KR101100714B1 - Burn-in board interface unit - Google Patents
Burn-in board interface unit Download PDFInfo
- Publication number
- KR101100714B1 KR101100714B1 KR1020100021215A KR20100021215A KR101100714B1 KR 101100714 B1 KR101100714 B1 KR 101100714B1 KR 1020100021215 A KR1020100021215 A KR 1020100021215A KR 20100021215 A KR20100021215 A KR 20100021215A KR 101100714 B1 KR101100714 B1 KR 101100714B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data
- burn
- channel
- test
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 86
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000013100 final test Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/3183—Generation of test inputs, e.g. test vectors, patterns or sequences
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M9/00—Parallel/series conversion or vice versa
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 번인보드용 인터페이스 장치에 관한 것으로, 번인 시스템의 드라이버와 번인보드 사이를 직렬 채널로 서로 연결하여 데이터를 송수신하고, 기 설정된 더미 데이터를 이용해 역다중화부의 휴지 시간을 조정함으로써 칩의 단자에 전달될 데이터 간의 타이밍을 조정하기 위한, 번인보드용 인터페이스 장치를 제공하고자 한다.
이를 위하여, 본 발명의 번인보드용 인터페이스 장치는, 신호 패턴 생성부에 의해 생성된 테스트 패턴의 비트값을 병렬 채널을 통해 입력받아 일련의 시퀀스 데이터로 변환해 직렬 채널을 통해 출력하기 위한 제 1 채널 변환부; 상기 제 1 채널 변환부의 직렬 채널을 통해 입력된 시퀀스 데이터를 테스트 동작을 위한 동작 데이터로 구분하여 병렬 채널을 통해 출력하기 위한 제 2 채널 변환부; 및 상기 제 2 채널 변환부로부터 입력된 동작 데이터의 시작 비트에 따라 해당 동작 데이터를 처리하기 위한 역다중화부를 포함한다.The present invention relates to an interface device for a burn-in board, which connects a driver between a driver and a burn-in board with a serial channel and transmits and receives data, and adjusts the idle time of the demultiplexer using preset dummy data to the terminal of the chip. It is an object of the present invention to provide a burn-in-board interface device for adjusting the timing between data to be transferred.
To this end, the burn-in-board interface apparatus of the present invention receives a bit value of a test pattern generated by the signal pattern generator through a parallel channel, converts it into a sequence of sequence data, and outputs it through a serial channel. A conversion unit; A second channel converter for dividing the sequence data input through the serial channel of the first channel converter into operation data for a test operation and outputting the same through a parallel channel; And a demultiplexer for processing the operation data according to the start bit of the operation data inputted from the second channel converter.
Description
본 발명은 번인보드용 인터페이스 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 번인 시스템의 드라이버와 번인보드 사이를 직렬 채널로 서로 연결하여 데이터를 송수신하고, 기 설정된 더미 데이터를 이용해 역다중화부의 휴지 시간을 조정함으로써 칩의 단자에 전달될 데이터 간의 타이밍을 조정하기 위한, 번인보드용 인터페이스 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an interface device for a burn-in board, and more particularly, to transmit and receive data by connecting a driver of a burn-in system and a burn-in board with a serial channel, and to adjust the down time of the demultiplexer using preset dummy data. The present invention relates to an interface device for a burn-in board for adjusting timing between data to be transmitted to a terminal of a chip.
반도체 제조공정은 웨이퍼를 가공하는 전공정(Fabrication: FAB)과, 웨이퍼상의 칩(chip)을 개개로 잘라서 완성품으로 조립하고 완성된 제품이 제대로 동작하는지를 검사하는 후공정(packaging/test)으로 구분된다. 구체적으로, 전공정은 웨이퍼라 일컫는 실리콘 산화물 박막에 여러 공정[확산(diffusion), 감광(photo), 식각(etching), 이온주입(ion implantation) 및 박막형성(thin film) 등]을 통해 제조하고자 하는 회로소자를 실장하는 공정이다. 후공정은 전공정을 통해 제조된 웨이퍼상의 개별소자별로 특정 테스트(probe/test)를 한 뒤 소자단위로 절삭(sawing)하여 조립[배선(bonding), 성형(molding) 등]한 후, 완성된 개별소자에 대한 최종 출하 검사(burn-in test 및 final test)를 하는 공정이다.The semiconductor manufacturing process is divided into a fabrication process (FAB) for processing wafers and a post-processing (testing / testing) for cutting chips on the wafer individually, assembling them into finished products and checking whether the finished product works properly. . Specifically, the entire process is to be manufactured by various processes (diffusion, photo, etching, ion implantation, thin film, etc.) on a silicon oxide thin film called a wafer. It is a process of mounting a circuit element. The post-process is completed after a specific test (probe / test) for each individual device on the wafer manufactured through the previous process, sawing and assembling each device (bonding, molding, etc.) It is a process to perform burn-in test and final test for individual devices.
특히, 후공정에서 번인 테스트(burn-in test)는 칩의 수명 및 신뢰성과 관련하여 일정시간 동안 고온과 고압을 인가하여 제품을 동작시켜 조기불량을 발견하여 조치하기 위한 과정으로서, 퍼니스(furnace)를 이용하여 상온에서 125℃까지 올려 칩의 동작에 대한 테스트를 수행한다. 이때, 번인 타임은 용도에 따라 다르게 설정될 수 있다. 이러한 번인 테스트용 반도체 장비는 1세대 MBT(Memory Burn-in Test), 2세대 MBT, 3세대 MBT로 구별된다. 이때, 1세대 MBT는 번인 결과의 모니터링이 가능한 모니터링 번인 테스트 장비이며, 2세대 MBT는 1세대보다 처리속도가 빠르며 신호 관리능력까지 갖춘 번인 테스트 장비이며, 3세대 MBT는 상기 1세대와 2세대의 기능을 갖추며 디바이스 자체의 특성까지도 테스트할 수 있는 번인 테스트 장비이다. 이때, 3세대 MBT를 통상적으로 TDBI(Test During Burn-In)라 한다.In particular, the burn-in test in the post process is a process for detecting and dealing with premature failure by applying a high temperature and a high pressure for a predetermined time in relation to the life and reliability of the chip. Using to raise the temperature up to 125 ℃ to perform the test for the operation of the chip. In this case, the burn-in time may be set differently according to the use. Such burn-in test semiconductor equipment is classified into first generation memory burn-in test (MBT), second generation MBT, and third generation MBT. At this time, the first generation MBT is a monitoring burn-in test equipment capable of monitoring the burn-in result, the second generation MBT is a burn-in test equipment with faster processing speed and signal management capability than the first generation, and the third generation MBT is the first generation and second generation Burn-in test equipment that is functional and can test the characteristics of the device itself. In this case, the third generation MBT is commonly referred to as TDBI (Test During Burn-In).
