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KR100999760B1 - 발광소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

발광소자 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100999760B1
KR100999760B1 KR1020080094485A KR20080094485A KR100999760B1 KR 100999760 B1 KR100999760 B1 KR 100999760B1 KR 1020080094485 A KR1020080094485 A KR 1020080094485A KR 20080094485 A KR20080094485 A KR 20080094485A KR 100999760 B1 KR100999760 B1 KR 100999760B1
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 캐비티를 포함하는 패키지 몸체; 상기 캐비티에 배치된 발광 소자; 상기 패키지 몸체에 집적된 온도 측정 소자; 상기 패키지 몸체에 형성된 복수개의 금속층을 포함한다.
LED, 패키지, 온도감지

Description

발광소자 패키지 및 그 제조방법{Lighting emitting device package and fabrication method thereof}
본 발명의 실시 예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다.
이러한 발광다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 장치로 이용되고 있으며, 상기 발광 장치는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.
실시 예는 온도 측정소자를 내장한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예는 패키지 몸체에 형성되는 온도 측정소자를 이용하여 발광소자로부터 발생되는 온도를 감지할 수 있도록 한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예는 발광소자 패키지의 온도를 감지하여 발광 다이오드의 공급 전원을 조절할 수 있도록 한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 패키지 몸체에 캐비티를 형성하는 단계; 상기 패키지 몸체에 복수개의 금속층을 형성하는 단계; 상기 패키지 몸체에 온도 측정 소자를 형성하는 단계; 상기 캐비티에 발광 소자를 배치하는 단계를 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 캐비티를 포함하는 패키지 몸체; 상기 캐비티에 배치된 발광 소자; 상기 패키지 몸체에 집적된 온도 측정 소자; 상기 패키지 몸체에 형성된 복수개의 금속층을 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 패키지 몸체에 캐비티를 형성하는 단계; 상기 패키지 몸체에 복수개의 금속층을 형성하는 단계; 상기 패키지 몸체에 온도 측정 소자를 형성하는 단계; 상기 캐비티에 발광 소자를 배치하는 단계 를 포함한다.
실시 예는 패키지 몸체에 온도 측정소자를 집적하여, 발광 다이오드의 온도를 정확하게 측정할 수 있는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
실시 예는 발광소자의 온도 특성과 전기적인 특성을 효과적으로 보상해 줄 수 있다.
실시 예는 외부 환경 변화에 상관없이 균일한 발광 특성을 갖는 발광소자 패키지 및 발광 모듈을 제공할 수 있다.
실시 예는 발광 모듈을 구성하는 전체 LED 소자의 특성을 균일하게 유지할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 도 1의 횡 단면도이고, 도 3은 도 1의 종 단면도이다.
도 1 내지 도 3를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110), 캐비티(111), 발광소자(120) 및 온도 측정소자(130)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(110)는 실리콘 재질 예컨대, 실리콘(silicon) 기반의 wafer level package(WLP)로 이루어지며, 다면체(예: 직육면체) 형태의 몸체(frame)로 이루어진다.
상기 패키지 몸체(110)의 상부에는 캐비티(111)가 형성되며, 상기 캐비 티(111)의 표면 형상은 다각형, 원형, 타원형 등으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(111)는 건식 식각 또는/및 습식 식각 방식으로 소정 깊이로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(111)의 측면은 경사지게 형성될 수 있으며, 상기 경사진 측면은 광의 반사량을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 캐비티(111)에는 온도 측정소자(130) 및 발광소자(120)가 배치된다.
상기의 소자 실장을 위해 상기 패키지 몸체(110)의 전 표면에는 절연층(112), 상기 절연층(112) 위에 금속층(114,116,132,134) 및 외부전극층(115,117,135,136)이 형성된다. 상기 절연층(112)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, AlN, SiC 등의 절연 물질로 형성할 수 있다.
상기 절연층(112)은 패키지 몸체(110)인 실리콘 재질과 상기 금속층(114,116,132,134) 및 외부전극층(115,117,135,136)과의 전기적인 절연을 위해 형성된다.
