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KR101094127B1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 Download PDF

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KR101094127B1
KR101094127B1 KR1020100014004A KR20100014004A KR101094127B1 KR 101094127 B1 KR101094127 B1 KR 101094127B1 KR 1020100014004 A KR1020100014004 A KR 1020100014004A KR 20100014004 A KR20100014004 A KR 20100014004A KR 101094127 B1 KR101094127 B1 KR 101094127B1
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light emitting
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이창형
김하철
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일진반도체 주식회사
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Abstract

일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 몰드 컵 내에 배치되는 서브-패키지, 상기 서브-패키지와 전기적으로 연결되며 상기 몰드 컵 외부로 확장되어 배치되는 리드 단자 및 상기 몰드 컵 내의 상기 서브-패키지를 둘러싸도록 배치되는 봉지 수지층을 포함한다. 상기 서브-패키지는 상기 리드 단자와 전기적으로 연결되는 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 배치되는 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 형광체 수지층 및 상기 발광 다이오드 칩과 상기 형광체 수지층을 수용하는 투광성 재질의 컵부를 구비한다.

Description

발광 다이오드 패키지 {Light Emitting Diode Package}
본 출원은 대체로 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 다이오드 칩을 이중으로 몰딩하는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드는 P-N 접합의 양단에 순방향의 전류를 인가하여 광을 방출하도록 하는 광전 변환 소자이다. 발광 다이오드는 각종 전자 표시 장치 등에 널리 적용되고 있으며, 최근에 백색광을 구현하는 기술이 개발되어 조명 장치로도 그 응용 범위를 넓히고 있다.
상기 백색광을 구현하는 기술의 일 예는 청색 발광의 화합물 반도체를 적용하는 발광 다이오드와 황색 계열의 발광 물질의 형광체를 이용하는 것이다. 상기 형광체는 다양한 화합물이 적용되고 있으며, 신뢰성 있는 백색광을 구현하기 위한 연구가 지속되고 있다. 상술한 상기 청색 발광 다이오드와 상기 황색 형광체를 이용하여 백색광을 구현하는 기술의 경우, 적용되는 형광체의 종류에 따라 방출되는 백색광의 파장은 다양한 분포 특성을 보이게 된다.
이에 대하여 조명용 백색 발광장치에 있어서 광질을 평가하는 기준의 하나로 연색성 평가지수(CRI)를 들 수 있는데, CRI는 태양광을 물체에 비출 때를 기준(CRI = 100, 단위는 Ra)으로 인공 조명기구의 빛을 물체에 비출 때 15개 기준색상을 인지하는 정도를 나타낸 평가지수를 말한다. 현재 백열전구의 CRI는 80 이상이고 형광램프의 경우는 75 이상인데, 상용화된 백색 발광장치의 CRI는 대략 65∼75 정도를 나타낸다. 최근 업계의 관심은 기준 광원에 가까운 CRI가 높은 고연색성 백색광 구현하는 기술에 있으며, 일 예로 한국공개특허 2005-0071780은 다층의 형광체층을 적층하여 고연색성의 백색광 구현 기술을 개시하고 있다. 이상과 같이, 발광 다이오드에서 고연색성을 가진 백색광을 보다 경제적이고 신뢰성 있게 구현할 수 있는 새로운 기술의 등장을 업계는 기대하고 있는 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 외부 환경으로부터 효과적으로 보호되어 신뢰성 있는 발광을 하는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 단일의 패키지 내부에서 원하는 색온도를 가지는 발광을 구현할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
상기의 기술적 과제를 이루기 위한 본 출원의 일 측면에 따른 발광 다이오드 패키지는 몰드 컵 내에 배치되는 서브-패키지, 상기 서브-패키지와 전기적으로 연결되며 상기 몰드 컵 외부로 확장되어 배치되는 리드 단자 및 상기 몰드 컵 내의 상기 서브-패키지를 둘러싸도록 배치되는 봉지 수지층을 포함한다. 상기 서브-패키지는 상기 리드 단자와 전기적으로 연결되는 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 배치되는 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 형광체 수지층 및 상기 발광 다이오드 칩과 상기 형광체 수지층을 수용하는 투광성 재질의 컵부를 구비한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 몰드 컵 내에 배치되는 상기 서브-패키지는 복수 개일 수 있다. 상기 복수의 서브-패키지는 상기 몰드 컵 내에서 전기적으로 병렬 또는 직렬로 연결될 수 있다. 상기 복수의 서브-패키지로부터 방출되는 빛은 서로 혼색되어 외부로 방출될 수 있다.
