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KR101087463B1 - 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 시스템, 기판 반송 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 Download PDF

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KR101087463B1
KR101087463B1 KR1020087030311A KR20087030311A KR101087463B1 KR 101087463 B1 KR101087463 B1 KR 101087463B1 KR 1020087030311 A KR1020087030311 A KR 1020087030311A KR 20087030311 A KR20087030311 A KR 20087030311A KR 101087463 B1 KR101087463 B1 KR 101087463B1
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KR
South Korea
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substrate
processing apparatus
processed
processing
automatic
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유우이찌 야마모또
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

기판 처리 시스템(100)은 시스템 전체에 걸쳐서 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 주 반송 라인(20)과, 포토리소그래피 처리부(1a) 내에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 부 반송 라인(30)을 구비하고 있다. 포토리소그래피 처리부(1a)에서는 레지스트 도포 처리 장치(2)와 현상 처리 장치(5)가 분리되어 배치되고, 제1 노광 처리 장치(3a)와 제1 PEB 처리 장치(4a), 제2 노광 처리 장치(3b)와 제2 PEB 처리 장치(4b)는 인접 배치되어 있다.
포토리소그래피 처리부, 노광 처리 장치, 현상 처리 장치, 카세트 스테이션

Description

기판 처리 시스템, 기판 반송 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE CONVEYANCE METHOD, AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하,「웨이퍼」라 기록하는 경우가 있음)에 패턴 형성을 행하기 위해, 포토리소그래피 공정이 반복하여 행해진다. 포토리소그래피 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리와, 레지스트 도포 후의 웨이퍼에 대해 노광 마스크를 사용하여 노광을 행하는 노광 처리와, 노광 후의 웨이퍼를 현상하는 현상 처리가 행해진다. 또한, 노광 처리 전에는 노광 전 베이크(PAB) 처리, 노광 처리의 후에는 노광 후 베이크(포스트 익스포저 베이크 ; PEB) 처리가 행해진다.
반도체 제조 프로세스에 있어서 포토리소그래피 공정은, 공장 내의 자동 반송 시스템(AMHS ; Automated Material Handling Systems)에 접속된 포토리소그래피 처리부에 있어서 행해진다. 종래, 포토리소그래피 처리부는 프로세스 상의 제약에 의해 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치와 노광 처리 장치를 직렬적으로 배치하고, 이를 한 단위로 하여 상기 AMHS와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있도록 구성되 어 왔다[예를 들어, 일본 특허 출원 공개 제2000-124124호 공보(단락 0027, 도2 등)]. 이와 같은 종래의 장치 레이아웃에서는, AMHS에 의해 카세트 반송되어 온 복수매의 웨이퍼는 포토리소그래피 처리부의 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치에 카세트 단위로 전달된다. 그리고, 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치의 반송 기구에 의해 카세트로부터 웨이퍼(W)가 1매씩 취출되어 레지스트 도포, 노광, 현상 등의 일련의 처리가 행해지는 구성으로 되어 있었다.
그런데, 반도체 장치에 있어서의 기술 노드의 진행, 즉 미세화의 진전에 대응하기 위해, 최근에는 이중 노광 등의 신기술이 개발되고 있다. 이중 노광은 레지스트 도포 후의 웨이퍼에 대해 예를 들어 소정의 선 폭으로 노광 처리한 후, 마스크의 위치를 어긋나게 하여 2회째의 노광 처리를 행함으로써 선 폭을 미세화하여 해상도를 높이는 기술이다. 그러나, 이중 노광 기술에서는, 문자 그대로 노광 처리가 2회 행해지므로, 포토리소그래피 공정에 필요로 하는 시간이 단순 계산으로 2배가 되어, 반도체 장치 제조의 처리량을 대폭으로 저하시켜 버리는 것이 우려되고 있다.
본 발명은, 포토리소그래피 공정에 있어서의 각 처리를 고처리량으로 실시한 경우라도, 높은 신뢰성을 얻을 수 있는 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 관점은, 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리 시스템이며,
피처리 기판에 대해 개별로 처리를 행하는 복수의 처리부 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인과,
상기 제1 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 구성되고, 상기 포토리소그래피 공정에 있어서의 일련의 처리를 행하는 포토리소그래피 처리부와,
상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제2 자동 기판 반송 라인을 구비하고,
상기 포토리소그래피 처리부는,
피처리 기판 표면에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 처리 장치와,
피처리 기판에 도포된 레지스트에 대해 노광 처리를 행하는 노광 처리 장치와,
노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 노광 후 베이크 처리 장치와,
가열 처리 후의 레지스트를 현상 처리하는 현상 처리 장치를 구비하고 있고,
상기 레지스트 도포 처리 장치와 상기 노광 후 베이크 처리 장치와 상기 현상 처리 장치는, 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 분리하여 배치되고,
상기 노광 처리 장치는 상기 노광 후 베이크 처리 장치를 통해 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하도록 상기 노광 후 베이크 처리 장치에 인접 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템을 제공한다. 이 경우, 상기 레지스트 도포 처리 장치, 상기 노광 후 베이크 처리 장치 및 상기 현상 처리 장치는 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달하기 위한 개별 기판 전달 포트를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 관점은, 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리 시스템이며,
피처리 기판에 대해 개별로 처리를 행하는 복수의 처리부 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인과,
상기 제1 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 구성되고, 상기 포토리소그래피 공정에 있어서의 일련의 처리를 행하는 포토리소그래피 처리부와,
상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치의 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제2 자동 기판 반송 라인을 구비하고,
상기 포토리소그래피 처리부는,
피처리 기판 표면에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 처리 장치와,
피처리 기판에 도포된 레지스트에 대해 노광 처리를 행하는 노광 처리 장치와,
노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 노광 후 베이크 처리 장치와,
상기 노광 후 베이크 처리 장치에 인접 배치되고, 가열 처리 후의 레지스트를 현상 처리하는 현상 처리 장치를 구비하고 있고,
상기 레지스트 도포 처리 장치와 상기 현상 처리 장치는 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 분리하여 배치되고, 상기 노광 처리 장치는 상기 노광 후 베이크 처리 장치 및 상기 현상 처리 장치를 통해 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하도록 상기 노광 후 베이크 처리 장치에 인접 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템을 제공한다. 이 경우, 상기 레지스트 도포 처리 장치 및 상기 현상 처리 장치는 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달하기 위한 개별 기판 전달 포트를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
상기 제1 관점 및 제2 관점의 상기 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 제2 자동 기판 반송 라인은 상기 제1 자동 기판 반송 라인으로부터 독립된 순환식의 기판 반송 라인인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 자동 기판 반송 라인을 이동하여 상기 각 처리부와의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하는 제1 자동 기판 반송 장치와,
상기 제2 자동 기판 반송 라인을 이동하여 상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하는 제2 자동 기판 반송 장치를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제1 자동 기판 반송 장치 및 상기 제2 자동 기판 반송 장치는 복수매의 피처리 기판을 용기에 수용하여 반송하는 용기 반송 장치라도 좋고, 혹은 상기 제1 자동 기판 반송 장치는 복수매의 피처리 기판을 용기에 수용하여 반송하는 용기 반송 장치이며, 상기 제2 자동 기판 반송 장치는 피처리 기판을 1매씩 반송하는 낱장 반송 장치라도 좋다.
또한, 상기 제1 자동 기판 반송 라인에 있어서의 피처리 기판의 반송을 제어하는 제1 제어부와,
상기 제2 자동 기판 반송 라인에 있어서의 피처리 기판의 반송을 제어하는 제2 제어부를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 레지스트 도포 처리 장치의 설치수에 대해, 상기 노광 처리 장치의 설치수가 1 : 2의 비율이 되도록 배치하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 포토리소그래피 처리부는 이중 노광 기술에 의해 패턴 형성을 행하는 처리부인 것이 바람직하다.
본 발명의 제3 관점은, 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리 시스템에 있어서 피처리 기판을 반송하는 기판 반송 방법이며,
상기 기판 처리 시스템은 피처리 기판에 대해 개별로 처리를 행하는 복수의 처리부 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인과, 상기 제1 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 구성되고, 상기 포토리소그래피 공정에 있어서의 일련의 처리를 행하는 포토리소그래피 처리부에 전용의 순환식의 제2 자동 기판 반송 라인을 구비하고,
상기 포토리소그래피 처리부는,
피처리 기판 표면에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 처리 장치와,
피처리 기판에 도포된 레지스트에 대해 노광 처리를 행하는 노광 처리 장치와,
노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 노광 후 베이크 처리 장치와,
가열 처리 후의 레지스트를 현상 처리하는 현상 처리 장치를 구비하고 있고,
상기 포토리소그래피 처리부에서는 상기 제2 자동 기판 반송 라인에 의해 각 처리 장치 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 동시에, 상기 레지스트 도포 처리 장치와 상기 노광 후 베이크 처리 장치와 상기 현상 처리 장치는 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 직접 전달하고, 상기 노광 처리 장치는 인접 배치된 상기 노광 후 베이크 처리 장치를 통해 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하도록 한 기판 반송 방법을 제공한다.
본 발명의 제4 관점은, 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리 시스템에 있어서 피처리 기판을 반송하는 기판 반송 방법이며,
상기 기판 처리 시스템은 피처리 기판에 대해 개별로 처리를 행하는 복수의 처리부 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인과, 상기 제1 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 구성되고, 상기 포토리소그래피 공정에 있어서의 일련의 처리를 행하는 포토리소그래피 처리부에 전용의 순환식의 제2 자동 기판 반송 라인을 구비하고,
상기 포토리소그래피 처리부는,
피처리 기판 표면에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 처리 장치와,
피처리 기판에 도포된 레지스트에 대해 노광 처리를 행하는 노광 처리 장치와,
노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 노광 후 베이크 처리 장치와,
가열 처리 후의 레지스트를 현상 처리하는 현상 처리 장치를 구비하고 있고,
상기 포토리소그래피 처리부에서는, 상기 제2 자동 기판 반송 라인에 의해 각 처리 장치의 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 동시에, 상기 레지스트 도포 처리 장치와 상기 현상 처리 장치는 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 직접 전달하고, 상기 노광 처리 장치는 인접 배치된 상기 노광 후 베이크 처리 장치 및 상기 현상 처리 장치를 통해 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하도록 한 기판 반송 방법을 제공한다.
상기 제3 관점 및 제4 관점에 있어서, 상기 포토리소그래피 처리부에 있어서는, 상기 각 처리 장치의 가동 상태에 따라서 상기 제2 자동 기판 반송 라인으로부터 피처리 기판을 반입하는 반입처를 선택하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 자동 기판 반송 라인 및 상기 제2 자동 기판 반송 라인에서는 복수매의 피처리 기판을 용기에 수용하여 반송하고, 상기 제2 자동 기판 반송 라인과 상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치와의 사이에서는 상기 용기에 수용한 상태에서 피처리 기판의 전달을 행해도 좋다.
또한, 상기 제1 자동 기판 반송 라인에서는 복수매의 피처리 기판을 용기에 수용하여 반송하고, 상기 제2 자동 기판 반송 라인에서는 피처리 기판을 1매씩 반송하는 동시에, 상기 제2 자동 기판 반송 라인과 상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치와의 사이에서는 1매씩 피처리 기판의 전달을 행해도 좋다.
