KR101211613B1 - 시드척 유닛 및 이를 이용한 잉곳 성장 장치 - Google Patents
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- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- OWZREIFADZCYQD-NSHGMRRFSA-N deltamethrin Chemical compound CC1(C)[C@@H](C=C(Br)Br)[C@H]1C(=O)O[C@H](C#N)C1=CC=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 OWZREIFADZCYQD-NSHGMRRFSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000021332 multicellular organism growth Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
도 2a 및 도 2b는 종래의 시드척을 보여주는 사시도 및 단면도이며,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 시드척 유닛을 보여주는 사시도이고,
도 4a 및 4b는 본 발명의 일실시예에 따른 시드척 유닛을 보여주는 분해 사시도이며,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 시드척 유닛을 보여주는 단면도이고,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 잉곳 성장 장치를 보여주는 구성도이다.
200: 와이어 210: 체결 볼
300: 시드척 유닛 310: 시드척 본체
311: 관통공 313: 설치공
315: 단턱부 317: 시드 연결부
320: 소켓 홀더 330: 와이어 소켓
340: 링 홀더 350: 센터 블럭
Claims (8)
- 승강 및 회전되는 와이어의 단부에 구비되는 체결 볼에 의해 지지되는 상단부와 시드가 결합되는 하단부를 형성하는 시드척 유닛으로서,
상단면에는 상기 와이어가 관통되도록 상방향으로 개구되는 관통공이 형성되고, 상부 영역의 측면에는 상기 관통공의 하부와 연통되도록 측방향으로 개구되는 설치공이 형성되는 시드척 본체와;
상부가 상기 관통공에 인입되도록 상기 설치공에 배치되고, 내부가 상하로 연통되어 상기 와이어 및 체결 볼이 통과되는 소켓 홀더와;
상기 소켓 홀더의 하부에서 소켓 홀더의 내부로 압입되고, 내부가 상하로 연통되어 상기 와이어가 통과되며, 상기 체결 볼이 몸체의 하부 영역에 단속되는 와이어 소켓과;
상기 시드척 본체의 상부 영역 외주면에 체결되어 상기 설치공을 커버하는 링 홀더를 포함하는 시드척 유닛.
- 청구항 1에 있어서,
소켓 홀더는 상부 영역의 외경이 상기 관통공의 내경과 같고, 하부 영역의 외경은 상기 관통공의 내경보다 크게 형성되고, 내경은 상기 체결 볼의 직경보다 크며, 적어도 하부 영역의 내경이 하부방향으로 점점 커지도록 형성되는 시드척 유닛.
- 청구항 1에 있어서,
와이어 소켓은 상부 영역의 외경이 상기 소켓 홀더의 하부 영역의 내경에 대응하여 하부방향으로 점점 커지고, 상부 영역의 내경은 상기 체결 볼의 직경보다 작으며, 하부 영역의 내경은 상기 체결 볼의 직경과 같거나 크게 형성되는 시드척 유닛.
- 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,
상기 와이어 소켓은 상하 방향으로 분할되어 적어도 2개 이상의 분할 몸체로 분리되는 시드척 유닛.
- 청구항 1에 있어서,
상기 설치공에는 상기 와이어 소켓의 직하부 공간을 채우는 센터 블럭이 구비되는 시드척 유닛.
- 청구항 5에 있어서,
상기 센터 블럭의 상단면은 상기 와이어 소켓의 하단면에 근접 배치되는 시드척 유닛.
- 단결정 잉곳을 성장시키는 장치로서,
도가니가 내부에 구비되는 챔버와;
상기 챔버의 상부에 구비되어 승강 및 회전가능하도록 구비되고, 단부에는 체결 볼이 고정되는 와이어와;
상기 체결 볼에 의해 지지되어 상단부가 상기 와이어에 연결되고, 하단부에는 상기 도가니에 투입 가능하도록 시드가 결합되는 시드척 유닛을 포함하고,
상기 시드척 유닛은 상단면에는 상기 와이어가 관통되도록 상방향으로 개구되는 관통공이 형성되고, 상부 영역의 측면에는 상기 관통공의 하부와 연통되도록 측방향으로 개구되는 설치공이 형성되며, 하부 영역에 상기 시드가 결합되는 시드척 본체와; 상부가 상기 관통공에 인입되도록 상기 설치공에 배치되는 소켓 홀더와; 상기 소켓 홀더의 하부에서 소켓 홀더의 내부로 압입되는 와이어 소켓과; 상기 시드척 본체의 상부 영역 외주면에 체결되어 상기 설치공을 커버하는 링 홀더를 포함하며,
상기 와이어는 상기 소켓 홀더 및 와이어 소켓의 내부를 순차적으로 통과되고, 상기 체결 볼이 상기 와이어 소켓의 하부 영역에 단속되는 잉곳 성장 장치.
- 청구항 7에 있어서,
상기 설치공에는 상기 와이어 소켓의 직하부 공간을 채우는 센터 블럭이 구비되는 잉곳 성장 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100139252A KR101211613B1 (ko) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 시드척 유닛 및 이를 이용한 잉곳 성장 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100139252A KR101211613B1 (ko) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 시드척 유닛 및 이를 이용한 잉곳 성장 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120077326A KR20120077326A (ko) | 2012-07-10 |
KR101211613B1 true KR101211613B1 (ko) | 2012-12-12 |
Family
ID=46710832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100139252A Expired - Fee Related KR101211613B1 (ko) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 시드척 유닛 및 이를 이용한 잉곳 성장 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101211613B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105780128A (zh) * | 2014-12-23 | 2016-07-20 | 江苏拜尔特光电设备有限公司 | 一种改进的单晶炉用重锤 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN120006375B (zh) * | 2025-04-18 | 2025-07-01 | 常州益群新能源科技有限公司 | 一种能同时生产多根晶体的硅芯炉设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5833750A (en) | 1995-12-25 | 1998-11-10 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Crystal pulling apparatus |
US6238483B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-05-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for supporting a semiconductor ingot during growth |
-
2010
- 2010-12-30 KR KR1020100139252A patent/KR101211613B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5833750A (en) | 1995-12-25 | 1998-11-10 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Crystal pulling apparatus |
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CN105780128A (zh) * | 2014-12-23 | 2016-07-20 | 江苏拜尔特光电设备有限公司 | 一种改进的单晶炉用重锤 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120077326A (ko) | 2012-07-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20101230 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20120907 |
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GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20121206 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20121207 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
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PR1001 | Payment of annual fee |
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