도 1은 종래의 번인 테스트 장치에 대한 구성도이다. 1 is a block diagram of a conventional burn-in test apparatus.
도 1과 같이, 종래의 번인 테스트 장치는 TDBI로서, 번인 테스트용 테스트 패턴을 발생시키는 신호 패턴 생성부(pattern generator, 110), 신호 패턴 생성부(110)로부터 칩(150)을 테스트하기 위한 신호를 전달받아 커넥터(connector, 130)를 통해 각각의 칩(150)으로 전달하고 커넥터(130)를 통해 칩(150)의 출력결과에 대한 신호를 전달받아 통과(pass) 또는 불량(fail)을 판정하는 드라이버(driver, 120), 번인 테스트용 칩(150)이 배치되는 번인보드(Burn In Board: BIB, 140)로 구성된다. 일반적으로, 번인 테스트 장치는 125℃의 고온 환경에서 칩의 동작에 대한 테스트를 수행하기 위해, 칩이 실장된 번인보드(140)를 퍼니스(furnace)에 탑재하여 테스트를 수행한다. 통상적으로, 퍼니스는 대략 60 슬롯(60 slots)의 번인보드(140)를 탑재할 수 있고, 하나의 번인보드(140)는 480개의 칩을 내장할 수 있다.As shown in FIG. 1, the conventional burn-in test apparatus is a TDBI, and includes a
도 2a는 병렬 구조의 번인보드와 라이트(write) 신호에 대한 딜레이 타임을 나타낸 도면이고, 도 2b는 병렬 구조의 번인보드와 리드(read) 신호에 대한 딜레이 타임을 나타낸 도면이다.FIG. 2A illustrates a delay time for a burn-in board and a write signal in a parallel structure, and FIG. 2B illustrates a delay time for a burn-in board and a read signal in a parallel structure.
도 2a 및 도 2b와 같이 병렬 구조의 번인 보드(140)에서는 칩(150)이 병렬로 연결되어 있다. 이때, 칩(150)에 신호를 입력하는 라이트(write) 신호일 때는 같은 시간에 일제히 칩(150)에 신호를 라이트하는 반면에, 칩(150)에서 신호를 출력하는 리드(read) 신호일 때는 각각의 칩(150)을 개별적으로 선택하여 해당 신호를 리드한다.In the burn-in
이러한 번인 테스트 장치는 대부분 10㎒의 검사속도로 제작되어 있기 때문에, 150㎒∼200㎒ 정도의 고속 동작 환경이 요구되는 칩(예를 들어, DDR2, DDR3 등)에 대해 효율적인 번인 테스트 과정을 수행하기 어렵다. Since most of these burn-in test apparatuses are manufactured at an inspection speed of 10 MHz, an efficient burn-in test process can be performed on chips (eg, DDR2, DDR3, etc.) requiring high-speed operating environments of about 150 MHz to 200 MHz. it's difficult.
이는 종래의 번인 테스트 장치에서 번인 테스트용 신호 패턴이 10㎒의 검사속도로 한정될 때 번인 테스트를 수행할 수 있는 상태의 신호 패턴을 제공할 수 있음을 의미한다[도 3의 (a) 참조]. 즉, 종래의 번인 테스트 장치는 번인 테스트용 신호 패턴을 200㎒의 검사속도로 설정할 때 신호 패턴이 번인 테스트를 수행할 수 없는 상태로 나타나기 때문에 번인 테스트 자체를 수행할 수 없다[도 3의 (b) 참조]. 여기서, 도 3은 종래의 번인 테스트 장치에서 검사속도별 신호 패턴에 대한 설명도이다.This means that in the conventional burn-in test apparatus, when the burn-in test signal pattern is limited to an inspection speed of 10 MHz, it is possible to provide a signal pattern in which a burn-in test can be performed (see FIG. 3 (a)). . That is, the conventional burn-in test apparatus cannot perform the burn-in test itself because the signal pattern appears to be incapable of performing the burn-in test when the signal pattern for the burn-in test is set at an inspection speed of 200 MHz (FIG. 3B). ) Reference]. 3 is an explanatory diagram for a signal pattern for each inspection speed in a conventional burn-in test apparatus.
상기와 같은 이유로, 고속 동작 환경이 요구되는 칩의 경우에도 종래의 테스트 장치를 이용하여 번인 테스트를 수행할 때 10㎒의 검사속도로 신호 패턴을 제공해야 하므로, 이는 실제적으로 요구되는 검사속도(즉, 200㎒)에서 크게 미치지 못하여 테스트의 신뢰성을 떨어트릴 뿐만 아니라 고온상태에서 실제 동작상태를 검사하는 번인 테스트라기보다 단지 전압을 오픈(open) 또는 쇼트(short)시키는 정도의 성능 테스트라는 의미밖에 없다.For the above reason, even in the case of a chip requiring a high speed operating environment, when performing a burn-in test using a conventional test apparatus, a signal pattern must be provided at an inspection speed of 10 MHz. , 200MHz), which not only greatly reduces the reliability of the test, but also means that it is only a performance test that opens or shorts a voltage, rather than a burn-in test that checks the actual operating state at high temperature. .
전술한 바와 같이, 종래의 번인 테스트 장치는 고속 동작 환경이 요구되는 칩에 대한 번인 테스트(즉, 200㎒ 동작 속도에서의 번인 테스트)를 수행하기 어려운데, 이는 신호 경로상에 존재하는 전파 지연(propagation delay)에 의해 원하는 시간(즉, 2.5㎱)에 원하는 형태(즉, 1V를 갖는 신호 패턴)의 고속 동작 환경용 신호 패턴을 생성할 수 없기 때문이다[도 3의 (b) 참조].As described above, conventional burn-in test apparatus is difficult to perform burn-in tests (i.e., burn-in tests at 200MHz operating speed) for chips requiring a high speed operating environment, which is a propagation delay present in the signal path. This is because a signal pattern for a high speed operating environment of a desired form (i.e., a signal pattern having 1V) cannot be generated at a desired time (i.e., 2.5 mu s) by the delay (see FIG. 3 (b)).
따라서, 고속으로 동작하는 칩에 대한 번인 테스트를 수행하기 위해서는, 번인 테스트 장치 내의 전파 지연을 줄여 원하는 시간에 원하는 형태의 신호 패턴을 제공할 필요가 있다.Therefore, in order to perform burn-in test on a chip operating at high speed, it is necessary to reduce a propagation delay in the burn-in test apparatus to provide a desired signal pattern at a desired time.
