KR100977635B1 - Paste Composition, Resistor Film and Electronic Component Comprising the Same - Google Patents
Paste Composition, Resistor Film and Electronic Component Comprising the Same Download PDFInfo
- Publication number
- KR100977635B1 KR100977635B1 KR1020080019561A KR20080019561A KR100977635B1 KR 100977635 B1 KR100977635 B1 KR 100977635B1 KR 1020080019561 A KR1020080019561 A KR 1020080019561A KR 20080019561 A KR20080019561 A KR 20080019561A KR 100977635 B1 KR100977635 B1 KR 100977635B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- weight
- parts
- paste composition
- silver
- carbon nanotubes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/24—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2214/00—Aspects relating to resistive heating, induction heating and heating using microwaves, covered by groups H05B3/00, H05B6/00
- H05B2214/04—Heating means manufactured by using nanotechnology
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
고온발열체용 페이스트 조성물, 이를 포함하는 저항체막 및 전자부품이 제공된다. 페이스트 조성물은 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은을 포함하거나, 루테늄과 팔라듐에서 선택된 적어도 하나와 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은을 포함하는 전체 조성물 100중량부에 대하여, 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나는 0.01 내지 20중량부로 포함된다.Provided is a paste composition for a high temperature heating element, a resistor film, and an electronic component including the same. The paste composition includes at least one selected from carbon nanotubes and carbon fibers and silver, or 100 parts by weight of the total composition including at least one selected from ruthenium and palladium and at least one selected from carbon nanotubes and carbon fibers and silver, At least one selected from carbon nanotubes and carbon fibers is included in 0.01 to 20 parts by weight.
페이스트, 발열, 저항체막, 탄소나노튜브 Paste, heat generation, resistive film, carbon nanotube
Description
본 발명은 페이스트 조성물, 이를 포함하는 저항체막 및 전자 부품에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고온발열체용 페이스트 조성물, 이를 포함하는 저항체막 및 전자 부품에 관한 것이다.The present invention relates to a paste composition, a resistor film and an electronic component including the same, and more particularly, to a paste composition for a high temperature heating element, a resistor film and an electronic component including the same.
일반적인 고온발열체용 페이스트에는 은(Ag), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru)계 산화물이 주로 사용되고 있다. Silver (Ag), palladium (Pd) and ruthenium (Ru) -based oxides are mainly used for general high temperature heating paste.
이러한 고온발열체용 페이스트에 사용되는 저저항 도전성 물질인 은(Ag)은 양의 온도저항계수를 갖기 때문에 자체로는 발열 저항으로 사용하기 어렵다. 따라서, 이를 보완하기 위해 고온발열체용 페이스트에 팔라듐(Pd)과 루테늄(Ru)이 첨가되고, 루테늄(Ru)의 경우에는 은(Ag)에 비하여 비저항이 높기 때문에 낮은 저항값을 갖기 위해서는 고가의 루테늄(Ru)이 다량으로 첨가되어야 한다. 그러나 이러한 은(Ag) 대비 루테늄(Ru) 비율의 증가는 저항의 증가를 가져오기 때문에 루테늄(Ru)의 첨가량에는 한계가 있다. Silver (Ag), which is a low-resistance conductive material used in such a high temperature heating paste, has a positive temperature resistance coefficient and thus is difficult to use as a heat generating resistance by itself. Therefore, to compensate for this, palladium (Pd) and ruthenium (Ru) are added to the high-temperature heating paste, and in the case of ruthenium (Ru), since the specific resistance is higher than that of silver (Ag), expensive ruthenium is required to have a low resistance value. (Ru) must be added in large amounts. However, since the increase of the ruthenium (Ru) to silver (Ag) ratio leads to an increase in resistance, the amount of ruthenium (Ru) added is limited.
따라서, 저항의 증가를 억제하는 동시에 안정된 온도저항계수를 갖는 고온발 열체용 페이스트에 대한 연구 개발이 요구되고 있는 실정이다. Therefore, there is a demand for research and development on a paste for a high temperature heating element which has a stable temperature resistance coefficient while suppressing an increase in resistance.
