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KR101207367B1 - Semiconductor cleanroom with local sealing area - Google Patents

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KR101207367B1
KR101207367B1 KR1020110023638A KR20110023638A KR101207367B1 KR 101207367 B1 KR101207367 B1 KR 101207367B1 KR 1020110023638 A KR1020110023638 A KR 1020110023638A KR 20110023638 A KR20110023638 A KR 20110023638A KR 101207367 B1 KR101207367 B1 KR 101207367B1
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김권중
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주식회사 이지이엔씨
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    • F24HEATING; RANGES; VENTILATING
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    • F24F3/12Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling
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    • F24F3/167Clean rooms, i.e. enclosed spaces in which a uniform flow of filtered air is distributed

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Abstract

본 발명은 반도체 클린 룸에 관한 것으로 특히, 클린 영역에 설치되어진 각각의 반도체 공정이 진행되는 설비에 대해 반도체 자작 공정별 설비에 대해 각각 국부 밀폐 구역으로 할당함과 동시에 해당 국부 밀폐 구역에 대해 패널과 덮개 등을 다수개 이용하여 다른 영역과 밀폐 구분하고; 상기 국부 밀폐 구역의 하부에 흄(유해가스) 제거장치(케미칼 필터, 웹 스크라바, 용해탱크)를 설치하고, 상기 덮개 중 일부에는 해당 국부 밀폐 구역내에 존재하는 반도체 공정설비에서 발생되는 흄을 흡기하여 덕트나 파이프를 통해 상기 흄 제거장치와 연결해 흄을 희석한 후 룸 내부로 다시 배출함으로써 해당 반도체 제조 공정의 설비에서 발생되는 유해가스가 다른 공정이 진행되는 영역으로 확산되는 것을 방지하고 국부 밀폐구역내에서 발생되는 유해가스를 최대한 빠른 시간에 제거할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 국부 밀폐구역을 갖는 반도체 클린 룸을 제공하여 장비를 개별로 감싸 시공하는 방식이므로 흄의 확산을 방지하고 수시로 배기되어 희석시킬 수 있으며, 배기부분에 개별라인을 형성하고 각각의 조절댐퍼를 설치하여 국부적으로 개별구간에 배기량을 조절할 수 있으며, 유해물질(흄) 발생지역을 선택하고 그에 맞는 시스템을 적용함으로 국부적으로 제거가 빠르고 발생지역의 중점관리로 확산을 방지할 수 있게 된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor clean room, and in particular, to a facility in which each semiconductor process installed in a clean area is carried out, respectively, as a local hermetic zone for each semiconductor self-processing facility, and at the same time, a panel and Sealing is distinguished from other areas by using a plurality of covers and the like; A fume (hazardous gas) removal device (chemical filter, web scrubber, dissolution tank) is installed at the lower part of the local enclosed area, and some of the covers inhale fumes generated from the semiconductor processing equipment existing in the local enclosed area. Connected with the fume removing device through a duct or pipe to dilute the fume and discharge it back into the room to prevent harmful gas generated from the equipment of the semiconductor manufacturing process from spreading to the area where other processes are carried out and It provides a semiconductor clean room with a local sealed area, which enables to remove harmful gases generated in the interior as soon as possible, so that the equipment is individually wrapped to prevent the diffusion of fumes, and is often exhausted and diluted. By forming individual lines in the exhaust section and installing each control damper And to adjust the displacement of the individual sections, it is possible to select the hazardous substances (fume) generated region and prevent the spread of local management to focus on the removal fast and generated by applying a regional system accordingly.

Description

국부 밀폐구역을 갖는 반도체 클린 룸{Semiconductor cleanroom with local sealing area}Semiconductor cleanroom with local sealing area

본 발명은 반도체 클린 룸에 관한 것으로 특히, 각각의 반도체 공정이 진행되는 설비를 개별적으로 국부 밀폐구역으로 할당함으로써 해당 반도체 제조 공정의 설비에서 발생되는 유해가스가 다른 공정이 진행되는 영역으로 확산되는 것을 방지하고 국부 밀폐구역내에서 발생되는 유해가스를 최대한 빠른 시간에 제거할 수 있도록 하는 국부 밀폐구역을 갖는 반도체 클린 룸에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor clean room, and in particular, by assigning a facility where each semiconductor process proceeds individually to a locally sealed area, it is possible to prevent harmful gases generated in the facilities of the semiconductor manufacturing process from spreading to other process areas. The present invention relates to a semiconductor clean room having a local sealed area that prevents and removes harmful gases generated in the local closed area as soon as possible.

