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KR101028277B1 - 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛 - Google Patents

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛 Download PDF

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KR101028277B1
KR101028277B1 KR20100048597A KR20100048597A KR101028277B1 KR 101028277 B1 KR101028277 B1 KR 101028277B1 KR 20100048597 A KR20100048597 A KR 20100048597A KR 20100048597 A KR20100048597 A KR 20100048597A KR 101028277 B1 KR101028277 B1 KR 101028277B1
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light emitting
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강구철
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 측면에 단차를 포함하는 지지부재, 상기 지지부재 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 빛을 생성하는 발광구조물; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 전원을 공급하는 전극을 포함하고, 상기 지지부재는 상기 발광구조물이 배치되는 제1면과 상기 제1면보다 넓은 면적을 갖는 제2면을 포함한다.

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING UNIT}
실시예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛을 제공한다.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 측면에 단차를 포함하는 지지부재, 상기 지지부재 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 빛을 생성하는 발광구조물; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 전원을 공급하는 전극을 포함하고, 상기 지지부재는 상기 발광구조물이 배치되는 제1면과 상기 제1면보다 넓은 면적을 갖는 제2면을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하여 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 발광구조물의 상면에 전도성 지지부재를 형성하는 단계; 상기 발광구조물에 칩 경계 영역을 따라 아이솔레이션 에칭을 실시하여, 상기 발광구조물을 개별 발광 소자 단위로 분리하는 단계; 상기 개별 발광 소자 단위로 분리된 발광구조물들 사이로 에칭 공정을 실시하여 상기 전도성 지지부재의 적어도 일부를 제거하는 단계; 및 상기 칩 경계 영역을 따라 레이저 스크라이빙 공정을 실시하여 복수개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 분리하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및 상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 측측면에 단차를 포함하는 지지부재, 상기 지지부재 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 빛을 생성하는 발광구조물; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 전원을 공급하는 전극을 포함하고, 상기 지지부재는 상기 발광구조물이 배치되는 제1면과 상기 제1면보다 넓은 면적을 갖는 제2면을 포함한다.
실시예에 따른 라이트 유닛은 모듈 기판; 및 상기 모듈 기판 상에 탑재된 복수의 발광 소자를 포함하며, 상기 복수의 발광 소자 각각은, 측면에 단차를 포함하는 지지부재, 상기 지지부재 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 빛을 생성하는 발광구조물; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 전원을 공급하는 전극을 포함하고, 상기 지지부재는 상기 발광구조물이 배치되는 제1면과 상기 제1면보다 넓은 면적을 갖는 제2면을 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛을 제공할 수 있다.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측 단면도
도 2 내지 도 11은 도 1의 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 12는 다른 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 13 내지 도 20은 도 12의 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 21은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 측 단면도
도 22 및 도 23은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 라이트 유닛을 나타내는 도면
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛에 대해 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 측 단면도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 측면에 단차(172)를 가지는 전도성 지지부재(170)와, 상기 전도성 지지부재(170) 상에 접합층(160)과, 상기 접합층(160) 상에 반사층(150)과, 상기 반사층(150) 상면의 둘레 영역에 채널층(130)과, 상기 반사층(150) 상에 오믹층(140)과, 상기 오믹층(140) 및 상기 채널층(130) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광구조물(110)과, 상기 발광구조물(110)의 측면에 제1 패시베이션층(180)과, 상기 발광구조물(110) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 측면에 제2 패시베이션층(190)과, 상기 발광구조물(110) 상에 전극(175)을 포함할 수 있다.
상기 전도성 지지부재(170)는 상기 발광구조물(110)을 지지하며, 상기 전극(175)과 함께 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(170)는 예를 들어, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, Sic 등) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 전도성 지지부재(170)가 상기 발광구조물(110)을 지지하기 위해서, 상기 전도성 지지부재(170)는 충분한 두께, 예를 들어, 50μm 내지 500μm를 가질 수 있다.
또한, 상기 전도성 지지부재(170)의 측면에는 상기 단차(172)가 형성될 수 있다. 상기 단차(172)를 형성함으로써, 복수 개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 분리하는 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정에서 사용되는 레이저의 에너지가 상기 발광구조물(110)에 손상을 발생시키는 것을 최소화할 수 있다.
