이 가이드에 기판(1)을 꽉 눌러 위치를 맞출 수 있다. Moreover, it is preferable to provide the L-shaped alignment guide which is not shown in figure, or the pin-shaped guide which contacts only three points on an L-shape, and this guide when the position of the board |
상기 구성의 주변 노광 장치의 작용은 다음과 같다. The operation of the peripheral exposure apparatus of the above configuration is as follows.
레지스트가 도포된 기판(1)이 반입되어, XY 스테이지(2), 회전 테이블(3)을 구동하여 위치결정이 행해지면, 슬라이더(5)에 의해 노광해야 할 주변 위치에 정면으로 마주 대하도록, 주변 노광용 광원(4)을 위치결정함으로써 주변 노광의 준비를 완료한다. When the
그 후, XY 스테이지(2)에 의해 기판(1)을 1방향으로 이동시킴과 더불어, 직류 전원(7)에 의해 주변 노광용 광원(4)을 동작시킴으로써, 기판(1)의 1변을 따라 주변부의 불필요 레지스트를 노광할 수 있다.Thereafter, the
이어서, XY 스테이지(2), 회전 테이블(3)을 동작시킴과 더불어, 슬라이더(5)를 동작시킴으로써, 다른 변의 노광해야 할 주변 위치에 정면으로 마주 대하도록 주변 노광용 광원(4)을 위치결정하여, 기판(1)의 해당하는 변을 따라 주변부의 불필요 레지스트를 노광할 수 있다. Subsequently, the
동일하게 하여, 기판(1)의 모든 변을 따라 주변부의 불필요 레지스트를 노광할 수 있다. In the same manner, the unnecessary resist of the peripheral portion can be exposed along all sides of the
이상의 처리를 행하면, 직사각형의 기판(1)의 4변 모두의 주변 노광을 행할 수 있는데, 어느 한 변만을 노광하는 것이 가능한 것 외에, 주변부의 노광 이외에 기판 내부로의 노광을 행하는 것도 가능하다. 다른 장치에 본 기능이 적용된 경우 등은 어느 변도 노광하지 않는 경우도 있다. When the above process is performed, peripheral exposure of all four sides of the
미리 노광하고자 하는 형상 전면, 또는 그 형상을 분할한 형상으로 주변 노광용 광원(4)을 배치하고, 스테이지를 제지한 상태로 필요 시간 조사하여 노광하는 것도 가능하다. It is also possible to arrange | position the
또, 불필요 레지스트부로의 노광이 한창일 때 XY 스테이지(2)와 회전 테이블(3)과 슬라이더(5)를 동작시켜, 노광 단면(端面)에 요철이 있는 형상에 맞춰 주변 노광을 행하는 것도 가능하다. In addition, when the exposure to the unnecessary resist portion is in full swing, the
도 4는, 본 발명의 주변 노광 장치의 다른 실시형태를 개략적으로 도시한 사시도이다. 4 is a perspective view schematically showing another embodiment of the peripheral exposure apparatus of the present invention.
이 주변 노광 장치는, 반도체 웨이퍼의 주변 노광에 적용되는 것이다. This peripheral exposure apparatus is applied to the peripheral exposure of a semiconductor wafer.