일반적으로, 반도체 장치를 제조하기 위해서는 사진 공정, 식각 공정, 증착 공정, 확산 공정, 이온 주입 공정 등과 같은 수 많은 단위 공정들을 거치게 된다. 이와 같은 단위 공정들을 수행하기 위해서 반도체 기판들을 한 용기에 수납하고 해당 공정이 수행되는 단위 가공 장치로 운반한다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, a number of unit processes such as a photo process, an etching process, a deposition process, a diffusion process, an ion implantation process, and the like are performed. In order to perform such unit processes, semiconductor substrates are stored in a container and transported to a unit processing apparatus in which the process is performed.

과거 8인치 웨이퍼와 같이 작은 반도체 기판의 구경이 작은 경우, 개방형 용기를 이용하여 운반하였다. 하지만, 최근에는 웨이퍼가 12인치로 대구경화되고 고집적화되면서 반도체 기판의 단가가 증가하여 과거에는 무시되었던 오염원의 차단이 무엇보다 중요하게 되었다. 따라서 밀폐형 용기가 개발되었고, 상기 밀폐형 용기의 대표적인 예로서 포우프(front opening unified pod: FOUP)가 많이 이용되고 있다. 반도체 기판들은 포우프에 수납되어 반도체 기판 가공 장치에 로딩된다.Smaller semiconductor substrates, such as 8-inch wafers in the past, were transported using open containers. However, in recent years, as wafers have been large-sized to 12 inches and highly integrated, the cost of semiconductor substrates has increased, and blocking of pollutants, which has been ignored in the past, has become more important than ever. Accordingly, a closed container has been developed, and a front opening unified pod (FOUP) is widely used as a representative example of the closed container. The semiconductor substrates are housed in a paw and loaded into a semiconductor substrate processing apparatus.

반도체 기판 가공 장치에 상기 포우프를 로딩하거나, 반도체 기판 가공 장치로부터 포우프를 언로딩 하기 위해서는, 반도체 기판 가공 장치가 개방되어야 한다. 이 경우, 반도체 기판 가공 장치 내부의 오염 물질 또는 가스가 클린룸으로 누출된다.In order to load the pouf into the semiconductor substrate processing apparatus or to unload the poop from the semiconductor substrate processing apparatus, the semiconductor substrate processing apparatus must be opened. In this case, contaminants or gases inside the semiconductor substrate processing apparatus leak into the clean room.

클린룸은 공기 속의 부유 물질이 규정된 수준으로 관리되고 필요에 따라서 온도, 습도, 압력 등의 환경 조건도 일정하게 유지되는 폐쇄 공간을 의미한다. 클린룸에 출입하기 위해서는 방진복을 입고 에어 샤워실을 거쳐야 한다. 이렇듯 클린룸은 반도체 기판의 오염이나 가공 장치의 손상을 억제하기 위하여 오염 물질의 유입을 철저하게 차단하고 있다. 하지만 전술한 바와 같이, 가공 장치로부터 오염 물질이 누출될 경우, 외부 오염 물질이 클린룸 내부로 유입되는 것을 차단하려는 노력이 수포로 돌아 갈 수 있다.A clean room is a closed space where suspended solids in the air are managed at a prescribed level and environmental conditions such as temperature, humidity, and pressure are kept constant as necessary. To enter the clean room, you must wear a dust-proof suit and go through an air shower. As such, the clean room thoroughly blocks the inflow of contaminants in order to suppress contamination of the semiconductor substrate and damage of the processing equipment. However, as noted above, if contaminants leak from the processing apparatus, efforts to block the entry of external contaminants into the clean room may be returned to blistering.

