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KR101056012B1 - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR101056012B1
KR101056012B1 KR1020040049011A KR20040049011A KR101056012B1 KR 101056012 B1 KR101056012 B1 KR 101056012B1 KR 1020040049011 A KR1020040049011 A KR 1020040049011A KR 20040049011 A KR20040049011 A KR 20040049011A KR 101056012 B1 KR101056012 B1 KR 101056012B1
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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 어레이 기판에 컬러필터(color filter)와 컬럼스페이서(column spacer)가 구성된 액정표시장치의 구성과 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a configuration of a liquid crystal display device having a color filter and a column spacer on an array substrate, and a manufacturing method thereof.

본 발명에 따른 액정표시장치는 박막트랜지스터 어레이부에 컬러필터가 구성된 액정표시장치의 구성에 있어서, 액정표시장치의 갭을 유지하는 제 1 컬럼 스페이서와 상기 제 1 컬럼 스페이서와 동일한 크기로 제작되지만 액정표시장치의 제 1 또는 제 2 기판과는 소정의 갭을 두고 구성되는 제 2 컬럼 스페이서를 구성하는 듀얼 컬럼스페이서(dual column spacer)의 구조에 있어서, 상기 제 1 컬럼 스페이서에 대응하는 상부 기판에 차단층을 이용하여 돌출부를 형성하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 하면, 상기 제 1 컬럼스페이서는 상기 돌출부를 이용하여 액정표시장치의 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 갭을 유지하는 역할을 하게 되고, 제 2 컬럼 스페이서는 갭을 유지하는 기능 보다는 액정불량을 방지하는 기능을 하게 된다.The liquid crystal display according to the present invention has the same size as that of the first column spacer and the first column spacer in the liquid crystal display device having the color filter configured in the thin film transistor array unit, but the liquid crystal display device. In the structure of a dual column spacer constituting a second column spacer having a predetermined gap from the first or second substrate of the display device, the upper column corresponding to the first column spacer is blocked. It is characterized by forming the protrusions using the layer. In this case, the first column spacer serves to maintain a gap between the first substrate and the second substrate of the liquid crystal display using the protrusion, and the second column spacer has a liquid crystal defect rather than a function of maintaining the gap. Prevents the function.

전술한 구성에서, 상기 제 2 컬럼 스페이서로 인해 액정이 액정패널의 하부로 밀려 아래 부분이 볼록해지는 중력 불량 또는 눌림얼룩을 방지할 수 있는 장점이 있다.
In the above-described configuration, due to the second column spacer, the liquid crystal is pushed to the lower portion of the liquid crystal panel, thereby preventing gravity defects or crushing spots in which the lower portion is convex.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LCD with color-filter on TFT and method of fabricating of the same} LCD and its manufacturing method {LCD with color-filter on TFT and method of fabricating of the same}             

도 1은 일반적인 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 분해 사시도이고,1 is an exploded perspective view schematically illustrating a configuration of a general liquid crystal display device;

도 2는 종래에 따른 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a liquid crystal display according to the related art.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고,3 is an enlarged plan view schematically showing one pixel of an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention;

도 4 내지 도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,4 to 9 are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, in order of process;

도 10은 본 발명에 따른 액정표시장치용 상부기판의 구성을 도시한 단면도이고,10 is a cross-sectional view showing the configuration of an upper substrate for a liquid crystal display device according to the present invention;

도 11은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 COT 구조 액정표시장치의 구성을 도시한 단면도이고,11 is a cross-sectional view showing the configuration of a COT structure liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention;

도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 TOC 구조 액정표시장치의 구성을 도시한 단면도이고,12 is a cross-sectional view showing the configuration of a TOC structure liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention;

도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 TOC 구조 액정표시장치의 구성을 도 시한 단면도이다.
13 is a cross-sectional view showing the configuration of a TOC structure liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>

100 : 제 1 기판 102 : 게이트 배선100: first substrate 102: gate wiring

104 : 게이트 전극 106 : 게이트 절연막 104: gate electrode 106: gate insulating film

108 : 액티브층 110 : 오믹 콘택층108: active layer 110: ohmic contact layer

112 : 소스 전극 114 : 드레인 전극112 source electrode 114 drain electrode

116 : 데이터 배선 118 : 보호막116: data wiring 118: protective film

120b : 컬러필터 122 : 평탄화막120b: color filter 122: planarization film

126 : 화소 전극 128 : 하부 배향막126 pixel electrode 128 lower alignment layer

130 : 제 1 컬럼 스페이서 132 : 제 2 컬럼 스페이서130: first column spacer 132: second column spacer

200 : 제 2 기판 202 : 블랙 패턴200: second substrate 202: black pattern

204 : 공통 전극 206 : 상부 배향막
204: common electrode 206: upper alignment layer

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 어레이기판에 컬러필터와 블랙매트릭스 및 이중 컬럼 스페이서(Dual Column Spacer)가 구성된 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device including a color filter, a black matrix, and a dual column spacer on an array substrate, and a manufacturing method thereof.                         

일반적으로, 액정표시장치는 액정분자의 광학적 이방성과 복굴절 특성을 이용하여 화상을 표현하는 것으로, 전계가 인가되면 액정의 배열이 달라지고 달라진 액정의 배열 방향에 따라 빛이 투과되는 특성 또한 달라진다.In general, a liquid crystal display device displays an image by using optical anisotropy and birefringence characteristics of liquid crystal molecules. When an electric field is applied, the alignment of liquid crystals is changed, and the characteristics of light transmission vary according to the arrangement direction of the changed liquid crystals.

일반적으로, 액정표시장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 상기 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device is formed by arranging two substrates on which electric field generating electrodes are formed so that the surfaces on which the two electrodes are formed face each other, injecting a liquid crystal material between the two substrates, and then applying a voltage to the two electrodes. By moving the liquid crystal molecules by the electric field is a device that represents the image by the transmittance of light that varies accordingly.

도 1은 종래에 따른 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a liquid crystal display according to the related art.

도시한 바와 같이, 일반적인 컬러 액정표시장치(11)는 서브 컬러필터(8)와 각 서브 컬러필터(8)사이에 구성된 블랙 매트릭스(6)를 포함하는 컬러필터(7)와 상기 컬러필터(7)의 상부에 증착된 공통전극(18)이 형성된 상부기판(5)과, 화소영역(P)이 정의되고 화소영역에는 화소전극(17)과 스위칭 소자(T)가 구성되며, 화소영역(P)의 주변으로 어레이배선이 형성된 하부기판(22)과, 상부기판(5)과 하부기판(22) 사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.As shown, a general color liquid crystal display 11 includes a color filter 7 and a color filter 7 including a black matrix 6 formed between a sub color filter 8 and each sub color filter 8. The upper substrate 5 having the common electrode 18 deposited thereon, the pixel region P, and the pixel electrode 17 and the switching element T formed in the pixel region, and the pixel region P The liquid crystal 14 is filled between the lower substrate 22 and the upper substrate 5 and the lower substrate 22 on which array wiring is formed.

상기 하부기판(22)은 어레이기판(array substrate)이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 배선(13)과 데이터 배선(15)이 형성된다.The lower substrate 22 is also referred to as an array substrate, and the thin film transistor T, which is a switching element, is positioned in a matrix type, and the gate wiring 13 passing through the plurality of thin film transistors T is crossed. ) And data wirings 15 are formed.

이때, 상기 화소영역(P)은 상기 게이트 배선(13)과 데이터 배선(15)이 교차 하여 정의되는 영역이며, 상기 화소영역(P)상에는 전술한 바와 같이 투명한 화소전극(17)이 형성된다.In this case, the pixel area P is an area defined by the gate line 13 and the data line 15 crossing each other, and a transparent pixel electrode 17 is formed on the pixel area P as described above.

상기 화소전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성금속을 사용한다. The pixel electrode 17 uses a transparent conductive metal having a relatively high transmittance of light, such as indium-tin-oxide (ITO).

상기 화소전극(17)과 병렬로 연결된 스토리지 캐패시터(CST)가 게이트 배선(13)의 상부에 구성되며, 스토리지 캐패시터(CST)의 제 1 전극으로 게이트 배선(13)의 일부를 사용하고, 제 2 전극으로 소스 및 드레인 전극과 동일층 동일물질로 형성된 아일랜드 형상의 금속패턴(30)을 사용한다.A storage capacitor C ST connected in parallel with the pixel electrode 17 is formed on the gate wiring 13, and a part of the gate wiring 13 is used as the first electrode of the storage capacitor C ST . As the second electrode, an island-shaped metal pattern 30 formed of the same material as the source and drain electrodes is used.

이때, 상기 금속패턴(30)은 화소 전극(17)과 접촉되어 화소전극의 신호를 받도록 구성된다. In this case, the metal pattern 30 is configured to be in contact with the pixel electrode 17 to receive a signal of the pixel electrode.

전술한 바와 같은 구성에서 도시하지는 않았지만 상기 제 1 기판(22)과 제 2 기판(50)의 사이에는 두 기판 사이의 갭(gap)을 유지하기 위해 스페이서(spacer)를 형성하게 되며, 상기 스페이서(spacer)는 산포방식으로 뿌려져 구성되는 구형상의 스페이서 또는 컬러필터 기판 및 어레이기판에 직접 형성하는 기둥형상의 스페이서(column spacer)를 구성한다.Although not shown in the above configuration, a spacer is formed between the first substrate 22 and the second substrate 50 to maintain a gap between the two substrates. The spacer comprises a spherical spacer or a color filter substrate and a columnar spacer formed directly on the array substrate.

근래에는 상기 컬럼 스페이서를 구성할 경우, 제 1 기판과 제 2 기판의 갭을 유지하는 기능을 하는 제 1 컬럼스페이서와, 제 1 및 제 2 기판과 소정의 갭을 두고 형성되어 상기 갭 만큼의 공간으로 액정을 유동시켜 액정의 마진폭을 넓게 하는 역할을 하는 제 2 컬럼 스페이서가 구성된 소위 듀얼 구조의 컬럼스페이서(Dual Column Spacer)를 형성하는 구성이 제안되고 있다.Recently, when the column spacer is configured, a first column spacer having a function of maintaining a gap between the first substrate and the second substrate, and a space having a predetermined gap with the first and second substrates are formed. As a result, a configuration of forming a so-called dual column spacer having a second column spacer, which serves to widen the margin of the liquid crystal by flowing the liquid crystal, has been proposed.

