KR101024253B1 - Delayed fixed loop circuit and its driving method - Google Patents
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Abstract
듀티비를 보정할 수 있는 지연고정루프회로에 관한 기술이 개시된다. 이러한 기술에 따르면, 동작 제어신호에 응답해 비교신호 및 감지신호 중 하나를 선택해 지연 제어신호로 출력하는 공통제어부; 상기 지연 제어신호에 응답해 외부클럭을 지연시켜 제1 및 제2내부클럭을 출력하되, 상기 동작 제어신호의 인에이블 구간에서만 상기 제1내부클럭의 지연량을 조절하는 지연부; 상기 외부클럭 및 피드백클럭의 위상을 비교하여 상기 비교신호를 출력하는 위상비교부; 상기 제1내부클럭을 입력받아 상기 피드백클럭을 출력하는 레플리카부; 및 상기 제1 및 제2내부클럭의 지연량의 차이에 따라 상기 제1 및 제2내부클럭의 듀티비를 보정해 제1 및 제2보정 내부클럭을 출력하며, 상기 제1 및 제2보정 내부클럭의 듀티비를 감지하여 상기 감지신호를 출력하는 듀티비 보정회로부를 포함한다.
듀티비, 락킹, 피드백클럭
A technique related to a delay locked loop circuit capable of correcting a duty ratio is disclosed. According to this technique, the common control unit for selecting one of the comparison signal and the detection signal in response to the operation control signal and outputs the delay control signal; A delay unit delaying an external clock in response to the delay control signal to output first and second internal clocks, and controlling a delay amount of the first internal clock only in an enable period of the operation control signal; A phase comparator for comparing the phases of the external clock and the feedback clock to output the comparison signal; A replica unit configured to receive the first internal clock and output the feedback clock; And correcting the duty ratios of the first and second internal clocks according to the difference between the delay amounts of the first and second internal clocks to output the first and second corrected internal clocks, and the first and second compensation internal clocks. And a duty ratio correction circuit configured to detect a duty ratio of a clock and output the detection signal.
Duty ratio, locking, feedback clock
Description
본 발명은 지연고정루프회로 및 그 구동방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 듀티비를 보정할 수 있는 지연고정루프회로 및 그 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to a delay locked loop circuit and a driving method thereof, and more particularly, to a delay locked loop circuit capable of correcting a duty ratio and a driving method thereof.
도 1은 종래의 듀티비를 보정하는 지연고정루프회로의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a delay locked loop circuit for correcting a duty ratio in the related art.
도 1에 도시된 바와 같이 종래의 지연고정루프회로는 지연고정부(101) 및 듀티비 보정회로부(115)로 구성된다.As shown in FIG. 1, the conventional delay lock loop circuit includes a
지연고정부(101)는 외부클럭(EXT_CLK)을 지연시켜 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)을 출력한다. 지연고정부(101)는 듀티비 보정회로부(115)의 듀티비 보정동작을 위해 제2내부클럭(CLK_OUT2)을 더 출력한다. 듀티비 보정회로부(115)는 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 소정 에지에 응답해 인에이블 또는 디스에이블되며 듀티비가 50:50인 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)을 출력한다. 여기서, 클럭 또는 신호가 인에이블 또는 디스에이블된다는 것은 하이 또는 로우의 논리레벨 상태가 된다는 것으로 설계에 따라 논리레벨은 변경될 수 있다.The
듀티비 보정회로부(115)의 동작을 도 2를 참조해 자세히 설명하기로 한다.The operation of the duty
도 2는 듀티비 보정회로부(115)의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이 듀티비 보정회로부(115)는 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 라이징 에지(rising edge)에 응답해 하이로 인에이블되고 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 라이징 에지에 응답해 로우로 디스에이블되는 제1보정 내부클럭(CLK_CC1)을 출력한다. 그리고 듀티비 보정회로부(115)는 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 라이징 에지에 응답해 로우로 디스에이블되고 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 라이징 에지에 응답해 하이로 인에이블되는 제2보정 내부클럭(CLK_CC2)을 출력한다.2 is a diagram for describing an operation of the duty
지연고정부(101)는 외부클럭(EXT_CLK)을 반전시켜 제2내부클럭(CLK_OUT2)을 출력하며 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 듀티비에 따라 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 지연량을 조절한다. The
도시된 바와 같이, 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 하이레벨 구간이 로우레벨 구간보다 좁을 경우 지연고정부(101)는 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 지연량을 증가시킨다. 따라서 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 증가된 지연량(DD)만큼 제1보정 내부클럭(CLK_CC1)의 하이레벨 구간은 증가하며 로우레벨 구간은 감소하며, 제2보정 내부클럭(CLK_CC2)의 로우레벨 구간은 증가하며 하이레벨 구간은 감소한다.As illustrated, when the high level section of the first internal clock CLK_OUT1 is narrower than the low level section, the
결국, 듀티비 보정회로부(115)는 50:50의 듀티비의 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)을 출력할 수 있다. As a result, the duty
