KR100986190B1

KR100986190B1 - Coaxial Connector Conversion Structure

Info

Publication number: KR100986190B1
Application number: KR1020080136595A
Authority: KR
Inventors: 김상근
Original assignee: 엘아이지넥스원 주식회사
Priority date: 2008-12-30
Filing date: 2008-12-30
Publication date: 2010-10-07
Also published as: KR20100078355A

Abstract

본 발명은 동축커넥터 변환 구조체에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 스트립라인에서 수직 동축커넥터로의 변환 구조에 있어서, 삽입손실 및 반사손실을 개선할 수 있는 동축커넥터 변환 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a coaxial connector conversion structure. More particularly, the present invention relates to a coaxial connector conversion structure capable of improving insertion loss and return loss in a conversion structure from a stripline to a vertical coaxial connector.

이를 위하여 본 발명은, 하면에 제1 그라운드가 형성되는 제1 절연층; 제1 절연층의 상면의 일부에 형성되는 신호패턴; 제1 절연층의 상면의 다른 일부에 형성되고, 제1 비아를 통해 제1 그라운드와 전기적으로 연결되며, 신호패턴과 CPW 구조를 형성하는 커넥터 랜드; 커넥터 랜드의 상면에 안착되는 중공형의 외부실드; 일측은 신호패턴과 전기적으로 연결되고, 타측은 절곡되어 외부실드의 내측에 배치되는 내부도체; 신호패턴을 커버하도록 제1 절연층의 상면에 적층되고, 외부실드에 상응하는 홈이 형성되며, 상면에 제2 그라운드가 형성되는 제2 절연층; 및 제1 절연층 및 제2 절연층을 관통하여, 제1 그라운드와 제2 그라운드를 전기적으로 연결하는 제2 비아를 포함하는 동축커넥터 변환 구조체를 제공한다.To this end, the present invention, the first insulating layer is formed on the lower surface; A signal pattern formed on a portion of an upper surface of the first insulating layer; A connector land formed on another portion of an upper surface of the first insulating layer and electrically connected to the first ground through the first via, and forming a signal pattern and a CPW structure; A hollow outer shield seated on an upper surface of the connector land; One side is electrically connected to the signal pattern, the other side is bent to the inner conductor disposed inside the outer shield; A second insulating layer stacked on an upper surface of the first insulating layer to cover the signal pattern, a groove corresponding to the outer shield is formed, and a second ground formed on the upper surface; And a second via penetrating through the first insulating layer and the second insulating layer, the second via electrically connecting the first ground and the second ground.

스트립라인, 동축커넥터, 비아, CPW(coplanar waveguide) Stripline, Coaxial Connectors, Vias, Coplanar Waveguides (CPW)

Description

Coaxial connector transition structure

우리 실상에 널리 사용되고 있는 각종의 무선고주파 시스템인 이동통신 장비들은 급격히 증가하고 있는 추세이다. 대부분의 마이크로파 분야에서는 동축 전송선을 사용하는데, 동축 전송선은 내부도체와 외부 도체로 구성된다. 내부도체와 외부 도체는 전기절연성 유전체로 분리되어 있다.Mobile communication equipments, which are various radio frequency systems widely used in our country, are increasing rapidly. Most microwave applications use coaxial transmission lines, which consist of an inner conductor and an outer conductor. The inner and outer conductors are separated by an electrically insulating dielectric.

