KR101044011B1 - Slit nozzle and substrate processing apparatus and method using the slit nozzle - Google Patents
Slit nozzle and substrate processing apparatus and method using the slit nozzle Download PDFInfo
- Publication number
- KR101044011B1 KR101044011B1 KR1020080118181A KR20080118181A KR101044011B1 KR 101044011 B1 KR101044011 B1 KR 101044011B1 KR 1020080118181 A KR1020080118181 A KR 1020080118181A KR 20080118181 A KR20080118181 A KR 20080118181A KR 101044011 B1 KR101044011 B1 KR 101044011B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- processing liquid
- slit nozzle
- substrate
- nozzle
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 142
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
- B05C11/1015—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
- B05C11/1026—Valves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
슬릿 노즐 및 그 슬릿 노즐을 이용한 기판 처리 장치 및 방법이 제공된다. 본 발명에 의하면, 슬릿 노즐의 버퍼영역은 차단부재에 의하여 복수의 구간으로 구획가능하며, 처리액이 토출되는 길이를 가변할 수 있다. 차단부재는 제 1 방향으로 이동 또는 탈착이 가능하다. 처리액은 처리액 공급 라인을 통하여 슬릿 노즐에 공급되며, 유체 공급관을 통해 흐르는 온도 조절 유체에 의해 적정한 공정온도로 유지된다. 슬릿 노즐은 슬릿 노즐이 제 2 방향으로 연결되어 다른 종류의 처리액을 토출 할 수 있다.Provided are a slit nozzle and a substrate processing apparatus and method using the slit nozzle. According to the present invention, the buffer area of the slit nozzle can be divided into a plurality of sections by the blocking member, and the length of the processing liquid can be varied. The blocking member is movable or detachable in the first direction. The treatment liquid is supplied to the slit nozzle through the treatment liquid supply line and maintained at an appropriate process temperature by the temperature control fluid flowing through the fluid supply pipe. In the slit nozzle, the slit nozzle is connected in the second direction so as to discharge another kind of processing liquid.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 슬릿 노즐을 이용한 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a method using a slit nozzle.
일반적으로 반도체 소자는 실리콘 기판상에 소정의 회로 패턴을 형성하도록 박막을 순차적으로 적층하는 과정을 반복하므로서 제조되며, 박막의 형성 및 적층을 위해서는 증착공정, 사진공정, 식각공정, 세정공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다.In general, a semiconductor device is manufactured by repeating a process of sequentially stacking thin films to form a predetermined circuit pattern on a silicon substrate, and for forming and stacking thin films, a plurality of processes such as a deposition process, a photo process, an etching process, and a cleaning process are performed. Unit processes must be repeated.
이러한 다수의 단위 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 공정으로서, 감광액 도포(Coating) 공정, 노광(Exposuring)공정, 그리고 현상(Developing)공정 등으로 이루어진다. Among the plurality of unit processes, a photo process is a process for forming a pattern on a substrate, and includes a photoresist coating process, an exposure process, and a developing process.
현상공정은 디벨로퍼(Developer)를 사용하여 노광공정을 통해 기판의 표면의 감광막에서 빛을 받은 부분 또는 빛을 받지 않은 부분을 선택적으로 현상시키는 공정이다. The developing process is a process of selectively developing a lighted portion or a non-lighted portion of the photoresist on the surface of the substrate through an exposure process using a developer.
한국 공개특허 10-2007-7262는 기판의 반경보다 짧은 길이를 갖는 노즐이 기판의 외측으로부터 중앙부로 이동하면서 띠 형상의 현상액을 토출시키고, 이와 동시에 기판을 회전시킴으로써 현상공정을 수행하는 기술을 개시하고 있다. Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2007-7262 discloses a technique in which a nozzle having a length shorter than the radius of a substrate moves from the outside of the substrate to the central portion, discharging a strip-shaped developer, and simultaneously rotating the substrate to perform a developing process. have.
한국 공개특허 10-2007-69942는 기판(W)의 직경과 동일한 길이를 가지는 슬릿노즐이 기판을 일측부터 타측까지 스캔 방식으로 수평이동하며 현상액을 공급하여 현상공정을 수행하는 기술을 개시하고 있다. Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2007-69942 discloses a technology in which a slit nozzle having the same length as the diameter of the substrate W moves the substrate horizontally from one side to the other side in a scanning manner and supplies a developer to perform a developing process.
