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KR101082011B1 - 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents

포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 Download PDF

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KR101082011B1
KR101082011B1 KR1020090009091A KR20090009091A KR101082011B1 KR 101082011 B1 KR101082011 B1 KR 101082011B1 KR 1020090009091 A KR1020090009091 A KR 1020090009091A KR 20090009091 A KR20090009091 A KR 20090009091A KR 101082011 B1 KR101082011 B1 KR 101082011B1
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glycol
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윤재만
박상준
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램테크놀러지 주식회사
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Abstract

포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에서, 알카놀 아민계 화합물, 모르폴린계 화합물, 글리콜계 화합물 및 여분의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 조성물을 포토레지스트막에 적용하여 제거한다. 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물은 레지스트에 대한 박리성능이 우수하고 알루미늄과 같은 금속배선에 대한 부식 영향성이 현저히 감소된 특성을 나타내므로 공정시간 단축 및 생산성 향상에 기여한다.

Description

포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법{Composition for removing photoresist and method of forming a pattern using the composition}
본 발명은 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 금속배선에 대해 부식 영향성이 감소된 특성을 나타내는 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
LCD 제조 공정에서 적용되는 포토리소그라피 공정에서 패터닝이 완료된 후에는 마스크로 사용된 포토레지스트 패턴을 제거후에 다시 일부 잔류하는 잔사물인 포토레지스트 잔사등을 포토레지스트 박리액에 의해 제거하는 것이 통상이다. 여기서 포토레지스트 잔사란, 에싱처리 후에 기판표면에 잔류하는 유기금속중합체, 금속산화물의 전부를 의미한다. 포토레지스트 잔사는 종래 일반적으로 사용되고 있는 유기용제와 알카놀아민을 조합한 포토레지스트 박리액에서는 완전히 제거하는 것이 불가능하다(특개평5-281753호 공보:미국특허 제5480585호). 그 원인은 에싱후의 포토레지스트의 잔사의 일부가 배선재료등의 피에칭 재료와 함께 무기화되고 있기 때문이라고 생각된다.
이들 포토레지스트 잔사제거액은 배선재료를 부식하지 않도록 이소프로필 알콜등의 유기용제에 의한 린스를 행하는 것이나, 포토레지스트 잔사를 완전히 제거하기 위하여 고온에서의 처리가 필요하였다. 더욱이 포토레지스트 잔사는 배선재료와 조성이 유사하기 때문에, 이들 포토레지스트 잔사제거액에 의한 기판처리시에 배선재료가 부식되는 문제가 발생한다.
스트립 공정 중에 사용되는 스트리퍼(stripper)는 박리 및 용해 작용을 균형있게 병행하여 포토레지스트를 제거하게 된다. 그러나 상기 작용들이 불균형적으로 이루어지거나, 상기 스트리퍼가 물과 제대로 혼합하지 못하면 기판 상에 잔사를 남기게 된다. 일반적인 유기 스트리퍼의 대부분은 폴리머와 같은 불순물을 제거에 강점을 갖도록 제조되기 때문에 포토레지스트를 제거하는데 한계를 지닌다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여 서로 다른 종류의 스트리퍼를 사용하여 2회 이상에 걸쳐 스트립 공정을 수행하거나, 장시간 동안 스트립 공정을 수행해야 하는 등의 불편함이 있다.
일반적으로 유기 용매나 알칼리 수용액 등으로 이루어진 스트리핑 조성물을 사용하여 제거하고 있는 것이 특징이며, 특히 포토레지스트의 제거 능력이 탁월하고 부식 등의 부작용이 적기 때문에 대부분의 경우 유기 용매를 많이 사용하고 있다. 그런데 이는 가격이 고가이고 폐액의 환경 부하도 상당히 높은 수준이기 때문에 이를 대체할 수 있는 스트리핑 조성물이 요구되고 있는 실정이다.
모노에탄올아민을 포토레지스트 스트립핑 조성물의 주성분으로 사용하는 것은 공지되어 있다. 예를 들면, 미합중국 특허 제5,798,323호(issued to Honda et al.)에는 모노에탄올아민을 포함하는 레지스트 스트립핑 조성물이 개시되어 있다. 그러나 상기 조성물은 대부분 수 미크론 이하의 두께를 갖는 포토레지스트 막을 제거하기 위한 용액으로, 수십 미크론 이상의 두께를 갖는 후막용 포토레지스트 막을 충분히 제거하지 못하고 레지스트중에 포함되어 있는 금속, 미입자등의 오염물이 잔존한다는 결점이 문제가 된다.