이에 대해 이하, 도 2를 참조하여 설명한다.This will be described below with reference to FIG. 2.

도 2는 종래에 따른 액정표시장치의 구성을 도시한 확대 단면도이다.2 is an enlarged cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display according to the related art.

도시한 바와 같이, 제 1 기판(22)은 스위칭 영역(S)을 포함하는 화소 영역(P1,P2,P3)과 스토리지 영역(ST)으로 정의된다.As illustrated, the first substrate 22 is defined as the pixel areas P1, P2, and P3 including the switching area S and the storage area ST.

상기 스위칭 영역(S)에는 게이트 전극(32)과 액티브층(34)과 소스 전극(36)과 드레인 전극(38)으로 구성된 박막트랜지스터(T)가 구성되고, 상기 화소 영역(P1,P2,P3)에는 투명한 화소 전극(17)이 구성된다.In the switching region S, a thin film transistor T including a gate electrode 32, an active layer 34, a source electrode 36, and a drain electrode 38 is formed, and the pixel regions P1, P2, and P3. ), A transparent pixel electrode 17 is formed.

상기 스토리지 영역(ST)에는 게이트 배선(13)을 제 1 전극으로 하고, 상기 게이트 배선(13)의 상부에 섬형상으로 구성되고 상기 화소 전극(17)과 접촉하는 금속패턴(30)을 제 2 전극으로 하는 스토리지 캐패시터(CST)가 구성된다.In the storage area ST, the gate wiring 13 is used as the first electrode, and the metal pattern 30 formed in an island shape on the gate wiring 13 and in contact with the pixel electrode 17 is second. A storage capacitor C ST serving as an electrode is configured.

이때, 상기 스토리지 캐패시터(CST)는 다양한 구조 및 형태로 구성될 수 있다.In this case, the storage capacitor C ST may be configured in various structures and shapes.

상기 제 1 기판(22)과 액정층(14)을 사이에 두고 이격된 제 2 기판(5)의 마주보는 일면에는 상기 박막트랜지스터(T)와 게이트 배선 및 데이터 배선(13, 15)에 대응하여 블랙매트릭스(6)가 구성되고, 상기 화소 영역(P1,P2,P3)에 대응하는 면에는 컬러필터(7a,7b,7c)가 구성된다.On one surface of the second substrate 5 spaced apart from each other with the first substrate 22 and the liquid crystal layer 14 interposed therebetween, the thin film transistor T, the gate wiring, and the data wiring 13 and 15 may correspond to each other. The black matrix 6 is formed, and the color filters 7a, 7b, and 7c are formed on the surface corresponding to the pixel areas P1, P2, and P3.

상기 컬러필터(7a,7b,7c)와 블랙매트릭스(6)가 구성된 기판(22)의 전면에는 투명한 공통전극(18)이 구성된다. A transparent common electrode 18 is formed on the entire surface of the substrate 22 including the color filters 7a, 7b, and 7c and the black matrix 6.                         

전술한 구성에서, 상기 박막트랜지스터(T)와 상기 화소 영역(P)의 일부에 대응하는 공통 전극(18)의 하부에 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서(20a,20b)를 형성한다.In the above-described configuration, first and second column spacers 20a and 20b are formed under the common electrode 18 corresponding to the thin film transistor T and a part of the pixel region P. FIG.

상기 제 1 및 제 2 컬럼스페이서(20a,20b)는 상기 제 2 기판(5)의 전면에 대해 골고루 형성하며, 제 1 컬럼 스페이서(20a)와 제 2 컬럼 스페이서(20b)는 동일한 공정으로 제작되기 때문에 길이가 동일하다.The first and second column spacers 20a and 20b are evenly formed on the entire surface of the second substrate 5, and the first column spacer 20a and the second column spacer 20b are manufactured in the same process. Because of the same length.

이때, 상기 제 1 컬럼 스페이서(20)는 두 기판(5,22)의 갭(gap)을 유지하는 기능을 하도록 하고, 상기 제 2 컬럼 스페이서(22)는 기판(22)과 소정의 갭을 두고 위치하도록 하기 위해, 상기 제 1 컬럼 스페이서(20a)를 돌출된 단차 부분에 형성한다. In this case, the first column spacer 20 serves to maintain a gap between the two substrates 5 and 22, and the second column spacer 22 has a predetermined gap with the substrate 22. In order to be positioned, the first column spacer 20a is formed in the protruding step portion.

따라서, 상기 제 1 컬럼 스페이서(20a)는 상기 박막트랜지스터(T) 즉, 높은 단차부에 대응하여 구성되어 직접적으로 상기 제 1 기판(22)과 제 2 기판(5)의 갭(gap)을 유지하는 역할을 하게 되며, 상기 제 2 컬럼 스페이서(20b)는 박막트랜지스터(T)와 같은 높은 단차 부분에 형성하지 않기 때문에 하부 기판과 소정의 이격영역을 두고 형성될 수 있다.Accordingly, the first column spacer 20a is configured to correspond to the thin film transistor T, that is, the high stepped portion, thereby directly maintaining a gap between the first substrate 22 and the second substrate 5. Since the second column spacer 20b is not formed in a high stepped portion such as the thin film transistor T, the second column spacer 20b may be formed with a predetermined distance from the lower substrate.

상기 제 2 컬럼 스페이서(20b)는 상기 제 1 기판 또는 제 2 기판(22,5)과 소정 간격 이격되어 위치하기 때문에 액정을 과다하게 충진하였을 경우, 상기 제 2 컬럼 스페이서(20b)와 기판(22) 사이의 이격된 공간으로 액정이 충진될 수 있으므로 액정이 패널의 하부로 흐르는 중력 불량을 최소화 할 수 있고, 패널에 압력이 가해졌을 경우 이에 대한 저항 성분으로 작용할 수 있기 때문에 액정패널의 눌림얼룩을 방지할 수 있는 기능을 하게 된다. Since the second column spacer 20b is spaced apart from the first substrate or the second substrates 22 and 5 by a predetermined interval, when the liquid crystal is excessively filled, the second column spacer 20b and the substrate 22 Because the liquid crystal can be filled into the space between them, the liquid crystal can minimize the gravity defect flowing to the lower part of the panel, and when the pressure is applied to the panel, it can act as a resistance component to the liquid crystal panel. This will prevent the function.                         

또한, 액정을 충진 하기 위한 마진폭을 넓힐 수 있는 기능을 하게 된다.In addition, the function to widen the margin for filling the liquid crystal.

전술한 제 1 기판(22)과 제 2 기판(5)은 별도로 제작되며 각각의 제작이 완료되면 합착하는 공정이 진행된다.The first substrate 22 and the second substrate 5 described above are manufactured separately, and the process of attaching each other is completed when each production is completed.

그런데 전술한 바와 같이 구성된 액정표시장치는 두 기판을 합착하는 공정에서 합착오착가 발생할 수 있으며 이러한 경우, 상기 블랙매트릭스(6)의 위치가 최초 설계된 위치에서 벗어나게 되고 이로 인해, 상기 박막트랜지스터(T)에는 빛이 들어가 누설전류가 발생하게 되고, 상기 게이트 및 데이터 배선(13, 15)에 대응하는 영역 즉, 데이터 배선(15)과 화소 전극(17)의 이격된 영역(A)과 상기 게이트 배선(13)과 상기 화소 전극(17)사이의 이격된 영역(B)에서 빛샘 현상이 발생하는 문제가 있다.However, in the liquid crystal display device configured as described above, adhesion misalignment may occur in the process of bonding the two substrates. In this case, the position of the black matrix 6 may deviate from the originally designed position, and thus, the thin film transistor T Light enters to generate a leakage current, and a region corresponding to the gate and data lines 13 and 15, that is, a region A spaced apart from the data line 15 and the pixel electrode 17 and the gate line ( There is a problem in that light leakage occurs in the area B spaced apart from the pixel electrode 17.

따라서, 종래에는 이를 해결하기 위해 합착공정시의 오차를 감안하여 최초 설계시 합착 마진을 더 두어 설계하게 된다.Therefore, conventionally, in order to solve this problem, in consideration of an error in the bonding process, the additional design margin is added to the initial design.

즉, 상기 블랙매트릭스(6)의 크기를 좀더 크게 설계하는 것이다.That is, the size of the black matrix 6 is designed to be larger.

이와 같이 하면, 합착 오차가 발생하더라도 위의 불량들이 발생하지 않는다.In this way, the above defects do not occur even when a bonding error occurs.

그러나, 그 만큼 개구영역을 잠식하는 문제가 있기 때문에, 휘도 및 개구율이 감소되는 문제가 있다.
However, since there is a problem of encroaching on the opening area by that much, there is a problem that the luminance and the opening ratio are reduced.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 상기 컬러필터 및 블랙매트릭스를 하부기판에 형성하는 것을 특징으로 한다. The present invention has been proposed for the purpose of solving the above-mentioned problem, characterized in that the color filter and the black matrix is formed on the lower substrate.                         

본 발명의 제 1 구조는 어레이기판의 구성에 있어서, 박막트랜지스터 어레이부의 상부에 컬러필터를 구성한 COT(Color Filter on TFT)구조에 관한 것이며, 이때 화소 영역의 일부에 대응하는 상부기판에 블랙패턴을 구성함으로서 높은 단차를 형성하고, 이에 대응하는 하부 기판에 갭을 유지하는 제 1 컬럼 스페이서를 형성한다.The first structure of the present invention relates to a color filter on TFT (COT) structure in which a color filter is formed on an upper portion of a thin film transistor array, in which a black pattern is formed on an upper substrate corresponding to a part of a pixel region. The first column spacer is formed by forming a high step and maintaining a gap in the corresponding lower substrate.

그리고, 상부 컬러필터 기판과 이격영역을 두고 구성되는 제 2 컬럼 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 한다.The second column spacer may be formed to be spaced apart from the upper color filter substrate.

본 발명의 제 2 구조는 컬러필터의 상부에 박막트랜지스터 어레이부를 구성한 TOC(TFT on color filter)에 관한 것이며, 이때 상기 박막트랜지스터의 단차에 대응하여 상기 제 1 컬럼 스페이서를 형성하고, 화소 영역의 일부에 대응하여 상기 제 2 컬럼 스페이서를 구성하는 것을 특징으로 한다.The second structure of the present invention relates to a TFT on color filter (TOC) having a thin film transistor array unit formed on an upper portion of a color filter, wherein the first column spacer is formed corresponding to the step of the thin film transistor, and a part of the pixel region is formed. In response to the second column spacer is configured.