최근 동축 전송선이 무선 통신 분야 등에 활발히 사용되면서, 동축 전송선을 통해 전달되는 신호의 주파수가 18 ㎓나 26.5 ㎓ 등으로 매우 높아지면서 동축 전송선의 커넥터에 요구되는 전기적 특성이 엄격해지고 있다. 특히, 커넥터의 잦은 삽입과 분리가 요구되는 경우, 예컨대 마이크로파 소자를 테스트하는 경우에 전기적 접속이 신속하게 이루어지면서도 전압 정재파비(VSWR: Voltage Standing Wave Radio)가 낮아야 하고 전기적 분리 특성이 우수해야 하며, 정확한 임피던스 정합이 보장되어야 하고, 신호 무결성(signal integrity)과 전파 특성의 확보가 필요하다.Recently, as coaxial transmission lines are actively used in wireless communication fields, the frequency of signals transmitted through coaxial transmission lines is very high, such as 18 kHz or 26.5 kHz, and the electrical characteristics required for the connectors of the coaxial transmission lines are becoming strict. In particular, if frequent insertion and disconnection of the connector is required, for example, when testing microwave devices, the electrical connection should be rapid, but the voltage standing wave radio (VSWR) must be low and the electrical isolation characteristics must be excellent. Accurate impedance matching must be ensured, and signal integrity and propagation characteristics are required.

또한, 고주파 대역을 이용하는데 있어, 기판내의 신호의 전달과정과 외부의 안테나의 연결부의 접속구조 및 장치를 제작하는 과정에서 동작상태를 검사하기 위한 접속방법이 문제된다.In addition, in using the high frequency band, a connection method for inspecting an operation state in a process of transmitting a signal in a substrate and a connection structure and an apparatus for connecting an external antenna is problematic.

특히 안테나로 급전하기 위한 급전부의 커넥터 연결부는 동축 구조와 스트립 구조체의 연결구조로 이루어지는데, 도 1에 도시된 바와 같은 종래기술에 따른 동축커넥터 변환 구조체의 경우, 외부실드를 스트립 전송 라인과 접지면에 접속하기 위해 유전체 시트를 관통하는 전도체는 전송 라인의 물리적 특성에서 갑작스런 변화를 발생시키고, 이에 의해 전송 라인의 특성 임피던스에서 갑작스런 변화, 즉 임피던스 부정합을 발생시킨다. 이러한 임피던스 부정함에 의한 반사손실과 삽입손실의 증가는 전체적인 RF 시스템의 성능 저하를 가져오게 된다.In particular, the connector connection portion of the feed portion for feeding to the antenna is made of a connection structure of the coaxial structure and the strip structure, in the case of the coaxial connector conversion structure according to the prior art as shown in Figure 1, the outer shield is connected to the strip transmission line and ground Conductors that penetrate through the dielectric sheet to connect to the face produce a sudden change in the physical characteristics of the transmission line, thereby causing a sudden change in the characteristic impedance of the transmission line, i.e. impedance mismatch. This increase in return loss and insertion loss due to impedance negation leads to degradation of the overall RF system performance.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 스트립라인에서 수직 동축커넥터로의 변환 구조에 있어서, 삽입손실 및 반사손실을 개선할 수 있는 동축커넥터 변환 구조체를 제공하는 데에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a coaxial connector conversion structure that can improve insertion loss and return loss in a conversion structure from a stripline to a vertical coaxial connector. have.

본 발명의 일 측면에 따르면, 하면에 제1 그라운드가 형성되는 제1 절연층; 제1 절연층의 상면의 일부에 형성되는 신호패턴; 제1 절연층의 상면의 다른 일부에 형성되고, 제1 비아를 통해 제1 그라운드와 전기적으로 연결되며, 신호패턴과 CPW 구조를 형성하는 커넥터 랜드; 커넥터 랜드의 상면에 안착되는 중공형의 외부실드; 일측은 신호패턴과 전기적으로 연결되고, 타측은 절곡되어 외부실드의 내측에 배치되는 내부도체; 신호패턴을 커버하도록 제1 절연층의 상면에 적층되고, 외부실드에 상응하는 홈이 형성되며, 상면에 제2 그라운드가 형성되는 제2 절연층; 및 제1 절연층 및 제2 절연층을 관통하여, 제1 그라운드와 제2 그라운드를 전기적으로 연결하는 제2 비아를 포함하는 동축커넥터 변환 구조체를 제공할 수 있다.According to an aspect of the invention, the first insulating layer is formed on the lower surface first ground; A signal pattern formed on a portion of an upper surface of the first insulating layer; A connector land formed on another portion of an upper surface of the first insulating layer and electrically connected to the first ground through the first via, and forming a signal pattern and a CPW structure; A hollow outer shield seated on an upper surface of the connector land; One side is electrically connected to the signal pattern, the other side is bent to the inner conductor disposed inside the outer shield; A second insulating layer stacked on an upper surface of the first insulating layer to cover the signal pattern, a groove corresponding to the outer shield is formed, and a second ground formed on the upper surface; And a second via penetrating the first insulating layer and the second insulating layer to electrically connect the first ground and the second ground to each other.

