[go: up one dir, main page]

KR101009533B1 - 보호 테이프의 부착·박리방법 - Google Patents

보호 테이프의 부착·박리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101009533B1
KR101009533B1 KR1020057016140A KR20057016140A KR101009533B1 KR 101009533 B1 KR101009533 B1 KR 101009533B1 KR 1020057016140 A KR1020057016140 A KR 1020057016140A KR 20057016140 A KR20057016140 A KR 20057016140A KR 101009533 B1 KR101009533 B1 KR 101009533B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective tape
tape
peeling
semiconductor wafer
protective
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020057016140A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050107775A (ko
Inventor
마사유키 야마모토
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20050107775A publication Critical patent/KR20050107775A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101009533B1 publication Critical patent/KR101009533B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H01L2221/68395—Separation by peeling using peeling wheel
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/976—Temporary protective layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

웨이퍼(wafer)의 전면에 부착되고 테이프(tape) 부착 기구에 의해 척 테이블(chuck table)에 놓여져서 커팅 유니트(cutting unit)에 의해 웨이퍼의 형상으로 보호 테이프를 절단하는 과정을 포함하고, 상기 보호 테이프 위에서 첫 번째 보호 테이프보다도 약한 점착력(粘着力)을 가진 보호 테이프를 부착하고, 박형가공(薄型加工) 후에 테이프 박리장치(15)에 의해 제일 위에서부터 한 장씩 다중 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
반도체, 웨이퍼, 박리, 부착, 보호, 테이프