전술한 바와 같은 TOC 및 COT 구조는 컬러필터 및 블랙매트릭스가 하부기판에 형성되기 때문에 합착 마진 만큼의 개구영역을 더욱 확보할 수 있고, 상기 제 2 컬럼스페이서를 통해 액정의 유동성을 확보하여 액정을 충진하는데 있어 액정의 마진폭을 확대 할 수 있으므로, 액정의 과다 충진으로 발생할 수 있는 중력 불량을 방지할 수 있다.In the TOC and COT structures as described above, since the color filter and the black matrix are formed on the lower substrate, the opening area can be further secured by the bonding margin, and the liquid crystal is filled by securing the fluidity of the liquid crystal through the second column spacer. In this case, the margin of the liquid crystal can be increased, thereby preventing gravity defects that may occur due to the overfilling of the liquid crystal.

또한, 액정패널에 압력이 가해졌을 경우, 상기 제 2 컬럼스페이서는 이에 대한 저항력을 제공함으로써 액정패널이 손상되는 눌림얼룩을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.
In addition, when pressure is applied to the liquid crystal panel, the second column spacer provides an resistance thereto, thereby minimizing a crushing stain that damages the liquid crystal panel.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 씨오티 구조 액정표시장치는 제 1 기판과 제 2 기판과; 상기 제 2 기판과 마주보는 제 1 기판의 일면에 서로 수직 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 스위칭 소자와; 상기 스위칭 소자에 대응하는 상부에 구성된 블랙 매트릭스와; 상기 화소 영역에 구성된 컬러필터와; 상기 컬러필터 위로 그 표면이 평탄한 형태를 가지며 형성된 평탄화막과; 상기 평탄화막 위로 상기 컬러필터의 상부에 위치하고, 상기 스위칭 소자와 접촉하는 투명한 화소 전극과; 상기 스위칭 소자에 대응하여 구성된 제 1 컬럼스페이서와, 상기 화소 영역의 일부에 대응하여 구성된 제 2 컬럼 스페이서와; 상기 제 1 기판과 마주보는 상기 제 2 기판의 일면 중, 상기 제 1 컬럼 스페이서 또는 제 2 컬럼 스페이서에 대응하여 구성된 블랙 패턴과; 상기 블랙 패턴을 포함하는 제 2 기판의 전면에 구성된 투명한 공통 전극을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서는 동일한 높이를 가지며 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙 패턴에 대응하는 부분에 형성된 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판의 내측면 최상층에 구비된 구성요소와 접촉하도록 구성되는 것이 특징이다. According to an aspect of the present invention, there is provided a CIO structure liquid crystal display device comprising: a first substrate and a second substrate; A gate wiring and a data wiring defining a pixel area by vertically crossing each other on one surface of the first substrate facing the second substrate; A switching element configured at an intersection point of the gate line and the data line; A black matrix formed at an upper portion corresponding to the switching element; A color filter configured in the pixel region; A planarization film formed on the color filter and having a flat surface; A transparent pixel electrode positioned over the planarization layer and in contact with the switching element; A first column spacer configured to correspond to the switching element, a second column spacer configured to correspond to a part of the pixel region; A black pattern configured to correspond to the first column spacer or the second column spacer on one surface of the second substrate facing the first substrate; And a transparent common electrode formed on an entire surface of the second substrate including the black pattern, wherein the first and second column spacers have the same height, and correspond to the black pattern of the first and second column spacers. The column spacer formed at a portion thereof is configured to be in contact with a component provided on the innermost top layer of the second substrate.

제 1 컬럼 스페이서와 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙패턴에 대응하여 구성된 컬럼 스페이서는 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 갭을 유지하는 역할을 하게 되고, 나머지 하나의 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판과 이격 영역을 두고 구성되는 것을 특징으로 한다.The column spacer configured to correspond to the black pattern among the first column spacer and the second column spacer serves to maintain a gap between the first substrate and the second substrate, and the other column spacer is formed with the second substrate. It is characterized by being configured with a spaced apart area.

상기 블랙패턴의 높이는 0.1㎛~0.4㎛의 범위 내의 값으로 구성되는 것을 특징으로 한다.The height of the black pattern is characterized by consisting of a value in the range of 0.1㎛ ~ 0.4㎛.

본 발명의 특징에 따른 씨오티 구조의 액정표시장치의 제조방법은 제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 단계와; 상기 제 2 기판과 마주보는 제 1 기판의 일면에 서로 수직 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 스위칭 소자를 형성하는 단계와; 상기 스위칭 소자에 대응하는 상부에 구성된 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 화소 영역에 컬러필터를 형성하는 단계와; 상기 컬러필터 위로 그 표면이 평탄한 형태를 갖는 평탄화막을 형성하는 단계와; 상기 평탄화막 위로 상기 컬러필터의 상부에 위치하고, 상기 스위칭 소자와 접촉하는 투명한 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 스위칭 소자에 대응하여 제 1 컬럼스페이서와, 상기 화소 영역의 일부에 대응하여 구성된 제 2 컬럼 스페이서를 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면 중, 상기 제 1 컬럼 스페이서 또는 제 2 컬럼 스페이서에 대응하여 블랙 패턴을 형성하는 단계와; 상기 블랙 패턴을 포함하는 제 2 기판의 전면에 투명한 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서는 동일한 높이를 가지며 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙 패턴에 대응하는 부분에 형성된 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판의 내측면 최상층에 구비된 구성요소와 접촉하도록 형성한 것이 특징이다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device having a CIO structure, comprising: preparing a first substrate and a second substrate; Forming gate lines and data lines on one surface of the first substrate facing the second substrate to vertically cross each other to define pixel regions; Forming a switching element configured at an intersection point of the gate line and the data line; Forming a black matrix formed thereon corresponding to the switching element; Forming a color filter in the pixel region; Forming a planarization film having a flat surface on the color filter; Forming a transparent pixel electrode on the planarization layer and above the color filter and in contact with the switching element; Forming a first column spacer and a second column spacer corresponding to a portion of the pixel region in correspondence with the switching element; Forming a black pattern on one surface of the second substrate facing the first substrate, corresponding to the first column spacer or the second column spacer; And forming a transparent common electrode on a front surface of the second substrate including the black pattern, wherein the first and second column spacers are formed to have the same height, and the black of the first and second column spacers is formed. The column spacer formed in a portion corresponding to the pattern is formed in contact with the components provided on the uppermost layer of the inner surface of the second substrate.

본 발명의 제 1 특징에 따른 티오씨 구조의 액정표시장치는 스위칭 영역과 다수의 화소 영역이 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과; 상기 제 2 기판과 마주보는 제 1 기판의 스위칭 영역에 구성된 블랙매트릭스와; 상기 화소 영역에 구성된 컬러필터와; 상기 컬러필터가 구성된 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 블랙매트릭스의 상부에 구성된 스위칭 소자와; 상기 스위칭 소자 위로 전면에 평탄한 표면을 가지며 구성된 유기 절연막과; 상기 유기 절연막 위로 상기 스위칭 소자와 접촉하는 투명한 화소 전극과; 상기 스위칭 소자에 대응하여 구성된 제 1 컬럼스페이서와, 상기 화소 영역의 일부에 대응하여 구성된 제 2 컬럼 스페이서와; 상기 제 1 기판과 마주보는 상기 제 2 기판의 내측면에 상기 제 1 컬럼 스페이서 또는 제 2 컬럼 스페이서에 대응하여 구성된 블랙 패턴과; 상기 블랙 패턴을 포함하는 상기 제 2 기판의 전면에 상기 블랙패턴을 덮으며 구성된 투명한 공통 전극을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서는 동일한 높이를 가지며 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙 패턴에 대응하는 부분에 형성된 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판의 내측면 최상층에 구비된 구성요소와 접촉하도록 형성한 것이 특징이다. According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device having a TOS structure, comprising: a first substrate and a second substrate on which a switching region and a plurality of pixel regions are defined; A black matrix configured in the switching region of the first substrate facing the second substrate; A color filter configured in the pixel region; Gate wiring and data wiring formed on one side of the pixel region including the color filter and the other side perpendicular to the pixel region; A switching element configured on the black matrix; An organic insulating film having a flat surface over the switching element; A transparent pixel electrode in contact with the switching element over the organic insulating layer; A first column spacer configured to correspond to the switching element, a second column spacer configured to correspond to a part of the pixel region; A black pattern formed on an inner surface of the second substrate facing the first substrate, the black pattern corresponding to the first column spacer or the second column spacer; A transparent common electrode configured to cover the black pattern on the front surface of the second substrate including the black pattern, wherein the first and second column spacers are formed to have the same height, and the first and second columns The column spacer formed on a portion of the spacer corresponding to the black pattern is formed to contact the component provided on the uppermost layer of the inner surface of the second substrate.

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본 발명에 따른 티오씨 구조의 액정표시장치의 제조방법은 제 1 기판과 제 2 기판에 스위칭 영역과 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와; 상기 제 2 기판과 마주보는 제 1 기판의 스위칭 영역에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 화소 영역에 컬러필터를 형성하는 단계와; 상기 컬러필터가 형성된 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 블랙매트릭스의 상부에 스위칭 소자를 형성하는 단계와; 상기 스위칭 소자 위로 전면에 평탄한 표면을 갖는 유기 절연막을 형성하는 단계와; 상기 유기 절연막 위로 상기 화소 영역에 대응하여 상기 스위칭 소자와 접촉하는 투명한 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 스위칭 소자에 대응하여 제 1 컬럼스페이서와, 상기 화소 영역의 일부에 대응하여 제 2 컬럼 스페이서를 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 마주보는 상기 제 2 기판의 내측면에 상기 제 1 컬럼 스페이서 또는 제 2 컬럼 스페이서에 대응하여 블랙 패턴을 형성하는 단계와; 상기 블랙 패턴을 포함하는 제 2 기판의 전면에 상기 블랙패턴을 덮으며 투명한 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서는 동일한 높이를 갖도록 형성하며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙패턴에 대응하는 부분에 형성된 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판의 내측면 최상층에 구비된 구성요소와 접촉하도록 형성하는 것이 특징이다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device having a TOS structure; Forming a black matrix in a switching region of the first substrate facing the second substrate; Forming a color filter in the pixel region; Forming a gate line and a data line on one side of the pixel area where the color filter is formed and the other side perpendicular thereto; Forming a switching element on top of the black matrix; Forming an organic insulating film having a flat surface over the switching element; Forming a transparent pixel electrode on the organic insulating layer and in contact with the switching element corresponding to the pixel region; Forming a first column spacer corresponding to the switching element and a second column spacer corresponding to a portion of the pixel region; Forming a black pattern on an inner surface of the second substrate facing the first substrate corresponding to the first column spacer or the second column spacer; Forming a transparent common electrode covering the black pattern on the entire surface of the second substrate including the black pattern, wherein the first and second column spacers are formed to have the same height, and the first and second The column spacer formed on a portion of the two column spacers corresponding to the black pattern may be formed to contact the component provided on the uppermost layer of the inner surface of the second substrate.

