KR101049312B1 - 휘발성 메모리 성능에 대한 리프레쉬 동작들의 영향을 최소화하기 위한 방법 및 시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (43)
- 휘발성 메모리;상기 휘발성 메모리에서 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬 이전에 수행된 자동 리프레쉬들의 수를 모니터링하도록 구성되는 리프레쉬 카운터; 및메모리 제어기를 포함하며, 상기 메모리 제어기는,상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬를 검출하고,상기 리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타내는 지를 결정하고,상기 리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타낸다는 결정에 응답하여 상기 메모리 제어기가 유휴(idle) 상태인지를 결정하고, 그리고,상기 메모리 제어기가 유휴(idle) 상태라는 결정에 응답하여 자동 리프레쉬를 수행하도록 구성되는,메모리 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 메모리 제어기는 상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬가 스킵될 수 없다는 상기 메모리 제어기 결정에 응답하여, 상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬를 수행하도록 상기 휘발성 메모리에 지시하도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
- 제2항에 있어서,상기 메모리 제어기는, 상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬의 수행 외에도, 자동 리프레쉬를 수행하도록 상기 휘발성 메모리에게 지시하도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
- 제3항에 있어서,수행될 자동 리프레쉬들의 수는 적어도 하나의 조건에 의존하여 변화하는, 메모리 시스템.
- 제1항에 있어서,자동 리프레쉬들의 최대 수가 수행되며, 상기 최대 수는 상기 휘발성 메모리의 로우(row)들의 수에 기초하는, 메모리 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 메모리 제어기가 활성 상태이고 상기 리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타낸다는 결정에 응답하여, 상기 메모리 제어기는 상기 자동 리프레쉬를 수행하지 않을 것을 상기 휘발성 메모리에게 지시하도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 메모리 제어기는 상기 리프레쉬 카운터가 최대값에 도달했는지를 결정하도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 리프레쉬 카운터는 비트 카운터를 포함하는, 메모리 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 휘발성 메모리는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 및 동기 DRAM 중 하나를 포함하는, 메모리 시스템.
- 휘발성 메모리;상기 휘발성 메모리에서 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬에 앞서 수행된 자동 리프레쉬들의 수에 관련된 정보를 유지하도록 구성되는 리프레쉬 카운터;상기 휘발성 메모리를 제어하도록 구성되는 메모리 제어기; 및상기 메모리 제어기, 상기 휘발성 메모리, 및 상기 리프레쉬 카운터 사이의 상호작용을 관리하도록 구성되는 프로세서를 포함하며, 상기 프로세서는,상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬를 검출하고,상기 리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타내는 지를 결정하고,상기 리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타낸다는 결정에 응답하여 상기 메모리 제어기가 유휴(idle) 상태인지를 결정하고, 그리고,상기 메모리 제어기가 유휴(idle) 상태라는 결정에 응답하여 자동 리프레쉬를 수행하도록 구성되는,메모리 시스템.
- 제10항에 있어서,상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬가 스킵될 수 없다는 결정에 응답하여, 상기 프로세서는 상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬의 실행을 변경하도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
- 제11항에 있어서,상기 프로세서는 상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬의 실행 외에도, 상기 자동 리프레쉬의 실행을 제어하도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
- 제12항에 있어서,실행될 자동 리프레쉬들의 수는 적어도 하나의 조건에 따라 변화하는, 메모리 시스템.
- 제10항에 있어서,상기 메모리 제어기가 활성상태이고 상기 리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타낸다는 결정에 응답하여, 상기 프로세서는 상기 자동 리프레쉬의 실행을 유지하지 않도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
- 제10항에 있어서,상기 프로세서는, 상기 리프레쉬 카운터가 최대값인지를 결정하도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
- 제10항에 있어서,상기 리프레쉬 카운터는 비트 카운터인, 메모리 시스템.
- 제10항에 있어서,상기 휘발성 메모리는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 및 동기 DRAM 중 하나를 포함하는, 메모리 시스템.
- 데이터 액세스를 개시하기에 앞서, 적어도 하나의 자동 리프레쉬를 수행하도록 동작가능한 휘발성 메모리;정기적으로 스케줄링된 리프레쉬를 검출하기 위한 수단;리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타내는 지를 결정하기 위한 수단;상기 리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타낸다는 결정에 응답하여 메모리 제어기가 유휴(idle) 상태인지를 결정하기 위한 수단; 및상기 메모리 제어기가 유휴(idle) 상태라는 결정에 응답하여 자동 리프레쉬를 수행하기 위한 수단을 포함하는,메모리 시스템.
- 휘발성 메모리에서 리프레쉬 동작들을 수행하기 위한 방법으로서,정기적으로 스케줄링될 리프레쉬를 검출하는 단계;리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타내는 지를 결정하는 단계;상기 리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타낸다는 결정에 응답하여 메모리 제어기가 유휴(idle) 상태인지를 결정하는 단계; 및상기 메모리 제어기가 유휴(idle) 상태라는 결정에 응답하여 자동 리프레쉬를 수행하는 단계를 포함하는,리프레쉬 동작 수행 방법.