상기 금속층(114,116,132,134)은 제1 내지 제4금속층(114,116,132,134)을 포함한다. 상기 제1 및 제2금속층(114,116)은 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결되는 내부 전극층이며, 상기 제3 및 제4금속층(132,134)은 상기 온도 측정소자(130)에 전기적으로 연결되는 내부 전극층이다. 상기 금속층(114,116,132,134)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 금속층(114,116,132,134) 중에서 캐비티(111) 내부에 형성된 제1내지 제4금속층(114,116,132,134)은 반사도가 높은 금속 물질로 형성될 수 있으며, 또한 수지물과의 접착력이 좋은 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1내지 제4금속층(114,116,132,134)이 다층인 경우, 최상층은 Al, Ag 또는 APC(Ag+Pd+Cu) 금속 물질 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2금속층(114,116)은 상기 패키지 몸체(110)의 좌/우측으로 연장되어 상기 패키지 몸체(110)의 배면에 연장되며, 상기 패키지 몸체(110)의 배면 좌/우측에는 제1 및 제2외부 전극층(115,117)이 상기 제1 및 제2금속층(114,115)에 연결된다.
상기 제3 및 제4금속층(132,134)은 상기 패키지 몸체(110)의 앞/뒤측으로 연장되어 상기 패키지 몸체(110)의 배면에 연장되며, 상기 패키지 몸체(110)의 배면 앞/뒤측에는 제3 및 제4외부 전극층(135,136)이 상기 제 1및 제2금속층(132,134)에 연결된다.
상기 제1 내지 제4외부 전극층(115,117,134,135)은 표면실장기술(SMT) 공정에서의 기판 배선과의 전기적 및/또는 기계적 결합을 위해 접착제와 접합력이 우수한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제1내지 제4외부 전극층(115,117,134,135)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 다층인 경우 최상층에는 Au, Cu 등의 금속을 이용할 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)에는 제너 다이오드(도 5의 125)를 구현할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 실리콘 재질의 기판으로서, 상기 절연층(112)을 형성한 다음, 제너 다이오드 패턴을 형성하고, 확산 공정 또는 이온 주입 공정을 통해 패키지 몸체(110)에 형성할 수 있다. 이러한 제너 다이오드는 발광소자(120)의 내 전압 을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 온도 측정소자(130)는 상기 패키지 몸체(110)에 반도체 박막 저항체로 집적된다. 상기 온도 측정소자(130)는 상기 절연층(112) 위에 박막 저항체로 구현될 수 있다. 상기 박막 저항체는 온도 의존성이 큰 박막 즉, TCR(Temperature coefficient of resistance)가 높은 박막으로 형성하거나, 원하는 저항값을 쉽게 만족할 수 있는 비 저항을 갖도록 형성할 수 있다. 상기 박막 저항체는 예컨대, TaN, NiCr, Fe, Mn, Co, Ni 등의 물질 등으로 이용할 수 있다. 예컨대 상기 TaN 금속은 TaN 박막 증착 조건에 따라 NTC 또는 PTC 특성을 갖는 써미스터로 동작하는 박막 저항을 구현할 수 있다. 즉, 써미스터는 온도가 올라가면 박막 저항 값은 낮아지는 NTC 특성으로 제조하거나, 온도가 올라가면 박막 저항 값이 높아지는 PTC 특성으로 제조할 수 있다. 상기 Fe, Mn, Co, Ni 등의 전이 금속은 산화물을 이용하여 증착할 수 있다.
상기 TaN 박막을 이용한 온도 측정소자(130)는 상기 절연층(112) 위의 표면에 스퍼터링 또는 증착(evaporation) 방법 등의 금속 박막 증착 방법에 의하여 형성하고, 사진 식각 기술 및/또는 저항체 식각 공정을 이용하여 패터닝하는 방법으로 형성할 수 있다. 또한 상기 온도 측정소자(130)는 상기 절연층(112) 위에 사진 식각 기술을 이용하여 온도 측정소자 영역의 감광막을 패터닝하고, 금속박막을 증착한 후 상기 감광막을 제거하는 리프트 오프(lift-off) 방법에 의하여 형성할 수 있다. 상기 온도 측정소자(130)의 형성 방법은 상기의 기술적 범위 내에서 변경될 수 있다. 실시 예는 상기 TaN 박막을 이용한 온도 측정소자의 제조하는 과정뿐만 아니 라, 다른 물질을 이용한 온도 측정소자를 제조하는 과정도 실시 예의 기술적 범위에 포함할 수 있다.
