KR101095046B1 - 솔리드 스테이트 디스크 및 이를 포함하는 사용자 시스템 - Google Patents
솔리드 스테이트 디스크 및 이를 포함하는 사용자 시스템 Download PDFInfo
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 293
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 73
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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Abstract
Description
도 2는 도 1의 사용자 시스템에서의 주메모리와 SSD 사이의 데이터 전송을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시 예에 따른 사용자 시스템을 보여주는 블록도이다.
도 4는 도 3의 사용자 시스템에서의 주메모리와 SSD 사이의 데이터 전송을 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시 예에 따른 사용자 시스템을 보여주는 블록도이다.
도 6은 도 5의 사용자 시스템에서의 주메모리와 SSD 사이의 데이터 전송을 설명하기 위한 블록도이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 SSD를 보여주는 블록도이다.
도 8은 도 7에 도시된 SSD 컨트롤러(1210)의 구성을 예시적으로 보여주는 블록도이다.
100: 본 발명이 다른 기술적 사상의 실시 예에 따른 사용자 시스템
200: 본 발명이 다른 기술적 사상의 실시 예에 따른 사용자 시스템
Claims (21)
- 중앙 처리 장치에 의하여 처리된 데이터를 저장하기 위한 주메모리; 및
상기 주메모리에 저장된 데이터 중 선택된 데이터를 저장하기 위한 솔리드 스테이트 디스크를 포함하며,
상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크는 단일 메모리 계층 구조를 형성하는 사용자 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 주메모리는 상기 솔리드 스테이트 디스크에 연결되어 직접 데이터 전송 경로를 형성하는 사용자 시스템. - 제 2 항에 있어서,
상기 주메모리에 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 노스 브리지; 및
상기 노스 브리지 및 상기 솔리드 스테이트 디스크에 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 사우스 브리지를 더 포함하며,
상기 직접 데이터 전송 경로는 상기 노스 브리지 및 상기 사우스 브리지를 경유하지 않는 사용자 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 솔리드 스테이트 디스크는 상기 직접 데이터 전송 경로를 통한 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 직접 데이터 접근 장치(DMA device)를 포함하는 사용자 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 직접 데이터 전송 경로를 통한 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 1 직접 데이터 접근 장치; 및
상기 노스 브리지를 경유하는 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 2 직접 데이터 접근 장치를 더 포함하는 사용자 시스템. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 직접 데이터 접근 장치는 상기 솔리드 스테이트 디스크에 포함되고, 상기 제 2 직접 데이터 접근 장치는 상기 사우스 브리지에 포함되는 사용자 시스템. - 제 2 항에 있어서,
상기 주메모리 및 상기 솔리드 스테이트 디스크는 노스 브리지에 각각 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 사용자 시스템. - 제 7 항에 있어서,
상기 직접 데이터 전송 경로는 상기 노스 브리지를 경유하지 않는 사용자 시스템. - 제 8 항에 있어서,
상기 직접 데이터 전송 경로를 통한 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 1 직접 데이터 접근 장치; 및
상기 노스 브리지를 경유하는 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 2 직접 데이터 접근 장치를 더 포함하는 사용자 시스템. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 직접 데이터 접근 장치는 상기 솔리드 스테이트 디스크에 포함되고, 상기 제 2 직접 데이터 접근 장치는 상기 노스 브리지에 포함되는 사용자 시스템. - 데이터를 저장하기 위한 불휘발성 메모리 영역;
상기 불휘발성 메모리 영역에 저장된 데이터 중 선택된 데이터를 임시로 저장하기 위한 휘발성 메모리 영역; 및
상기 휘발성 메모리 영역 또는 상기 불휘발성 메모리 영역에 저장된 데이터와 사용자 시스템의 주메모리 사이의 직접 데이터 전송을 지원하기 위한 직접 데이터 접근 장치를 포함하는 솔리드 스테이트 디스크. - 제 11 항에 있어서,
상기 시스템의 주메모리와 통신하기 위한 주메모리 인터페이스를 더 포함하며, 상기 시스템의 주메모리와 상기 주메모리 인터페이스 사이에는 직접 데이터 전송 경로가 형성되는 솔리드 스테이트 디스크. - 제 12 항에 있어서,
상기 시스템의 주메모리는 상기 불휘발성 메모리 영역에 저장된 데이터를 임시로 저장하기 위한 캐시 버퍼로 사용되는 솔리드 스테이트 디스크. - 제 13 항에 있어서,
상기 주메모리 인터페이스에 연결되며, 상기 시스템의 주메모리를 제어하기 위한 주메모리 컨트롤러를 더 포함하는 솔리드 스테이트 디스크. - 제 14 항에 있어서,
상기 불휘발성 메모리 영역은 플래시 메모리, PRAM, FRAM, RRAM 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 디스크. - 휘발성 메모리이며, 중앙 처리 장치의 제어에 처리된 데이터를 저장하는 제 1 메모리 영역;
불휘발성 메모리이며, 상기 제 1 메모리 영역에 저장된 데이터 중 선택된 데이터를 저장하는 제 2 메모리 영역; 및
상기 제 1 및 제 2 메모리 영역에 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 브리지 영역을 포함하며,
상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역은 단일 메모리 계층 구조를 형성하는 사용자 시스템. - 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역 사이에는 직접 데이터 전송 경로가 형성되는 사용자 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 브리지 영역은
상기 제 1 메모리 영역에 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 제 1 브리지; 및
상기 제 1 브리지 및 상기 제 2 메모리 영역에 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 제 2 브리지를 포함하며,
상기 직접 데이터 전송 경로는 상기 제 1 및 제 2 브리지를 경유하지 않는 사용자 시스템. - 제 18 항에 있어서,
상기 제 2 메모리 영역은 상기 직접 데이터 전송 경로를 통한 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 1 직접 메모리 접근 장치를 포함하고,