이를 위해, 상기 단차(172)는 상기 발광구조물(110)의 하면으로부터 60μm 내지 120μm의 제1 거리(h)가 이격되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 단차(172)의 상면에 상기 레이저 스크라이빙 공정에 의한 레이저의 에너지가 집중되게 되므로, 상기 단차(172)와 상기 제1 거리(h) 이격되어 있는 상기 발광구조물(110)에는 상기 레이저에 의한 충격이 적게 전해지게 된다. 이에 대해서는, 실시예에 따른 발광 소자 제조방법에서 더 자세히 후술한다.
상기 전도성 지지부재(170) 상에는 상기 접합층(160)이 형성될 수 있다. 상기 접합층(160)은 상기 전도성 지지부재(170)와 상기 반사층(150) 사이의 계면 접합력을 향상시키기 위해 형성될 수 있다.
실시예에서는 전도성 지지부재(170)를 예시로 들고 있으나 지지부재는 전도성 지지부재에만 한정되는 것은 아니며, 비전도성 지지부재가 적용될 수도 있다. 이 경우, 전기적 연결을 위하여 관통구가 지지부재 내부 또는 외부에 형성될 수도 있다. 또한, 실시예에서는 수직형 칩구조를 예시로 들고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 수평형 칩, 플립형 칩에 적용될 수도 있다.
상기 접합층(160)은 접착력이 좋은 금속 재질, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 다만, 상기 전도성 지지부재(170)를 본딩 방식이 아니라, 도금 또는 증착 방식에 의해 형성하는 경우, 상기 접합층(160)은 형성되지 않을 수도 있다.
상기 접합층(160) 상에는 상기 반사층(150)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(150)은 상기 발광구조물(110)로부터 입사되는 빛을 반사시킴으로써 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 반사층(150)은 고 반사율을 갖는 재질, 예를 들어, 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
상기 반사층(150)의 상면의 둘레 영역, 즉, 상기 반사층(150)과 상기 발광구조물(110) 사이의 둘레 영역에는 상기 채널층(130)이 형성될 수 있다. 상기 채널층(130)은 상기 발광구조물(110)과 상기 전도성 지지부재(170)가 서로 전기적으로 쇼트되는 것을 방지하고, 상기 발광구조물(110)과 상기 전도성 지지부재(170) 사이의 틈으로 수분 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 채널층(130)은 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
한편, 상기 채널층(130)은 전기 전도성을 가지면서 접착력이 좋은 금속 재질, 예를 들어, Ti, Ni, Pt, Pd, Rh, Ir, W 중 적어도 하나를 포함하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 채널층(130)은 상기 발광 구조물(110)과 상기 반사층(150) 사이의 계면이 박리되어 상기 발광 소자(100)의 신뢰성이 저하되는 현상을 최소화할 수 있다.
상기 반사층(150) 상에는 상기 오믹층(140)이 형성될 수 있다. 상기 오믹층(140)은 상기 반사층(150)과 상기 발광구조물(110) 사이의 오믹 접촉을 형성하기 위해 형성될 수 있다.
상기 오믹층(140)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, Ni, Ag 또는 Au 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.
한편, 상기 반사층(150)이 상기 발광구조물(110)과 오믹 접촉을 형성하는 경우, 상기 오믹층(140)은 형성되지 않을 수도 있다.
상기 오믹층(140)과 상기 발광구조물(110) 사이에는 전류차단층(120)이 형성될 수 있다.
상기 전류차단층(120)은 상기 전극(175)과 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 전류차단층(120)은 상기 반사층(150) 또는 상기 접합층(160)보다 전기 전도성이 낮거나, 전기 절연성을 갖거나, 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 쇼트키 접촉을 형성하는 물질을 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 , TiOx, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전류차단층(120)은 상기 전도성 지지부재(170)와 상기 전극(175) 사이의 최단 거리로 전류가 편중되어 흐르는 것을 방지하여 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 오믹층(140) 및 상기 채널층(130) 상에는 상기 발광구조물(110)이 형성될 수 있다.