내부도체와 외부실드 사이에는 유전체가 개재될 수 있다.A dielectric may be interposed between the inner conductor and the outer shield.

신호패턴과 CPW 구조를 형성하는 커넥터 랜드의 일측은, 신호패턴을 중심으로 서로 대칭적으로 형성되며 신호패턴과의 간격이 점차 감소하는 감소영역, 감소영역으로부터 연장되어 신호패턴과의 간격이 유지되는 유지영역, 및 유지영역으로부터 연장되어 신호패턴과의 간격이 점차 증가하는 확장영역을 포함할 수 있다. One side of the connector land forming the signal pattern and the CPW structure is formed symmetrically with respect to the signal pattern, and is formed in a reduced area where the distance from the signal pattern gradually decreases and extends from the reduced area to maintain the gap with the signal pattern. A holding area and an extension area extending from the holding area and gradually increasing a distance from the signal pattern may be included.

제2 비아는 확장영역에 형성될 수 있으며, 복수 개의 제2 비아가 신호패턴을 중심으로 서로 대칭적으로 배치될 수도 있다.The second via may be formed in the extension region, and the plurality of second vias may be symmetrically arranged with respect to the signal pattern.

또한, 감소영역과 인접한 신호패턴의 단부는 면적이 확장된 형상일 수 있다.In addition, an end portion of the signal pattern adjacent to the reduction region may have an enlarged area.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 스트립라인에서 수직 동축커넥터로의 변환 구조에 있어서, 삽입손실 및 반사손실을 개선할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, in the conversion structure of the stripline to the vertical coaxial connector, insertion loss and return loss can be improved.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First of all, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals have the same reference numerals as much as possible even if displayed on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, the following will describe a preferred embodiment of the present invention, but the technical idea of the present invention is not limited thereto and may be variously modified and modified by those skilled in the art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부실드 구조체를 나타내는 투명 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부실드 구조체를 나타내는 투명 측면도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부실드 구조체를 나타내는 투명 평면도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 제1 절연층(10), 제1 비아(12), 신호패턴(14), 제1 그라운드(16), 커넥터 랜드(18), 제2 절연층(20), 제2 비아(22), 제2 그라운드(24), 홈(28), 외부실드(30), 내부도체(32), 유전체(34)가 도시되어 있다.2 is a transparent perspective view showing an outer shield structure according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a transparent side view showing an outer shield structure according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is an embodiment of the present invention It is a transparent top view which shows the outer shield structure which concerns. 2 to 4, the first insulating layer 10, the first via 12, the signal pattern 14, the first ground 16, the connector land 18, and the second insulating layer 20. A second via 22, a second ground 24, a groove 28, an outer shield 30, an inner conductor 32, and a dielectric 34 are shown.

제1 절연층(10)의 하면에는 제1 그라운드(16)가 형성되며, 제1 절연층(10)의 상면의 일부에는 추후 설명할 외부실드(30)가 안착되는 커넥터 랜드(18)가 형성되고, 다른 일부에는 신호패턴(14)이 형성된다. 이 때, 제1 절연층(10)의 상면에 형성된 커넥터 랜드(18)와, 제1 절연층(10)의 하면에 형성된 제1 그라운드(16)는 제1 절연층(10)을 관통하는 제1 비아(12)에 의해 서로 전기적으로 연결된다.A first ground 16 is formed on a lower surface of the first insulating layer 10, and a connector land 18 is formed on a portion of the upper surface of the first insulating layer 10 to which the outer shield 30 to be described later is mounted. The signal pattern 14 is formed on the other part. In this case, the connector land 18 formed on the upper surface of the first insulating layer 10 and the first ground 16 formed on the lower surface of the first insulating layer 10 may pass through the first insulating layer 10. It is electrically connected to each other by one via 12.

