KR101213470B1 - 태양전지의 반사방지막, 태양전지, 태양전지의 제조방법 - Google Patents

Abstract

태양전지의 반사방지막, 태양전지 및 태양전지의 제조방법을 개시한다. 태양전지의 반사방지막은 제1유전율의 물질로 구성된 저유전막; 제1유전율의 물질보다 높은 제2유전율의 물질로 구성된 고유전막; 및 저유전막과 고유전막 사이에 위치하여 제1유전율로부터 제2유전율까지 점차적으로 유전율이 상승하도록 구성된 기울기층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 태양전지의 광흡수 효율을 높일 수 있다.

태양전지, 반사방지막, 유전율, 굴절율, 고반사막, 광포획구조

Description

태양전지의 반사방지막, 태양전지, 태양전지의 제조방법{Antireflection coating for solar cell, solar cell, and manufacturing method for solar cell}

본 발명은 태양전지의 반사방지막, 태양전지, 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 특히, 태양전지의 광흡수 효율을 높일 수 있는 태양전지의 반사방지막, 태양전지, 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.

본 발명은 지식경제부의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2008-F-025-01, 과제명: 전기적 점프(Current Jump)를 이용한 신소자 기술].

지구상의 화석연료가 고갈되어가고 있고, 또한 화석연료의 사용으로 인해 지구환경의 오염이 심각해지고 있다.

이에 따라, 에너지 문제는 지구 상에서 급히 해결해야 할 가장 중요한 문제로 대두되고 있다. 이에 따라 화석연료를 대체할 수 있는 청정한 신 재생 에너지에 대한 요구가 절실해지고 있는데 가장 유망한 것이 바로 태양광이다. 태양광은 태양과 지구가 존재하는 한 지속적으로 공급되며, 또한 대기오염을 일으키지 않는 가장 이상적인 재생 에너지이다.

태양전지는 태양광을 이용하여 빛을 전기로 바꾸는 전지를 말하는데, 정공에 의해 전도가 발생하는 p형 반도체와 전자에 의해 전도가 발생하는 n형 반도체를 접합시켜 빛에 의하여 전자와 정공 전하가 생성되어 전류가 흐르게 되면서 광기전력이 발생되는 원리를 이용한 것이 바로 태양광 전지이다. 태양전지의 출력은 단락전류 I_sc와 개방전압 V_oc의 곱으로 구성되는데, 태양에서 전해오는 모든 빛을 전기로 변환하는 변환효율은 단락전류나 개방전압을 높이거나 출력전류전압 곡선이 정사각형(I_sc×V_oc)에 가까운 정도를 나타내는 fill factor (FF)를 높여야 한다.

이 중 단락전류를 높여서 효율을 향상시키는 방법은 태양전지의 광흡수층에서 빛이 얼마나 흡수되는 가와 그 표면에서 빛이 반사되지 않고 전달되는 반사율 감소와 밀접한 관련이 있다. 따라서 박막 태양전지의 경우 유리 기판 위에 반사방지막을 증착하여 빛이 최대한 광흡수층에 전달되도록 하는 방법을 사용하며, 불투명 전면전극의 면적을 최소화한다. 또한, 전면전극은 투명전극(TCO)을 사용하고, 실리콘 질화물이나 타이타늄-실리콘 산화막을 반사방지막으로 사용하여 반사를 방지하고 효율을 높이려 하였다. 하지만, 광대역의 파장에 걸친 반사방지 특성이나 다양한 입사각에 대한 반사방지 특성을 확보하는 데에 미흡하다.

다양한 입사각에 대한 반사방지 특성을 확보하기 위하여 투명전극이나 실리콘 웨이퍼의 전면을 알칼리 용액으로 식각하여 요철을 형성하여 반사율을 감소시키는 방법이 제안되었으며, 이를 텍스쳐링(texturing)이라 한다. 그러나, 다결정 실리콘 웨이퍼에서는 결정면에 따른 식각 속도의 차이로 인해 표면 텍스쳐링이 불균 일하여 텍스쳐링에 의한 반사율 감소 효과는 그다지 큰 것이 아니었다. 이를 해결하고자 하는 노력이 관련 분야에서 꾸준하게 이루어져 왔으며, 최근에는 cross-linking 구조를 이용하여 polymer로 광포획층을 만들기도 하였다. 하지만, 박막 실리콘 태양전지에서 이것이 얼마나 효과적으로 반사방지 기능을 할 수 있는지는 미지수이며, 광대역의 파장에 대한 반사방지 특성을 확보하기에는 미흡하다. 또한 후면전극을 이용하여, 이를 texturing하기도 하여 후면의 반사도를 높이는데 활용되기도 하지만, 금속 전극의 경우 빛을 일부 흡수하기도 하여, 그리 큰 도움이 되지 못하였다.