상기 발광구조물(110)은 다수의 화합물 반도체층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 제2 도전형 반도체층(116), 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 활성층(114), 상기 활성층(114) 상에 제1 도전형 반도체층(112)을 포함할 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(116)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(114)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 활성층(114)은 상기 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)으로부터 제공되는 전자 및 정공의 재결합(recombination) 과정에서 발생되는 에너지에 의해 빛을 생성할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)의 상면에는 광 추출 패턴(111)이 형성될 수 있다. 상기 광 추출 패턴(111)은 랜덤한 러프니스(roughness) 형상이거나 규칙적인 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 광 추출 패턴(111)은 특정 파장대의 빛을 선택적으로 투과 또는 반사하는 광 결정(photonic crystal) 구조를 가질 수 있으며, 50nm 내지 3000nm 의 주기를 가질 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 아래에 N형 반도체층을 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 P형 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 N형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 이에 따라 상기 발광구조물(110)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합 및 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광구조물(110)의 측면에는 상기 제1 패시베이션층(180)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 패시베이션층(180)은 일단이 상기 발광구조물(110)의 상면에 배치되고, 상기 발광구조물(110)의 측면을 따라 타단이 상기 채널층(130)의 상면에 배치될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광구조물(110) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 측면에는 상기 제2 패시베이션층(190)이 형성될 수 있다. 구체적으로는, 상기 제2 패시베이션층(190)은 상기 제1 패시베이션층(180), 상기 채널층(130), 상기 반사층(140), 상기 접합층(150) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 외측에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 패시베이션층(190)의 일단(190a)은 상기 발광구조물(110)의 상면에 배치되고, 타단(190b)은 상기 발광구조물(110) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 측면을 따라 상기 전도성 지지부재(170)의 단차(172) 상에 배치될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 패시베이션층(180) 및 상기 제2 패시베이션층(190)은 상기 발광구조물(110)이 외부 전극 등과 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이때, 상기 제1,2 패시베이션층(180,190)은 서로 동일한 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해서도 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제2 패시베이션층(190)은 상기 발광구조물(110)과 상기 반사층(150) 이하의 구조들이 서로 박리되지 않도록 하는 역할도 할 수 있다.
상기 전극(175)은 상기 발광구조물(110)의 제1 도전형 반도체층(112) 상에 형성될 수 있다. 상기 전극(175)은 예를 들어, Au, Ti, Cu, Ni, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 전극(175)의 상면에는 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상의 광 추출 구조(11)가 전사되어 러프니스(176)가 형성될 수 있다.
실시예에서는 전극(175)이 발광구조물(110)의 상면에 형성되는 것을 예시로 설명하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 전극이 발광구조물의 내부에 형성되는 하이브리드 구조가 적용될 수도 있다
이하, 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 2 내지 도 11은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판(105) 상에 상기 발광구조물(110)을 형성할 수 있다.
상기 기판(105)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광구조물(110)은 상기 기판(105) 상에 상기 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 순차적으로 성장함으로써 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광구조물(110)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(112)과 상기 기판(105) 사이에는 격자 상수 차이 또는/및 열 팽창 계수 차이의 완화를 위해 버퍼층(미도시)이 더 형성될 수도 있다.
도 3을 참조하면, 상기 발광구조물(110) 상면에 상기 채널층(130) 및 상기 전류차단층(120)을 형성할 수 있다.
상기 채널층(130)은 마스크 패턴을 이용하여 개별 칩(1 chip)의 경계 영역에 형성될 수 있으며, 링 형상, 루프 형상, 프레임 형상 등으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(130)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 적어도 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
상기 전류차단층(120)은 후에 형성될 상기 전극(175)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되도록 형성될 수 있으며, 증착 또는 도금 방식에 의해 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 상기 오믹층(140)을 형성하고, 상기 오믹층(140) 및 상기 채널층(130) 상에 상기 반사층(150)을 형성할 수 있다.
상기 오믹층(140) 및 상기 반사층(150)은 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 적어도 하나의 증착 방법에 의해 형성되거나, 도금 방법에 의해 형성될 수 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5를 참조하면, 상기 반사층(150) 상에 상기 접합층(160)을 형성하고, 상기 접합층(160) 상에 상기 전도성 지지부재(170)를 형성할 수 있다.
상기 전도성 지지부재(170)는 상기 접합층(160)에 의해 견고히 본딩될 수 있다. 한편, 상기 전도성 지지부재(170)가 증착 또는 도금 방식에 의해 형성되는 경우, 상기 접합층(160)은 형성되지 않을 수도 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 기판(105)을 제거할 수 있다. 상기 기판(105)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off), 화학적 리프트 오프(Chemial Lift Off) 또는 물리적 연마 방법 중 적어도 하나의 방법에 의해 제거될 수 있다.
