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KR101098165B1 - 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관 - Google Patents

전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관 Download PDF

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KR101098165B1
KR101098165B1 KR1020100008215A KR20100008215A KR101098165B1 KR 101098165 B1 KR101098165 B1 KR 101098165B1 KR 1020100008215 A KR1020100008215 A KR 1020100008215A KR 20100008215 A KR20100008215 A KR 20100008215A KR 101098165 B1 KR101098165 B1 KR 101098165B1
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센스기술 주식회사
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Abstract

본 발명은 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관(Silicon Photomultipler)으로서, 보다 구체적으로는 가이거 모드에서 동작하는 다수의 마이크로 픽셀; 상기 마이크로 픽셀 주위에 배치되는 트렌치 전극; 및 상기 마이크로 픽셀 및 상기 트렌치 전극이 안착되는 동시에 외부로 연결되도록 부분적으로 개방된 상태의 기판을 포함하여, 상기 트렌치 전극과 상기 마이크로 픽셀 사이에 역 바이어스를 가함으로써 전기장이 수평으로 형성되는 것을 그 구성상의 특징으로 한다. 특히, 상기 마이크로 픽셀은, p 전도성 타입의 에피택시층; 및 상기 에피택시층 내부에 수직으로 형성되는 PN-접합층을 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명에서 제안하고 있는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관에 따르면, 트렌치 전극과 수직으로 형성된 PN-접합층을 구비하고, 그 사이에 역 바이어스를 가하여 전기장이 수평으로 형성되도록 함으로써, 자외선이 PN-접합층까지 들어가지 않고 표면으로 얇게 입사되어도 트렌치 전극과 PN-접합층 사이에 형성된 전기장에 의해 전자-정공 짝이 형성되어 애벌런치 방전이 발생하도록 하고, 또한 적외선이 깊이 입사되어도 PN-접합층의 전기장에 반응함으로써 전 파장 대(200~900㎚)에서 양자효율을 극대화시킬 수 있다.

Description

전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관{VERTICAL SILICON PHOTOMULTIPLER WITH SUPERIOR QUANTUM EFFICIENCY AT OPTICAL WAVELENGTHS}
본 발명은 실리콘 광전자 증배관에 관한 것으로서, 특히 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관에 관한 것이다.
최근 광센서 분야에서 광전자 증배관(PMT, Photomultipler)을 대체하기 위해 고안된 실리콘 광전자 증배관(Silicon Photomultipler, SiPM)은 기존의 광전자 증배관(PMT)에 비해 크기가 매우 작고, 동작 전압이 매우 낮으며(25~100V), 자기장에 영향을 받지 않는 등 큰 장점을 갖고 있으나, 자외선(200~400㎚) 파장 대의 빛에서는 양자효율이 10% 이하로 매우 낮은 문제점을 갖고 있어서 전 파장 대(200~900㎚)에서 양자효율(quantum efficiency)을 극대화하는 연구가 활발하다.
도 1은 일반적인 실리콘 광전자 증배관의 단면도이다. 실리콘 광전자 증배관(100)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판에 5um이하 두께로 형성된 에피텍시층(130) 내에 순차적으로 P+ 이온과 N+ 이온을 주입하여 PN-접합층(120)을 형성하여 이곳에 높은 전기장이 형성되게 한다. 이때 주입된 빛(광자)에 의해 생성된 전자 - 정공 짝(electron - hole pair)이 전기장에 의해 가속되면서 애벌런치 방전(avalanche breakdown)을 형성하여 신호가 증폭되어 나오게 된다. 그러나 PN-접합층(120)이 기판과 수평으로 형성되기 때문에 전기장이 기판(140)의 바닥 쪽으로 수직으로 형성되므로 자외선(30) 파장 영역 대의 빛은 에피텍시층(130) 내의 PN-접합층(120)까지 투입되는 확률이 낮아 양자효율이 낮아지게 된다. 또한, 빛이 입사되어 반응을 하는 에피텍시층(130)의 두께가 5㎛ 정도이기 때문에 적외선(20) 같이 실리콘 층을 깊게 투과하는 빛 또한 반응 확률이 낮아져서 양자효율이 낮아지는 문제점이 있다.