이에 본 발명에서는 낮은 저항을 갖고, 안정된 온도 저항 계수를 갖는 고온발열체용 페이스트 조성물을 제공하고자 하는 것이다.Accordingly, the present invention is to provide a paste composition for a high temperature heating element having a low resistance and a stable temperature resistance coefficient.
또한, 본 발명에서는 상기한 바와 같은 페이스트 조성물을 포함하여 이루어진 저항체막을 제공하고자 하는 것이다.In addition, the present invention is to provide a resistor film made of a paste composition as described above.
또한, 본 발명에서는 상기한 바와 같은 페이스트 조성물을 포함하여 이루어진 저항체막을 포함하는 전자 부품을 제공하고자 하는 것이다.In addition, the present invention is to provide an electronic component comprising a resistor film made of a paste composition as described above.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물은 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은을 포함하거나, 루테늄과 팔라듐에서 선택된 적어도 하나와 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은을 포함하는 전체 조성물 100중량부에 대하여, 상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나는 상기 조성물에 0.01 내지 20중량부로 포함된다.Paste composition according to an embodiment of the present invention comprises at least one selected from carbon nanotubes and carbon fibers and silver, or at least one selected from ruthenium and palladium and at least one selected from carbon nanotubes and carbon fibers and silver Based on 100 parts by weight of the total composition, at least one selected from the carbon nanotubes and carbon fibers is included in the composition in an amount of 0.01 to 20 parts by weight.
이러한 상기 페이스트 조성물은 상기 은 5 내지 60중량부, 상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 40 중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40 중량부를 포함할 수 있다. The paste composition may include 5 to 60 parts by weight of silver, 0.01 to 20 parts by weight of at least one selected from the carbon nanotubes and carbon fibers, 5 to 40 parts by weight of glass frit, and 10 to 40 parts by weight of an organic binder. .
또한, 상기 페이스트 조성물은 상기 은 10 내지 60중량부, 상기 루테늄 0.25 내지 20중량부, 상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40 중량부를 포함할 수 있다.The paste composition may include 10 to 60 parts by weight of silver, 0.25 to 20 parts by weight of ruthenium, 0.01 to 20 parts by weight of at least one selected from the carbon nanotubes and carbon fibers, 5 to 35 parts by weight of glass frit, and an organic binder. It may include 10 to 40 parts by weight.
또한, 상기 페이스트 조성물은 상기 은 10 내지 60중량부, 상기 팔라듐 0.25 내지 20중량부, 상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함할 수 있다. The paste composition may include 10 to 60 parts by weight of silver, 0.25 to 20 parts by weight of palladium, 0.01 to 20 parts by weight of at least one selected from the carbon nanotubes and carbon fibers, 5 to 35 parts by weight of glass frit, and an organic binder. It may include 10 to 40 parts by weight.
또한, 상기 페이스트 조성물은 상기 은 10 내지 60중량부, 상기 루테늄 0.25 내지 5중량부, 상기 팔라듐 0.25 내지 10중량부, 상기 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함할 수 있다.In addition, the paste composition is 10 to 60 parts by weight of the silver, 0.25 to 5 parts by weight of the ruthenium, 0.25 to 10 parts by weight of the palladium, at least one selected from the carbon nanotubes and carbon fibers 0.01 to 20 parts by weight, glass frit 5 To 35 parts by weight, and 10 to 40 parts by weight of the organic binder.
이러한 상기 페이스트 조성물에서 상기 유리 프릿은 400 내지 850℃의 연화점을 가질 수 있다.In this paste composition, the glass frit may have a softening point of 400 to 850 ° C.
또한, 상기 페이스트 조성물에서 상기 탄소나노튜브는 100 내지 600㎡/g 범위의 비표면적을 가질 수 있고, 이러한 상기 탄소나노튜브는 다중벽 탄소나노튜브, 단일벽 탄소나노튜브, 및 박벽 탄소나노튜브에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the carbon nanotubes in the paste composition may have a specific surface area in the range of 100 to 600 m 2 / g, and the carbon nanotubes may be formed in multi-walled carbon nanotubes, single-walled carbon nanotubes, and thin-walled carbon nanotubes. It may include at least one selected.
