[go: up one dir, main page]

KR101045309B1 - 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 잉곳의 절단 위치결정 시스템 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 잉곳의 절단 위치결정 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR101045309B1
KR101045309B1 KR1020067015109A KR20067015109A KR101045309B1 KR 101045309 B1 KR101045309 B1 KR 101045309B1 KR 1020067015109 A KR1020067015109 A KR 1020067015109A KR 20067015109 A KR20067015109 A KR 20067015109A KR 101045309 B1 KR101045309 B1 KR 101045309B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxygen concentration
ingot
block
cutting
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020067015109A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070005575A (ko
Inventor
마코토 이이다
Original Assignee
신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 filed Critical 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
Publication of KR20070005575A publication Critical patent/KR20070005575A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101045309B1 publication Critical patent/KR101045309B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

반도체 잉곳에서 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 상기 잉곳 상태에서 성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정하고(F2), 이 측정 결과에 기초하여, 소정 길이 범위 내에서 산소 농도가 최대치 또는 최소치가 되는 위치를 절단 위치로 정하고(F3), 이 절단 위치에서 상기 성장축에 수직인 방향으로 상기 잉곳을 절단하는 것에 의해, 산소 농도가 양단에서 최대치 및 최소치가 되는 블록으로 절단하고(F4), 이 블록을 슬라이스 하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
이에 이해, 반도체 잉곳으로 반도체 웨이퍼를 제조할 때, 산소 농도가 소정 규격 범위 내가 되는 웨이퍼를 확실히 제조할 수 있는 기술이 제공된다.
Figure R1020067015109
반도체, 웨이퍼, 산소농도, 절단, 최대치, 최소치