본 발명은 기존에 제안된 방법들의 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 트렌치 전극과 수직으로 형성된 PN-접합층을 구비하고, 그 사이에 역 바이어스를 가하여 전기장이 수평으로 형성되도록 함으로써, 자외선이 PN-접합층까지 들어가지 않고 표면으로 얇게 입사되어도 트렌치 전극과 PN-접합층 사이에 형성된 전기장에 의해 전자-정공 짝이 형성되어 애벌런치 방전이 발생하도록 하고, 또한 적외선이 깊이 입사되어도 PN-접합층의 전기장에 반응함으로써 전 파장 대(200~900㎚)에서 양자효율을 극대화시킬 수 있는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관(Silicon Photomultipler)은,
가이거 모드에서 동작하는 다수의 마이크로 픽셀;
상기 마이크로 픽셀 주위에 배치되는 트렌치 전극; 및
상기 마이크로 픽셀 및 상기 트렌치 전극이 안착되는 동시에 외부로 연결되도록 부분적으로 개방된 상태의 기판을 포함하여 상기 트렌치 전극과 상기 마이크로 픽셀 사이에 역 바이어스를 가함으로써 전기장이 수평으로 형성되는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 마이크로 픽셀은,
p 전도성 타입의 에피택시층; 및
상기 에피택시층 내부에 수직으로 형성되는 PN-접합층을 포함하여 구성될 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 PN-접합층은,
p 전도성 타입층; 및
상기 p 전도성 타입층의 바깥쪽에 배치되는 n+ 전도성 타입층을 포함하여 구성될 수 있다.
더더욱 바람직하게는, 상기 PN-접합층은, 상기 n+ 전도성 타입층의 두께가 상기 p 전도성 타입층의 두께보다 2㎛ 두꺼울 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 PN-접합층은, 일자 구조, U자 구조, V자 구조 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 PN-접합층은, 높이가 10㎛일 수 있다.
바람직하게는, 상기 트렌치 전극은, 금속을 증착하여 형성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 트렌치 전극은, 상기 마이크로 픽셀 주위에 정사각형 둘레, 정사각형 모서리, 육각형 모서리 중 어느 한 형태로 배치될 수 있다.
바람직하게는, 상기 트렌치 전극은, 높이가 10~13㎛일 수 있다.
본 발명에서 제안하고 있는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관에 따르면, 트렌치 전극과 수직으로 형성된 PN-접합층을 구비하고, 그 사이에 역 바이어스를 가하여 전기장이 수평으로 형성되도록 함으로써, 자외선이 PN-접합층까지 들어가지 않고 표면으로 얇게 입사되어도 트렌치 전극과 PN-접합층 사이에 형성된 전기장에 의해 전자-정공 짝이 형성되어 애벌런치 방전이 발생하도록 하고, 또한 적외선이 깊이 입사되어도 PN-접합층의 전기장에 반응함으로써 전 파장 대(200~900㎚)에서 양자효율을 극대화시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 실리콘 광전자 증배관의 단면도.
도 2는 실리콘 광전자 증배관의 에피택시층 내의 전기장 분포 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 마이크로 픽셀의 단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 마이크로 픽셀의 단면도.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 마이크로 픽셀의 단면도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 트렌치 전극의 배치를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 트렌치 전극의 배치를 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 트렌치 전극의 배치를 나타내는 도면.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일 또는 유사한 부호를 사용한다.
덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 ‘연결’되어 있다고 할 때, 이는 ‘직접적으로 연결’되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 ‘간접적으로 연결’되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 ‘포함’한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명에 따른 실시예에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 일반적인 실리콘 광전자 증배관의 단면도이고, 도 2는 실리콘 광전자 증배관의 에피택시층 내의 전기장 분포 도면이다. 실리콘 광전자 증배관(100)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 천여 개에서 수백 개의 마이크로 픽셀(micropixel)(110)로 구성된 반도체 광 다이오드이다. 실리콘 광전자 증배관의 증폭률(Gain)은 106으로 기존 광전자증배관(PMT)과 같은 정도이다. 실리콘 광전자 증배관(100)의 마이크로 픽셀(110) 크기는 10~100um로 1㎟의 면적당 100~1000개가 집적된다. 실리콘 광전자 증배관(100)의 마이크로픽셀(110)은 공통의 인가전압과 각각의 로드 저항(quenching resistor)으로 작동하며, 출력 신호는 모든 마이크로픽셀(110) 신호의 합이 된다.
