KR101114018B1 - Solar cell and method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 태양전지는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴; 상기 기판 상의 상기 후면전극 패턴 사이에 배치된 절연 패턴; 및 상기 후면전극 패턴 및 절연 패턴이 배치된 상기 기판 상에 배치된 광 흡수층을 포함한다. The solar cell according to the embodiment includes a plurality of back electrode patterns spaced apart from each other on a substrate; An insulation pattern disposed between the back electrode patterns on the substrate; And a light absorbing layer disposed on the substrate on which the back electrode pattern and the insulating pattern are disposed.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴 및 상기 기판 상의 상기 후면전극 패턴 사이에 배치된 절연 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 후면전극 패턴 및 절연 패턴이 배치된 상기 기판 상에 광 흡수층 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment may include forming a plurality of back electrode patterns spaced apart from each other on a substrate and an insulation pattern disposed between the back electrode patterns on the substrate; And forming a light absorbing layer pattern on the substrate on which the back electrode pattern and the insulating pattern are disposed.
태양전지 Solar cell
Description
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a solar cell and a manufacturing method thereof.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지들에 대한 개발이 진행되고 있다.Recently, as the demand for energy increases, development of solar cells for converting solar energy into electrical energy is in progress.
특히, 유리 기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.In particular, CIGS-based solar cells, which are pn heterojunction devices having a substrate structure including a glass substrate, a metal back electrode layer, a p-type CIGS-based light absorbing layer, a high resistance buffer layer, an n-type window layer, and the like, are widely used.
이때, 유리기판 및 금속 후면 전극층 사이의 결합력이 약하여, 유리기판 및 금속 후면 전극층이 박리될 수 있다.At this time, the bonding force between the glass substrate and the metal back electrode layer is weak, so that the glass substrate and the metal back electrode layer may be peeled off.
실시예는 기판 및 후면전극 사이의 결합력을 향상시킬 수 있으며, 누설전류를 최소화할 수 있는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.The embodiment can improve the bonding force between the substrate and the back electrode, and provides a solar cell and a method of manufacturing the same that can minimize leakage current.
실시예에 따른 태양전지는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴; 상기 기판 상의 상기 후면전극 패턴 사이에 배치된 절연 패턴; 및 상기 후면전극 패턴 및 절연 패턴이 배치된 상기 기판 상에 배치된 광 흡수층을 포함한다.The solar cell according to the embodiment includes a plurality of back electrode patterns spaced apart from each other on a substrate; An insulation pattern disposed between the back electrode patterns on the substrate; And a light absorbing layer disposed on the substrate on which the back electrode pattern and the insulating pattern are disposed.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴 및 상기 기판 상의 상기 후면전극 패턴 사이에 배치된 절연 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 후면전극 패턴 및 절연 패턴이 배치된 상기 기판 상에 광 흡수층 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment may include forming a plurality of back electrode patterns spaced apart from each other on a substrate and an insulation pattern disposed between the back electrode patterns on the substrate; And forming a light absorbing layer pattern on the substrate on which the back electrode pattern and the insulating pattern are disposed.
실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법은 후면전극 패턴 사이에 절연 패턴이 배치되어, 후면전극 패턴과 절연 패턴의 결합력을 증대시킬 수 있다.In the solar cell and the method of manufacturing the same according to the embodiment, an insulating pattern is disposed between the rear electrode patterns, thereby increasing the bonding force between the rear electrode pattern and the insulating pattern.
즉, 후면전극 패턴과 절연 패턴의 결합력이 증대되어, 후면전극 패턴이 기판에서 박리되는 현상을 방지할 수 있다.That is, the bonding force between the back electrode pattern and the insulation pattern is increased, thereby preventing the back electrode pattern from being peeled off the substrate.