이 주변 노광 장치가 도 1의 주변 노광 장치와 다른 점은, XY 스테이지(2)를 생략한 점, L자형 위치맞춤 가이드 또는 L자 상의 3점만 접촉하는 핀형의 가이드 대신에 단면 검출 장치(9)를 설치한 점, 차광 마스크(4c)의 창구멍의 형상을 직사각형 대신에 슬릿형으로 설정한 점뿐이다. The peripheral exposure apparatus differs from the peripheral exposure apparatus in FIG. 1 in that the
따라서, 본 실시형태에 의하면, 원형의 기판(1)을 회전시키면서 주변 노광용 광원(4)으로부터의 광을 조사시킴으로써, 주변 노광을 달성할 수 있다. Therefore, according to this embodiment, peripheral exposure can be achieved by irradiating the light from the
상기 각 실시형태에 있어서는, 주변 노광용 광원(4)을 정지(靜止)시키고 기판(1)을 이동시킴으로써, 주변 노광을 달성하도록 하고 있지만, 기판(1)을 정지시 키고 주변 노광용 광원(4)을 이동시킴으로써, 주변 노광을 달성하는 것이 가능하다. In each said embodiment, although the peripheral exposure
또, 복수의 주변 노광용 광원(4)을 채용하는 것도 가능하다. In addition, it is also possible to employ a plurality of peripheral
상기 각 실시형태에 있어서는, 기판(1)을 지지하는 면을 평탄면으로 설정하고 있지만, 복수의 지지용 핀을 돌출설치하여 기판(1)을 지지하는 구성을 채용하는 것이 가능하며, 또 기판(1)이 사각형인 경우에, 기판(1)의 1측부를 파지하여, 기판(1)을 수평인 상태 또는 수직인 상태로 유지하는 것도 가능하다. In each said embodiment, although the surface which supports the board |
또한, 상기 각 실시형태에 있어서, UV-LED(4a)를 ON/OFF시키도록 직류 전원(7)을 제어하는 것이 가능하고, 이 경우에는 ON 시간과 OFF 시간에 기초해, 도 5에 도시한 바와 같이 단속(斷續)적으로 노광을 달성할 수 있다. In each of the above embodiments, it is possible to control the
상기 각 실시형태에 있어서는, 3개의 UV-LED(4a)를 직선형으로 배열하고 있는데, 다른 수의 UV-LED(4a)를 배열하는 것이 가능하다. 또, UV-LED(4a)를 복수 행, 복수 열로 배열하는 것도 가능하다(도 6, 도 7 참조). 도 6에 도시한 주변 노광용 광원(4)은, UV-LED(4a)를 바둑판 눈형상으로 배열하고 있고, 도 7에 도시한 주변 노광용 광원(4)은, UV-LED(4a)를 갈짓자형상으로 배열하고 있다. In each said embodiment, although three UV-
이들 경우에는, 기판(1)에 광이 조사되는 시간을 길게 할 수 있어, 기판(1)에 부여하는 광 에너지를 증가시킬 수 있다(도 8 참조, 단 도 8은, UV-LED(4a)를 바둑판 눈형상 3행 2열로 배열한 경우의 조도 분포를 도시하고 있다). In these cases, the time for which light is irradiated to the
또, 인접하는 UV-LED(4a)끼리의 간격을 적절히 설정함으로써, 노광 가능한 면적을 확대할 수가 있다. Moreover, by setting the space | interval of adjacent UV-LED4a suitably, the area which can be exposed can be expanded.
이 점을 더 설명한다. This point is explained further.
기판(1)에 도포된 레지스트를 완전히 감광시켜 주변 노광을 실현하는 데 있어서는, 레지스트 감도(mJ/㎠), UV-LED의 조도(mW/㎠), 노광 속도(mm/sec), 및 조사 영역 폭(mm)의 4개의 파라미터가 관계한다. In order to completely expose the resist coated on the
여기서, 레지스트 감도(mJ/㎠)는, 기판(1)에 도포된 레지스트에 어느 만큼의 광 에너지를 부여하면 감광하는지를 나타내는 값이다. Here, the resist sensitivity (mJ / cm 2) is a value indicating how much light energy is applied to the resist coated on the
UV-LED의 조도(mW/㎠)는, UV-LED로부터 조사되는 광(레지스트가 감광하는 파장대의 광)의, 기판 표면에서의 단위 면적당 광 에너지량이다. The illuminance (mW / cm 2) of the UV-LED is the amount of light energy per unit area at the surface of the substrate of light irradiated from the UV-LED (light in the wavelength band where the resist is exposed).
노광 속도(mm/sec)는, UV-LED가 기판 상을 통과하는 속도이다. The exposure speed (mm / sec) is the speed at which the UV-LED passes over the substrate.
조사 영역 폭(mm)은, 조사 광이 비추는 기판 상의 영역의 폭(통과 방향의 치수)이다. The irradiation area width mm is the width (dimensions in the passing direction) of the area on the substrate on which the irradiation light shines.