다른 실시 예에 따르면, 상기 봉지 수지층은 외부로부터 유입되는 수분 또는 가스가 상기 서브-패키지와 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
또 다른 실시 예에 따르면, 상기 패키지 몸체의 상기 투광성 재질의 상기 컵부는 상기 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면 방향으로 광을 투과시킬 수 있다.
또 다른 실시 예에 따르면, 상기 형광체 수지층 및 상기 봉지 수지층은 적어도 한층의 형광체 구비층과 적어도 한층의 봉지층을 포함하는 복층 구조물일 수 있다.
본 출원에 따르는 발광 다이오드 패키지는 형광체 수지층 및 이와 구분되는 봉지 수지층을 구비할 수 있으며, 상기 봉지 수지층은 발광을 담당하는 서브-패키지를 외부 습기 또는 외부 가스로부터 보호할 수 있다. 이를 통해, 발광 특성과 관련된 기계적 전기적 신뢰성을 개선하는 발광 다이오드 패키지를 구현할 수 있다.
본 출원에 따르는 발광 다이오드 패키지는 상기 서브-패키지가 투광성의 재질의 컵부를 구비함으로써, 넓은 지향각을 가지는 발광을 할 수 있다. 따라서, 서로 다른 파장의 발광을 구현하는 복수의 상기 서브-패키지를 몰딩 컵 내에 실장함으로써 다양한 색온도를 가지는 발광 다이오드 패키지를 구현할 수 있다.
도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 설명하는 도면이다.
도 2는 본 출원의 일 실시 예에 따른 도 1의 발광 다이오드 패키지를 A-A’라인을 따라 절취한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 실시 예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상의 동일 부호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 설명하는 도면이다. 도 1의 (a)는 상기 발광 다이오드 패키지의 전개도이며, 도 1의 (b)는 상기 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 1의 (a) 및 (b)를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)은 몰드 컵(110), 서브-패키지(120), 리드 단자(130) 및 봉지 수지층(140)을 포함한다. 몰드 컵(110)은 내부에 서브-패키지(120)를 수용할 수 있다. 도시된 바와 같이, 몰드 컵(110)은 복수의 서브-패키지(120)를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 몰드 컵(110)은 상기 복수의 서브-패키지(120)를 서로 전기적으로 연결하는 도전 베이스를 포함할 수 있다. 상기 도전 베이스는 몰드 컵(110)의 양단에서 외부로 확장되어 배치되는 리드 단자(130)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원으로부터 인가되는 전기적 신호를 상기 복수의 서브-패키지(120)로 전달할 수 있다.
