[go: up one dir, main page]

KR101099612B1 - 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 - Google Patents

스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101099612B1
KR101099612B1 KR1020090089121A KR20090089121A KR101099612B1 KR 101099612 B1 KR101099612 B1 KR 101099612B1 KR 1020090089121 A KR1020090089121 A KR 1020090089121A KR 20090089121 A KR20090089121 A KR 20090089121A KR 101099612 B1 KR101099612 B1 KR 101099612B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
substrate
resin pipe
swing
pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020090089121A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110031745A (ko
Inventor
정영주
김붕
김태호
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020090089121A priority Critical patent/KR101099612B1/ko
Priority to US12/883,433 priority patent/US8881996B2/en
Priority to JP2010209709A priority patent/JP5158530B2/ja
Priority to TW099131865A priority patent/TWI426554B/zh
Priority to CN201010288906XA priority patent/CN102019248B/zh
Publication of KR20110031745A publication Critical patent/KR20110031745A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101099612B1 publication Critical patent/KR101099612B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 세정 처리하는 매엽식 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 기판 처리 장치는 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재; 상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 처리유체를 회수하는 처리용기; 및 스윙 방식으로 회전 운동하며 상기 스핀헤드에 놓여진 기판으로 처리유체를 분사하는 스윙노즐유닛들을 포함하되; 상기 스윙노즐유닛은 처리유체 공급튜브가 위치되는 내부통로를 제공하는 내측 수지파이프와, 상기 내측 수지파이프를 감싸도록 설치되는 금속파이프; 및 상기 금속파이프를 감싸도록 설치되는 외측 수지파이프로 이루어지는 노즐몸체를 갖는 노즐부 및 상기 노즐부의 θ축 회전 및 승강 이동을 위한 구동부를 포함한다.
스윙노즐,금속,부식