상기 온도 측정소자(130) 위에는 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 유색 LED 칩, UV LED 칩 등을 선택적으로 포함하며, 상기 유색 LED 칩은 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩 등을 포함한다.
상기 발광소자(120)는 상기 제1 및 제2금속층(114,116)에 와이어(121)로 연결되며, 상기 온도 측정소자(130)는 상기 제3 및 제4금속층(132,134)에 직접 연결된다. 상기 발광 소자(120)는 수평형 반도체 발광소자로 구현될 수 있으며, 이 경우에는 복수개의 와이어(121)로 제 1및 제2전극층(114,116)에 전기적으로 연결된다.
상기 온도 측정소자(130)와 제1 및 제2금속층(114,116) 사이에는 절연막(118)이 형성될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)의 캐비티(111)에는 수지물(140)이 채워질 수 있다. 상기 수지물(140)은 투명한 에폭시 또는 실리콘 재질을 포함하며, 상기 수지물(140)에는 소정 컬러를 방출하는 형광체가 포함될 수 있다.
상기 제1실시 예는 상기 패키지 몸체(110)의 발광 소자(120)의 아래에 온도 측정소자(130)를 집적하여, 발광 소자(120)의 온도를 정확하게 측정할 수 있다. 상기 측정된 온도는 LED 드라이버(미도시)로 제공됨으로써, 발광 소자(120)를 제어하는데 이용할 수 있다. 즉, 상기 LED 드라이버는 상기 온도를 이용하여 상기 발광소자(120)의 온도 특성과 전기적인 특성을 효과적으로 보상해 줄 수 있다. 이에 따라 상기 발광 소자(120)는 외부 환경 변화에 상관없이 균일한 발광 특성을 갖게 된다.
도 4는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에서 온도 측정소자를 회로적으로 표현한 개략 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110) 상에 온도 측정소자(130)를 집적하고, 상기 온도 측정소자(130) 위에 발광소자(120)를 배치한 구성이다. 상기 온도 측정소자(130)는 상기 발광소자(120)로부터 발생된 열을 측정하여 LED 드라이버(미도시)에 제공하게 된다.
이에 따라 상기 LED 드라이버(미도시)는 상기 발광소자(120)의 온도에 따라 상기 발광소자(120)에 흐르는 전류를 제어함으로써, 상기 발광소자(120)의 온도를 제어하여 균일한 광을 발광할 수 있도록 조절할 수 있다.
도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에서 발광소자와 온도 측정소자가 독립적으로 배치된 회로 구성도이다. 즉, 상기 발광소자(120)와 온도 측정소자(130)는 전기적으로 오픈되게 구성된다.
도 6은 실시 예에 따른 발광소자 패키지에서 제너 다이오드를 추가한 회로 구성도이다. 이에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)와 제너 다이오드(125)를 병렬로 연결하고, 상기 발광소자(120)와 온도 측정소자(130)를 회로적으로 오픈되게 구성한다. 상기 제너 다이오드(125)는 양 방향성 또는 양 방향성으로 구성할 수 있으며, 상기 발광소자(120)의 내전압을 개선시켜 줄 수 있다.
도 7은 실시 예에 따른 온도 측정소자의 온도 및 저항 특성을 나타낸 그래프이다. 도 7을 참조하면, 온도 측정소자(130)는 PTC 특성으로 형성되면 온도가 높으 면 상기 온도에 비례해서 저항이 높아지는 특징이 있으며, NTC 특성으로 형성되면 온도가 높이면 온도에 비례해서 저항이 낮아지는 특징이 있다. 상기 온도 측정소자(130)는 상기 PTC 특성 또는 NTC 특성을 갖도록 형성될 수 있다.
도 8 내지 도 11은 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 실리콘 재질의 패키지 몸체(110) 상부에 캐비티(111)를 형성한다. 상기 캐비티(111)는 습식 식각 또는/및 건식 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 습식 식각은 KOH를 이용할 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.