또한, 후면전극 패턴을 형성하기 위해, 레이저로 패터닝하는 경우 후면전극 패턴의 엣지(edge)영역이 들뜨거나, 박리되는 현상이 발생하지만, 본 실시예에서는 후면전극 패턴을 형성하기 위해서는 레이저를 사용하지 않아, 레이저 패터닝에 대한 후면전극 패턴의 변형을 방지할 수 있다.In addition, in the case of patterning with a laser to form a back electrode pattern, an edge region of the back electrode pattern is lifted or peeled off, but in this embodiment, a laser is not used to form the back electrode pattern. Therefore, it is possible to prevent deformation of the back electrode pattern with respect to laser patterning.
또한, 후면전극 패턴이 들뜨지 않아, 이후 광 흡수층이 안정적으로 형성되어 태양전지의 품질 및 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, since the rear electrode pattern does not float, the light absorbing layer is stably formed, thereby improving the quality and efficiency of the solar cell.
또한, 후면전극 패턴 사이에 절연 패턴이 형성되어, 각각의 후면전극 패턴 사이로 발생하는 누설전류를 방지할 수 있다.In addition, an insulating pattern is formed between the rear electrode patterns, thereby preventing leakage current generated between the rear electrode patterns.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, where each substrate, layer, film, or electrode is described as being formed "on" or "under" of each substrate, layer, film, or electrode, etc. , "On" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.1 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.
우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 절연 패턴(110)을 형성한다.First, as shown in FIG. 1, the
상기 기판(100)은 유리(glass)가 사용되고 있으며, 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 티타늄기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.The
유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime glass)를 사용할 수 있다.Soda lime glass may be used as the glass substrate.
또한, 상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.In addition, the
상기 절연 패턴(110)은 상기 기판(100) 상에 절연막을 형성한 후, 상기 절연막을 패터닝(patterning)하여 형성할 수 있으며, 상기 절연 패턴(110) 사이의 기판(100)이 노출되도록 형성될 수 있다.The
이때, 상기 절연막은 포토레지스트(photoresist)로 형성될 수 있으며, 상기 포토레지스트(photoresist)에 포토리소그라피(photolithography) 공정을 진행하여 상기 절연 패턴(110)을 형성할 수 있다.In this case, the insulating layer may be formed of a photoresist, and the
그러나, 상기 절연 패턴(110)을 형성하는 방법은 이에 한정되지 않고, 상기 기판(100)에 포토레지스트 또는 절연물질을 스크린 프린팅(screen printing) 방식을 진행하거나, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 또는 그라비아 프린팅(gravure printing) 방식을 진행하여 형성할 수 있다.However, the method of forming the
또한, 상기 기판(100)에 직접 포토리소그라피 공정을 진행하여, 상기 기판(100)의 일부를 제거함으로써 상기 절연 패턴(110)을 형성할 수 있다.In addition, the
즉, 상기 절연 패턴(110)은 상기 기판(100)과 동일한 물질로 형성되거나, 포토레지스트 또는 절연물질로 형성될 수 있다.That is, the
그리고, 상기 절연 패턴(110)은 이후 형성될 후면전극 패턴의 위치를 고려하여, 상기 후면전극 패턴의 사이에 배치될 수 있도록 형성한다.The
그리고, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 절연 패턴(110)이 형성된 상기 기판(100) 상에 후면전극막(201)을 형성한다.As shown in FIG. 2, a
상기 후면전극막(201)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.The
예를 들어, 상기 후면전극막(201)은 몰리브덴(Mo) 타겟을 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다. For example, the
이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.This is because of high electrical conductivity of molybdenum (Mo), ohmic bonding with the light absorbing layer, and high temperature stability under Se atmosphere.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 후면전극막(201)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다.In addition, although not shown, the