Description

반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 잉곳의 절단 위치 결정 시스템{Method for Manufacturing Semiconductor Wafer and System for Determining Cut Position of Semiconductor Ingot}
본 발명은, 반도체 잉곳을 절단하여 반도체 웨이퍼를 제조하는 기술에 관한 것으로, 특히, 소정의 산소 농도를 갖는 반도체 웨이퍼를 확실히 얻기 위한 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 잉곳의 절단 위치 결정 시스템에 관한 것이다.
종래, 실리콘 단결정 잉곳에서 실리콘 웨이퍼를 제조하는 경우, 예를 들어, 쵸크랄스키법(CZ법)에 의해 육성한 단결정 잉곳을 원통형으로 연삭하여 소정의 치수(직경)로 마무리하고, 제품으로 사용 불가능한 두부와 미부를 절단해낸다. 그 후, 잉곳을 소정의 위치에서 절단하고, 내주 날, 와이어 소 등의 슬라이싱 장치에 투입 가능한 길이의 블록으로 한다. 이 때, 산소 농도 등의 품질 검사용 샘플도 동시에 절출한다. 이어서, 각 블록을 소정의 두께로 슬라이스 하는 것에 의해 실리콘 웨이퍼를 얻을 수 있다.
실리콘 단결정 등의 반도체 잉곳을 제조하는 방법으로는, CZ법 외에, 부유대역 용융법(FZ법)등도 알려져 있지만, 근래, 반도체 웨이퍼의 대구경화가 진행되고 있어, 예를 들어 직경 300mm이상에 달하는 실리콘 단결정 잉곳을 육성하는 경우에 는 CZ법이 이용된다.
CZ법에 의해 실리콘 단결정 잉곳을 육성하는 경우, 원료가 되는 실리콘 융액을 수용하는 용기로 석영 도가니가 사용되지만, 육성 중, 석영 도가니에서 산소가 융액 중에 녹아 들어, 육성된 잉곳 내에 산소가 들어가게 된다. 또한, 산소 농도가 낮은 단결정을 얻을 경우에는, 원료 융액에 자장을 인가하여 대류를 억제하는 MCZ법이 채용되는 경우도 있다.
단결정 중의 산소 농도는, 도가니의 회전 속도, 인상 속도, 온도 구배 등을 조정하는 것에 의해 제어되지만, 같은 결정 내부에서도 어느 정도 편차가 발생하는 것은 피할 수 없다. 그러나, 결정 중의 산소 농도는 웨이퍼로 가공한 후의 게터링 능력 등에 영향을 주고, 디바이스 공정에서의 수율에 영향을 준다. 따라서, 웨이퍼 내의 산소 농도는 소정의 규격 범위 내에 있는 것이 요구되고, 육성한 잉곳의 산소 농도를 평가할 필요가 있다.
종래, 육성한 실리콘 단결정 잉곳의 품질을 평가하는 방법으로, 잉곳을 소정 길이의 블록으로 절단한 후, 각 블록의 양단 부분을 평가하는 방법이 있다.
예를 들어, 잉곳을 블록으로 절단할 때, 잉곳의 절단 위치를, 임의의 위치, 또는, 인상 속도 등의 정보에 기초하여 결정한 위치로 한다. 그리고, 절단 후, 블록의 양단에서 품질 측정용의 슬라브 샘플을 채취하고, 그 슬라브 샘플의 저항률이나 산소 농도를 평가하는 것에 의해, 블록의 합부 판정을 행한다.
이와 같은 방법에 의하면, 블록 내부의 저항률은 편석계수 등으로부터 계산에 의해 매우 정확히 예측할 수 있다. 그러나, 블록 내부의 산소 농도는 블록 단면 의 산소 농도보다 높거나 또는 낮은 경우가 종종 있다. 특히, MCZ법에 의해 단결정을 육성하면, 자장의 분포 등에 따라서는 산소 농도가 돌연 변화하는 경우가 있다.
따라서, 산소 농도의 규경이 엄격한 경우, 예를 들어 블록 중에 산소 농도의 피크가 있는 결정에서는 블록 단면의 산소 농도가 합격이어도, 블록 중의 산소 농도도 규격을 만족하고 있다고는 단정할 수 없었다. 특히, 단면의 산소 농도가 겨우 규격에 합격한 블록을 슬라이스 하여 얻은 웨이퍼는, 산소 농도 불량에 의해 디바이스 공정에서 문제를 일으킬 가능성이 있다.
또한, 상기와 같은 블록 단면만의 산소 농도를 평가하는 방법에서는, 산소 농도의 국소적인 변동을 발견하지 못하는 경우가 많고, 단결정 제조 레시피에 문제가 있음에도 불구하고, 그것을 인식하지 못하는 경우가 있다. 이 때문에, 단결정 제조 레시피의 개선이 진행되기 어려운 문제도 있다.
이와 같은 문제를 개선하는 방법으로, 적외흡수 스펙터 장치 등에 의해 잉곳의 길이 방향(성장축 방향)의 산소 농도 분포를 측정하고, 소정의 산소 농도에 적합한 부분만을 슬라이싱용 블록으로 절단하는 방법이 제안되고 있다(일본 특개2002-174593호 공보 참조). 구체적으로는, 단결정 잉곳을 원통 연삭한 후, 지름 방향으로 적외선을 입사하고, 그 흡수로부터 산소 농도를 측정한다. 이와 같은 측정을 잉곳의 길이 방향을 따라 소정의 간격을 두고 행하는 것에 의해, 길이 방향의 산소 농도 분포를 측정할 수 있는 것이다.
그러나, 상기와 같이 잉곳 그대로 측정되는 가로 방향(지름 방향)의 산소 농도는, 그 부분의 평균치이므로, 예를 들어 잉곳의 중심과 주변에서 산소 농도에 차 이가 있는 경우, 측정치가 규격을 만족하고 있어도, 실제로는 중심 또는 주변의 산소 농도는 규격을 만족하지 않는 경우가 있다. 즉, 상기와 같은 방법에서는, 실제로는 블록의 중심 또는 주변이 산소 농도의 규격을 만족하지 않는 것이 합격으로 판정될 우려가 있다.
따라서, 합격으로 판정된 블록을 웨이퍼로 가공하여도, 실제로는 산소 농도 규격을 만족하지 않는 웨이퍼가 디바이스 공정에 투입될 가능성이 높고, 신뢰성이 충분하지 않다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 이와 같은 문제점에 착안하여 이루어진 것으로, 직경 150mm 이상의 반도체 잉곳으로 반도체 웨이퍼를 제조할 때, 산소 농도가 소정의 규격 범위 내가 되는 웨이퍼를 확실히 제조할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의하면, 반도체 잉곳에서 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 상기 잉곳 상태에서 성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정하고, 이 측정 결과에 기초하여, 소정 길이의 범위 내에서 산소 농도가 최대치 또는 최소치가 되는 위치를 절단 위치로 결정하고, 이 절단 위치에서 상기 성장축에 수직인 방향으로 상기 잉곳을 절단하는 것에 의해, 산소 농도가 양단에서 최대치 및 최소치가 되는 블록으로 절단하고, 이 블록을 슬라이스 하는 것에 의해 반도체 웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법이 제공된다.