본 발명의 제5 관점은, 컴퓨터 상에서 동작하고, 실행시에 상기 제3 관점 또는 제4 관점의 기판 반송 방법이 행해지도록 상기 기판 처리 시스템을 제어하는 제어 프로그램을 제공한다.
본 발명의 제6 관점은, 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이며,
상기 제어 프로그램은, 실행시에 상기 제3 관점 또는 제4 관점의 기판 반송 방법이 행해지도록 상기 기판 처리 시스템을 제어하는 것인, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공한다.
도1은 제1 실시 형태의 기판 처리 시스템에 있어서의 포토리소그래피 처리부의 장치 레이아웃을 나타내는 도면.
도2는 레지스트 도포 처리 장치의 평면도.
도3은 도2에 도시한 레지스트 도포 처리 장치의 정면도.
도4는 도2에 도시한 레지스트 도포 처리 장치의 배면도.
도5는 PEB 처리 장치의 평면도.
도6은 도5에 도시한 PEB 처리 장치의 정면도.
도7은 도5에 도시한 PEB 처리 장치의 배면도.
도8은 현상 처리 장치의 평면도.
도9는 도8에 도시한 현상 처리 장치의 정면도.
도10은 도8에 도시한 현상 처리 장치의 배면도.
도11은 제1 MES의 구성을 나타내는 블럭도.
도12는 제2 실시 형태의 기판 처리 시스템에 있어서의 포토리소그래피 처리부의 장치 레이아웃을 나타내는 도면.
도13은 제3 실시 형태의 기판 처리 시스템에 있어서의 포토리소그래피 처리부의 장치 레이아웃을 나타내는 도면.
도14는 제4 실시 형태의 기판 처리 시스템에 있어서의 포토리소그래피 처리부의 장치 레이아웃을 나타내는 도면.
본 발명자는 본 발명의 개발 과정에서, 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 종래의 기판 처리 시스템에 있어서 발생하는 문제점에 대해 연구하였다. 그 결과, 본 발명자들은 이하에 서술하는 바와 같은 지견을 얻었다.
즉, 전술한 바와 같이, 미세화가 진행되는 반도체 장치 제조의 생산성을 향상시키기 위해, 장래적으로 리소그래피 공정에 있어서의 처리량 향상이 중요한 과제로 되어 있다. 구체적으로는, 예를 들어 상기 이중 노광 기술을 채용하는 경우에는, 포토리소그래피 공정의 처리 능력을 현재의 시간당 100 내지 150매(웨이퍼)로부터 200 내지 300매(웨이퍼)로, 약 2배로 증가시키지 않으면 현재와 같은 레벨의 생산성을 유지할 수 없는 계산이 된다.
그러나, 포토리소그래피 공정에서의 생산성을 향상시키기 위해, 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치에 있어서의 웨이퍼의 처리 매수를 증가시킨 경우, 각 장치의 고장 등의 트러블이 증가하여 신뢰성이 저하되는 것이 예상된다. 이중 노광 프로 세스에 있어서, 이들 장치에 고장이 발생한 경우에는, 생산에 부여되는 영향은 큰 것이 된다. 특히 종래의 포토리소그래피 처리부에 있어서의 장치 레이아웃에서는, 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치와 노광 처리 장치가 한 세트로 인접 배치되어 있으므로, 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치에 문제점이 발생하면 고가의 노광 처리 장치의 가동까지 정지시켜 버리게 되어, 생산 비용을 대폭으로 증대시켜 버리는 요인이 된다.
이하에, 이와 같은 지견을 기초로 하여 구성된 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 대략 동일한 기능 및 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 중복 설명은 필요한 경우에만 행한다.
<제1 실시 형태>
도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(100)에 있어서, 포토리소그래피 공정을 실시하기 위한 포토리소그래피 처리부(1a)를 중심으로 한 반송 장치의 개요를 나타내는 도면이다. 이 기판 처리 시스템(100)은 시스템 전체에 걸쳐서 웨이퍼(W)의 반송 및 각 처리부[예를 들어 처리부(A1, A2)]와의 기판의 전달을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인인 주 반송 라인(20)과, 포토리소그래피 처리부(1a) 내에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 제2 자동 기판 반송 라인인 부 반송 라인(30)을 구비하고 있다.
AMHS(Automated Material Handling Systems)로서 구성된 주 반송 라인(20)에는, 예를 들어 복수의 OHT(Overhead Hoist Transport)(21)가 설치되어 있다. 각 OHT(21)는 도시하지 않은 카세트 내에 웨이퍼(W)를 수용한 상태에서 주 반송 라인(20)을 이동하여, 포토리소그래피 처리부(1a)를 비롯한 각 처리부[예를 들어 처리부(A1, A2)]에의 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 부 반송 라인(30)은 주 반송 라인(20)과는 독립된 AMHS로서 설치되어 있고, OHT(31)를 구비하고 있다. 이 OHT(31)는 루프 형상으로 형성된 순환식의 부 반송 라인(30)을 주회하여 이동하여, 포토리소그래피 처리부(1a) 내의 각 처리 장치에 웨이퍼(W)를 반송하고, 각 처리 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 또한, 도시는 생략하지만, OHT(31)는 OHT(21)에 비해 높은 위치의 궤도를 이동하도록 구성되어 있다.
포토리소그래피 처리부(1a)는 웨이퍼(W) 표면에 소정의 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 처리 장치(2), 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)에 대해 노광 처리를 행하는 제1 노광 처리 장치(3a), 노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 제1 PEB 처리 장치(4a), 웨이퍼(W)에 대해 노광 처리를 행하는 제2 노광 처리 장치(3b), 노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 제2 PEB 처리 장치(4b), 및 노광 처리된 웨이퍼(W)를 현상하는 현상 처리 장치(5)를 구비하고 있다. 이와 같이, 포토리소그래피 처리부(1a)는 웨이퍼(W)에 대해 노광 처리를 2회 반복함으로써 미세한 패턴을 형성하는 이중 노광 처리에 적합한 장치 레이아웃을 채용하고 있다. 포토리소그래피 처리부(1a)에서는, 레지스트 도포 처리 장치(2), 제1 노광 처리 장치(3a), 제2 노광 처리 장치(3b) 및 현상 처리 장치(5)가 분리되어 배치되고, 제1 노광 처리 장치(3a)와 제1 PEB 처리 장치(4a), 제2 노광 처리 장치(3b)와 제2 PEB 처리 장 치(4b)는 인접 배치되어 있다. 제1 노광 처리 장치(3a)는 제1 PEB 처리 장치(4a)에 인접하여 배치되고, 제1 PEB 처리 장치(4a)를 통해 부 반송 라인(30)의 OHT(31)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 구성되어 있다. 마찬가지로 제2 노광 처리 장치(3b)는 제2 PEB 처리 장치(4b)에 인접하여 배치되고, 제2 PEB 처리 장치(4b)를 통해 부 반송 라인(30)의 OHT(31)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 구성되어 있다.
또한, 도1에서는 도시를 생략하고 있지만, 포토리소그래피 처리부(1a)에는 레지스트 도포 처리 장치(2), 제1 및 제2 노광 처리 장치(3a, 3b), 제1 및 제2 PEB 처리 장치(4a, 4b), 현상 처리 장치(5)를 하나의 그룹으로 하여, 복수 그룹이 설치되어 있다. 즉, 각 그룹 내에서 상기 각 처리 장치의 설치 비율을 유지한 상태에서, 정수배의 처리 장치가 배치되어 있다.
본 실시 형태의 기판 처리 시스템(100)에 있어서는, 레지스트 도포 처리 장치(2)에서 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)는 제1 노광 처리 장치(3a) 또는 제2 노광 처리 장치(3b) 중 어느 것에 반송해도 좋다. 즉, 제1 노광 처리 장치(3a) 또는 제2 노광 처리 장치(3b) 중, 처리의 여력이 큰 쪽, 즉 비어 있는 노광 처리 장치를 선택하여 웨이퍼(W)를 반입할 수 있도록 구성되어 있다.
레지스트 도포 처리 장치(2)는 예를 들어 도2 내지 도4에 도시한 바와 같이 구성된다. 도2는 레지스트 도포 처리 장치(2)를 도시하는 개략 평면도, 도3은 그것의 정면도, 도4는 그것의 배면도이다. 레지스트 도포 처리 장치(2)는 반송 스테이션인 카세트 스테이션(210)과, 복수의 처리 유닛을 갖는 처리 스테이션(211)을 구비하고 있다.
카세트 스테이션(210)은 피처리체로서의 웨이퍼(W)를 복수매, 예를 들어 25매 단위로 웨이퍼 카세트(CR)에 탑재된 상태에서, 부 반송 라인(30)으로부터 레지스트 도포 처리 장치(2)로 반입하고, 또는 레지스트 도포 처리 장치(2)로부터 부 반송 라인(30)으로 반출하는 등, 웨이퍼 카세트(CR)와 처리 스테이션(211) 사이에서 웨이퍼(W)의 반출입을 행하는 전달 포트이다.
카세트 스테이션(210)에 있어서는, 도2에 도시한 바와 같이 카세트 적재대(220) 상에 도면 중 X 방향을 따라 복수(도면에서는 4개)의 위치 결정 돌기(220a)가 형성되어 있고, 이 돌기(220a)의 위치에 웨이퍼 카세트(CR)가 각각의 웨이퍼 출입구를 처리 스테이션(211)측을 향해 1열로 적재 가능하게 되어 있다. 웨이퍼 카세트(CR)에 있어서는 웨이퍼(W)가 수직 방향(Z 방향)으로 배열되어 있다. 또한, 카세트 스테이션(210)은 카세트 적재대(220)와 처리 스테이션(211) 사이에 위치하는 웨이퍼 반송 기구(221)를 갖고 있다.
웨이퍼 반송 기구(221)는 카세트 배열 방향(X 방향) 및 그 중 웨이퍼(W)의 배열 방향(Z 방향)으로 이동 가능한 웨이퍼 반송용 아암(221a)을 갖고 있고, 이 웨이퍼 반송용 아암(221a)에 의해 어느 하나의 웨이퍼 카세트(CR)에 대해 선택적으로 액세스 가능하게 되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송용 아암(221a)은, 도2 중에 나타내어지는 θ 방향으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 후술하는 처리 스테이션(211)측의 제3 처리 그룹(G23)에 속하는 얼라인먼트 유닛(ALIM) 및 익스텐션 유닛(EXT)에도 액세스할 수 있도록 되어 있다.
한편, 처리 스테이션(211)은 웨이퍼(W)에 대해 도포를 행할 때의 일련의 공정을 실시하기 위한 복수의 처리 유닛을 구비하고, 이들이 소정 위치에 다단으로 배치되어 있고, 이들에 의해 웨이퍼(W)가 1매씩 처리된다. 이 처리 스테이션(211)은 도2에 도시한 바와 같이 중심부에 웨이퍼 반송로(222a)를 갖고 있고, 이 중에 주 웨이퍼 반송 기구(222)가 설치되고, 웨이퍼 반송로(222a)의 주위에 모든 처리 유닛이 배치된 구성으로 되어 있다. 이들 복수의 처리 유닛은 복수의 처리 그룹의 로 나누어져 있고, 각 처리 그룹에 있어서는 복수의 처리 유닛이 수직 방향(Z 방향)을 따라 다단으로 배치되어 있다.