다시 도 1로 돌아와 지연고정부(101) 및 듀티비 보정회로부(115)에 대해 보다 자세히 설명하면, 지연고정부(101)는 위상비교부(103), 제1 및 제2지연제어부(105, 109), 제1 및 제2지연부(107, 111) 및 레플리카부(113)로 구성된다. 그리고 듀티비 보정회로부(115)는 듀티비 보정부(117) 및 듀티비 감지부(119)로 구성된다.Returning to FIG. 1 again, the
위상비교부(103)는 외부클럭(EXT_CLK)과 레플리카부(113)로부터 출력되는 피드백클럭(FB_CLK)의 위상을 비교하고 외부클럭(EXT_CLK)과 피드백클럭(FB_CLK)의 위상차에 대한 정보를 포함하는 비교신호(CMP)를 출력한다. 레플리카부(113)에는 반도체 장치 내부의 클럭 지연성분이 모델링되어 있으며 레플리카부(113)는 제1보정 내부클럭(CLK_CC1)을 입력받아 피드백클럭(FB_CLK)을 출력한다. The
제1 및 제2지연제어부(105, 109) 각각은 비교신호(CMP) 및 듀티비 감지부(119)가 출력하는 감지신호(DCC)에 응답해 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 지연량을 조절하는 제1 및 제2지연 제어신호(DD_CTRL1, DD_CTRL2)를 출력한다. 감지신호(DCC)는 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비에 대한 정보를 포함한다.Each of the first and
제1 및 제2지연부(107, 111) 각각은 제1 및 제2지연 제어신호(DD_CTRL1, DD_CTRL2)에 응답해 외부클럭(EXT_CLK)을 지연시켜 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)을 출력한다. 제2지연부(109)의 출력단의 버블은 반전을 의미하며, 상기된 바와 같이 제2지연부(111)는 외부클럭(EXT_CLK)을 반전시켜 출력한다. Each of the first and
제1보정 내부클럭(CLK_CC1)은 레플리카부(113)로 입력되며 상기의 과정이 반복되어 피드백클럭(FB_CLK)과 외부클럭(EXT_CLK)의 위상이 일치되면 지연고정(locking)된다.The first compensation inner clock CLK_CC1 is input to the
한편, 제1 및 제2지연제어부(105, 109) 각각은 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)를 디코딩하여 제1 및 제2지연 제어신호(DD_CTRL1, DD_CTRL2) 각각을 출력한다. Meanwhile, each of the first and second
예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 지연량이 증가되어야 듀티비가 50:50으로 보정되는 경우, 제2지연 제어부(109)는 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 지연량이 증가될 수 있도록 제2지연 제어신호(DD_CTRL2)를 출력한다. 이 때 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 지연량이 증가하지 않아야 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비가 보정될 수 있으므로 제1지연제어부(105)는 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 지연량이 증가되지 않도록 제1지연 제어신호(DD_CTRL1)를 출력한다.For example, when the duty ratio is corrected to 50:50 only when the delay amount of the second internal clock CLK_OUT2 is increased as illustrated in FIG. 2, the second
즉, 제1 및 제2지연제어부(105, 109) 각각은 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)를 디코딩하여 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 지연량의 조절 여부를 결정함으로써 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비가 효과적으로 보정될 수 있도록 한다.That is, each of the first and
한편, 도면에 도시되지는 않았지만 지연고정부(101)는 순차적으로 인에이블되는 다수의 펄스신호를 생성하는 펄스생성부를 더 포함할 수 있다. 지연고정부(101)는 상기 순차적으로 인에이블되는 다수의 펄스신호에 응답해 위상을 비교하고 지연량을 조절하는 일련의 지연고정 동작을 순차적으로 수행한다. 즉, 상기 다 수의 펄스신호 중 제2펄스신호가 인에이블될 때 위상 비교 결과가 반영된 비교신호(CMP)가 출력되고 상기 제2펄스신호보다 늦게 인에이블되는 제7펄스신호가 인에이블될 때 디코딩 결과가 반영된 제1 및 제2지연 제어신호(DD_CTRL1, DD_CTRL2)가 출력될 수 있다. Although not shown in the drawing, the
상기된 바와 같이 제1 및 제2지연제어부(105, 109)는 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)를 디코딩하여 제1 및 제2지연 제어신호(DD_CTRL1, DD_CTRL2)를 생성하는데, 디코딩을 하기 위해서는 일반적으로 다수의 논리소자가 사용되므로 디코딩 과정에서 소정 지연이 발생한다. 그리고 상기 소정 지연은 지연고정루프회로의 지연고정 동작을 지연시킨다. 즉, 지연고정 동작은 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)의 디코딩이 수차례 수행되며 진행되는 것이므로 종래의 지연고정루프회로의 경우 상기 소정 지연이 누적되어 지연고정 동작이 지연될 수 있는 문제가 있다.As described above, the first and second
또한 제1 및 제2지연제어부(105, 109) 각각은 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)를 입력받아 디코딩하되, 서로 다른 디코딩 결과로서 제1 및 제2지연 제어신호(DD_CTRL1, DD_CTRL2)를 출력하므로 제1 및 제2지연제어부(105, 109)의 회로 구성에 차이가 있다. 그리고 제1 및 제2지연제어부(105, 109)의 회로 구성의 차이는 제1 및 제2지연제어부(105, 109)의 디코딩 과정에서 발생하는 소정 지연의 차이를 유발한다. 따라서 제1 및 제2지연 제어신호(DD_CTRL1, DD_CTRL2) 각각에 디코딩 결과가 반영되기까지 시간차가 존재한다.In addition, each of the first and second
예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제7펄스신호가 인에이블될 때 디코딩 결 과가 반영된 제1 및 제2지연 제어신호(DD_CTRL1, DD_CTRL2)가 출력되도록 지연고정루프회로가 구성되는 경우, 디코딩 결과가 반영되지 못한 지연 제어신호가 출력될 수 있다. 즉, 제2지연 제어신호(DD_CTRL2)에 디코딩 결과가 반영되기까지의 시간이 더 긴 경우 제2지연 제어신호(DD_CTRL2)는 디코딩 결과를 반영하지 못한 채 출력될 수 있으며, 지연고정루프회로는 오작동할 수 있다. For example, as shown in FIG. 3, when the seventh pulse signal is enabled, a delay locked loop circuit is configured such that the first and second delay control signals DD_CTRL1 and DD_CTRL2 reflecting the decoding result are output. The delay control signal to which the decoding result is not reflected may be output. That is, when the time until the decoding result is reflected in the second delay control signal DD_CTRL2 is longer, the second delay control signal DD_CTRL2 may be output without reflecting the decoding result, and the delay locked loop circuit may malfunction. can do.