이와 같이 잉곳 상태에서 측정한 성장축 방향의 산소 농도 분포에 기초하여, 산소 농도가 양단에서 최대치 및 최소치가 되는 블록으로 절단하면, 블록 중의 산소 농도는 그 최소치와 최대치 사이의 값이 된다. 따라서, 블록 양단의 산소 농도(최대치 및 최소치)가 규격 범위내이면, 그 블록을 슬라이스하여 웨이퍼로 가공하는 것에 의해, 규격 범위내의 산소 농도를 갖는 웨이퍼를 확실히 제조할 수 있다.
이 경우, 상기 절단 위치의 결정은, 상기 반도체 잉곳을 미리 설정한 길이 범위내의 블록으로 나누어, 이 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 조정하고, 모든 블록의 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되는 것을 확인했을 때에 상기 절단 위치로 결정할 수 있다.
이와 같이 미리 설정한 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 조정하고, 모든 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되는 것을 확인 했을 때 절단 위치로 결정 하면, 용이하고 확실하게, 각 블록이 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단할 수 있다.
또한, 상기 절단 위치의 결정은, 산소 농도가 규격 범위내이고, 블록 양단에서 최대치 및 최소치가 되도록 상기 절단 위치를 결정할 수도 있다.
즉, 잉곳의 산소 농도 분포에서 규격 범위외의 부분이 있는 경우에는, 산소 농도가 규격 범위내이고, 또한 블록 양단에서 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 결정하면, 블록 중은 규격 범위외의 부분이 혼입되는 것을 피할 수 있다.
또한, 상기 반도체 잉곳을 절단하여 얻은 블록 양단에서 샘플을 잘라내고, 각 샘플의 면내 산소 농도를 측정하고, 이 면내의 산소 농도가 규격 범위내이면, 상기 블록을 슬라이스하여 반도체 웨이퍼를 제조하고, 한 편 샘플 면내에서의 산소 농도가 규격 범위외이면, 추가로 상기 블록단에서 샘플을 잘라내 면내의 산소 농도 측정을 반복하여 행하고, 이 면내 산소 농도가 규격 범위 내가 되면, 상기 블록을 슬라이스하여 반도체 웨이퍼를 제조하는 것이 바람직하다.
블록 내부의 산소 농도는 양단의 산소 농도 사이에 있으므로, 상기와 같이 블록 양단에서 잘라낸 샘플에 대해 면내 산소 농도를 측정하고, 규격 범위내에 있는 것을 확인한 후에 슬라이스하면, 규격 범위내의 산소 농도를 갖는 웨이퍼를 보다 확실하게 제조할 수 있다. 또한, 규격외의 것을 블록 단계에서 배제할 수 있으므로, 이후의 슬라이스 등의 공정이 무의미하게 되는 일도 없어진다.
또한, 양단에서 잘라낸 샘플의 산소 농도가 규격 범위외의 부분이 있는 것을 안 경우, 그 위치를 정확히 파악할 수 있으므로, 다음 반도체 잉곳 제조에 피드백하는 것에 의해 잉곳 제조 레시피를 효과적으로 개선할 수 있다.
상기 반도체 잉곳으로, 직경 150mm 이상의 실리콘 단결정 잉곳을 이용할 수 있다.
실리콘 단결정은 디바이스용 반도체 웨이퍼로 범용되고 있다. 실리콘 단결정 잉곳은 CZ법에 의해 제조되는 것이 많고, 결정 중의 산소 농도 평가가 중요해진다. 한편, 실리콘 단결정 잉곳의 직경이 대구경이 됨에 따라 산소 농도 규격이 엄격해지므로, 축방향 및 지름 방향의 산소 농도 제어가 어려워지는 경향이 있다. 따라서, 직경 150mm 이상, 보다 바람직하게는 200mm 이상의 반도체 웨이퍼 제조에 있어서, 본 발명을 적용하면, 규격 범위내의 산소 농도를 갖는 실리콘 웨이퍼를 확실하게, 또한 효율적으로 제조할 수 있으므로, 디바이스 제조 수율의 향상, 제조 비용의 저하로 이어질 수 있어 특히 유효하다.
나아가 본 발명에 의하면, 반도체 잉곳을 절단하여 블록으로 할 때의 절단 위치를 결정하는 시스템으로, 적어도, 상기 잉곳에 대해 성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정하는 수단과, 이 측정한 산소 농도 분포 데이터를 데이터 베이스에 취입하는 수단과, 상기 절단에 의해 얻는 블록의 양단에서 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 결정하는 수단과, 이 결정한 절단 위치의 정보를 잉곳 절단기에 송신하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 잉곳의 절단 위치 결정 시스템이 제공된다.
이와 같은 반도체 잉곳의 절단 위치 결정 시스템이면, 잉곳의 성장축 방향의 산소 농도에 기초하여, 블록의 양단 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되는 절단 위치를 잉곳 절단기에 자동적으로 보내, 작업자에게 부담이 가지 않으며, 반도체 잉곳을 그 절단 위치에서 절단할 수 있다. 그리고, 이와 같이 절단된 블록 중의 산소 농도는, 양단에서 최대치 및 최소치가 되므로, 이들 값이 규격치를 만족하고 있으면, 산소 불량 웨이퍼가 디바이스 공정에 투입되는 것을 확실히 방지할 수 있고, 이후의 공정이 무의미하게 되는 일도 없다.