주 웨이퍼 반송 기구(222)는 도4에 도시한 바와 같이 통 형상 지지체(249)의 내측에 웨이퍼 반송 장치(246)를 상하 방향(Z 방향)으로 승강 가능하게 장비하고 있다. 통 형상 지지체(249)는 도시하지 않은 모터의 회전 구동력에 의해 회전 가능하게 되어 있고, 그에 수반하여 웨이퍼 반송 장치(246)도 일체적으로 회전 가능하게 되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(246)는 반송 기대(基臺)(247)의 전후 방향으로 이동 가능한 복수개의 보유 지지 부재(248)를 구비하고, 이들 보유 지지 부재(248)에 의해 각 처리 유닛 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 실현하고 있다.
도2에 도시한 바와 같이, 레지스트 도포 처리 장치(2)에 있어서는, 5개의 처리 그룹(G21ㆍG22ㆍG23ㆍG24ㆍG25)이 웨이퍼 반송로(222a)의 주위에 배치되어 있다. 이들 중, 제1 및 제2 처리 그룹(G21ㆍG22)은 레지스트 도포 처리 장치(2)의 정면측에 병렬로 배치되고, 제3 처리 그룹(G23)은 카세트 스테이션(210)에 인접하여 배치되고, 제4 처리 그룹(G24)은 웨이퍼 반송로(222a)를 사이에 두고 제3 처리 그룹(G23)과는 반대측에 배치되어 있다. 또한, 제5 처리 그룹(G25)은 배면부에 배치되어 있다.
제1 처리 그룹(G21)에서는, 코터 컵(CP) 내에서 웨이퍼(W)를 도시하지 않은 스핀 척에 실어 소정의 처리를 행하는 2대의 스피너형 처리 유닛인 레지스트 도포 처리 유닛(COT)이 2단으로 중첩되어 있다. 또한, 제2 처리 그룹(G22)도 마찬가지로, 2대의 스피나형 처리 유닛인 레지스트 도포 처리 유닛(COT)이 2단으로 중첩되어 있다.
제3 처리 그룹(G23)에 있어서는, 도4에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)를 적재대(SP)에 적재하여 소정의 처리를 행하는 오븐형의 처리 유닛이 다단으로 중첩되어 있다. 즉, 레지스트의 정착성을 높이기 위한 이른바 소수화 처리를 행하는 어드히전 유닛(AD), 위치 맞춤을 행하는 얼라인먼트 유닛(ALIM), 웨이퍼(W)의 반출입을 행하는 익스텐션 유닛(EXT), 냉각 처리를 행하는 쿨링 유닛(COL), 노광 처리 전에 웨이퍼(W)에 대해 가열 처리를 행하는 4개의 핫 플레이트 유닛(HP)이 하부로부터 차례로 8단으로 중첩되어 있다. 또한, 얼라인먼트 유닛(ALIM) 대신에 쿨링 유닛(COL)을 설치하고, 쿨링 유닛(COL)에 얼라인먼트 기능을 갖게 해도 좋다.
제4 처리 그룹(G24)에 있어서도, 오븐형의 처리 유닛이 다단으로 중첩되어 있다. 즉, 쿨링 유닛(COL), 쿨링 플레이트를 구비한 웨이퍼 반출입부인 익스텐션 ㆍ쿨링 유닛(EXTCOL), 익스텐션 유닛(EXT), 쿨링 유닛(COL) 및 4개의 핫 플레이트 유닛(HP)이 하부로부터 차례로 8단으로 중첩되어 있다.
또한, 주 웨이퍼 반송 기구(222)의 배면부측에 제5 처리 그룹(G25)을 설치하는 경우에, 제5 처리 그룹(G25)은 안내 레일(225)을 따라 주 웨이퍼 반송 기구(222)로부터 보아 측방으로 이동할 수 있도록 되어 있다.
제1 노광 처리 장치(3a)에 인접 배치된 제1 PEB 처리 장치(4a)는, 예를 들어 도5 내지 도7에 도시한 바와 같이 구성되어 있다. 또한, 제2 PEB 처리 장치(4b)는 제1 PEB 처리 장치(4a)와 동일한 구성이므로, 이하에서는 제1 PEB 처리 장치(4a)를 예로 들어 설명하고, 제2 PEB 처리 장치(4b)의 설명을 생략한다.
도5는 제1 PEB 처리 장치(4a)를 도시하는 개략 평면도, 도6은 그것의 정면도, 도7은 그것의 배면도이다. 제1 PEB 처리 장치(4a)는 반송 스테이션인 카세트 스테이션(310)과, 복수의 처리 유닛을 갖는 처리 스테이션(311)과, 처리 스테이션(311)에 인접하여 설치되는 도시하지 않은 노광 처리 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 인터페이스부(312)를 구비하고 있다.
카세트 스테이션(310)은 피처리체로서의 웨이퍼(W)를 복수매, 예를 들어 25매 단위로 웨이퍼 카세트(CR)에 탑재된 상태에서, 부 반송 라인(30)으로부터 이 제1 PEB 처리 장치(4a)로 반입하고, 또는 이 제1 PEB 처리 장치(4a)로부터 부 반송 라인(30)으로 반출하는 등, 웨이퍼 카세트(CR)와 처리 스테이션(311) 사이에서 웨이퍼(W)의 반출입을 행하는 전달 포트이다.
카세트 스테이션(310)에 있어서는, 도5에 도시한 바와 같이 카세트 적재대(320) 상에 도면 중 X 방향을 따라 복수(도면에서는 4개)의 위치 결정 돌기(320a)가 형성되어 있고, 이 돌기(320a)의 위치에 웨이퍼 카세트(CR)가 각각의 웨이퍼 출입구를 처리 스테이션(311)측을 향해 1열로 적재 가능하게 되어 있다. 웨이퍼 카세트(CR)에 있어서는 웨이퍼(W)가 수직 방향(Z 방향)으로 배열되어 있다. 또한, 카세트 스테이션(310)은 카세트 적재대(320)와 처리 스테이션(311) 사이에 위치하는 웨이퍼 반송 기구(321)를 갖고 있다.
웨이퍼 반송 기구(321)는 카세트 배열 방향(X 방향) 및 그 중의 웨이퍼(W)의 배열 방향(Z 방향)으로 이동 가능한 웨이퍼 반송용 아암(321a)을 갖고 있고, 이 웨이퍼 반송용 아암(321a)에 의해 어느 하나의 웨이퍼 카세트(CR)에 대해 선택적으로 액세스 가능하게 되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송용 아암(321a)은 도5 중에 도시되는 θ 방향으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 후술하는 처리 스테이션(311)측의 제3 처리 그룹(G33)에 속하는 얼라인먼트 유닛(ALIM) 및 익스텐션 유닛(EXT)에도 액세스할 수 있도록 되어 있다.
한편, 처리 스테이션(311)은 웨이퍼(W)에 대해 PEB 처리를 행할 때의 일련의 공정을 실시하기 위한 복수의 처리 유닛을 구비하고, 이들이 소정 위치에 다단으로 배치되어 있고, 이들에 의해 웨이퍼(W)가 1매씩 처리된다. 이 처리 스테이션(311)은, 도5에 도시한 바와 같이 중심부에 웨이퍼 반송로(322a)를 갖고 있고, 이 중에 주 웨이퍼 반송 기구(322)가 설치되고, 웨이퍼 반송로(322a)의 주위에 모든 처리 유닛이 배치된 구성으로 되어 있다. 이들 복수의 처리 유닛은 복수의 처리 그룹으로 나누어져 있고, 각 처리 그룹에서는 복수의 처리 유닛이 수직 방향(Z 방향)을 따라 다단으로 배치되어 있다.
주 웨이퍼 반송 기구(322)는 도7에 도시한 바와 같이 통 형상 지지체(349)의 내측에 웨이퍼 반송 장치(346)를 상하 방향(Z 방향)으로 승강 가능하게 장비하고 있다. 통 형상 지지체(349)는 도시하지 않은 모터의 회전 구동력에 의해 회전 가능하게 되어 있고, 그에 수반하여 웨이퍼 반송 장치(346)도 일체적으로 회전 가능하게 되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(346)는 반송 기대(347)의 전후 방향으로 이동 가능한 복수개의 보유 지지 부재(348)를 구비하고, 이들 보유 지지 부재(348)에 의해 각 처리 유닛 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 실현하고 있다.
도5에 도시한 바와 같이, 제1 PEB 처리 장치(4a)에 있어서는, 5개의 처리 그룹(G31ㆍG32ㆍG33ㆍG34ㆍG35)이 웨이퍼 반송로(322a)의 주위에 실제로 배치되어 있다. 이들 중, 제1 및 제2 처리 그룹(G31ㆍG32)은 제1 PEB 처리 장치(4a)의 정면측에 병렬로 배치되고, 제3 처리 그룹(G33)은 카세트 스테이션(310)에 인접하여 배치되고, 제4 처리 그룹(G34)은 인터페이스부(312)에 인접하여 배치되어 있다. 또한, 제5 처리 그룹(G35)은 배면부에 배치되어 있다.
제1 처리 그룹(G31) 및 제4 처리 그룹(G34)에서는, 도6 및 도7에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 적재대(SP)에 적재하여 소정의 처리를 행하는 오븐형의 처리 유닛이 다단으로 중첩되어 있다. 즉, 쿨링 유닛(COL), 쿨링 플레이트를 구비한 웨이퍼 반출입부인 익스텐션ㆍ쿨링 유닛(EXTCOL), 익스텐션 유닛(EXT), 쿨링 유닛(COL), 및 4개의 핫 플레이트 유닛(HP)이 하부로부터 차례로 8단으로 중첩되어 있다.
제2 처리 그룹(G32) 및 제3 처리 그룹(G33)에 있어서는, 도6 및 도7에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)를 적재대(SP)에 적재하여 소정의 처리를 행하는 오븐형의 처리 유닛이 다단으로 중첩되어 있다. 즉, 레지스트의 정착성을 높이기 위한 이른바 소수화 처리를 행하는 어드히전 유닛(AD), 위치 맞춤을 행하는 얼라인먼트 유닛(ALIM), 웨이퍼(W)의 반출입을 행하는 익스텐션 유닛(EXT), 냉각 처리를 행하는 쿨링 유닛(COL), 노광 처리 후의 웨이퍼(W)에 대해 가열 처리를 행하는 4개의 핫 플레이트 유닛(HP)이 하부로부터 차례로 8단으로 중첩되어 있다. 또한, 얼라인먼트 유닛(ALIM) 대신에 쿨링 유닛(COL)을 설치하고, 쿨링 유닛(COL)에 얼라인먼트 기능을 갖게 해도 좋다.
주 웨이퍼 반송 기구(322)의 배면부측에 제5 처리 그룹(G35)을 설치하는 경우에, 제5 처리 그룹(G35)은 안내 레일(325)을 따라 주 웨이퍼 반송 기구(322)로부터 보아 측방으로 이동할 수 있도록 되어 있다.