도 9를 참조하면, 상기 패키지 몸체(110)의 표면에 절연층(112)을 형성하게 된다. 상기 절연층(112)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, AlN, SiC 등의 절연 물질로 형성할 수 있다.
도 10 및 도 1내지 도 3를 참조하면, 상기 절연층(112) 위에는 금속층(114,116,132,134), 외부 전극층(115,117,135,136) 및 온도 측정소자(130)가 형성될 수 있다. 여기서, 상기 금속층(114,116,132,134)을 형성한 후 상기 온도 측정소자(130)를 형성할 수 있으며, 또는 상기 온도 측정소자(130)를 측정한 후 상기 금속층(114,116,132,134)을 형성할 수 있다.
상기 금속층(114,116,132,134)은 발광소자(120)에 연결되는 제1 및 제2금속층(114,116)이 형성되며, 온도 측정소자(130)를 위한 제3 및 제4금속층(132,134)이 형성된다. 상기 제1 내지 제4금속층(114,116,132,134)은 반사도가 높은 금속 물질이거나, 수지물과의 접착력이 좋은 금속 물질 등으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 내지 제4금속층(114,116,132,134)은 Al, Ag 또는 APC(Ag+Pd+Cu) 금속 물질 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2금속층(114,116)은 상기 패키지 몸체(110)의 배면에 연장되어, 제1 및 제2외부 전극층(115,117,135,136)과 연결된다. 상기 제3 및 제4금속층(132,134)은 상기 패키지 몸체(110)의 배면에 연장되어, 제3 및 제4외부 전극층(135,136)과 연결된다. 상기 제1내지 제4외부 전극층(115,117,135,136)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 다층인 경우 최상층에는 Au, Cu 등의 금속을 이용할 수 있다.
상기 온도 측정소자(130)는 상기 절연층(112) 위에 박막 저항체로 형성될 수 있으며, 상기 제3 및 제4금속층(132,134)에 전기적으로 연결된다. 상기 박막 저항체는 예컨대, TaN, NiCr, Fe, Mn, Co, Ni 등의 물질 등으로 이용할 수 있다. 이러한 박막 저항체는 스퍼터링 또는 증착 방법에서 사진 식각 기술 및/또는 저항체 식각 공정을 이용하여 패터닝하는 방법으로 형성할 수 있다. 또한 상기 온도 측정소자(130)는 상기 절연층(112) 위에 사진 식각 기술을 이용하여 온도 측정소자(130) 영역의 감광막을 패터닝하고, 금속박막을 증착한 후 상기 감광막을 제거하는 리프트 오프(lift-off) 방법에 의하여 형성할 수 있다. 상기 온도 측정소자(130)의 형성 방법은 상기의 기술적 범위 내에서 변경될 수 있다. 실시 예는 상기 TaN 박막을 이용한 온도 측정소자(130)의 제조하는 과정뿐만 아니라, 다른 물질을 이용한 온도 측정소자(130)를 제조하는 과정도 실시 예의 기술적 범위에 포함할 수 있다.
또한 상기 박막 저항체는 온도 의존성이 큰 박막 즉, TCR(Temperature coefficient of resistance)가 높은 박막으로 형성하거나, 원하는 저항값을 쉽게 만족할 수 있는 비 저항을 갖도록 형성할 수 있다. 상기 박막 저항체는 박막 증착 조건에 따라 NTC 또는 PTC 특성을 갖는 써미스터로 동작하는 박막 저항을 구현할 수 있다.
예를 들면, 상기 TaN 박막은 스퍼터링으로 형성할 수 있는 데, Ar 가스와 N2 가스를 같이 주입하여 Ta 금속과 N2 가스가 반응하여 TaN 박막을 증착하게 된다. 또한 TCR이 높은 박막을 증착하기 위해서는 Ar가스와 N2 가스의 조성을 N2 가스의 양을 더 높게 주입하면 구현될 수 있다.
상기 절연막(118)은 상기 제1 및 제2금속층(114,116)과 제3 및 제4금속층(도 2의 132,134), 온도측정소자(130) 사이를 전기적으로 절연시켜 준다.