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 동작 속도가 개선되고 오작동을 방지할 수 있는 지연고정루프회로 및 지연고정루프회로 구동방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object thereof is to provide a delayed fixed loop circuit and a delayed fixed loop circuit driving method capable of improving an operation speed and preventing a malfunction.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 동작 제어신호에 응답해 비교신호 및 감지신호 중 하나를 선택해 지연 제어신호로 출력하는 공통제어부; 상기 지연 제어신호에 응답해 외부클럭을 지연시켜 제1 및 제2내부클럭을 출력하되, 상기 동작 제어신호의 인에이블 구간에서만 상기 제1내부클럭의 지연량을 조절하는 지연부; 상기 외부클럭 및 피드백클럭의 위상을 비교하여 상기 비교신호를 출력하는 위상비교부; 상기 제1내부클럭을 입력받아 상기 피드백클럭을 출력하는 레플리카부; 및 상기 제1 및 제2내부클럭의 지연량의 차이에 따라 상기 제1 및 제2내부클럭의 듀티비를 보정해 제1 및 제2보정 내부클럭을 출력하며, 상기 제1 및 제2보정 내부클럭의 듀티비를 감지하여 상기 감지신호를 출력하는 듀티비 보정회로부를 포함하는 지연고정루프회로를 제공한다.The present invention for achieving the above object is a common control unit for selecting one of the comparison signal and the detection signal in response to the operation control signal and outputting the delay control signal; A delay unit delaying an external clock in response to the delay control signal to output first and second internal clocks, and controlling a delay amount of the first internal clock only in an enable period of the operation control signal; A phase comparator for comparing the phases of the external clock and the feedback clock to output the comparison signal; A replica unit configured to receive the first internal clock and output the feedback clock; And correcting the duty ratios of the first and second internal clocks according to the difference between the delay amounts of the first and second internal clocks to output the first and second corrected internal clocks, and the first and second compensation internal clocks. A delay locked loop circuit including a duty ratio correction circuit unit configured to detect a duty ratio of a clock and output the detected signal.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 동작 제어신호에 응답해 비교신호 및 감지신호 중 하나를 선택해 지연 제어신호로 출력하는 단계; 상기 지연 제어신호에 응답해 외부클럭을 지연시켜 제2내부클럭을 출력하는 단계; 상기 동작 제 어신호의 인에이블 구간에서만 상기 외부클럭을 지연시켜 제1내부클럭을 출력하는 단계; 상기 외부클럭 및 피드백클럭의 위상을 비교하여 상기 비교신호를 출력하는 단계; 상기 제1내부클럭을 입력받아 상기 피드백클럭을 출력하는 단계; 상기 제1 및 제2내부클럭의 지연량의 차이에 따라 상기 제1 및 제2내부클럭의 듀티비를 보정해 제1 및 제2보정 내부클럭을 출력하는 단계; 및 상기 제1 및 제2보정 내부클럭의 듀티비를 감지하여 상기 감지신호를 출력하는 단계를 포함하는 지연고정루프회로 구동방법을 제공한다.In addition, the present invention for achieving the above object comprises the steps of selecting one of the comparison signal and the detection signal in response to the operation control signal and outputting the delay control signal; Outputting a second internal clock by delaying an external clock in response to the delay control signal; Outputting a first internal clock by delaying the external clock only in an enable period of the operation control signal; Outputting the comparison signal by comparing phases of the external clock and the feedback clock; Receiving the first internal clock and outputting the feedback clock; Outputting first and second corrected internal clocks by correcting a duty ratio of the first and second internal clocks according to a difference between the delay amounts of the first and second internal clocks; And sensing the duty ratios of the first and second correction internal clocks and outputting the detection signals.
본 발명에 따르면, 지연고정 동작과 듀티비 보정동작이 상호 배타적으로 수행되도록하기 위한 디코딩 과정없이 소정 제어신호에 따라 지연고정 동작과 듀티비 보정동작을 상호 배타적으로 수행할 수 있다. 따라서 지연고정루프회로의 동작 속도가 증가되며 디코딩 과정의 지연차이에 의한 오작동이 방지될 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the delay fixing operation and the duty ratio correction operation may be mutually exclusively performed according to a predetermined control signal without a decoding process for performing the delay fixing operation and the duty ratio correction operation exclusively. Therefore, the operation speed of the delay locked loop circuit is increased, and there is an effect that a malfunction due to the delay difference of the decoding process can be prevented.