그러나, 상술한 현상공정들은 기판상에 현상액이 토출되는 형태에 따라 상이한 종류의 노즐을 사용해야 하므로 노즐의 활용도가 낮다. 또한, 현상공정에는 현상액 토출 노즐과 초순수(DIW) 공급노즐이 각각 구비되고, 이들 노즐을 별도로 구동하기 위해 많은 구동수단들이 필요하므로, 장치 구성에 많은 비용이 요구된다. 그리고 공정 레시피(Recipe) 구성시 개개별 노즐을 이동시켜야 하므로 공정 레시피(Recipe)가 복잡해지는 문제가 있다.However, the above-described developing processes require a different kind of nozzle depending on the form in which the developer is discharged onto the substrate, so the utilization of the nozzle is low. In addition, the developing process is provided with a developer discharge nozzle and an ultrapure water (DIW) supply nozzle, respectively, and many driving means are required to drive these nozzles separately, which requires a high cost for the device configuration. In addition, since the individual nozzles must be moved when configuring the process recipe, the process recipe becomes complicated.
본 발명의 목적은 다양한 종류의 현상 공정에 모두 사용 가능한 슬릿 노즐을 제공한다.An object of the present invention is to provide a slit nozzle which can be used for all kinds of developing processes.
본 발명의 다른 목적은 장치구성이 간소화된 기판 처리 장치를 제공한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus with simplified device configuration.
본 발명은 슬릿 노즐을 제공한다. 상기 슬릿 노즐은 기판으로 처리액을 토출하는 처리액 토출구를 저면에 형성하고, 처리액이 토출되기 전 일시적으로 머무르는 버퍼영역을 내부에 갖는 몸체; 및 상기 버퍼영역을 다수의 구간으로 구획하는 차단부재를 포함한다. The present invention provides a slit nozzle. The slit nozzle includes a body having a processing region discharge port for discharging the processing liquid to a substrate and having a buffer region therein that temporarily stays before the processing liquid is discharged; And a blocking member dividing the buffer area into a plurality of sections.
일 실시예에 있어서, 상기 차단부재는 상기 슬릿 노즐의 길이방향인 제 1 방향으로 이동하며, 상기 차단부재를 상기 제 1 방향으로 이동시키기 위하여 차단부재 구동기를 포함한다. In one embodiment, the blocking member moves in the first direction, the longitudinal direction of the slit nozzle, and includes a blocking member driver to move the blocking member in the first direction.
다른 실시예에 있어서, 상기 차단부재는 탈착이 가능하다.In another embodiment, the blocking member is removable.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 슬릿 노즐이 복수개 제공되고, 상기 슬릿 노즐은 상기 슬릿 노즐의 길이 방향과 수직한 제 2 방향으로 결합한다.In another embodiment, a plurality of the slit nozzles are provided, and the slit nozzles engage in a second direction perpendicular to the longitudinal direction of the slit nozzle.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치하며, 상기 기판 지지 유닛으로 처리액을 토출하는 슬릿 노즐; 상기 슬릿 노즐에 연결되며, 상기 슬릿 노즐에 처리액 을 공급하는 처리액 공급라인; 상기 처리액 공급라인에 연결되며, 처리액을 저장하는 처리액 저장부; 상기 슬릿 노즐이 장착되고, 내측에 상기 처리액 통로가 지나가는 노즐암을 포함하되, 상기 슬릿 노즐은 기판으로 처리액을 토출하는 처리액 토출구를 저면에 형성하고, 처리액이 토출되기 전 일시적으로 머무르는 버퍼영역을 내부에 갖는 몸체; 및 상기 버퍼영역을 다수의 구간으로 구획하는 차단부재를 포함한다.In addition, the present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a substrate support unit; A slit nozzle positioned above the substrate support unit and discharging a processing liquid to the substrate support unit; A processing liquid supply line connected to the slit nozzle and supplying a processing liquid to the slit nozzle; A processing liquid storage unit connected to the processing liquid supply line and storing the processing liquid; And a nozzle arm on which the slit nozzle is mounted and through which the processing liquid passage passes, wherein the slit nozzle forms a processing liquid discharge port for discharging the processing liquid to a substrate and temporarily stays before the processing liquid is discharged. A body having a buffer area therein; And a blocking member dividing the buffer area into a plurality of sections.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 상기 몸체내에 형성되며, 상기 처리액 공급라인을 통하여 상기 몸체에 공급된 처리액을 상기 버퍼영역으로 제공하는 처리액 통로; 상기 처리액 통로상에 설치되고, 상기 처리액 통로를 통해 제공되는 처리액의 유량을 조절하는 처리액 조절 밸브; 및 상기 처리액 조절 밸브의 개폐를 제어하는 밸브 제어부를 더 포함한다.In one embodiment, the substrate processing apparatus is formed in the body, the processing liquid passage for providing the processing liquid supplied to the body through the processing liquid supply line to the buffer area; A processing liquid control valve installed on the processing liquid passage and adjusting a flow rate of the processing liquid provided through the processing liquid passage; And a valve controller for controlling opening and closing of the treatment liquid control valve.