인터페이스부(312)는 깊이 방향(X 방향)에 대해서는, 처리 스테이션(311)과 같은 길이를 갖고 있다. 도5, 도6에 도시한 바와 같이, 이 인터페이스부(312)의 정면부에는 가반성(可搬性)의 픽업 카세트(CR)와 정치형의 버퍼 카세트(BR)가 2단 으로 배치되고, 배면부에는 주변 노광 처리 장치(323)가 배치되고, 중앙부에는 웨이퍼 반송 기구(324)가 배치되어 있다. 이 웨이퍼 반송 기구(324)는 웨이퍼 반송용 아암(324a)을 갖고 있고, 이 웨이퍼 반송용 아암(324a)은 X 방향, Z 방향으로 이동하여 양 카세트(CRㆍBR) 및 주변 노광 처리 장치(323)에 액세스 가능하게 되어 있다.
또한, 웨이퍼 반송용 아암(324a)은 길이 θ 방향으로 회전 가능하고, 처리 스테이션(311)의 제4 처리 그룹(G34)에 속하는 익스텐션 유닛(EXT)이나, 또는 인접하는 노광 처리 장치(3a)측의 도시하지 않은 웨이퍼 전달대에도 액세스 가능하게 되어 있다.
현상 처리 장치(5)는 예를 들어 도8 내지 도10에 도시한 바와 같이 구성된다. 도8은 현상 처리 장치(5)를 도시하는 개략 평면도, 도9는 그것의 정면도, 도10은 그것의 배면도이다. 현상 처리 장치(5)는 처리 스테이션(211a)의 제1 처리 그룹(G21) 및 제2 처리 그룹(G22)에 레지스트 도포 처리 장치(2)의 처리 스테이션(211a)에 있어서의 레지스트 도포 처리 유닛(COT) 대신에, 레지스트의 패턴을 현상하는 현상 유닛(DEV)이 각각 2단으로 중첩되어 배치되어 있는 것 이외는, 도2 내지 도4에 도시한 레지스트 도포 처리 유닛(COT)과 동일한 구성이다.
다시 도1을 참조하기 위해, 주 반송 라인(20)의 OHT(21)와 부 반송 라인(30)의 OHT(31)는 웨이퍼 핸들링 로봇(41)을 구비한 복수의 웨이퍼 전달부(40)에 있어서 웨이퍼(W)를 전달하는 것이 가능하게 구성되어 있다.
주 반송 라인(20)은 기판 처리 시스템(100) 전체를 관리하는 통괄 제어부로서의 제1 제조 관리 시스템(MES ; Manufacturing Execution System)(50)에 접속되어 있다. 이 제1 MES(50)는 각각의 처리부나 반송계에 개별로 설치된 제어부[예를 들어, 후술하는 MES(60)]와 연휴하여 공장에 있어서의 각 공정에 관한 리얼타임 정보를 기간 업무 시스템(도시 생략)에 피드백하는 동시에, 공장 전체의 부하 등을 고려하여 공정에 관한 판단을 행한다. 구체적으로는, 제1 MES(50)는 예를 들어 주 반송 라인(20)에 있어서의 각 OHT(21)의 부하를 파악하면서, OHT(21)의 이동, 정지, 대기, 각 처리부[예를 들어 처리부(A1, A2)]와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달 등을 관리하여 반송 상태를 최적화한다.
또한, 부 반송 라인(30)은 제2 제조 관리 시스템(MES)(60)에 접속되어 있다. 이 제2 MES(60)는 포토리소그래피 처리부(1a)에 있어서의 개별 제어부로서 기능하고, 포토리소그래피 처리부(1a)의 부 반송 라인(30)에 있어서의 반송 상태나, 각 처리 장치 예를 들어 레지스트 도포 처리 장치(2), 제1 및 제2 노광 처리 장치(3a, 3b), 제1 및 제2 PEB 처리 장치(4a, 4b) 및 현상 처리 장치(5)에 있어서의 각각의 처리 조건 등의 제어를 행한다. 더욱 구체적으로는, 제2 MES(60)는 예를 들어 부 반송 라인(30)에 있어서의 각 OHT(31)의 부하를 파악하면서, OHT(31)의 이동, 정지, 대기, 각 처리 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달 등을 관리하여 반송 상태를 최적화한다.
도11은 제1 MES(50)의 구성을 도시하는 도면이다. 제1 MES(50)는 호스트 컴퓨터를 구비한 컨트롤러(51)와, 유저 인터페이스(52)와, 기억부(53)를 구비하고 있 다. 컨트롤러(51)에 접속된 유저 인터페이스(52)는 공정 관리자가 기판 처리 시스템(100)을 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 시스템(100)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 구성된다. 컨트롤러(51)에 접속된 기억부(53)는 기판 처리 시스템(100)에서 실행되는 웨이퍼 반송이나 각종 처리를 컨트롤러(51)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어)이나 반송 조건 데이터, 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피를 저장하고 있다.
그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스(52)로부터의 지시 등에 의해 임의의 레시피를 기억부(53)로부터 호출하여 컨트롤러(51)에 실행시킴으로써, 컨트롤러(51)의 제어 하에서 기판 처리 시스템(100)에서의 원하는 처리가 행해진다. 또한, 상기 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 예를 들어 CD-ROM, 하드 디스크, 플렉시블 디스크, 플래시 메모리 등에 저장된 상태의 것을 이용하거나, 혹은 다른 장치로부터, 예를 들어 전용 회선을 통해 수시 전송시켜 온라인에서 이용하는 것도 가능하다.
또한, 제2 MES(60)의 기본 구성은 제어 대상이 포토리소그래피 처리부(1a)에 한정되어 있는 점을 제외하고, 제1 MES와 마찬가지이므로, 설명 및 도시를 생략한다.
이상과 같이 구성되는 기판 처리 시스템(100)에 있어서, 예를 들어 다른 처리부(도시하지 않음)로부터 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 전달된 웨이퍼(W)는 어느 하나의 웨이퍼 전달부(40)에 있어서 웨이퍼 핸들링 로봇(41)에 의해 포토리소그 래피 처리부(1a)의 부 반송 라인(30) 상의 OHT(31)에 전달된다. 그리고, 부 반송 라인(30) 상의 OHT(31)는 포토리소그래피 처리부(1a) 내의 각 처리 장치와의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행한다.
상술한 레지스트 도포 처리 장치(2)에 있어서는, 우선 카세트 스테이션(210)에 있어서, 웨이퍼 반송 기구(221)의 웨이퍼 반송용 아암(221a)이 카세트 적재대(220) 상의 미처리 웨이퍼(W)를 수용하고 있는 웨이퍼 카세트(CR)에 액세스하여 1매의 웨이퍼(W)를 취출하고, 제3 처리 그룹(G23)의 익스텐션 유닛(EXT)에 반송한다.
웨이퍼(W)는 이 익스텐션 유닛(EXT)으로부터 주 웨이퍼 반송 기구(222)의 웨이퍼 반송 장치(246)에 의해 처리 스테이션(211)에 반입된다. 그리고, 제3 처리 그룹(G23)의 얼라인먼트 유닛(ALIM)에 의해 얼라인먼트된 후, 어드히전 처리 유닛(AD)에 반송되고, 거기서 레지스트의 정착성을 높이기 위한 소수화 처리(HMDS 처리)가 실시된다. 이 처리는 가열을 수반하므로, 그 후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(246)에 의해 쿨링 유닛(COL)에 반송되어 냉각된다.
어드히전 처리 유닛(AD)에서의 처리가 종료되어 쿨링 유닛(COL)에서 냉각된 웨이퍼(W), 또는 어드히전 처리 유닛(AD)에서의 처리를 행하지 않은 웨이퍼(W)는 계속해서 웨이퍼 반송 장치(246)에 의해 레지스트 도포 처리 유닛(COT)에 반송되고, 거기서 레지스트가 도포되어 도포막이 형성된다. 도포 처리 종료 후, 웨이퍼(W)는 제3 또는 제4 처리 그룹(G23ㆍG24) 중 어느 하나의 핫 플레이트 유닛(HP) 내 에서 프리 베이크 처리되고, 그 후 어느 하나의 쿨링 유닛(COL)에 의해 냉각된다.
냉각된 웨이퍼(W)는 제3 처리 그룹(G23)의 얼라인먼트 유닛(ALIM)에 반송되어, 제3 처리 그룹(G23)의 익스텐션 유닛(EXT)을 통해 카세트 스테이션(210)으로 복귀되어 어느 하나의 웨이퍼 카세트(CR)에 수용된다.
레지스트 도포 처리 장치(2)에 있어서 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)는 일단 카세트 스테이션(210)을 통해 부 반송 라인(30)의 OHT(31)에 전달된다. 그리고, 웨이퍼(W)를 수취한 OHT(31)는 PEB 처리 장치(4a)의 카세트 스테이션(310)까지 웨이퍼(W)를 반송하여 PEB 처리 장치(4a)에 전달한다. PEB 처리 장치(4a)에 있어서는, 우선 카세트 스테이션(310)에 있어서 웨이퍼 반송 기구(321)의 웨이퍼 반송용 아암(321a)이 카세트 적재대(320) 상의 레지스트 도포가 끝난 웨이퍼(W)를 수용하고 있는 웨이퍼 카세트(CR)에 액세스하여 1매의 웨이퍼(W)를 취출하고, 제3 처리 그룹(G33)의 익스텐션 유닛(EXT)에 반송한다.
웨이퍼(W)는 이 익스텐션 유닛(EXT)으로부터 주 웨이퍼 반송 기구(322)의 웨이퍼 반송 장치(346)에 의해 처리 스테이션(311)에 반입된다. 그리고, 제3 처리 그룹(G33)의 얼라인먼트 유닛(ALIM)에 의해 얼라인먼트된 후, 제4 처리 그룹(G34)의 익스텐션 유닛(EXT)을 통해 인터페이스부(312)에 반송된다.
웨이퍼(W)는 인터페이스부(312)에 있어서 주변 노광 처리 장치(323)에 의해 주변 노광되어 여분의 레지스트가 제거된 후, 인터페이스부(312)에 인접하여 설치된 제1 노광 처리 장치(3a)에 반송되고, 거기서 소정의 패턴에 따라서 웨이퍼(W)의 레지스트막에 노광 처리가 실시된다. 노광 후의 웨이퍼(W)는 다시 제1 PEB 처리 장치(4a)의 인터페이스부(312)로 복귀되고, 웨이퍼 반송 기구(324)에 의해 제4 처리 그룹(G34)에 속하는 익스텐션 유닛(EXT)으로 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(346)에 의해 어느 하나의 핫 플레이트 유닛(HP)에 반송되어 PEB 처리가 실시되고, 계속해서 쿨링 유닛(COL)에 의해 냉각된다. 본 실시 형태에서는, 노광 처리 장치(3a, 3b)에 인접하여 PEB 처리 장치(4a, 4b)를 배치하였으므로, 노광 처리 후, PEB 처리까지의 시간 관리를 정확하게 행할 수 있다. 그 후, 웨이퍼(W)는 제3 처리 그룹(G33)의 익스텐션 유닛(EXT)을 통해 카세트(33) 스테이션(310)으로 복귀되어 어느 하나의 웨이퍼 카세트(CR)에 수용된다.