Description

보호 테이프의 부착·박리방법 {ADHERING AND RELEASING METHOD FOR PROTECTIVE TAPE}
본 발명은, 전기회로 패턴(pattern) 등이 형성된 반도체 웨이퍼(wafer)의 표면에 보호 테이프를 부착하고, 그 보호 테이프를 박리(剝離)하는 기술에 관한 것이다.
종래에는, 반도체 웨이퍼의 제조과정에 있어서, 연삭(硏削)방법이나 연마(硏磨)방법 등의 기계적 방법, 또는 에칭(etching)을 이용한 화학적 방법 등을 이용하여 반도체 웨이퍼(이하, 간단하게 「웨이퍼」라고 함)의 이면(裏面)을 가공하여, 그 두께를 얇게 한다. 이들 방법을 이용하여 웨이퍼를 가공할 때, 배선(配線) 패턴이 형성된 표면을 보호하기 위해, 그 표면에 보호 테이프가 부착되고 있다.
즉, 백 그라인드(back grind) 공정으로 옮겨 실린 웨이퍼는, 그 표면(패턴 면)을 척 테이블(chuck table)에 흡착유지하여, 이면을 숫돌으로 연삭한다. 이때, 웨이퍼의 표면에는 연삭에 의한 스트레스(stress)가 가해져서 패턴이 파손되거나, 더러워질 우려가 있어서, 그 표면에 보호 테이프를 부착하고 있다.
또한, 이면이 연삭되어 얇아진 웨이퍼는 가공시나 반송시에 파손되기 쉽고, 또 웨이퍼의 휘어짐이나 부풀어 오름 때문에 취급이 불편하므로, 웨이퍼 표면에 종 류가 다른 2 장의 보호 테이프를 미리 부착하여 웨이퍼의 파손이나 휘어짐을 방지하도록 한 보호 테이프도 제안되어 있다(일본국특개 2000-331968호공보 참조).
이와 같이, 웨이퍼의 표면에 부착된 두 장의 보호 테이프는, 박리공정에서 두 장을 합쳐서 한 번에 박리하는 방법이 제안실시되어 있다.
그러나, 상술한 일본국특개 2000-331968호공보에 기재된 두 장 겹친 보호 테이프를 사용하는 것은, 웨이퍼를 보강하는 점에서 유익하지만, 보호 테이프의 박리가공에 있어서 다음과 같은 문제가 있다.
두 장 겹친 보호 테이프를 합쳐서 한 번에 박리하는 경우, 그때의 박리력(인장력)이 대단히 크게 된다. 따라서, 얇은 모양으로 가공된 웨이퍼에 대하여, 한 번에 큰 인장력이 가해져서 웨이퍼를 강제적으로 휘어져 돌아가게 하거나, 파손시키거나 하는 문제가 있다.
본 발명은, 이와 같은 문제를 고려하여 이루어진 것으로, 반도체 웨이퍼에 강성을 부여하여 반도체 웨이퍼를 보강할 수 있으면서, 반도체 웨이퍼로부터의 보호 테이프의 박리를 정밀하게 행할 수 있는 보호 테이프의 부착·박리 방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 채용한다.
패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 부착함과 아울러, 이 보호 테이프를 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 보호 테이프의 부착·박리방법에 있어서, 상기 방법은 이하의 공정을 포함한다. 반도체 웨이퍼의 표면에 복수 장의 보호 테이프를, 상측에 점착력이 약한 보호 테이프가 오도록 다중으로 부착하는 부착공정과, 상기 다중으로 부착된 보호 테이프 위에 박리 테이프를 부착하고, 이 박리 테이프를 개재하여 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터, 다중의 보호 테이프를 위에서부터 한 장씩 박리하는 박리공정을 구비하고 있다.
본 발명에 의하면, 상측에 점착력이 약한 보호 테이프가 오도록 다중으로 된 보호 테이프가, 반도체 웨이퍼의 표면에 부착된다. 따라서, 반도체 웨이퍼의 연삭에 의한 박형가공(薄型加工) 시에는, 반도체 웨이퍼에 강성을 보존한 상태로 가공할 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.
또한, 보호 테이프의 박리시에는, 상측의 보호 테이프가 그 하측에 있는 보호 테이프의 점착력보다도 약하여, 박리 테이프가 부착된 박리 대상의 보호 테이프 한 장만이 박리 테이프와 일체로 되어 박리된다. 즉, 하측의 보호 테이프가 부착된 상태에서 반도체 웨이퍼로부터 보호 테이프가 순차적으로 박리됨으로써, 박형가공된 후의 반도체 웨이퍼에는 보호 테이프에 의해 강성을 유지한 채 상측으로부터 순차적으로 보호 테이프가 박리된다. 그 결과, 1회의 박리동작으로 다중으로 부착된 보호 테이프 전체를 박리하는 것에 비하여, 박리시의 인장력에 의해 반도체 웨이퍼에 가해지는 스트레스가 저감(低減)되어 반도체 웨이퍼의 휘어짐이나 파손을 방지할 수 있다.
또한, 다중 보호 테이프의 부착은, 예를 들면, 복수 장의 보호 테이프를 미리 다중으로 부착하는 것을 단위로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 부착한다. 이를 테면, 1회의 부착 동작으로 미리 다중으로 부착된 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착할 수 있어, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 보호 테이프의 박리시에는, 다중으로 된 보호 테이프가 상측으로부터 한 장씩 박리됨으로써, 상술한 바와 같은 효과를 나타낸다.
또한, 다중의 보호 테이프의 부착은, 예를 들면, 복수 장의 보호 테이프를 개별로 반복하여 부착한다. 이를 테면, 복수 장의 보호 테이프가 개별로 반복하여 반도체 웨이퍼의 이면에 부착되는 것에 의해, 보호 테이프의 압압(押壓) 레벨(level)을 작게 하여 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착해 갈 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼에서의 압력에 의한 응력의 축적을 저감할 수 있고, 박형가공 후에 반도체 웨이퍼에 휘어짐이 발생하거나, 그 휘어짐을 원인으로 하여 파손되거나, 반도체 웨이퍼의 흡착 불량에 의한 반송 에러(error)를 방지할 수 있다.