Description

스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치{swing nozzle unit and apparatus for treating substrate with the swing nozzle unit}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 세정 처리하기 위해 처리유체를 분사하는 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질이나 불필요한 막을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
현재 반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 방법은 건식 세정(Dry Cleaning)과 습식 세정(Wet Cleaning)으로 크게 나누어지며, 습식 세정은 약액 중에 기판을 침적시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 배스(Bath) 타입과, 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 약액을 공급하여 오염 물질을 제거하는 매엽 타입으로 나누어진다.
매엽 타입의 세정 장치는 기판 상에서 제거하고자 하는 오염물질 및 막질의 종류에 따라 다양한 종류의 세정액이 사용되며, 세정액은 스윙노즐 및 고정노즐에 의해 선택적으로 기판으로 제공된다.
여기서, 스윙노즐은 수지재질의 노즐 또는 금속재질의 노즐이 사용되는데, 수지재질의 노즐은 강도가 약한 반면 내식성이 우수하고, 금속재질의 노즐은 강도가 강한 반면 내식성이 떨어지는 장단점을 갖고 있다. 보편적으로는 스윙노즐은 스윙 강성 유지를 위해 금속재질을 사용하되, 부식 방지를 위해 표면처리를 하는데, 표면 처리 특성상 금속 파이프 내경 표면처리가 불가능하기 때문에 금속 파이프 내경 표면에 부식이 발생된다.
본 발명의 목적은 강도가 강하고 내식성이 우수한 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 목적은 금속재질의 파이프를 사용하되 부식을 방지할 수 있는 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 스윙노즐유닛은 처리유체 공급튜브가 위치되는 내부통로를 제공하는 긴 로드 형상의 노즐몸체를 갖는 노즐부를 포함하되; 상기 노즐몸체는 내측 수지파이프; 상기 내측 수지파이프를 감싸도록 설치되는 금속파이프; 및 상기 금속파이프를 감싸도록 설치되는 외측 수지파이프를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부는 중앙에 상기 처리유체 공급튜브가 통과할 수 있는 관통공을 갖으며, 상기 금속파이프의 일단이 외부로 노출되지 않도록 상기 내측 수지파이프의 일단과 상기 외측 수지파이프의 일단에 설치되는 밀봉캡을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부는 상기 밀봉캡에 설치되고, 상기 처리유체 공급튜브를 홀딩하는 노즐팁을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 내측 수지파이프의 일단과 상기 외측 수지파이프의 일단은 상기 금속파이프는 일단보다 돌출된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부는 상기 노즐 몸체의 타단에 설치되는 플랜지를 더 포함하고, 상기 스윙노즐유닛은 상기 플랜지와 연결되고 상기 노즐부의 θ축 회전 및 승강 이동을 위한 구동부를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플랜지는 상기 노즐몸체의 타단이 끼워지는 삽입공을 갖으며, 상기 삽입공에 끼워진 상기 노즐몸체의 타단을 고정하기 위한 고정부재들을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 고정부재는 상기 플랜지의 측면으로부터 삽입되어 상기 노즐몸체의 타단에 체결되는 스크류이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 스크류는 상기 외측 수지파이프와 상기 금속파이프에 관통되어 체결된다.
본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치는 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재; 상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 처리유체를 회수하는 처리용기; 및 스윙 방식으로 회전 운동하며 상기 스핀헤드에 놓여진 기판으로 처리유체를 분사하는 스윙노즐유닛들을 포함하되; 상기 스윙노즐유닛은 처리유체 공급튜브가 위치되는 내부통로를 제공하는 내측 수지파이프와,상기 내측 수지파이프를 감싸도록 설치되는 금속파이프; 및 상기 금속파이프를 감싸도록 설치되는 외측 수지파이프로 이루어지는 노즐몸체를 갖는 노즐부 및 상기 노즐부의 θ축 회전 및 승강 이동을 위한 구동부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부는 중앙에 상기 처리유체 공급튜브가 통과할 수 있는 관통공을 갖으며, 상기 금속파이프의 일단이 외부로 노출되지 않도록 상기 내측 수지파이프의 일단과 상기 외측 수지파이프의 일단에 설치되는 밀봉캡을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 밀봉캡은 상기 수지파이프와 상기 외측 수지파이프와의 열융착을 위해 상기 내측 수지파이프 및 상기 외측 수지파이프와 동일한 수지재료로 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부는 상기 밀봉캡에 결합되고, 상기 처리유체 공급튜브를 고정하기 위해 상기 처리유체 공급튜브의 일단이 끼워지는 끼 움홀을 갖는 노즐팁을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부는 상기 노즐 몸체의 타단에 설치되는 플랜지를 더 포함하고, 상기 플랜지는 상기 노즐몸체의 타단이 끼워지는 삽입공이 형성되며, 상기 삽입공에 끼워진 상기 노즐몸체의 타단을 고정하기 위한 스크류들을 더 포함한다.