상기 레이저 리프트 오프(LLO)는 상기 기판(105)의 배면을 통해 레이저를 조사함으로써 상기 기판(105)과 상기 제1 도전형 반도체층(112) 사이의 계면을 박리시키는 공정이다.
상기 화학적 리프트 오프(CLO)는 에칭 용액을 사용하여 상기 기판(105)을 제거하는 공정이고, 상기 물리적 연마 방법은 상기 기판(105)을 물리적으로 연마하여 거하는 공정이다.
상기 기판(105)이 제거됨에 따라, 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 하면이 노출될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 발광구조물(110)에 칩 경계 영역(I)을 따라 아이솔레이션 에칭(Isolation Etching)을 실시하여 복수 개의 발광 소자의 발광구조물(110)을 개별 발광 소자 단위로 분리할 수 있다. 다만, 설명의 편의를 위해 도 6의 제조공정에 대해 발광 소자를 뒤집어서 설명한다.
상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각 방법에 의해 실시될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 발광구조물(110)의 측면에 상기 제1 패시베이션층(180)을 형성할 수 있다.
상기 제1 패시베이션층(180)은 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 적어도 하나의 증착 방법에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 패시베이션층(180)을 형성한 후에는 상기 제1 도전형 반도체층(112)에 상기 광 추출 패턴(111)을 형성할 수 있다. 상기 광 추출 패턴(111)은 습식 식각에 의해 랜덤한 형상을 갖도록 형성되거나, 마스크 패턴을 따라 광 결정 구조(Photonic Crystal Structure) 등을 갖도록 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 광 추출 패턴(111)은 상기 제1 패시베이션층(180)을 형성하기 이전에 미리 형성될 수도 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 9를 참조하면, 개별 발광 소자 단위로 구분된 상기 발광구조물(110)들 사이로 에칭 공정을 실시할 수 있다.
상기 에칭 공정에 의해 상기 채널층(130), 상기 반사층(150), 상기 접합층(160) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 일부가 제거되어 홈(173)이 형성되고, 상기 전도성 지지부재(170)의 측면에 상기 단차(172)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 단차(172)는 칩 경계 영역을 따라 실시예에 따른 발광 소자(100)의 둘레 영역에 형성될 수 있다.
상기 단차(172)의 상면은 상기 발광구조물(110)의 하면과 바람직하게는 상기 제1 거리(h) 이격되도록 형성될 수 있다. 상기 제1 거리(h)는 예를 들어, 60μm 내지 120μm 일 수 있다.
상기 에칭 공정은 습식 식각이나 건식 식각일 수 있으며, 바람직하게는 ICP(Inductively Coupled Plasma)를 사용한 건식 식각일 수 있다.
또한, 상기 에칭 공정이 등방성 식각인 습식 식각에 의해 이루어질 경우, 상기 채널층(130), 상기 반사층(150), 상기 접합층(160) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 측면 영역은 곡면을 이룰 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 상기 전극(175)이 형성될 수 있다. 상기 전극(175)은 도금 또는 증착되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 발광구조물(110) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 측면에는 상기 제2 패시베이션층(190)이 형성될 수 있다. 구체적으로는, 상기 제2 패시베이션층(190)은 상기 제1 패시베이션층(180), 상기 채널층(130), 상기 반사층(140), 상기 접합층(150) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 외측에 형성될 수 있다.
상기 제2 패시베이션층(190)의 일단(190a)은 상기 발광구조물(110)의 상면에 배치되고, 타단(190b)은 상기 발광구조물(110)의 측면을 따라 상기 전도성 지지부재(170)의 단차(172) 상에 배치될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 단차(172)를 따라 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정을 이용한 칩 분리 공정을 실시하여 복수 개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 분리하여, 실시예에 따른 발광 소자(100)를 제공할 수 있다.
상기 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정은 칩 경계를 따라 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 공정이다.
실시예에서는, 상기 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정을 상기 발광구조물(110)과 상기 제1 거리(h) 이격된 상기 단차(172) 상에 레이저를 조사함으로써 실시하므로, 상기 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정의 레이저 에너지에 의해 상기 발광구조물(110)이 받는 손상이 최소화될 수 있다.
또한, 상기 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정은 상기 칩 분리 공정의 속도를 빠르게 하여 제조 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.