또한, 다중의 보호 테이프는, 그 피점착면에 이형처리(離型處理)가 실시되는 것이 바람직하다. 이를 테면, 보호 테이프의 피점착면에 이형처리를 실시하여 두는 것에 의해, 다중으로 부착된 보호 테이프를 상측에서부터 한 장씩 용이하게 박리할 수 있다. 그 결과, 보호 테이프 박리시에 작용하는 인장력을 저감할 수 있다.
또한, 보호 테이프의 형상은, 예를 들면, 띠 모양의 것으로서, 반도체 웨이퍼에 부착된 후에, 대략 반도체 웨이퍼 모양으로 절단되어도 좋고, 대략 반도체 웨이퍼 형상으로 미리 절단된 것이어도 좋다.
또한, 본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성도 채용한다.
패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 부착함과 아울러, 이 보호 테이프를 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 보호 테이프의 부착·박리방법에 있어서, 상기 방법은 이하의 공정을 포함한다. 피점착면에 이형처리가 실시된 같은 종류의 복수 장의 보호 테이프를, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 다중으로 부착하는 부착 공정, 상기 다중으로 부착된 보호 테이프의 위에 박리 테이프를 부착하고, 이 박리 테이프를 개재하여 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터, 다중의 보호 테이프를 위에서부터 한 장씩 박리하는 박리공정을 구비한다.
본 발명에 의하면, 비점착면에 이형처리가 실시된 같은 종류의 보호 테이프가 복수 장, 반도체 웨이퍼의 표면에 다중으로 부착된다. 따라서, 다중의 보호 테이프에 박리 테이프를 부착하여 보호 테이프를 박리하면, 박리 대상의 보호 테이프는, 하측의 보호 테이프의 표면으로부터 용이하게 박리된다. 따라서, 보호 테이프를 상측으로부터 한 장씩 박리할 수 있음으로써, 1회의 박리동작으로 다중으로 부착된 보호 테이프의 전부를 박리하는 것에 비하여, 박리시의 인장력에 의해 반도체 웨이퍼에 가해지는 스트레스가 저감되어 반도체 웨이퍼의 휘어짐이나 파손을 방지할 수 있다.
또한, 다중의 보호 테이프의 부착은, 복수 장의 보호 테이프를 미리 다중으로 부착하는 것을 단위로 하여 반도체의 표면에 부착된다. 이를 테면, 1회의 부착 동작으로 미리 다중으로 부착된 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착할 수 있어, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 보호 테이프의 박리시에는, 다중으로 된 보호 테이프의 위에서부터 한 장씩 박리됨으로써, 상술한 바와 같은 효과를 나타낸다.
또한, 다중의 보호 테이프 부착은, 복수 장의 보호 테이프를 개별로 반복하여 부착된다. 이를 테면, 복수 장의 보호 테이프가 개별로 반복하여 반도체 웨이퍼의 표면에 부착되는 것에 의해, 보호 테이프의 압압 레벨을 작게 하여 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착하여 갈 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼에서의 응력의 축적을 저감할 수 있고, 박형가공한 후에 반도체 웨이퍼에 휘어짐이 발생하거나, 그 휘어짐을 원인으로 하여 파손되거나, 반도체 웨이퍼의 흡착불량에 의한 반송 에러를 방지할 수 있다.
또한, 보호 테이프의 형상은, 예를 들면, 띠 모양의 것으로서, 반도체 웨이퍼에 부착된 후에, 대략 반도체 웨이퍼 형상으로 절단되어도 좋고, 대략 반도체 웨이퍼 형상으로 미리 절단되어도 좋다.
도 1은 실시예에 따른 테이프 부착 장치의 개략구성을 나타낸 정면도이고,
도 2는 테이프 부착공정을 설명하는 개략 정면도이고,
도 3은 테이프 부착공정을 설명하는 개략 정면도이고,
도 4는 테이프 부착공정을 설명하는 개략 정면도이고,
도 5는 실시예에 따른 테이프 부착 장치의 개략구성을 나타낸 정면도이고,
도 6은 테이프 박리공정을 설명하는 개략 정면도이고,
도 7은 테이프 박리공정을 설명하는 개략 정면도이고,
도 8은 테이프 박리공정을 설명하는 개략 정면도이고,
도 9는 테이프 박리공정을 설명하는 개략 정면도이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
종래의 문제점을 해결하기 위한 형태로서, 이하와 같은 것이 있다.
이하, 본 발명을, 반도체 웨이퍼의 보호 테이프 부착·박리장치에 적용한 실시예를 도면에 근거하여 설명한다.
보호 테이프 부착방법
우선, 본 실시예의 보호 테이프 부착방법을 설명하기 전에, 본 실시예에서 사용하는 일 실시예의 테이프 부착장치에 관하여, 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 테이프 부착 장치의 개략구성을 나타낸 정면도, 도 2에서부터 도 4는 테이프 부착고정을 나타낸 정면도이다.
실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 보호 테이프 부착장치(1)는, 세퍼레이터(separator)(S)가 부착된 보호 테이프(T1)를 공급하는 테이프 공급부(2)와, 그 세퍼레이터(S)가 부착된 보호 테이프(T1)로부터 세퍼레이터(S)를 박리회수하는 세퍼레이터 회수부(5)와, 반도체 웨이퍼(W)(이하, 간단하게 「웨이퍼(W)」라고 함)를 흡착하여 싣는 척 테이블(7)과, 보호 테이프(T1)를 웨이퍼(W) 위로 눌러서 부착하는 테이프 부착기구(8)와, 웨이퍼(W)에 부착된 보호 테이프(T1)를 웨이퍼(W)의 둘레형상에 따라 오려내는 커터 유니트(cutter unit)(10)와, 오려낸 후의 남은 테이프(T2)를 박리하는 테이프 박리기구(11)와, 박리된 테이프를 회수하는 테이프 회수부(13)를 구비하고 있다.