본 발명의 목적은 레지스트에 대한 박리성능이 우수하고, 스트립 공정 후 유기용제를 사용하는 세정공정 없이 알루미늄과 같은 금속배선에 대해 부식영향성이 현저히 감소된 특성을 나타내는 포토레지스트 제거용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 포토레지스트 제거용 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 제거용 조성물은 알카놀 아민계 화합물 약 1 내지 3중량%, 모르폴린계 화합물 약 5 내지 20중량%, 글리콜계 화합물 약 15 내지 65중량% 및 여분의 용매를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 알카놀아민계 화합물은 모노에탄올아민(monoethanolamine), 디에탄올아민(diethanolamine), 트리에탄올아민(triethanolamine), 글리콜아민(glycolamine), 디글리콜아민(diglycolamine) 또는 모노이소프로판올아민(monoisopropanolamine)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 모르폴린계 화합물은 모르폴린(morpholine), N-메틸 모르폴린(N-methyl morpholine) 또는 N-메틸 모르폴린 N-옥사이드(N-methyl morpholine N-oxide)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 글리콜계 화합물은 에틸렌글리콜 메틸 에테르, 에틸렌글리콜 에틸에테르, 에틸렌글리콜 부틸에테르, 프로필렌 글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콘 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌 글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸 에테르, 모노에틸렌 글리콜 또는 메틸에틸렌 글리콜을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 용매는 물 또는 극성용매를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 극성용매는 디에틸 아세트아미드(dimethyl acetamide), N-메틸 피롤리돈(N-methyl pyrrolidone), 디메틸 포름아미드(dimethyl formamide) 또는 디메틸 술폭사이드(dimethyl sulfoxide)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 제거용 조성물은 부식방지제를 약 1 내지 5중량% 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 부식방지제는 피로카테콜(pyrocatechol), 니트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid), 벤조트리아졸(benzotriazole), 아스코르빈산(ascorbic acid) 또는 갈릭산(gallic acid)을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴형성 방법에서는, 기판상의 소정의 막상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 식각 공정을 수행하는 것에 의해 상기 막의 패턴 을 형성한다. 상기 식각 공정의 완료후 포토레지스트 패턴을 알카놀 아민계 화합물, 모르폴린계 화합물, 글리콜계 화합물 및 여분의 극성용매를 포함하는 포토레지스트 제거용 조성물을 이용하여 제거한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 패턴은 금속 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속산화물 또는 질화물은 알루미늄, 텅스텐 또는 티타늄을 포함할 수 있다.
상기와 같은 포토레지스트 제거용 조성물은 박리성능이 우수하고, 스트립 공정 후 유기용제를 사용하는 세정공정없이 알루미늄과 같은 금속배선에 대해 부식영향성이 현저히 감소된 특성을 나타내므로 공정시간 단축 및 생산성 향상에 기여한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
포토레지스트 제거용 조성물
본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물은 알카놀 아민계 화합물, 모르폴린계 화합물, 글리콜계 화합물 및 여분의 용매를 포함한다. 구체적으로, 알카놀 아민계 화합물 약 1 내지 3중량%, 모르폴린계 화합물 약 5 내지 20중량%, 글리콜계 화합물 약 15 내지 65중량% 및 여분의 용매를 포함한다.