도 12는 다른 실시예에 따른 발광 소자(100B)의 측단면도이다.
도 12를 참조하면, 상기 발광 소자(100B)는 도 1의 발광 소자(100)에 비해 채널층 및 제1 패시베이션층의 존부를 제외하고는 동일하다.
즉, 상기 발광 소자(100B)는 측면에 단차(172)를 가지는 전도성 지지부재(170)와, 상기 전도성 지지부재(170) 상에 접합층(160)과, 상기 접합층(160) 상에 반사층(150)과, 상기 반사층(150) 상에 오믹층(140)과, 상기 오믹층(140) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광구조물(110)과, 상기 발광구조물(110) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 측면에 패시베이션층(190)과, 상기 발광구조물(110) 상에 전극(175)을 포함할 수 있다.
상기 발광 소자(100B)는 채널층을 별도로 형성하지 않고, 상기 전도성 지지부재(170), 접합층(160), 반사층(150) 및 오믹층(140)을 칩 경계 영역을 따라 선택적으로 제거함으로써 제조될 수 있다.
도 13 내지 도 20은 상기 발광 소자(100B)의 제조방법을 설명하는 도면이다. 상기 발광 소자(100B)의 제조방법의 설명에 있어서, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 13을 참조하면, 기판(105) 상에 상기 발광구조물(110)을 형성할 수 있다.상기 발광구조물(110)은 상기 기판(105) 상에 상기 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 순차적으로 성장함으로써 형성할 수 있다.
도 14를 참조하면, 상기 발광구조물(110) 상면에 상기 전류차단층(120)을 형성할 수 있다.
상기 전류차단층(120)은 후에 형성될 상기 전극(175)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되도록 형성될 수 있으며, 증착 또는 도금 방식에 의해 형성될 수 있다.
도 15를 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 및 상기 전류차단층(120) 상에 상기 오믹층(140)을 형성하고, 상기 오믹층(140) 상에 상기 반사층(150)을 형성하고, 상기 반사층(150) 상에 상기 접합층(160)을 형성하고, 상기 접합층(160) 상에 상기 전도성 지지부재(170)를 형성할 수 있다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 상기 기판(105)을 제거할 수 있다. 상기 기판(105)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off), 화학적 리프트 오프(Chemial Lift Off) 또는 물리적 연마 방법 중 적어도 하나의 방법에 의해 제거될 수 있다.
도 17을 참조하면, 상기 발광구조물(110)에 칩 경계 영역(I)을 따라 아이솔레이션 에칭(Isolation Etching)을 실시하여 복수 개의 발광 소자의 발광구조물(110)을 개별 발광 소자 단위로 분리할 수 있다. 다만, 설명의 편의를 위해 도 16의 제조공정에 대해 발광 소자를 뒤집어서 설명한다.
도 18을 참조하면, 개별 발광 소자 단위로 구분된 상기 발광구조물(110)들 사이로 에칭 공정을 실시할 수 있다.
상기 에칭 공정에 의해 상기 오믹층(140), 상기 반사층(150), 상기 접합층(160) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 일부가 제거되어 홈(173)이 형성되고, 상기 전도성 지지부재(170)의 측면에 상기 단차(172)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 단차(172)는 칩 경계 영역을 따라 실시예에 따른 발광 소자(100)의 둘레 영역에 형성될 수 있다.
상기 단차(172)의 상면은 상기 발광구조물(110)의 하면과 바람직하게는 상기 제1 거리(h) 이격되도록 형성될 수 있다. 상기 제1 거리(h)는 예를 들어, 60μm 내지 120μm 일 수 있다.
상기 에칭 공정은 습식 식각이나 건식 식각일 수 있으며, 바람직하게는 ICP(Inductively Coupled Plasma)를 사용한 건식 식각일 수 있다.
또한, 상기 에칭 공정이 등방성 식각인 습식 식각에 의해 이루어질 경우, 상기 오믹층(140), 상기 반사층(150), 상기 접합층(160) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 측면 영역은 곡면을 이룰 수 있다.
도 19를 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 상기 전극(175)을 형성하고, 상기 발광구조물(110) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 측면에는 상기 패시베이션층(190)이 형성될 수 있다.