상기 후면전극막(201)이 복수개의 층으로 형성될 때, 상기 후면전극막(201)을 이루는 층들은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.When the
이어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 절연 패턴(110) 사이의 상기 기판(100) 상에 후면전극 패턴(200)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3, a
상기 후면전극 패턴(200)은 상기 절연 패턴(110)이 노출되도록 상기 후면전극막(201)의 일부를 제거하여 형성될 수 있다.The
이때, 화학기계적연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP), 습식식각(wet etch), 건식식각(dry etch) 및 샌드블라스트(sand blast) 중 어느 하나의 공정으로 상기 후면전극막(201)의 일부를 제거할 수 있다.In this case, a portion of the
이때, 상기 절연 패턴(110)과 상기 후면전극 패턴(200)의 높이는 동일하게 형성될 수 있다.In this case, the height of the
즉, 상기 절연 패턴(110)의 상면과 상기 후면전극 패턴(200)의 상면은 동일 수평면상에 배치될 수 있다.That is, the top surface of the
그러나, 상기 절연 패턴(110)과 후면전극 패턴(200)의 높이는 이에 한정되지 않고, 상기 후면전극 패턴(200)의 높이는 상기 절연 패턴(110)의 높이보다 낮게 형성될 수 있다.However, the height of the
즉, 상기 절연 패턴(110)이 노출되도록 상기 후면전극막(201)의 일부를 제거하는 공정 중, 상기 후면전극막(201)에 과식각(over etch)을 하여 상기 후면전극 패턴(200)의 높이를 상기 절연 패턴(110)의 높이보다 낮게 형성할 수 있다.That is, during the process of removing a portion of the
이때, 상기 후면전극 패턴(200) 사이에 상기 절연 패턴(110)이 배치되어 있으며, 절연 패턴(110)은 후면전극 패턴(200)의 양측을 지지하게 된다.In this case, the
이로 인해 상기 후면전극 패턴(200)의 고정력에 의해 유리 기판(110)과의 결합력이 증대되어, 상기 후면전극 패턴(200)이 상기 기판(100)에서 박리되는 현상을 방지할 수 있다.Accordingly, the bonding force with the
그리고, 상기 절연 패턴(110)의 폭은 상기 후면전극 패턴(200)의 폭보다 좁게 형성될 수 있다.In addition, the width of the
또한, 상기 후면전극 패턴(200)은 스트라이프(stripe) 형태 또는 매트릭스(matrix) 형태로 배치될 수 있으며, 각각의 셀에 대응할 수 있다.In addition, the
그러나, 상기 후면전극 패턴(200)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.However, the
이때, 상기 절연 패턴(110)이 형성된 후, 상기 절연 패턴(110) 사이에 상기 후면전극 패턴(200)을 형성하여, 상기 후면전극 패턴(200)을 따로 패터닝하지 않아도 된다.In this case, after the
즉, 상기 후면전극 패턴(200)을 형성하기 위해, 레이저로 패터닝하는 경우 후면전극 패턴의 엣지(edge)영역이 들뜨거나, 박리되는 현상이 발생하지만, 본 실시예에서는 후면전극 패턴을 형성하기 위해서는 레이저를 사용하지 않아, 레이저 패터닝에 대한 상기 후면전극 패턴(200)의 변형을 방지할 수 있다.That is, in order to form the
또한, 상기 후면전극 패턴(200)이 들뜨지 않아, 이후 광 흡수층이 안정적으로 형성되어 태양전지의 품질 및 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, since the
그리고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 후면전극 패턴(200)을 형성한 후, 상기 절연 패턴(110)을 제거할 수도 있다.Although not shown in the drawing, after the
그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 후면전극 패턴(200) 및 절연 패턴(110)이 형성된 상기 기판(100) 상에 광 흡수층(300), 제1버퍼층(400) 및 제2버퍼층(500)을 형성한다.As illustrated in FIG. 4, the
상기 광 흡수층(300)은 Ⅰb-Ⅲb-Ⅵb계 화합물을 포함한다. The light absorbing
더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다.In more detail, the
이와는 다르게, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.Alternatively, the
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극(130) 상에 CIG계 금속 프리커서(precursor)막이 형성된다. For example, in order to form the
이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(300)이 형성된다.Thereafter, the metal precursor film is reacted with selenium (Se) by a selenization process to form a CIGS-based