오염 물질은 그 종류에 따라서 반도체 기판 가공 공정 및 가공 장치에 치명적일 수 있다. 예를 들어, 디피에스-폴리(DPSPoly)공정과 같은 건식 식각 공정에는 브롬화수소(HBr), 염소(Cl2) 등과 같은 유독한 가스가 사용된다. 상기 브롬(Br)은 파우더를 발생시키는 주 성분으로 알려져 있다. 상기와 같은 유독한 가스가 클린룸 내부에 확산될 경우, 반도체 기판 및 가공 장치가 오염될 뿐만 아니라, 심지어 부식 현상이 유발되어 치명적인 손실이 발생될 수 있다.Contaminants can be fatal to semiconductor substrate processing processes and processing equipment, depending on their type. For example, toxic gases such as hydrogen bromide (HBr), chlorine (Cl2), and the like are used in dry etching processes such as DPSPoly processes. The bromine (Br) is known as the main component that generates the powder. When such toxic gases are diffused inside the clean room, not only the semiconductor substrate and the processing apparatus may be contaminated, but even corrosion may be caused and fatal losses may occur.

현재 클린룸 내부에 확산된 오염 물질은 공기 순환 시스템에 의하여 제거하고 있다. 현재까지 시공, 운영되고 있는 클린 룸의 구조는 국가별, 회사별 또는 생산제품별로 각각 그 특징을 달리하고 있으나 대체적으로는 첨부한 도 1에 도시되어진 바와 같다.At present, contaminants diffused inside clean rooms are removed by an air circulation system. The structure of the clean room, which has been constructed and operated so far, varies according to each country, company, or product, but is generally as shown in FIG. 1.

첨부한 도 1은 종래의 반도체 클린 룸을 도시한 단면도인데, 클린 룸은, 크게, 진공 펌프, 스크러버(scrubber) 및 전원공급원등이 놓여있는 펌프 스태이지 및 펌프스태이지의 상부에 배치되어 있는 덕트들이 설치되어 있는 플리넘(100), 반도체소자 제조공정이 진행되는 클린 영역(200), 클린 룸 내의 공기를 순환시키기 위한 에어 덕트(300), 및 덕트 및 파이프 설치를 위한 중앙 덕트 샤프트(400)로 구성된다.1 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor clean room, which is generally a pump stage in which a vacuum pump, a scrubber and a power supply are placed, and a duct disposed on the pump stage. Plenum 100 is installed, the clean area 200 is a semiconductor device manufacturing process is in progress, the air duct 300 for circulating air in the clean room, and the central duct shaft 400 for the duct and pipe installation It consists of.

덕트는 배기 덕트(exhaust duct)와 급기 덕트(supply duct) 및 주 덕트(main duct)와 부 덕트(sub duct)로 그 종류를 나눌 수 있다.Ducts can be divided into exhaust ducts, supply ducts, main ducts and sub ducts.

첨부한 도 2의 좌측에 설치되어 있는 덕트는 급기 덕트이고, 우측에 설치되어 있는 덕트는 배기 덕트이다. 부 덕트는 주 덕트의 지류(枝流)에 해당하고, 주 덕트에 대해 평행하게 설치된다(첨부한 도 2 참조). 플리넘 내의 기류는 상기 부 덕트 및 주 덕트의 배치방향에 대해 평행하게 흐른다.The duct provided in the left side of FIG. 2 attached is an air supply duct, and the duct provided in the right side is an exhaust duct. The secondary duct corresponds to the tributary of the main duct and is installed parallel to the main duct (see attached FIG. 2). The airflow in the plenum flows parallel to the arrangement direction of the sub duct and the main duct.

필터는 클린 영역(200)의 상부에 설치되어, 에어 덕트를 통해 클린 영역으로 주입되는 공기의 오염을 걸러낸다. 팬은 플리넘 내의 공기를 에어 덕트로 보내는 역할을 한다. 클린 룸의 외부에는 배기처리설비가 설치된다.The filter is installed on the upper portion of the clean area 200 to filter the contamination of the air injected into the clean area through the air duct. The fan is responsible for sending air in the plenum to the air duct. Exhaust treatment equipment is installed outside the clean room.