나아가, 성장축 방향의 산소 농도 분포를 정확하고 용이하게 파악할 수 있으므로, 단결정 제조 레시피를 적정한 것으로 개선하기 위한 정보를 얻을 수도 있다.
이 경우, 상기 절단 위치를 결정하는 수단이, 상기 반도체 잉곳을 미리 설정한 길이 범위내의 블록으로 나누는 수단과, 이 블록의 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 조정하는 수단과, 이 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되는 것을 확인하는 수단을 포함할 수 있다.
이와 같은 절단 위치 결정 수단으로 하면, 주로 절단 위치의 조정과 산소 농도의 확인해 의해, 신속하면서도 명확히 절단 위치를 결정하고, 단시간에 확실하게 소정 길이를 가지면서 양단면이 산소 농도의 최대치와 최소치가 되는 절단 위치의 결정을 행할 수 있게 된다.
본 발명에 의하면, 반도체 잉곳을 블록으로 절단할 때, 블록 양단의 산소 농도가 그 블록 중의 최대치 및 최소치가 되도록 절단하기 때문에, 블록에서 잘라낸 웨이퍼의 산소 농도는 양단 값의 범위내가 된다. 따라서, 양단의 산소 농도가 규격 범위내이면, 이 블록을 슬라이스하는 것에 의해, 산소 농도가 소정 규격 범위내가 되는 웨이퍼를 확실히 제조할 수 있음과 동시에, 산소 농도 불량인 웨이퍼를 디바이스 공정에 투입하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 특히, 자장의 분포에 의해 산소 농도가 돌연 변화하는 일이 있는 MCZ법에 의해 육성한 단결정에 본 발명을 적용하면 매우 유효해진다.
또한, 블록 양단의 산소 농도에 의해 블록 내부의 산소 농도의 품질 보증을 확실히 행할 수 있으므로, 품질 보증상 매우 유리해진다.
나아가, 슬라이스 이후 공정의 낭비도 없어지고, 반도체 잉곳의 제조 레시피의 개선도 효율 좋게 그리고 적정하게 행할 수 있으므로, 반도체 잉곳에서 웨이퍼를 제조할 때의 수율 향상으로도 이어진다.
도1은, 본 발명에 관한 반도체 잉곳의 절단 위치 결정 시스템의 일례를 나타내는 개략적 구성도이다.
도2는, 잉곳의 성장축 방향의 산소 농도 분포를 나타내는 도면이다.
도3은, 잉곳의 절단 위치를 나타내는 도면이다.
도4는, 슬라브 샘플의 중심 및 주변의 산소 농도의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도5는, 재검사에 의한 슬라브 샘플의 산소 농도의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 적합한 태양으로, 실리콘 단결정 잉곳에서 실리콘 웨이퍼를 제조하는 경우에 대해 첨부 도면을 기초로 구체적으로 설명한다.
도1은, 본 발명에 관한 반도체 잉곳의 절단 위치 결정 시스템의 일례 구성과, 잉곳의 절단까지의 흐름(F1~F4)을 개략적으로 나타내는 도면이다.
이 절단 위치 결정 시스템(10)은, 주로, 실리콘 단결정 잉곳(11)에 대해 성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정하는 수단(15)과, 이 측정한 산소 농도 분포 데이터를 데이터 베이스에 취입하는 수단(16,17)과, 상기 절단에 의해 얻은 블록의 양단에서 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 결정하는 수단(18~20)과, 이 결정한 절단 위치의 정보를 잉곳 절단기(22)에 송신하는 수단(21)을 구비하고 있다.
산소 농도 분포 측정 수단(15)은, 잉곳 상태에서, 성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 적외흡수 스펙터 장치(IR) 또는 페리에 적외선 스펙터 장치(FTIR)를 적합하게 이용할 수 있다. 특히, 자동적 으로 산소 농도를 측정하는 장치로, 예를 들어, QS-FRS시스템(악센트사 제)이 시판되고 있다. 이 장치는, 단결정 잉곳(11)의 가로 방향(지름 방향)으로 적외선(14)가 입사하고, 그 흡수로부터 단결정 잉곳(11)의 지름 방향의 평균 산소 농도를 자동적으로 측정할 수 있다.
한편, 절단 위치 결정 수단(18~20)은, 실리콘 단결정 잉곳을, 미리 설정한 길이 범위내의 블록으로 나눔과 동시에, 이 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 조정하는 수단(18)과, 이 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되는 것을 확인하는 수단(19)으로 구성되어 있다.
또한, 데이터 취입 수단(16,17)과, 절단 위치 결정 수단(18~20)과, 송신 수단(21)은, 예를 들어 적어도 1대의 전자 계산기 및 프로그램에 의해 구성할 수 있다.
이와 같은 절단 위치 결정 시스템(10)을 이용하여 실리콘 단결정 잉곳(11)에서 실리콘 웨이퍼를 제조하는 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
우선, 웨이퍼로 가공할 실리콘 단결정 잉곳(11)을 준비하고, 소정 직경으로 원통 연삭 또는 원통 연마를 행한다(F1). 이와 같이 잉곳을 원통 연삭(원통 연마)하는 것에 의해 표면 산란을 억제할 수 있고, 적외선에 의한 산소 농도 측정이 용이해진다. 또한, 원통 연삭시의 입도는 70이상이면 되고, 통상적인 원통 연삭의 표면 상태에서 충분히 측정 가능하다.
다음으로, 산소 농도 분포 측정 수단(15)에 의해, 잉곳 상태에서 성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정한다. 측정 수단(15)은, 적외선원(12)과 적외선 검출 기(13)를 갖고, 실리콘 단결정 잉곳(11)의 지름 방향으로 적외선(14)을 입사하고, 그 흡수로부터 잉곳(11)의 지름 방향 산소 농도를 측정한다. 그리고, 적외선원(12) 등을 성장축 방향으로 주사하는 것에 의해, 잉곳 상태에서 단결정 잉곳 중의 성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정할 수 있다(F2).