이하, 각 기구의 구조에 관하여 구체적으로 설명한다.
테이프 공급부(2)는, 테이프 보빈(bobbin)(3)으로부터 풀려나오는 세퍼레이터(S)가 부착된 보호 테이프(T1)를 가이드 롤러(guide roller)군(群)(4)으로 풀어 안내하고, 세퍼레이터(S)를 박리한 보호 테이프(T1)를 테이프 부착기구(8)로 유도하도록 구성되어 있다. 또한, 테이프 보빈(3)은 도시하지 않은 장치본체의 종벽(縱壁)에 축지지되고, 브레이크(brake) 기구 등을 통해 적당한 회전저항을 부여하여 테이프가 너무 많이 풀려 나오지 않도록 구성되어 있다.
세퍼레이터 회수부(5)는, 보호 테이프(T1)로부터 박리된 세퍼레이터(S)를 권취(卷取)하는 회수 보빈(6)이 도시되지 않은 종벽에 축지지되어, 모터(motor) 등의 구동기구에 의해 권취 방향으로 회전구동되도록 되어 있다.
척 테이블(7)은, 가이드 핀(pin) 등을 구비하고 있어, 옮겨 실린 웨이퍼(W)를 오리엔테이션 플랫(orientation flat) 등을 기준으로 위치결정을 행함과 동시에, 이면을 흡착 유지하도록 되어 있다.
테이프 부착기구(8)는, 그 프레임(frame)이 테이프 주행방향으로 슬라이드(slide) 가능하도록 장치본체의 레일(rail)에 파지(把持)되고, 도시하지 않은 모터 등의 구동부에 의해 연동연결되어 있다. 또한, 프레임에는 부착 롤러(9)가 회전가능하게 축지지됨과 아울러, 이 부착 롤러(9)가 도시하지 않은 실린더(cylinder) 등에 의해 상하 요동(搖動)구동하도록 되어 있다. 즉, 부착 롤러(9)가 보호 테이프(T1)의 표면을 눌러서 전동(轉動)하면서 웨이퍼(W)의 표면에 보호 테이프(T1)을 부착해 가도록 되어 있다.
커터 유니트(10)는, 도시하지 않은 승강기구에 의해 대기위치와, 보호 테이 프(T1)을 오려내는 절단작용 위치에 걸쳐 승강이동함과 아울러, 웨이퍼(W)의 둘레에 따라 선회이동하여 보호 테이프(T1)를 따내도록 되어 있다.
테이프 박리기구(11)는, 그 프레임이 테이프 주행방향으로 슬라이드 가능하도록 장치본체의 레일에 파지되어, 도시하지 않은 모터 등의 구동부에 의해 연동연결되어 있다. 또한, 프레임에는 박리 롤러(12)가 회전가능하게 축지지되어 있으면서, 이 박리 롤러(12)가 도시하지 않은 실린더 등에 의해 상하 요동구동하도록 되어 있다. 박리 롤러(12)는 웨이퍼(W)의 바깥 둘레에 따라 따내고 남은 테이프(T2)를 웨이퍼(W)로부터 박리하기 위한 것이다.
테이프 회수부(13)는, 보호 테이프(T1)를 따낸 후의 남은 테이프(T2)를 권취하는 회수보빈(14)을 도시하지 않은 장치본체의 종벽에 축지지되어, 모터 등의 구동기구에 의해 권취 방향으로 회전구동하도록 되어 있다. 즉, 테이프 공급부(2)로부터 소정량의 보호 테이프(T1)가 풀려나와 웨이퍼(W) 위로 공급됨과 동시에, 구동부가 작동하는 것에 의해 후술하는 따낸 후의 남은 테이프(T2)가 회수 보빈(14)에 권취되도록 되어 있다.
다음으로, 보호 테이프를 웨이퍼의 표면에 다중으로 부착해 가는 방법을, 상술의 구성을 포함하는 테이프 부착장치를 이용하여 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 실시예에서는 테이프 부착 장치를 2대 사용하고, 웨이퍼 표면에 종류가 다른 두 장의 보호 테이프를 다중으로 부착하는 경우를 예로 채용하여 설명한다.
또한, 이 실시예에서 사용하는 2종류의 보호 테이프는, 이하와 같은 것이다.
웨이퍼(W)의 표면에 직접 부착하는 첫 번째 장의 보호 테이프(T1)로는, 그 기재(其材)의 표면에, 예를 들면 코로나(corona)처리 등에 의해 겹침 박리처리(이형처리)를 실시함과 아울러, 그 점착제가 두 번째 장의 보호 테이프(T2)의 점착재보다도 접착력이 강한 자외선 경화형(硬化型)인 것이다.
또한, 두 번째 장의 보호 테이프(T3)로는, 첫 번째 장의 보호 테이프보다도 점착력이 약한 것이 사용된다.
또한, 2종류의 보호 테이프(T1 및 T3)의 각각은, 세퍼레이터(S)와 부착된 롤(roll) 모양으로 되어 있다.
다음으로 상기 2종류의 보호 테이프(T1, T3) 및 테이프 부착 장치(1)를 사용하여 웨이퍼(W)에 보호 테이프를 다중으로 부착하여 붙이는 일련의 동작에 관하여 설명한다.
우선, 제 1 및 제 2 테이프 부착장치가 병렬로 설치되고, 제 1 테이프 부착장치의 테이프 보빈(3)에는 보호 테이프(T1)가 세트(set)되며, 타측의 제 2 테이프 부착장치의 테이프 보빈(3)에는 보호 테이프(T3)가 세트되어 있다.
제 1 테이프 부착장치의 척 테이블(7)에 웨이퍼(W)가 놓여져 위치결정이 이루어져, 흡착유지된다. 이때, 도 1에 도시된 바와 같이, 테이프 부착기구(8)와 테이브 박리기구(11)는 좌측의 초기위치에 있고, 커터 유니트(10)는 위쪽의 대기위치에 각각 위치한다.
웨이퍼(W)의 위치결정이 끝나면, 도 2에 도시된 바와 같이, 테이프 부착기구(8)의 부착 롤러(9)가 요동강하(搖動降下)하고, 이 부착 롤러(9)가 보호 테이프(T1)를 누르면서 웨이퍼(W) 위를 테이프 주행방향과는 역방향(도 2에서는 왼쪽에서 부터 오른쪽 방향)으로 전동(轉動)하여, 보호 테이프(T1)를 웨이퍼(W)의 표면 전체에 균일하게 부착한다. 테이프 부착기구(8)가 종료위치에 이르르면 부착 롤러(9)가 상승한다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 커터 유니트(10)가 절단작용위치로 하강되어, 그 날끝이 보호 테이프(T1)레 찔러지는 미리 설정된 소정의 높이까지 하강된 다음 정지된다. 소정의 위치까지 하강된 커터 유니트(10)는, 종축심(X) 둘레로 선회구동하고, 보호 테이프(T1)가 웨이퍼 외형에 따라 절단된다. 이때, 테이프 부착기구(8)와 테이프 박리기구(11)에 의해, 보호 테이프(T1)에는 소정의 텐션(tention)이 걸리게 된다.