다른 실시예에 있어서, 상기 차단부재는 상기 슬릿 노즐의 길이방향인 제 1 방향으로 이동가능하게 제공된다.In another embodiment, the blocking member is provided to be movable in the first direction, which is the longitudinal direction of the slit nozzle.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 차단부재는 탈착이 가능하다. In another embodiment, the blocking member is removable.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 슬릿 노즐이 복수개 제공되고, 상기 슬릿 노즐은 상기 슬릿 노즐의 길이 방향과 수직한 제 2 방향으로 결합한다.In another embodiment, a plurality of the slit nozzles are provided, and the slit nozzles engage in a second direction perpendicular to the longitudinal direction of the slit nozzle.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 상기 노즐 암 내부에 위치하고, 상기 처리액 통로를 감싸도록 제공되는 유체 공급관; 상기 유체 공급관과 연결되며, 상기 온도 조절 유체를 공급하는 유체 공급 라인; 및 상기 유체 공급관과 연결되며, 상기 온도 조절 유체를 배출하는 유체 배출 라인을 더 포함한다.In still another embodiment, the substrate processing apparatus includes a fluid supply pipe disposed inside the nozzle arm and provided to surround the processing liquid passage; A fluid supply line connected to the fluid supply pipe and supplying the temperature control fluid; And a fluid discharge line connected to the fluid supply pipe and configured to discharge the temperature control fluid.
또한, 본 발명은 처리액 공급 방법을 제공한다. 상기 처리액 공급 방법은 기판으로 처리액을 토출하는 처리액 토출구를 저면에 형성하고, 처리액이 토출되기 전 일시적으로 머무르는 버퍼영역을 내부에 갖는 몸체; 및 상기 버퍼영역을 다수의 구간으로 구획하는 차단부재를 포함하는 슬릿 노즐을 기판상에 위치하는 제 1 단계; 기판의 지름에 대응하는 구간으로 처리액을 토출하는 제 1 방법과 기판의 반지름보다 작은 구간으로 처리액을 토출하는 제 2 방법 중 어느 하나를 선택하는 제 2 단계; 및 상기 제 2 단계에서 선택된 어느 하나의 방법으로 처리액을 토출하는 제 3 단계를 포함한다.The present invention also provides a treatment liquid supply method. The processing liquid supplying method includes: a body having a processing region discharge port for discharging the processing liquid to a substrate and having a buffer region therein that temporarily stays before the processing liquid is discharged; And a slit nozzle on the substrate, the slit nozzle including a blocking member dividing the buffer area into a plurality of sections. A second step of selecting one of a first method of discharging the processing liquid into a section corresponding to a diameter of the substrate and a second method of discharging the processing liquid into a section smaller than a radius of the substrate; And a third step of discharging the processing liquid by any of the methods selected in the second step.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 방법은 상기 차단부재들간의 간격이 상기 제 2 방법에서의 상기 차단부재들간의 간격보다 멀리 이격된 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the first method is characterized in that the spacing between the blocking members is farther apart than the spacing between the blocking members in the second method.
다른 실시예에 있어서, 상기 제 1 방법은 상기 버퍼영역에서 상기 차단부재가 제거되고, 상기 제 2 방법은 상기 버퍼영역내에 상기 차단부재가 부착되는 것을 특징으로 한다.In another embodiment, the first method may include removing the blocking member from the buffer area, and the second method may include attaching the blocking member to the buffer area.
본 발명에 의하면, 슬릿 노즐의 버퍼영역을 복수의 구간으로 구획할 수 있다.According to the present invention, the buffer area of the slit nozzle can be divided into a plurality of sections.
또한, 본 발명에 의하면, 구획된 구간의 길이를 가변하여 처리액을 토출시킬 수 있다.Further, according to the present invention, the processing liquid can be discharged by varying the length of the partitioned section.
또한, 본 발명에 의하면, 각각의 슬릿 노즐에서 다른 종류의 처리액을 토출시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to discharge different kinds of processing liquids from the respective slit nozzles.
또한, 본 발명에 의하면, 개개별 노즐 구성으로 인한 제조 원가를 절감할 수 있다.In addition, according to the present invention, the manufacturing cost due to the individual nozzle configuration can be reduced.
또한, 본 발명에 의하면, 노즐 하나로 여러 유체를 항온 할 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to thermostat several fluids with one nozzle.