또한, 이 때 적외선 검출기(13)의 적외선 흡수에 의한 산소 농도 측정은, 종래 이용되고 있는 1107cm-1의 격자간 산소와 실리콘의 Si-O 결합에서 발생되는 피크가 아닌, 1720cm-1인 격자간 산소와 실리콘의 Si-O 결합에서 발생되는 피크를 사용한다.
이는, 잉곳 상태에서 1107cm-1의 피크를 검출하고자 하면, 표면 산란이나 방해 피크가 발생하지만, 1720cm-1인 피크 부근에는, 방해 피크가 없으므로, 잉곳 상태에서도 적합하게 검출할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 잉곳의 길이 방향으로 임의의 간격으로 측정할 수 있지만, 5~20mm의 간격으로 측정하는 것이 바람직하다. 5mm 미만인 간격으로 측정하면 측정 시간이 길어지고, 한편, 20mm를 넘는 간격으로 측정하면 성장축 방향의 산소 농도 분포의 정밀도가 낮아져, 소정 범위내에서 산소 농도의 피크 위치(최대치, 최소치)를 정확히 판정할 수 없게 될 우려가 있다.
산소 농도의 측정은, 가능한한 잉곳이 긴 상태에서 산소 농도를 측정하는 것이, 후의 잉곳 절단 공정의 자유도가 커지므로 바람직하고, 육성 후의 잉곳의 맨윗 부분과 아랫부분을 잘라 내기 전에 행할 수 있다. 다만, 산소 농도 측정 장치의 주변 장치나 설치 장소에 의해 제약이 있는 경우는 적당한 길이로 절단한 후에 산소 농도를 측정하여도 좋다.
성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정한 후, 측정 결과에 기초하여 소정 길이 범위내에서 산소 농도가 최대치 또는 최소치가 되는 위치를 절단 위치로 결정한다.
우선, 적외선 검출기(13)에 의해 측정된 산소 농도 분포의 데이터를, 잉곳 절단 위치 결정 시스템(10)의 데이터 베이스(17)에 자동적으로 데이터를 취입하는 수단(16)에 의해 취입한다(S1).
그리고, 산소 농도가 최대치 또는 최소치에 대응하는 위치(피크 위치)를 자동적으로 해석하고(S2), 미리 설정한 길이 범위내의 블록으로 나눈다(S3). 이때 설정하는 블록 길이는, 슬라이싱 장치에 투입 가능한 길이로 한다. 잉곳의 길이가 너무 짧으면, 슬라이스 장치에의 채킹에 문제가 발생하고, 반대로 장치 능력 이상의 길이이면 슬라이스할 수 없기 때문이다. 다만, 블록을 너무 작게 설정하면, 후의 절단 공정 및 슬라이싱 공정에서 작업 시간이 길어지는 한편, 수율이 저하될 우려가 있으므로, 블록의 길이는, 5~50cm 범위내, 특히 10~40cm 범위내로 설정하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기와 같이 미리 설정한 각 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되는지 여부를 확인하고(S4), 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 아니면, 절단 위치를 조정한다(S3). 이 때의 절단 위치 조정은, 각 블록 양단의 산 소 농도가 최대치 및 최소치가 되는 동시에, 각 블록 길이가 슬라이싱 장치에 투입 가능한 길이가 되도록 한다.
그리고, 모든 블록이 소정 길이를 가짐과 동시에, 그 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되는 것을 확인했을 때에 절단 위치로 결정하고(S5), 결정된 절단 위치의 정보를 잉곳 절단기(22)로 송신한다(S6).
이상과 같은 잉곳의 산소 농도 측정에서 절단 위치 결정까지의 일련의 작업은, 본 발명에 관한 반도체 잉곳의 절단 위치 결정 시스템(10)에 의해 자동적으로 행할 수 있으므로, 단시간이면 끝나고, 또한 작업자의 부담이 되지 않는다.
다음으로, 상기 결정한 절단 위치에서, 성장축에 수직인 방향으로 실리콘 단결정 잉곳(11)의 절단을 행한다(F4).
이 때, 잉곳(11)의 절단에는, 밴드소, 내주날, 외주날 등의 절단기(22)를 적의 이용할 수 있다. 이와 같이 절단 위치를 결정한 후에 잉곳을 절단하는 것에 의해, 산소 농도가 양단에서 최대치 및 최소치가 되는 블록으로 절단되게 된다.
또한, 산소 농도가 명확하게 규격 범위외가 되는 부분, 예를 들어 규격치를 넘어 있는 부분에 대해서는 규격외의 부분만을 포함하는 블록으로 하여 절단하고, 제거하면 된다. 예를 들어, 잉곳의 산소 농도 분포를 측정했을 때에 규격 범위외의 부분이 있으면, 절단 위치를 결정할 때, 산소 농도가 규격 범위내이고, 블록 양단에서 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 결정하고, 규격 범위외가 되는 다른 부분은 제거하면 된다. 특히 MCZ법에 의해 육성한 단결정에서 산소 농도가 급격하게 변화하여도, 상기와 같이 규격 범위외로 된 부분이 미리 제거되도록 절단 위치 를 결정하면, 규격 외의 블록이나 웨이퍼가 혼입되는 것을 확실히 방지할 수 있다.
상기와 같이 절단된 블록은, 양단에서 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되어 있으므로, 그 최대치 및 최소치가 모두 규격 범위내이면, 그 사이의 블록 중의 산소 농도는 규격 범위 내에 있는 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 이와 같은 블록을 내주날, 와이어 소 등의 슬라이싱 장치에 투입하여 슬라이스하는 것에 의해, 산소 농도가 규격내인 웨이퍼를 확실히 제조할 수 있다.