덕트 샤프트(400)는 클린 영역(200)의 중앙복도를 따라 설치되고, 첨부한 도 3를 참조했을 때, 사람이 통행할 수 있을 정도의 공간에 의해 여러개로 분리되어 있다. 덕트 샤프트는 클린 영역의 천정을 지지하는 모양으로 형성된다. 에어 덕트를 통해 클린 영역(200)으로 주입된 공기는 필터를 통해 오염물이 걸러진 후 반도체소자 제조공정이 진행되는 필드(사선으로 표시)로 공급된다. 필드의 공기는 플리넘으로 배출된 후 팬을 이용하여 다시 에어 덕트로 주입된다. 플리넘에 설치되어 있는 장치들은 반도체소자 제조공정에 이용되는 장치들이다.The duct shaft 400 is provided along the central corridor of the clean region 200, and when it is referred to FIG. 3, the duct shaft 400 is separated into a plurality of spaces enough for a person to pass through. The duct shaft is shaped to support the ceiling of the clean area. The air injected into the clean region 200 through the air duct is supplied to the field (marked with diagonal lines) where the semiconductor device manufacturing process is performed after the contaminant is filtered through the filter. The air in the field is discharged to the plenum and then injected back into the air duct using a fan. The devices installed in the plenum are devices used in the semiconductor device manufacturing process.

상기 클린 룸은 팬 필터 유니트형(Fan Filter Unit Type) 또는 IFU형이다.The clean room is a fan filter unit type or an IFU type.

첨부한 도 2는 종래의 반도체 클린 룸의 플리넘의 일부를 도시한 평면도로서, 주 덕트(10)는 횡방향으로 배치되어 있고, 부 덕트(20)는 종방향으로 배치되어 있다. 펌프 스태이지(30)는 부 덕트(20)들 사이에 배치되어 있다. 파이프(40)는 펌프 스태이지(30)의 가장자리를 따라 설치되어 있다. 펌프 스태이지(30) 상부에 반도체소자 제조에 필요한 설비들(50)이 배치되어 있으며, 플리넘 내의 기류 (로 표시)는 부 덕트의 설치방향과 평행하게 흐른다. 도면부호 60은 기둥들을 나타낸다.2 is a plan view showing a part of the plenum of the conventional semiconductor clean room, in which the main duct 10 is arranged in the transverse direction, and the sub duct 20 is arranged in the longitudinal direction. The pump stage 30 is arranged between the sub ducts 20. The pipe 40 is provided along the edge of the pump stage 30. Equipments 50 for manufacturing a semiconductor device are arranged on the pump stage 30, and the air flow (indicated by) in the plenum flows in parallel with the installation direction of the secondary duct. Reference numeral 60 denotes the columns.

첨부한 도 3은 종래의 반도체 클린 룸의 클린 영역을 도시한 평면도로서, 에어 덕트(70)와 덕트 샤프트(80) 및 클린 룸을 지지하기 위한 기둥(90)들이 클린 영역 전반에 걸쳐 배치되어 있다.3 is a plan view illustrating a clean area of a conventional semiconductor clean room, in which an air duct 70, a duct shaft 80, and pillars 90 for supporting the clean room are disposed throughout the clean area. .

그 내부에 사선이 그어진 영역은 클린 영역에 설치되어 있는 장치들을 조정하기 위해 사람들이 배치되는 영역이고, 그 외의 영역은 반도체소자 제조를 위한 설비들이 설치되어 있는 영역이다.The area in which an oblique line is inside is an area where people are arranged to adjust the devices installed in the clean area, and the other area is an area where facilities for manufacturing a semiconductor device are installed.

그러나 상술한 클린룸만으로는 오염원을 차단하는 근본적인 방법이 되지 못하며, 클린룸의 청정도는 일정 수준이상 향상되지 못하고 있는 실정이다.However, the above-mentioned clean room alone is not a fundamental method of blocking the pollutant, and the cleanliness of the clean room is not improved by a certain level or more.