- 제19항에 있어서,수행될 자동 리프레쉬들의 수는 적어도 하나의 조건에 따라 변화하는, 리프레쉬 동작 수행 방법.
- 제19항에 있어서,상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬가 스킵될 수 없다는 결정에 응답하여 상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬를 수행하는 단계를 더 포함하는, 리프레쉬 동작 수행 방법.
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- 제19항에 있어서,상기 자동 리프레쉬 및 상기 정기적으로 스케줄링된 리프레쉬의 실행을 방지하는 단계; 및상기 휘발성 메모리가 활성 상태라는 결정에 응답하여 수행된 자동 리프레쉬들의 감소된 수를 반영하도록 상기 리프레쉬 카운터를 갱신하는 단계를 더 포함하는, 리프레쉬 동작 수행 방법.
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- 제1항에 있어서,상기 메모리 제어기가 활성 상태이고 상기 리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타낸다는 결정에 응답하여 상기 메모리 제어기는 수행된 자동 리프레쉬들의 감소된 수를 반영하기 위해 상기 리프레쉬 카운터를 갱신하도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
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- 제4항에 있어서,상기 적어도 하나의 조건은 상기 리프레쉬 카운터의 크기를 포함하는 조건들의 그룹으로부터 선택되는, 메모리 시스템.
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- 제10항에 있어서,상기 메모리 제어기가 활성 상태이고 상기 리프레쉬 카운터가 0보다 큰 수를 나타낸다는 프로세서 결정에 응답하여, 상기 프로세서는 수행된 자동 리프레쉬들의 감소된 수를 반영하기 위해 상기 리프레쉬 카운터를 갱신하도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
- 제7항에 있어서,상기 리프레쉬 카운터의 수는 상기 리프레쉬 카운터가 상기 최대값에 도달했다는 결정에 응답하여 일정하게 유지되는, 메모리 시스템.
- 제13항에 있어서,상기 적어도 하나의 조건은 상기 리프레쉬 카운터의 크기를 포함하는 조건들의 그룹으로부터 선택되는, 메모리 시스템.
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- 제20항에 있어서,상기 적어도 하나의 조건은 리프레쉬 카운터의 크기를 포함하는 조건들의 그룹으로부터 선택되는, 리프레쉬 동작 수행 방법.
- 제6항에 있어서,상기 리프레쉬 카운터의 값은 상기 메모리 제어기가 활성 상태라는 결정에 응답하여 감소되는, 메모리 시스템.
- 제7항에 있어서,상기 리프레쉬 카운터의 값은 상기 리프레쉬 카운터가 상기 최대값에 도달하지 않았다는 결정에 응답하여 증가되는, 메모리 시스템.
- 제10항에 있어서,상기 메모리 제어기는 상기 리프레쉬 카운터를 제어하도록 구성되며, 상기 메모리 제어기는 상기 휘발성 메모리가 리프레쉬 동작들을 수행하게 지시하도록 추가로 구성되는, 메모리 시스템.
- 제14항에 있어서,상기 리프레쉬 카운터의 값은 상기 메모리 제어기가 활성 상태라는 결정에 응답하여 감소되는, 메모리 시스템.
- 제15항에 있어서,상기 리프레쉬 카운터의 값은 상기 리프레쉬 카운터가 상기 최대값에 도달하지 않았다는 결정에 응답하여 증가되는, 메모리 시스템.
- 제15항에 있어서,상기 리프레쉬 카운터의 값은 상기 리프레쉬 카운터가 상기 최대값에 도달했다는 결정에 응답하여 일정하게 유지되는, 메모리 시스템.
- 제19항에 있어서,상기 리프레쉬 카운터가 최대값인 지를 결정하는 단계를 더 포함하는, 리프레쉬 동작 수행 방법.