다만, 잉곳에 대해, 실제로 측정한 산소 농도는 지름 방향, 즉 웨이퍼로 가공한 경우의 면내에서의 평균치이고, 면내의 각 부분의 산소 농도는 다소 차이가 있다. 일반적으로는, 잉곳(웨이퍼 면내)의 중심 산소 농도는, 측정기(15)에 의한 측정치 보다도 높고, 주변의 산소 농도는 측정기(15)의 측정치 보다도 낮은 값을 나타낸다.
따라서, 블록 전체에서 산소 농도가 확실히 규격 범위내인 것을 확인하기 위해, 슬라이싱 전에, 블록 양단에서 결정 품질 측정용 슬라브 샘플을 잘라내고, 각 샘플의 면내 산소 농도를 측정하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 슬라브 샘플에 대해, FTIR에 의해 면내 산소 농도의 측정을 행하고, 합부 판정을 한다. 본 발명에서 잉곳을 절단하여 얻은 블록은 양단에서 산소 농도가 최대치 및 최소치로 되어 있으므로, 블록중의 산소 농도는 블록 양단의 산소 농도 범위내에 들어가게 된다. 따라서, 블록의 양단에서 잘라낸 슬라브 샘플의 면내 산소 농도를 측정하고, 면내 전체에 걸쳐 산소 농도가 규격 범위내이면, 블록 중의 산소 농도, 즉 그 블록을 슬라이스하는 것에 의해 얻은 실리콘 웨이퍼의 산소 농도는 확실히 규격 범위내가 된다. 따라서, 산소 규격이 벗어나 있는 것을 슬라이스 하게 되는 불필요한 공정을 하지 않아도 된다.
한편, 블록의 양단에서 샘플을 잘라내고, 각 샘플의 면내에서 산소 농도를 측정했을 때, 면내에서 산소 농도가 규격 범위외이면, 그 블록 양단에는 산소 농도가 규격 범위외인 부분이 포함되어 있는 것으로 판단할 수 있다. 그래서, 추가로 블록 끝에서 샘플을 잘라내어 면내 산소 농도 측정을 반복하여 행한다. 그리고, 면내의 산소 농도가 규격 범위내가 되면, 블록중의 산소 농도는 확실히 규격 범위내가 된것으로 판단할 수 있다. 왜냐하면, 잉곳의 단면은 최대치, 최소치라고 하는 피크 위치이므로, 그 옆의 샘플이 합격하면, 그보다 내측의 잉곳은 규격내라고 할 수 있기 때문이다. 따라서, 이 블록을 슬라이스하여 실리콘 웨이퍼로 하는 것에 의해, 면내 전체에 걸쳐 규격 범위내의 산소 농도를 갖는 실리콘 웨이퍼를 확실히 제조할 수 있다.
이와 같이 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되는 절단 위치에서 블록으로 절단하고, 절단후, 추가로 블록 양단의 면내에서의 산소 농도를 측정하면, 잉곳 상태에서 산소 농도 측정기에 의해 측정한 측정치에서는 규격 범위내이지만, 실제로는 중심 또는 주변은 규격을 벗어나 있는 경우라도, 확실히 검출되어, 발견하지 못하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 산소 농도 측정에 관하여 극히 높은 신뢰성을 얻을 수 있고, 또한, 디바이스 수율의 향상, 제조 레시피의 개선을 효과적으로 달성할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
<잉곳의 육성>
구경 32인치의 석영 도가니에 300kg의 실리콘 다결정을 충전하여, 직경 300mm, 몸통 길이 100cm인 실리콘 단결정 잉곳을 제조하였다. 산소 농도 규격은 13.5~16.2ppma(JEIDA)로 하였다. 육성한 잉곳을 원통 연마한 후, QS-FRS 시스템(악센트사 제)에 의해, 잉곳 상태에서, 20mm 핏치로 산소 농도를 측정하였다. 도2는, 잉곳의 성장축 방향의 산소 농도 분포를 나타내고 있고, 측정 결과, 몸통 5cm~98cm의 산소 농도는 규격을 만족하고 있었다.
<블록으로의 절단>
산소 농도 분포 데이터를 본 발명에 관한 잉곳 절단 위치 결정 시스템의 데이터 베이스에 취입하고, 슬라이싱 장치에 투입 가능한 길이 범위내에서, 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 자동적으로 결정하였다. 도3은 결정된 절단 위치를 나타내고 있고, 잉곳은 5개로 나누어지고, 모든 블록의 양단의 산소 농도는 최대치 및 최소치가 되도록 결정되었다(결정 두부의 5cm, 미부의 2cm는 규격외이므로, 제외되어 있다).
<블록 양단의 산소 농도 측정>
상기와 같이 결정한 절단 위치에서 잉곳을 절단하여, 5개의 블록으로 분할하였다. 그리고, 각각의 블록 양단에서 슬라브 샘플을 잘라내고, FTIR에 의해 웨이퍼 중심 및 주변으로부터 10mm의 위치에서 산소 농도를 측정하였다. FTIR에 의해 측정한 샘플의 중심부와 주변부의 각 산소 농도 측정치가 도4에 나타나 있다.
도 4에서 알 수 있듯이, FTIR에 의해 측정한 슬라브 샘플 면내의 산소 농도는, 각각 QS-FRS 시스템에 의해 잉곳 상태에서 측정한 결과에 비교적 가까운 값이 되지만, 중심에서는 보다 높고, 주변에서는 보다 낮은 값이 되는 경향이 있는 것이 확인되었다. 그리고, 몸통 길이 86cm에 상당하는 부분의 중심 산소 농도는, 규격 상한(16.2ppma)을 넘고 있는 것이 확인되었다.
그래서, 산소 농도가 규격외가 된 절단 위치의 전후, 즉 4번째 블록의 미부측 및 5번째 블록의 두부측을 잘라내고, 잘라낸 각 블록의 끝에서 추가로 슬라브 샘플을 잘라내 FTIR에 의해 산소 농도를 재측정하였다. 그 결과, 도 5에 나타낸 것과 같이, 샘플 중심 및 주변 모두 산소 농도 규격을 만족하였다.
그래서, 이 5개의 잉곳을 슬라이스 공정으로 보내, 반도체 실리콘 웨이퍼를 제조하였다. 얻어진 웨이퍼를 전수량 산소 농도를 측정한 결과, 모든 웨이퍼가 규격 내였다.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 단순한 예시이며, 본 발명의 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용 효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
예를 들어, 본 발명은 실리콘 단결정 잉곳에 한정되지 않고, 다른 반도체 잉곳에서 웨이퍼를 제조하는 경우에도 적용할 수 있다.