또한, 상기 금속 프리커서막을 형성하는 공정 및 셀레니제이션 공정 동안에, 상기 기판(100)에 포함된 알칼리(alkali) 성분이 상기 후면전극 패턴(200)을 통해서, 상기 금속 프리커서막 및 상기 광 흡수층(300)에 확산된다.In addition, during the process of forming the metal precursor film and the selenization process, an alkali component included in the
알칼리(alkali) 성분은 상기 광 흡수층(300)의 그레인(grain) 크기를 향상시키고, 결정성을 향상시킬 수 있다.An alkali component may improve grain size and improve crystallinity of the
상기 광 흡수층(300)은 외부의 광을 입사받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 광 흡수층(300)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.The light
이때, 상기 후면전극 패턴(200) 사이에 상기 절연 패턴(110)이 형성되어, 각각의 상기 후면전극 패턴(200) 사이로 발생하는 누설전류를 방지할 수 있다.In this case, the insulating
상기 제1버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)이 상기 광 흡수층(300) 상에 적층되어 형성될 수 있다.The
이때, 상기 제1버퍼층(400)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(300)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(300) 및 제1버퍼층(400)은 pn 접합을 형성한다.In this case, the
그리고, 상기 제2버퍼층(500)은 산화 아연(ZnO)을 타겟으로하여 스퍼터링 공정을 진행하여 형성될 수 있다.In addition, the
상기 제1버퍼층(400) 및 제2버퍼층(500)은 상기 광 흡수층(300)과 이후 형성될 전면전극의 사이에 배치된다.The
즉, 상기 광 흡수층(300)과 전면전극은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 제1버퍼층(400) 및 제2버퍼층(500)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.That is, since the difference between the lattice constant and the energy band gap is large between the light absorbing
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 광 흡수층(300), 제1버퍼층(400) 및 제2버퍼층(500)을 관통하는 콘택패턴(310)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 5, a
상기 콘택패턴(310)은 상기 제1버퍼층(400), 제2버퍼층(500) 및 광 흡수층(300)을 관통하도록 형성될 수 있다.The
또한, 상기 콘택패턴(310)은 기계적 패터닝으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 레이저(laser)를 조사(irradiate)하여 패터닝 될 수도 있다.In addition, the
이때, 상기 콘택패턴(310)의 형성으로 상기 후면전극 패턴(200)의 일부가 노출된다.In this case, a part of the
그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제2버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면전극(600) 및 접속배선(700)을 형성한다.As illustrated in FIG. 6, a transparent conductive material is stacked on the
상기 투명한 도전물질을 상기 제2버퍼층(500) 상에 적층시킬 때, 상기 투명한 도전물질이 상기 콘택패턴(310)의 내부에도 삽입되어, 상기 접속배선(700)을 형성할 수 있다.When the transparent conductive material is stacked on the
상기 후면전극 패턴(200)과 전면전극(600)은 상기 접속배선(700)에 의해 전기적으로 연결된다.The
상기 전면전극(600)은 상기 제2버퍼층(500) 상에 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미나로 도핑된 산화 아연 또는 산화아연에 전도성 물질이 도핑된 물질로 형성 된다.The
상기 전면전극(600)은 상기 광 흡수층(300)과 pn접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 산화 아연(ZnO)으로 형성된다.The
이때, 상기 산화 아연에 알루미늄, 알루미나 또는 전도성 물질을 도핑함으로써 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.In this case, an electrode having a low resistance value may be formed by doping the zinc oxide with aluminum, alumina or a conductive material.
상기 전면전극(600)인 산화 아연 박막은 스퍼터링방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 그리고 유기금속화학증착법 등으로 형성될 수 있다.The zinc oxide thin film, which is the
또한, 전기광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium tin Oxide) 박막을 산화 아연 박막 상에 층착한 2중 구조를 형성할 수도 있다.In addition, a double structure in which an indium tin oxide (ITO) thin film having excellent electro-optical properties is laminated on a zinc oxide thin film may be formed.