일반적으로, 전파 지연은 하기 수학식 1과 같이, 레지스턴스(resistance, R) 및 캐패시턴스(capacitance, C)와 관련된다. In general, the propagation delay is related to the resistance (R) and capacitance (C), as shown in
여기서, 레지스턴스는 주로 배선저항에 의해 결정되며, 캐패시턴스는 커넥터와 칩의 캡(cap)에 의한 핀 캐패시턴스(pin capacitance)에 의해 결정된다. 레지스턴스는 배선저항이므로 일정하나, 캐패시턴스는 번인보드에 연결된 커넥터와 번인보드에 병렬로 배치된 칩의 개수에 따라 그 값이 좌우된다. 도 4는 전파지연에 관련된 레지스턴스 및 캐패시턴스에 대한 설명도이다. Here, the resistance is mainly determined by the wiring resistance, and the capacitance is determined by the pin capacitance by the cap of the connector and the chip. The resistance is constant because it is a wiring resistance, but the capacitance depends on the number of chips connected in parallel to the connector connected to the burn-in board and the burn-in board. 4 is an explanatory diagram of resistance and capacitance related to propagation delay.
도 4를 참조하면, 레지스턴스는 배선저항 R로 일정하며, 캐패시턴스는 커넥터 및 칩의 핀 캐패시턴스에 대한 총합(Ctotal)으로 나타낼 수 있다. 여기서, Ctotal은 커넥터 및 칩의 핀 캐패시턴스에 대한 합으로 나타낼 수 있으므로, Ctotal=C1+C2+…+CN를 통해 확인할 수 있다. Referring to FIG. 4, the resistance may be constant as the wiring resistance R, and the capacitance may be represented as the sum C total of the pin capacitances of the connector and the chip. Here, C total may be represented as the sum of the pin capacitances of the connector and the chip, so C total = C 1 + C 2 +. This can be confirmed by + C N.
이와 같이, 캐패시턴스는 커넥터 및 칩의 개수가 증가할수록 커지며, 이러한 이유로 상기 수학식 1에서 전파 지연 역시 커넥터 및 칩의 개수가 증가할수록 커진다. 이는 종래의 번인 테스트 장치에서 고속으로 동작하는 칩에 대한 번인 테스트를 수행하기 어려운 이유가 커넥터와 칩의 개수가 많기 때문이라는 점을 나타낸다. 그런데 번인 테스트 장치는 고속(high speed)으로 대량(high capacity)의 칩을 처리할 수 있는 성능이 요구된다.As such, the capacitance increases as the number of connectors and chips increases, and for this reason, the propagation delay in
이러한 요구에 맞춰, 종래에는 병렬로 연결된 칩의 개수를 줄이기 위해 칩을 그룹핑하는 방식(즉, 그룹핑 방식)이 제안되었다. 이와 같은 그룹핑 방식은 480개의 칩이 연결되어 있는 번인보드에서 10개씩 그룹핑하여 48개 그룹 각각에 대해 번인 테스트를 수행한다. In order to meet these demands, a method of grouping chips (ie, grouping methods) has been conventionally proposed to reduce the number of chips connected in parallel. This grouping method performs burn-in tests on each of 48 groups by grouping 10 groups on a burn-in board having 480 chips.
이와 같은 그룹핑 방식은 48개의 각 그룹별로 신호 패턴 생성부, 드라이버를 번인보드에 연결해야 하므로, 각각에 대한 연결을 위한 커넥터가 필수적으로 요구된다. 이 경우, 커넥터는 총 48개가 필요하다. 그런데, 하나의 커넥터는 칩에 대한 테스트를 수행하기 위한 필수적으로 다수의 채널을 갖는다. 일례로, 하나의 커넥터는 32개의 채널[즉, 클럭(CLK) 및 컨트롤(Control)을 위한 8개 채널, 어드레스(Address)를 위한 8개 채널, 데이터(Data)를 위한 16개 채널]로 형성된 버스(bus) 구조를 채용하고 있다. 이러한 커넥터는 드라이버와 번인보드 간에 인터페이스 영역을 넓게 차지할 수밖에 없다.In this grouping method, a signal pattern generator and a driver must be connected to the burn-in board for each of the 48 groups, and thus a connector for each connection is required. In this case, a total of 48 connectors are required. By the way, one connector has essentially a plurality of channels for performing a test on a chip. For example, one connector is formed of 32 channels (i.e., 8 channels for clock CLK and control, 8 channels for address, 16 channels for data). The bus structure is adopted. These connectors have a large area of interface between the driver and the burn-in board.
이처럼 그룹핑 방식은 다수의 채널을 채용하는 커넥터의 특성상 드라이버와 번인보드 사이의 인터페이스 영역이 극히 제한적이므로 실현 가능성이 떨어지며, 설사 실현 가능하더라도 각각의 커넥터에 연결되는 신호 패턴 생성부와 드라이버의 개수에 따라 비용도 커진다.As such, the grouping method is not feasible because the interface area between the driver and the burn-in board is extremely limited due to the characteristics of the connector employing a plurality of channels, and even if it is possible, the grouping method depends on the number of signal pattern generators and drivers connected to each connector. The cost also increases.
또한, 커넥터는 전술한 바와 같이 다수의 채널 경로를 통해 신호를 전달하므로 인접 채널간의 간섭 또는 왜곡에 의해, 채널간 타이밍에 있어 차이가 발생할 수 있다.In addition, since the connector transmits signals through a plurality of channel paths as described above, differences in timing between channels may occur due to interference or distortion between adjacent channels.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 그 목적은, 번인 시스템의 드라이버와 번인보드 사이를 직렬 채널로 서로 연결하여 데이터를 송수신하고, 기 설정된 더미 데이터를 이용해 역다중화부의 휴지 시간을 조정함으로써 칩의 단자에 전달될 데이터 간의 타이밍을 조정하기 위한, 번인보드용 인터페이스 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention was devised to solve the above problems, and an object thereof is to connect and transmit data between a driver of a burn-in system and a burn-in board through a serial channel, and to transmit and receive data, and to set a demultiplexer using preset dummy data. An interface device for a burn-in board is provided for adjusting the timing between data to be transmitted to a terminal of a chip by adjusting an idle time.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 번인보드용 인터페이스 장치는, 신호 패턴 생성부에 의해 생성된 테스트 패턴의 비트값을 병렬 채널을 통해 입력받아 일련의 시퀀스 데이터로 변환해 직렬 채널을 통해 출력하기 위한 제 1 채널 변환부; 상기 제 1 채널 변환부의 직렬 채널을 통해 입력된 시퀀스 데이터를 테스트 동작을 위한 동작 데이터로 구분하여 병렬 채널을 통해 출력하기 위한 제 2 채널 변환부; 및 상기 제 2 채널 변환부로부터 입력된 동작 데이터의 시작 비트에 따라 해당 동작 데이터를 처리하기 위한 역다중화부를 포함한다.In order to achieve the above object, the burn-in-board interface device of the present invention receives a bit value of a test pattern generated by a signal pattern generation unit through a parallel channel, converts it into a series of sequence data, and outputs it through a serial channel. A first channel converter for; A second channel converter for dividing the sequence data input through the serial channel of the first channel converter into operation data for a test operation and outputting the same through a parallel channel; And a demultiplexer for processing the operation data according to the start bit of the operation data inputted from the second channel converter.