서브-패키지(120)는 발광 다이오드 칩 및 형광체 수지층을 포함하고 있으며, 리드 단자(130)와 전기적으로 연결되는 리드 프레임을 구비할 수 있다. 상기 형광체 수지층은 형광체 및 상기 형광체를 균일하게 수용하는 수지를 포함한다. 상기 발광 다이오드 칩은 고유의 파장의 빛을 발생시킬 수 있으며, 상기 형광체 수지층은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 발생된 빛을 소정의 다른 파장을 가진 빛으로 변환할 수 있다. 서브-패키지(120)는 상기 리드 프레임 및 리드 단자(130)를 통해 외부 신호를 수신하고, 이에 대응하여 소정의 파장을 가진 빛을 발광한다. 일 실시 예에 따르면, 서브-패키지(120)는 몰드 컵(110) 내에 복수 개로 존재할 수 있으며, 상기 복수 개의 서브-패키지(120)는 전기적으로 병렬 또는 직렬로 연결되도록 배치될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 상기 복수 개의 서브-패키지(120) 중 적어도 하나는 나머지 서브-패키지와 서로 다른 파장의 빛을 방출할 수 있다. 상기 복수 개의 서브-패키지(120)로부터 방출되는 서로 다른 파장을 가지는 빛은 서로 혼색되어 다양한 색온도를 구현할 수 있다. 이러한 서로 다른 파장을 가지는 빛은 서브-패키지(120) 내의 발광 다이오드 칩의 종류 또는 형광체 수지층의 종류를 달리 적용함으로써 획득할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 복수의 서브-패키지(120)는 각각 적색, 녹색 및 청색 파장을 발광하는 서브-패키지를 포함할 수 있다. 일 예로서, 상기 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 서브-패키지는, 동일한 파장의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩들을 제공하고 상기 발광 다이오드 칩들 상부에 각각 적색, 녹색, 청색의 파장으로 변환할 수 있는 서로 다른 형광체 수지층을 배치함으로써 구현할 수 있다. 구체적으로, 상기 형광체 수지층 내의 적색계 형광체는 600nm 이상 660 nm 미만의 파장영역에서 발광피크를 가질 수 있으며, 상기 형광체 수지층 내의 녹색계 형광체는 500nm 이상 550nm 이하의 파장영역에서 발광피크를 가질 수 있다. 또, 상기 형광체 수지층 내의 청색계 형광체는 460nm 이상 500nm 미만의 파장영역에서 발광피크를 가질 수 있다. 다른 예로서, 상기 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 서브-패키지는, 서로 다른 파장의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩들을 제공하고, 상기 발광 다이오드 칩들 상에 서로 동일하거나 다른 파장으로 변환할 수 있는 형광체 수지층들을 각각 배치함으로써 구현할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기의 서브-패키지들은 빛의 삼원색을 발광할 수 있으므로 발광 다이오드 패키지(100)는 상기의 각 서브-패키지가 발광하는 적색, 녹색 및 청색을 혼색함으로써 백색을 구현할 수 있다. 또는, 발광 다이오드 패키지(100)는 각 서브-패키지가 방출하는 빛의 세기를 조절함으로써 색좌표의 다양한 색을 제조할 수 있다.
다른 실시 예에 의하면, 상기 복수 개의 서브-패키지(120)는 실질적으로 동일한 파장의 빛을 방출할 수 있다. 서브-패키지(120) 내의 발광 다이오드 칩 및 형광체 수지층을 동일하게 적용함으로써, 상기 복수 개의 서브-패키지(120)는 서로 동일한 색상의 빛을 방출할 수 있다. 일 예로서, 서브-패키지(120) 내의 상기 발광 다이오드 칩으로서 GaN, InGaN, AlGaN 또는 AlGaInN 와 같은 질화갈륨계열의 청색 발광 다이오드 칩을 사용하고, 형광체로서 이트륨-알루미늄-가넷(Yttrium Aluminum, Garnet, YAG), 테르비움-알루미늄-가넷(Terbium, Aluminum, Garnet, TAG) 또는 실리케이트 화합물을 사용하여 백색을 발광하는 서브-패키지를 제공할 수 있다.
리드 단자(130)는 서브-패키지(120)와 전기적으로 연결되며 몰드 컵(110)의 양단에서 외부로 확장되어 배치될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 리드 단자(130)는 대응되는 복수의 서브-패키지(120)와 전기적 직렬 또는 병렬로 연결되도록 배치될 수 있다. 발광 다이오드 패키지(100)는 인쇄회로기판에 실장될 수 있으며, 이 경우, 리드 단자(130)은 상기 인쇄회로기판의 회로와 연결되어 외부 전원으로부터 전압을 제공받을 수 있다. 리드 단자(130)는 상기 전압을 서브-패키지(120)에 인가하여 서브-패키지가 발광하게 할 수 있다.