보호 테이프(T1)의 오려냄을 종료한 후, 커터 유니트(10)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상승하여 대기위치로 복귀한다.
다음으로, 테이프 박리기구(11)가, 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W) 위를 테이프 주행방향과는 역방향으로 이동하면서 웨이퍼(W) 위에서 오려내고 남은 테이프(T2)를 말아서 올려서 박리한다.
테이프 박리기구(11)가 박리작업의 종료위치에 이르르면, 테이프 박리기구(11)와 테이프 부착기구(8)가 테이프 주행방향으로 이동되어, 도 1에 도시한 초기위치로 복귀한다. 이때, 남은 테이프(T2)가 회수 보빈(14)에 권취됨과 아울러, 일정량의 보호 테이프(T1)가 테이프 공급부(2)에서부터 풀려나온다. 이것으로 제 1 테이프 부착장치로 웨이퍼(W) 표면에 대한 보호 테이프(T1) 부착동작이 종료한다.
제 1 테이프 부착장치로 표면에 보호 테이프(T1)가 부착된 웨이퍼(W)는, 제 2 테이프 부착장치로 이동되어 놓여진다.
제 2 테이프 부착장치에서는, 척 테이블 위에서 웨이퍼(W)의 위치결정을 행한 후, 상술한 제 1 테이블 부착장치와 같은 동작이 되풀이되어, 두 번째 장의 보호 테이프(T3)가 첫 번째 장의 보호 테이프(T1) 위에 겹쳐져서 부착된다.
이 부착시에 롤러(9)가 두 번째 장의 보호 테이프(T3)의 표면을 누르면서 전동하는 것에 의해, 보호 테이프(T3)가 첫 번째 장의 보호 테이프(T1)의 표면에 부착되어 간다. 따라서, 보호 테이프(T1, T3)가 다중으로 부착되어, 강성을 가진 웨이퍼(W)가 형성된다.
두 장의 보호 테이프가 다중으로 부착된 웨이퍼(W)는, 카세트(cassete)에 수납되어 백 그라인드 장치 등으로 반송되어, 웨이퍼(W)의 박형가공이 행해진다. 그 후, 재차 웨이퍼(W)는 카세트에 수납되어 웨이퍼 얼라이먼트(aligmmnet) 장치 등으로 반송된다.
예를 들면, 카세트가 웨이퍼 마운트(mount) 장치에 장전되면, 로보트 암(robot arm)에 의해 카세트로부터 웨이퍼(W)가 한 장씩 빼내어져 얼라이먼트 스테이지(stage)로 이동되어 놓여진다.
얼라이먼트 스테이지로 이동되어 놓여진 웨이퍼(W)는, 오리엔테이션 플랫 등에 기초하여 위치결정이 행해진다. 위치결정이 종료하면, 얼라이먼트 스테이지(AS)의 상측의 대기위치에 있는 자외선 조사(照射) 유니트가 하강하여, 웨이퍼(W)로 향하여 자외선을 조사한다.
자외선이 조사되면, 보호 테이프(T1)의 점착제가 경화하여, 앵커(anchor)효 과에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 두 번째 장의 보호 테이프(T3)보다도 더욱 강고(强固)하게 접착한다.
자외선 조사처리가 실시된 웨이퍼(W)는, 마운트 프레임 제작부에 반송되어, 도 5에 도시한 박리공정으로 웨이퍼(W)가 놓여지는 때의 상태, 즉 이면에서부터 점착 테이프(Tn)를 개재하여 링(ring) 모양 프레임(f)에 지지된다. 이 링 모양 프레임에 지지된 웨이퍼(W)(이하, 간단하게 「마운트 프레임(F)」라 함)는, 박리공정으로 반송되어, 후술하는 도 7의 척 테이블(19)에 놓여진다.
이상과 같이, 웨이퍼(W)의 표면에 점착력이 강한 자외선 경화형의 보호 테이프(T1)을 부착하고, 보호 테이프(T1)의 표면에 그 점착력보다도 약한 보호 테이프(T3)을 부착할 수 있다. 즉, 상측에 점착력이 약한 보호 테이프가 오도록 다중으로 보호 테이프를 부착할 수 있다. 따라서, 종래의 장치를 사용하여 용이하게 보호 테이프를 다중으로 부착할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면에 보호 테이프를 다중으로 부착하는 것에 의해, 이면을 연삭하도록 한 박형가공시에 웨이퍼(W)에 강성을 유지시킬 수 있어, 파손하는 것을 방지할 수 있다.
다음으로 보호 테이프 박리방법에 관해 설명한다.
우선, 본 실시예의 보호 테이프 박리방법에 사용하는 일 실시예의 보호 테이프 박리장치에 관하여, 도면을 참조하여 설명한다.
도 5는 테이프 박리장치의 개략구성을 나타난 정면도, 도 6 내지 도 9는 보호 테이프를 박리하는 공정을 나타낸 설명도이다.
실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 보호 테이프 박리장치(15)는, 박리 테이프 (Ts)를 공급하는 테이프 공급부(16)와, 마운트 프레임(F)을 흡착하여 놓는 척 테이블(19)과, 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 보호 테이프(T3)로 누르면서 박리 테이프(Ts)를 부착함과 동시에, 그 박리 테이프(Ts)를 보호 테이프(T3)와 한꺼번에 박리하는 박리기구(20)와, 웨이퍼(W)로부터 박리한 양(兩)테이프를 회수하는 테이프 회수부(22)를 장비하고 있다.
이하, 각 기구의 구조에 관하여 구체적으로 설명한다.
테이프 공급부(16)는, 테이프 보빈(17)으로부터 풀려나오는 박리 테이프(Ts)를 가이드 롤러(18)로 말아 돌려 안내하여, 박리기구(20)로 유도하도록 구성되어 있다. 또한, 테이프 보빈(17)은 도시하지 않은 장치본체의 종벽에 축지지되어, 브레이크 기구 등에 의해 적당한 회전저항을 주어 너무 많이 풀려지지 않도록 구성되어 있다.