최근에 유리 기판에 대한 반사방지막으로 SiO₂와 TiO₂를 스퍼터링 방식으로 lamination 즉, 미세하게 다층으로 구성하여 굴절율 기울기를 갖게 하여 제조한 기술이 개시되고 있으나, SiO₂와 TiO₂의 화합물 형태가 아닌 혼합층으로 구성하였으며, 제조공정이 매우 복잡하고, 반사방지 역할은 유리 기판에만 국한되어 있다는 단점이 있다.

본 발명이 이루고자 하는 제1기술적 과제는 고유전막과 저유전막의 혼합층을 굴절율과 두께를 조절해서 증착하여 보다 넓은 대역의 파장과 다양한 입사각의 태양광에 대하여 반사를 최대한 방지한 태양전지의 반사방지막, 이를 포함하는 태양전지 및 태양전지의 제조방법을 제공하는 데에 있다.

본 발명이 이루고자 하는 제2기술적 과제는 반사방지막과 고반사막을 배치하여 태양광을 효과적으로 포획하여 그 효율을 높인 태양전지를 제공하는 데에 있다.

상기의 기술적 과제를 이루기 위한, 본 발명에 의한 태양전지의 반사방지막은 제1유전율의 물질로 구성된 저유전막; 상기 제1유전율의 물질보다 높은 제2유전율의 물질로 구성된 고유전막; 및 상기 저유전막과 상기 고유전막 사이에 위치하여 상기 제1유전율로부터 상기 제2유전율까지 점차적으로 유전율이 상승하도록 구성된 기울기층을 포함한다.

상기의 기술적 과제를 이루기 위한, 본 발명에 의한 태양전지는 광을 투과시키는 투과기판; 상기 투과기판 아래에 형성되어 상기 투과기판과의 거리에 따라 유전율이 증가하도록 구성된 반사방지막; 및 상기 반사방지막 아래에 형성되어 상기 반사방지막을 통과한 광을 전기 에너지로 변환하는 광흡수층을 포함하는 태양전지 포함한다.

상기의 기술적 과제를 이루기 위한, 본 발명에 의한 태양전지는 광을 투과시 키는 투과기판; 상기 투과기판 아래에 형성되어 상기 투과기판과의 거리에 따라 유전율이 증가하도록 구성된 반사방지막; 상기 반사방지막 아래에 형성되어 상기 반사방지막을 통과한 광을 전기 에너지로 변환하는 광흡수층; 및 상기 광흡수층 아래에 형성되어 상기 반사방지막을 통과한 광 중에서 상기 광흡수층에서 변환되지 않고 통과된 광을 다시 광흡수층으로 전달하는 고반사막을 포함한다.

상기의 기술적 과제를 이루기 위한, 본 발명에 의한 태양전지의 제조방법은 기판을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 상기 기판과의 거리에 따라 유전율이 증가하도록 구성된 반사방지막을 증착하는 단계; 및 상기 반사방지막 위에 전극을 패터닝하고, 상기 전극에 연결되어 전기 에너지를 생성하는 광흡수층을 증착하는 단계를 포함한다.

본 발명에 의한 태양전지의 반사방지막은 높은 굴절율을 갖는 고유전막과 낮은 굴절율을 갖는 저유전막의 광학 두께를 조절하여 태양전지의 태양광이 반사로 손실되는 것을 방지한다.

또한, 원자층 증착법으로 고유전막과 저유전막의 화합물을 구성하여 굴절율 기울기를 갖게 하므로써 다양한 입사각으로 입사되는 태양광을 효율적으로 포획하며, 다층으로 구성하여 넓은 파장 대역의 빛에 대한 반사를 막을 수 있으며, 대면적 태양전지 제조에서 유리하다.