본 발명에 의하면, 강도가 강하고 내식성이 우수하기 때문에 노즐 크기를 줄일 수 있고, 떨림 현상을 방지할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 매엽식 기판 처리 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
아래의 실시예에서 처리유체는 예를 들어 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액), 오존수, 환원수, 이온수, 알카리성 용액 등의 수용액 또는 그것들의 혼합액을 포함할 수 있다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 2는 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측면 구성도이다. 도 3은 도 1에 도시된 기판 처리 장치에서 용기를 보여주는 측단면도이다.
본 실시예에서는 매엽식 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 액정표시장치요 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(10), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 제1스윙노즐유닛(300)들, 고정노즐(500), 제2스윙노즐유닛(700) 및 배기부재(400)를 포함한다.
챔버(10)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(12)이 설치된다. 팬필터유닛(12)은 챔버(10)내부에 수직기류를 발생시킨다.
팬필터유닛(12)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(12)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.
챔버(10)는 수평 격벽(14)에 의해 공정 영역(16)과 유지보수 영역(18)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(18)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 제1스윙 노즐 유닛(300)의 구동부(300b), 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(18)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.
처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 용기(100) 내측에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판을 회전시킨다.
이하, 도면을 참조하여 상기 처리 용기(100)와 상기 기판 지지부재(200)에 대해 구체적으로 설명한다.
도 3은 도 1에 도시된 처리 용기와 기판 지지부재를 나타낸 단면도이다.
도면을 참조하면, 처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 처리유체와 기체, 흄을 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환 형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다.
구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.
제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리유체 및 흄이 포함된 기체가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.
제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리유체는 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.
제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외 부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.
한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.
이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.
기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.
스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다.
배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다.
고정노즐유닛(500)들은 처리용기(100)의 상단에 고정 설치되어 기판의 중앙으로 초순수, 오존수, 질소가스 등을 각각 공급한다.
제2스윙노즐유닛(700)은 스윙 이동을 통해 기판의 중심 상부로 이동되어 기판상에 기판 건조를 위한 유체를 공급한다. 건조를 위한 유체는 이소프로필 알코올과 고온의 질소 가스를 포함할 수 있다.
제1스윙노즐유닛(300)들은 처리 용기(100)의 외측에 위치된다. 제1스윙노즐유닛(300)들 붐 스윙 방식으로 회전 운동하며 스핀헤드(210)에 놓여진 기판으로 기판(w)을 세정 또는 식각하기 위한 처리유체(산성액, 알칼리성액, 중성액, 건조가스)를 공급한다. 도 1에서와 같이, 제1스윙노즐유닛(300)들은 나란히 배치되며, 각각의 제1스윙노즐유닛(300)들은 처리용기(100)와의 거리가 상이하기 때문에 각자의 회전반경에 따라 그 길이가 서로 상이한 것을 알 수 있다.
제1스윙노즐유닛(300) 각각은 공정영역에 위치되는 노즐부(300a) 및 유지보수 영역에 위치되는 θ축 회전 및 z축 승강 이동을 위한 구동부(300b)를 포함한다.
구동부(300b)는 노즐부(300a)의 플랜지(340)와 연결되는 지지축(382), 스윙구동부(384)와 승강구동부(386)를 포함하며, 스윙구동부(384)는 노즐부(300a)가 기판 중심부로 스윙 이동되도록 지지축(382)과 연결된 노즐부(300a)를 회전시킨다. 스윙구동부(384)는 모터, 벨트, 풀리를 가지는 어셈블리에 의해 이루어질 수 있다. 승강구동부(386)는 노즐부(300a)를 수직 방향으로 직선 이동시키는 구동력을 제공한다. 승강구동부(386)는 실린더, 리니어 모터와 같은 직선 구동장치로 이루어질 수 있다. 승강구동부(386)는 노즐부(300a)가 회전될때 주변의 인접한 노즐부(300a)와 충돌하는 것을 방지하기 위해 노즐부(300a)를 승강시킨다.