더욱이 클린룸으로 구성되어 있는 생산제조 라인의 경우 오랜 생산시간이 경과되면 공정과 공정간 또는 생산장비 등의 노후화로 인하여 오염원의 발생률이 높아지는 반면 환경 정화능력은 저하됨에 따라 유해물질이 클린룸 내부에 누적되어 각 공정상의 특성을 변화시켜 생산성에 영향을 주는 사례가 있다.Furthermore, in the case of a production manufacturing line consisting of clean rooms, when a long production time passes, the generation rate of pollutants increases due to aging of processes and between processes or production equipment, while the environmental purification ability decreases, and thus harmful substances are introduced into the clean room. There is an example that cumulatively changes the characteristics of each process to affect the productivity.

이에 따라 제품의 품질 향상을 위한 작업장의 환경 개선이 요구되며 특히, 유해가스(외적인 요소; 양압유지를 위한 오염된 OUT DOOR AIR, 마감재의 재질 등으로부터 발생하는 환경가스, 내적인 요소; 공정상 발생되는 유해물질)을 제거함으로써 생산성과 작업장의 환경을 최적의 상태로 유지 관하는 것이 중요한 과제로 되고 있다.Accordingly, it is required to improve the environment of the workplace to improve the quality of the product, and in particular, harmful gases (external factors; environmental gases generated from contaminated OUT DOOR AIR, finishing materials, etc .; It is an important task to keep productivity and the environment of the workplace in optimum condition by eliminating harmful substances.

또한, 반도체 장치가 고집적 및 고성능화됨에 따라 반도체 기판은 단위 공정이 진행될수록 그 가치가 급격히 상승하고 있으며, 이를 제조하기 위한 가공 장치의 가격도 꾸준히 증가하고 있다. 하지만, 전술한 바와 같은 문제들로 인하여 반도체 기판 및 가공 장치의 피해는 줄어들지 않고 있는 실정이다.In addition, as semiconductor devices become highly integrated and high performance, the value of semiconductor substrates increases rapidly as the unit process progresses, and the price of the processing apparatus for manufacturing the same increases steadily. However, damage to the semiconductor substrate and the processing apparatus is not reduced due to the problems as described above.

상술한 문제점을 해소하기 위한 본 발명의 목적은, 반도체 클린 룸에 관한 것으로 특히, 각각의 반도체 공정이 진행되는 설비를 개별적으로 국부 밀폐구역으로 할당함으로써 해당 반도체 제조 공정의 설비에서 발생되는 유해가스가 다른 공정이 진행되는 영역으로 확산되는 것을 방지하고 국부 밀폐구역내에서 발생되는 유해가스를 최대한 빠른 시간에 제거할 수 있도록 하는 국부 밀폐구역을 갖는 반도체 클린 룸을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above-mentioned problems relates to a semiconductor clean room, and in particular, by assigning a facility where each semiconductor process proceeds individually to a locally sealed area, harmful gases generated in the facility of the semiconductor manufacturing process It is to provide a semiconductor clean room having a local sealed zone to prevent the diffusion of other processes to the progress area and to remove the harmful gas generated in the local closed zone as soon as possible.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 국부 밀폐구역을 갖는 반도체 클린 룸의 특징은, 그 바닥에는 진공 펌프, 스크러버 및 전원공급원등이 놓여주는 펌프 스태이지가 설치되어 있고, 그 천장엔 주 덕트와 부 덕트와 같은 덕트들이 설치되어 있는 플리넘; 상기 플리넘 상층에 위치하고, 그 중앙복도를 따라 덕트 및 파이프 설치를 위한 덕트 샤프트가 배치되어 있는 반도체 소자 제조공정을 진행하는 클린 영역, 및 상기 클린 영역의 공기를 순환시키기 위해 상기 클린 영역 주변에 설치된 에어 덕트를 구비하는 반도체 클린 룸에 있어서: 상기 클린 영역에 설치되어진 각각의 반도체 공정이 진행되는 설비에 대해 반도체 자작 공정별 설비에 대해 각각 국부 밀폐 구역으로 할당함과 동시에 해당 국부 밀폐 구역에 대해 패널과 덮개 등을 다수개 이용하여 다른 영역과 밀폐 구분하고; 상기 국부 밀폐 구역의 하부에는 케미칼 필터와 웹 스크라바, 용행태크로 이루어진 제거장치를 설치하고, 상기 덮개 중 일부에는 해당 국부 밀폐 구역내에 존재하는 반도체 공정설비에서 발생되는 흄을 흡기하여 덕트나 파이프를 통해 상기 흄 제거장치와 연결해 흄을 희석한 후 룸 내부로 다시 배출함으로써 해당 반도체 제조 공정의 설비에서 발생되는 유해가스가 다른 공정이 진행되는 영역으로 확산되는 것을 방지하고 국부 밀폐구역내에서 발생되는 유해가스를 최대한 빠른 시간에 제거할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.A feature of the semiconductor clean room having a locally enclosed area according to the present invention for achieving the above object is a pump stage in which a vacuum pump, a scrubber and a power supply source are placed at the bottom thereof, Plenums in which ducts, such as ducts and sub ducts, are installed; Located in the upper layer of the plenum, a clean area for conducting a semiconductor device manufacturing process in which a duct shaft for duct and pipe installation is disposed along the central corridor, and installed around the clean area to circulate air in the clean area. A semiconductor clean room having an air duct, comprising: a device for each semiconductor process installed in the clean area, assigned to a locally sealed area for each semiconductor-owned process, and a panel for the local sealed area. Using a plurality of lids and the like to separate from the other areas; A removal device including a chemical filter, a web scrubber, and a melting tag is installed at a lower part of the local sealed area, and some of the cover inhales the fumes generated from the semiconductor processing equipment existing in the local sealed area to provide a duct or pipe. By connecting with the fume remover and diluting the fume and discharging it back into the room, it is possible to prevent harmful gas generated in the equipment of the semiconductor manufacturing process from spreading to other process areas and to generate harmful substances in the local closed area. It is characterized in that the gas can be removed as soon as possible.