아울러, 반사방지막의 고유전막은 실리콘 혹은 실리콘 게르마늄의 결정화 핵형성에 기여하기도 하며, 반사방지막 자체가 반도체층과 전극 사이의 절연을 효과 적으로 수행할 수 있는 장점도 갖는다. 또한, 투명한 박막 태양전지의 제조를 가능하게 한다.

본 발명에 의한 태양전지는 태양광을 광흡수층으로 효과적으로 포획하여 변환 효율을 높일 수 있고, 특히 박막 태양전지 분야에서 효율의 극대화를 가져올 수 있다.

상술한 목적, 특징 및 장점들은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 더욱 분명해 질 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략하거나 간략하게 설명하는 것으로 한다.

한편 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.

도 1a 및 1b는 각각 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 구조를 도시한 도면이고, 도 2는 도 1a 및 도 1b에서 도시된 태양전지의 제조방법이다.

도 1a 및 1b을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양전지는 유리기판(110), 반사방지막(120), 투명전극(130) 및 광흡수층(140)을 포함한다.

유리기판(110)은 입사하는 광을 투과시키고, 광흡수층(140)는 유리기판(110) 과 반사방지막(120)을 통과한 광을 전기에너지로 변환하고, 투명전극(130)는 광흡수층(140)에 연결되어 광흡수층(140)에서 변환된 전기를 흐를 수 있게 한다.

반사방지막(120)은 유리기판(110)과 광흡수층(140) 사이에 위치하여, 유리기판(110)을 통해 입사하는 광에 대한 반사율을 낮추기 위한 것으로, 본 실시예에서는 유리기판(110)에서 멀어질수록 유전율이 증가하도록 반사방지막(120)의 성분물질의 조성을 조정하여 굴절율 기울기를 갖도록 구성한다.

본 실시예에서는 먼저, 유리기판(110)을 형성하고(S201), 형성된 유리기판(110) 위에 낮은 유전율의 물질로 구성된 저유전막(121)을 먼저 증착하고(S202), 성분조성을 변화시키면서 저유전막(121)의 유전율을 기준으로 점점 유전율을 증가시켜서 굴절율 기울기를 갖는 굴절율 기울기 층(122)을 증착하고(S203), 높은 유전율의 물질로 구성된 고유전막(123)을 증착한다(S204). 이러한 반사방지막(120)의 증착이 끝나면, 투명 전극(130)을 반사방지막 위의 전면에 증착하거나 반사방지막에 패터닝하고, 투명전극(130)에 연결되도록 광흡수층(140)을 증착시킨다(S205). 반사방지막(120)의 두께는 20 nm ~ 300 nm까지 다양하게 구성될 수 있다. 투명전극의 경우 도 1a에서 도시한 바와 같이 반사방지막에 패터닝할 수 있고, 도 1b에 도시한 바와 같이 반사방지막 위의 전면에 증착할 수도 있다.

본 실시예에서는 유리기판을 사용하고 있으나, 이외에도 플라스틱 기판, 금속 기판 등에 본 실시예에서의 반사방지막을 증착하여 사용할 수 있다.

본 실시예에서의 저유전막은 낮은 유전상수를 가진, 예컨대, 비유전상수가 10 미만인 산화 혹은 질화박막인 Al₂O₃, SiO₂, SiN 등이 포함될 수 있다.

본 실시예에서의 고유전막은 높은 유전상수를 가진, 예컨데, 비유전상수가 10이상인 산화박막인 TiO₂, ZrO₂, HfO₂, Ta₂O₅, ZnO 등이 포함될 수 있다.

본 실시예에서의 굴절율 기울기층은 이러한 저유전막의 유전율로부터 고유전막의 유전율까지 점차적으로 유전율이 상승하도록 구성된다.

본 실시예에서의 반사방지막은 높은 유전상수를 가진 산화 박막 즉, TiO₂, ZrO₂, HfO₂, Ta₂O₅, ZnO 등과 낮은 유전상수를 가진 산화 혹은 질화박막, Al₂O₃, SiO₂, SiN 등을 아원자층(sub- monolayer)의 화합물 형태로 하여 원하는 굴절율과 두께를 조절할 수 있게 하였다. 증착방법은 통상 원자층 증착법 (혹은 플라즈마 원자층 증착법)을 사용하지만, 경우에 따라 양산 목적으로 졸-겔 방법 등을 사용할 수도 있다. 증착 온도는 bulk형 실리콘 태양전지뿐 아니라 실리콘 박막 태양전지를 목표로 하므로, 500 ℃ 이하의 공정 온도가 바람직하다. 또한, 원자층 증착법을 이용하므로, 박막 태양전지의 경우 5인치 이상의 대면적의 반사방지 박막 제조에 유리하다.