제1 비아(12)는 도 2에 도시된 바와 같이 외부실드가 안착될 지점에 대응하여 소정의 간격으로 복수 개가 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정될 필요는 없으 며, 설계 상의 필요에 따라 그 개수 및 배치구조를 변경시킬 수도 있음은 물론이다.As illustrated in FIG. 2, a plurality of first vias 12 may be formed at predetermined intervals in correspondence to the point where the external shield is to be seated, but the number of first vias 12 is not necessarily limited thereto. Of course, it is also possible to change the arrangement structure.

이러한 제1 비아(12)를 형성하기 위하여, 제1 절연층(10)에 관통홀을 천공한 다음, 도금 공정 등을 수행하여 방법을 이용하여 관통홀 내부에 구리, 알루미늄 등과 같은 도전성 물질을 채워 넣는 방법을 이용할 수 있다.In order to form the first via 12, a through hole is drilled in the first insulating layer 10, and then a conductive process such as copper, aluminum, etc. is filled in the through hole by a plating process. You can use how to put.

한편, 커넥터 랜드(18)는 신호패턴(14)과 함께 CPW 구조를 형성할 수 있는 형상으로 이루어진다. 여기서 CPW 구조란 신호패턴(14)과 동일한 레이어에 그라운드가 함께 형성됨으로써, 신호패턴(14)의 측면 방향으로 전계가 형성되는 구조를 의미한다.Meanwhile, the connector land 18 has a shape capable of forming a CPW structure together with the signal pattern 14. The CPW structure refers to a structure in which an electric field is formed in the lateral direction of the signal pattern 14 by forming ground together on the same layer as the signal pattern 14.

전술한 바와 같이, 커넥터 랜드(18)는 제1 비아(12)를 통해 제1 그라운드(16)와 전기적으로 연결됨으로써 접지전극으로서의 기능을 수행할 수 있게 되며, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이 커넥터 랜드(18)가 신호패턴(14) 방향으로 연장되어 신호패턴(14)에 인접하게 배치됨으로써, CPW 구조가 구현될 수 있게 된다. 이 때, 임피던스 설계 값에 따라 신호패턴(14)의 두께와, 신호패턴(14)과 커넥터 랜드(18) 사이의 간극은 조절될 수 있다.As described above, the connector land 18 is electrically connected to the first ground 16 through the first via 12 to perform a function as a ground electrode, as shown in FIGS. 2 and 4. Likewise, the connector land 18 extends in the direction of the signal pattern 14 to be disposed adjacent to the signal pattern 14, thereby enabling a CPW structure. In this case, the thickness of the signal pattern 14 and the gap between the signal pattern 14 and the connector land 18 may be adjusted according to the impedance design value.

이 때, 신호패턴과 CPW 구조를 형성하는 상기 커넥터 랜드(18)의 일측은, 도 4에 도시된 바와 같이, 신호패턴(14)을 중심으로 서로 대칭적으로 형성되며 신호패턴(14)과의 간격이 점차 감소하는 감소영역(18a)과, 감소영역(18a)으로부터 연장되어 신호패턴(14)과의 간격이 유지되는 유지영역(18b), 및 유지영역(18b)으로부터 연장되어 신호패턴(14)과의 간격이 점차 증가하는 확장영역(18c)을 포함할 수 있다.At this time, one side of the connector land 18 forming the signal pattern and the CPW structure is formed symmetrically with respect to the signal pattern 14, as shown in FIG. A reduction region 18a in which the interval gradually decreases, a holding region 18b extending from the reduction region 18a to maintain a gap with the signal pattern 14, and a signal pattern 14 extending from the holding region 18b. ) May include an extended area 18c which gradually increases.