이하, 도면을 참조하여 스윙노즐유닛의 노즐부에 대해 구체적으로 설명한다.
도 4는 노즐부의 분해 사시도이고, 도 5는 노즐부의 단면도이며, 도 6 및 도 7은 노즐부의 일단과 타단을 각각 확대한 도면들이다.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 노즐부(300a)는 노즐몸체(310)와, 밀봉캡(320), 노즐팁(330) 그리고 플랜지(340)를 포함한다.
노즐몸체(310)는 처리유체 공급튜브(302)가 위치되는 내부통로를 제공하는 긴 로드 형상으로 3중 파이프 구조로 이루어진다. 즉, 노즐몸체(310)는 내측 수지파이프(312)와, 내측 수지파이프(312)를 감싸도록 설치되는 금속파이프(314) 그리고 금속파이프(314)를 감싸도록 설치되는 외측 수지파이프(316)를 포함한다. 내측 수지파이프(312)와 외측 수지파이프(316)는 내식성이 우수한 수지재질로 이루어진다. 내측 수지파이프(312)와 외측 수지파이프(316)는 같은 수지재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 내측 수지파이프(312)는 금속 파이프(314)의 내경보다 약간 작은 외경을 갖으며, 금속 파이프(314)는 외측 수지파이프(316)의 내경보다 약간 작은 외경을 갖는다. 금속 파이프(314)는 열이 가해진 외측 수지파이프(316)의 내경에 억지 끼움으로 삽입하고, 내측 수지파이프(312)는 금속 파이프(314)의 내경에 억지 끼움 방식으로 삽입함으로써 3중 파이프 구조의 노즐 몸체(310)가 만들어진다. 참고로, 금속 파이프(314)는 높은 강도를 갖고 내식성이 우수한 금속 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
밀봉캡(320)은 금속파이프(314)의 일단이 외부로 노출되지 않도록 내측 수지파이프(312)의 일단과 외측 수지파이프(316)의 일단에 열융착 방식으로 고정 설치된다. 노즐 몸체(310)의 일단은 밀봉캡(320)의 열융착 고정을 위해 내측 수지파이 프(312)의 일단과 외측 수지파이프(316)의 일단이 금속파이프(314)는 일단보다 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 물론, 노즐 몸체(310)의 타단도 마찬가지로 내측 수지파이프(312)와 외측 수지파이프(316)가 금속파이프(314)보다 돌출되어 있다. 밀봉캡(320)은 중앙에 처리유체 공급튜브(302)가 통과할 수 있는 관통공(322)을 갖으며, 하단에는 노즐팁(330)의 나사 체결을 위한 숫나사부(324)를 갖는다. 밀봉캡(320)의 외경은 외측 수지파이프(316)의 외경과 동일하고, 밀봉캡(320)의 내경(관통공 지름)은 내측 수지파이프(312)의 내경과 동일하다. 이처럼, 금속 파이프(314)의 일단은 밀봉캡(320)에 의해 완전히 밀봉됨으로써 처리유체 및 공정처리 과정에서 발생되는 흄 등과의 접촉을 완전히 차단할 수 있다.
노즐팁(330)은 밀봉캡(320)의 숫나사부(324)에 체결되도록 암나사부(334)를 갖으며, 밀봉캡(320)에 설치된다. 노즐팁(330)은 처리유체 공급튜브(302)를 홀딩하도록 처리유체 공급튜브(302)의 외경과 거의 같은 내경을 갖는 끼움홀(332)을 갖으며, 처리유체 공급튜브(302)는 노즐팁(330)의 끼움홀(332)에 끼워져 고정된다. 처리유체 공급튜브(302)의 일단은 노즐팁(330)으로부터 돌출된다.
플랜지(340)는 노즐 몸체(310)의 타단에 설치된다. 플랜지(340)는 구동부(300b)와 연결된다. 플랜지(340)는 노즐몸체(310)의 타단이 끼워지는 삽입공(342)을 갖는다. 노즐몸체(310)의 타단은 플랜지(340)의 삽입공(342)에 끼워진 상태에서 수지 용접(308)으로 금속 파이프(314)가 외부로 노출되지 않도록 밀봉하게 된다. 플랜지(340)는 측면에 다수의 체결공(344)들이 형성되며, 체결공(344)을 통해서는 고정부재(348)들이 삽입되어, 삽입공(342)에 끼워진 노즐몸체(310)의 타 단을 플랜지(340)에 고정시킨다. 삽입공(342)의 지름은 노즐몸체(310)의 외측 수지파이프(316)의 외경과 동일하다. 고정부재(348)는 플랜지(340)의 측면으로부터 삽입되어 노즐몸체(310)의 타단에 체결되는 스크류이며, 스크류는 외측 수지파이프(316)와 금속파이프(314)에 관통되어 체결된다. 이렇게 스크류들을 이용하여 노즐몸체(310)의 타단을 플랜지(340)에 견고하게 고정시킴으로써 스윙 동작시 노즐몸체(310)가 비틀어지는 것을 방지할 수 있다. 주의해야 할 점은 스크류가 내측 수지파이프(312)를 관통해서는 안된다는 점이다. 만약, 스크류가 내측 수지파이프(312)를 관통하게 되면 그 틈새를 통해 처리유체(또는 흄)이 침투해서 금속 파이프(314)를 부식시킬 수 있기 때문이다. 한편, 스크류가 삽입된 체결공(344)은 마감부재를 이용하여 구멍을 메우게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 스윙 노즐 유닛(300)은 노즐 몸체(310)가 금속 파이프(314)를 포함하고 있어 작은 내경을 갖는 파이프 구조임에도 충분한 강성을 갖기 때문에 스윙 동작시 떨림 현상을 방지할 수 있다. 특히 본 발명의 제1스윙 노즐 유닛(300)은 금속 파이프(314)가 내측 수지파이프(312)와 외측 수지 파이프(316)에 의해 보호되고 양단이 밀봉캡(320)과 수지 용접(308)에 의해 밀봉처리됨으로써 처리유체와의 차단을 완벽하게 방지할 수 있어 금속 파이프의 부식을 예방할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따 라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측면 구성도이다.
도 3은 도 1에 도시된 기판 처리 장치에서 용기를 보여주는 측단면도이다.
도 4는 노즐부의 분해 사시도이다.
도 5는 노즐부의 단면도이다.
도 6 및 도 7은 노즐부의 일단과 타단을 각각 확대한 도면들이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 챔버 100 : 처리 용기
200 : 기판 지지부재 300 : 제1스윙노즐유닛
300a : 노즐부 310 : 노즐몸체
320 : 밀봉캡 330 : 노즐팁