예컨데, TiO₂의 고유전막 (굴절율 2.4~2.5) 과 Al₂O₃의 저유전막 (굴절율 1.6 ~ 1.7)을 원자층 증착법의 사이클 수를 조절하여 ATO (AlTiO) 박막을 생성할 수 있다. 이 경우에, 사이클 비를 조절하면 Ti의 조성을 조절하여 굴절율을 제어할 수 있다. 이처럼 원자층 증착법을 사용하는 경우에는 증착 도중에 ATO의 조성을 in-situ로 자유롭게 바꾸며 증착할 수 있으며, 미리 프로그램 되어 있기 때문에, 공정의 중단이나 진공이 깨지지 않고 한 물질을 증착하는 것처럼 연속 증착이 가능하다는 장점이 있다.

두께와 굴절율의 곱은 통상적으로 광학 두께(optical thickness)라 하여 이를 조절하면, 원하는 파장에서의 0에 가까운 굴절율을 얻을 수 있다. 본 실시예의 반사방지막과 같이 굴절율의 기울기를 가지고 구성하게 되면, 보다 넓은 파장대역에서 굴절율을 감소시키는 효과를 가져온다. 또한, 원자층 증착법을 이용하면, in-situ로 저유전막에서 고유전막으로 점차 굴절율이 바뀌는 굴절율 기울기 층의 제조가 용이하다.

통상적으로 원자층 증착법을 사용하면 공정 온도 100 ℃ ~ 300 ℃까지 비교적 저온에서 박막의 구현이 가능하므로, 유리 기판 위에서의 박막 태양전지의 반사방지막으로 사용 가능하고, 나아가 150 ℃ 이하의 공정온도가 요구되는 플라스틱 기반의 유기물 태양전지에서도 반사방지막으로 적용이 가능하다.

본 실시예에서의 반사방지막은 실리콘, 실리콘-게르마늄, CuInGaSe (CIGS), CdTe 등의 박막 태양전지와 GaAs 기반의 화합물 태양전지, 단결정 및 다결정 실리콘 기판에서의 태양전지, 유기물 태양전지, 염료감응형 태양전지 등의 다양한 형태의 태양전지에서 반사방지막으로 활용될 수 있다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 구조를 도시한 도면이다.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양전지는 유리기판(310), 반사방지막(320), 투명전극(330), 광흡수층(340), 고반사막(350) 및 하부전극(360)을 포함 한다.

본 실시예의 태양전지의 유리기판(310), 반사방지막(320), 투명전극(330) 및 광흡수층(340)은 도 1에 도시된 태양전지의 유리기판(110), 반사방지막(120), 투명전극(130) 및 광흡수층(140)과 동일한 기능을 수행하나, 본 실시예의 경우 광흡수층(340) 아래에 고반사막(350)을 배치하여 반사방지막(320)과 함께 태양광을 효과적으로 광흡수층(340, p-i-n 다이오드)에 포획할 수 있게 하는 광포획구조를 구현하였다.

본 실시예의 광포획구조는 광흡수층(340)의 전면에 고유전막과 저유전막의 혼합층을 굴절율과 두께를 조절해서 증착하고 그 혼합비에 따라 굴절율 기울기를 갖는 반사방지막(320)을 배치하여 광대역의 파장과 다양한 입사각의 태양광에 대하여 반사를 최대한 방지하고자 하였고, 광흡수층(340)의 후면에는 고반사막을 배치하여 광흡수층(340)을 통과하여 후면에 전달된 태양광의 반사를 최대한 높여서 태양광이 최대한 광흡수층(340)에 포획될 수 있도록 한다.

투명전극(330)과 하부전극(360)은 광흡수층(340)의 상하단에 각각 연결되어 광흡수층(340)에 전류가 흐를 수 있게 하여 광흡수층(340)에서 광기전력을 생성할 수 있게 한다.

도 4는 본 발명의 일실시예에 다른 태양전지의 고반사막의 구조를 도시한 도면이다.