본 발명의 제 2 특징에 따른 티.오.씨 구조의 액정표시장치는 스위칭 영역과 다수의 화소 영역이 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 1 기판의 스위칭 영역에 구성된 블랙매트릭스와; 상기 화소 영역에 구성된 컬러필터와; 상기 컬러필터가 구성된 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 블랙매트릭스의 상부에 구성된 스위칭 소자와;According to a second aspect of the present invention, a T.O.C structure liquid crystal display device includes: a first substrate and a second substrate on which a switching region and a plurality of pixel regions are defined; A black matrix configured in the switching region of the first substrate facing the first substrate; A color filter configured in the pixel region; Gate wiring and data wiring formed on one side of the pixel region including the color filter and the other side perpendicular to the pixel region; A switching element configured on the black matrix;

상기 스위칭 소자가 구성된 기판의 전면에 구성된 무기 절연막과; 상기 스위 칭 소자와 접촉하는 투명한 화소 전극과; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면에 구성된 투명한 공통 전극과; 상기 공통전극 상부의 상기 스위칭 소자에 대응하여 구성된 제 1 컬럼스페이서와, 상기 화소 영역의 일부에 대응하여 구성된 제 2 컬럼스페이서를 포함한다.An inorganic insulating film formed on the entire surface of the substrate on which the switching element is formed; A transparent pixel electrode in contact with the switching element; A transparent common electrode formed on one surface of the second substrate facing the first substrate; And a first column spacer configured to correspond to the switching element on the common electrode, and a second column spacer configured to correspond to a portion of the pixel region.

이하 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

-- 제 1 실시예 --First Embodiment

본 발명은 박막트랜지스터 어레이부에 컬러필터를 구성한 COT 구조의 액정표시장치에 있어서, 상부 기판에 블랙패턴을 구성하여 볼록한 단차를 구성하고, 상기 단차에 대응하는 부분에 액정표시장치의 갭을 유지하는 제 1 컬럼 스페이서를 구성하고, 단차가 없는 부분에 상부 기판과 소정의갭을 두고 구성되는 제 2 컬럼 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 한다.The present invention provides a liquid crystal display device having a COT structure in which a color filter is formed in a thin film transistor array unit, wherein a black pattern is formed on an upper substrate to form a convex step, and a gap of the liquid crystal display device is maintained at a portion corresponding to the step. The first column spacer may be configured, and a second column spacer configured to have a predetermined gap with the upper substrate may be formed at a portion having no step difference.

도 3은 본 발명에 따른 컬러필터가 구성된 어레이 기판의 일부를 도시한 확대 평면도이다.3 is an enlarged plan view showing a part of an array substrate having a color filter according to the present invention.

도시한 바와 같이, 기판(100) 상에 일 방향으로 게이트 배선(102)을 구성하고, 게이트 배선(102)과 수직하게 교차하면서 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(116)을 구성한다.As shown in the drawing, the gate wiring 102 is formed on the substrate 100 in one direction, and the data wiring 116 is formed to define the pixel region P while crossing the gate wiring 102 perpendicularly.

상기 게이트 배선(102)과 데이터 배선(116)의 교차지점에는 상기 게이트 배선(102)과 연결된 게이트 전극(104)과, 게이트 전극(104)의 상부에 구성된 반도체층(108)과 반도체층(108)의 상부에 위치하고 상기 데이터 배선(116)과 연결된 소스 전극(112)과 이와 이격된 드레인 전극(114)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한다.At the intersection of the gate wiring 102 and the data wiring 116, the gate electrode 104 connected to the gate wiring 102, the semiconductor layer 108 and the semiconductor layer 108 formed on the gate electrode 104 are disposed. A thin film transistor T including a source electrode 112 connected to the data line 116 and a drain electrode 114 spaced apart from the data line 116 is formed.

상기 화소 영역(P)에는 컬러필터(120a,120b,120c)와 화소 전극(126)을 구성하고, 상기 박막트랜지스터(T)와 상기 게이트 배선 및 데이터 배선(102, 116)의 대응하여 블랙매트릭스(BM)를 형성 한다.Color filters 120a, 120b, and 120c and pixel electrodes 126 are formed in the pixel region P, and the black matrix is formed by the thin film transistor T and the gate wiring and the data wiring 102 and 116. Form BM).

전술한 바와 같은 구성에서, 상기 박막트랜지스터(T)에 대응하는 부분과 상기 화소 영역(P)의 일부에 대응하여 제 1 컬럼 스페이서(130)와 제 2 컬럼 스페이서(132)를 구성한다.In the above configuration, the first column spacer 130 and the second column spacer 132 are configured to correspond to the portion corresponding to the thin film transistor T and the portion of the pixel region P. FIG.

이하, 공정 단면도를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 COT 구조의 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of an array substrate for a liquid crystal display device having a COT structure according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the process cross section.

도 4 내지 도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 COT 구조 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 도시한 도면으로, 도 3의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단하여 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.4 to 9 illustrate a method of manufacturing an array substrate for a COT structure liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a process sequence by cutting along line IV-IV of FIG. 3. to be.

도 4에 도시한 바와 같이 기판(100)상에 스위칭 영역(S)을 포함하는 화소 영역(P)을 정의한다.As illustrated in FIG. 4, the pixel region P including the switching region S is defined on the substrate 100.

상기 다수의 영역(S,P)이 정의된 기판(100)상에 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 구리(Cu), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo)등을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하고 패턴하여, 상기 화소 영역(P)의 일 측을 따라 구성되는 게이트 배선(102)과, 상기 게이트 배선(102)과 연결되면서 상기 스위칭 영역(S)에 위치하는 게이트 전극(104)을 형성 한다.Aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), etc. may be formed on the substrate 100 in which the plurality of regions S and P are defined. Depositing and patterning one or more materials selected from the group of conductive metals including the gate metal 102 and the switching region while being connected to the gate wiring 102 along one side of the pixel region P A gate electrode 104 positioned at (S) is formed.

다음으로, 상기 게이트 배선(102)과 게이트 전극(104)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(106)을 형성한다. Next, one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN X ) and silicon oxide (SiO 2 ) is deposited on the entire surface of the substrate 100 on which the gate wiring 102 and the gate electrode 104 are formed. The gate insulating film 106 is formed.

다음으로, 상기 게이트 절연막(106)이 형성된 기판(100)의 전면에 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)을 연속하여 증착하고 패턴하여, 상기 게이트 전극(104)에 대응하는 게이트 절연막(106)의 상부에 액티브층(active layer, 108)과 오믹 콘택층(ohmic contact layer, 110)을 형성한다. Next, pure amorphous silicon (a-Si: H) and amorphous silicon (n + a-Si: H) containing impurities are successively deposited on the entire surface of the substrate 100 on which the gate insulating layer 106 is formed, and the pattern is formed. Thus, an active layer 108 and an ohmic contact layer 110 are formed on the gate insulating layer 106 corresponding to the gate electrode 104.

도 5에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층 및 오믹 콘택층(108,110)이 형성된 기판(100)의 전면에 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 몰리텅스텐(MoW), 티나늄(Ti)등을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(110)의 상부에서 소정간격 이격된 소스 전극과 드레인 전극(112,114)을 형성한다.As shown in FIG. 5, aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), chromium (Cr), tungsten (W), and molybdenum (Al) on the entire surface of the substrate 100 on which the active and ohmic contact layers 108 and 110 are formed. Depositing and patterning one or more materials selected from the group of conductive metals including Mo, copper (Cu), molybdenum (MoW), titanium (Ti), and the like, to form a predetermined upper portion of the ohmic contact layer 110. Source and drain electrodes 112 and 114 spaced apart from each other are formed.

동시에, 상기 소스 전극(114)과 연결되고 상기 게이트 배선(102)과 수직하게 교차하는 데이터 배선(116)을 형성한다.At the same time, a data line 116 connected to the source electrode 114 and perpendicularly intersecting with the gate line 102 is formed.

도 6에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(112,114)등이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기 절연 물질 그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하여 보호막(118)을 형성한다.As shown in FIG. 6, one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN X ) and silicon oxide (SiO 2 ) on the entire surface of the substrate 100 on which the source and drain electrodes 112 and 114 are formed. More material is deposited to form the protective film 118.

상기 보호막(118)이 형성된 기판(100)의 전면에 블랙수지(black resin)를 도포한 후 패턴하여, 상기 소스 및 드레인 전극(112,114)의 일부에 대응하는 상부에 블랙매트릭스(BM)를 형성한다.The black resin is coated on the entire surface of the substrate 100 on which the passivation layer 118 is formed, and then patterned to form a black matrix BM on an upper portion of the source and drain electrodes 112 and 114. .

동시에, 상기 게이트 배선(102)과 데이터 배선(116)에 대응하는 상부에도 블랙매트릭스(BM)를 형성 할 수 있다.At the same time, the black matrix BM may be formed on the upper portion corresponding to the gate line 102 and the data line 116.

다음으로, 상기 화소 영역(P)에 대응하여 컬러필터(120b)를 형성한다.Next, the color filter 120b is formed corresponding to the pixel area P. Next, as shown in FIG.

상기 컬러필터(120b)는 다수의 화소 영역(P)에 대응하여, 적색과 녹색과 청색의 컬러 필터를 소정의 순서로 순차 형성한다. The color filter 120b sequentially forms red, green, and blue color filters in a predetermined order, corresponding to the plurality of pixel areas P. FIG.

도 7에 도시한 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(BM)와 컬러필터(120b)가 형성된 기판(100)의 전면에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하여 평탄화막(122)을 형성한다.As shown in FIG. 7, inorganic insulation including benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin (resin) on the entire surface of the substrate 100 on which the black matrix BM and the color filter 120b are formed. The planarization layer 122 is formed by depositing one or more materials selected from the group of materials.