상기한 바와 같이, 본 발명은, 번인 시스템의 드라이버와 번인보드 사이를 직렬 채널로 서로 연결하여 데이터를 송수신함으로써, 제한된 드라이버와 번인보드 사이의 인터페이스 영역을 효율적으로 활용하는 효과가 있다. As described above, the present invention has an effect of efficiently utilizing the interface area between the limited driver and the burn-in board by transmitting and receiving data by connecting the burn-in system driver and the burn-in board to each other through a serial channel.
또한, 본 발명은 신호 분배기를 통해 다수의 번인보드를 하나의 신호 패턴 생성부와 드라이버를 이용함으로써, 신호 패턴 생성부와 드라이버에 의한 비용이 절감되는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of reducing the cost by the signal pattern generation unit and the driver by using a single signal pattern generation unit and a plurality of burn-in boards through the signal distributor.
또한, 본 발명은 기 설정된 더미 데이터를 이용해 역다중화부의 휴지 시간을 조정함으로써 칩의 단자에 전달될 데이터 간의 타이밍을 정확히 조정하는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of accurately adjusting the timing between the data to be transmitted to the terminal of the chip by adjusting the idle time of the demultiplexer using the preset dummy data.
도 1은 종래의 번인 테스트 장치에 대한 구성도,
도 2a는 병렬 구조의 번인보드와 라이트(write) 신호에 대한 딜레이 타임을 나타낸 도면,
도 2b는 병렬 구조의 번인보드와 리드(read) 신호에 대한 딜레이 타임을 나타낸 도면,
도 3은 종래의 번인 테스트 장치에서 검사속도별 신호 패턴에 대한 설명도,
도 4는 전파지연에 관련된 레지스턴스 및 캐패시턴스에 대한 설명도,
도 5는 본 발명에 따른 번인보드용 인터페이스 장치가 적용된 번인 시스템에 대한 일실시예 구성도,
도 6은 본 발명에 적용되는 데이터 형식에 대한 예시도,
도 7a는 동작 데이터의 타이밍을 위한 테스트 패턴에 대한 설명도,
도 7b는 상기 도 7a의 시퀀스 데이터에 대한 예시도,
도 7c는 더미 데이터를 이용한 타이밍이 조정된 시퀀스 데이터에 대한 예시도,
도 8은 본 발명에 따른 번인보드용 인터페이스 장치가 적용되는 번인보드에 대한 예시도이다.1 is a block diagram of a conventional burn-in test apparatus,
FIG. 2A illustrates a delay time for a burn-in board and a write signal having a parallel structure; FIG.
2b is a diagram illustrating a delay time of a burn-in board and a read signal of a parallel structure;
3 is an explanatory diagram for a signal pattern for each inspection speed in a conventional burn-in test apparatus;
4 is an explanatory diagram of resistance and capacitance related to propagation delay;
5 is a configuration diagram of a burn-in system to which an interface device for a burn-in board according to the present invention is applied;
6 is an exemplary diagram for a data format applied to the present invention;
7A is an explanatory diagram for a test pattern for timing of operation data;
7B is an exemplary diagram of the sequence data of FIG. 7A;
7C is an exemplary diagram of sequence data whose timing using dummy data is adjusted;
8 is an exemplary view of a burn-in board to which the burn-in board interface apparatus according to the present invention is applied.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되어 있는 상세한 설명을 통하여 보다 명확해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the present invention when taken in conjunction with the accompanying drawings, It can be easily carried out. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 5는 본 발명에 따른 번인보드용 인터페이스 장치가 적용된 번인 시스템에 대한 일실시예 구성도이고, 도 6은 본 발명에 적용되는 데이터 형식에 대한 예시도이다.FIG. 5 is a configuration diagram of a burn-in system to which a burn-in board interface device according to the present invention is applied, and FIG. 6 is an exemplary view of a data format applied to the present invention.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 번인 시스템은, 신호 패턴 생성부(110), 드라이버(120), 번인보드(140 내지 143), 번인보드용 인터페이스 장치(200)를 포함한다. 여기서, 신호 패턴 생성부(110), 드라이버(120), 번인보드(140) 및 칩(150)은 설명의 편의상 앞서 언급한 도 1과 같은 도면 번호를 부여한다.As shown in FIG. 5, the burn-in system according to the present invention includes a
본 발명의 번인 시스템은 테스트를 위한 DUT(Device Under Test)인 칩(150)에 대해 데이터를 입력하는 라이트 동작을 수행한 후 데이터를 출력하는 리드 동작을 수행한다. The burn-in system of the present invention performs a write operation for inputting data to the
여기서, 칩(150)은 클럭/제어 단자(CLK/Control), 어드레스 단자(Address) 및 데이터 단자(Data) 등을 구비한다. 즉, 클럭/제어 단자 및 어드레스 단자는 번인보드용 인터페이스 장치(200)로부터 신호를 수신하기만 하는 단방향 채널로 연결됨으로써, 라이트 및 리드 동작 상태를 유지하기 위해 필요한 신호를 수신한다. 또한, 데이터 단자는 번인보드용 인터페이스 장치(200)와 신호를 송수신할 수 있는 양방향 채널로 연결됨으로써, 라이트 동작시에 데이터를 수신하여 저장하고, 리드 동작시에 기 저장된 데이터를 읽어 송신한다.Here, the
신호 패턴 생성부(110)는 번인 테스트를 수행하기 위한 신호의 테스트 패턴을 생성하고, 드라이버(120)는 신호 패턴 생성부(110)로부터 칩(150)을 테스트하기 위한 신호의 테스트 패턴을 전달받아 테스트 패턴에 대응된 이진값을 칩(150)으로 전달한다. 이때, 신호 패턴 생성부(110)는 테스트 패턴을 생성하고, 그에 따라 드라이버(120)는 32개 병렬 채널을 통해 테스트 패턴에 대응된 이진값을 번인보드용 인터페이스 장치(200)로 전달한다.The
이하, 본 발명에서는 설명의 편의상 하기와 같이 데이터 형식을 통칭하여 설명하기로 한다(도 6 참조).Hereinafter, in the present invention, the data format will be collectively described as follows for convenience of description (see FIG. 6).