Claims (13)

  1. 삭제
  2. 스윙노즐유닛에 있어서:
    처리유체 공급튜브가 위치되는 내부통로를 제공하는 로드 형상의 노즐몸체를 갖는 노즐부를 포함하되;
    상기 노즐몸체는
    내측 수지파이프;
    상기 내측 수지파이프를 감싸도록 설치되는 금속파이프; 및
    상기 금속파이프를 감싸도록 설치되는 외측 수지파이프를 포함하고,
    상기 노즐부는
    중앙에 상기 처리유체 공급튜브가 통과할 수 있는 관통공을 갖으며, 상기 금속파이프의 일단이 외부로 노출되지않도록 상기 내측 수지파이프의 일단과 상기 외측 수지파이프의 일단에 설치되는 밀봉캡을 더 포함하며,
    상기 내측 수지파이프의 일단과 상기 외측 수지파이프의 일단은 상기 금속파이프의 일단보다 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 스윙노즐유닛.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 노즐부는
    상기 밀봉캡에 설치되고, 상기 처리유체 공급튜브를 홀딩하는 노즐팁을 포함하는 것을 특징으로 하는 스윙노즐유닛.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 스윙노즐유닛에 있어서:
    처리유체 공급튜브가 위치되는 내부통로를 제공하는 로드 형상의 노즐몸체와, 상기 노즐몸체의 타단에 설치되는 플랜지를 갖는 노즐부; 및,
    상기 플랜지와 연결되고 상기 노즐부의 회전 및 승강 이동을 위한 구동부를 포함하되;
    상기 노즐몸체는
    내측 수지파이프;
    상기 내측 수지파이프를 감싸도록 설치되는 금속파이프; 및
    상기 금속파이프를 감싸도록 설치되는 외측 수지파이프를 포함하고,
    상기 플랜지는
    상기 노즐몸체의 타단이 끼워지는 삽입공을 갖으며,
    상기 삽입공에 끼워진 상기 노즐몸체의 타단을 고정하기 위해 상기 플랜지의 측면으로부터 삽입되어 상기 노즐몸체의 타단에 체결되는 스크류들을 포함하며,
    상기 스크류는 상기 외측 수지파이프와 상기 금속파이프에 관통되어 체결되는 것을 특징으로 하는 스윙노즐유닛.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
KR1020090089121A 2009-09-21 2009-09-21 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 Active KR101099612B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090089121A KR101099612B1 (ko) 2009-09-21 2009-09-21 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
US12/883,433 US8881996B2 (en) 2009-09-21 2010-09-16 Swing nozzle unit and substrate processing apparatus with swing nozzle unit
JP2010209709A JP5158530B2 (ja) 2009-09-21 2010-09-17 スイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置
TW099131865A TWI426554B (zh) 2009-09-21 2010-09-20 擺動噴嘴單元及具有擺動噴嘴單元之基板處理設備
CN201010288906XA CN102019248B (zh) 2009-09-21 2010-09-21 摆动喷嘴单元以及具有摆动喷嘴单元的基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090089121A KR101099612B1 (ko) 2009-09-21 2009-09-21 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110031745A KR20110031745A (ko) 2011-03-29
KR101099612B1 true KR101099612B1 (ko) 2011-12-29

Family

ID=43755778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090089121A Active KR101099612B1 (ko) 2009-09-21 2009-09-21 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8881996B2 (ko)
JP (1) JP5158530B2 (ko)
KR (1) KR101099612B1 (ko)
CN (1) CN102019248B (ko)
TW (1) TWI426554B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101469547B1 (ko) * 2013-07-30 2014-12-05 주식회사 케이씨텍 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판세정장치
KR101692915B1 (ko) 2016-03-09 2017-01-17 주식회사 포톤 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템
KR20190020541A (ko) 2017-08-21 2019-03-04 신진호 구조 개선된 반도체 장비용 노즐캡