이하 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 지연고정루프회로를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a delay locked loop circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 지연고정루프회로는 동작 제어신호(OP_CTRL)에 응답해 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC) 중 하나를 지연 제어신호(DD_CTRL)로 출력하는 공통제어부(403); 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 외부클럭(EXT_CLK)을 지연시켜 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)을 출력하되, 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에서만 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 지연량을 조절하는 지연부(405); 외부클럭(EXT_CLK) 및 피드백클럭(FB_CLK)의 위상을 비교하여 비교신호(CMP)를 출력하는 위상비교부(401); 제1내부클럭(CLK_OUT1)을 입력받아 피드백클럭(FB_CLK)을 출력하는 레플리카부(407); 및 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 지연량의 차이에 따라 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 듀티비를 보정해 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)을 출력하며, 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비를 감지하여 감지신호(DCC)를 출력하는 듀티비 보정회로부(409)를 포함한다.As shown in FIG. 4, the delay lock loop circuit according to the present invention outputs one of the comparison signal CMP and the detection signal DCC as a delay control signal DD_CTRL in response to the operation control signal OP_CTRL. (403); In response to the delay control signal DD_CTRL, the external clock EXT_CLK is delayed to output the first and second internal clocks CLK_OUT1 and CLK_OUT2, but only in the enable period of the operation control signal OP_CTRL. A
도 4에서는 동작 제어신호(OP_CTRL)가 소정 주기로 토글하는 클럭인 경우가 일실시예로서 설명된다.In FIG. 4, the case where the operation control signal OP_CTRL is a clock that toggles at a predetermined period is described as an embodiment.
위상비교부(401)는 외부클럭(EXT_CLK)과 레플리카부(407)로부터 출력되는 피드백클럭(FB_CLK)의 위상을 비교하고 외부클럭(EXT_CLK)과 피드백클럭(FB_CLK)의 위상차에 대한 정보를 포함하는 비교신호(CMP)를 공통 제어부(403)로 출력한다. 레플리카부(407)에는 반도체 장치 내부의 클럭 지연성분이 모델링되어 있으며 레플리카부(407)는 제1보정 내부클럭(CLK_CC1)을 입력받아 피드백클럭(FB_CLK)을 출력한 다. The
그리고 듀티비 보정회로부(409)는 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)을 피드백받아 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비를 감지하고, 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)에 대한 듀티비 정보를 포함하는 감지신호(DCC)를 공통 제어부(403)로 출력한다.The duty
공통 제어부(403)는 동작 제어신호(OP_CTRL)에 응답해 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC) 중 하나를 지연 제어신호(DD_CTRL)로 출력한다. 즉, 공통 제어부(403)는 종래의 제1 및 제2지연 제어부(105, 109)와 달리 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)를 디코딩하는 것이 아니라 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에 비교신호(CMP)를 선택하고 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에 감지신호(DCC)를 선택하여 지연 제어신호(DD_CTRL)로 출력한다. 따라서 공통 제어부(403)에서는 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)를 디코딩하는데 발생하는 소정 시간이 감소될 수 있다. The
그리고 공통 제어부(403)가 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC) 중 하나를 지연 제어신호(DD_CTRL)로 출력하는 것과 대응되도록 지연부(405) 및 듀티비 보정회로부(409) 역시 동작하며 이하 지연부(405) 및 듀티비 보정회로부(409)에 대해 설명한다.The
지연부(405)는 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 외부클럭(EXT_CLK)을 지연시켜 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)을 출력하되, 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 지연량은 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에서만 조절하고 제2내부클 럭(CLK_OUT2)의 지연량은 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간과 무관하게 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 조절한다. 즉, 제1내부클럭(CLK_OUT1)은 비교신호(CMP)에 응답해서만 지연량이 조절되고 제2내부클럭(CLK_OUT2)은 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)에 응답해 지연량이 조절된다.The
상기된 바와 같이, 제2내부클럭(CLK_OUT2)은 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 듀티비 보정을 위해 사용되는 클럭으로서, 지연부(405)는 감지신호(DCC)가 지연 제어신호(DD_CTRL)로 출력되는 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서 제2내부클럭(CLK_OUT2)만 지연시킨다. 따라서 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 듀티비가 보정되어 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)이 출력될 때, 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 지연량 조절에 의해 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 듀티비가 조절되지 않는 것이 방지될 수 있다.As described above, the second internal clock CLK_OUT2 is a clock used to correct the duty ratio of the first internal clock CLK_OUT1, and the
듀티비 보정회로부(409)는 듀티비 보정부(411) 및 듀티비 감지부(413)를 포함한다.The duty
듀티비 보정부(411)는 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 소정 에지에 응답해 인에이블되고 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 상기 소정 에지에 응답해 디스에이블되는 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)을 출력한다. 여기서 상기 소정 에지는 라이징 에지 또는 폴링 에지일 수 있다. 이하 상기 소정 에지가 라이징 에지인 경우가 일실시예로서 설명된다.The