도 11을 참조하면, 상기 온도 측정소자(130) 위에는 발광소자(120)가 접착제로 부착되며, 상기 접착제는 비 전도성 재질로 이용할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 적어도 하나의 유색 LED 칩 또는 UV LED 칩을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광소자(120)는 와이어(121)로 제1 및 제2금속층(116,114)에 연결된다. 상기 온도 측정소자(130)의 크기는 상기 발광소자(120)의 바닥면 면적보다 크거나 작게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(111)에는 수지물(140)이 형성된다. 상기 수지물(140)은 투명한 에폭시 또는 실리콘 재질이며, 필요에 따라 형광체가 첨가될 수 있다.
상기 발광소자 패키지(100)는 발광소자(120)가 구동될 때, 상기 발광소자(120)에서 발생된 온도를 상기 온도 측정소자(130)로 측정하여 LED 드라이버로 전달하게 된다. 상기 LED 드라이버는 상기 측정된 온도를 이용하여 발광소자(120)에 인가되는 전류를 조절하게 된다. 이에 따라 발광소자(120)는 균일한 광 분포를 제공할 수 있다.
또한 상기 발광소자 패키지(100)를 복수개 구비한 발광 모듈(미도시)은 상기 발광소자 패키지(100)의 발광소자(120)의 온도를 측정하여, 각 발광소자(120)에 인가되는 전류를 제어함으로써, 발광 모듈을 구성하는 전체 LED 소자의 특성을 균일하게 유지시켜 줄 수 있다.
도 12는 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 12를 참조하면, 발광소자 패키지(100A)의 패키지 몸체(110)는 캐비티(111)에 발광소자(120)가 배치하고, 상기 패키지 몸체(110)의 배면에 온도 측정소자(130A)를 집적하게 된다. 상기 온도 측정소자(130A)는 상기 발광소자(120)에서 상기 패키지 몸체(110)로 전달되는 온도를 측정하여 LED 드라이버로 전달해 준다. 상기 패키지 몸체(110)의 배면에 상기 온도 측정소자(130A)를 제조하는 과정은 상기 설명된 기술적 범위 내에서 구현될 수 있다.
실시 예는 패키지 몸체(110)에 온도 측정소자(130A)를 집적하여, 발광 소자의 온도를 정확하게 측정함으로써, 발광소자(120)의 온도 특성과 전기적인 특성을 효과적으로 보상해 줄 수 있다. 또한 외부 환경 변화에 상관없이 균일한 발광 특성을 갖도록 제어할 수 있다.
도 13은 제3실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 13을 참조하면, 발광소자 패키지(100B)의 패키지 몸체(110)는 캐비티(111) 바닥면에 단차진 홈(108)을 형성하고, 상기 절연층(112)을 패키지 몸체(110)의 전 표면에 형성해 준다. 이때 상기 단차진 홈(108) 영역에 형성된 상기 절연층(112) 위에는 온도 보상 소자(130B)가 형성되고, 상기 온도보상 소자(130B)의 양측 및 상면에는 절연막(118A)을 형성해 주어, 상기 제1및 제2금속층(114,116)과 전기적으로 절연시켜 준다. 여기서, 상기 온도 보상 소자(130B)는 상기 발광 소자(120A)의 아래에서 일부 영역에 배치되어 온도를 방열시켜 주게 된다.
이때 상기 절연막(118A)의 표면은 상기 제1 및 제2금속층(114,116)과 동일한 평면으로 형성되며, 상기 절연막(118A) 및 제2금속층(116) 위에는 발광소자(120)가 전도성 접착제로 탑재될 수 있다. 이때 상기 발광 소자(120A)는 수직형 반도체 발광소자로서, 칩의 위/아래에 전극이 배치된 구조로서, 칩 아래의 전극이 상기 제2금속층(116)과 전기적으로 연결된다. 이 경우, 상기 발광소자(120A)의 아래에는 상기 단차진 홈(108)에 의해 평탄 즉, 상기 절연막(118A)과 상기 제2금속층(116)의 표면이 동일 평면을 이룰 수 있게 되므로, 상기 온도 측정 소자(130B)의 크기를 줄이더라도, 상기 발광 소자(120A)의 아래 부분의 단차진 구조를 제거할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 횡 단면도이다.