본 실시예에 따른 고반사막은 저유전막(401)과 고유전막(402)을 포함하는 단위 층 구조가 반복적으로 증착된 구조를 갖는다.

본 실시예와 같이 고유전막(402)과 저유전막(401)을 일정 두께로 (반사 방지 빛의 파장(λ)의 사분의 일 정도) 반복적으로 배치할 때, 매우 높은 반사 효과를 보일 수 있으며, 반복되는 층의 수가 높아질수록 넓은 파장대에서 효과적으로 반사를 높일 수 있다.

종래에 금속 전극을 사용하여 고반사막을 구현한 기술도 있으나, 종래의 기술의 경우에는 금속 전극에서 일부 빛의 흡수가 발생하기도 하고, 금속 자체가 불투명하여 투명 태양전지를 구현할 수 없는 반면에, 본 실시예에 따른 고반사막을 사용하는 경우에는 고반사막에서의 흡수를 효과적으로 차단하고, 투명 태양전지를 구현할 수 있게 된다.

도 5는 본 발명의 또다른 일실시예에 다른 태양전지의 고반사막의 구조를 도시한 도면이다.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 고반사막(500)은 도 1에 도시된 반사방지막의 구조에서 역전된 구조 즉, 태양광이 입사하는 방향으로, 고유전막(501), 굴절율 기울기층(502), 저유전막(503)의 순서대로 증착되어 구성될 수 있다. 본 실시예에서의 고유전막(501), 굴절율 기울기층(502), 저유전막(503)은 도 1에 도시된 반사방지막(120)의 고유전막(123), 굴절율기울기층(122), 저유전막(121)과 동일한 기능을 가지나, 도 1에 도시된 반사방지막(120)의 구성과 달리 태양광이 입사하는 방향을 기준으로 순서가 정반대로 배치됨으로써, 고반사막에서의 흡수를 효과적으로 차단하는 기능을 수행하고 있다.

도 6은 반사방지막의 구조에 따른 반사율의 변화를 도시한 도면으로, ATO와 같은 고유전막과 저유전막의 화합물을 구성성분으로 하는 단일막을 반사방지막으로 채용한 경우와 조성이 다른 두 유전막을 복수 개의 층으로 구성했을 때, 각 파장에 따른 반사율의 변화를 보여준다.

통상 태양광은 가시광선과 적외선 영역에 걸쳐서 들어오는데, 효율이 낮은 이유는 가시광선 뿐 아니라 적외선에서의 광손실이 크기 때문인데, 이러한 장파장 대역의 빛의 반사를 얼마나 효율적으로 차단하느냐가 효율을 높이는 관건이다, 또한, 가시광선 층에서도 특히 강한 blue 영역의 반사를 최소화하는 것도 관건이다. 또 하나의 관점은 태양광이 수직으로만 입사하는 것이 아니기 때문에 다양한 입사각에 대하여 효과적인 반사 차단이 이루어져야 한다.

도 6을 참조할 때, 반사방지막을 1층으로 구성했을 때보다 2층, 3층 등의 다층으로 구성했을 때, 보다 넓은 범위에서 저반사율을 얻을 수 있음을 보여주고 있다. 특히, 다양한 입사각에 대해서는 굴절율 기울기를 갖는 반사막의 제조가 매우 효과적일 것으로 기대된다.

만일, 태양전지의 광흡수층이 2 개 이상의 다중접합으로 되어 있다면, 광흡수층의 파장 대역에 맞는 반사방지막들이 중간에 삽입될 수 있는데, 원하는 파장대역의 광을 효과적으로 광흡수층에 도달하도록 하는 반사망지막의 구현이 가능하다.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 반사방지막이 결정 실리콘이나 다결정 실리콘-게르마늄 박막 태양전지에 사용된 예를 도시한 도면이다.

도 7을 참조하면, 본 실시예의 반사방지막(720)은 이전의 실시예들과 마찬가지로, 저유전막(721), 굴절율 기울기층(722), 및 고유전막(723)을 포함한다.

본 실시예에서의 고유전막은 150 ℃ 내지는 500 ℃ 에서 성장하여 형성된 결정막인 경우에 다결정 실리콘 혹은 다결정 실리콘-게르마늄 박막의 결정화 핵형성을 촉진하여 결과적으로 광흡수층(840)의 흡수율을 높이는데 기여할 수 있다.