지연부(405)는 외부클럭(EXT_CLK)을 반전시켜 제2내부클럭(CLK_OUT2)을 출력하기 때문에 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 라이징 에지부터 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 라이징 에지까지가 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 인에이블 구간 또는 디스에이블 구간이 된다. 따라서 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 지연량에 따라 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 인에이블 구간 또는 디스에이블 구간의 폭이 조절되며 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비가 보정된다.Since the
듀티비 감지부(413)는 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)을 피드백받아 감지신호(DCC)를 출력한다. 듀티비 감지부(413)는 일실시예로서 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비에 따라 충방전되는 차지펌프를 이용하여 감지신호(DCC)를 생성할 수 있다. The
듀티비 감지부(413)는 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에서 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비에 따라 충방전되며 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비를 감지한다. 그리고 듀티비 감지부(413)는 동작 제어클럭(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서 감지결과에 따른 감지신호(DCC)를 생성한다. 따라서 지연부(405)는 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서 감지신호(DCC)로부터 생성된 지연 제어클럭(DD_CTRL)에 응답해 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 지연량을 조절할 수 있다. 감지신호(DCC)는 동작 제어신호(OP_CTRL)가 디스에이블되는 시점에 생성되는 것이 바람직하다. 듀티비 감지부(413)에 대한 보다 자세한 설명은 도 5에서 후술된다.The
제1보정 내부클럭(CLK_CC1)은 레플리카부(407)로 입력되며 상기의 과정이 반복되어 피드백클럭(FB_CLK)과 외부클럭(EXT_CLK)의 위상이 일치되면 지연고정(locking)된다. 그리고 듀티비가 50:50인 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)이 생성된다.The first compensation inner clock CLK_CC1 is input to the
정리하면, 공통 제어부(403)는 별도의 디코딩없이 동작 제어신호(OP_CTRL)에 응답해 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC) 중 하나를 지연 제어신호(DD_CTRL)로 출력한다. 그리고 지연부(405) 역시 동작 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 제1내부클럭(CLK_OUT1)은 비교신호(CMP)에 의한 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 생성하며, 제2내부클럭(CLK_OUT2)은 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)에 의한 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 생성한다. 또한 듀티비 감지부(413)는 공통 제어부(403)가 비교신호(CMP)를 지연 제어신호(DD_CTRL)로 출력할 때에는 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비를 감지하고 공통 제어부(403)가 감지신호(DCC)를 지연 제어신호(DD_CTRL)로 출력할 때에는 감지신호(DCC)를 출력한다.In summary, the
즉, 본 발명에 따른 지연고정루프회로는 디코딩 없이 종래의 문제점인 제1 및 제2지연 제어부(105, 111)의 디코딩에 의한 지연발생 없이 지연고정 동작과 듀티비 보정동작을 수행할 수 있다. That is, the delay lock loop according to the present invention can perform the delay lock operation and the duty ratio correction operation without the delay caused by the decoding of the first and
한편, 본 발명에 따른 지연고정루프회로는 전술된 펄스생성부(미도시)를 더 포함해 구성될 수 있다. 이 경우 본 발명에 따른 지연고정루프회로는 상기 펄스생성부가 생성하는 순차적으로 인에이블되는 다수의 펄스신호에 응답해 지연고정 동작 및 듀티비 보정동작을 수행한다. 즉, 본 발명에 따른 지연고정루프회로는 순차적으로 인에이블되는 다수의 펄스신호에 응답해, 순차적으로 외부클럭(EXT_CLK)과 피드백클럭(FB_CLK)의 위상을 비교하고 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)을 출력하고 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)을 출력한다.On the other hand, the delay locked loop circuit according to the present invention may be configured to further include the above-described pulse generator (not shown). In this case, the delay lock loop according to the present invention performs a delay lock operation and a duty ratio correction operation in response to a plurality of sequentially enabled pulse signals generated by the pulse generator. That is, the delay locked loop circuit according to the present invention sequentially compares the phases of the external clock EXT_CLK and the feedback clock FB_CLK in response to a plurality of pulse signals that are sequentially enabled, and performs first and second internal clocks. CLK_OUT1 and CLK_OUT2 are output, and the first and second correction internal clocks CLK_CC1 and CLK_CC2 are output.
이 때 상기 다수의 펄스신호의 1주기동안 지연고정 동작 및 듀티비 보정동작이 수행되므로 동작 제어신호(OP_CTRL)는 상기 다수의 펄스신호 중 첫번째 펄스신호에 동기되어 인에이블, 디스에이블되는 것이 바람직하다. In this case, since the delay lock operation and the duty ratio correction operation are performed for one period of the plurality of pulse signals, it is preferable that the operation control signal OP_CTRL is enabled and disabled in synchronization with the first pulse signal of the plurality of pulse signals. .
본 발명에 따른 지연고정루프회로가 상기 펄스생성부를 포함해 동작하는 경우, 종래 기술과 같이 발생시점에 차이가 있을 수 있는 제1 및 제2지연 제어신호(DD_CTRL1, DD_CTRL2)를 생성하지 않고, 지연 제어신호(DD_CTRL)만을 생성하므로 오작동이 방지될 수 있다.When the delay locked loop circuit according to the present invention operates with the pulse generator, the delay is performed without generating the first and second delay control signals DD_CTRL1 and DD_CTRL2, which may have a difference in time of occurrence as in the prior art. Since only the control signal DD_CTRL is generated, a malfunction may be prevented.