이와 같이 그라운드인 커넥터 랜드(18)와 신호패턴(14) 사이의 간격을 단순히 일정하게만 유지하지 않고 확장 또는 감소케 함으로써, 전계가 집중되는 결과를 가져올 수 있게 되며, 결과적으로 각종 손실로 인한 전체적인 RF 시스템의 성능 저하를 방지할 수 있게 되는 효과를 기대할 수 있게 된다.As such, the distance between the connector land 18 and the signal pattern 14, which are grounded, may be expanded or reduced instead of simply being kept constant, resulting in concentration of the electric field, resulting in overall loss due to various losses. The effect of preventing the performance degradation of the RF system can be expected.

커넥터 랜드(18)의 상면에는 중공형의 외부실드(30)가 형성된다. 외부실드(30)는 금속 재질로 이루어지고, 커넥터 랜드(18) 및 제1 비아(12)를 통해 제1 그라운드(16)와 전기적으로 연결된다. 외부실드(30)를 커넥터 랜드(18)에 안착시키기 위하여 도전성 접착제를 이용할 수도 있다. 이러한 외부실드(30)의 내부 공간에는 내부도체(32)가 배치된다.A hollow outer shield 30 is formed on the upper surface of the connector land 18. The outer shield 30 is made of metal and is electrically connected to the first ground 16 through the connector land 18 and the first via 12. A conductive adhesive may be used to seat the outer shield 30 on the connector land 18. The inner conductor 32 is disposed in the inner space of the outer shield 30.

내부도체(32)의 일측은 전술한 신호패턴(14)과 전기적으로 연결되고, 타측은 절곡되어 외부실드(30)의 내측에 대략 수직으로 배치된다. 외부실드(30)의 내측에 배치되는 내부도체(32)의 타측에는 홈(28)이 파여져 있을 수도 있는데 이것은 전기적 접촉을 좋게 하여 접촉부분의 전기저항을 줄이고 숫 커넥터(미도시)와 연결을 안정화하기 위한 것이다.One side of the inner conductor 32 is electrically connected to the signal pattern 14 described above, and the other side thereof is bent and disposed substantially vertically inside the outer shield 30. The other side of the inner conductor 32 disposed inside the outer shield 30 may be provided with a groove 28, which improves electrical contact and reduces electrical resistance of the contact portion and stabilizes connection with a male connector (not shown). It is to.

내부도체(32)는 마이크로파 신호를 전달하는 데에 사용되며, 신호패턴(14)과 전기적으로 연결되는 내부도체(32)의 일측은 신호를 전달하는 역할을 수행한다. 이와 같이 내부도체(32)와 신호패턴(14)을 전기적으로 연결하기 위해, 솔더링 등과 같은 방법을 이용할 수 있다. 물론, 솔더링 이 외의 다양한 방법을 통하여 내부도체(32)와 신호패턴(14)을 접속할 수도 있음은 당연하다.The inner conductor 32 is used to transmit a microwave signal, and one side of the inner conductor 32 electrically connected to the signal pattern 14 serves to transmit a signal. As such, in order to electrically connect the inner conductor 32 and the signal pattern 14, a method such as soldering may be used. Of course, the internal conductor 32 and the signal pattern 14 may be connected through various methods other than soldering.

이 때, 내부도체(32)와 연결되는 신호패턴(14)의 단부는 그 면적이 확장되는 형상일 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 역사다리꼴 형상일 수 있다. 이와 같이 내부도체(32)와 연결되는 신호패턴(14)의 단부를 그 면적이 확장되는 형상으로 형성함으로써, 내부도체(32)와의 매칭에 유리한 결과를 가져올 수 있게 된다.In this case, an end portion of the signal pattern 14 connected to the inner conductor 32 may have a shape in which an area thereof is extended. For example, as shown in FIG. 4, it may be an inverted trapezoid shape. In this way, by forming the end portion of the signal pattern 14 connected to the inner conductor 32 in a shape in which the area thereof is extended, it is possible to bring about an advantageous result in matching with the inner conductor 32.