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6044455B2 (ja) * 2013-05-28 2016-12-14 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法
CN104952765B (zh) * 2014-03-26 2017-10-03 斯克林集团公司 基板处理装置、喷嘴以及基板处理方法
JP6377030B2 (ja) * 2015-09-01 2018-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6618113B2 (ja) * 2015-11-02 2019-12-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101853372B1 (ko) * 2016-06-30 2018-06-20 세메스 주식회사 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치
CN112547349A (zh) * 2017-11-28 2021-03-26 日照轩宜信息科技有限公司 一种重型喷液装置
JP6855399B2 (ja) * 2018-01-26 2021-04-07 株式会社スギノマシン ノズルの振れの測定方法及びその装置
KR102143432B1 (ko) * 2018-10-11 2020-08-11 세메스 주식회사 스윙노즐유닛
CN109701943A (zh) * 2019-01-22 2019-05-03 上海提牛机电设备有限公司 一种晶片清洗盆
KR102819040B1 (ko) * 2019-05-21 2025-06-12 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP7297591B2 (ja) * 2019-08-09 2023-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびその製造方法
TWI704897B (zh) * 2020-05-08 2020-09-21 天揚精密科技股份有限公司 多段式噴嘴以及使用多段式噴嘴的烹飪烤爐
CN112443917B (zh) * 2020-12-19 2022-03-01 上海交蓝科技集团有限公司 一种具有空气净化功能的暖通加湿装置及其实施方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008118109A (ja) * 2006-10-13 2008-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルおよびそれを備える基板処理装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2671005B2 (ja) * 1988-04-13 1997-10-29 株式会社 新川 ディスペンサー装置
JPH07211625A (ja) 1994-01-13 1995-08-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置
JP2000070874A (ja) 1998-08-28 2000-03-07 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置及びその方法
US6737113B2 (en) * 2001-01-10 2004-05-18 3M Innovative Properties Company Method for improving the uniformity of a wet coating on a substrate using pick-and-place devices
JP4180306B2 (ja) 2001-06-26 2008-11-12 アルプス電気株式会社 ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置
KR100823245B1 (ko) * 2001-08-21 2008-04-17 삼성전자주식회사 디스크 제조장치 및 그 투과층 형성방법
JP4349606B2 (ja) * 2002-03-25 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法
US20040206373A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Spin rinse dry cell
JP4421611B2 (ja) 2003-08-07 2010-02-24 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP3808072B2 (ja) * 2003-12-05 2006-08-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5118404B2 (ja) * 2006-10-18 2013-01-16 コマツ産機株式会社 プラズマ切断装置およびプラズマトーチの冷却方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008118109A (ja) * 2006-10-13 2008-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルおよびそれを備える基板処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101469547B1 (ko) * 2013-07-30 2014-12-05 주식회사 케이씨텍 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판세정장치
KR101692915B1 (ko) 2016-03-09 2017-01-17 주식회사 포톤 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템
KR20190020541A (ko) 2017-08-21 2019-03-04 신진호 구조 개선된 반도체 장비용 노즐캡

Also Published As

Publication number Publication date
CN102019248A (zh) 2011-04-20
TWI426554B (zh) 2014-02-11
US8881996B2 (en) 2014-11-11
US20110068200A1 (en) 2011-03-24
JP2011066426A (ja) 2011-03-31
CN102019248B (zh) 2013-05-15
TW201137956A (en) 2011-11-01
JP5158530B2 (ja) 2013-03-06
KR20110031745A (ko) 2011-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101099612B1 (ko) 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
KR100987795B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR101579507B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101035983B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 그 장치에서의 배기 방법
WO2018037982A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20120015662A (ko) 기판 처리 장치
JP2009218404A (ja) 基板処理装置
KR101010312B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법
KR100987796B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR101010311B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR101395248B1 (ko) 노즐 유닛
KR101966814B1 (ko) 처리액 공급 유닛 및 기판 처리 장치
KR101570167B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2009246163A (ja) 基板処理装置
JP2007158161A (ja) ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法
KR102030038B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102143432B1 (ko) 스윙노즐유닛
KR101023067B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법
JP6236328B2 (ja) 基板処理装置
KR101329301B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20120009712A (ko) 기판 처리 장치
KR20140085726A (ko) 기판 처리 장치
KR102042635B1 (ko) 매엽식 건조 장치 및 이를 포함하는 매엽식 세정 시스템
KR20120077515A (ko) 기판 처리 장치
JP2009049063A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20090921

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20110419

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20111129

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20111221

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20111222

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141212

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20141212

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151222

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20151222

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161220

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20161220

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171220

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20171220

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181213

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20181213

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191211

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20191211

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221123

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231122

Start annual number: 13

End annual number: 13