다음으로, 상기 평탄화막(122)과 하부의 보호막(114)을 패턴하여, 상기 드레인 전극(114)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(124)을 형성한다.Next, the planarization layer 122 and the lower passivation layer 114 are patterned to form a drain contact hole 124 exposing a part of the drain electrode 114.

도 8에 도시한 바와 같이, 상기 드레인 전극(116)의 일부를 노출하는 평탄화막(122)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드( ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 드레인 전극(116)과 접촉하면서 상기 화소 영역(P)에 위치한 화소 전극(126)을 형성한다.As shown in FIG. 8, indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) are formed on the entire surface of the substrate 100 on which the planarization film 122 exposing a part of the drain electrode 116 is formed. A selected one of the transparent conductive metal group including a is deposited and patterned to form a pixel electrode 126 positioned in the pixel region P while contacting the drain electrode 116.

도 9에 도시한 바와 같이, 상기 화소 전극(126)이 형성된 기판(100)의 전면에 폴리이미드(polyimide)를 도포하여 배향막(128)을 형성한다.As shown in FIG. 9, a polyimide is coated on the entire surface of the substrate 100 on which the pixel electrode 126 is formed to form an alignment layer 128.

상기 배향막(128)은 경우에 따라 형성하지 않을 수도 있다.The alignment layer 128 may not be formed in some cases.

다음으로, 상기 배향막(128)의 상부에 수지(resin)를 도포하고 패턴하여, 상기 소스 및 드레인 전극(112,114)에 대응하는 상부와 상기 화소 영역(P)의 일부 상부에 각각 제 1 컬럼스페이서(130)와 제 2 컬럼 스페이서(132)를 형성한다. Next, a resin is coated on the alignment layer 128 and patterned to form a first column spacer on an upper portion corresponding to the source and drain electrodes 112 and 114 and a portion of the pixel region P, respectively. 130 and the second column spacer 132 are formed.

전술한 바와 같은 공정을 통해 본 발명에 따른 COT 구조의 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.Through the process as described above, it is possible to manufacture an array substrate for a liquid crystal display device having a COT structure according to the present invention.

이하, 도면을 참조하여 전술한 어레이기판과 합착되는 상부기판의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the upper substrate bonded to the above-described array substrate with reference to the drawings.

도 10은 본 발명에 따른 COT 구조의 액정표시장치용 상부기판의 구성을 도시한 단면도이다.10 is a cross-sectional view showing the configuration of an upper substrate for a liquid crystal display device having a COT structure according to the present invention.

도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(200)상에 크롬(Cr)과 크롬 옥사이드(CrOX)를 포함하는 저반사 특성을 가지는 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 어레이 기판(미도시)에 구성한 제 2 컬럼스페이서(도 9의 132)에 대응하는 영역에 블랙패턴(202)을 형성하다.As shown, the array substrate (not shown) by depositing and patterning one selected from the group of metals having low reflection properties including chromium (Cr) and chromium oxide (CrO X ) on the transparent insulating substrate 200 The black pattern 202 is formed in the region corresponding to the second column spacer 132 of FIG.

이때, 블랙패턴(202)의 높이는 0.1㎛~0.4㎛의 범위내의 값을 가지도록 형성한다. At this time, the height of the black pattern 202 is formed to have a value within the range of 0.1㎛ ~ 0.4㎛.                     

상기 블랙패턴(202)이 형성된 기판(200)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 공통 전극(204)을 형성한다.The common electrode 204 is formed by depositing one selected from a group of transparent conductive metals including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) on the entire surface of the substrate 200 on which the black pattern 202 is formed. To form.

상기 공통 전극(204)이 형성된 기판(200)의 전면에 폴리이미드(polyimide)를 증착하여 배향막(206)을 형성한다.The alignment layer 206 is formed by depositing polyimide on the entire surface of the substrate 200 on which the common electrode 204 is formed.

상기 배향막(206)은 형성하지 않을 수도 있다.The alignment layer 206 may not be formed.

전술한 바와 같은 공정으로 상부기판을 제작할 수 있다.The upper substrate may be manufactured by the process as described above.

전술한 바와 같이 제작된 상부 기판과 어레이 기판을 합착하게 되면, 아래 도 11에 나타난 바와 같은 단면 구성을 얻을 수 있다.When the upper substrate and the array substrate manufactured as described above are bonded to each other, a cross-sectional configuration as shown in FIG. 11 can be obtained.

도 11은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 COT 구조 액정표시장치의 구성을 도시한 단면도이다.11 is a cross-sectional view showing the configuration of a COT structure liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 COT 구조의 액정표시장치는 박막트랜지스터 어레이부 및 컬러필터가 형성된 하부 기판(100)과, 블랙패턴 및 공통 전극(202,204)이 형성된 상부기판(200)을 합착하여 구성한다.The liquid crystal display (LCD) of the COT structure according to the present invention is formed by bonding the lower substrate 100 on which the thin film transistor array unit and the color filter are formed, and the upper substrate 200 on which the black patterns and the common electrodes 202 and 204 are formed.

상세히 설명하면, 상기 하부 기판(100)에는 스위칭 영역(S)에 게이트 전극(104)과 반도체층(108)과 소스 전극 및 드레인 전극(112,114)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성하고, 화소 영역(P)에는 컬러 필터(120b)와, 상기 드레인 전극(114)과 접촉하는 화소 전극(126)을 형성한다.In detail, the lower substrate 100 includes a thin film transistor T including the gate electrode 104, the semiconductor layer 108, the source electrode, and the drain electrodes 112 and 114 in the switching region S, and the pixel. In the region P, a color filter 120b and a pixel electrode 126 in contact with the drain electrode 114 are formed.

상기 박막트랜지스터(T)와 게이트 배선 및 데이터 배선(102,116)에 대응하는 영역에는 블랙매트릭스(BM)를 형성한다. The black matrix BM is formed in an area corresponding to the thin film transistor T, the gate lines, and the data lines 102 and 116.                     

또한, 상기 박막트랜지스터(T)와 화소 영역(P)의 일부에 대응하여 각각 제 1 컬럼 스페이서(130)와 제 2 컬럼 스페이서(132)를 형성한다.In addition, a first column spacer 130 and a second column spacer 132 are formed to correspond to a portion of the thin film transistor T and the pixel region P, respectively.

상기 상부기판(200)에는 상기 제 1 컬럼스페이서(130) 또는 제 2 컬럼스페이서(132)에 대응하는 영역에 높이가 0.1㎛~0.4㎛의 범위의 값을 가지는 블랙패턴(202)을 형성한다.A black pattern 202 having a height in the range of 0.1 μm to 0.4 μm is formed in an area corresponding to the first column spacer 130 or the second column spacer 132 on the upper substrate 200.

도면에서는 제 2 컬럼스페이서(132)에 대응하여 블랙패턴(202)이 구성된 예를 도시하였다.In the drawing, an example in which the black pattern 202 is configured to correspond to the second column spacer 132 is illustrated.

다음으로, 상기 블랙패턴(202)이 형성된 상부기판(200)의 전면에 투명한 공통 전극(204)을 구성하고, 상기 공통 전극(204)이 형성된 기판(200)의 전면에 선택적으로 배향막(206)을 구성한다.Next, a transparent common electrode 204 is formed on the entire surface of the upper substrate 200 on which the black pattern 202 is formed, and the alignment layer 206 is selectively formed on the entire surface of the substrate 200 on which the common electrode 204 is formed. Configure

전술한 구성에서 특징적인 것은, 상기 블랙패턴(202)에 대응하는 부분에 제 2 컬럼스페이서(132)를 구성함으로써, 상기 제 2 컬럼스페이서(132)는 상기 상부기판(200)과 하부기판(100)의 갭(gap)을 유지하는 역할을 하게 되는 반면, 상기 박막트랜지스터에 대응하여 구성된 제 1 컬럼스페이서(130)는 상기 블랙패턴(202)의 높이(0.1㎛~0.4㎛ )만큼 상부 기판(200)과의 사이에 이격영역이 존재하도록 구성하는 것이다.In the above-described configuration, the second column spacer 132 is formed on the portion corresponding to the black pattern 202, so that the second column spacer 132 is formed of the upper substrate 200 and the lower substrate 100. While maintaining the gap of the first layer spacer 130 configured to correspond to the thin film transistor, the upper substrate 200 by the height (0.1 μm to 0.4 μm) of the black pattern 202. ) So that there is a space between them.

따라서, 상기 제 1 컬럼 스페이서(130)에 의해 액정의 중력불량을 방지할 수 있게 되고, 눌림얼룩 또한 방지할 수 있다.Therefore, it is possible to prevent the gravity failure of the liquid crystal by the first column spacer 130, it is also possible to prevent the crushing stain.

전술한 구성에서, 앞서 언급한 바와 같이, 상기 블랙 패턴(202)은 상기 제 1 컬럼스페이서(130)에 대응하는 영역에 형성될 수도 있다. 이와 같이 구성하면 제 1 컬럼 스페이서(130)가 실제 상기 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)의 갭(gap)을 유지하는 역할을 하게 된다.In the above-described configuration, as mentioned above, the black pattern 202 may be formed in a region corresponding to the first column spacer 130. In this configuration, the first column spacer 130 actually serves to maintain a gap between the first substrate 100 and the second substrate 200.

전술한 바와 같은 구성으로 본 발명의 제 1 실시예에 따른 COT 구조의 액정 표시장치를 제작할 수 있다.As described above, the liquid crystal display device having the COT structure according to the first embodiment of the present invention can be manufactured.

이하, 제 2 실시예를 통해 상기 제 1 실시예의 변형예를 설명한다.
Hereinafter, the modification of the first embodiment will be described with the second embodiment.

-- 제 2 실시예 --Second Embodiment

본 발명의 제 2 실시예의 특징은 전술한 제 1 실시예의 구조에서, 상기 컬러필터와 블랙매트릭스를 박막트랜지스터 어레이부의 하부에 구성하는 것을 특징으로 한다.A feature of the second embodiment of the present invention is that in the structure of the first embodiment described above, the color filter and the black matrix are configured under the thin film transistor array unit.