한편, 내부도체(32)와 외부실드(30)의 내벽 사이에는 별도의 유전체가 개재되어 내부도체(32)와 외부실드(30)를 전기적으로 격리하는 기능을 수행할 수도 있다.Meanwhile, a separate dielectric may be interposed between the inner conductor 32 and the inner wall of the outer shield 30 to electrically isolate the inner conductor 32 and the outer shield 30.

상면에 신호패턴(14)이 형성된 제1 절연층(10)의 상면에는 제2 절연층(20)이 적층되어 신호패턴(14)을 커버한다. 신호패턴(14)뿐만 아니라 내부도체(32)의 일부 역시 제2 절연층(20)에 의해 커버될 수 있다.The second insulating layer 20 is stacked on the upper surface of the first insulating layer 10 having the signal pattern 14 formed thereon to cover the signal pattern 14. In addition to the signal pattern 14, a part of the inner conductor 32 may also be covered by the second insulating layer 20.

한편, 전술한 바와 같이, 제1 절연층(10)의 상면에 형성된 커넥터 랜드(18)의 상면에 외부실드(30)가 형성되는 점을 고려하여, 제2 절연층(20)에는 외부실드(30)에 상응하는 홈(28)이 형성된다. 즉, 커넥터 랜드(18) 및 신호패턴(14)이 형성된 제1 절연층(10)의 상면에, 외부실드(30)에 상응하는 홈(28)이 형성된 제2 절연층(20)을 적층한 다음, 제2 절연층(20)에 형성된 홈(28)을 통하여 외부실드(30)를 커넥터 랜드(18) 상에 부착하는 것이다. 이 때, 제2 절연층(20)에 형성되는 홈(28)은, 제조공차를 고려하여 외부실드(30)의 아래쪽 단면적보다 조금 크게 형성될 수 있다.Meanwhile, as described above, in consideration of the fact that the outer shield 30 is formed on the upper surface of the connector land 18 formed on the upper surface of the first insulating layer 10, the outer shield ( Grooves 28 corresponding to 30 are formed. That is, the second insulating layer 20 having the groove 28 corresponding to the outer shield 30 is formed on the upper surface of the first insulating layer 10 having the connector land 18 and the signal pattern 14 formed thereon. Next, the outer shield 30 is attached onto the connector land 18 through the groove 28 formed in the second insulating layer 20. At this time, the groove 28 formed in the second insulating layer 20 may be formed slightly larger than the lower cross-sectional area of the outer shield 30 in consideration of manufacturing tolerances.

제2 절연층(20)의 상면에는 제2 그라운드(24)가 형성된다. 제2 그라운 드(24)는 제2 절연층(20) 및 제2 절연층(20)을 모두 관통하는 제2 비아(22)를 통해 제1 절연층(10)의 하면에 형성된 제1 그라운드(16)와 전기적으로 연결된다.The second ground 24 is formed on the upper surface of the second insulating layer 20. The second ground 24 may include a first ground formed on the bottom surface of the first insulating layer 10 through the second via 22 penetrating both the second insulating layer 20 and the second insulating layer 20. 16) is electrically connected.

이러한 구조를 통하여, 신호패턴(14)의 상하에 모두 그라운드가 배치되어 신호패턴(14)의 상측 방향 및 하측 방향으로 전계가 형성되는 스트립라인 구조가 구현된다.Through this structure, a ground line is disposed above and below the signal pattern 14 so that an electric field is formed in the up and down directions of the signal pattern 14.

이 때, 제2 비아는, 도 4에 도시된 바와 같이, 커넥터 랜드의 확장영역에 형성될 수 있으며, 복수 개 형성되어 신호패턴을 중심으로 서로 대칭을 이룰 수 있다.In this case, as illustrated in FIG. 4, the second via may be formed in an extended area of the connector land, and a plurality of second vias may be formed to be symmetrical with respect to the signal pattern.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부실드 구조체와 종래기술에 따른 외부실드 구조체의 삽입손실을 비교하여 나타내는 그래프이며, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부실드 구조체와 종래기술에 따른 외부실드 구조체의 반사손실을 비교하여 나타내는 그래프이다.Figure 5 is a graph showing the insertion loss of the outer shield structure according to an embodiment of the present invention and the outer shield structure according to the prior art, Figure 6 is an outer shield structure and the prior art according to an embodiment of the present invention This graph shows a comparison of the return loss of the outer shield structure according to the above.