본 발명의 조성물은 알카놀 아민계 화합물을 포함한다. 알카놀 아민계 화합물은 포토레지스트를 팽윤 또는 약화시켜 제거되기 쉬운 상태로 변화하는 역할을 한다. 본 발명의 알카놀 아민계 화합물의 예로는 모노에탄올아민(monoethanolamine), 디에탄올아민(diethanolamine), 트리에탄올아민(triethanolamine), 글리콜아민(glycolamine), 디글리콜아민(diglycolamine) 또는 모노이소프로판올아민(monoisopropanolamine)등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물이 알카놀 아민계 화합물을 1중량% 미만을 포함하는 경우, 포토레지스트 제거에 소요되는 시간이 연장되기 때문에 바람직하지 않다. 또한 함량이 3중량%를 초과하면, 대상물을 손상시킬 수 있으므로 바람직하지 않다. 따라서 본 발명의 포토레지스트 조성물은 알카놀 아민계 화합물을 약 1 내지 3중량%를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물은 모르폴린계 화합물을 포함한다. 모르폴린계 화합물은 기판상 구조물의 손상을 방지하는 역할을 한다. 본 발명의 모르폴린계 화합물의 예로는 모르폴린(morpholine), N-메틸 모르폴린(N-methyl morpholine) 또는 N-메틸 모르폴린 N-옥사이드(N-methyl morpholine N-oxide)등을 들 수 있다. 이들은 단독으 로 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물이 모르폴린계 화합물을 5중량% 미만 포함하는 경우, 구조물의 손상방지가 미미하여 바람직하지 않고, 또한 모르폴린계 화합물의 함량이 20중량%를 초과하면, 손상방지효과가 개선되지 않고 조성물의 점도를 상승시키므로 바람직하지 않다. 따라서 본 발명의 조성물은 모르폴린계 화합물을 약 5중량 내지 20중량%를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물은 글리콜계 화합물을 포함한다. 글리콜계 화합물은 포토레지스트와 하부 막질에서의 표면장력이 낮기 때문에 포토레지스트 제거 효율이 향상될 수 있으며, 어는점이 낮고 발화점이 높기 때문에 저장안정성 측면에서도 유리하게 작용하는 역할을 한다. 본 발명의 글리콜계 화합물의 예로는 에틸렌글리콜 메틸에테르, 에틸렌글리콜 에틸에테르, 에틸렌글리콜 부틸에테르, 프로필렌 글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콘 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌 글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸 에테르, 모노에틸렌 글리콜 또는 메틸에틸렌 글리콜등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물이 글리콜계 화합물을 약 15중량%미만으로 포함하는 경우, 포토레지스트가 완전히 용해되지 않아 바람직하지 않다. 또한 함량이 약 65중량%를 초과하면, 포토레지스트 제거 효과에 있어 별다른 차이가 없으므로 바람직하지 않다. 따라서 본 발명의 조성물은 글리콜계 화합물을 약 15 내지 65중량%로 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물에 사용할 수 있는 용매의 예로는 탈이온수(DI water) 또는 극성용매를 들 수 있다. 상기 용매는 팽창된 폴리머들 및 기판으로부터 이탈된 포토레지스트를 용해시키는 역할을 한다. 또한 상기 포토레지스트 제거용 조성물의 점도를 조절하는 역할을 하기도 한다. 따라서, 상기 기판으로부터 이탈된 포토제지스트 및 식각 잔류물들이 상기 기판의 표면에 재흡착되는 현상을 방지할 수 있다. 상기 극성용매의 예로는 디에틸 아세트아미드(dimethyl acetamide), N-메틸 피롤리돈(N-methyl pyrrolidone), 디메틸 포름아미드(dimethyl formamide) 또는 디메틸 술폭사이드(dimethyl sulfoxide)등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물은 부식방지제를 더 포함할 수 있다. 상기 부식방지제는 포토레지스트 제거공정시 하부의 금속 배선등의 부식을 방지하는 역할을 한다. 포토레지스트 제거공정시 하부의 금속 배선등의 부식을 방지하는 역할을 한다. 본 발명의 부식 방지제의 예로는 피로카테콜(pyrocatechol), 니트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid), 벤조트리아졸(benzotriazole), 아스코르빈산(ascorbic acid) 또는 갈릭산(gallic acid)등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물이 부식방지제를 1중량% 미만을 포함하는 경우, 금속 배선의 부식 방지효과가 미미하고, 부식방지제의 함량이 5중량%를 초과하면, 폴리머 및 포토레지스트성 잔류물 제거를 방해하는 영향을 초래할 수 있으므로 바람직하지 않 다. 따라서 본 발명의 조성물은 부식방지제를 약 1 내지 약 5중량%를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 포토레지스트 제거용 조성물은 레지스트에 대한 박리성능이 우수하고, 스크립 공정 후 이소프로판올과 같은 유기용제를 사용하는 세정공정 없이 공정을 진행하여도 알루미늄과 같은 금속배선에 대한 부식 영향성이 현저히 감소된 특성을 나타내어, 알루미늄을 금속배선으로 주로 이용하는 LCD공정에서의 공정시간 단축 및 생산성 향상에 기여한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 패턴 형성 방법에 있어서 포토레지스트막을 식각 마스크로 이용하여 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트막을 제거할 때 상기 포토레지스트 제거용 조성물을 사용할 수 있다.