본 발명에서는 테스트 패턴을 '0' 또는 '1'과 같은 1 비트 단위의 데이터를 연속적으로 나열하여 묶어 총 32 비트를 구성하는 경우를 가정한다. 여기서, '0' 또는 '1'과 같은 1 비트 단위의 데이터를 이하 "단일 데이터"라 통칭하고, 일련의 단일 데이터를 나열하여 묶은 32 비트 단위의 데이터를 이하 "시퀀스 데이터(sequence data)"라 통칭한다. 특히, 시퀀스 데이터를 칩(150)의 각 단자(즉, 클럭/제어 단자, 어드레스 단자 및 데이터 단자)에 할당하기 위해 칩(150)의 동작을 발생시키는 단위로 구분하는 8 비트 단위의 데이터를 각각 "클럭/제어 데이터", "어드레스 데이터" 및 "실행 데이터"라 하고 이들을 통칭하여 "동작 데이터"라 한다.In the present invention, it is assumed that a total of 32 bits is configured by sequentially enclosing a test pattern in a unit of 1 bit unit such as '0' or '1'. Herein, data of one bit unit such as '0' or '1' is collectively referred to as " single data " below, and data of 32 bit units which enumerate a series of single data and grouped together is referred to as " sequence data " Collectively. In particular, 8-bit data is divided into units that generate the operation of the
이러한 동작 데이터는 최상위 2 비트에 시작 비트(301)를 가지며, 나머지 6 비트의 정보 비트(302)를 갖는다. 이때, 시작 비트(301)는 '11', '10', '01', '00'의 값을 가지며, 후술할 역다중화부(230)의 제어 정보로 이용된다. 즉, 역다중화부(230)는 동작 데이터의 시작 비트(301)에 따라 동작 데이터를 칩(150)의 해당 단자로 출력한다. 다만, 역다중화부(230)는 동작 데이터의 시작 비트(301) 중 어느 하나를 확인할 때, 동작 데이터의 출력 없이 소정의 휴지 시간(일례로, 1 클럭)을 갖는다. 여기서, 소정의 휴지 시간을 나타내는 시작 비트(301)가 포함된 동작 데이터를 이외의 다른 동작 데이터와 구별하여 "더미 데이터(dummy data)"라 통칭한다. 정보 비트(302)는 칩(150)의 해당 단자에 대응되는 테스트 동작을 위한 값을 가지며, 칩(150)의 테스트를 위한 클럭/제어, 어드레스, 데이터 중 어느 하나의 정보를 나타낸다.This operation data has a start bit 301 in the most significant two bits and an
특히, 신호 패턴 생성부(210)는 다수의 동작 데이터에 대응되는 데이터 패턴에 대해 적어도 하나의 더미 데이터에 대응되는 데이터 패턴을 삽입함으로써, 칩(150)에 대한 테스트 동작시 동작 데이터 간의 타이밍을 조정한다. 즉, 신호 패턴 생성부(210)는 클럭/제어 단자 및 어드레스 단자가 동시에 활성화 상태에 도달할 때까지 더미 데이터를 전달하여 타이밍을 지연시키고, 클럭/제어 단자 및 어드레스 단자가 활성화 상태에 도달할 때 데이터 단자로 동작 데이터를 전달하여 동작 데이터 간의 타이밍을 조정한다. 이에 대한 자세한 설명은 후술할 도 7a 및 도 7b를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.In particular, the
번인보드용 인터페이스 장치(200)는 드라이버(120)와 번인보드(140) 사이에서, 다수 채널을 통해 병렬(parallel)로 데이터가 전달되는 인터페이스 환경 대신에 단일 채널을 통해 직렬(serial)로 데이터가 전달되는 인터페이스 환경을 제공한다. 즉, 번인보드용 인터페이스 장치(200)는 드라이버(120)로부터 다수 채널을 통해 병렬로 전달된 데이터를 변환하여 단일 채널을 통해 직렬로 번인보드(140)에 전달하고(즉, parallel to serial), 단일 채널을 통해 직렬로 전달된 데이터를 변환하여 다수 채널을 통해 병렬로 칩(150)에 전달한다(즉, serial to parallel).Burn-in-
이를 위해, 번인보드용 인터페이스 장치(200)는 제 1 채널 변환부(210), 제 2 채널 변환부(220), 역다중화부(demultiplexer, 230), 신호 분배부(240)를 포함한다.To this end, the burn-in-
제 1 및 제 2 채널 변환부(210, 220)는 각각 드라이브(120)와 번인보드(140)측에 위치하여, 드라이버(120)와 번인보드(140) 간에 데이터 전달 경로로서 단일 채널을 형성한다. 이때, 제 1 및 제 2 채널 변환부(210, 220)는 통상의 유무선 통신 방식으로 연결될 수 있으며, 구체적으로 광통신 방식(optical communication), 저전압 차등 시그널링 방식(Low voltage differential signaling: LVDS), RF(Radio Frequency) 방식 등을 이용할 수 있다.The first and
먼저, 제 1 채널 변환부(210)는 데이터 전달 경로로서 다수 병렬 채널(32개 채널)을 단일 직렬 채널(1개 채널)로 변환한다. 이때, 제 1 채널 변환부(210)는 병렬 채널에서 직렬 채널로 데이터 전달 경로가 변환됨에 따라, 병렬 채널의 각 채널을 통해 입력된 단일 데이터를 시퀀스 데이터로 변환하여 직렬 채널을 통해 출력한다. 예를 들어, 제 1 채널 변환부(210)는 32개 병렬 채널의 각 채널을 통해 "1,1,0,1,1,0,0,1,1,0,1,1,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,0,0,1,1,1,0"와 같이 단일 데이터가 입력되면, 입력된 단일 데이터를 일련의 데이터 묶음인 "11011001101100010000000001001110"와 같이 시퀀스 데이터로 변환하여 1개 직렬 채널을 통해 출력한다.First, the
다음으로, 제 2 채널 변환부(220)는 데이터 전달 경로로서 단일 직렬 채널(1개 채널)을 다수 병렬 채널(8개 채널)로 변환한다. 이때, 제 2 채널 변환부(220)는 직렬 채널에서 병렬 채널로 데이터 전달 경로가 변환됨에 따라, 직렬 채널을 통해 입력된 시퀀스 데이터를 동작 데이터로 변환하여 병렬 채널을 통해 출력한다. 예를 들어, 제 2 채널 변환부(220)는 1개 직렬 채널을 통해 "11011001101100010000000001001110"와 같이 시퀀스 데이터가 입력되면, "1,1,0,1,1,0,0,1", "1,0,1,1,0,0,0,1", "0,0,0,0,0,0,0,0", "0,1,0,0,1,1,1,0"와 같이 입력된 시퀀스 데이터를 기 설정된 데이터 형식에 따라 의미 단위(여기서는 8비트)로 구분된 동작 데이터로 변환하여 8개 병렬 채널을 통해 각각 출력한다. 여기서, 시퀀스 데이터의 최상위 비트가 제 2 채널 변환부(220)로 가장 먼저 입력되는 경우를 가정할 때, 제 2 채널 변환부(220)는 시퀀스 데이터의 최상위 비트부터 의미 단위별로 구분된 동작 데이터를 순차적으로 출력한다. 즉, 제 2 채널 변환부(220)는 첫 번째로 "1,1,0,1,1,0,0,1", 두 번째로 "1,0,1,1,0,0,0,1", 세 번째로 "0,0,0,0,0,0,0,0", 네 번째로 "0,1,0,0,1,1,1,0"를 순차적으로 출력한다.Next, the