상술한 본 발명에 따른 특징으로 인해 기대되는 효과로는, 장비를 개별로 감싸 시공하는 방식이므로 흄의 확산을 방지하고 수시로 배기되어 희석시킬 수 있으며, 미니 인바이로먼트를 형성하여 장비의 확장된 개념에서 일체형으로 내부에 항시 음압이 형성되어 내부로 배기되는 방식으로 장비 점검시 공간확보를 할수 있다.As expected effects due to the above-described features of the present invention, since the equipment is individually wrapped and installed, it is possible to prevent the diffusion of the fume and to be frequently exhausted and diluted, and to form a mini-environment to expand the concept of the equipment. It is possible to secure space when checking equipment by integrally forming negative pressure inside and exhausting the inside.

또한, 배기부분에 개별라인을 형성하고 각각의 조절댐퍼를 설치하여 국부적으로 개별구간에 배기량을 조절할 수 있으며, 유해물질(흄) 발생지역을 선택하고 그에 맞는 시스템을 적용함으로 국부적으로 제거가 빠르고 발생지역의 중점관리로 확산을 방지할 수 있게 된다.In addition, by forming individual lines in the exhaust section and installing each control damper, it is possible to locally control the exhaust volume in individual sections, and by selecting the area where harmful substances (fumes) are generated and applying the system accordingly, local removal is quick and generated. Local focus management will prevent the spread.

도 1은 종래의 반도체 클린 룸의 단면 예시도
도 2는 종래의 반도체 클린 룸의 플리넘의 평면 예시도
도 3은 종래의 반도체 클린 룸의 클린 영역의 평면 예시도
도 4는 본 발명에 따른 국부 밀폐구역을 갖는 반도체 클린 룸의 클린 영역의 평면 예시도
도 5는 도 4에 도시되어진 국부 밀폐구역의 일 예에 따른 평면 예시도
도 6은 도 5에 도시되어진 국부 밀폐구역의 전후좌우 측면 예시도
도 7은 본 발명에 따른 국부 밀폐구역을 형성하기 위한 구성간의 결합구조 예시도
1 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor clean room
Figure 2 is a plan view of the plenum of the conventional semiconductor clean room
3 is a plan view of a clean area of a conventional semiconductor clean room;
4 illustrates a plan view of a clean area of a semiconductor clean room having a locally enclosed zone in accordance with the present invention.
5 is a plan view according to one example of the local enclosed area shown in FIG.
6 is a front, rear, left and right side view of the local enclosed area shown in FIG.
Figure 7 is an illustration of the coupling structure between the components for forming a local sealed zone according to the present invention