이어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 광 흡수층(300), 제1버퍼층(400) 및 제2버퍼층(500)을 관통하는 분리패턴(320)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 7, a
상기 분리패턴(320)은 상기 전면전극(600), 광 흡수층(300), 제1버퍼층(400) 및 제2버퍼층(500)관통하도록 형성될 수 있다.The
또한, 상기 분리패턴(320)은 기계적 패터닝으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 레이저(laser)를 조사(irradiate)하여 패터닝 될 수도 있다.In addition, the
또한, 이때, 상기 분리패턴(320)의 형성으로 상기 후면전극 패턴(200)의 일부가 노출된다.In addition, at this time, a part of the
상기 제1버퍼층(400), 제2버퍼층(500) 및 전면전극(600)은 상기 분리패 턴(320)에 의해 구분될 수 있으며, 상기 분리패턴(320)에 의해 각각의 셀(C1, C2)은 서로 분리될 수 있다.The
그리고, 상기 분리패턴(320)에 의해 상기 제1버퍼층(400), 제2버퍼층(500) 및 광 흡수층(300)은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.In addition, the
상기 분리 패턴(300)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.The
상기 분리패턴(320)에 의해 상기 후면전극 패턴(200), 광 흡수층(300), 제1버퍼층(400), 제2버퍼층(500) 및 전면전극(600)을 포함하는 셀(C1, C2)이 형성된다.Cells C1 and C2 including the
이때, 상기 접속배선(700)에 의해 각각의 셀(C1, C2)은 서로 연결될 수 있다. 즉, 상기 접속배선(700)은 제2셀(C2)의 후면전극 패턴(200)과 상기 제2셀(C2)에 인접하는 상기 제1셀(C1)의 전면전극(600)을 전기적으로 연결한다.In this case, each of the cells C1 and C2 may be connected to each other by the
이상에서 설명한 실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법은 후면전극 패턴 사이에 절연 패턴이 배치되어, 후면전극 패턴과 절연 패턴의 결합력을 증대시킬 수 있다.In the solar cell and the method of manufacturing the same according to the embodiments described above, an insulating pattern is disposed between the rear electrode patterns, thereby increasing the bonding force between the rear electrode pattern and the insulating pattern.
즉, 후면전극 패턴과 절연 패턴의 결합력이 증대되어, 후면전극 패턴이 기판에서 박리되는 현상을 방지할 수 있다.That is, the bonding force between the back electrode pattern and the insulation pattern is increased, thereby preventing the back electrode pattern from being peeled off the substrate.
또한, 후면전극 패턴을 형성하기 위해, 레이저로 패터닝하는 경우 후면전극 패턴의 엣지(edge)영역이 들뜨거나, 박리되는 현상이 발생하지만, 본 실시예에서는 후면전극 패턴을 형성하기 위해서는 레이저를 사용하지 않아, 레이저 패터닝에 대 한 후면전극 패턴의 변형을 방지할 수 있다.In addition, in the case of patterning with a laser to form a back electrode pattern, an edge region of the back electrode pattern is lifted or peeled off, but in this embodiment, a laser is not used to form the back electrode pattern. Therefore, it is possible to prevent deformation of the back electrode pattern for laser patterning.
또한, 후면전극 패턴이 들뜨지 않아, 이후 광 흡수층이 안정적으로 형성되어 태양전지의 품질 및 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, since the rear electrode pattern does not float, the light absorbing layer is stably formed, thereby improving the quality and efficiency of the solar cell.
또한, 후면전극 패턴 사이에 절연 패턴이 형성되어, 각각의 후면전극 패턴 사이로 발생하는 누설전류를 방지할 수 있다.In addition, an insulating pattern is formed between the rear electrode patterns, thereby preventing leakage current generated between the rear electrode patterns.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.1 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.
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