제1 노광 처리 장치(3a)에 있어서 노광된 웨이퍼(W)는 제1 PEB 처리 장치(4a)의 카세트 스테이션(310)을 통해 다시 부 반송 라인(30)의 OHT(31)에 전달된다. 그리고, 웨이퍼(W)를 수취한 OHT(31)는 다음에 제2 PEB 처리 장치(4b)의 카세트 스테이션(310)까지 웨이퍼(W)를 반송하여, 제2 PEB 처리 장치(4b)에 전달한다. 그 후는, 제2 노광 처리 장치(3b) 및 제2 PEB 처리 장치(4b)에 있어서, 제1 PEB 처리 장치(4a) 및 제1 노광 처리 장치(3a)에 대해 설명한 순서와 같은 순서로 2회째의 노광 처리 및 2회째의 PEB 처리가 행해진다. 그 후, 2회의 노광 처리가 실시된 웨이퍼(W)는 제2 PEB 처리 장치(4b)의 카세트 스테이션(310)을 통해 다시 부 반송 라인(30)의 OHT(31)에 전달된다.
웨이퍼(W)를 수취한 OHT(31)는 현상 처리 장치(5)의 카세트 스테이션(210)까 지 웨이퍼(W)를 반송하여, 현상 처리 장치(5)에 전달한다. 현상 처리 장치(5)에서는, 우선 카세트 스테이션(210)에 있어서, 웨이퍼 반송 기구(221)의 웨이퍼 반송용 아암(221a)이 카세트 적재대(220) 상의 이중 노광 후의 웨이퍼(W)를 수용하고 있는 웨이퍼 카세트(CR)에 액세스하여 1매의 웨이퍼(W)를 취출하고, 제3 처리 그룹(G23)의 익스텐션 유닛(EXT)에 반송한다.
웨이퍼(W)는 이 익스텐션 유닛(EXT)으로부터 주 웨이퍼 반송 기구(222)의 웨이퍼 반송 장치(246)에 의해 처리 스테이션(211a)에 반입된다. 그리고, 제3 처리 그룹(G23)의 얼라인먼트 유닛(ALIM)에 의해 얼라인먼트된 후, 현상 유닛(DEV)에 반송되고, 거기서 노광 패턴의 현상이 행해진다. 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는 어느 하나의 핫 플레이트 유닛(HP)에 반송되어 PEB 처리가 실시되고, 계속해서 쿨링 유닛(COL)에 의해 냉각된다. 이와 같은 일련의 처리가 종료된 후, 제3 처리 그룹(G23)의 익스텐션 유닛(EXT)을 통해 카세트 스테이션으로 복귀되어, 어느 하나의 웨이퍼 카세트(CR)에 수용된다. 그 후, 현상 처리가 실시된 웨이퍼(W)는 현상 처리 장치(5)의 카세트 스테이션(210)을 통해 다시 부 반송 라인(30)의 OHT(31)에 전달된다. 이와 같이 포토리소그래피 처리부(1a)에 있어서의 일련의 공정이 종료되고, 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼(W)는 어느 하나의 웨이퍼 전달부(40)에 있어서 포토리소그래피 처리부(1a)의 부 반송 라인(30) 상의 OHT(31)로부터 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 전달된다. 그리고, 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 의해 다른 처리부 예를 들어 에칭 처리부(도시하지 않음)로 반송되어, 상기 패턴을 기초로 하 여 에칭이 행해진다. 에칭 처리가 종료된 웨이퍼(W)에 대해서는, 필요에 따라서 다른 처리가 실시된 후, 다시 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 의해 포토리소그래피 처리부(1a)로 반송되어, 다시 포토리소그래피 처리를 반복하여 행하는 것도 가능하다.
이와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(100)에서는, 주 반송 라인(20)과는 독립된 반송 기구로서 포토리소그래피 처리부(1a)에 있어서 부 반송 라인(30)을 설치함으로써, 포토리소그래피 처리부(1a) 내에 있어서의 각 처리 장치로의 반송의 자유도를 크게 할 수 있는 동시에, 포토리소그래피 공정에서의 처리 속도 및 웨이퍼 반송 속도를 기판 처리 시스템(100)에 있어서의 다른 처리부와 분리하여 제어할 수 있다. 따라서, 포토리소그래피 공정을 높은 처리량으로 처리하는 것이 가능하고, 예를 들어 이중 노광 프로세스와 같이 포토리소그래피 공정에 큰 부하가 가해지는 것과 같은 처리에도 대응을 도모할 수 있다. 또한, 복수의 OHT(31)를 배치한 부 반송 라인(30) 자체가 버퍼 기능을 가짐으로써, 주 반송 라인(20) 상에 저장되는 처리 중인 로트수를 감소시킬 수 있어, 주 반송 라인(20)에의 부하를 억제할 수 있다.
또한, 상기 구성에서는, 레지스트 도포 처리 장치(2)와, 노광 처리 장치[제1 노광 처리 장치(3a), 제2 노광 처리 장치(3b)]와, 현상 처리 장치(5)를 부 반송 라인(30)에 대해 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 병렬적으로 배치하였으므로, 어느 하나의 장치에 고장 등의 문제점이 발생한 경우에 있어서도 융통성 있게 동종의 다른 장치로 웨이퍼(W)를 반송하여 처리를 행하는 것이 가능하다. 따라서, 포토리소그 래피 처리부(1a)를 포함하는 기판 처리 시스템(100)의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 제1 노광 처리 장치(3a)와 노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 제1 PEB 처리 장치(4a), 제2 노광 처리 장치(3b)와 노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 제2 PEB 처리 장치(4b)를 각각 인접하여 배치하였으므로, 노광 처리로부터 PEB 처리까지의 시간 관리를 정확하게 행하는 것이 가능해진다. 따라서, 높은 재현성 하에서 PEB 처리를 행할 수 있다. 예를 들어 ArF 레지스트에 대표되는 화학 증폭형 레지스트를 사용하는 경우에는, PEB 처리에 의해 레지스트 중의 용해 억제제의 이탈 반응이 진행되어 알칼리 가용성이 결정된다. 이로 인해, 화학 증폭형 레지스트에서는 노광 처리 후 PEB 처리까지는 매우 엄밀한 시간 관리와 온도 관리가 요구된다. 노광 처리로부터 PEB 처리까지의 처리 시간이 일정하지 않고, PEB 처리에서 웨이퍼 면내 혹은 웨이퍼간의 온도에 불균일이 발생하면, 선 폭이 불균일하여 에칭 정밀도를 저하시키는 등의 악영향이 발생한다. 본 실시 형태에서는, 노광 처리 장치와 PEB 처리 장치가 인접 배치되어 있음으로써, 노광 후의 시간 관리가 하기 쉽고, 정밀도가 높은 PEB 처리가 가능하므로, ArF 레지스트에 대표되는 화학 증폭형 레지스트를 사용하는 포토리소그래피 프로세스에 특히 유리하게 이용할 수 있다.
또한, 포토리소그래피 처리부(1a)의 생산성 향상에 있어서 노광 처리 장치의 가동률을 높이는 것이 중요하므로, 노광 처리 장치에 부대하는 필요 최소한의 설비로서 PEB 처리 장치만을 인접 배치하여 준비해 둠으로써, 노광 처리 장치 이외의 장치의 트러블에 의해 노광 처리 장치의 가동률을 저하시키는 리스크가 저감되어, 포토리소그래피 처리부(1a)에 있어서의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
<제2 실시 형태>
도12는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(101)에 있어서, 포토리소그래피 공정을 실시하기 위한 포토리소그래피 처리부(1b)를 중심으로 한 반송 장치의 개요를 나타내는 도면이다. 본 실시 형태에서는, 제2 자동 기판 반송 라인으로서, 웨이퍼(W)의 낱장 반송을 행하는 컨베이어(70)를 배치하였다.
도12에 도시한 바와 같이, 포토리소그래피 처리부(1b)는 웨이퍼(W) 표면에 소정의 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 처리 장치(2), 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)에 대해 노광 처리를 행하는 제1 노광 처리 장치(3a), 노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 제1 PEB 처리 장치(4a), 웨이퍼(W)에 대해 노광 처리를 행하는 제2 노광 처리 장치(3b), 노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 제2 PEB 처리 장치(4b), 및 노광 처리된 웨이퍼(W)를 현상하는 현상 처리 장치(5)를 구비하고 있다. 포토리소그래피 처리부(1b)에서는, 레지스트 도포 처리 장치(2), 제1 노광 처리 장치(3a), 제2 노광 처리 장치(3b) 및 현상 처리 장치(5)가 분리되어 배치되고, 제1 노광 처리 장치(3a)와 제1 PEB 처리 장치(4a), 제2 노광 처리 장치(3b)와 제2 PEB 처리 장치(4b)는 인접 배치되어 있다. 제1 노광 처리 장치(3a)는 제1 PEB 처리 장치(4a)에 인접하여 배치되고, 제1 PEB 처리 장치(4a)를 통해 컨베이어(70)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 구성되어 있다. 마찬가지로 제2 노광 처리 장치(3b)는 제2 PEB 처리 장치(4b)에 인접하여 배치되고, 제2 PEB 처리 장 치(4b)를 통해 컨베이어(70)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 구성되어 있다. 또한, 각 처리 장치의 기본적 구성과 배치는 도1에 도시한 실시 형태와 마찬가지이다.
또한, 도12에서는 도시를 생략하고 있지만, 포토리소그래피 처리부(1b)에는 레지스트 도포 처리 장치(2), 제1 및 제2 노광 처리 장치(3a, 3b), 제1 및 제2 PEB 처리 장치(4a, 4b), 현상 처리 장치(5)를 하나의 그룹으로 하여, 복수 그룹이 설치되어 있다. 즉, 각 그룹 내에서 상기 각 처리 장치의 설치 비율을 유지한 상태에서, 정수배의 처리 장치가 배치되어 있다.
제1 자동 기판 반송 라인인 주 반송 라인(20)은 기판 처리 시스템(101)의 전체에 걸쳐서 웨이퍼(W)의 반송 및 각 처리부[예를 들어 처리부(A1, A2)]와의 기판의 전달을 행한다. 제1 실시 형태(도1)와 마찬가지로, 주 반송 라인(20)에는 예를 들어 OHT(21)가 설치되어 있다. 각 OHT(21)는 도시하지 않은 카세트 내에 웨이퍼(W)를 수용한 상태에서 주 반송 라인(20)을 이동하고, 포토리소그래피 처리부(1b)를 비롯한 각 처리부[예를 들어 처리부(A1, A2)]로의 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있도록 구성되어 있다.
컨베이어(70)는 웨이퍼(W)를 1매씩 반송하는 낱장 반송 라인이다. 컨베이어(70)는 복수 부위(도12에서는 4군데)에 배치된 웨이퍼 핸들링 로봇(71)을 통해 각 처리 장치의 전달 포트인 카세트 스테이션과의 사이에서 기판의 전달을 행할 수 있도록 구성되어 있다.