또한, 본 발명에 의하면, 노즐 이동시간을 축소하여 레시피 시간(Recipe Time)을 감소시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, the recipe time can be reduced by reducing the nozzle movement time.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 7d 를 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 7D. Embodiment of the present invention can be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This example is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 구성의 평면도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치는 기판 지지유닛(2) 및 처리액 공급유닛(3)을 포함한다. 구체적으로 기판 지지유닛(2)은 기판을 흡착 보지하는 진공척(50)과 상기 진공척을 회전구동함과 동시에 승강구동하는 진공척 구동부(70)를 갖는다. 진공척(50)은 몸체(52), 진공관(61), 흡입부재(미도시) 그리고 회전축(62)을 포함한다. 몸체(52)는 원판형상으로 기판을 보지한 상태에서 기판(W)을 회전시 킨다. 몸체(52)내에는 몸체를 관통하는 진공라인(51)이 형성된다. 진공라인(51)은 진공관(61)과 연결되며, 진공관(61)은 공기를 흡입하는 흡입부재(미도시)와 결합된다. 흡입부재는 공기를 흡입할 수 있는 펌프로서 진공라인(51)과 진공관(61)을 통해 공기를 흡입한다. 또한 진공관(61) 내에는 내부의 진공여부를 감지할 수 있는 센스(미도시)가 결합될 수 있다. 회전축(62)은 내부 공간을 갖고, 상하부가 개방된 원통형상으로 몸체(52)의 하단과 결합한다. 회전축(62)의 내부 공간에는 진공관(61)이 지나간다. 진공척 구동부(70)는 회전축의 하부에 설치되며, 외부로부터 공급된 전력으로 진공척(50)을 회전 및 승강시킨다. 1 and 2, the substrate processing apparatus includes a substrate support unit 2 and a processing liquid supply unit 3. Specifically, the substrate support unit 2 has a vacuum chuck 50 which adsorbs and holds a substrate, and a
기판 지지 유닛(2)은 용기(80)를 더 포함한다. 용기(80)는 진공척(50)을 감싸도록 설치되어 진공척(50)의 회전으로 인하여 기판(W)으로부터 처리액등이 외부로 비산하는 것을 방지한다. 용기(80)의 상단에는 기판이 드나들 수 있도록 개구(82)가 형성된다. 용기(80)의 저면에는 회전하는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)으로부터 비산된 처리액이 배수되는 배수라인(81)이 형성된다.The substrate support unit 2 further includes a
기판 지지유닛(2)의 상부에는 처리액 공급 유닛(3)이 배치된다. 처리액 공급 유닛(3)은 노즐암(20), 슬릿 노즐(10), 처리액 공급부(40), 그리고 온도 조절 부재(30)를 가진다. The processing liquid supply unit 3 is disposed above the substrate support unit 2. The treatment liquid supply unit 3 has a
노즐암(20)은 일 방향으로 긴 로드 형상의 몸체를 갖는다. 노즐암(20)의 일단에는 노즐암 지지부재(21)가 결합되고, 타단에는 기판(W)상으로 처리액을 토출하는 슬릿 노즐(10)이 노즐암(20)의 길이방향으로 장착된다. 노즐 암(20)의 몸체 내측에는 처리액 공급 라인(41)과 유체 공급관(31)이 내장된다. 처리액 공급 라인(41)과 유체 공급관(31)은 노즐 암(20) 몸체의 내측에 몸체의 길이방향을 따라 배치된다. 노즐암 지지부재(21)는 노즐암(20)을 지지하며, 하단에 제 1 구동기(27)를 구비한다. 제 1 구동기(27)는 노즐암 지지부재(21)를 승강시킴과 동시에 노즐암(20)을 길이방향으로 신축시킬 수 있다. 제 1 구동기(27) 하단에는 가이드 부재(26)가 배치된다. 가이드 부재(26)는 가이드 레일 형상으로 제공될 수 있으며, 노즐암 지지부재(21)가 가이드 부재(26)를 따라 기판지지유닛(1) 측면 양단으로 직선이동할 수 있도록 배치된다. 가이드 부재(26) 일측에는 제 2 구동기(28)가 설치되며, 제 2 구동기(28)에 의하여 노즐암 지지부재(21)가 가이드 부재(26)를 따라 직선이동한다.The