도 3은 도 1의 종 단면도이다.
도 4는 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지에 집적된 온도 측정 소자를 회로적으로 나타낸 개략 도면이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 발광 소자와 온도 측정 소자를 회로적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지에 있어서, 발광 소자, 제너 다이오드 및 온도 측정 소자를 회로적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 실시 예에 따른 온도 측정 소자의 온도 및 저항 특성을 나타낸 그래프이다.
도 8 내지 도 11은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 12는 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도.
도 13은 제3실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면이다.

Claims (19)

  1. 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 위에 서로 이격된 복수개의 금속층;
    상기 캐비티 내에 배치되며 상기 캐비티 내에 배치된 적어도 한 금속층에 전기적으로 연결된 발광 소자;
    상기 패키지 몸체의 캐비티 바닥면과 상기 발광 소자의 사이에 집적된 온도 측정 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 위에 서로 이격된 복수개의 금속층;
    상기 캐비티 내의 적어도 한 금속층 위에 배치된 발광 소자;
    상기 발광 소자와 대응되는 상기 패키지 몸체의 하면에 집적된 온도 측정 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 발광 소자는 유색 LED 칩 및 UV LED 칩 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 캐비티에는 수지물 또는 형광체가 첨가된 수지물을 포함하는 발광소자 패키지.
  5. 제 1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 패키지 몸체는 실리콘 재질을 포함하며,
    상기 패키지 몸체와 상기 금속층 및 상기 온도 측정 소자의 사이에 절연층을 포함하는 발광소자 패키지.
  6. 제 1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금속층은 상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 제1 및 제2금속층; 및 상기 온도 측정 소자에 연결된 제3 및 제4금속층을 포함하는 발광소자 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 온도 측정 소자는 상기 발광 소자와 상기 패키지 몸체 사이에 형성되며, 상기 발광 소자와 전기적으로 오픈되게 배치된 발광 소자 패키지.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 온도 측정 소자는 상기 발광 소자 및 상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 금속층으로부터 이격되게 배치되는 발광 소자 패키지.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 온도 측정 소자는 반도체 박막 저항체 또는 전이 금속을 포함하는 발광 소자 패키지.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 온도 측정 소자는 TaN, NiCr, Fe, Mn, Co, Ni 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.
  11. 제 1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 패키지 몸체에 배치된 제너 다이오드를 포함하는 발광 소자 패키지.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 패키지 몸체의 캐비티 바닥면 일부에 상기 온도 측정 소자가 배치된 단차진 홈;
    상기 패키지 몸체와 상기 금속층 및 상기 온도 측정 소자 사이에 절연층; 및
    상기 복수개의 금속층 사이에 배치되고 상기 온도 측정 소자를 보호하는 절연막을 포함하며,
    상기 절연막의 상면은 상기 캐비티 내의 금속층의 상면과 동일 평면으로 배치되며, 상기 발광소자는 상기 절연막 및 어느 하나의 금속층 위에 배치되는 발광소자 패키지.
  13. 패키지 몸체에 상부가 개방된 오목한 캐비티를 형성하는 단계;
    상기 패키지 몸체 위에 서로 이격된 복수개의 금속층을 형성하는 단계;
    상기 패키지 몸체에 온도 측정 소자를 형성하는 단계; 및
    상기 캐비티에 발광 소자를 배치하는 단계를 포함하는 발광 소자 패키지 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 패키지 몸체에 절연층을 형성한 후 상기 금속층 또는 상기 온도 측정 소자를 형성하는 발광소자 패키지 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 온도측정소자는 상기 패키지 몸체의 캐비티의 바닥면 또는 상기 발광 소자와 대응되는 상기 패키지 몸체의 하면에 집적되는 발광소자 패키지 제조방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 캐비티에 수지물 또는 형광체가 첨가된 수지물을 형성하는 발광소자 패키지 제조방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 온도 측정 소자는 스퍼터링 또는 증착법을 이용하여 형성된 반도체 박막 저항체 또는 전이 금속 물질로 집적되는 발광 소자 패키지 제조방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 온도 측정 소자는 TaN, NiCr, Fe, Mn, Co, Ni 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지 제조방법.
  19. 삭제
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