그리고, 기판(1)의 주변부를 정확하게 노광하여 주변 노광을 달성하기 위해서는, 다음 조건을 만족할 필요가 있다. In order to accurately expose the peripheral portion of the
조사 영역 폭(mm)/{레지스트 감도(mJ/㎠)/UV-LED의 조도(mW/㎠)} ≥ 노광 속도(mm/sec)Irradiation area width (mm) / {resist sensitivity (mJ / cm 2) / UV-LED roughness (mW / cm 2)} ≥ exposure speed (mm / sec)
단, 통상적으로는 사용 조건으로부터, 「UV-LED의 조도」이외의 파라미터는 먼저 결정된다. 따라서, 상기 조건식을 만족하도록 UV-LED의 조도를 정하면 된다. UV-LED에서 방사되는 광은, 도 9에 도시한 바와 같이, 중심이 가장 조도가 높은 정규 분포형상으로 되어 있다. 또한, 도 9, 및 이하의 도면에 있어서, 1~5의 숫자는 조도를 나타내고 있으며, 레지스트가 정확하게 감광하는 조도를 3 이상으로 설 정하고 있다. In general, however, parameters other than "illuminance of UV-LED" are first determined from the use conditions. Therefore, the illuminance of the UV-LED may be determined to satisfy the above conditional expression. As shown in Fig. 9, the light emitted from the UV-LED has a normal distribution shape with the highest illuminance in the center. In FIG. 9 and the following figures,
따라서, 개개의 UV-LED의 조사에 겹침이 없는 경우에는, 도 9에 도시한 바와 같이, 어느 UV-LED나 조도 분포는 전혀 변화하지 않는다. Therefore, when there is no overlap in irradiation of individual UV-LEDs, as shown in FIG. 9, neither UV-LED nor illuminance distribution changes at all.
조도가 1인 부분을 서로 겹치도록 UV-LED끼리의 상대 위치를 설정하면, 양 UV-LED 사이의 가장 낮은 조도는 2가 된다(도 10 참조). 단, 이 조도 2에서는 레지스트를 정확하게 감광할 수는 없다. If the relative positions of the UV-LEDs are set so that the portions of the
조도가 1인 부분을 조도가 2인 부분과 겹치도록 UV-LED끼리의 상대 위치를 설정하면, 양 UV-LED 사이의 가장 낮은 조도는 3이 된다(도 11 참조). 따라서, 양 UV-LED 사이의 전체 범위에서 레지스트를 정확하게 감광할 수 있다. 즉, 도 9와 비교해, 조도의 대폭적인 평준화를 달성할 수 있다. If the relative position of the UV-LEDs is set so that the part of
본 발명은, 소형화, 간단화를 실현할 수 있음과 더불어, 노광 대상물에 주는 악영향을 대폭 저감할 수 있고, 게다가 쓸데없는 전력 소비를 수반하지 않고, 노광 대상물의 주변 영역을 노광할 수 있다는 특유의 효과를 발휘한다. According to the present invention, it is possible to realize miniaturization and simplicity, to significantly reduce adverse effects on the exposure target, and to expose the peripheral region of the exposure target without incurring unnecessary power consumption. Exert.
또, 노광시에만 점등함으로써, 발광 다이오드의 수명을 길게 하고, 소비 전력을 필요 최소한으로 하여, 발광 다이오드 교환 등의 작업성을 향상시킬 수 있다. Moreover, by lighting only at the time of exposure, the lifetime of a light emitting diode can be lengthened, power consumption can be minimized, and workability | operativity, such as light emitting diode exchange, can be improved.
발광 다이오드의 발열량을 작게 할 수 있기 때문에, 소형의 칠러에서의 냉각이 가능해진다. Since the amount of heat generated by the light emitting diode can be reduced, cooling in a compact chiller is possible.
발광 다이오드는 수은을 사용하지 않기 때문에, 작업자의 건강 피해 및 환경부하를 없앨 수 있다. Since the light emitting diode does not use mercury, it can eliminate health damage and environmental load of workers.
발광 다이오드가 소형 경량이므로, 장치의 소형화를 실현할 수 있다. Since the light emitting diode is small in size and light weight, miniaturization of the device can be realized.