Claims (10)

  1. 반도체 잉곳에서 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 상기 잉곳 상태에서 성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정하고, 이 측정 결과에 기초하여, 소정 길이 범위내에서 산소 농도가 최대치 또는 최소치가 되는 위치를 절단 위치로 결정하고, 이 절단 위치에서 상기 성장축에 수직인 방향으로 상기 잉곳을 절단하는 것에 의해, 산소 농도가 양단에서 최대치 및 최소치가 되는 블록으로 절단하고, 이 블록을 슬라이스 하는 것에 의해 반도체 웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법,
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절단 위치의 결정은, 상기 반도체 잉곳을 미리 설정한 길이 범위내의 블록으로 나누고, 이 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 조정하고, 모든 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되는 것을 확인했을 때에 상기 절단 위치로 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절단 위치의 결정은, 산소 농도가 규격 범위내이고, 블록 양단에서 최대치 및 최소치가 되도록 상기 절단 위치를 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 잉곳을 절단하여 얻은 블록 양단에서 샘플을 잘라내고, 각 샘플의 면내 산소 농도를 측정하고, 이 면내의 산소 농도가 규격 범위내이면, 상기 블록을 슬라이스하여 반도체 웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 잉곳을 절단하여 얻은 블록 양단에서 샘플을 잘라내고, 각 샘플의 면내에서 산소 농도를 측정하고, 이 면내에서 산소 농도가 규격 범위외이면, 추가로 상기 블록의 끝에서 샘플을 잘라내어 면내 산소 농도 측정을 반복하여 행하고, 이 면내의 산소 농도가 규격 범위내이면, 상기 블록을 슬라이스하여 반도체 웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 잉곳으로, 직경 150mm 이상인 실리콘 단결정 잉곳을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 반도체 잉곳으로, 직경 150mm 이상인 실리콘 단결정 잉곳을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 반도체 잉곳으로, 직경 150mm 이상인 실리콘 단결정 잉곳을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
  9. 반도체 잉곳을 절단하여 블록으로 할 때의 절단 위치를 결정하는 시스템으로, 적어도, 상기 잉곳에 대해 성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정하는 수단과, 이 측정한 산소 농도 분포 데이터를 데이터 베이스에 취입하는 수단과, 상기 절단에 의해 얻은 블록의 양단에서 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 결정하는 수단과, 이 결정한 절단 위치의 정보를 잉곳 절단기에 송신하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 잉곳의 절단 위치 결정 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 절단 위치를 결정하는 수단이, 상기 반도체 잉곳을 미리 설정한 길이 범위내의 블록으로 나누는 수단과, 이 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되도록 절단 위치를 조정하는 수단과, 이 블록 양단의 산소 농도가 최대치 및 최소치가 되는 것을 확인하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 잉곳의 절단 위치 결정 시스템.
KR1020067015109A 2004-02-03 2005-01-20 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 잉곳의 절단 위치결정 시스템 Expired - Fee Related KR101045309B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00026887 2004-02-03
JP2004026887 2004-02-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070005575A KR20070005575A (ko) 2007-01-10
KR101045309B1 true KR101045309B1 (ko) 2011-06-29