본 실시 형태에 있어서, 주 반송 라인(20)의 OHT(21)는 레지스트 도포 처리 장치(2)의 카세트 스테이션(210)에 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트를 전달한다. 카세트 스테이션(210)에는 낱장 반출입 포트(P)가 설치되어 있고, 예를 들어 레지스트 도포 처리 장치(2)에 있어서의 처리가 종료된 웨이퍼(W)는 이 낱장 반출입 포트(P)에 임시 배치된다. 그리고, 웨이퍼 핸들링 로봇(71)은 상기 낱장 반출입 포트(P)에 임시 배치된 웨이퍼(W)를 컨베이어(70)에 차례차례 전달한다. 컨베이어(70)는 루프 형상으로 구성되어 있으므로, 순환식으로 1매씩 웨이퍼(W)를 이동시킨다.
이 컨베이어(70) 상을 이동 중인 웨이퍼(W)는 ID 번호에 의해 컨베이어(70) 내에서의 다음의 반송처나 반송 시간 등이 관리된다. 예를 들어, 레지스트 도포 처리 장치(2)에서의 레지스트 도포 처리가 종료되고, 컨베이어(70)에 공급된 웨이퍼(W)는 ID 번호에 의해 관리되어 다음의 반송처가 제1 노광 처리 장치(3a) 또는 제2 노광 처리 장치(3b)로부터 선택된다. 그리고, 웨이퍼 핸들링 로봇(71)에 의해 제1 노광 처리 장치(3a) 또는 제2 노광 처리 장치(3b)에서의 노광 처리를 행하기 위해, 제1 PEB 처리 장치(4a) 또는 제2 PEB 처리 장치(4b)의 카세트 스테이션(310)에 설치된 낱장 반출입 포트(P)로 전달된다. 그리고, 노광 처리 및 PEB 처리가 종료된 웨이퍼(W)는 제1 PEB 처리 장치(4a) 또는 제2 PEB 처리 장치(4b)의 카세트 스테이션(310)에 설치된 낱장 반출입 포트(P)로부터, 웨이퍼 핸들링 로봇(71)을 통해 다시 컨베이어(70)로 반송된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 컨베이어(70)로부터 웨이퍼 핸들링 로봇(71)에 의해 현상 처리 장치(5)의 카세트 스테이션(210)에 설치된 낱장 반출입 포트(P)로 전달된 다. 그리고, 현상 처리 장치(5)에 있어서 현상 처리가 행해진 후, 웨이퍼(W)는 현상 처리 장치(5)의 카세트 스테이션(210)에 반송되어, 카세트(CR) 내에 수용된다. 이와 같이 포토리소그래피 처리부(1b)에 있어서의 일련의 공정이 종료되고, 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼(W)는 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 전달된다. 그리고, 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 의해 다른 처리부 예를 들어 에칭 처리부(도시하지 않음)로 반송되어, 상기 패턴을 기초로 하여 에칭이 행해진다.
또한, 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 의해 카세트 반송되어 온 웨이퍼(W)는 레지스트 도포 처리 장치(2), 제1 PEB 처리 장치(4a), 제2 PEB 처리 장치(4b) 또는 현상 처리 장치(5) 중 어느 카세트 스테이션에 반입해도 좋다. 이 경우, 각 카세트 스테이션에서는, 카세트로부터 웨이퍼(W)를 발출하여 직접 낱장 반출입 포트(P)에 웨이퍼를 임시 배치하는 전달 동작을 행할 수 있다. 즉, 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 의해 카세트 반송되어 온 웨이퍼(W)를, 각 장치에서의 처리 전에 일단 컨베이어(70)에 전달함으로써, 컨베이어(70)를 포토리소그래피 처리부(1b) 내에서의 버퍼로서 활용할 수 있는 동시에, 포토리소그래피 처리부(1b)에 있어서의 각 장치의 가동 상황에 따라서 제2 MES(60)의 제어 하에서 융통성 있는 반송을 행할 수 있다.
본 실시 형태의 기판 처리 시스템(101)에서는, 주 반송 라인(20)과는 독립된 반송 기구로서 포토리소그래피 처리부(1b)에 있어서 컨베이어(70)를 사용함으로써, 포토리소그래피 처리부(1b) 내에 있어서의 각 처리 장치에의 반송의 자유도를 크게 할 수 있다. 또한, 포토리소그래피 처리부(1b) 내의 각 처리 장치에서 처리된 웨 이퍼(W)를 순차 컨베이어(70)에서 다음 공정의 처리를 행하는 처리 장치로 낱장 반송할 수 있으므로, 예를 들어 카세트 단위로 다음의 처리 장치로 반송하는 경우에 비해 대기 시간이 적어 처리량을 향상시킬 수 있다.
또한, 컨베이어(70)를 설치함으로써, 포토리소그래피 공정에서의 처리 속도 및 웨이퍼 반송 속도를 기판 처리 시스템(101)에 있어서의 다른 처리부와 분리하여 제어할 수 있다. 따라서, 포토리소그래피 공정을 높은 처리량으로 처리하는 것이 가능하고, 이중 노광 프로세스와 같이 포토리소그래피 공정에 큰 부하가 가해지는 것과 같은 처리에도 대응을 도모할 수 있다. 또한, 컨베이어(70)가 버퍼 기능을 가짐으로써, 주 반송 라인(20) 상에 저장되는 처리 중인 로트수를 감소시킬 수 있어, 주 반송 라인(20)에의 부하를 억제할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태의 기판 처리 시스템(100)과 마찬가지로, 제2 실시 형태의 기판 처리 시스템(101)에 있어서도 레지스트 도포 처리 장치(2)와, 노광 처리 장치[제1 노광 처리 장치(3a), 제2 노광 처리 장치(3b)]와, 현상 처리 장치(5)를 컨베이어(70)에 대해 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 병렬적으로 배치하였으므로, 어느 하나의 장치에 고장 등의 문제가 발생한 경우에 있어서도 융통성 있게 동종의 장치로 웨이퍼(W)를 반송하여 처리를 행하는 것이 가능하다. 따라서, 포토리소그래피 처리부(1b)를 포함하는 기판 처리 시스템(101)의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 제1 노광 처리 장치(3a)와 노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 제1 PEB 처리 장치(4a), 제2 노광 처리 장치(3b)와 노광 처리 후의 레지스트를 가 열 처리하는 제2 PEB 처리 장치(4b)를 각각 인접하여 배치하였으므로, 높은 신뢰성 하에서 PEB 처리를 행할 수 있다. 즉, 노광 후의 시간 관리가 하기 쉽고, 정밀도가 높은 PEB 처리가 실현된다. 또한, 노광 처리 장치 이외의 장치의 트러블에 의해 노광 처리 장치의 가동률을 저하시키는 리스크가 저감되어, 포토리소그래피 처리부(1b)에 있어서의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
<제3 실시 형태>
도13은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(102)에 있어서, 포토리소그래피 공정을 실시하기 위한 포토리소그래피 처리부(1c)를 중심으로 한 반송 장치의 개요를 나타내는 도면이다. 본 실시 형태에서는, 제2 자동 기판 반송 라인으로서 부 반송 라인(30)을 배치하고, 이 부 반송 라인(30)에 대해 웨이퍼(W) 표면에 소정의 레지스트를 도포하는 제1 레지스트 도포 처리 장치(2a) 및 제2 레지스트 도포 처리 장치(2b), 및 노광 처리된 웨이퍼(W)를 현상하는 제1 현상 처리 장치(5a) 및 제2 현상 처리 장치(5b)를, 각각 웨이퍼(W)를 직접 전달할 수 있도록 분리하여 병렬적으로 배치하였다.
제1 현상 처리 장치(5a)에는, 노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 제1 PEB 처리 장치(4a)를 통해 웨이퍼(W)에 대해 노광 처리를 행하는 제1 노광 처리 장치(3a)가 직렬적으로 배치되어 있다. 제2 현상 처리 장치(5b)에는, 제2 PEB 처리 장치(4b)를 통해 제2 노광 처리 장치(3b)가 직렬적으로 배치되어 있다. 제1 노광 처리 장치(3a)는 제1 PEB 처리 장치(4a) 및 제1 현상 처리 장치(5a)를 통해 부 반송 라인(30)의 OHT(31)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 구성되어 있다. 마찬가지로 제2 노광 처리 장치(3b)는 제2 PEB 처리 장치(4b) 및 제2 현상 처리 장치(5b)를 통해 부 반송 라인(30)의 OHT(31)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 구성되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 포토리소그래피 처리부(1c)의 장치 레이아웃 구성이 다른 점 이외는, 도1에 도시한 제1 실시 형태의 기판 처리 시스템(100)과 마찬가지이다.
또한, 도13에서는 도시를 생략하고 있지만, 포토리소그래피 처리부(1c)에는 제1 및 제2 레지스트 도포 처리 장치(2a, 2b), 제1 및 제2 노광 처리 장치(3a, 3b), 제1 및 제2 PEB 처리 장치(4a, 4b), 제1 및 제2 현상 처리 장치(5a, 5b)를 하나의 그룹으로 하여, 복수 그룹이 설치되어 있다. 즉, 각 그룹 내에서 상기 각 처리 장치의 설치 비율을 유지한 상태에서, 정수배의 처리 장치가 배치되어 있다.
기판 처리 시스템(102)에 있어서, 예를 들어 다른 처리부(도시하지 않음)로부터 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 의해 반송되어 온 웨이퍼(W)는 어느 하나의 웨이퍼 전달부(40)에 있어서 포토리소그래피 처리부(1c)의 부 반송 라인(30) 상의OHT(31)에 전달된다. 그리고, 부 반송 라인(30) 상의 OHT(31)는 포토리소그래피 처리부(1c) 내의 각 처리 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 구체적으로는, 예를 들어 포토리소그래피 처리부(1c)에 반송되어 온 웨이퍼(W)는 부 반송 라인(30)의 OHT(31)에 의해 제1 레지스트 도포 처리 장치(2a) 또는 제2 레지스트 도포 처리 장치(2b) 중 어느 한쪽에 반송된다. 이때, 제2 MES(60)의 제어 하에서 제1 레지스트 도포 처리 장치(2a) 또는 제2 레지스트 도포 처리 장치(2b) 중 어느 쪽에 반입할지 배분이 행해진다. 따라서, 레지스트 도포 처리 장치의 가동 상태에 따라서 융통성 있는 웨이퍼 반송이 가능해져, 포토리소그래피 공정의 처리량을 향상시키는 것이 가능해진다.
다음에, 제1 레지스트 도포 처리 장치(2a) 또는 제2 레지스트 도포 처리 장치(2b) 중 어느 한쪽에서 레지스트 도포 처리가 이루어진 웨이퍼(W)는 노광 처리를 위해 부 반송 라인(30)을 통해 제1 현상 처리 장치(5a) 및 제2 현상 처리 장치(5b) 중 어느 한쪽에 반송된다. 이때도, 제2 MES(60)의 제어 하에서 제1 현상 처리 장치(5a) 또는 제2 현상 처리 장치(5b) 중 어느 쪽에 반입할지 배분이 행해진다. 따라서, 현상 처리 장치 및 노광 처리 장치의 가동 상태에 따라서 융통성 있는 웨이퍼 반송이 가능해져, 포토리소그래피 공정의 처리량을 향상시키는 것이 가능해진다. 그리고, 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)는 노광, PEB, 현상의 순서로 처리된다. 본 실시 형태에서는 현상 처리 장치(5a, 5b)와 PEB 처리 장치(4a, 4b)와 노광 처리 장치(3a, 3b)가 직렬적으로 배치되어 있음으로써, 노광 처리, PEB 처리 및 현상 처리의 일련의 처리를 고처리량으로 행할 수 있다.