척 테이블(19)은, 가이드 핀 등을 구비하고, 이동하여 놓여진 마운팅 프레임(F)의 위치결정을 행함과 아울러, 이면을 흡착유지하도록 되어 있다. 또한, 척 테이블(19)은, 그 프레임이 박리 테이프(Ts)의 주행방향으로 슬라이드 가능하도록 장치본체의 레일에 파지되고, 도시하지 않은 구동부에 연동연결되어 있다.
박리기구(20)는, 그 프레임에 박리 롤러(21)가 회전가능하게 축지지되어 있음과 아울러, 이 박리 롤러(21)가 도시하지 않은 실린더 등에 의해 상하 요동구동하도록 되어 있다. 즉, 박리 테이프(Ts)를 보호 테이프(T3)의 표면에 누르면서 부착되도록 되어 있다.
또한, 테이프 회수부(22)는, 보호 테이프(T3)의 표면에 박리 테이프(Ts)를 부착하여 일체로 되어 박리된 테이프를 권취하는 회수보빈(23)을 도시하지 않은 장치본체의 종벽에 축지지되고, 모터 등의 구동부에 연동연결되어 있다. 즉, 테이프 공급부(16)로부터 소정량의 박리 테이프(Ts)가 풀려나와, 웨이퍼(W) 상으로 공급됨과 아울러, 구동부가 작동하는 것에 의해 보호 테이프(T3)와 일체로 된 박리 테이프(Ts)가 회수 보빈(23)에 권취되도록 되어 있다.
다음으로, 상기 보호 테이프 부착장치(1)를 사용하여 보호 테이프를 다중으로 부착하고, 또한 링 모양 프레임(f)과 일체로 된 마운트 프레임(F)으로부터 보호 테이브를 박리하는 방법을, 상술한 구성을 갖는 테이프 박리장치(15)를 사용하여 도면을 참조하면서 설명한다. 즉, 두 장의 보호 테이프에 있어서, 두 번째 장의 보호 테이프(T3)가 첫 번째 장의 보호 테이프(T1)보다도 점착력이 약한 것이다.
우선, 도 5에 도시된 바와 같이, 이 마운트 프레임(F)은, 척 테이블(19)에 놓여진다.
놓여진 마운트 프레임(F)은 위치결정이 행해지고, 흡착유지된다. 이때, 척 테이블(19)은, 도 6에 도시된 바와 같이, 박리 롤러(21)가 웨이퍼(W)의 둘레부에 맞닿아 접하는 위치로 이동(도에서는 좌측)한다.
마운트 프레임(F)의 위치결정이 끝나면, 도 7에 도시된 바와 같이, 박리 롤러(21)가 요동하강함과 동시에, 척 테이블(19)이 박리 테이프(Ts)의 주행방향으로 이동한다. 이 척테이블의 이동에 수반하여, 박리 롤러(21)가 박리 테이프(Ts)를 누르면서 웨이퍼(W) 위를 전동한다. 즉 제일 위에 부착된 보호 테이프(T3) 위에 박리 테이프(Ts)가 부착되어 감과 아울러, 박리 테이프(Ts)가 부착된 그 보호 테이프 (T3)는 보호 테이프(T1)의 표면으로부터 박리되어 박리 테이프(Ts)와 한꺼번에 말아 올려져 간다.
이때, 보호 테이프(T1)의 기재()의 피접착면에 이형처리가 실시됨과 동시에, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 하측의 보호 테이프(T1)의 점착력이 보호 테이프(T3)보다도 강하기 때문에, 보호 테이프(T3)만이, 보호 테이프(T1)의 표면으로부터 먼저 박리된다.
척 테이블(19)이, 도 8에 도시한 종료위치에 다다르면 박리 롤러(21)가 상승하고, 척 테이블(19)은 테이프 주행방향의 역방향으로 이동하여 초기위치로 복귀한다. 이때, 박리되어 박리 테이프(Ts)와 일체로 된 보호 테이프(T3)는 회수 보빈(23)에 권취됨과 아울러, 일정량의 박리 테이프(Ts)가 테이프 공급부(16)로부터 풀려나온다.
이상으로 한 장의 보호 테이프의 박리동작이 종료하고, 같은 동작을 하측의 보호 테이프(T1)에 대하여도 실행하는 것에 의해, 도 9에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 보호 테이프(T1)도 박리할 수 있고, 모든 박리동작이 종료한다.
이상과 같이, 상측에 하측의 보호 테이프보다도 점착력이 약한 보호 테이프를 다중으로 부착하여 박형가공한 후에, 상측의 보호 테이프로부터 한 장씩 순서대로 박리하는 것에 의해, 종래와 같이 복수 장의 보호 테이프를 웨이퍼(W)의 표면으로부터 한 번에 박리하는 경우에 큰 인장력에 의한 스트레스가 웨이퍼(W)에 가해지지 않는다. 구체적으로는, 상측의 보호 테이프를 박리할 때는, 하측의 보호 테이프 에 의해 웨이퍼(W)의 강성이 유지되게 된다. 따라서, 보호 테이프 박리시에 웨이퍼(W)가 파손되지 않는다.
본 발명은, 상기한 실시예에 한정하지 않고, 다음과 같이 변형실시할 수 있다.
(1) 상기 보호 테이프의 부착방법에서는, 보호 테이프를 두 장 부착하는 경우에 관하여 설명하였으나, 두 장 이상을 다중으로 부착하는 것도 좋다. 또한, 다중으로 부착되는 보호 테이프의 종류는, 상측에 점착력이 약한 것이 오도록 하고, 보호 테이프의 피점착면에 이형처리가 실시되어, 그 표면으로부터 보호 테이프를 용이하게 박리할 수 있는 경우는, 같은 종류의 보호 테이프를 사용하여도 좋다. 또한, 보호 테이프로서는 자외선 경화형에 한정하는 것은 아니다.
(2) 원판 롤로부터 띠 모양의 보호 테이프를 공급하여 웨이퍼(W)에 부착, 웨이퍼(W) 둘레에 따라 오려내면서 다중으로 부착하지만, 미리 웨이퍼의 형상으로 커트되는 것을 개별로 한 장씩 반복하여 부착하는 것도 좋고, 미리 두 장의 보호 테이프가 겹쳐진 것을 부착하여 커터 유니트(10)로 절단해 가도록 하여도 좋다.
(3) 상기 보호 테이프의 박리방법에서는, 척 테이블(19)이 테이프 주행방향으로 이동하는 형태이지만, 박리기구(20) 자체가 테이프 주행방향으로 이동하는 형태로 있어도 좋다.
(4) 상기 보호 테이프의 박리방법에서는, 웨이퍼 마운트 후에 보호 테이프의 박리를 행하는 경우의 마운트 박리를 예로서 설명하였으나, 이 마운트 박리에 한정되는 것은 아니고, 마운트 프레임에 지지되어 있지 않은 웨이퍼의 표면에 다중으로 부착된 보호 테이프를 박리하도록 하여도 좋다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 관한 보호 테이프의 부착·박리방법은, 반도체 웨이퍼로부터의 보호 테이프의 박리를 정밀하게 행하는 데에 적합하다.