도 3a는 본 발명에 따른 슬릿 노즐을 도시한 사시도, 도 3b는 도 3a의 A-A'선을 따른 단면도, 그리고 도 3c는 도 3a의 슬릿 노즐의 단면도이다. 3A is a perspective view of a slit nozzle according to the present invention, FIG. 3B is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3A, and FIG. 3C is a sectional view of the slit nozzle of FIG. 3A.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 슬릿 노즐(10)은 몸체(10), 차단부재(17)를 구비한다. 몸체(10)는 몸체내에 처리액 토출구(11), 버퍼영역(12)을 형성하고, 차단부재(17)를 제공한다. 몸체(10)는 직육면체 형상을 갖는 상부(10a)와, 상부에 대응하는 길이를 가지며, 아래로 갈수록 제 2 방향의 폭이 점점 좁아지는 형상의 하부(10b)로 구성된다. 슬릿노즐의 상부(10a)는 노즐 암(20)과 결합한다. 처리액 토출구(11)는 가늘고 긴 슬릿 형상으로 하부 저면에 형성되며, 버퍼영역(12)에 머무르는 처리액을 띠 형상으로 기판(W)에 토출한다. 버퍼영역(12)은 길이가 처리액 토출구에 대응하는 공간으로 몸체의 상부(10a) 또는 상부(10a)와 하부(10b) 내에 형성된다. 버퍼영역(12)은 토출되는 처리액이 일시적으로 머무는 장소를 제공한다. 차단판(17)은 버퍼영역(12)을 다수의 구간으로 구획하기 위한 수단으로서 차단판등이 이용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 버퍼영역(12) 내에 2개의 차단판(17)이 제공된다. 각각의 차단판(17)은 차단부재 구동기(19)에 의하여 슬릿 노즐(10)의 길이 방향인 제 1 방향을 따라, 서로 가까워지거나 또는 멀어지도록 이동할 수 있다. 차단판(17)이 차단부재 구동기(19)에 의하여 제 1 방향을 따라 서로 멀어져 버퍼영역(12)의 양측에 위치하면, 버퍼영역(12)은 하나의 일체된 공간을 형성하게 되어 기판(W)의 지름에 대응하는 영역으로 처리액을 토출시킬 수 있다. 그리고, 차단판(17)이 차단부재 구동기(19)에 의하여 버퍼영역(12)의 양측에서 제 1 방향을 따라 서로 가까워지도록 이동하면, 버퍼영역(12)은 다수의 공간으로 구획되며, 구획된 영역으로 처리액을 토출시킬 수 있다. 3A to 3C, the
또한, 차단판(17)은 몸체로부터 탈착된다. 차단판(17)이 몸체(10)에 임의의 간격으로 부착되면 버퍼영역(12)은 다수의 구간으로 구획되고, 구획된 구간으로 처리액을 토출시킬 수 있다. 그러나 차단판(17)이 제거되면 버퍼영역(12)은 하나의 일체된 공간을 형성하게 되어 기판(W)의 지름에 대응하는 영역으로 처리액을 토출시킬 수 있다.In addition, the blocking
도 4a는 도 2의 B-B'선을 따른 단면도이고, 도 4b는 도 2의 "C"부분을 확대하여 보여주는 도면이다.4A is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 2, and FIG. 4B is an enlarged view of portion “C” of FIG. 2.
도 2, 도 3c 내지 도 4b를 참조하면, 처리액 공급부(40)는 처리액 저장부(47), 처리액 공급라인(41), 처리액 통로(45), 처리액 조절 밸브(42), 그리고 밸브 제어부(43)를 포함한다.2, 3C to 4B, the treatment liquid supply part 40 includes a treatment
처리액 저장부(47)는 처리액 공급 라인(41)을 통해 슬릿 노즐(10)로 제공되는 처리액을 저장 및 공급하며, 처리액 공급 라인(41)과 연결된다. 처리액 공급라인(41)은 처리액 저장부(47)에 저장된 처리액을 슬릿 노즐(10)로 제공하는 통로로서 처리액 저장부(47)와 슬릿 노즐(10)을 연결하며, 노즐암(20) 몸체 내측을 통과한다. 또한, 처리액 공급 라인(41)은 처리액이 제공되는 동안 적정한 공정 온도를 유지할 수 있도록 유체 공급라인(31)에 감싸여 제공된다. 처리액 통로(45)는 슬릿 노즐의 상부(10a) 내측에 형성되며, 처리액 공급 라인(41)과 버퍼영역(12)을 연결한다. 처리액 공급 라인(41)을 통해 공급된 처리액이 처리액 통로(45)를 거쳐 버퍼영역(12)으로 제공된다. 일 실시예에 의하면, 처리액 통로(45)는 처리액이 차단판(17)과 차단판(17) 사이의 구간에 제공되도록 형성될 수 있다. 다른 실시예에 의하면, 처리액 통로(45)는 처리액이 제공되는 구간의 일측에 차단판(17)이 모두 위치하도록 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에 의하면, 처리액 통로(45)는 처리액 공급 라인(41)으로부터 분기되어 차단판(17)에 의하여 구획되는 구간마다 형성될 수 있다. 처리액 통로(45) 상에는 처리액 조절 밸브(42)가 설치된다. 처리액 조절 밸브(42)는 처리액 통로(45)를 통하여 버퍼영역(12)으로 제공되는 처리액의 유량을 조절한다. 밸브 제어부(43)는 처리액 조절 밸브(42)와 연결되며, 처리액 조절 밸브(42)를 제어한다.The processing
온도 조절 부재(30)는 유체 공급관(31), 유체 공급 라인(35), 그리고 유체 배출 라인(36)을 포함한다. 유체 공급관(31)은 노즐 암(20) 몸체 내측에 제공되며, 유체 공급라인(35)을 통해 제공된 온도 조절 유체가 유체 배출라인(36)으로 배출될 수 있도록 유체 공급 라인(35)과 유체 배출라인(36)을 연결한다. 유체 공급관(31)은 처리액 공급라인(41)을 감싸도록 제공되며, 유체공급관(31)을 흐르는 온도 조절 유체가 처리액 공급라인(41)을 흐르는 처리액을 적정한 공정 온도로 유지시켜 준다. 유체 공급 라인(35)은 유체 저장부(37)에서 제공된 온도 조절 유체를 유체 공급관(31)으로 공급하며, 유체 배출 라인(36)은 유체 공급관(31)에서 배출된 온도 조절 유체를 유체 저장부(37)로 되돌려 준다.The temperature regulating member 30 includes a