Family

ID=34835873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067015109A Expired - Fee Related KR101045309B1 (ko) 2004-02-03 2005-01-20 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 잉곳의 절단 위치결정 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7749865B2 (ko)
EP (1) EP1713118B1 (ko)
JP (1) JP4396640B2 (ko)
KR (1) KR101045309B1 (ko)
WO (1) WO2005076333A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1713118B1 (en) * 2004-02-03 2013-07-03 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. A method for producing semiconductor wafers and a system for determining a cut position in a semiconductor ingot
SG138524A1 (en) 2006-06-22 2008-01-28 Siltronic Ag Method and apparatus for detection of mechanical defects in an ingot piece composed of semiconductor material
US9074298B2 (en) * 2008-08-18 2015-07-07 Sumco Techxiv Corporation Processes for production of silicon ingot, silicon wafer and epitaxial wafer, and silicon ingot
TWI426575B (zh) * 2011-05-10 2014-02-11 Univ Nat Central 晶圓定位系統及其方法
FR2997096B1 (fr) * 2012-10-23 2014-11-28 Commissariat Energie Atomique Procede de formation d'un lingot en silicium de resistivite uniforme
JP6020311B2 (ja) * 2013-04-02 2016-11-02 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの製造方法及び半導体インゴットの切断位置決定システム
JP6841217B2 (ja) * 2017-12-19 2021-03-10 株式会社Sumco インゴットブロックの製造方法、半導体ウェーハの製造方法、およびインゴットブロックの製造装置
DE102018221922A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
JP7666396B2 (ja) * 2022-05-12 2025-04-22 信越半導体株式会社 シリコン単結晶基板の結晶欠陥の検出方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11278983A (ja) 1998-03-27 1999-10-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 結晶切断方法
JP2002174593A (ja) 2000-12-06 2002-06-21 Memc Japan Ltd 単結晶インゴットの評価方法及びこれを用いた単結晶インゴットの切断方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2968866A (en) * 1958-05-21 1961-01-24 Sylvania Electric Prod Method of producing thin wafers of semiconductor materials
FR2460479A1 (fr) * 1979-06-29 1981-01-23 Ibm France Procede de caracterisation de la teneur en oxygene des barreaux de silicium tires selon la methode czochralski
US5550374A (en) * 1994-05-12 1996-08-27 Memc Electronic Materials, Inc. Methods and apparatus for determining interstitial oxygen content of relatively large diameter silicon crystals by infrared spectroscopy
US6045610A (en) * 1997-02-13 2000-04-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing monocrystalline silicon ingots and wafers by controlling pull rate profiles in a hot zone furnance
US5994761A (en) * 1997-02-26 1999-11-30 Memc Electronic Materials Spa Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor
JP3449729B2 (ja) * 1997-04-09 2003-09-22 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 単結晶シリコンウエハを製造する方法
DE69933777T2 (de) * 1998-09-02 2007-09-13 Memc Electronic Materials, Inc. Verfahren zur herstellung von einem silizium wafer mit idealem sauerstoffausfällungsverhalten
JP2001068477A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Komatsu Electronic Metals Co Ltd エピタキシャルシリコンウエハ
KR100368331B1 (ko) * 2000-10-04 2003-01-24 주식회사 실트론 반도체 웨이퍼의 열처리 방법 및 이를 통해 제조된 반도체 웨이퍼
DE60115078T2 (de) * 2000-09-19 2006-07-27 Memc Electronic Materials, Inc. Mit stickstoff dotiertes silizium das wesentlich frei von oxidationsinduzierten stapelfehlern ist
JP4566478B2 (ja) * 2001-08-09 2010-10-20 シルトロニック・ジャパン株式会社 シリコン半導体基板およびその製造方法
DE10259588B4 (de) * 2002-12-19 2008-06-19 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium
EP1713118B1 (en) * 2004-02-03 2013-07-03 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. A method for producing semiconductor wafers and a system for determining a cut position in a semiconductor ingot

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11278983A (ja) 1998-03-27 1999-10-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 結晶切断方法
JP2002174593A (ja) 2000-12-06 2002-06-21 Memc Japan Ltd 単結晶インゴットの評価方法及びこれを用いた単結晶インゴットの切断方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7749865B2 (en) 2010-07-06
US20070243695A1 (en) 2007-10-18
EP1713118A4 (en) 2009-08-05
JP4396640B2 (ja) 2010-01-13
KR20070005575A (ko) 2007-01-10
WO2005076333A1 (ja) 2005-08-18
JPWO2005076333A1 (ja) 2007-10-18
EP1713118A1 (en) 2006-10-18
EP1713118B1 (en) 2013-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6020311B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法及び半導体インゴットの切断位置決定システム
KR101045309B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 잉곳의 절단 위치결정 시스템
JP6388058B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
US20180312994A1 (en) Method for determining defect region
KR101032593B1 (ko) ＣＺ법에 의한 Ｓｉ 단결정 잉곳 제조 방법
KR20200073264A (ko) 실리콘 블럭의 품질 판정 방법, 실리콘 블럭의 품질 판정 프로그램 및 실리콘 단결정의 제조 방법
KR20160024925A (ko) 다결정 실리콘의 결정성 평가 방법
JP4862857B2 (ja) シリコン単結晶ウェーハ評価用の標準サンプル、その製造方法及び標準サンプルを用いた評価方法
WO2007040002A1 (ja) 半導体ウエーハの製造方法及び半導体インゴットの切断位置決定システム
JP2006045007A (ja) シリコン単結晶の品質評価方法
EP1127962B1 (en) Method for manufacturing silicon single crystal, silicon single crystal manufactured by the method, and silicon wafer
JP6760243B2 (ja) シリコン単結晶の良否判別方法、シリコン単結晶の製造方法、およびシリコンウェーハの製造方法
KR101942321B1 (ko) 단결정 잉곳의 성장 방법
KR20090070565A (ko) 잉곳 품질 평가를 위한 샘플 제조방법 및 잉곳 품질평가방법
TWI856598B (zh) 單晶矽鑄錠的評價方法
TWI809766B (zh) GaAs晶圓的製造方法及GaAs晶圓群
JP5782996B2 (ja) 単結晶の製造方法
KR20190119035A (ko) 단결정 실리콘 중의 탄소농도 측정방법
WO2025056242A1 (de) Verfahren zum ziehen eines einkristallstabs
JP6544275B2 (ja) シリコン単結晶の加工方法
WO2024188617A1 (de) Verfahren zum ziehen eines einkristallstabs aus halbleitermaterial und scheibe aus halbleitermaterial
JP5586922B2 (ja) ウェーハの製造方法及びウェーハの製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20060726

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20091210

Comment text: Request for Examination of Application

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20110502

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20110623

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20110624

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140603

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140603

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150515

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150515

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160517

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170522

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180618

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180618

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190618

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190618

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210621

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220518

Start annual number: 12

End annual number: 12

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20240404