실리콘 광전자 증배관(100)은 전압을 걸었을 때, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(115)으로부터 수um 깊이 내에 약한 전기장을 가함으로써 전하들의 편류 영역(drift region)을 형성하고 PN-접합층(120) 즉, p+와 n+ 층 사이에는 매우 강한 전기장이 생기게 하여 얇은 공핍 영역(depletion region)을 만들어 이곳에서 동작전압일 때 가이거 모드(Geiger mode) 방전(breakdown)을 생성한다. 센서의 마이크로 픽셀(110) 내에 빛이 들어오게 되면 광자는 전기장이 높게 걸린 공핍 영역 내에서 전자사태 즉 방전을 발생시킨다. 이때, 한 개의 광자에 의해서 얻는 전류의 증폭률(gain)이 106이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 마이크로 픽셀의 단면도이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관(100)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 가이거 모드에서 동작하는 다수의 마이크로 픽셀(600), 마이크로 픽셀(600) 주위에 배치되는 트렌치 전극(500), 및 마이크로 픽셀(600) 및 트렌치 전극(500)이 안착되는 동시에 외부로 연결되도록 부분적으로 개방된 상태의 기판(200)을 포함하여 트렌치 전극(500)과 마이크로 픽셀(600) 사이에 역 바이어스를 가함으로써 전기장이 수평으로 형성될 수 있도록 한다. 마이크로 픽셀(600)과 트렌치 전극(500)이 외부로 연결될 수 있도록 부분적으로 개방된 기판(200)에 마이크로 픽셀(600)과 마이크로 픽셀(600) 주위에 트렌치 전극(500)을 배치함으로써, 빛을 조사하는 경우 마이크로 픽셀(600)과 트렌치 전극(500) 사이에 형성된 전기장에 의해 전자-정공 짝이 형성되어 애벌런치 방전이 발생하게 된다. 기존의 실리콘 광전자 증배관에서 수평으로 형성된 PN-접합층(120)의 깊이까지 들어오지 못하는 자외선(30)도 표면에 얇게 입사만 되면 마이크로 픽셀(600)과 트렌치 전극(500) 사이에 형성된 전기장에 반응하므로 자외선(30)부터 적외선(20)까지 전 파장 대의 빛이 들어오더라도 반응하여 양자효율을 높일 수 있게 된다.
마이크로 픽셀(600)은, 도 3에 도시된 바와 같이, p 전도성 타입의 에피택시층(300), 및 에피택시층(300) 내부에 수직으로 형성되는 PN-접합층(400)을 포함하여 구성될 수 있다. 빛이 들어와 반응을 하는 영역인 에픽텍시층(300) 내에 수직 구조를 갖는 PN-접합층(400)을 형성하여 전기장을 생성할 수 있게 된다. 또한, 트렌치 전극(500)과 수직으로 형성된 PN-접합층(400)을 포함하여, 그 사이에 역 바이어스를 가하여 전기장이 수평으로 형성되도록 함으로써, 자외선(30)이 PN-접합층(400)까지 들어가지 않고 표면으로 얇게 입사되어도 트렌치 전극(500)과 PN-접합층(400) 사이에 형성된 전기장에 의해 전자-정공 짝이 형성되어 애벌런치 방전이 발생하도록 하고, 또한 적외선(20)이 깊이 입사되어도 PN-접합층(400)의 전기장에 반응함으로써 전 파장 대(200~900㎚)에서 양자효율을 증가시킬 수 있다.