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 슬릿 노즐 및 기판 처리 장치를 이용하여 처리액을 공급하는 방법에 대해 설명하면 다음과 같다. The method of supplying the processing liquid using the slit nozzle and the substrate processing apparatus according to the present invention having the above-described configuration will be described below.
도 5a 내지 도 6b는 본 발명의 실시예에 따른 처리액 공급 방법을 나타내는 도면이다.5A to 6B are views showing a treatment liquid supply method according to an embodiment of the present invention.
도 5a 내지 도 6b를 참조하면, 기판(W)은 용기(80)로 반입되어 기판 지지 부재(2) 상에 놓이고, 흡입 부재(미도시)에 의해 진공척(50)에 흡착 보지된다. 이후 슬릿 노즐(10)이 결합된 노즐 암(20)이 구동부(미도시)에 의해 구동되어 기판(W) 상부로 이동된다. 5A to 6B, the substrate W is loaded into the
기판(W)상부로 이동된 슬릿노즐(10)은 기판(W)의 지름에 대응하는 구간으로 토출하는 제 1 방법과 기판(W)의 반지름보다 작은 구간으로 토출하는 제 2 방법 중 어느 하나를 선택하여 처리액을 토출한다.The
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 슬릿 노즐(10)에서 토출되는 구간이 기판(W)의 지름에 대응하는 실시예로서 제 1 방법에 해당한다. 이 경우, 슬릿 노즐(10)의 버 퍼영역(12)을 구획하는 차단판(17)은 슬릿 노즐(10)의 길이방향으로 이동하여 버퍼 영역의 측면에 위치한다.5A and 5B, an embodiment in which the section discharged from the
또는 슬릿 노즐(10)의 버퍼영역(12)을 구획하는 차단판(17)은 모두 제거된다. Alternatively, all of the blocking
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 슬릿 노즐(10)에서 토출하는 구간이 기판(W)의 반지름보다 작은 실시예로서 제 2 방법에 해당한다. 이 경우, 슬릿 노즐(10)의 버퍼영역(12)은 차단판(17)에 의하여 다수의 구간으로 구획된다. 6A and 6B, an embodiment in which the section discharged from the
토출구간이 선택되면, 슬릿노즐(10)은 기판(W)에 처리액을 토출한다. 제 1 방법이 선택된 경우, 처리액은 버퍼영역(12) 전체에 공급되며, 공급된 처리액은 버퍼영역(12)에 잠시 머무른 뒤, 처리액 토출구(11)를 통하여 회전하는 기판(W)의 지름에 대응하는 영역으로 토출된다. 이는 한국 공개특허 10-2007-69942가 기판(W)의 직경과 동일한 길이를 가지는 슬릿노즐을 이용하여 현상액을 토출하며 현상공정을 수행하는 기술에 대응한다.When the discharge section is selected, the
제 2 방법이 선택된 경우, 처리액이 차단판(17) 사이에 해당되는 버퍼영역(12)에만 공급되며, 공급된 처리액은 버퍼영역(12)에 잠시 머무른 뒤, 처리액 토출구(11)를 통하여 회전하는 기판(W)의 일부 영역으로 토출된다. 제 2 방법의 경우, 슬릿노즐(10)은 처리액을 토출하며 기판(W)의 에지영역에서 중심영역으로 또는 중심영역에서 에지영역으로 이동할 수 있다. 이는 한국 공개특허 10-2007-7262가 기판(W)의 반경보다 짧은 길이를 갖는 노즐을 이용하여 회전하는 기판(W)의 외측으로부터 중앙부로 이동하며 띠 형상의 현상액을 토출하며 현상공정 을 수행하는 기술에 대응한다. When the second method is selected, the processing liquid is supplied only to the
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 노즐 및 기판 처리 장치를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a slit nozzle and a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention will be described.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 노즐 및 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.7A to 7D are views illustrating a slit nozzle and a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 7a는 도 3a에서 설명한 슬릿 노즐을 2방향으로 결합한 슬릿 노즐의 사시도, 도 7b는 도 7a의 평면도, 도 7c는 도 7b의 B-B'선을 따른 도면, 그리고 도 7d는 도 7b의 "C"를 확대한 도면이다.FIG. 7A is a perspective view of a slit nozzle combining the slit nozzle described in FIG. 3A in two directions, FIG. 7B is a plan view of FIG. 7A, FIG. 7C is a view along the line BB ′ of FIG. 7B, and FIG. 7D is a view of FIG. 7B. C "is an enlarged view.