또한, 부 반송 라인(30)이 버퍼 기능을 가짐으로써, 주 반송 라인(20) 상에 저장되는 처리 중인 로트수를 감소시킬 수 있어, 주 반송 라인(20)에의 부하를 억제할 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(102)에 있어서는, 주 반송 라인(20)과는 독립된 반송 기구로서 포토리소그래피 처리부(1c)에 있어서 부 반송 라인(30)을 설치함으로써, 포토리소그래피 처리부(1c) 내에 있어서의 각 처리 장치에의 반송의 자유도를 크게 할 수 있는 동시에, 포토리소그래피 공정에서의 처 리 속도 및 웨이퍼 반송 속도를 기판 처리 시스템(102)에 있어서의 다른 처리부와 분리하여 제어할 수 있다. 따라서, 포토리소그래피 공정을 높은 처리량으로 처리하는 것이 가능하고, 예를 들어 이중 노광 프로세스와 같이 포토리소그래피 공정에 큰 부하가 가해지는 것과 같은 처리에도 대응을 도모할 수 있다.
또한, 상기 구성에서는 두 개의 레지스트 도포 처리 장치(2a, 2b)와 현상 처리 장치(5a, 5b)를, 부 반송 라인(30)에 대해 웨이퍼(W)를 직접 전달 가능하게 병렬적으로 배치하였으므로, 어느 하나의 장치에 고장 등의 문제점이 발생한 경우에 있어서도 융통성 있게 다른 장치로 웨이퍼(W)를 반송하여 처리를 행하는 것이 가능하다. 따라서, 포토리소그래피 처리부(1c)를 포함하는 기판 처리 시스템(102) 전체의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 제1 노광 처리 장치(3a)와 제1 PEB 처리 장치(4a), 제2 노광 처리 장치(3b)와 제2 PEB 처리 장치(4b)를 각각 인접하여 배치하였으므로, 노광 후의 시간 관리가 하기 쉽고, 정밀도가 높은 PEB 처리가 가능하다.
<제4 실시 형태>
도14는 본 발명의 제4 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(103)에 있어서, 포토리소그래피 공정을 실시하기 위한 포토리소그래피 처리부(1d)를 중심으로 한 반송 장치의 개요를 나타내는 도면이다. 본 실시 형태에서는, 제2 자동 기판 반송 라인으로서 웨이퍼(W)를 1매씩 반송하는 컨베이어(70)를 배치하고, 이 컨베이어(70)에 대해 웨이퍼(W) 표면에 소정의 레지스트를 도포하는 제1 레지스트 도포 처리 장치(2a) 및 제2 레지스트 도포 처리 장치(2b) 및 노광 처리된 웨이퍼(W)를 현상하는 제1 현상 처리 장치(5a) 및 제2 현상 처리 장치(5b)를, 각각 웨이퍼(W)를 직접 전달할 수 있도록 분리하여 병렬적으로 배치하였다.
제1 현상 처리 장치(5a)에는 노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 제1 PEB 처리 장치(4a)를 통해 웨이퍼(W)에 대해 노광 처리를 행하는 제1 노광 처리 장치(3a)가 직렬적으로 배치되어 있다. 제2 현상 처리 장치(5b)에는 제2 PEB 처리 장치(4b)를 통해 제2 노광 처리 장치(3b)가 직렬적으로 배치되어 있다. 제1 노광 처리 장치(3a)는 제1 PEB 처리 장치(4a) 및 제1 현상 처리 장치(5a)를 통해 컨베이어(70)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 구성되어 있다. 마찬가지로 제2 노광 처리 장치(3b)는 제2 PEB 처리 장치(4b) 및 제2 현상 처리 장치(5b)를 통해 컨베이어(70)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 구성되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 포토리소그래피 처리부(1d)의 장치 레이아웃 구성이 다른 점 이외는, 도12에 도시한 제2 실시 형태의 기판 처리 시스템(101)과 마찬가지이다.
또한, 도14에서는 도시를 생략하고 있지만, 포토리소그래피 처리부(1d)에는 제1 및 제2 레지스트 도포 처리 장치(2a, 2b), 제1 및 제2 노광 처리 장치(3a, 3b), 제1 및 제2 PEB 처리 장치(4a, 4b), 제1 및 제2 현상 처리 장치(5a, 5b)를 하나의 그룹으로 하여, 복수 그룹이 설치되어 있다. 즉, 각 그룹 내에서 상기 각 처리 장치의 설치 비율을 유지한 상태에서, 정수배의 처리 장치가 배치되어 있다.
기판 처리 시스템(103)에 있어서, 예를 들어 다른 처리부(도시하지 않음)로부터 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 의해 카세트 반송되어 온 웨이퍼(W)는, 예를 들어 제1 레지스트 도포 처리 장치(2a) 또는 제2 레지스트 도포 처리 장치(2b) 중 어느 한쪽의 카세트 스테이션(210)에 카세트마다 전달된다. 카세트 스테이션(210)에는, 낱장 반출입 포트(P)가 설치되어 있고, 예를 들어 제1 레지스트 도포 처리 장치(2a) 또는 제2 레지스트 도포 처리 장치(2b)에서 레지스트 도포 처리가 종료된 웨이퍼(W)는 이 낱장 반출입 포트(P)에 임시 배치된다. 그리고, 웨이퍼 핸들링 로봇(71)은 상기 낱장 반출입 포트(P)에 임시 배치된 웨이퍼(W)를 컨베이어(70)에 차례차례 전달한다. 컨베이어(70)는 루프 형상으로 구성되어 있으므로, 순환식으로 1매씩 웨이퍼(W)를 이동시킨다.
또한, 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 의해 카세트 반송되어 온 웨이퍼(W)는 제1 레지스트 도포 처리 장치(2a), 제2 레지스트 도포 처리 장치(2b), 제1 현상 처리 장치(5a) 또는 제2 현상 처리 장치(5b) 중 어느 카세트 스테이션(210)에 반입해도 좋다. 이 경우, 각 카세트 스테이션(210)에서는 카세트로부터 웨이퍼(W)를 발출하여 직접 낱장 반출입 포트(P)에 웨이퍼를 임시 배치하는 전달 동작을 행할 수 있다. 즉, 주 반송 라인(20)의 OHT(21)에 의해 카세트 반송되어 온 웨이퍼(W)를, 각 장치에서의 처리 전에 일단 컨베이어(70)에 전달함으로써, 컨베이어(70)를 포토리소그래피 처리부(1d) 내에서의 버퍼로서 활용할 수 있는 동시에, 포토리소그래피 처리부(1d)에 있어서의 각 장치의 가동 상황에 따라서 제2 MES(60)의 제어 하에서 융통성 있는 반송을 행할 수 있다.
컨베이어(70) 상을 이동 중인 웨이퍼(W)는 ID 번호에 의해 다음의 반송처나 반송 시간 등이 관리된다. 예를 들어, 루프 형상의 컨베이어(70) 상에서 반송되는 웨이퍼(W)는 제2 MES(60)의 제어 하에서 제1 레지스트 도포 처리 장치(2a) 또는 제 2 레지스트 도포 처리 장치(2b) 중 어느 쪽에 반입할지 배분이 행해진다. 따라서, 레지스트 도포 처리 장치의 가동 상태에 따라서 융통성 있는 웨이퍼 반송이 가능해져, 포토리소그래피 공정의 처리량을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 제1 레지스트 도포 처리 장치(2a) 또는 제2 레지스트 도포 처리 장치(2b) 중 어느 한쪽에서 레지스트 도포 처리가 종료된 후의 웨이퍼(W)는, 노광 처리를 행하기 위해 컨베이어(70)를 통해 제1 현상 처리 장치(5a) 및 제2 현상 처리 장치(5b) 중 어느 한쪽에 반송된다. 이때도, 제2 MES(60)의 제어 하에서 제1 현상 처리 장치(5a) 또는 제2 현상 처리 장치(5b) 중 어느 쪽에 반입할지 배분이 행해진다. 따라서, 현상 처리 장치 및 노광 처리 장치의 가동 상태에 따라서 융통성 있는 웨이퍼 반송이 가능해져, 포토리소그래피 공정의 처리량을 향상시키는 것이 가능해진다. 그리고, 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)는 노광, PEB, 현상의 순서로 처리된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 현상 처리 장치(5a, 5b)와 PEB 처리 장치(4a, 4b)와 노광 처리 장치(3a, 3b)가 직렬적으로 배치되어 있음으로써, 노광 처리, PEB 처리 및 현상 처리의 일련의 처리를 고처리량으로 행할 수 있다.
본 실시 형태의 기판 처리 시스템(103)에서는, 주 반송 라인(20)과는 독립된 반송 기구로서 포토리소그래피 처리부(1d)에 있어서 컨베이어(70)를 사용함으로써, 포토리소그래피 처리부(1d) 내에 있어서의 각 처리 장치로의 반송의 자유도를 크게 할 수 있다. 또한, 포토리소그래피 처리부(1d) 내의 각 처리 장치에서 처리된 웨이퍼(W)를 순차 컨베이어(70)에서 다음 공정의 처리를 행하는 처리 장치로 낱장 반송할 수 있으므로, 예를 들어 카세트 단위로 다음의 처리 장치로 반송하는 경우에 비해 대기 시간이 적어 처리량을 향상시킬 수 있다. 또한, 컨베이어(70)를 설치함으로써, 포토리소그래피 공정에서의 처리 속도 및 웨이퍼 반송 속도를 기판 처리 시스템(103)에 있어서의 다른 처리부와 분리하여 제어할 수 있다. 따라서, 포토리소그래피 공정을 높은 처리량으로 처리하는 것이 가능하고, 이중 노광 프로세스와 같이 포토리소그래피 공정에 큰 부하가 가해지는 것과 같은 처리에도 대응을 도모할 수 있다.
또한, 컨베이어(70)가 버퍼 기능을 가짐으로써, 주 반송 라인(20) 상에 저장되는 처리 중인 로트수를 감소시킬 수 있어, 주 반송 라인(20)에의 부하를 억제할 수 있다.
또한, 상기 구성에서는, 두 개의 레지스트 도포 처리 장치(2a, 2b)와 현상 처리 장치(5a, 5b)를, 컨베이어(70)에 대해 웨이퍼(W)를 직접 전달 가능하게 병렬적으로 배치하였으므로, 어느 한 장치에 고장 등의 문제점이 발생한 경우에 있어서도 융통성 있게 동종의 다른 장치로 웨이퍼(W)를 반송하여 처리를 행하는 것이 가능하다. 따라서, 포토리소그래피 처리부(1d)를 포함하는 기판 처리 시스템(103) 전체의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 제1 노광 처리 장치(3a)와 제1 PEB 처리 장치(4a), 제2 노광 처리 장치(3b)와 제2 PEB 처리 장치(4b)를 각각 인접하여 배치하였으므로, 노광 후의 시간 관리가 하기 쉽고, 정밀도가 높은 PEB 처리가 가능하다.