도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 TOC(TFT on color filter)구조의 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device having a TFT on color filter (TOC) structure according to a second embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 스위칭 영역(S)을 포함하는 화소 영역(P1,P2)이 정의된 하부 기판(300)상에, 상기 스위칭 영역(S)에 대응하여 블랙매트릭스(302)를 형성한다.As illustrated, a black matrix 302 is formed on the lower substrate 300 on which the pixel regions P1 and P2 including the switching region S are defined.

상기 화소 영역(P1,P2)에는 컬러필터(304a,304b)를 형성한다. 상기 컬러필터(304a,304b)는 다수의 화소 영역(P1,P2)에 대응하여 적색과 녹색과 청색의 컬러필터를 순차 구성한다.Color filters 304a and 304b are formed in the pixel areas P1 and P2. The color filters 304a and 304b sequentially configure red, green, and blue color filters corresponding to the plurality of pixel areas P1 and P2.

상기 블랙매트릭스(302)와 컬러필터(304a,304b)가 구성된 기판(300)의 전면에 평탄화막(306)을 형성한다. The planarization layer 306 is formed on the entire surface of the substrate 300 including the black matrix 302 and the color filters 304a and 304b.                     

상기 평탄화막(306)은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(aryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하여 형성한다. The planarization layer 306 is formed by depositing one or more materials selected from the group of organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and an acrylic resin.

상기 스위칭 영역(S)에 대응하는 평탄화막(306)의 상부에 게이트 전극(308)과 게이트 전극(308)과는 게이트 절연막(312)을 사이에 두고 반도체층(314)과, 반도체층(314)의 상부에 소스 전극(316)과 드레인 전극(318)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한다.The semiconductor layer 314 and the semiconductor layer 314 with the gate electrode 308 and the gate electrode 308 interposed between the gate electrode 308 and the gate electrode 308 on the planarization film 306 corresponding to the switching region S. A thin film transistor T including a source electrode 316 and a drain electrode 318 is formed on the upper side of the top surface.

그리고, 상기 화소 영역(P1,P2)의 일측과 이에 수직한 타측에 게이트 배선(310)과 데이터 배선(미도시)을 구성한다.In addition, a gate line 310 and a data line (not shown) are formed on one side of the pixel areas P1 and P2 and the other side perpendicular thereto.

상기 박막트랜지스터(T)가 형성된 기판(300)의 전면에 앞서 언급한 유기절연물질을 도포하여 보호막(320)을 형성하고, 상기 보호막(320)의 상부에 상기 드레인 전극(318)과 접촉하는 화소 전극(322)을 형성한다.A pixel is formed on the entire surface of the substrate 300 on which the thin film transistor T is formed by applying the aforementioned organic insulating material to form a passivation layer 320 and contacting the drain electrode 318 on the passivation layer 320. An electrode 322 is formed.

상기 화소 전극의 상부에는 배향막을 형성할 수도 있고, 형성하지 않을 수도 있다.An alignment layer may or may not be formed on the pixel electrode.

상기 박막트랜지스터(T)와 상기 화소 영역(P)의 일부에 대응하여 각각 제 1 컬럼 스페이서(326)와 제 2 컬럼 스페이서(328)를 형성한다. The first column spacer 326 and the second column spacer 328 are formed to correspond to the thin film transistor T and a part of the pixel region P, respectively.

이때, 상기 박막트랜지스터(T)의 상부에 구성한 보호막(324)은 유기절연물질로 형성되기 때문에 표면을 평탄화하는 기능을 하게 된다.In this case, since the passivation layer 324 formed on the thin film transistor T is formed of an organic insulating material, the surface of the thin film transistor T may be planarized.

따라서, 상기 제 1 컬럼 스페이서(326) 또는 제 2 컬럼 스페이서(328)중 하나를 상기 기판과 이격영역을 두고 위치하도록 하기 위해 돌출부를 형성해야 한다. Therefore, a protrusion must be formed to position one of the first column spacer 326 or the second column spacer 328 spaced apart from the substrate.                     

이를 위해, 상기 하부 기판(300)과 합착되는 상부 기판(400)의 일면에는 상기 제 2 컬럼스페이서(328)와 대응하는 영역에 블랙패턴을 형성한다.To this end, a black pattern is formed on one surface of the upper substrate 400 bonded to the lower substrate 300 in a region corresponding to the second column spacer 328.

상기 블랙 패턴(402)은 상기 제 1 컬럼 스페이서(326)또는 제 2 컬럼 스페이서(328)중 하나에 대응하여 형성하면 된다.The black pattern 402 may be formed to correspond to either the first column spacer 326 or the second column spacer 328.

상기 블랙패턴(402)이 형성된 기판(400)의 전면에 투명한 공통 전극(404)을 형성한다.A transparent common electrode 404 is formed on the entire surface of the substrate 400 on which the black pattern 402 is formed.

상기 투명한 공통 전극(404)의 하부에는 배향막(406)을 형성한다. 이때, 상기 배향막(406)은 형성하지 않을 수도 있다. An alignment layer 406 is formed under the transparent common electrode 404. In this case, the alignment layer 406 may not be formed.

전술한 구성에서, 상기 제 2 컬럼스페이서(328)는 상기 블랙패턴의 돌출부에 대응하는 영역에 위치하여, 상기 하부 기판(300)과 상부기판(400)의 갭을 유지하는 역할을 하게 되고, 상기 제 1 컬럼스페이서(326)는 상기 블랙패턴(202)의 높이(0.1㎛~0.4㎛)만큼 상기 상부기판(400)과 이격되어 구성된다.In the above-described configuration, the second column spacer 328 is positioned in a region corresponding to the protrusion of the black pattern, and serves to maintain a gap between the lower substrate 300 and the upper substrate 400. The first column spacer 326 is spaced apart from the upper substrate 400 by the height (0.1 μm˜0.4 μm) of the black pattern 202.

전술한 구성에서, 상기 블랙 패턴(402)은 상기 제 1 컬럼스페이서(326)에 대응하는 영역에 형성될 수도 있다. 이와 같이 구성하면 제 1 컬럼 스페이서(326)가 실제 상기 제 1 기판(300)과 제 2 기판(400)의 갭(gap)을 유지하는 역할을 하게 된다.In the above-described configuration, the black pattern 402 may be formed in a region corresponding to the first column spacer 326. In this configuration, the first column spacer 326 actually serves to maintain a gap between the first substrate 300 and the second substrate 400.

앞서 제 1 실시예에서 언급한 바와 같이, 상기 제 2 컬럼스페이서(326)의 존재로 인해 중력불량 및 눌림얼룩을 방지할 수 있다.

As mentioned in the first embodiment, due to the presence of the second column spacer 326, it is possible to prevent the poor gravity and crushing stain.

-- 제 3 실시예 --Third Embodiment

본 발명의 제 3 실시예의 특징은 상기 제 2 실시예의 구성에서, 상기 보호막을 유기막이 아닌 무기 절연막으로 형성하는 것을 특징으로 한다.A feature of the third embodiment of the present invention is that, in the configuration of the second embodiment, the protective film is formed of an inorganic insulating film rather than an organic film.

도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 TOC 구조의 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of a configuration of a liquid crystal display device having a TOC structure according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 스위칭 영역(S)을 포함하는 화소 영역(P1,P2)이 정의된 하부 기판(300)상에, 상기 스위칭 영역(S)에 대응하여 블랙매트릭스(302)를 형성한다.As illustrated, a black matrix 302 is formed on the lower substrate 300 on which the pixel regions P1 and P2 including the switching region S are defined.

상기 화소 영역(P1,P2)에는 컬러필터(304a,304b)를 형성한다. 상기 컬러필터(304a,304b)는 다수의 화소 영역(P1,P2)에 대응하여 적색과 녹색과 청색의 컬러필터를 순차 구성한다.Color filters 304a and 304b are formed in the pixel areas P1 and P2. The color filters 304a and 304b sequentially configure red, green, and blue color filters corresponding to the plurality of pixel areas P1 and P2.

상기 블랙매트릭스(302)와 컬러필터(304a,304)가 구성된 기판(300)의 전면에 평탄화막(306)을 형성한다.The planarization layer 306 is formed on the entire surface of the substrate 300 including the black matrix 302 and the color filters 304a and 304.

상기 평탄화막(306)은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(aryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하여 형성한다. The planarization layer 306 is formed by depositing one or more materials selected from the group of organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and an acrylic resin.

상기 스위칭 영역(S)에 대응하는 평탄화막(306)의 상부에 게이트 전극(308)과 게이트 전극(308)과는 게이트 절연막(312)을 사이에 두고 반도체층(314)과, 반도체층(314)의 상부에 소스 전극(316)과 드레인 전극(318)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한다. The semiconductor layer 314 and the semiconductor layer 314 with the gate electrode 308 and the gate electrode 308 interposed between the gate electrode 308 and the gate electrode 308 on the planarization film 306 corresponding to the switching region S. A thin film transistor T including a source electrode 316 and a drain electrode 318 is formed on the upper side of the top surface.                     

그리고, 상기 화소 영역(P1,P2)의 일측과 이에 수직한 타측에 게이트 배선(310)과 데이터 배선(미도시)을 구성한다.In addition, a gate line 310 and a data line (not shown) are formed on one side of the pixel areas P1 and P2 and the other side perpendicular thereto.

상기 박막트랜지스터(T)가 형성된 기판(300)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하여 보호막(320)을 형성하고, 상기 보호막(320)의 상부에 상기 드레인 전극(318)과 접촉하는 화소 전극(322)을 형성한다.The protective layer 320 is deposited by depositing one or more materials selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN X ) and silicon oxide (SiO 2 ) on the entire surface of the substrate 300 on which the thin film transistor T is formed. The pixel electrode 322 in contact with the drain electrode 318 is formed on the passivation layer 320.

이때, 상기 보호막(320)은 무기 절연막으로 형성되기 때문에, 상기 박막트랜지스터(T)에 의해 돌출된 단차부가 형성된다.In this case, since the passivation layer 320 is formed of an inorganic insulating layer, a stepped portion protruding by the thin film transistor T is formed.

이러한 구성에서는 상기 어레이기판(300)에 컬럼스페이서를 형성하는 하는 것이 의미가 없기 때문에, 상부기판(400)에 제 1 및 제 2 컬럼스페이서(406,408)를 형성해야 한다.In this configuration, since it is not meaningful to form the column spacer on the array substrate 300, the first and second column spacers 406 and 408 should be formed on the upper substrate 400.