이러한 역할은 다결정 또는 미세 결정(microcrystalline) 박막을 광흡수층으로 이용한 모든 박막 태양전지에 동일하게 적용된다. 굴절율 기울기를 갖는 반사방지막(820)을 제조할 경우 가장 상부의 층은 TiO₂나 ZrO₂, Ta₂O₅, HfO₂등의 고유전막(823)을 사용하는데 이러한 박막은 결정화 온도가 낮은 장점이 있다. 250 ℃ 정도에서 증착을 해도 결정화된 고유전막을 얻을 수 있는으며. ZrO₂ 결정 박막이 Si의 결정화를 촉진하는 결과를 나타내기도 한다. 플라즈마를 사용하는 증착방법의 경우 150 ℃의 온도에서도 결정화된 고유전막을 얻을 수 있다.

따라서 본 실시예에 따른 반사방지막은 태양 전지 효율과 관련된 광흡수층의 결정화를 촉진하는 역할도 하게 된다. 또한, 본 실시예에 따른 반사방지막 및 고반사막은 절연체로서 전극 사이의 절연이나 반도체층과 전극 사이의 절연을 효과적으로 수행할 수 있는 장점도 가지고 있다.

이상과 같이 본 발명은 양호한 실시예에 근거하여 설명하였지만, 이러한 실시예는 이 발명을 제한하려는 것이 아니라 예시하려는 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자라면 이 발명의 기술사상을 벗어남이 없이 위 실시예에 대한 다양한 변화나 변경 또는 조정이 가능함이 자명할 것이다. 그러므로, 이 발명의 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 한정될 것이며, 위와 같은 변화예나 변경예 또 는 조정예를 모두 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.

도 1a 및 1b는 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 구조를 도시한 도면이다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 제조방법이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 구조를 도시한 도면이다.

도 4는 본 발명의 일실시예에 다른 태양전지의 고반사막의 구조를 도시한 도면이다.

도 5는 본 발명의 또다른 일실시예에 다른 태양전지의 고반사막의 구조를 도시한 도면이다.

도 6은 반사방지막의 구조에 따른 반사율의 변화를 도시한 도면이다.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 반사방지막이 결정 실리콘이나 다결정 실리콘-게르마늄 박막 태양전지에 사용된 예를 도시한 도면이다.

Claims (19)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. 삭제
12. 삭제
13. 광을 투과시키는 투과기판;

    상기 투과기판 아래에 형성되어 상기 투과기판과의 거리에 따라 유전율이 증가하도록 구성된 반사방지막;

    상기 반사방지막 아래에 형성되어 상기 반사방지막을 통과한 광을 전기 에너지로 변환하는 광흡수층; 및

    상기 광흡수층 아래에 형성되어 상기 반사방지막을 통과한 광 중에서 상기 광흡수층에서 변환되지 않고 통과된 광을 다시 광흡수층으로 전달하는 고반사막을 포함하고,

    상기 반사방지막은

    제1유전율의 물질로 구성된 저유전막;

    상기 제1유전율보다 높은 제2유전율의 물질로 구성된 고유전막; 및

    상기 저유전막과 상기 고유전막 사이에 위치하여 상기 제1유전율로부터 상기 제2유전율까지 점차적으로 유전율이 상승하도록 구성된 기울기층을 포함하고,

    상기 기울기층은 상기 제1유전율의 물질과 상기 제2유전율의 물질의 화합물로 구성되고,

    상기 고반사막은

    상기 제1유전율의 물질로 구성된 저유전막;

    상기 제2유전율의 물질로 구성된 고유전막; 및

    상기 저유전막과 상기 고유전막 사이에 위치하여 상기 제1유전율로부터 상기 제2유전율까지 점차적으로 유전율이 상승하도록 구성된 기울기층을 포함하고,

    상기 고반사막은 태양광이 입사하는 방향에 따라 상기 고유전막, 상기 기울기층 및 상기 저유전막의 순서로 증착된 것을 특징으로 하는 태양전지.
14. 삭제
15. 제13항에 있어서,

    상기 저유전막은 Al₂O₃, SiO₂, SiN 중 적어도 하나 이상을 포함하고,

    상기 고유전막은 TiO₂, ZrO₂, HfO₂, Ta₂O₅, ZnO 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
16. 삭제
17. 삭제
18. 삭제
19. 삭제

Images