KR101108161B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101108161B1 KR101108161B1 KR1020090131200A KR20090131200A KR101108161B1 KR 101108161 B1 KR101108161 B1 KR 101108161B1 KR 1020090131200 A KR1020090131200 A KR 1020090131200A KR 20090131200 A KR20090131200 A KR 20090131200A KR 101108161 B1 KR101108161 B1 KR 101108161B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- light emitting
- organic light
- layer
- inorganic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 133
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 무기물로 형성된 제1필름;유기물로 형성되고, 상기 제1필름 상에 구비되며, 서로 대향된 제1표면과 제2표면 및 상기 제1표면과 제2표면의 가장자리의 측면을 갖고, 상기 제1표면은 상기 제1필름에 접하는 제2필름;무기물로 형성되고, 상기 제2필름의 제2표면 및 측면을 덮고, 가장자리에 상기 제1필름과 접하는 제1밀봉 영역을 갖는 제3필름;상기 제3필름 상에 상기 제2필름과 중첩되도록 배치된 유기 발광부; 및상기 유기 발광부를 덮고, 가장자리에 상기 제3필름과 접하는 제2밀봉 영역을 갖는 제4필름;을 포함하고,상기 제1필름 및 제3필름 중 적어도 하나는 무기물로 이루어진 복수의 층을 포함하는 유기 발광 표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1필름 및 제3필름은 동일한 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 제4필름은 무기물로 이루어진 층 및 유기물로 이루어진 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1밀봉 영역은 상기 유기 발광부를 둘러싸도록 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2밀봉 영역은 상기 유기 발광부를 둘러싸도록 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 글라스 기판 상에 무기물로 형성된 보조 필름을 형성하는 단계;상기 보조 필름 상에 무기물로 형성된 제1필름을 형성하는 단계;유기물로 형성되고, 상기 제1필름 상에 구비되며, 서로 대향된 제1표면과 제2표면 및 상기 제1표면과 제2표면의 가장자리의 측면을 갖고, 상기 제1표면은 상기 제1필름에 접하는 제2필름을 형성하는 단계;무기물로 형성되고, 상기 제2필름의 제2표면 및 측면을 덮고, 가장자리에 상기 제1필름과 접하는 제1밀봉 영역을 갖는 제3필름을 형성하는 단계;상기 제3필름 상에 상기 제2필름과 중첩되도록 배치된 유기 발광부를 형성하 는 단계;상기 유기 발광부를 덮고, 가장자리에 상기 제3필름과 접하는 제2밀봉 영역을 갖는 제4필름을 형성하는 단계; 및상기 보조 필름과 제1필름을 분리하는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1필름 및 제3필름은 동일한 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1필름 및 제3필름 중 적어도 하나는 무기물로 이루어진 복수의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제4필름은 무기물로 이루어진 층 및 유기물로 이루어진 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1밀봉 영역은 상기 유기 발광부를 둘러싸도록 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제2밀봉 영역은 상기 유기 발광부를 둘러싸도록 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 보조 필름과 제1필름을 분리하는 단계는 상기 기판의 하부에서 레이저 빔을 상기 보조 필름을 향하여 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 보조 필름은 마이크로 크리스탈 실리콘, 티타늄, 또는 몰리브덴으로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090131200A KR101108161B1 (ko) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
US12/915,438 US8466456B2 (en) | 2009-12-24 | 2010-10-29 | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090131200A KR101108161B1 (ko) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110074284A KR20110074284A (ko) | 2011-06-30 |
KR101108161B1 true KR101108161B1 (ko) | 2012-01-31 |
Family
ID=44186343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090131200A Active KR101108161B1 (ko) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8466456B2 (ko) |
KR (1) | KR101108161B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9647045B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-05-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Transparent display substrates, transparent display devices and methods of manufacturing transparent display devices |
US9647237B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-05-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor substrate and display panel having the same |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011227369A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
CN103035663B (zh) * | 2011-10-04 | 2016-08-10 | 乐金显示有限公司 | 显示器件 |
KR101333138B1 (ko) * | 2012-03-05 | 2013-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치의 제조 방법, 무기막 전사용 기판 및 유기 발광 장치 |
KR101931174B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2019-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
US8658444B2 (en) | 2012-05-16 | 2014-02-25 | International Business Machines Corporation | Semiconductor active matrix on buried insulator |
US9673014B2 (en) * | 2012-07-13 | 2017-06-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing display panel |
US20140061610A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Hyo-Young MUN | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
KR102133433B1 (ko) | 2013-05-24 | 2020-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101907593B1 (ko) * | 2013-08-13 | 2018-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
WO2015083029A1 (en) | 2013-12-02 | 2015-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR102379015B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2022-03-29 | 세메스 주식회사 | 토출 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR102352288B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2022-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
KR102313361B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2021-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102325514B1 (ko) | 2015-02-26 | 2021-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP6445358B2 (ja) * | 2015-03-17 | 2018-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
KR102486876B1 (ko) | 2015-07-07 | 2023-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
JP6474337B2 (ja) * | 2015-08-27 | 2019-02-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
US20180241000A1 (en) * | 2015-09-08 | 2018-08-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el display device |
US10586817B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus |
US10185190B2 (en) | 2016-05-11 | 2019-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, module, and electronic device |
KR20230106750A (ko) | 2016-07-29 | 2023-07-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 |
TW201808628A (zh) | 2016-08-09 | 2018-03-16 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
CN106328683B (zh) * | 2016-10-11 | 2019-04-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性oled显示器及其制作方法 |
CN107732025A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-02-23 | 上海九山电子科技有限公司 | 一种有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
KR102480881B1 (ko) * | 2018-07-25 | 2022-12-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자를 이용한 조명 장치 및 이의 제조 방법 |
CN110943066A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 联华电子股份有限公司 | 具有高电阻晶片的半导体结构及高电阻晶片的接合方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327402A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 防湿エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2006278004A (ja) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Pioneer Electronic Corp | 有機膜製造方法、有機elパネル |