PN-접합층(400)은, 도 3에 도시된 바와 같이, p 전도성 타입층(420), 및 p 전도성 타입층의 바깥쪽에 배치되는 n+ 전도성 타입층(410)을 포함하여 구성될 수 있다. PN-접합층(400)은, p 전도성 타입층(420)과 바깥쪽의 n+ 전도성 타입층(410)을 포함하여 p 전도성 타입층(420)과 n+ 전도성 타입층(410) 사이에 매우 강한 전기장이 생기게 하도록 하여 얇은 공핍 영역을 만들고 이곳에서 동작전압일 때 가이거 모드 방전을 생성할 수 있다.
PN-접합층(400)은, 도 3에 도시된 바와 같이, n+ 전도성 타입층(410)의 두께가 p 전도성 타입층(420)의 두께보다 2㎛ 두꺼울 수 있다. PN-접합층(400)을 형성할 때, n+ 전도성 타입층(410)의 영역을 p 전도성 타입층(420)의 영역보다 2㎛ 정도 두껍게 형성하는 것은, 센서 내의 노이즈를 감소시키기 위함이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 마이크로 픽셀의 단면도이고, 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 마이크로 픽셀의 단면도이다. PN-접합층(400)은, 도 3 내지 도 5 에 도시된 바와 같이, 일자 구조(400), U자 구조(400＇), V자 구조(400＂) 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있다. PN-접합층(400)을 마이크로 픽셀(600)의 에픽택시층(300) 내부에 V자 구조(400), 일자 구조(400＇), U자 구조(400＂) 등의 수직구조로 형성할 경우, PN-접합층(400)과 트렌치 전극(500)사이에 전기장을 형성할 수 있는 동시에, PN-접합층(400)이 V자 구조(400), U자 구조(400＂) 등의 사선형태로 형성되면 가시광선(10), 적외선(20), 자외선(30)등 과 같이 빛이 들어오는 깊이에 차이가 있더라도 PN-접합층(400)에 도달할 수 있어 양자효율을 높이는 역할을 할 수 있다. PN-접합층(400)은 에피텍시층(300) 내에 수직으로 일자 구조, U자 구조, V자 구조의 트렌치를 식각한 이후 트렌치 측면에 PN-접합층(400)을 형성하는 방법으로 형성할 수 있다.
PN-접합층(400)은, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 높이가 10㎛일 수 있다. PN-접합층(400)의 높이를 10㎛ 정도로 형성한 경우, 적외선(20)까지 모두 흡수할 수 있다. 적외선(20)이 실리콘에 깊이 입사되어도 10㎛ 깊이로 형성된 PN-접합층(400)의 전기장에 반응할 수 있다.
트렌치 전극(500)은, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 금속을 증착하여 형성될 수 있다. 수직구조 PN-접합층(400)의 주위에 트렌치를 형성하여 두르고 트렌치의 내부에 금속을 증착하여 트렌치 전극(500)을 형성한다. 10㎛의 두께를 갖는 수직구조 PN-접합층(400)의 주의를 트렌치를 형성하고 이곳에 금속을 증착함으로써, 트렌치 전극(500)과 수직구조 PN-접합층(400) 사이에 역 바이어스를 가하게 함으로써 전기장이 수평으로 형성되게 하는 구조를 만든다. 이로써, 빛이 얇게 또는 깊게 입사되더라도 수평으로 형성된 전기장에 반응할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 트렌치 전극의 배치를 나타내는 도면이고, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 트렌치 전극의 배치를 나타내는 도면이며, 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수직구조의 실리콘 광전자 증배관을 구성하는 트렌치 전극의 배치를 나타내는 도면이다. 트렌치 전극(500)은, 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 마이크로 픽셀(600) 주위에 정사각형 둘레, 정사각형 모서리, 육각형 모서리 중 어느 한 형태로 배치될 수 있다. 트렌치 전극(500)은 PN-접합층(400)이 포함된 마이크로 픽셀(600) 주위에 배치되어 수직으로 형성된 PN-접합층(400)과의 사이에 역 바이어스를 가하여 전기장이 수평으로 형성시키는 역할을 할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 마이크로 픽셀(600) 주위에 정사각형 모양으로 트렌치를 형성하여 둘러 트렌치의 내부에 금속을 증착하여 트렌치 전극(500)을 형성할 수 있다. 또는, 도 7에 도시된 바와 같이, 마이크로 픽셀(600) 주위의 정사각형 모서리 부분에만 트렌치를 형성하여 트렌치의 내부에 금속을 증착하여 트렌치 전극(500)을 형성할 수 있고, 도 8에 도시된 바와 같이, 마이크로 픽셀(600) 주위의 육각형 모서리 부분에만 트렌치를 형성하여 트렌치의 내부에 금속을 증착하여 트렌치 전극(500)을 형성할 수도 있다. 트렌치 전극(500)은 마이크로 픽셀(600) 주위에 배치되는 형태에 따라, 인가전압과 PN-접합층(400)과 트렌치 전극(500) 사이에 형성되는 전기장의 세기 또는 형태 등을 조절할 수 있다.