이를 위해, 상기 하부 기판(300)과 합착되는 상부 기판(400)의 일 면에 투명한 공통 전극(404)을 형성하고, 상기 투명한 공통 전극(404)의 하부에는 배향막(406)을 형성한다. 이때, 상기 배향막(406)은 형성하지 않을 수도 있다. To this end, a transparent common electrode 404 is formed on one surface of the upper substrate 400 bonded to the lower substrate 300, and an alignment layer 406 is formed under the transparent common electrode 404. In this case, the alignment layer 406 may not be formed.

다음으로, 상기 배향막(406)의 하부에 제 1 컬럼 스페이서(408)와 제 2 컬럼 스페이서(410)를 형성한다.Next, a first column spacer 408 and a second column spacer 410 are formed under the alignment layer 406.

이와 같이 하면 도시한 바와 같이, 상기 제 1 컬럼 스페이서(408)는 상기 박막트랜지스터(T)에 대응하여 형성하여, 상기 제 1 및 제 2 기판(300,400)의 갭을 유지하는 역할을 하게 되고, 상기 제 2 컬럼 스페이서(410)는 상기 제 1 기판(300) 과 소정의 이격영역을 두고 형성될 수 있다.In this case, as shown in the drawing, the first column spacer 408 is formed corresponding to the thin film transistor T, and serves to maintain gaps between the first and second substrates 300 and 400. The second column spacer 410 may be formed to have a predetermined distance from the first substrate 300.

전술한 바와 같이 제 1 내제 제 3 실시예를 통해 본 발명에 따른 액정표시장치를 제작 할 수 있다.
As described above, the liquid crystal display according to the present invention may be manufactured through the first to third embodiments.

따라서, 본 발명에 따른 액정표시장치는 듀얼 컬럼스페이서를 포함하는 COT 및 TOC 구조로 구성되기 때문에 아래와 같은 효과가 있다.Therefore, the liquid crystal display according to the present invention has the following effects because it is composed of a COT and TOC structure including a dual column spacer.

첫째, 어레이기판에 컬러필터 및 블랙매트릭스가 구성되므로, 합착 오차를 줄이기 위한 합착 마진을 설계하지 않아도 되므로 합착 마진만큼의 개구영역을 확보할 수 있어 개구율 개선 및 이에 따른 휘도가 개선되는 효과가 있다.First, since the color filter and the black matrix are configured on the array substrate, it is not necessary to design a bonding margin to reduce the bonding error, so that the opening area as much as the bonding margin can be secured, thereby improving the aperture ratio and thereby improving luminance.

둘째, 듀얼 컬럼스페이서 구성을 적용하여 액정을 충진하는 경우, 기판과 이격하여 구성된 스페이서와 기판 사이의 이격영역으로 액정이 충진될 수 있으므로 액정의 과다충진에 의해 패널의 하부가 불룩해지는 중력 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.Second, when the liquid crystal is filled by applying the dual column spacer configuration, the liquid crystal may be filled into a spaced area between the spacer and the substrate spaced apart from the substrate, thereby preventing gravity defects in which the lower part of the panel is bulged due to overfilling of the liquid crystal. It can work.

또한, 액정의 충진량에 관련한 액정의 마진 폭을 더욱 크게 확보할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that the margin width of the liquid crystal in relation to the filling amount of the liquid crystal can be more secured.

셋째, 상기 기판과 갭을 두고 형성되는 컬럼 스페이서는 패널에 압력을 가했을 경우 이에 대한 저항성분으로 작용할 수 있으므로, 압력에 의한 액정의 눌림얼룩을 방지할 수 있는 효과가 있다.Third, the column spacer formed with a gap with the substrate may act as a resistance component when a pressure is applied to the panel, thereby preventing the crushing of the liquid crystal due to the pressure.

Claims (27)