도 7a 및 도 7d를 참조하면, 슬릿 노즐(10)은 슬릿 노즐(10-1)의 상부(10a) 제 1방향 일측 측면과 다른 슬릿 노즐(10-2)의 상부(10a) 일측 측면이 맞닿도록 체결부(미도시)에 의하여 체결되어 제 2 방향으로 나란히 배치된다. 체결되는 슬릿 노즐(10)의 수는 기판(W)상에 토출되는 처리액의 수에 따라 결정된다. 각각의 슬릿 노즐 상부(10a)는 노즐암(20) 몸체의 일단과 결합하고, 처리액 공급라인(41a,41b)에 각각 연결된다. 처리액 공급라인(41a,41b)은 노즐암(20) 몸체의 내측에 몸체의 길이방향을 따라 배치되며, 공급되는 처리액의 수에 따라 처리액 공급라인(41a,41b)이 각각 제공된다. 유체 공급관(31)은 처리액 공급라인들(41a,41b)을 감싸도록 제공되며, 노즐암(20) 몸체의 내측에 몸체의 길이방향을 따라 배치된다. 각 슬릿 노즐(10)은 대응하는 처리액 공급 라인(41a,41b)으로부터 처리액을 공급받아 기판(W)상에 토출한다.7A and 7D, the
처리액 저장부(47a,47b)는 공급되는 처리액의 수에 따라 각각 구비되며, 처리액 공급 라인(41a,41b)과 연결된다. 처리액 공급라인(41a,41b)은 처리액 저장부(47a,47b)와 슬릿 노즐 상부(10a)를 연결하며, 처리액 저장부(47a,47b)에 저장된 처리액을 슬릿 노즐(10)에 공급한다. 처리액 공급 라인(41a,41b)은 유체 공급관(31)에 감싸여 제공된다. 다수의 처리액 공급라인(41a,41b)을 하나의 유체공급(31)라인에 감싸서 제공하거나, 처리액 공급 라인마다 별개의 유체 공급 라인(31)을 제공할 수 있다. The processing
온도 조절 부재(30)는 유체 공급관(31), 유체 공급 라인(35), 그리고 유체 배출 라인(36)을 포함한다. 유체 공급관(31)은 노즐 암(20) 몸체 내측에 위치하며, 유체 공급라인(35)을 통해 제공된 온도 조절 유체가 유체 배출라인(36)으로 배출될 수 있도록 유체 공급라인(35)과 유체 배출라인(36)에 연결된다. 유체 공급관(31)은 처리액 공급라인(41a,41b)들을 감싸도록 제공된다. 유체 공급 라인(35)은 유체 저장부(37)에서 제공된 온도 조절 유체를 유체공급관(31)으로 공급하며, 유체 배출 라인(36)은 유체 공급관(31)에서 배출된 온도 조절 유체를 유체 저장부(37)로 되돌려 준다.The temperature regulating member 30 includes a
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에 서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the above-mentioned contents show preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the scope of the art or knowledge in the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.
도 1 은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
도 2 는 도 1 에 나타난 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG.
도 3a 는 본 발명에 따른 슬릿 노즐을 나타내는 사시도이다.3A is a perspective view illustrating a slit nozzle according to the present invention.
도 3b 는 도 3a 의 A-A'선을 따른 단면도이다.3B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3A.
도 3c 는 도 3a 의 슬릿 노즐의 단면도이다.3C is a cross-sectional view of the slit nozzle of FIG. 3A.