포토레지스트 제거용 조성물의 제조
실시예 1
포토레지스트 제거용 조성물의 총 중량을 기준으로, 알카놀아민계 화합물로써 모노에탄올아민(monoethanolamine: MEA) 2중량%, 모르폴린계 화합물로써 N-메틸모르폴린 N-옥사이드(N-methylmorpholine N-oxide: NMMO) 10중량%, 극성 용매로써 N,N-디메틸 아세트아미드(N,N-dimethyl acetamide: DMAc) 60중량%, 글리콜계 화합물로써 디에틸렌 모노 부틸 에테르(Diethylene Glycol Monobutyl Ether) 25중량% 및 부식 방지제로써 피로카테콜(pyrocatechol) 3중량%를 혼합하여 포토레지스트 제거용 조성물을 제조하였다.
실시예 2 내지 6
실시예 2 내지 6에 있어서, 상기 실시예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 포토레지스트 제거용 조성물을 제조하되, 그 조성비는 하기 표 1에 나와 있는 것과 같이 변경하였다.
비교예 1
포토레지스트 제거용 조성물의 총 중량을 기준으로 알카놀아민계 화합물로써 모노에탄올아민(monoethanolamine: MEA) 10중량%, 모르폴린계 화합물로써 N-메틸모르폴린 N-옥사이드(N-methylmorpholine N-oxide: NMMO) 15중량%, 극성 용매로써 N,N-디메틸 아세트아미드(N,N-dimethyl acetamide: DMAc) 55중량% 및 글리콜계 화합물로써 디에틸렌 모노 부틸 에테르(Diethylene Glycol Monobutyl Ether) 20중량%를 혼합하여 포토레지스트 제거용 조성물을 제조하였다.
비교예 2 내지 6
비교예 2 내지 6에 있어서, 상기 비교예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하되, 그 조성비는 하기 표 1에 나와 있는 것과 같이 변경하였다.
[표 1]
Figure 112009007075158-pat00001
MEA : monoethanolamine
NMMO : N-methyl morpholine N-oxide
DMAc : dimethyl acetamide
MDG : Diethylene Glycol Monomethyl Ether
BDG : Diethylene Glycol Monobutyl Ether
포토레지스트 제거용 조성물의 세정력 평가
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 6에서 제조된 포토레지스트 제거용 조성물을 사용하여 포토레지스트에 대한 세정력을 평가하였다.
상기 포토레지스트 제거용 조성물을 평가를 위하여, 유리 기판 상에 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo)이 적층된 구조를 갖는 다층막을 형성하였다. 이어서, 상기 다층막 상에 두께 3000 Å의 포토레지스트 패턴을 형성한 후 상기 포토레지스트 패 턴에 노출된 다층막을 식각하여 다층막 패턴을 형성하였다. 이후, 상기 포토레지스트 패턴에 대하여 상기 세정력 평가를 위한 테스트 시료들을 상기 실시 예 1 내지 6 및 비교 예 1 내지 6에 따라 제작하였다.
이와 별도로 알루미늄 막질에 대한 영향을 평가하기 위하여 유리 기판 상에 알루미늄막을 형성하여 상기 테스트 시료들에 의한 막질영향성 평가를 시작하였다.
이어서, 실시 예 1 내지 6 및 비교 예 1 내지 6에서 제조된 각각의 포토레지스트 제거용 조성물을 비커에 넣고, 상기 포토레지스트 패턴 및 개구를 갖는 다층막 패턴이 형성된 테스트 시료들을 각각의 포토레지스트 제거용 조성물이 담겨있는 비커에 3분 동안 침지하였다. 상기 포토레지스트 제거용 조성물의 온도는 75℃를 유지하였다.
이어서, 상기 테스트 시료들을 탈이온수에 침지시켜 상기 테스트 시료들로부터 상기 포토레지스트 제거용 조성물을 제거하였다. 이후, 상기 테스트 시료들을 완전히 건조시켰다. 이어서, 상기 테스트 시료의 표면에 잔류하는 포토레지스트 잔류물의 잔류 정도를 평가하기 전자 현미경(Field Emission - Scanning Electron Microscope)을 이용하여 상기 다층막 패턴의 상부 포토레지스트 잔류물 또는 식각 잔류물들의 잔존 여부를 관찰하였다.
또한 실시 예 1 내지 6 및 비교 예 1 내지 6에서 제조된 각각의 포토레지스트 제거용 조성물을 비커에 넣고, 상기 알루미늄막이 노출된 시료들을 각각의 포토레지스트 제거용 조성물이 담겨있는 비커에 3분 동안 침지하고 탈이온수 200ul를 처리된 부위에 Spot형식으로 Dropping한 후 각기 시편 마다 1분에서 5분 동안 부식 성 평가를 실시하였다. 상기 포토레지스트 제거용 조성물의 온도는 70℃를 유지하였다. 이어서, 상기 테스트 시료들을 탈이온수에 침지시켜 상기 테스트 시료들로부터 상기 포토레지스트 제거용 조성물을 제거하였다. 이후, 상기 테스트 시료들을 완전히 건조시켰다. 이어서, 전자 현미경을 이용하여 상기 알루미늄막의 손상여부를 관찰하였다.