구체적으로는, 상기 제2 패시베이션층(190)은 상기 제1 패시베이션층(180), 상기 채널층(130), 상기 반사층(140), 상기 접합층(150) 및 상기 전도성 지지부재(170)의 외측에 형성될 수 있다.
상기 제2 패시베이션층(190)의 일단(190a)은 상기 발광구조물(110)의 상면에 배치되고, 타단(190b)은 상기 발광구조물(110)의 측면을 따라 상기 전도성 지지부재(170)의 단차(172) 상에 배치될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 상면에는 광 추출 구조가 형성될 수 있다.
도 20을 참조하면, 상기 단차(172)를 따라 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정을 이용한 칩 분리 공정을 실시하여 복수 개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 분리하여, 실시예에 따른 발광 소자(100)를 제공할 수 있다.
상기 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정은 칩 경계를 따라 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 공정이다.
실시예에서는, 상기 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정을 상기 발광구조물(110)과 상기 제1 거리(h) 이격된 상기 단차(172) 상에 레이저를 조사함으로써 실시하므로, 상기 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정의 레이저 에너지에 의해 상기 발광구조물(110)이 받는 손상이 최소화될 수 있다.
또한, 상기 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정은 상기 칩 분리 공정의 속도를 빠르게 하여 제조 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.
도 21은 실시예에 따른 발광 소자(100)를 포함하는 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 21을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(10)와, 상기 몸체(10)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 몸체(10)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.
상기 몸체(10)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(10) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
도 22는 실시예에 따른 발광 소자를 사용한 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 22의 백라이트 유닛은 라이트 유닛의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 22를 참조하면, 상기 백라이트 유닛은 바텀 커버(1400)와, 상기 바텀 커버(1400) 내에 배치된 광가이드 부재(1100)과, 상기 광가이드 부재(1100)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1000)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1100) 아래에는 반사시트(1300)가 배치될 수 있다.
상기 바텀 커버(1400)는 상기 광가이드 부재(1100), 상기 발광 모듈(1000) 및 상기 반사시트(1300)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 모듈(1000)은 기판과, 상기 기판에 탑재된 복수개의 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 광가이드 부재(1100)에 빛을 제공할 수 있다.
도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1000)은 상기 바텀 커버(1400)의 내측면 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1100)의 적어도 일 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.
다만, 상기 발광 모듈(1000)는 상기 바텀 커버(1400)의 밑면에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1100)을 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광가이드 부재(1100)는 상기 바텀 커버(1400) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1100)은 상기 발광 모듈(1000)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다.
상기 발광 모듈(1000)이 상기 광가이드 부재(1100)의 측면에 배치되는 경우, 상기 광가이드 부재(1100)은 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다.
상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다.
상기 발광 모듈(1000)이 상기 광가이드 부재(1100)의 하면에 배치되는 경우, 상기 광가이드 부재(1100)는 상기 도광판 또는 광학시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 광학 시트는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트 또는 휘도상승시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트는 상기 확산 시트, 집광 시트 및 휘도상승시트가 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트는 상기 발광 모듈(1000)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다.
상기 광가이드 부재(1100) 아래에는 상기 반사시트(1300)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1300)는 상기 광가이드 부재(1100)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1100)의 출사면을 향해 반사할 수 있다.
상기 반사시트(1300)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 23은 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 사용한 조명 유니트의 사시도(1100)이다. 다만, 도 23의 조명 유니트는 라이트 유닛의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 23을 참조하면, 상기 조명 유니트(1100)는 케이스몸체(1110)와, 상기 케이스몸체(1110)에 설치된 발광모듈부(1130)과, 상기 케이스몸체(1110)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1120)를 포함할 수 있다.
상기 케이스몸체(1110)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광모듈부(1130)은 기판(1132)과, 상기 기판(1132)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
상기 기판(1132)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(1132)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
상기 기판(1132) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈부(1130)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.
상기 연결 단자(1120)는 상기 발광모듈부(1130)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 8에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1120)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1120)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 발광 소자 110 : 발광구조물
112 : 제1 도전형 반도체층 114 : 활성층
116 : 제2 도전형 반도체층 120 : 전류차단층
130 : 채널층 140 : 오믹층
150 : 반사층 160 : 접합층
170 : 전도성 지지부재 172 : 단차
180 : 제1 패시베이션층 190 : 제2 패시베이션층
h : 제1 거리

Claims (17)

  1. 측면에 단차를 포함하는 지지부재;
    상기 지지부재상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 빛을 생성하는 발광구조물;
    상기 발광구조물 및 상기 지지부재 사이에, 상기 발광구조물의 하면의 둘레를 따라 형성된 채널층; 및
    상기 제1 도전형 반도체층에 전원을 공급하는 전극을 포함하고,
    상기 지지부재는 상기 발광구조물이 배치되는 제1면과 상기 제1면보다 넓은 면적을 갖는 제2면을 포함하는 발광 소자.