역다중화부(230)는 제 2 채널 변환부(220)와 같이 번인보드(140) 측에 위치한다.The
역다중화부(230)는 제 2 채널 변환부(220)로부터 전달된 동작 데이터의 시작 비트(301)에 따라, 다수의 출력 중 하나를 선택하여 입력을 연결한다. 이때, 역다중화부(230)는 각 출력의 선택을 위한 제어 정보가 미리 부여되어 있기 때문에, 이러한 제어 정보에 대응되는 출력을 입력에 연결한다. 여기서, 역다중화부(230)는 제어 정보로서 동작 데이터의 시작 비트(301)를 확인하여 동작 데이터를 전달하기 위한 해당 출력을 선택한다.The
본 발명에서는 역다중화부(230)에서 동작 데이터의 시작 비트(301)가 '11'(즉, 클럭/제어 데이터인 경우), '10'(즉, 어드레스 데이터인 경우), '01'(즉, 실행 데이터인 경우)인 경우에 동작 데이터를 칩(150)의 해당 단자로 출력하고, 역다중화부(230)에서 동작 데이터의 시작 비트(301)가 '00'인 경우(즉, 더미 데이터인 경우)에 1 클럭(1 CLK)의 휴지 시간을 갖는 경우를 가정하여 설명한다. In the present invention, in the
이러한 역다중화부(230)는 1×4 디먹스(DEMUX)로서, 8개 병렬 채널을 포함하는 1개의 입력이 제 2 채널 변환부(220)에 연결되고, 각각 8개 병렬 채널을 포함하는 4개의 출력이 칩(150)의 해당 단자에 각각 연결된다. 이때, 시작 비트(301)는 4개의 출력을 구별해야 하므로, 2 비트 데이터로서 '11', '10', '01', '00'와 같이 나타낸다. 구체적으로, 역다중화부(230)는 시작 비트(301) '11'의 경우에 해당 출력을 칩(150)의 클럭/제어 단자로 연결하고, 시작 비트(301) '10'의 경우에 해당 출력을 칩(150)의 어드레스 단자로 연결하며, 시작 비트(301) '01'의 경우에 해당 출력을 칩(150)의 데이터 단자로 연결한다. 특히, 역다중화부(230)는 시작 비트(301) '00'의 경우에 휴지 시간으로 설정하여 별도의 동작을 수행하지 않는다. The
이와 같이, 역다중화부(230)는 제 2 채널 변환부(220)로부터 동작 데이터가 전달되면, 동작 데이터의 시작 비트(301)를 확인하여 동작 데이터를 출력할 칩(150)의 단자를 선택함으로써 해당 단자로 동작 데이터를 출력한다.As such, when the operation data is transferred from the
신호 분배부(240)는 제 1 채널 변환부(210)로부터 출력된 시퀀스 데이터를 다수의 번인보드(140)에 제공하여 동시에 테스트를 수행할 수 있게 한다. 예를 들어, 신호 분배부(240)는 하나의 번인보드(140)에 칩(150)이 10개씩 실장되어 있는 경우에, 총 48개의 채널을 통해 하나의 퍼니스 내에 있는 480개의 칩(150)에 대해 테스트를 수행할 수 있게 한다(후술할 도 8 참조). 이 경우, 종래에는 32채널을 갖는 48개의 커넥터가 필요하다. 이와 같은 이유로, 신호 분배부(240)는 하나의 번인보드(140)에 칩(150)이 120개씩 실장될 수 있는 경우에, 도 5에 도시된 바와 같이 총 4개의 채널을 통해 하나의 퍼니스 내에 있는 480개의 칩(150)에 대해 테스트를 수행할 수 있게 한다.The
부가적으로, 제 2 채널 변환부(220) 및 역다중화부(230)는 번인보드(140)에 탑재됨에 따라 퍼니스의 고온 테스트 환경에 대해 내구성을 갖는 재질[일례로, 실리콘 카바이드(Silicon Carbide: SiC), 절연 결정 실리콘(Silicon On Insulator: SOI)]로 구현되는 것이 바람직하다.Additionally, as the
도 7a는 동작 데이터의 타이밍을 위한 테스트 패턴에 대한 설명도이고, 도 7b는 상기 도 7a의 시퀀스 데이터에 대한 예시도이다.7A is an explanatory diagram for a test pattern for timing of operation data, and FIG. 7B is an exemplary diagram for the sequence data of FIG. 7A.
도 7a에 도시된 바와 같이, 칩(150)의 클럭/제어 단자, 어드레스 단자 및 데이터 단자는, 각각에 대응되는 동작 데이터가 모두 전달된 후에 타이밍을 조정한다. 이때, 해당 단자에 도달되는 동작 데이터는 전송지연이 나타난다. 즉, 클럭/제어 단자는 ⓐ일 때 클럭/제어 데이터가 입력되며, 어드레스 단자는 ⓑ일 때 어드레스 데이터가 입력된다.As illustrated in FIG. 7A, the clock / control terminal, the address terminal, and the data terminal of the
다만, 데이터 단자는 전송지연을 고려할 때 ⓒ일 때 실행 데이터가 입력되어야 하지만, 전송지연에 대해 소정의 지연 정도(즉, 1 CLK)가 더 경과된 후 ⓓ일 때 실행 데이터가 입력된다. 이는 각 동작 데이터 간의 전송 지연의 차이가 미약하여 클럭/제어 데이터 및 어드레스 데이터에 앞서 실행 데이터가 전달될 수도 있기 때문에, 클럭/제어 데이터 및 어드레스 데이터가 전달된 후에 비로소 실행 데이터가 전달되도록 하기 위함이다.However, in consideration of the transmission delay, the execution data should be input at ⓒ, but the execution data is input at ⓓ after a predetermined delay amount (ie, 1 CLK) has elapsed. This is because the execution data may be transferred before the clock / control data and the address data because the difference in the transmission delay between each operation data is weak, so that the execution data may be delivered only after the clock / control data and the address data are transferred. .