- 제19항에 있어서,상기 리프레쉬 카운터가 최대값이 아니라는 결정에 응답하여 수행된 자동 리프레쉬들의 증가된 수를 반영하도록 상기 리프레쉬 카운터를 갱신하는 단계를 더 포함하는, 리프레쉬 동작 수행 방법.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8976615B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-03-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device capable of performing refresh operation without auto refresh command |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7930471B2 (en) * | 2004-11-24 | 2011-04-19 | Qualcomm Incorporated | Method and system for minimizing impact of refresh operations on volatile memory performance |
US7590021B2 (en) * | 2007-07-26 | 2009-09-15 | Qualcomm Incorporated | System and method to reduce dynamic RAM power consumption via the use of valid data indicators |
US7965532B2 (en) * | 2007-08-28 | 2011-06-21 | Micron Technology, Inc. | Enhanced performance memory systems and methods |
US8347027B2 (en) * | 2009-11-05 | 2013-01-01 | Honeywell International Inc. | Reducing power consumption for dynamic memories using distributed refresh control |
US8392650B2 (en) * | 2010-04-01 | 2013-03-05 | Intel Corporation | Fast exit from self-refresh state of a memory device |
JP2013157047A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Toshiba Corp | 磁気ディスク装置及び同装置におけるデータリフレッシュ方法 |
KR20130129786A (ko) | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 리프래쉬 방법과 이를 이용한 반도체 메모리 장치 |
JP5917307B2 (ja) | 2012-06-11 | 2016-05-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | メモリコントローラ、揮発性メモリの制御方法及びメモリ制御システム |
CN104488031B (zh) * | 2012-10-22 | 2018-05-25 | 慧与发展有限责任合伙企业 | 响应于数据访问执行存储装置的刷新 |
KR102107470B1 (ko) * | 2013-02-07 | 2020-05-07 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 장치의 리프레시 방법 |
US20160239442A1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Qualcomm Incorporated | Scheduling volatile memory maintenance events in a multi-processor system |
KR102304928B1 (ko) * | 2015-05-13 | 2021-09-27 | 삼성전자 주식회사 | 리프레시 명령을 분산시키는 메모리 장치 및 상기 장치를 포함하는 메모리 시스템 |
KR102326018B1 (ko) | 2015-08-24 | 2021-11-12 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 |
KR102373544B1 (ko) | 2015-11-06 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 요청 기반의 리프레쉬를 수행하는 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작방법 |
CN106601286A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-04-26 | 湖南国科微电子股份有限公司 | DDRx SDRAM存储器刷新方法及存储器控制器 |
CN107527648A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-29 | 珠海市杰理科技股份有限公司 | 存储器的刷新方法和系统 |
CN110556139B (zh) * | 2018-05-31 | 2021-06-18 | 联发科技股份有限公司 | 用以控制存储器的电路及相关的方法 |
US10777252B2 (en) | 2018-08-22 | 2020-09-15 | Apple Inc. | System and method for performing per-bank memory refresh |
CN110299164B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-10-26 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 一种自适应dram刷新控制方法和dram刷新控制器 |
KR20230133031A (ko) | 2022-03-10 | 2023-09-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 리프레쉬 제어 장치를 포함하는 메모리 장치 및 메모리 시스템 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4984209A (en) | 1987-10-30 | 1991-01-08 | Zenith Data Systems Corporation | Burst refresh of dynamic random access memory for personal computers |
US5651131A (en) | 1991-12-18 | 1997-07-22 | Sun Microsystems, Inc. | Refreshing a dynamic random access memory utilizing a mandatory or optional refresh |
US5907857A (en) | 1997-04-07 | 1999-05-25 | Opti, Inc. | Refresh-ahead and burst refresh preemption technique for managing DRAM in computer system |
US20020069319A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Ming-Hsien Lee | Method and apparatus of event-driven based refresh for high performance memory controller |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0164735A3 (en) * | 1984-06-11 | 1988-11-09 | Nec Corporation | A microprocessor having a dynamic memory refresh circuit |
JPS61160897A (ja) * | 1984-12-31 | 1986-07-21 | Fujitsu Ltd | ダイナミツク形ramのリフレツシユ方式 |
JPH01267896A (ja) | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
JPH01307997A (ja) | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Toshiba Corp | メモリ装置 |
JPH0349094A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-01 | Toshiba Corp | メモリ制御装置 |
JPH0434792A (ja) | 1990-05-30 | 1992-02-05 | Ricoh Co Ltd | Dram制御方式 |
JPH06236683A (ja) | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | メモリリフレッシュ制御回路 |
US5873114A (en) * | 1995-08-18 | 1999-02-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated processor and memory control unit including refresh queue logic for refreshing DRAM during idle cycles |
JPH10106259A (ja) | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Nec Gumma Ltd | メモリ制御装置 |
JPH10199236A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dramコントローラ |
US6272588B1 (en) * | 1997-05-30 | 2001-08-07 | Motorola Inc. | Method and apparatus for verifying and characterizing data retention time in a DRAM using built-in test circuitry |
JP2005310245A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | メモリコントローラ、半導体集積回路装置、マイクロコンピュータ及び電子機器 |
US7930471B2 (en) * | 2004-11-24 | 2011-04-19 | Qualcomm Incorporated | Method and system for minimizing impact of refresh operations on volatile memory performance |
-
2004
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2007
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-
2010
- 2010-08-17 JP JP2010181991A patent/JP5627953B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-09 US US13/043,647 patent/US8171211B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4984209A (en) | 1987-10-30 | 1991-01-08 | Zenith Data Systems Corporation | Burst refresh of dynamic random access memory for personal computers |
US5651131A (en) | 1991-12-18 | 1997-07-22 | Sun Microsystems, Inc. | Refreshing a dynamic random access memory utilizing a mandatory or optional refresh |
US5907857A (en) | 1997-04-07 | 1999-05-25 | Opti, Inc. | Refresh-ahead and burst refresh preemption technique for managing DRAM in computer system |
US20020069319A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Ming-Hsien Lee | Method and apparatus of event-driven based refresh for high performance memory controller |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8976615B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-03-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device capable of performing refresh operation without auto refresh command |
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