Claims (17)

  1. 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 부착함과 아울러, 이 보호 테이프를 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 보호 테이프의 부착·박리방법에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼의 표면에 복수 장의 보호 테이프를, 상측에 점착력이 약한 보호 테이프가 오도록 다중으로 부착하는 부착공정과,
    상기 다중으로 부착된 보호 테이프의 위에 박리 테이프를 부착하고, 이 박리 테이프를 개재하여 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터, 다중 보호 테이프를 위에서부터 한 장씩 박리하는 박리공정
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 다중 보호 테이프는, 복수 장의 보호 테이프를 미리 다중으로 부착한 것을 단위로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 부착하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 보호 테이프의 형상은, 띠 모양의 것이고,
    상기 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착한 후에 반도체 웨이퍼 형상으로 절단하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 보호 테이프의 형상은, 반도체 웨이퍼 형상으로 미리 절단된 것인 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 다중 보호 테이프는, 복수 장의 보호 테이프를 개별로 반복하여 부착하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 보호 테이프의 형상은, 띠 모양인 것이고,
    상기 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착한 후에 반도체 웨이퍼 형상으로 절단하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 보호 테이프의 형상은, 반도체 웨이퍼 형상으로 미리 절단된 것인 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 다중의 보호 테이프는, 그 피점착면에 이형처리가 실시된 것인 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 보호 테이프 형상은, 띠 모양인 것이고,
    상기 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착한 후에 반도체 웨이퍼 형상으로 절단하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 보호 테이프의 형상은, 반도체 웨이퍼 형상으로 미리 절단된 것인 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  11. 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 부착함과 아울러, 이 보호 테이프를 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 보호 테이프의 부착·박리방법에 있어서,
    피점착면에 이형처리가 실시된 같은 종류의 복수 장의 보호 테이프를, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 다중으로 부착하는 부착공정과,
    상기 다중으로 부착된 보호 테이프의 위에 박리 테이프를 부착하고, 이 박리 테이프를 개재하여 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터, 다중의 보호 테이프를 위에서부터 한 장씩 박리하는 박리공정
    을 구비하여 있는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 다중 보호 테이프는, 복수 장의 보호 테이프를 미리 다중으로 부착된 것을 단위로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 부착하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 보호 테이프의 형상은, 띠 모양인 것이고,
    상기 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착한 후에 반도체 웨이퍼 형상으로 절단하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 보호 테이프의 형상은, 반도체 웨이퍼 형상으로 미리 절단된 것인 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 다중의 보호 테이프는, 복수 장의 보호 테이프를 개별로 반복하여 부착하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 보호 테이프의 형상은, 띠 모양인 것이고,
    상기 보호 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착한 후에 반도체 웨이퍼 형상으로 절단하는 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 보호 테이프의 형상은, 반도체 웨이퍼 형상으로 미리 절단된 것인 것을 특징으로 하는 보호 테이프의 부착·박리방법.
KR1020057016140A 2003-03-05 2003-12-22 보호 테이프의 부착·박리방법 Expired - Fee Related KR101009533B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003058518A JP4318471B2 (ja) 2003-03-05 2003-03-05 保護テープの貼付・剥離方法
JPJP-P-2003-00058518 2003-03-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050107775A KR20050107775A (ko) 2005-11-15
KR101009533B1 true KR101009533B1 (ko) 2011-01-18