본 발명의 제1 내지 제4 실시 형태에 따르면, 피처리 기판에 대해 개별로 처리를 행하는 복수의 처리부 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인과, 이 제1 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 기판을 전달 가능하게 구성되고, 상기 포토리소그래피 공정에 있어서의 일련의 처리를 행하는 각 처리 장치 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제2 자동 기판 반송 라인을 각각 설치하고, 적어도 레지스트 도포 처리 장치와 현상 처리 장치를, 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 병렬적으로 분리 배치한 기판 처리 시스템에 있어서, 노광 처리 장치와 노광 후 베이크 처리 장치를 인접 배치하였으므로, 노광 처리로부터 노광 후 베이크 처리까지의 시간 관리를 정확하게 행하는 것이 가능해진다.
따라서, 높은 재현성 하에서 노광 후 베이크 처리를 행하는 것이 가능하고, 예를 들어 ArF 레지스트에 대표되는 화학 증폭형 레지스트를 이용하는 포토리소그래피 프로세스에 특히 유리하게 이용할 수 있다.
또한, 노광 처리 장치에 부대하는 필요 최소한의 설비로서 노광 후 베이크 처리 장치만을 인접 배치해 둠으로써, 노광 처리 장치 이외의 장치의 트러블에 의해 노광 처리 장치의 가동률을 저하시키는 리스크가 저감되어, 포토리소그래피 처리부에 있어서의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상, 어느 하나의 실시 형태를 예로 들어 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니며, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어 제1 내지 제4 실시 형태(도1, 도12, 도13 및 도14)의 장치 레이아웃 구성에 있어서, 레지스트 도포 처리 장치, PEB 처리 장치, 노광 처리 장치 및 현상 처리 장치의 설치 개수를 더욱 증가시키는 경우에는, 상기한 바와 같이 도1, 도12, 도13 및 도14에 도 시한 각 장치의 설치 비율을 유지한 상태에서 전체의 설치수를 늘리는 것이 바람직하지만, 예를 들어 레지스트 도포 처리 장치만의 설치수를 늘리는 등 특정 장치에 대해서만 증가시켜도 좋다.
또한, 상기 실시 형태의 기판 처리 시스템에서는, 반도체 웨이퍼에 레지스트 도포ㆍ노광ㆍ현상의 일련의 포토리소그래피 공정을 행하는 경우에 대해 설명하였지만, 반도체 웨이퍼 이외의 다른 피처리 기판, 예를 들어 FPD(플랫 패널 디스플레이)용 글래스 기판에 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리 시스템에도 본 발명을 적용할 수 있다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리에 적용 가능하다.

Claims (20)

  1. 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리 시스템이며,
    피처리 기판에 대해 개별로 처리를 행하는 복수의 처리부 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인과,
    상기 제1 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 구성되고, 상기 포토리소그래피 공정에 있어서의 일련의 처리를 행하는 포토리소그래피 처리부와,
    상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제2 자동 기판 반송 라인을 구비하고,
    상기 포토리소그래피 처리부는,
    피처리 기판 표면에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 처리 장치와,
    피처리 기판에 도포된 레지스트에 대해 노광 처리를 행하는 노광 처리 장치와,
    노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 노광 후 베이크 처리 장치와,
    가열 처리 후의 레지스트를 현상 처리하는 현상 처리 장치를 구비하고 있고,
    상기 레지스트 도포 처리 장치와 상기 노광 후 베이크 처리 장치와 상기 현상 처리 장치는, 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 분리하여 배치되고,
    상기 노광 처리 장치는 상기 노광 후 베이크 처리 장치를 통해 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하도록 상기 노광 후 베이크 처리 장치에 인접 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레지스트 도포 처리 장치, 상기 노광 후 베이크 처리 장치 및 상기 현상 처리 장치는 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달하기 위한 개별 기판 전달 포트를 구비하고 있는 기판 처리 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 자동 기판 반송 라인은 상기 제1 자동 기판 반송 라인으로부터 독립된 순환식의 기판 반송 라인인 기판 처리 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 자동 기판 반송 라인을 이동하여 상기 각 처리부와의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하는 제1 자동 기판 반송 장치와,
    상기 제2 자동 기판 반송 라인을 이동하여 상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하는 제2 자동 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 자동 기판 반송 장치 및 상기 제2 자동 기판 반송 장치는 복수매의 피처리 기판을 용기에 수용하여 반송하는 용기 반송 장치인 기판 처리 시스템.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 자동 기판 반송 장치는 복수매의 피처리 기판을 용기에 수용하여 반송하는 용기 반송 장치이며, 상기 제2 자동 기판 반송 장치는 피처리 기판을 1매씩 반송하는 낱장 반송 장치인 기판 처리 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 자동 기판 반송 라인에 있어서의 피처리 기판의 반송을 제어하는 제1 제어부와,
    상기 제2 자동 기판 반송 라인에 있어서의 피처리 기판의 반송을 제어하는 제2 제어부를 구비한 기판 처리 시스템.
  8. 제1항에 있어서, 상기 레지스트 도포 처리 장치의 설치수에 대해 상기 노광 처리 장치의 설치수가 1 : 2의 비율이 되도록 배치한 기판 처리 시스템.
  9. 제1항에 있어서, 상기 포토리소그래피 처리부는 이중 노출 기술에 의해 패턴 형성을 행하는 처리부인 기판 처리 시스템.
  10. 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리 시스템이며,
    피처리 기판에 대해 개별로 처리를 행하는 복수의 처리부 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인과,
    상기 제1 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 구성되고, 상기 포토리소그래피 공정에 있어서의 일련의 처리를 행하는 포토리소그래피 처리부와,
    상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치의 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제2 자동 기판 반송 라인을 구비하고,
    상기 포토리소그래피 처리부는,
    피처리 기판 표면에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 처리 장치와,
    피처리 기판에 도포된 레지스트에 대해 노광 처리를 행하는 노광 처리 장치와,
    노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 노광 후 베이크 처리 장치와,
    상기 노광 후 베이크 처리 장치에 인접 배치되고, 가열 처리 후의 레지스트를 현상 처리하는 현상 처리 장치를 구비하고 있고,
    상기 레지스트 도포 처리 장치와 상기 현상 처리 장치는, 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 분리하여 배치되고, 상기 노광 처리 장치는 상기 노광 후 베이크 처리 장치 및 상기 현상 처리 장치를 통해 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하도록 상기 노광 후 베이크 처리 장치에 인접 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 레지스트 도포 처리 장치 및 상기 현상 처리 장치는 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달하기 위한 개별 기판 전달 포트를 구비하고 있는 기판 처리 시스템.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제2 자동 기판 반송 라인은 상기 제1 자동 기판 반송 라인으로부터 독립된 순환식의 기판 반송 라인인 기판 처리 시스템.
  13. 제10항에 있어서, 상기 제1 자동 기판 반송 라인을 이동하여 상기 각 처리부와의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하는 제1 자동 기판 반송 장치와,
    상기 제2 자동 기판 반송 라인을 이동하여 상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하는 제2 자동 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템.
  14. 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리 시스템에 있어서 피처리 기판을 반송하는 기판 반송 방법이며,
    상기 기판 처리 시스템은 피처리 기판에 대해 개별로 처리를 행하는 복수의 처리부 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인과, 상기 제1 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 구성되고, 상기 포토리소그래피 공정에 있어서의 일련의 처리를 행하는 포토리소그래피 처리부에 전용의 순환식의 제2 자동 기판 반송 라인을 구비하고,
    상기 포토리소그래피 처리부는,
    피처리 기판 표면에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 처리 장치와,
    피처리 기판에 도포된 레지스트에 대해 노광 처리를 행하는 노광 처리 장치와,
    노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 노광 후 베이크 처리 장치와,
    가열 처리 후의 레지스트를 현상 처리하는 현상 처리 장치를 구비하고 있고,
    상기 포토리소그래피 처리부에서는 상기 제2 자동 기판 반송 라인에 의해 각 처리 장치 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 동시에, 상기 레지스트 도포 처리 장치와 상기 노광 후 베이크 처리 장치와 상기 현상 처리 장치는 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 직접 전달하고, 상기 노광 처리 장치는 인접 배치된 상기 노광 후 베이크 처리 장치를 통해 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하도록 한 기판 반송 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 포토리소그래피 처리부에 있어서는, 상기 각 처리 장치의 가동 상태에 따라서 상기 제2 자동 기판 반송 라인으로부터 피처리 기판을 반입하는 반입처를 선택하는 기판 반송 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 제1 자동 기판 반송 라인 및 상기 제2 자동 기판 반송 라인에서는 복수매의 피처리 기판을 용기에 수용하여 반송하고, 상기 제2 자동 기판 반송 라인과 상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치 사이에서는 상기 용 기에 수용한 상태에서 피처리 기판의 전달을 행하는 기판 반송 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 제1 자동 기판 반송 라인에서는 복수매의 피처리 기판을 용기에 수용하여 반송하고, 상기 제2 자동 기판 반송 라인에서는 피처리 기판을 1매씩 반송하는 동시에, 상기 제2 자동 기판 반송 라인과 상기 포토리소그래피 처리부의 각 처리 장치와의 사이에서는 1매씩 피처리 기판의 전달을 행하는 기판 반송 방법.
  18. 피처리 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 포함하는 처리를 행하는 기판 처리 시스템에 있어서 피처리 기판을 반송하는 기판 반송 방법이며,
    상기 기판 처리 시스템은, 피처리 기판에 대해 개별로 처리를 행하는 복수의 처리부 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인과, 상기 제1 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 전달 가능하게 구성되고, 상기 포토리소그래피 공정에 있어서의 일련의 처리를 행하는 포토리소그래피 처리부에 전용의 순환식의 제2 자동 기판 반송 라인을 구비하고,
    상기 포토리소그래피 처리부는,
    피처리 기판 표면에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 처리 장치와,
    피처리 기판에 도포된 레지스트에 대해 노광 처리를 행하는 노광 처리 장치와,
    노광 처리 후의 레지스트를 가열 처리하는 노광 후 베이크 처리 장치와,
    가열 처리 후의 레지스트를 현상 처리하는 현상 처리 장치를 구비하고 있고,
    상기 포토리소그래피 처리부에서는, 상기 제2 자동 기판 반송 라인에 의해 각 처리 장치 사이에서 피처리 기판의 반송을 행하는 동시에, 상기 레지스트 도포 처리 장치와 상기 현상 처리 장치는 각각 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판을 직접 전달하고, 상기 노광 처리 장치는 인접 배치된 상기 노광 후 베이크 처리 장치 및 상기 현상 처리 장치를 통해 상기 제2 자동 기판 반송 라인과의 사이에서 피처리 기판의 전달을 행하도록 한 기판 반송 방법.
  19. 삭제
  20. 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이며,
    상기 제어 프로그램은 실행시에 제14항에 기재된 기판 반송 방법이 행해지도록 상기 기판 처리 시스템을 제어하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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