제 1 기판과 제 2 기판과;A first substrate and a second substrate; 상기 제 2 기판과 마주보는 제 1 기판의 일면에 서로 수직 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과;A gate wiring and a data wiring defining a pixel area by vertically crossing each other on one surface of the first substrate facing the second substrate; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 스위칭 소자와;A switching element configured at an intersection point of the gate line and the data line; 상기 스위칭 소자에 대응하는 상부에 구성된 블랙 매트릭스와;A black matrix formed at an upper portion corresponding to the switching element; 상기 화소 영역에 구성된 컬러필터와;A color filter configured in the pixel region; 상기 컬러필터 위로 그 표면이 평탄한 형태를 가지며 형성된 평탄화막과;A planarization film formed on the color filter and having a flat surface; 상기 평탄화막 위로 상기 컬러필터의 상부에 위치하고, 상기 스위칭 소자와 접촉하는 투명한 화소 전극과;A transparent pixel electrode positioned over the planarization layer and in contact with the switching element; 상기 스위칭 소자에 대응하여 구성된 제 1 컬럼스페이서와, 상기 화소 영역의 일부에 대응하여 구성된 제 2 컬럼 스페이서와;A first column spacer configured to correspond to the switching element, a second column spacer configured to correspond to a part of the pixel region; 상기 제 1 기판과 마주보는 상기 제 2 기판의 일면 중, 상기 제 1 컬럼 스페이서 또는 제 2 컬럼 스페이서에 대응하여 구성된 블랙 패턴과;A black pattern configured to correspond to the first column spacer or the second column spacer on one surface of the second substrate facing the first substrate; 상기 블랙 패턴을 포함하는 제 2 기판의 전면에 구성된 투명한 공통 전극을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서는 동일한 높이를 가지며 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙 패턴에 대응하는 부분에 형성된 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판의 내측면 최상층에 구비된 구성요소와 접촉하도록 구성되는 것이 특징인 씨오티(COT)구조 액정표시장치.And a transparent common electrode formed on an entire surface of the second substrate including the black pattern, wherein the first and second column spacers have the same height, and correspond to the black pattern of the first and second column spacers. And a column spacer formed at a portion thereof to be in contact with a component provided on an uppermost layer of an inner surface of the second substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 컬러필터는 화소 영역에 순차 대응되어 구성된 적색과 녹색과 청색의 컬러필터인 씨오티(COT)구조 액정표시장치.The color filter is a COT structure liquid crystal display device which is a color filter of red, green, and blue sequentially formed corresponding to a pixel area. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스위칭 소자는 게이트 전극과, 게이트 전극 상부에 절연막을 사이에 두고 위치한 액티브층과, 상기 액티브층의 상부에 이격된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 씨오티(COT)구조 액정표시장치. The switching element includes a gate electrode, an active layer disposed over the gate electrode with an insulating layer interposed therebetween, and a source and drain electrode spaced apart from the upper portion of the active layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 블랙매트릭스는 게이트 배선 및 데이터 배선에 대응하는 상부에 구성된 씨오티(COT)구조 액정표시장치. The black matrix is a COT structure liquid crystal display device formed at an upper portion corresponding to a gate line and a data line. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 제 1 컬럼 스페이서와 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙패턴에 대응하여 구성된 컬럼 스페이서는 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 갭을 유지하는 역할을 하게 되고, 나머지 하나의 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판과 이격 영역을 두고 구성되는 씨오티(COT)구조 액정표시장치. The column spacer configured to correspond to the black pattern among the first column spacer and the second column spacer serves to maintain a gap between the first substrate and the second substrate, and the other column spacer is formed with the second substrate. COT structure liquid crystal display device having a spaced area. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 블랙패턴의 높이는 0.1㎛~0.4㎛의 범위 내의 값으로 구성되는 씨오티(COT)구조 액정표시장치. The height of the black pattern is a COT (COT) structure liquid crystal display device composed of a value in the range of 0.1㎛ ~ 0.4㎛. 제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 단계와;Preparing a first substrate and a second substrate; 상기 제 2 기판과 마주보는 제 1 기판의 일면에 서로 수직 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계와;Forming gate lines and data lines on one surface of the first substrate facing the second substrate to vertically cross each other to define pixel regions; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 스위칭 소자를 형성하는 단계와;Forming a switching element configured at an intersection point of the gate line and the data line; 상기 스위칭 소자에 대응하는 상부에 구성된 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와;Forming a black matrix formed thereon corresponding to the switching element; 상기 화소 영역에 컬러필터를 형성하는 단계와;Forming a color filter in the pixel region; 상기 컬러필터 위로 그 표면이 평탄한 형태를 갖는 평탄화막을 형성하는 단계와;Forming a planarization film having a flat surface on the color filter; 상기 평탄화막 위로 상기 컬러필터의 상부에 위치하고, 상기 스위칭 소자와 접촉하는 투명한 화소 전극을 형성하는 단계와;Forming a transparent pixel electrode on the planarization layer and above the color filter and in contact with the switching element; 상기 스위칭 소자에 대응하여 제 1 컬럼스페이서와, 상기 화소 영역의 일부에 대응하여 구성된 제 2 컬럼 스페이서를 형성하는 단계와;Forming a first column spacer and a second column spacer corresponding to a portion of the pixel region in correspondence with the switching element; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면 중, 상기 제 1 컬럼 스페이서 또는 제 2 컬럼 스페이서에 대응하여 블랙 패턴을 형성하는 단계와;Forming a black pattern on one surface of the second substrate facing the first substrate, corresponding to the first column spacer or the second column spacer; 상기 블랙 패턴을 포함하는 제 2 기판의 전면에 투명한 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서는 동일한 높이를 가지며 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙 패턴에 대응하는 부분에 형성된 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판의 내측면 최상층에 구비된 구성요소와 접촉하도록 형성한 것이 특징인 씨오티(COT)구조 액정표시장치 제조방법And forming a transparent common electrode on a front surface of the second substrate including the black pattern, wherein the first and second column spacers are formed to have the same height, and the black of the first and second column spacers is formed. A method of manufacturing a COT structure liquid crystal display device wherein the column spacer formed on a portion corresponding to the pattern is formed to contact a component provided on the uppermost layer of the inner surface of the second substrate. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 스위칭 소자는 게이트 전극과, 게이트 전극 상부에 절연막을 사이에 두고 위치한 액티브층과, 상기 액티브층의 상부에 이격된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 씨오티(COT)구조 액정표시장치 제조방법. The switching element includes a gate electrode, an active layer disposed over the gate electrode with an insulating layer interposed therebetween, and a source and drain electrode spaced apart from the upper portion of the active layer. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 블랙매트릭스는 게이트 배선 및 데이터 배선의 상부에 형성된 씨오티(COT)구조 액정표시장치 제조방법. And the black matrix is formed on a top of a gate line and a data line. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 제 1 컬럼 스페이서와 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙패턴에 대응하여 구성된 컬럼 스페이서는 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 갭을 유지하는 역할을 하게 되고, 나머지 하나의 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판과 이격 영역을 두고 형성되는 씨오티(COT)구조 액정표시장치 제조방법. The column spacer configured to correspond to the black pattern among the first column spacer and the second column spacer serves to maintain a gap between the first substrate and the second substrate, and the other column spacer is formed with the second substrate. Method of manufacturing a COT structure liquid crystal display device having a spaced area. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 블랙패턴의 높이는 0.1㎛~0.4㎛의 범위 내의 값으로 형성되는 씨오티(COT)구조 액정표시장치 제조방법. And the black pattern has a height in a range of 0.1 μm to 0.4 μm. 스위칭 영역과 다수의 화소 영역이 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과;A first substrate and a second substrate on which a switching region and a plurality of pixel regions are defined; 상기 제 2 기판과 마주보는 제 1 기판의 스위칭 영역에 구성된 블랙매트릭스와;A black matrix configured in the switching region of the first substrate facing the second substrate; 상기 화소 영역에 구성된 컬러필터와;A color filter configured in the pixel region; 상기 컬러필터가 구성된 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과;Gate wiring and data wiring formed on one side of the pixel region including the color filter and the other side perpendicular to the pixel region; 상기 블랙매트릭스의 상부에 구성된 스위칭 소자와;A switching element configured on the black matrix; 상기 스위칭 소자 위로 전면에 평탄한 표면을 가지며 구성된 유기 절연막과;An organic insulating film having a flat surface over the switching element; 상기 유기 절연막 위로 상기 스위칭 소자와 접촉하는 투명한 화소 전극과;A transparent pixel electrode in contact with the switching element over the organic insulating layer; 상기 스위칭 소자에 대응하여 구성된 제 1 컬럼스페이서와, 상기 화소 영역의 일부에 대응하여 구성된 제 2 컬럼 스페이서와;A first column spacer configured to correspond to the switching element, a second column spacer configured to correspond to a part of the pixel region; 상기 제 1 기판과 마주보는 상기 제 2 기판의 내측면에 상기 제 1 컬럼 스페이서 또는 제 2 컬럼 스페이서에 대응하여 구성된 블랙 패턴과;A black pattern formed on an inner surface of the second substrate facing the first substrate, the black pattern corresponding to the first column spacer or the second column spacer; 상기 블랙 패턴을 포함하는 상기 제 2 기판의 전면에 상기 블랙패턴을 덮으며 구성된 투명한 공통 전극을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서는 동일한 높이를 가지며 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙 패턴에 대응하는 부분에 형성된 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판의 내측면 최상층에 구비된 구성요소와 접촉하도록 형성한 것이 특징인 티오씨(TOC)구조 액정표시장치.A transparent common electrode configured to cover the black pattern on the front surface of the second substrate including the black pattern, wherein the first and second column spacers are formed to have the same height, and the first and second columns A column spacer formed on a portion of the spacer corresponding to the black pattern is formed in contact with the components provided on the uppermost layer of the inner surface of the second substrate (TOC) structure liquid crystal display device. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 컬러필터는 화소 영역에 순차 대응되어 구성된 적색과 녹색과 청색의 컬러필터인 티오씨(TOC)구조 액정표시장치.And the color filter is a red, green, and blue color filter configured to correspond to the pixel region sequentially. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 스위칭 소자는 게이트 전극과, 게이트 전극 상부에 절연막을 사이에 두고 위치한 액티브층과, 상기 액티브층의 상부에 이격된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 티오씨(TOC)구조 액정표시장치. The switching device includes a gate electrode, an active layer positioned over the gate electrode with an insulating layer interposed therebetween, and a source and drain electrode spaced apart from the upper portion of the active layer. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 블랙매트릭스는 게이트 배선 및 데이터 배선에 대응하는 하부에 구성된 티오씨(TOC)구조 액정표시장치. The black matrix is a TOC (TOC) structure liquid crystal display device formed at a lower portion corresponding to the gate wiring and the data wiring. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 제 1 컬럼 스페이서와 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙패턴에 대응하여 구성된 컬럼 스페이서는 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 갭을 유지하는 역할을 하게 되고, 나머지 하나의 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판과 이격 영역을 두고 구성되는 티오씨(TOC)구조 액정표시장치. The column spacer configured to correspond to the black pattern among the first column spacer and the second column spacer serves to maintain a gap between the first substrate and the second substrate, and the other column spacer is formed with the second substrate. TOC structured liquid crystal display device having a spaced area. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 블랙패턴의 높이는 0.1㎛~0.4㎛의 범위 내의 값으로 구성되는 티오씨(TOC)구조 액정표시장치. The height of the black pattern is a TOC (TOC) structure liquid crystal display device composed of a value in the range of 0.1㎛ ~ 0.4㎛. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 스위칭 소자와 게이트 및 데이터 배선과 상기 컬러필터 사이에 평탄화막이 구성된 티오씨(TOC)구조 액정표시장치. And a planarization film formed between the switching element, the gate and the data line, and the color filter. 제 1 기판과 제 2 기판에 스위칭 영역과 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;Defining a switching region and a plurality of pixel regions in the first substrate and the second substrate; 상기 제 2 기판과 마주보는 제 1 기판의 스위칭 영역에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;Forming a black matrix in a switching region of the first substrate facing the second substrate; 상기 화소 영역에 컬러필터를 형성하는 단계와;Forming a color filter in the pixel region; 상기 컬러필터가 형성된 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와;Forming a gate line and a data line on one side of the pixel area where the color filter is formed and the other side perpendicular thereto; 상기 블랙매트릭스의 상부에 스위칭 소자를 형성하는 단계와;Forming a switching element on top of the black matrix; 상기 스위칭 소자 위로 전면에 평탄한 표면을 갖는 유기 절연막을 형성하는 단계와;Forming an organic insulating film having a flat surface over the switching element; 상기 유기 절연막 위로 상기 화소 영역에 대응하여 상기 스위칭 소자와 접촉하는 투명한 화소 전극을 형성하는 단계와;Forming a transparent pixel electrode on the organic insulating layer and in contact with the switching element corresponding to the pixel region; 상기 스위칭 소자에 대응하여 제 1 컬럼스페이서와, 상기 화소 영역의 일부에 대응하여 제 2 컬럼 스페이서를 형성하는 단계와;Forming a first column spacer corresponding to the switching element and a second column spacer corresponding to a portion of the pixel region; 상기 제 1 기판과 마주보는 상기 제 2 기판의 내측면에 상기 제 1 컬럼 스페이서 또는 제 2 컬럼 스페이서에 대응하여 블랙 패턴을 형성하는 단계와;Forming a black pattern on an inner surface of the second substrate facing the first substrate corresponding to the first column spacer or the second column spacer; 상기 블랙 패턴을 포함하는 제 2 기판의 전면에 상기 블랙패턴을 덮으며 투명한 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서는 동일한 높이를 갖도록 형성하며, 상기 제 1 및 제 2 컬럼 스페이서 중 상기 블랙패턴에 대응하는 부분에 형성된 컬럼 스페이서는 상기 제 2 기판의 내측면 최상층에 구비된 구성요소와 접촉하도록 형성하는 것이 특징인 티오씨(TOC)구조 액정표시장치 제조방법.Forming a transparent common electrode covering the black pattern on the entire surface of the second substrate including the black pattern, wherein the first and second column spacers are formed to have the same height, and the first and second 2. The method of manufacturing a TOS structure liquid crystal display device, wherein the column spacer formed on a portion of the column spacer corresponding to the black pattern is in contact with a component provided on the uppermost layer of the inner surface of the second substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 최상층에 구비된 구성요소는, Components provided on the top layer, 상기 공통전극이거나,The common electrode; 또는 상기 공통전극을 덮으며 배향막이 형성되는 경우 상기 배향막인 것이 특징인 씨오티(COT)구조 액정표시장치.Or a COT structure liquid crystal display which covers the common electrode and is an alignment layer when an alignment layer is formed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 블랙패턴은 크롬(Cr) 또는 크롬옥사이드(CrOx)를 포함하는 금속 그룹 중 선택된 하나인 것이 특징인 씨오티(COT)구조 액정표시장치.And the black pattern is one selected from a group of metals including chromium (Cr) or chromium oxide (CrOx). 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 최상층에 구비된 구성요소는, Components provided on the top layer, 상기 공통전극이거나,The common electrode; 또는 상기 공통전극을 덮으며 배향막이 형성하는 단계를 더 포함하는 경우 상기 배향막인 것이 특징인 씨오티(COT)구조 액정표시장치 제조방법. Or covering the common electrode and forming an alignment layer, wherein the alignment layer is the alignment layer. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 블랙패턴은 크롬(Cr) 또는 크롬옥사이드(CrOx)를 포함하는 금속 그룹 중 선택된 하나인 것이 특징인 씨오티(COT)구조 액정표시장치 제조방법.And the black pattern is one selected from a group of metals including chromium (Cr) or chromium oxide (CrOx). 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 최상층에 구비된 구성요소는, Components provided on the top layer, 상기 공통전극이거나,The common electrode; 또는 상기 공통전극을 덮으며 배향막이 형성되는 경우 상기 배향막인 것이 특징인 티오씨(TOC)구조 액정표시장치.Or an alignment layer covering the common electrode, wherein the alignment layer is the alignment layer. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 블랙패턴은 크롬(Cr) 또는 크롬옥사이드(CrOx)를 포함하는 금속 그룹 중 선택된 하나인 것이 특징인 티오씨(TOC)구조 액정표시장치.And the black pattern is one selected from a group of metals including chromium (Cr) or chromium oxide (CrOx). 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 최상층에 구비된 구성요소는, Components provided on the top layer, 상기 공통전극이거나,The common electrode; 또는 상기 공통전극을 덮으며 배향막이 형성하는 단계를 더 포함하는 경우 상기 배향막인 것이 특징인 티오씨(TOC)구조 액정표시장치 제조방법. Or covering the common electrode and forming an alignment layer, wherein the alignment layer is the alignment layer. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 블랙패턴은 크롬(Cr) 또는 크롬옥사이드(CrOx)를 포함하는 금속 그룹 중 선택된 하나인 것이 특징인 티오씨(TOC)구조 액정표시장치 제조방법.And the black pattern is one selected from a group of metals including chromium (Cr) or chromium oxide (CrOx).
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