도 5는 도 4의 지연부(405)의 상세 구성도이다.FIG. 5 is a detailed configuration diagram of the
도 5에 도시된 바와 같이, 지연부(405)는 제1쉬프트 레지스터(501), 제1지연라인(503), 제2쉬프트 레지스터(505) 및 제2지연라인(507)을 포함한다.As shown in FIG. 5, the
제1쉬프트 레지스터(501)는 지연 제어신호(DD_CTRL) 및 동작 제어신호(OP_CTRL)에 응답해 다수의 비트신호로 구성된 제1제어코드(CODE_1<1:N>)를 제1지연라인(503)으로 출력한다. 제1지연라인(503)은 제1제어코드(CODE_1<1:N>)에 응답해 외부클럭(EXT_CLK)을 지연시켜 제1내부클럭(CLK_OUT1)을 출력한다.The
제1쉬프트 레지스터(501)는 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 제1제어코드(CODE_1<1:N>)의 값을 조절하되, 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서는 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답하지 않고 제1제어코드(CODE_1<1:N>)의 값을 유지한다. 즉, 제1제어코드(CODE_1<1:N>)는 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에서는 지연 제어신호(DD_CTRL)에 따라 '001', '011', '111'과 같이 코드값이 변한 다. 그리고 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서는 제어코드(CODE_1<1:N>)가 이전 코드값을 유지하여 지연 제어신호(DD_CTRL)에 따라 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 지연량이 조절되지 않는다.The
제1지연라인(503)은 외부클럭(EXT_CLK)을 입력받으며, 직렬 연결된 다수의 지연유닛으로 구성된다. 상기 지연유닛은 입력신호를 소정 지연량만큼 지연시켜 출력한다. 제1제어코드(CODE_1<1:N>)에 따라 외부클럭(EXT_CLK)이 통과하는 지연유닛의 수가 가변되며, 따라서 제1제어코드(CODE_1<1:N>)에 따라 제1내부클럭(CLK_OUT1)의 지연량은 조절된다.The
제2쉬프트 레지스터(505)는 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 다수의 비트신호로 구성된 제2제어코드(CODE_2<1:N>)를 제2지연라인(507)로 출력하며, 제2지연라인(507)은 제2제어코드(CODE_2<1:N>)에 응답해 외부클럭(EXT_CLK)을 지연시켜 제2내부클럭(CLK_OUT2)을 출력한다. The
제2내부클럭(CLK_OUT2)은 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서도 지연량이 조절되므로 제2쉬프트 레지스터(505)는 동작 제어신호(OP_CTRL)에 응답하지 않는다.Since the second internal clock CLK_OUT2 adjusts the delay amount even in the disable period of the operation control signal OP_CTRL, the
제2지연라인(507) 역시 직렬 연결된 다수의 지연유닛으로 구성되며, 제2제어코드(CODE_2<1:N>)에 따라 외부클럭(EXT_CLK)을 지연시켜 제2내부클럭(CLK_OUT2)을 출력한다. 제2지연라인(507) 출력단의 버블은 반전을 의미하는 것으로 전술된 바와 같이 제2내부클럭(CLK_OUT2)은 외부클럭(EXT_CLK)이 반전되어 생성된다.The
한편, 도 7에서 후술되지만 듀티비 감지부(413)는 감지 인에이블 신 호(DCC_EN)에 응답해 감지동작을 시작하도록 구성될 수 있으며, 이 경우 제2쉬프트 레지스터(505)는 제2쉬프트 레지스터 제어신호(SHIFT_CTRL)에 응답해 동작할 수 있다. Meanwhile, as will be described later with reference to FIG. 7, the duty
도 6은 도 4의 듀티비 감지부(413)의 상세 구성도이다.FIG. 6 is a detailed configuration diagram of the
도 6에서는 듀티비 감지부(413)가 감지 인에이블 신호(DCC)에 응답해 동작을 시작하는 경우가 일실시예로서 설명된다.In FIG. 6, an example in which the
듀티비 감지부(413)는 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비에 따라 충방전되며, 서로 다른 논리레벨로 천이하는 제1 및 제2천이신호(INC, DEC)를 생성한다. 그리고 듀티비 감지부(413)가 포함하는 비교기(미도시)는 제1 및 제2천이신호(INC, DEC)의 논리레벨 차이를 감지해 감지신호(DCC)를 출력한다. 즉, 상기 비교기는 제1 및 제2천이신호(INC, DEC) 중 어느 것의 논리레벨이 더 높은지에 따라 감지신호(DCC)를 출력한다.The
감지 인에이블 신호(DCC_EN)가 하이로 인에이블되면 제2 및 제4엔모스 트랜지스터(603, 607)가 턴온되어 전류 패스(path)가 형성되므로 듀티비 감지부(413)가 동작을 시작할 수 있다.When the sensing enable signal DCC_EN is enabled high, since the second and
감지 인에이블 신호(DCC_EN)가 로우로 디스에이블된 상태에서, 전원전압(VDD)에 의해 제1 및 제2커패시터(609, 611)에 전하가 충전되므로 제1 및 제2천이신호(INC, DEC)의 논리레벨은 하이 상태이다. 이후 감지 인에이블 신호(DCC_EN)가 하이로 인에이블되면 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비에 따라 제1 및 제3엔모스 트랜지스터(601, 605)가 턴온되는 시간에 차이가 발생한다. 하이레벨 구간의 폭이 로우레벨 구간의 폭보다 넓은 보정 내부클럭을 입력받는 엔모스 트랜지스터는 턴온시간이 턴오프시간보다 길어지고 따라서 커패시터에 충전된 전하가 방전된다. Since the charge is charged to the first and
예를 들어 제1보정 내부클럭(CLK_CC1)의 하이레벨 구간의 폭이 로우레벨 구간의 폭보다 좁은 경우 제2보정 내부클럭(CLK_CC2)의 하이레벨 구간의 폭은 로우레벨 구간의 폭보다 넓다. 따라서 제1커패시터(609)에는 전하가 충전되어 제1천이신호(INC)가 하이레벨로 천이하며, 제2커패시터(611)에서는 전하가 방전되어 제2천이신호(DEC)가 로우레벨로 천이한다.For example, when the width of the high level section of the first compensation inner clock CLK_CC1 is narrower than the width of the low level section, the width of the high level section of the second compensation inner clock CLK_CC2 is wider than the width of the low level section. Accordingly, charge is charged in the
동작 제어신호(OP_CTRL)가 로우로 디스에이블되면 리셋 스위치(613)가 턴온되고 제1커패시터(609)와 제2커패시터(611)가 병렬 연결되어 제1 및 제2천이신호(INC, DEC)의 논리레벨이 동일해진다. 즉, 제1 및 제2천이신호(INC, DEC)가 리셋된다. 그리고 동작 제어신호(OP_CTRL)가 하이로 인에이블되면 리셋 스위치(613)가 턴오프되어 제1 및 제2커패시터(609, 611)의 충방전에 따라 제1 및 제2천이신호(INC, DEC)가 천이한다.When the operation control signal OP_CTRL is disabled, the
결국, 듀티비 감지부(413)는 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비를 감지하고, 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비에 따라 천이하는 제1 및 제2천이신호(INC, DEC)를 출력한다. 그리고 듀티비 감지부(413)는 동작 제어신호(OP_CTRL)가 디스에이블되는 시점에 듀티비 감지 결과가 반영된 감지신호(DCC)를 출력한다.As a result, the
도 7은 도 4의 공통 제어부(403)의 상세 구성도이다.7 is a detailed configuration diagram of the
도 7에 도시된 바와 같이, 공통 제어부(403)는 선택수단(701) 및 제2쉬프터 레지스터 제어수단(703)을 포함한다.As shown in FIG. 7, the
선택수단(701)은 동작 제어신호(OP_CTRL)에 따라 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC) 중 하나를 선택해 지연 제어신호(DD_CTRL)로 출력한다.The selecting means 701 selects one of the comparison signal CMP and the detection signal DCC according to the operation control signal OP_CTRL and outputs the delay control signal DD_CTRL.