도 4a 는 도 2 의 B-B'선을 따른 단면도이다.4A is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 2.
도 4b 는 도 2 의 "C" 부분을 확대하여 보여주는 도면이다.FIG. 4B is an enlarged view of portion “C” of FIG. 2.
도 5a 및 5b 는 본 발명의 실시예에 따른 처리액 공급 방법을 나타내는 도면이다. 5A and 5B illustrate a processing liquid supplying method according to an embodiment of the present invention.
도 6a 및 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리액 공급 방법을 나타내는 도면이다. 6A and 6B illustrate a processing liquid supplying method according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 7a 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 노즐의 사시도이다.7A is a perspective view of a slit nozzle according to another embodiment of the present invention.
도 7b 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.7B is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 7c 는 도 7b 의 B-B'선을 따른 단면도이다.FIG. 7C is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 7B.
도 7d 는 도 7b 의 "C"를 확대한 도면이다.FIG. 7D is an enlarged view of “C” in FIG. 7B.
Claims (14)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080118181A KR101044011B1 (en) | 2008-11-26 | 2008-11-26 | Slit nozzle and substrate processing apparatus and method using the slit nozzle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080118181A KR101044011B1 (en) | 2008-11-26 | 2008-11-26 | Slit nozzle and substrate processing apparatus and method using the slit nozzle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100059411A KR20100059411A (en) | 2010-06-04 |
KR101044011B1 true KR101044011B1 (en) | 2011-06-24 |
Family
ID=42360728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080118181A Active KR101044011B1 (en) | 2008-11-26 | 2008-11-26 | Slit nozzle and substrate processing apparatus and method using the slit nozzle |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101044011B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102296276B1 (en) * | 2019-09-24 | 2021-09-02 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000051760A (en) | 1998-08-10 | 2000-02-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Fluid feeder |
KR20040102521A (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-08 | 삼성전자주식회사 | Spreading apparatus |
KR100797310B1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-01-23 | 주식회사 포스코 | Surface Adjustment Solution Spray Nozzle Device |
KR20090058151A (en) * | 2007-12-04 | 2009-06-09 | 김재준 | Jet nozzle with variable jet width |
-
2008
- 2008-11-26 KR KR1020080118181A patent/KR101044011B1/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000051760A (en) | 1998-08-10 | 2000-02-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Fluid feeder |
KR20040102521A (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-08 | 삼성전자주식회사 | Spreading apparatus |
KR100797310B1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-01-23 | 주식회사 포스코 | Surface Adjustment Solution Spray Nozzle Device |
KR20090058151A (en) * | 2007-12-04 | 2009-06-09 | 김재준 | Jet nozzle with variable jet width |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100059411A (en) | 2010-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8739729B2 (en) | Chemical liquid supply unit, and substrate treating apparatus and method using the same | |
US8216390B2 (en) | Cleaning and drying-preventing method, and cleaning and drying-preventing apparatus | |
US8721834B2 (en) | Apparatus for treating substrate | |
US8186297B2 (en) | Nozzle and apparatus and method for processing substrate using the nozzle | |
KR102237507B1 (en) | Substrate processing apparatus and nozzle cleaning method | |
JP5613636B2 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing apparatus control method, computer program, and computer-readable storage medium | |
KR20160025454A (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
KR100539187B1 (en) | Treatment liquid supply mechanism and treatment liquid supply method | |
CN105319873B (en) | Developing device | |
US20180158701A1 (en) | Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method | |
KR101044011B1 (en) | Slit nozzle and substrate processing apparatus and method using the slit nozzle | |
KR102186217B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US10969700B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
JP4680207B2 (en) | System using nozzle device and semiconductor substrate processing apparatus | |
CN114678262A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR101686565B1 (en) | Unit for supplying liquid and Apparatus for treating a substrate with the unit | |
KR102193669B1 (en) | pressure measurement unit and Apparatus for treating substrate with the unit | |
KR102378331B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102081708B1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR102325630B1 (en) | Wafer cleaning apparatus | |
JP5913492B2 (en) | Liquid processing equipment | |
KR102427044B1 (en) | Apparatus for treating substrate and part for treating substrate | |
KR20230083160A (en) | Apparatus for pressurizing photoresist and system for suppying photoresist | |
KR102134437B1 (en) | Method and Apparatus for treating substrate | |
KR102223761B1 (en) | Nozzle unit, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate and using the apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20081126 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20100928 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20110601 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20110617 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20110620 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140612 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140612 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150618 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150618 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160608 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160608 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170607 Year of fee payment: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170607 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190605 Year of fee payment: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190605 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200605 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210325 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220525 Start annual number: 12 End annual number: 12 |