  2. 측면에 단차를 포함하는 지지부재;
    상기 지지부재상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 빛을 생성하는 발광구조물; 및
    상기 제1 도전형 반도체층에 전원을 공급하는 전극을 포함하고,
    상기 지지부재는 상기 발광구조물이 배치되는 제1면과 상기 제1면보다 넓은 면적을 갖는 제2면을 포함하며,
    상기 단차의 상면과 상기 발광구조물의 하면은 60μm 내지 120μm 이격된 발광 소자.
  3. 제 1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 발광구조물 및 상기 지지부재의 측면에 패시베이션층을 포함하는 발광 소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 패시베이션층의 일단은 상기 발광구조물 상에 배치되고, 타단은 상기 발광구조물 및 상기 지지부재의 측면을 따라 상기 단차 상에 배치되는 발광 소자.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 패시베이션층은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 발광 소자.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 채널층은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 발광 소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 채널층은 Ti, Ni, Pt, Pd, Rh, Ir, W 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 발광 소자.
  9. 제 1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 발광구조물 및 상기 지지부재 사이에 오믹층 및 반사층 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  10. 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하여 발광구조물을 형성하는 단계;
    상기 발광구조물의 상면에 지지부재를 형성하는 단계;
    상기 발광구조물에 칩 경계 영역을 따라 아이솔레이션 에칭을 실시하여, 상기 발광구조물을 개별 발광 소자 단위로 분리하는 단계;
    상기 개별 발광 소자 단위로 분리된 발광구조물들 사이로 에칭 공정을 실시하여 상기 지지부재의 적어도 일부를 제거하는 단계; 및
    상기 칩 경계 영역을 따라 레이저 스크라이빙 공정을 실시하여 복수개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 분리하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 아이솔레이션 에칭을 실시한 이후에,
    상기 발광구조물의 측면에 제1 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 지지부재의 적어도 일부를 제거하는 단계 이후에,
    상기 발광구조물 및 상기 지지부재의 측면에 제2 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 레이저 스크라이빙 공정을 실시한 이후, 상기 지지부재의 측면에 단차가 형성되며, 상기 단차의 상면과 상기 발광구조물의 하면은 60μm 내지 120μm 이격된 발광 소자 제조방법.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 지지부재의 적어도 일부를 제거하는 상기 에칭 공정은 ICP(Inductively Coupled Plasma)를 사용하는 발광 소자 제조방법.
  15. 제 10항에 있어서,
    상기 발광구조물을 형성한 이후에,
    상기 발광구조물 상에 반사층 및 오믹층 중 적어도 하나를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  16. 몸체;
    상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및
    상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광 소자를 포함하며,
    상기 발광 소자는 측면에 단차를 포함하는 지지부재, 상기 지지부재 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 빛을 생성하는 발광구조물; 상기 발광구조물 및 상기 지지부재 사이에, 상기 발광구조물의 하면의 둘레를 따라 형성된 채널층; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 전원을 공급하는 전극을 포함하고, 상기 지지부재는 상기 발광구조물이 배치되는 제1면과 상기 제1면보다 넓은 면적을 갖는 제2면을 포함하는 발광 소자 패키지.
  17. 모듈 기판; 및
    상기 모듈 기판 상에 탑재된 복수의 발광 소자를 포함하며,
    상기 복수의 발광 소자 각각은,
    측면에 단차를 포함하는 지지부재, 상기 지지부재 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 빛을 생성하는 발광구조물; 상기 발광구조물 및 상기 지지부재 사이에, 상기 발광구조물의 하면의 둘레를 따라 형성된 채널층; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 전원을 공급하는 전극을 포함하고, 상기 지지부재는 상기 발광구조물이 배치되는 제1면과 상기 제1면보다 넓은 면적을 갖는 제2면을 포함하는 라이트 유닛.
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