제2쉬프터 레지스터 제어수단(703)은 감지 인에이블 신호(DCC)가 하이로 인에이블된 경우, 항상 인에이블되는 제2쉬프터 레지스터 제어신호(SHIFT_CTRL)를 제2쉬프터 레지스터(505)로 출력한다. 그리고 감지 인에이블 신호(DCC)가 하이로 인에이블된 경우, 동작 제어신호(OP_CTRL)와 동일한 파형의 제2쉬프터 레지스터 제어신호(SHIFT_CTRL)를 출력한다.The second shifter register control means 703 outputs the second shifter register control signal SHIFT_CTRL, which is always enabled, when the sensing enable signal DCC is enabled to the
따라서 제2쉬프터 레지스터(503)는 감지 인에이블 신호(DCC_EN)가 인에이블된 경우, 비교신호(CMP)에 의한 지연 제어신호(DD_CTRL)와 감지신호(DCC)에 의한 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 제2제어코드(CODE_2<1:N>)의 값을 조절한다. Therefore, when the sensing enable signal DCC_EN is enabled, the
한편, 본 발명에 따른 지연고정루프회로는 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)가 소정 구간동안 일정값을 유지하는 경우 지연고정 동작 및 듀티비 보정동작이 수행되도록 하는 필터부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 외부 잡음 등에 의해 위상비교부(401) 및 듀티비 감지부(413)가 잘못된 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)를 출력할 수 있으므로 상기 필터부는 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC)가 소정 구간동안 일정값을 유지하지 않는 경우에 디스에이블되는 필터링신호를 출력하여 동작 제어신호(OP_CTRL) 및 제2쉬프터 레지스터 제어신호(SHIFT_CTRL)를 디스에이블시킬 수 있다. 이 경우, 상기 필터링 신호가 인에이블된 경우에만 지연부(405)가 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 지연량을 조절할 수 있다.On the other hand, the delay lock loop according to the present invention is a filter unit (not shown) to perform the delay lock operation and the duty ratio correction operation when the comparison signal (CMP) and the detection signal (DCC) maintain a constant value for a predetermined period It may further include. Since the
도 8은 도 4의 지연고정루프회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 8 is a diagram for describing an operation of the delay locked loop circuit of FIG. 4.
도 8에서는 위상비교부(401)가 로우로 디스에이블된 비교신호(CMP)를 출력하고 듀티비 감지부(413)가 하이로 인에이블된 감지신호(DCC)를 출력하는 경우가 일실시예로서 설명된다. 도 8에서 제2천이신호(DEC)는 점선으로 표시되었다.In FIG. 8, the
도 8에 도시된 바와 같이, 동작 제어신호(OP_CTRL)은 소정 주기로 토글하는 클럭이다.As shown in FIG. 8, the operation control signal OP_CTRL is a clock that toggles at a predetermined period.
듀티비 감지부(413)에서 생성되는 제1 및 제2천이신호(INC, DEC) 각각은 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에서 하이레벨 및 로우레벨 각각으로 천이하며, 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서 리셋된다.Each of the first and second transition signals INC and DEC generated by the
듀티비 감지부(413)는 제1 및 제2천이신호(INC, DEC)의 논리레벨 차이를 감지해 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서 하이레벨의 감지신호(DCC)를 출력한다. The
공통 제어부(403)는 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에서는 로우로 디스에이블된 비교신호(CMP)를 선택해 출력하고, 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서는 하이로 인에이블된 감지신호(DCC)를 선택해 출력한다.The
결국 본 발명에 따른 지연고정루프회로는 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에 비교신호(CMP)에 의한 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 제1 및 제2내 부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 지연량을 조절하고 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에 감지신호(DCC)에 의한 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 지연량을 조절한다.As a result, the delay locked loop circuit according to the present invention responds to the delay control signal DD_CTRL by the comparison signal CMP in the enable period of the operation control signal OP_CTRL, in response to the first and second sub-clocks CLK_OUT1 and CLK_OUT2. The delay amount of the second internal clock CLK_OUT2 is adjusted in response to the delay control signal DD_CTRL by the detection signal DCC in the disable period of the operation control signal OP_CTRL.
이상은 본 발명의 장치적 관점에 의해 설명되었으나, 본 발명에 따른 지연고정루프회로를 구성하는 각 구성 요소의 동작은 프로세스 관점에 의해 용이하게 파악될 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 지연고정루프회로를 구성하는 각 구성 요소의 동작은 본 발명의 원리에 따라 각각 지연고정루프회로의 구동방법을 구성하는 각 단계로 이해될 수 있다. 이하 도 4 내지 도 8을 참조하여 지연고정루프회로의 구동방법을 설명한다.Although the above has been described by the device aspect of the present invention, the operation of each component constituting the delay locked loop circuit according to the present invention can be easily understood from the process point of view. Therefore, the operation of each component constituting the delay locked loop circuit according to the present invention can be understood as each step constituting the driving method of the delay locked loop circuit in accordance with the principles of the present invention. Hereinafter, a driving method of the delay locked loop circuit will be described with reference to FIGS. 4 to 8.