발명의 상술한 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해, 첨부된 도면을 참조하여 후술되는 본 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the present invention when taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

첨부한 도 4는 본 발명에 따른 국부 밀폐구역을 갖는 반도체 클린 룸의 클린 영역의 평면 예시도이며, 도 5는 도 4에 도시되어진 국부 밀폐구역의 일 예에 따른 평면 예시도이고, 도 6은 도 5에 도시되어진 국부 밀폐구역의 전후좌우 측면 예시도이며, 도 7은 본 발명에 따른 국부 밀폐구역을 형성하기 위한 구성간의 결합구조 예시도이다.4 is a plan view illustrating a clean area of a semiconductor clean room having a locally sealed area according to the present invention, and FIG. 5 is a plan view showing an example of the local sealed area shown in FIG. 4, and FIG. 5 is an exemplary view of front, rear, left, and right sides of the local closed area shown in FIG. 5, and FIG.

첨부한 도 4내지 도 6에 도시되어진 바와 같이, 본 발명에 따른 국부 밀폐구역을 갖는 반도체 클린 룸은 실제적으로 종래의 클린룸의 구성을 기본적인 구성으로 하고, 그 내부에 부가적으로 참조번호 500으로 지칭되는 소규모의 클린룸을 개별적으로 설치하는 개념이다.4 to 6, the semiconductor clean room having a local enclosed area according to the present invention actually has a configuration of a conventional clean room as a basic configuration, and additionally with reference numeral 500 therein. The idea is to install a small number of clean rooms individually.

즉, 주요 유해가스를 제거함에 있어서 설치비용, 개선 일정 양압을 유지를 고려하여 실내에 제거장치를 설치하여 처리하는 인크로징 시스템을 구현한 것으로, 본 발명에 따른 인크로징 시스템의 구성은 유해가스 발생장비 또는 지역을 미니 인바이로먼트(Mini Envirment; 국부밀폐구역)를 만들고 하부에 흄(유해가스) 제거장치(케미칼 필터, 스크라바, 용해탱크)(도시하지 않았음)를 설치하여 덕트나 파이프를 연결해 흄을 빨아 들여 희석하고 클린 룸 내부로 다시 배출하는 방식이다.That is, in order to remove the main harmful gas in consideration of the installation cost, maintaining a constant positive pressure to improve the implementation of the enclosing system to install and remove the device in the room, the configuration of the enclosing system according to the present invention is harmful Create a Mini Envirment (local enclosed area) for the gas generating equipment or area and install a fume (hazardous gas) removal device (chemical filter, scrubber, melting tank) (not shown) at the bottom. By connecting pipes, the fumes are sucked in, diluted and discharged back into the clean room.

이에 기본적으로 클린 룸의 청정 동작을 지속되기 때문에 특정의 국부 밀폐구역에서 발생되는 흄(유해가스)은 1차적으로 인크로징 시스템에 의해 희석 정화되고, 이후 전체 클린 룸의 기본적인 청정 기능에 의해 정화되는 것이다.Therefore, since the clean operation of the clean room is basically maintained, fumes generated in a specific local enclosed area are first diluted and purified by the enclosing system, and then purified by the basic clean function of the entire clean room. Will be.

이때 국부 밀폐구역을 형성하기 위한 지지대로써는 규격화된 프로파일(profile)을 사용하며, 격벽 및 덮개로는 PC 패널(panel)을 사용하는데, 그 결합구조는 도 7에 도시되어진 바와 같다.In this case, a standard profile is used as a support for forming a local enclosed area, and a PC panel is used as a partition and a cover, and a coupling structure thereof is illustrated in FIG. 7.