Family

ID=32958797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057016140A Expired - Fee Related KR101009533B1 (ko) 2003-03-05 2003-12-22 보호 테이프의 부착·박리방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7335605B2 (ko)
JP (1) JP4318471B2 (ko)
KR (1) KR101009533B1 (ko)
CN (1) CN100343970C (ko)
MY (1) MY139274A (ko)
TW (1) TWI305663B (ko)
WO (1) WO2004079817A1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4592289B2 (ja) * 2004-01-07 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの不要物除去方法
JP4718259B2 (ja) * 2005-07-07 2011-07-06 リンテック株式会社 シート剥離装置及び剥離方法
WO2007052387A1 (ja) 2005-11-04 2007-05-10 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置
JP4796430B2 (ja) * 2006-04-19 2011-10-19 株式会社ディスコ 保護テープ貼着方法
JP4666514B2 (ja) 2006-07-20 2011-04-06 リンテック株式会社 シート剥離装置及び剥離方法
JP4869864B2 (ja) * 2006-10-20 2012-02-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4913550B2 (ja) * 2006-11-07 2012-04-11 リンテック株式会社 シート貼付装置及び貼付方法
US20080113456A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-15 International Business Machines Corporation Process for protecting image sensor wafers from front surface damage and contamination
US7844099B2 (en) * 2006-11-15 2010-11-30 International Business Machines Corporation Inspection method for protecting image sensor devices with front surface protection
JP5111938B2 (ja) * 2007-05-25 2013-01-09 日東電工株式会社 半導体ウエハの保持方法
CN100530593C (zh) * 2007-06-01 2009-08-19 日月光半导体制造股份有限公司 切割晶圆的方法
JP5113600B2 (ja) * 2008-04-08 2013-01-09 リンテック株式会社 シート貼付装置及び貼付方法
JP5431053B2 (ja) * 2009-07-27 2014-03-05 日東電工株式会社 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
US8574398B2 (en) 2010-05-27 2013-11-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus and method for detaping an adhesive layer from the surface of ultra thin wafers
CN104609241B (zh) * 2015-01-08 2017-03-15 中国科学院生物物理研究所 超薄切片收集器
US12044965B2 (en) * 2020-02-12 2024-07-23 Hutchinson Technology Incorporated Method for forming components without adding tabs during etching

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001063908A (ja) 1999-08-24 2001-03-13 Nitto Denko Corp 粘着テープ貼付け剥離装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3535318B2 (ja) * 1996-09-30 2004-06-07 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6149758A (en) * 1997-06-20 2000-11-21 Lintec Corporation Sheet removing apparatus and method
JP2000129227A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Lintec Corp 半導体ウエハ保護用粘着シートおよびその使用方法
JP2000331968A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ保護テープ
JP2001210610A (ja) * 2000-01-27 2001-08-03 Nitto Denko Corp 異方導電性フィルム付き半導体ウエハの製造方法
JP2001267331A (ja) * 2000-03-15 2001-09-28 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
KR100411256B1 (ko) * 2001-09-05 2003-12-18 삼성전기주식회사 웨이퍼 연마공정 및 이를 이용한 웨이퍼 후면 처리방법
JP4480926B2 (ja) * 2001-09-11 2010-06-16 テイコクテーピングシステム株式会社 シリコンウエハに対する保護フィルムの貼着方法及び貼着装置
JP3770820B2 (ja) * 2001-10-03 2006-04-26 日東電工株式会社 保護テープの貼付け方法
JP2003151930A (ja) 2001-11-09 2003-05-23 Toyo Chem Co Ltd 半導体ウエハ保護用シート
JP4307825B2 (ja) * 2002-08-28 2009-08-05 リンテック株式会社 半導体ウエハの保護構造、半導体ウエハの保護方法、これらに用いる積層保護シートおよび半導体ウエハの加工方法
US6638837B1 (en) * 2002-09-20 2003-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for protecting the front side of semiconductor wafers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001063908A (ja) 1999-08-24 2001-03-13 Nitto Denko Corp 粘着テープ貼付け剥離装置

Also Published As

Publication number Publication date
MY139274A (en) 2009-09-30
CN100343970C (zh) 2007-10-17
CN1757104A (zh) 2006-04-05
KR20050107775A (ko) 2005-11-15
US7335605B2 (en) 2008-02-26
TW200503091A (en) 2005-01-16
TWI305663B (en) 2009-01-21
WO2004079817A1 (ja) 2004-09-16
JP2004273527A (ja) 2004-09-30
JP4318471B2 (ja) 2009-08-26
US20060089004A1 (en) 2006-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100915259B1 (ko) 보호테이프 접착방법 및 박리방법
KR100868142B1 (ko) 보호테이프의 접착방법과 그 장치 및 보호테이프의 박리방법
KR101009533B1 (ko) 보호 테이프의 부착·박리방법
JP3880397B2 (ja) 保護テープの貼付・剥離方法
TWI255500B (en) Method of cutting a protective tape and protective tape applying apparatus using the same method
JP3737118B2 (ja) 半導体ウエハの保護粘着テープの剥離方法およびその装置
JP4895671B2 (ja) 加工装置
JP4187065B2 (ja) 粘着テープ貼付け方法およびその装置
JP5431053B2 (ja) 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
JP2009206161A (ja) テープ貼り機
TWI707818B (zh) 基板轉印方法及基板轉印裝置
KR101049024B1 (ko) 반도체 웨이퍼에의 보호테이프 접착방법 및 접착장치
JP2004047976A (ja) 保護テープ貼付方法およびその装置
KR20120051607A (ko) 보호 테이프 부착 방법 및 그것에 사용하는 보호 테이프
TW201519304A (zh) 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置
KR20060088819A (ko) 테이프 부착방법 및 장치
JP2000331963A (ja) ウェーハフレームへのウェーハ取付方法と装置及びそれを組込んだ平面加工装置
WO2006123508A1 (ja) 脆質部材の処理装置
KR101049000B1 (ko) 점착테이프의 접착방법 및 접착장치
JP4334420B2 (ja) 保護テープ貼付け方法および保護テープ貼付け装置
JP2005243700A (ja) 粘着シート貼付け方法およびこれを用いた装置
JP2005340859A (ja) 保護テープの剥離方法
JP2005243888A (ja) 粘着シート貼付け方法およびこれを用いた装置
KR20220131891A (ko) 박화 웨이퍼의 제조 방법 및 박화 웨이퍼의 제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20050830

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20081124

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20100816

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20101129

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20110112

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20110112

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131218

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20131218

Start annual number: 4

End annual number: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20151209