본 발명에 따른 지연고정루프회로 구동방법은 동작 제어신호(OP_CTRL)에 응답해 비교신호(CMP) 및 감지신호(DCC) 중 하나를 선택해 지연 제어신호(DD_CTRL)로 출력하는 단계; 지연 제어신호(DD_CTRL)에 응답해 외부클럭(EXT_CLK)을 지연시켜 제2내부클럭(CLK_OUT2)을 출력하는 단계; 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에서만 외부클럭(EXT_CLK)을 지연시켜 제1내부클럭(CLK_OUT1)을 출력하는 단계; 외부클럭(EXT_CLK) 및 피드백클럭(FB_CLK)의 위상을 비교하여 비교신호(CMP)를 출력하는 단계; 제1내부클럭(CLK_OUT1)을 입력받아 피드백클럭(FB_CLK)을 출력하는 단계; 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 지연량의 차이에 따라 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 듀티비를 보정해 제1 및 제2보정 내부클 럭(CLK_CC1, CLK_CC2)을 출력하는 단계; 제1 및 제2보정 내부클럭(CLK_CC1, CLK_CC2)의 듀티비를 감지하여 감지신호(DCC)를 출력하는 단계를 포함한다.In accordance with another aspect of the present invention, a method of driving a delay locked loop circuit may include selecting one of a comparison signal CMP and a detection signal DCC in response to an operation control signal OP_CTRL and outputting the delayed control signal DD_CTRL; Outputting the second internal clock CLK_OUT2 by delaying the external clock EXT_CLK in response to the delay control signal DD_CTRL; Outputting the first internal clock CLK_OUT1 by delaying the external clock EXT_CLK only in the enable period of the operation control signal OP_CTRL; Outputting a comparison signal CMP by comparing the phases of the external clock EXT_CLK and the feedback clock FB_CLK; Receiving a first internal clock CLK_OUT1 and outputting a feedback clock FB_CLK; The duty ratios of the first and second internal clocks CLK_OUT1 and CLK_OUT2 are corrected according to the difference between the delay amounts of the first and second internal clocks CLK_OUT1 and CLK_OUT2, and the first and second correction internal clocks CLK_CC1 and CLK_CC2 are corrected. Outputting; And detecting a duty ratio of the first and second correction internal clocks CLK_CC1 and CLK_CC2 and outputting a detection signal DCC.
동작 제어신호(OP_CTRL)는 소정 주기로 토글하는 클럭일 수 있다. 지연 제어신호(DD_CTRL)를 출력하는 단계에서는, 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에서 비교신호(CMP)가 선택되고 동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서 감지신호(DCC)가 선택된다. 그리고 감지신호(DCC)를 출력하는 단계에서는, 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에서 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 듀티비가 감지되고 동작 제어신호(OP_CTRL)의 인에이블 구간에서 듀티비 감지결과가 반영된 감지신호(DCC)가 출력된다.The operation control signal OP_CTRL may be a clock that toggles at a predetermined period. In the step of outputting the delay control signal DD_CTRL, the comparison signal CMP is selected in the enable period of the operation control signal OP_CTRL and the detection signal DCC is selected in the disable period of the operation control signal OP_CTRL. . In the outputting of the detection signal DCC, the duty ratios of the first and second internal clocks CLK_OUT1 and CLK_OUT2 are detected in the enable period of the operation control signal OP_CTRL, and the enable period of the operation control signal OP_CTRL is detected. The detection signal DCC reflecting the duty ratio detection result is output.
동작 제어신호(OP_CTRL)의 디스에이블 구간에서는 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 지연량만이 조절되고 본 발명에 따른 지연고정루프회로 구동방법에 의하면 제2내부클럭(CLK_OUT2)의 지연량에 따라 제1 및 제2내부클럭(CLK_OUT1, CLK_OUT2)의 듀티비가 조절될 수 있다. In the disable period of the operation control signal OP_CTRL, only the delay amount of the second internal clock CLK_OUT2 is adjusted, and according to the delay locked loop circuit driving method according to the present invention, the delay amount of the second internal clock CLK_OUT2 is determined according to the delay amount of the second internal clock CLK_OUT2. The duty ratios of the first and second internal clocks CLK_OUT1 and CLK_OUT2 may be adjusted.
본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been described by means of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and is intended to be equivalent to the technical idea and claims of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible.
도 1은 종래의 듀티비를 보정하는 지연고정루프회로의 구성도,1 is a configuration diagram of a delayed fixed loop circuit for correcting a conventional duty ratio;
도 2는 듀티비 보정회로부(115)의 동작을 설명하기 위한 도면,2 is a view for explaining the operation of the duty
도 3은 종래의 지연고정루프회로의 문제점을 설명하기 위한 도면,3 is a view for explaining the problem of the conventional delay lock loop;
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 지연고정루프회로를 나타낸 도면,4 is a diagram illustrating a delay locked loop circuit according to an exemplary embodiment of the present invention;
도 5는 도 4의 지연부(405)의 상세 구성도5 is a detailed configuration diagram of the
도 6은 도 4의 듀티비 감지부(413)의 상세 구성도FIG. 6 is a detailed configuration diagram of the duty
도 7은 도 4의 공통 제어부(403)의 상세 구성도,7 is a detailed configuration diagram of the
도 8은 도 4의 지연고정루프회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 8 is a diagram for describing an operation of the delay locked loop circuit of FIG. 4.
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