따라서 장비를 개별로 감싸 시공하는 방식이므로 흄의 확산을 방지하고 수시로 배기되어 희석시킬 수 있으며, 미니 인바이로먼트를 형성하여 장비의 확장된 개념에서 일체형으로 내부에 항시 음압이 형성되어 내부로 배기되는 방식으로 장비 점검시 공간확보를 할수 있다.Therefore, it is a method of wrapping and installing the equipment individually, so it can prevent the diffusion of fume and exhaust and dilute it at any time.As a mini environment is formed, the negative pressure is always formed inside the unit in the expanded concept of the equipment. In this way, space can be secured when checking equipment.

또한, 배기부분에 개별라인을 형성하고 각각의 조절댐퍼를 설치하여 국부적으로 개별구간에 배기량을 조절할 수 있으며, 유해물질(흄) 발생지역을 선택하고 그에 맞는 시스템을 적용함으로 국부적으로 제거가 빠르고 발생지역의 중점관리로 확산을 방지할 수 있게 된다.
In addition, by forming individual lines in the exhaust section and installing each control damper, it is possible to control the exhaust volume in the individual section locally. Local focus management will prevent the spread.

이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.
While the invention has been shown and described in connection with specific embodiments thereof, it is well known in the art that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention as indicated by the claims. Anyone who owns it can easily find out.

Claims (1)

그 바닥에는 진공 펌프, 스크러버 및 전원공급원등이 놓여주는 펌프 스태이지가 설치되어 있고, 그 천장엔 주 덕트와 부 덕트와 같은 덕트들이 설치되어 있는 플리넘; 상기 플리넘 상층에 위치하고, 그 중앙복도를 따라 덕트 및 파이프 설치를 위한 덕트 샤프트가 배치되어 있는 반도체 소자 제조공정을 진행하는 클린 영역, 및 상기 클린 영역의 공기를 순환시키기 위해 상기 클린 영역 주변에 설치된 에어 덕트를 구비하는 반도체 클린 룸에 있어서:
상기 클린 영역에 설치되어진 각각의 반도체 공정이 진행되는 설비에 대해 반도체 자작 공정별 설비에 대해 각각 국부 밀폐 구역으로 할당함과 동시에 해당 국부 밀폐 구역에 대해 패널과 덮개 등을 다수개 이용하여 다른 영역과 밀폐 구분하고;
상기 국부 밀폐 구역의 하부에는 케미칼 필터와 웹 스크라바, 용행태크로 이루어진 제거장치를 설치하고,
상기 덮개 중 일부에는 해당 국부 밀폐 구역내에 존재하는 반도체 공정설비에서 발생되는 흄을 흡기하여 덕트나 파이프를 통해 상기 흄 제거장치와 연결해 흄을 희석한 후 룸 내부로 다시 배출함으로써 해당 반도체 제조 공정의 설비에서 발생되는 유해가스가 다른 공정이 진행되는 영역으로 확산되는 것을 방지하고 국부 밀폐구역내에서 발생되는 유해가스를 최대한 빠른 시간에 제거할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 국부 밀폐구역을 갖는 반도체 클린 룸.
A plenum with a pump stage on which the vacuum pump, a scrubber and a power supply are placed, and the ceiling having ducts such as a main duct and a sub duct; Located in the upper layer of the plenum, a clean area for conducting a semiconductor device manufacturing process in which a duct shaft for duct and pipe installation is disposed along the central corridor, and installed around the clean area to circulate air in the clean area. In a semiconductor clean room having an air duct:
Each of the semiconductor processes installed in the clean area is assigned to a locally sealed area for each semiconductor process, and at the same time, a plurality of panels and covers are used for the local sealed area. Separate the seals;
In the lower portion of the locally sealed area is installed a removal device consisting of a chemical filter, a web scrubber, a melting tag,
Some of the lids inhale fumes generated from the semiconductor processing equipment present in the local sealed area, connect with the fume removing device through ducts or pipes, dilute the fumes, and discharge the fumes back into the room. The semiconductor clean room having a local closed zone, characterized in that to prevent the harmful gas generated in the process to spread to other process areas and to remove the harmful gas generated in the local closed zone as soon as possible.
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