상기 제 2 브리지는 상기 제 1 및 제 2 브리지를 경유하는 데이터 전송 경로를 통한 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 2 직접 메모리 접근 장치를 포함하는 사용자 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 브리지 영역은 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역에 연결되며, 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역은 동일한 인터페이스를 사용하여 상기 브리지 영역과 통신하는 사용자 시스템. - 제 20 항에 있어서,
상기 제 2 메모리 영역은 상기 직접 데이터 전송 경로를 통한 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 1 직접 메모리 접근 장치를 포함하고,
상기 브리지 영역은 상기 브리지 영역을 경유하는 데이터 전송 경로를 통한 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 2 직접 메모리 접근 장치를 포함하는 사용자 시스템.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100017109A KR101095046B1 (ko) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 솔리드 스테이트 디스크 및 이를 포함하는 사용자 시스템 |
US13/581,126 US8775711B2 (en) | 2010-02-25 | 2011-02-10 | Solid-state disk, and user system comprising same |
PCT/KR2011/000902 WO2011105708A2 (ko) | 2010-02-25 | 2011-02-10 | 솔리드 스테이트 디스크 및 이를 포함하는 사용자 시스템 |
US14/147,924 US9996456B2 (en) | 2010-02-25 | 2014-01-06 | Solid-state disk, and user system comprising same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100017109A KR101095046B1 (ko) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 솔리드 스테이트 디스크 및 이를 포함하는 사용자 시스템 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110097319A KR20110097319A (ko) | 2011-08-31 |
KR101095046B1 true KR101095046B1 (ko) | 2011-12-20 |
Family
ID=44507339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100017109A KR101095046B1 (ko) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 솔리드 스테이트 디스크 및 이를 포함하는 사용자 시스템 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8775711B2 (ko) |
KR (1) | KR101095046B1 (ko) |
WO (1) | WO2011105708A2 (ko) |
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2010
- 2010-02-25 KR KR1020100017109A patent/KR101095046B1/ko active IP Right Grant
-
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- 2011-02-10 US US13/581,126 patent/US8775711B2/en active Active
- 2011-02-10 WO PCT/KR2011/000902 patent/WO2011105708A2/ko active Application Filing
-
2014
- 2014-01-06 US US14/147,924 patent/US9996456B2/en active Active
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Also Published As
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---|---|
US20130073772A1 (en) | 2013-03-21 |
WO2011105708A3 (ko) | 2011-11-24 |
US20140122784A1 (en) | 2014-05-01 |
US8775711B2 (en) | 2014-07-08 |
KR20110097319A (ko) | 2011-08-31 |
WO2011105708A2 (ko) | 2011-09-01 |
US9996456B2 (en) | 2018-06-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20100225 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20110429 Patent event code: PE09021S01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20111130 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20111209 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20111212 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140618 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140618 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151201 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20151201 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161205 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20161205 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171204 Year of fee payment: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20171204 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181224 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181224 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191216 Year of fee payment: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20191216 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201207 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211201 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221122 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231106 Start annual number: 13 End annual number: 13 |