봉지 수지층(140)은 몰드 컵(110) 내의 서브-패키지(120)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 봉지 수지층(140)은 투광성을 지니며, 일 예로서, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 실리콘과 에폭시의 혼합 수지 등으로 이루어질 수 있다. 봉지 수지층(140)은 발광 다이오드 패키지(100) 내부에서 발생한 빛을 외부로 투과시킬 수 있다. 봉지 수지층(140)은 발광 다이오드 패키지(100) 외부로부터 수분 또는 가스가 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
발명자는, 발광 다이오드 패키지(100) 외부에서 수분 또는 가스가 내부로 유입되는 경우, 상기 수분 또는 가스가 상기 형광체 수지층의 상기 형광체와 반응할 수 있으며, 이로서 형광체가 오염될 수 있다는 것을 발견하였다. 이렇게 형광체가 오염되는 경우, 발광 다이오드 칩으로부터 발생된 빛의 파장이 신뢰성 있게 소정의 파장으로 변환될 수 없게 되고, 이에 따라 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출되는 빛의 색온도도 변화하게 된다. 발광 다이오드 패키지(100) 내에서 형광체 수지층은 발광 다이오드 칩을 둘러싸도록 배치되고, 형광체 및 상기 형광체를 수용하는 몰딩 수지로 이루어 질 수 있다. 일반적으로 상기 형광체의 비중은 상기 몰딩 수지보다 높아서 상기 몰딩 수지 내에 균일하게 분포하지 않으며, 특히 상기 형광체 수지층의 하부에 상기 형광체가 분포할 수 있다. 이 때, 일 예로서, 외부로부터 유입된 수분이나 가스가 리드 프레임 등을 통해 상기 형광체와 접촉하는 경우, 상기 형광체가 오염될 수 있다. 이로서, 국부적으로 오염된 형광체는 발광 다이오드 칩으로부터 발생하는 빛의 파장을 정상적으로 변환하지 못하게 된다. 본 실시 예에서, 봉지 수지층(140)을 별도로 적용함으로써, 상기 형광 수지층이 외부의 수분 또는 가스와 접촉하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 봉지 수지층(140)의 수분 및 소정의 가스가 침투하지 못하는 재질을 선택할 수 있다.
상술한 본 실시 예에 따르면, 서브-패키지는 발광 다이오드 칩을 형광체를 포함하는 형광체 수지층으로 패키지하고, 발광 다이오드 패키지는 상기 서브-패키지를 봉지 수지층으로 패키지한다. 이로서, 상기 발광 다이오드 칩을 형광체 수지층 및 봉지 수지층을 사용하여 이중으로 몰딩하는 상기 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다. 상기 서브-패키지는 발광 다이오드 칩으로부터 발생하는 빛을 소정의 파장으로 변환시켜 방출하는 기능을 하며, 상기 발광 다이오드 패키지는 복수의 상기 서브-패키지로부터 발생하는 빛을 혼색시켜 소정의 색온도를 가진 빛으로 변환할 수 있다. 상기 변환된 소정의 색온도를 가진 빛은 상기 발광 다이오드 외부로 방출할 수 있다. 또, 상기 발광 다이오드 패키지의 상기 봉지 수지층은 외부로부터 유입되는 수분 또는 가스가 상기 서브-패키지와 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
도 2는 본 출원의 일 실시 예에 따른 도 1의 발광 다이오드 패키지를 A-A’라인을 따라 절취한 단면도이다. 도 2를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)은 몰딩 컵(110) 내에 배치되는 서브-패키지(120) 및 서브-패키지(120)를 둘러싸는 봉지 수지층(140)을 포함한다.