트렌치 전극(500)은, 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 높이가 10~13㎛일 수 있다. 빛이 들어와 반응을 하는 영역인 에픽텍시층(300) 내에 10㎛ 깊이의 수직 구조를 갖는 PN-접합층(400)을 형성하고, 그 주위에 10~13㎛ 깊이의 전극 트렌치 전극(500)을 형성하여 PN-접합층(400)과 트렌치 전극(500) 사이에 역 바이어스를 걸게 되면 전기장이 형성되게 하는 구조를 만든다. 트렌치 전극(500)의 높이는 PN-접합층(400)과 같이 10㎛ 정도로 하거나 보다 높은 13㎛ 정도로 할 경우, PN-접합층(400)과 트렌치 전극(500) 사이에 역 바이어스를 가하게 되면 전기장이 수평으로 균일하게 형성할 수 있다.
이상 설명한 본 발명은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형이나 응용이 가능하며, 본 발명에 따른 기술적 사상의 범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 가시광선 20: 적외선
30: 자외선 100: 실리콘 광전자 증배관
110: 마이크로 픽셀 120: PN-접합층
130: 에피텍시층 140: 기판
200: 기판 300: 에피텍시층
400: PN-접합층 410: n+ 전도성 타입층
420: p 전도성 타입층 500: 트렌치 전극
600: 마이크로 픽셀

Claims (9)

  1. 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관(Silicon Photomultipler)으로서,
    가이거 모드에서 동작하는 다수의 마이크로 픽셀;
    상기 마이크로 픽셀 주위에 배치되는 트렌치 전극; 및
    상기 마이크로 픽셀 및 상기 트렌치 전극이 안착되는 동시에 외부로 연결되도록 부분적으로 개방된 상태의 기판을 포함하여, 상기 트렌치 전극과 상기 마이크로 픽셀 사이에 역 바이어스를 가함으로써 전기장이 기판과 수평으로 형성되며,
    상기 마이크로 픽셀은,
    p 전도성 타입의 에피택시층; 및
    상기 에피택시층 내부에 상기 에피택시층과 수직을 포함하는 비수평으로 형성되는 PN-접합층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 PN-접합층은,
    p 전도성 타입층; 및
    상기 p 전도성 타입층의 바깥쪽에 배치되는 n+ 전도성 타입층
    을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관.
  4. 제3항에 있어서, 상기 PN-접합층은,
    상기 n+ 전도성 타입층의 두께가 상기 p 전도성 타입층의 두께보다 2㎛ 두꺼운 것을 특징으로 하는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관.
  5. 제1항에 있어서, 상기 PN-접합층은,
    일자 구조, U자 구조, V자 구조 중 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관.
  6. 제1항에 있어서, 상기 PN-접합층은,
    높이가 10㎛인 것을 특징으로 하는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관.
  7. 제1항에 있어서, 상기 트렌치 전극은,
    금속을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관.
  8. 제1항에 있어서, 상기 트렌치 전극은,
    상기 마이크로 픽셀 주위에 정사각형 둘레, 정사각형 모서리, 육각형 모서리 중 어느 한 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관.
  9. 제1항에 있어서, 상기 트렌치 전극은,
    높이가 10~13㎛인 것을 특징으로 하는, 것을 특징으로 하는, 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관.
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