이에 따라, 본 발명의 번인 시스템은 테스트를 위한 타이밍을 클럭/제어 데이터, 어드레스 데이터 및 실행 데이터가 모두 전달된 때(즉, ⓓ일 때)에 조정하여 칩(150)에 대한 테스트를 수행한다.Accordingly, the burn-in system of the present invention adjusts the timing for the test when the clock / control data, the address data, and the execution data are all delivered (that is, when ⓓ) to perform the test on the
한편, 도 7b는 도 7a의 경우에 신호 패턴 생성부(210)에 의해 생성된 테스트 패턴에 대한 예를 나타낸다.7B illustrates an example of a test pattern generated by the
전술한 바와 같이, 각 동작 데이터는 시작 비트(301)에 따라 구별된다. 즉, 클럭/제어 데이터는 시작 비트(301)가 '11'(401)이고, 어드레스 데이터는 시작 비트(301)가 '10'(402)이다. 더미 데이터는 시작 비트(301)가 '00'(403)이다. 실행 데이터는 시작 비트(301)가 '01'(404)이다. 따라서, 클럭/제어 데이터는 도 7a에서 클럭/제어 단자에 입력되며, 어드레스 데이터는 도 7a에서 어드레스 단자에 입력되며, 실행 데이터는 도 7a에서 동작 데이터 C에 의해 1 클럭(1 CLK) 이후에 데이터 단자에 입력된다. 여기서, 더미 데이터가 역다중화부(230)에 전달되면, 역다중화부(230)는 1 클럭 동안 별도의 동작을 수행하지 않는다.As described above, each operation data is distinguished according to the start bit 301. That is, the clock / control data has a start bit 301 of '11' 401 and the address data has a start bit 301 of '10' 402. The dummy data has a start bit 301 of '00' 403. The execution data has a start bit 301 of '01' 404. Therefore, the clock / control data is input to the clock / control terminal in FIG. 7A, the address data is input to the address terminal in FIG. 7A, and the execution data is data after one clock (1 CLK) by the operation data C in FIG. 7A. It is input to the terminal. When the dummy data is transferred to the
도 7c는 더미 데이터를 이용한 타이밍이 조정된 시퀀스 데이터에 대한 예시도이다.7C is an exemplary diagram of sequence data whose timing using dummy data is adjusted.
도 7c에 도시된 바와 같이, 신호 패턴 생성부(210)는 더미 데이터(501)를 이용하여 타이밍이 조정된 테스트 패턴을 생성할 수 있다. 즉, 신호 패턴 생성부(210)는 동작 데이터 간에 적어도 하나의 더미 데이터(501)가 삽입된 테스트 패턴을 형성함으로써, 클럭 단위로 타이밍 지연 시간을 조정할 수 있다.As illustrated in FIG. 7C, the
여기서, 신호 패턴 생성부(210)는 32 비트의 시퀀스 데이터로 테스트 패턴을 생성하여 전달함에 따라 복수의 더미 데이터(501)를 삽입할 때 추가로 시퀀스 데이터를 생성할 필요가 있다.Here, the
구체적으로, 클럭/제어 데이터(503), 어드레스 데이터(504) 이후에 실행 데이터(505)를 2 클럭 지연하는 경우에는, 제 1 시퀀스 데이터에 추가로 제 2 시퀀스 데이터를 생성한다. 즉, 클럭/제어 데이터(503) 및 어드레스 데이터(504), 실행 데이터(505) 간에는 2 클럭 지연을 위해 2개의 더미 데이터(501)를 삽입한다. 이는 32 비트의 제 1 시퀀스 데이터를 형성하므로, 실행 데이터(505)는 제 2 시퀀스 데이터에 포함된다. 이때, 제 2 시퀀스 데이터는 실행 데이터(505) 이후에 별도의 동작을 수행할 필요가 없어 더미 데이터(502)를 추가로 삽입하여 32 비트를 구성한다. 이를 통해, 본 발명의 번인 시스템은 테스트 패턴에 적어도 하나의 더미 데이터를 삽입하여 동작 데이터 간의 타이밍 지연 정도를 적어도 한 클럭 단위로 조정할 수 있다.Specifically, when the
도 8은 본 발명에 따른 번인보드용 인터페이스 장치가 적용되는 번인보드에 대한 예시도이다.8 is an exemplary view of a burn-in board to which the burn-in board interface apparatus according to the present invention is applied.
도 8의 번인 시스템의 경우에는 번인보드(140a 내지 140c)를 퍼니스 내부에 탑재하여 총 480개의 칩(150)에 대해 번인 테스트를 수행하는 경우를 나타낸다. 여기서, 번인보드(140a)에 탑재된 제 2 채널 변환부(220), 역다중화부(230) 및 신호 분배부(240)의 도면 번호는 도 5와 동일하게 기재한다.In the burn-in system of FIG. 8, burn-in
이때, 하나의 번인보드(140a)는 고속 동작 환경에 요구되는 캐패시턴스 조건을 만족하는 테스트 단위로 칩(150)을 배치할 때, 최대 10개의 칩(150)을 실장할 수 있다. 이러한 번인 시스템은 하나의 신호 분배부(240)로부터 번인보드(140a 내지 140c)에 총 48개의 채널을 통해 연결함으로써 총 480개의 칩(150)에 대한 테스트를 수행할 수 있다.At this time, one burn-in
따라서, 번인 시스템은 고속 동작 환경에 요구되는 캐패시턴스 조건을 만족하면서 보드상에 실장되는 칩(150)의 개수가 증가할수록, 신호 분배부(240)와 보드 간의 연결을 위한 채널 개수가 감소한다.Therefore, in the burn-in system, as the number of
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예를 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.In the above, the present invention has been illustrated and described with reference to specific preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the present invention is not limited to the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible by those who have the same.