이에 따라, 각각의 포토레지스트 제거용 조성물의 포토레지스트 잔류물의 제거 능력을 평가하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[표 2]
Figure 112009007075158-pat00002
◎ : 포토레지스트 잔류물이 전혀 잔류하지 않고, 막의 식각이 거의 발생하지 않음을 나타냄.
○: 포토레지스트 잔류물이 허용치 내에서 잔류하고, 막의 식각이 미약하게 발생하였음을 나타냄.
△ : 포토레지스트 잔류물이 허용치 이상으로 잔류하고, 막의 식각이 발생하였음을 나타냄.
표 2을 참조하면, 실시 예 1 내지 6의 포토레지스트 제거용 조성물과 비교 예 1 내지 6의 포토레지스트 제거용 조성물의 세정력을 비교하였을 때, 본 발명에 따라 제조된 포토레지스트 제거용 조성물이 알루미늄막의 과도한 손상 없이 포토레지스트 패턴 및 식각 잔류물을 상기 개구를 갖는 다층막 패턴으로부터 효과적으로제거할 수 있음을 확인할 수 있다.
또한 도 1 및 도3을 참조하면, 상기 포토레지스트 제거용 조성물을 사용하여 세정시 Mo 단일막, Mo/Al 이중막 및 Mo/Al/Mo 삼중막의 금속의 부식없이 포토레지스트가 효과적으로 세정된 것을 확인할 수 있었다.
본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물을 이용함으로써, 기판상에 포함된 금속배선, 도전막 및 절연막의 손상을 최소화하는 동시에 상기 기판으로부터 포토레지스트 패턴 및 식각 잔류물만을 선택적으로 제거할 수 있다. 특히 알루미늄과 같은 금속배선에 대해 부식 영향성이 현저히 감소된 특성을 나타내므로, 알루미늄을 금속배선으로 주로 이용하는 LCD공정에서의 공정시간 단축 및 생산성 향상에 기여한다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변 경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물 적용후의 Mo 단일막을 나타내는 전자현미경(Field Emissin-Scanning Electron Microscope) 사진이다.
도 2는 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물 적용후의 Mo/Al 이중막을 나타내는 전자현미경 사진이다.
도 3은 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물 적용후의 Mo/Al/Mo 삼중막을나타내는 전자현미경 사진이다.

Claims (9)

  1. 알카놀 아민계 화합물 1 내지 3중량%;
    기판상의 구조물의 손상을 방지하는 N-메틸 모르폴린 N-옥사이드(N-methyl morpholine N-oxide) 5 내지 20중량%;
    글리콜계 화합물 15 내지 65중량%;
    피로카테콜(pyrocatechol) 3 내지 5 중량%; 및
    여분의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알카놀아민계 화합물은 모노에탄올아민(monoethanolamine), 디에탄올아민(diethanolamine), 트리에탄올아민(triethanolamine), 글리콜아민(glycolamine), 디글리콜아민(diglycolamine) 및 모노이소프로판올아민(monoisopropanolamine)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 조성물.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 글리콜계 화합물은 에틸렌글리콜 메틸에테르, 에틸렌글리콜 에틸에테르, 에틸렌글리콜 부틸에테르, 프로필렌 글리콜 메틸에테르, 디에 틸렌글리콘 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌 글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸 에테르, 모노에틸렌 글리콜 및 메틸에틸렌 글리콜로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 용매는 탈이온수, 디에틸 아세트아미드(dimethyl acetamide), N-메틸 피롤리돈(N-methyl pyrrolidone), 디메틸 포름아미드(dimethyl formamide) 및 디메틸 술폭사이드(dimethyl sulfoxide)로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 조성물.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 기판상의 박막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 박막을 식각하여 박막 패턴을 형성하는 단계; 및
    알카놀 아민계 화합물 1 내지 3 중량%, 상기 박막 패턴의 손상을 방지하는 N-메틸 모르폴린 N-옥사이드(N-methyl morpholine N-oxide) 5 내지 20 중량%, 글리콜계 화합물 15 내지 65 중량% 피로카테콜(pyrocatechol) 3 내지 5 중량% 및 여분의 용매를 포함하는 포토레지스트 제거용 조성물을 제공하여 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  9. 삭제
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