JP2009037812A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el装置およびその製造方法 |
KR100888148B1 (ko) | 2002-12-18 | 2009-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06111387A (ja) | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Nikon Corp | プラスチック・スタンパーの製造方法 |
US5671222A (en) * | 1994-06-06 | 1997-09-23 | Lucent Technologies Inc. | Multicast routing in self-routing multistage networks |
US5686360A (en) | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
US6372608B1 (en) * | 1996-08-27 | 2002-04-16 | Seiko Epson Corporation | Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method |
JP3820495B2 (ja) | 1998-08-31 | 2006-09-13 | 株式会社竹中工務店 | アクティブ免震装置 |
US6355125B1 (en) * | 1999-03-26 | 2002-03-12 | Agfa-Gevaert | Method for making an electric or electronic module comprising a glass laminate |
TW494447B (en) | 2000-02-01 | 2002-07-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP3941401B2 (ja) | 2001-01-15 | 2007-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置の製造方法 |
JP3942017B2 (ja) | 2002-03-25 | 2007-07-11 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
JP4693411B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2011-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
GB0327093D0 (en) * | 2003-11-21 | 2003-12-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates |
JP4555727B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2010-10-06 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
KR20080105048A (ko) | 2006-03-09 | 2008-12-03 | 옴 파르마 | 면역조절 화합물 및 염증성 사이토킨의 과생성에 관련된 질병의 치료 |
KR100821068B1 (ko) * | 2006-05-16 | 2008-04-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR20080013068A (ko) | 2006-08-07 | 2008-02-13 | 학교법인 포항공과대학교 | 레이저를 이용한 플렉서블 소자의 제조방법 및 플렉서블소자 |
KR100890250B1 (ko) | 2007-01-08 | 2009-03-24 | 포항공과대학교 산학협력단 | 플렉서블 소자의 제조 방법 및 플렉서블 표시 장치의 제조방법 |
KR100913124B1 (ko) | 2009-01-05 | 2009-08-19 | 학교법인 포항공과대학교 | 레이저를 이용한 플렉서블 소자의 제조방법 |
-
2009
- 2009-12-24 KR KR1020090131200A patent/KR101108161B1/ko active Active
-
2010
- 2010-10-29 US US12/915,438 patent/US8466456B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100888148B1 (ko) | 2002-12-18 | 2009-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
JP2004327402A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 防湿エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2006278004A (ja) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Pioneer Electronic Corp | 有機膜製造方法、有機elパネル |
JP2009037812A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el装置およびその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9647045B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-05-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Transparent display substrates, transparent display devices and methods of manufacturing transparent display devices |
US9647237B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-05-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor substrate and display panel having the same |
US10361312B2 (en) | 2015-04-30 | 2019-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor substrate and display panel having the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8466456B2 (en) | 2013-06-18 |
US20110156062A1 (en) | 2011-06-30 |
KR20110074284A (ko) | 2011-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101108161B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
KR101931176B1 (ko) | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
US9406899B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof | |
KR102462423B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP5687865B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
US8598582B2 (en) | Organic light emitting display device | |
KR101931174B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
US8659218B2 (en) | Organic light emitting display device | |
US9123676B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus having shock absorption and sealing members | |
KR100563057B1 (ko) | 초박형 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101097346B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US8981362B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
US9774000B2 (en) | Organic light-emitting display device with multi-layered encapsulation | |
KR102022395B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
US9806285B2 (en) | Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof | |
KR101884738B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 | |
KR20120052206A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
KR101918751B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR100647701B1 (ko) | 플렉서블 기판, 플렉서블 박막 트랜지스터 기판 및 이를구비한 평판 디스플레이 장치 | |
US10211425B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
KR100683715B1 (ko) | 평판 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20150011232A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20091224 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20110506 Patent event code: PE09021S01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20111214 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20120113 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20120116 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141231 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20141231 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151230 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20151230 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170102 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180102 Year of fee payment: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180102 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190102 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190102 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191223 Year of fee payment: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20191223 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210104 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211228 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221226 Start annual number: 12 End annual number: 12 |