발광 다이오드는 파장 분포대가 좁기 때문에, 감광(노광)에 관계하는 파장대에서만 조사가 가능하여, 쓸데없는 전력 소비를 방지할 수 있다. Since the light emitting diode has a narrow wavelength distribution band, it is possible to irradiate only in the wavelength band related to photosensitization (exposure), thereby preventing unnecessary power consumption.
발광 다이오드는 발광 효율이 높기 때문에, 열 에너지의 발생을 억제할 수 있고, 나아가서는 전력 소비를 억제할 수 있다. Since the light emitting diode has high luminous efficiency, generation of thermal energy can be suppressed, and further, power consumption can be suppressed.
발광 다이오드의 출력광은 적외선을 포함하지 않기 때문에, 피처리체에 대해 열 부하를 주지 않는다. Since the output light of the light emitting diode does not contain infrared rays, no heat load is applied to the object to be processed.
발광 다이오드는 수명이 길기 때문에, 교환 주기를 길게 할 수 있어, 교환 작업 회수를 저감할 수 있다. Since the light emitting diode has a long lifetime, the replacement cycle can be lengthened, and the number of replacement operations can be reduced.
발광 다이오드의 출력광은 파장 분포대가 좁아, 감광(노광)에 관계하는 파장대만을 조사할 수 있어, 피처리체에 대한 광학적 스트레스를 없앨 수 있고, 게다가 불필요한 파장대를 컷하는 필터를 필요로 하지 않아, 구성을 간단하게 할 수 있다. Since the output light of the light emitting diode has a narrow wavelength distribution band, it can irradiate only the wavelength band related to photosensitive exposure, eliminating optical stress on the object to be processed, and does not require a filter to cut unnecessary wavelength bands. The configuration can be simplified.
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JP5485570B2 (en) * | 2009-03-23 | 2014-05-07 | リンテック株式会社 | Light irradiation apparatus and light irradiation method |
JP2013122470A (en) * | 2010-03-31 | 2013-06-20 | Toray Eng Co Ltd | Peripheral exposure device and peripheral exposure method |
JP5470236B2 (en) * | 2010-12-22 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Local exposure method and local exposure apparatus |
US20120194622A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-02 | Camtek Ltd. | Ultra violet light emitting diode curing of uv reactive ink |
JP5325907B2 (en) * | 2011-02-22 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | Local exposure equipment |
JP5451798B2 (en) * | 2011-03-15 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Local exposure method and local exposure apparatus |
CN103615704B (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-03 | 四川聚能核技术工程有限公司 | Matrix type LED light source of exposure machine |
CN107544165A (en) * | 2017-09-25 | 2018-01-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of vacuum aligns abutted equipment and its to cassette method |
CN108628110B (en) * | 2018-05-07 | 2020-08-21 | 北京弘浩千瑞科技有限公司 | Direct-writing silk screen edge sealing plate making machine and edge sealing method |
JP7178240B2 (en) * | 2018-11-14 | 2022-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Light irradiation device |
CN114935853B (en) * | 2022-06-30 | 2023-12-29 | 苏州华星光电技术有限公司 | Backlight module, preparation method thereof and display device |
CN118588534A (en) * | 2024-08-06 | 2024-09-03 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 | Wafer edge exposure device and control method thereof |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000299272A (en) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Nikon Corp | Peripheral aligner and exposing method |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05190448A (en) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Nikon Corp | Wafer edge exposer |
JP3211079B2 (en) * | 1997-11-20 | 2001-09-25 | 株式会社オーク製作所 | Peripheral exposure apparatus and method |
CN2574075Y (en) * | 2002-10-14 | 2003-09-17 | 志圣科技(广州)有限公司 | Cooling device for exposure apparatus |
JP2004274011A (en) * | 2003-01-16 | 2004-09-30 | Nikon Corp | Illumination light source device, illuminating device, exposure device and exposure method |
JP2004342633A (en) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Nikon Corp | Exposure device, illumination device and exposure method |
JP2005303033A (en) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Y E Data Inc | Light source of exposure device |
-
2005
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000299272A (en) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Nikon Corp | Peripheral aligner and exposing method |
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Publication number | Publication date |
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