도 5를 통해서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 실시예에 따른 동축커넥터 변환 구조체의 경우, 종래기술에 따른 동축커넥터 변환 구조체에 비해 삽입손실이 약 0.5dB 이상 개선된 것을 확인할 수 있으며, 동축커넥터 측의 반사손실의 경우에도 도 6에 도시된 바와 같이 약 3dB 이상 개선된 효과가 나타나는 것을 확인할 수 있다.As can be seen through Figure 5, in the case of the coaxial connector conversion structure according to the present embodiment, it can be seen that the insertion loss is improved by about 0.5dB or more compared to the coaxial connector conversion structure according to the prior art, the coaxial connector side In the case of the return loss, as shown in FIG.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질 적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various modifications, changes, and substitutions may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. It will be possible. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by the embodiments and the accompanying drawings. . The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

도 1은 종래기술에 따른 외부실드 구조체를 나타내는 사시도.1 is a perspective view showing an outer shield structure according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부실드 구조체를 나타내는 투명 사시도.Figure 2 is a transparent perspective view showing the outer shield structure according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부실드 구조체를 나타내는 투명 측면도.Figure 3 is a transparent side view showing the outer shield structure according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부실드 구조체를 나타내는 투명 평면도.Figure 4 is a transparent plan view showing an outer shield structure according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부실드 구조체와 종래기술에 따른 외부실드 구조체의 삽입손실을 비교하여 나타내는 그래프.5 is a graph showing the insertion loss between the outer shield structure according to an embodiment of the present invention and the outer shield structure according to the prior art.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부실드 구조체와 종래기술에 따른 외부실드 구조체의 반사손실을 비교하여 나타내는 그래프.6 is a graph showing a comparison between the reflection loss of the outer shield structure according to an embodiment of the present invention and the outer shield structure according to the prior art.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10: 제1 절연층 12: 제1 비아10: first insulating layer 12: first via

14: 신호패턴 16: 제1 그라운드14: signal pattern 16: first ground

18: 커넥터 랜드 20: 제2 절연층18: connector land 20: second insulating layer

22: 제2 비아 24: 제2 그라운드22: second via 24: second ground

28: 홈 30: 외부실드28: groove 30: outer shield

32: 내부도체 34: 유전체32: inner conductor 34: dielectric

Claims

A first insulating layer having a first ground formed on a bottom surface thereof;

A signal pattern formed on a portion of an upper surface of the first insulating layer;

A connector land formed on another portion of an upper surface of the first insulating layer, electrically connected to the first ground through a first via, and forming a signal pattern and a CPW structure;

A hollow outer shield seated on an upper surface of the connector land;

An inner conductor having one side electrically connected to the signal pattern and the other side being bent and disposed inside the outer shield;

A second insulating layer stacked on an upper surface of the first insulating layer to cover the signal pattern, a groove corresponding to the outer shield is formed, and a second ground formed on the upper surface; And

And a second via penetrating the first insulating layer and the second insulating layer to electrically connect the first ground and the second ground.

The method of claim 1,

And a dielectric interposed between the inner conductor and the outer shield.

The method of claim 1,

One side of the connector land forming the signal pattern and the CPW structure,

A reduction region formed symmetrically with respect to the signal pattern and gradually decreasing in distance from the signal pattern,

A holding area extending from the reduction area to maintain a distance from the signal pattern, and

And an extension area extending from the holding area and gradually increasing a distance from the signal pattern.

The method of claim 3,

And the second via is formed in the extension region.

The method of claim 4, wherein

And a plurality of second vias are formed.

The method of claim 5,

And the plurality of second vias are symmetrically arranged with respect to the signal pattern.

The method of claim 3,

And an end portion of the signal pattern adjacent to the reduction area has an enlarged area.