서브-패키지(120)은 서브-패키지 몸체(210), 리드 프레임(220), 발광 다이오드 칩(230) 및 형광체 수지층(260)을 포함한다. 발광 다이오드 칩(230)은 리드 프레임(220) 상에 배치된다. 리드 프레임(220)은 발광 다이오드 칩(230)과 도전 베이스(212)를 전기적으로 연결한다. 도전 베이스(212)는 도 1에 도시된 대응하는 리드 단자(130)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원으로부터 전압을 인가 받을 수 있다. 도시된 바와 같이, 한 쌍의 도전 베이스(212) 양단에 걸리는 상기 전압은 리드 프레임(220)과 본딩 와이어(250)을 거쳐 발광 다이오드 칩(230)에 인가된다. 이에 대응하여, 발광 다이오드 칩(230)은 고유의 파장을 지닌 빛을 방출한다. 형광체 수지층(260)은 몰딩 수지 내에 형광체가 고르게 분산된 형태의 구조물일 수 있다. 상기 몰딩 수지는 일 예로서, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 실리콘 수지, 또는 이들의 혼합 수지일 수 있다. 일 예로서, 백색 광을 발광하는 발광 다이오드 패키지의 경우, GaN 계열의 청색 발광 다이오드 칩을 사용하고, 형광체로서 이트륨-알루미늄-가넷(Yttrium Aluminum, Garnet, YAG), 테르비움-알루미늄-가넷(Terbium, Aluminum, Garnet, TAG) 또는 공지의 실리케이트 계 화합물을 사용할 수 있다.
컵부(270)는 서브-패키지 몸체(210)의 상부에 배치되며, 발광 다이오드 칩(230) 및 형광체 수지층(260)을 수용한다. 컵부(270)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 발광 다이오드 칩(230)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 투광성 재질의 컵부(270)는 발광 다이오드 칩(230)으로부터 발생하는 빛 또는 형광체 수지층(260)과 반응하여 파장이 변환된 빛을 발광 다이오드 칩(230)의 측면 방향(즉, X 방향)으로도 투과시킬 수 있다. 이로서, 서브-패키지(120)은 발광 다이오드 칩(230)의 상면(즉, Y 방향) 및 측면 방향(즉, X 방향)을 포함하는 보다 넓은 방향으로 빛을 방출할 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 따르면, 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지(100)는 복수개의 서브-패키지를 구비할 수 있으며, 각각의 서브-패키지에서의 투광성 재질의 컵부는 발광 다이오드 칩의 측면 방향으로도 빛을 투과시킬 수 있다. 따라서, 상기 각각의 서브-패키지는 상면 및 측면 방향으로 빛을 방출할 수 있어서, 단일의 발광 다이오드 칩이 가지는 지향각과 실질적으로 동일한 지향각을 가질 수 있다. 이로서, 각각의 서브-패키지로부터 발생되는 빛은 발광 다이오드 패키지(100)에서 보다 효율적으로 혼색될 수 있다. 그리고, 효율적으로 혼색된 빛은 발광 다이오드 패키지(100) 외부로 방출됨으로써, 고연색성과 고휘도를 구현할 수 있도록 한다. 발광 다이오드 패키지(100)는 서로 다른 색상을 발광하는 복수의 서브-패키지를 구비할 수 있으므로, 상기 서로 다른 색상을 효율적으로 혼색하여 색좌표의 다양한 색상을 구현할 수 있다.