110: 신호 패턴 생성부 120: 드라이버
140, 141, 142, 143: 번인보드 150: 칩
200: 번인보드용 인터페이스 장치 210: 제 1 채널 변환부
220: 제 2 채널 변환부 230: 역다중화부
240: 신호 분배부110: signal pattern generation unit 120: driver
140, 141, 142, 143: Burn-in board 150: Chip
200: burn-in board interface device 210: first channel conversion unit
220: second channel converter 230: demultiplexer
240: signal distribution unit
Claims (7)
상기 제 1 채널 변환부의 직렬 채널을 통해 입력된 시퀀스 데이터를 테스트 동작을 위한 동작 데이터로 구분하여 병렬 채널을 통해 출력하기 위한 제 2 채널 변환부; 및
상기 제 2 채널 변환부로부터 입력된 동작 데이터의 시작 비트에 따라 해당 동작 데이터를 처리하기 위한 역다중화부
를 포함하는 번인보드용 인터페이스 장치.A first channel converter for receiving a bit value of the test pattern generated by the signal pattern generator through a parallel channel, converting the bit value into a series of sequence data, and outputting the sequence data;
A second channel converter for dividing the sequence data input through the serial channel of the first channel converter into operation data for a test operation and outputting the same through a parallel channel; And
A demultiplexer for processing the corresponding operation data according to the start bit of the operation data inputted from the second channel converter
Burn-in board interface device comprising a.
상기 동작 데이터는,
시작 비트에 따라 구별되는 클럭/제어 데이터, 어드레스 데이터, 실행 데이터 및 더미 데이터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 번인보드용 인터페이스 장치.The method of claim 1,
The operation data,
Burn-in-board interface device, characterized in that any one of the clock / control data, the address data, the execution data and the dummy data according to the start bit.
상기 역다중화부는,
상기 동작 데이터가 클럭/제어 데이터, 어드레스 데이터, 실행 데이터 중 어느 하나인 경우에, 상기 동작 데이터를 피테스트 칩의 해당 단자로 출력하며,
상기 동작 데이터가 더미 데이터인 경우에, 동작을 수행하지 않고 클럭 단위의 휴지 시간을 갖는 것을 특징으로 하는 번인보드용 인터페이스 장치.The method of claim 2,
The demultiplexer,
When the operation data is any one of clock / control data, address data, and execution data, the operation data is output to a corresponding terminal of the chip under test,
If the operation data is dummy data, the burn-in-board interface device having a pause time in clock units without performing an operation.
상기 신호 패턴 생성부는,
각 동작 데이터 간의 타이밍을 조정하기 위해, 상기 클럭/제어 데이터 또는 상기 어드레스 데이터, 상기 실행 데이터의 사이에 적어도 하나의 더미 데이터를 삽입하여 상기 테스트 패턴을 생성하는 것을 특징으로 하는 번인보드용 인터페이스 장치.The method of claim 3, wherein
The signal pattern generation unit,
And adjusting the timing between each operation data to generate the test pattern by inserting at least one dummy data between the clock / control data, the address data, and the execution data.
상기 동작 데이터 간의 타이밍은,
상기 클럭/제어 데이터, 상기 어드레스 데이터 및 상기 실행 데이터가 모두 상기 칩의 각 단자에 입력될 때로 조정되는 것을 특징으로 번인보드용 인터페이스 장치.The method of claim 4, wherein
Timing between the operation data,
And the clock / control data, the address data and the execution data are all adjusted as they are input to each terminal of the chip.
상기 제 1 채널 변환부의 직렬 채널을 통해 출력된 시퀀스 데이터를 다수의 번인보드에 제공하기 위한 신호 분배부
를 더 포함하는 번인보드용 인터페이스 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
A signal distributor for providing sequence data output through the serial channel of the first channel converter to a plurality of burn-in boards
Burn-in board interface device further comprising.
상기 제 1 채널 변환부는, 드라이버측에 배치되며,
상기 제 2 채널 변환부 및 상기 역다중화부는, 번인보드측에 배치되는 것을 특징으로 하는 번인보드용 인터페이스 장치.The method according to claim 6,
The first channel converter is disposed on the driver side,
The second channel converter and the demultiplexer are disposed on the burn-in board side.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100021215A KR101100714B1 (en) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | Burn-in board interface unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100021215A KR101100714B1 (en) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | Burn-in board interface unit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110101878A KR20110101878A (en) | 2011-09-16 |
KR101100714B1 true KR101100714B1 (en) | 2011-12-29 |
Family
ID=44953819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100021215A Expired - Fee Related KR101100714B1 (en) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | Burn-in board interface unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101100714B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000329828A (en) | 1999-04-16 | 2000-11-30 | Infineon Technologies Ag | Circuit device for burn-in test of semiconductor module |
KR100336241B1 (en) | 1998-08-18 | 2002-05-09 | 포만 제프리 엘 | An efficient semiconductor burn-in circuit and method of operation |
-
2010
- 2010-03-10 KR KR1020100021215A patent/KR101100714B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100336241B1 (en) | 1998-08-18 | 2002-05-09 | 포만 제프리 엘 | An efficient semiconductor burn-in circuit and method of operation |
JP2000329828A (en) | 1999-04-16 | 2000-11-30 | Infineon Technologies Ag | Circuit device for burn-in test of semiconductor module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110101878A (en) | 2011-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111149162B (en) | semiconductor memory device | |
EP3104277A1 (en) | Mixed redundancy scheme for inter-die interconnects in a multichip package | |
KR20130042076A (en) | Semiconductor apparatus | |
US9998350B2 (en) | Testing device and testing method | |
US8488393B2 (en) | Semiconductor memory device and test method thereof | |
US10613128B2 (en) | Testing device and testing method | |
KR20160060770A (en) | Receiver architecture for memory reads | |
CN204789920U (en) | A FPGA disposes system for integrated circuit test | |
US7940588B2 (en) | Chip testing circuit | |
CN101447480A (en) | Integrated circuit wafer structure capable of simplifying test procedure and test method | |
CN108335720B (en) | Method for compiling personalized data by using memory tester | |
CN106771950A (en) | A kind of test system and its method of testing for wafer | |
CN103915416A (en) | Electronic device with thin film chip-on-chip packaging | |
KR101161811B1 (en) | Burn-in test apparatus for the transmission of high speed signal and burn-in board therefor and method for the transmission of high speed signal | |
KR101996967B1 (en) | Semiconductor apparatus | |
KR101100714B1 (en) | Burn-in board interface unit | |
KR101161809B1 (en) | Burn-in board capable of testing high speed chips, burn-in test apparatus using the same and method thereof | |
US10656202B1 (en) | Electronic device including integrated circuit with debug capabilities | |
US8461859B2 (en) | Semiconductor device and interface board for testing the same | |
US20080316846A1 (en) | Semiconductor memory device capable of storing data of various patterns and method of electrically testing the semiconductor memory device | |
CN101339225B (en) | Test interface with mixed signal processing device | |
KR101046980B1 (en) | Modular burn-in board system for high speed test | |
CN221007786U (en) | Chip testing device | |
KR20100121217A (en) | High speed tdbi board system | |
KR102800269B1 (en) | Semiconductor test apparatus using fpga |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20100310 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20110829 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20111223 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20111223 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141119 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20141119 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20161209 |