몇몇 실시 예들에 따르면, 형광층 수지층(260)은 적어도 한 층의 형광체 구비층과 적어도 한 층의 봉지층을 포함할 수 있다. 일 예로서, 형광층 수지층(260)은 두 층 이상의 형광체 구비층을 포함할 수 있다. 상기 두 층 이상의 형광체 구비층은 서로 동일하거나 상이한 형광체를 포함할 수 있다. 상기 두 층 이상의 형광체 구비층은 발광 다이오드 칩(230)으로부터 발생하는 빛의 파장을 효과적으로 변환시키는 역할을 할 수 있다. 상기 적어도 한 층의 봉지층은 상기 적어도 한 층의 형광체 구비층 상부에 배치되어, 외부로부터 유입되는 습기 또는 가스가 상기 적어도 한 층의 형광체 구비층과 접촉하는 것을 보다 효과적으로 방지하는 역할을 할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(300)은 발광 다이오드 패키지(100)에서 몰드 컵(110)의 상부에 렌즈부(310)를 더 포함한다. 렌즈부(310)은 발광 다이오드 패키지(300)의 상면으로 방출되는 빛을 수렴하여 적절한 방향성을 부여할 수 있다. 발광 다이오드 패키지(300)는 복수의 서브-패키지에서 방출된 빛을 혼합하여, 상부의 렌즈부(310)을 통해 고연색성 및 고휘도의 빛으로 방출할 수 있다. 또한, 다양한 색상의 구현이 가능하므로 야외 경관 조명, 공장등, 실내외 무드조명으로 기능할 수 있으며, 디스플레이의 백라이트와 같은 전기기기에 효율적으로 작용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 출원의 실시예들에 따르면, 발광 다이오드 칩을 형광체 수지층으로 일차적으로 패키징하여 서브-패키지를 형성한다. 발광 다이오드 패키지는 상기 서브-패키지를 봉지 수지층으로 이차적으로 패키징한다. 서브-패키지는 형광체를 포함하는 수지층을 사용하여, 발광 다이오드 칩으로부터 발생하는 빛을 원하는 소정의 파장으로 가장 효율적으로 변환하도록 한다. 형광체 수지층은 상기 봉지 수지층에 의해 외부의 습기 또는 가스로부터 격리되므로, 형광체 오염과 같은 문제점을 해결할 수 있다. 상기 서브-패키지는 상기 발광 다이오드 패키지 내에서 복수 개로 배치되며, 상기 서브-패키지 내의 컵부는 복수의 서브-패키지로부터 방출되는 빛을 보다 효율적으로 혼색되게 작용한다. 이로서, 발광 다이오드 패키지는 다양한 색상의 발광을 구현할 수 있으며, 고연색성 및 고휘도를 가진 빛을 제공할 수 있게 된다.
이와 같이, 상기에서는 본 개시된 기술의 바람직한 실시 예를 참조하여 발광 다이오드 패키지를 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 개시된 기술의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 개시된 기술을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 300: 발광 다이오드 패키지, 110: 몰드 컵, 120: 서브-패키지, 130: 리드 단자, 140: 봉지 수지층,
210: 서브-패키지 몸체, 212: 도전 베이스, 220: 리드 프레임, 230: 발광 다이오드 칩, 250: 본딩 와이어, 260: 형광체 수지층, 270: 컵부,
310: 렌즈부

Claims (9)

  1. 발광 다이오드 패키지에 있어서,
    몰드 컵 내에 배치되는 복수의 서브-패키지;
    상기 복수의 서브-패키지와 전기적으로 연결되며 상기 몰드 컵 외부로 확장되어 배치되는 리드 단자; 및
    상기 몰드 컵 내의 상기 복수의 서브-패키지를 둘러싸도록 배치되는 봉지 수지층을 포함하고,
    상기 복수의 서브-패키지는
    상기 리드 단자와 전기적으로 연결되는 리드 프레임;
    상기 리드 프레임 상에 배치되는 발광 다이오드 칩;
    상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 형광체 수지층; 및
    상기 발광 다이오드 칩과 상기 형광체 수지층을 수용하는 투광성 재질의 컵부를 포함하는
    발광 다이오드 패키지.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 서브-패키지는 상기 몰드 컵 내에서 전기적으로 병렬 또는 직렬로 연결되는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 서브-패키지 중 적어도 하나는 나머지 서브-패키지와 서로 다른 파장의 빛을 방출하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 서브-패키지로부터 방출되는 빛은 서로 혼색되어 외부로 방출되는 발광 다이오드 패키지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 봉지 수지층은 외부로부터 유입되는 수분 또는 가스가 상기 서브-패키지와 접촉하는 것을 방지하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 패키지 몸체의 상기 투광성 재질의 상기 컵부는 상기 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면 방향으로 광을 투과시키는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 형광체 수지층 및 상기 봉지 수지층은 적어도 한층의 형광체 구비층과 적어도 한층의 봉지층을 포함하는 복층 구조물인 발광 다이오드 패키지.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 몰드 컵의 상부에 렌즈부를 추가적으로 포함하는 발광 다이오드 패키지.


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