또한, 상기 페이스트 조성물에서 상기 탄소섬유는 탄소나노섬유일 수 있다.In addition, the carbon fiber in the paste composition may be carbon nanofibers.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 저항체막은 상기한 바와 같은 페이스트 조성물을 포함한다.In addition, the resistor film according to an embodiment of the present invention includes the paste composition as described above.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 부품은 상기한 바와 같은 페이스트 조성물을 포함하여 이루어진 저항체막을 포함한다.In addition, the electronic component according to an embodiment of the present invention includes a resistor film including the paste composition as described above.
본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 또는 탄소섬유를 포함하는 고온발열체용 페이스트 조성물은 저항체 크기에 따른 면저항값 및 온도저항계수의 변화가 적고, 낮은 면저항값 및 온도저항계수를 가지며, 다양한 발열체의 저항체로서 적용될 수 있다. The paste composition for a high temperature heating element comprising carbon nanotubes or carbon fibers according to the embodiments of the present invention has a small change in sheet resistance and temperature resistance coefficient according to a resistor size, has a low sheet resistance value and a temperature resistance coefficient, and various heating elements. It can be applied as a resistor of.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims.
또한, 본 명세서의 은(Ag)은 순수한 은(Ag)뿐만 아니라 은(Ag) 산화물 또는 은(Ag) 화합물을 포함하고, 루테늄(Ru) 또한 순수한 루테늄(Ru)뿐만 아니라 루테늄(Ru) 산화물 또는 루테늄(Ru) 화합물을 포함하며, 팔라듐(Pd) 또한 순수한 팔라듐(Pd) 뿐만 아니라 팔라듐(Pd) 산화물 또는 팔라듐(Pd) 화합물을 포함한다.In addition, silver (Ag) of the present specification includes not only pure silver (Ag) but also silver (Ag) oxide or silver (Ag) compound, and ruthenium (Ru) is also pure ruthenium (Ru) as well as ruthenium (Ru) oxide or Ruthenium (Ru) compounds, and palladium (Pd) also includes palladium (Pd) oxide or palladium (Pd) compounds as well as pure palladium (Pd).
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물에 대해 설명한다.Hereinafter, a paste composition according to an embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물은 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube; CNT)와 탄소섬유(carbon fiber)에서 선택된 적어도 하나와 은(Ag)을 포함하는 이루어진다. Paste composition according to an embodiment of the present invention comprises at least one selected from carbon nanotubes (CNT) and carbon fibers (carbon fiber) and silver (Ag).
은(Ag)은 저저항용 도전성 물질로서, 열과 전기에 대하여 우수한 도체이지만, 양의 온도저항계수를 갖기 때문에, 그 자체로는 발열 저항으로 사용하기에는 어려움이 있다. Silver (Ag) is a low-resistance conductive material and is a good conductor against heat and electricity. However, silver (Ag) has a positive temperature resistance coefficient, which makes it difficult to use as a heat generating resistor by itself.
이러한 은(Ag)의 단점을 극복하기 위해, 구리(Cu)에 필적하는 전기 전도도를 가지면서도, 음의 온도저항계수를 갖는 탄소나노튜브 및/또는 탄소섬유를 함께 혼합하여, 저항의 증가를 억제하면서도 동시에 안정된 온도 저항 계수를 갖는 고온발열체용 페이스트 조성물을 제공할 수 있다. In order to overcome this disadvantage of silver (Ag), carbon nanotubes and / or carbon fibers having a negative electrical resistance coefficient while mixing with copper (Cu) are mixed together to suppress an increase in resistance. At the same time, it is possible to provide a paste composition for a high temperature heating element having a stable temperature resistance coefficient.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물을 보다 상세하게 설명하면, 상기 페이스트 조성물은 은(Ag) 5 내지 60중량부, 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿(glass flit) 5 내지 40중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함하여 이루어진다.To describe in more detail the paste composition according to an embodiment of the present invention, the paste composition is 5 to 60 parts by weight of silver (Ag), at least one selected from carbon nanotubes and carbon fibers 0.01 to 20 parts by weight, glass frit (glass flit) 5 to 40 parts by weight, and 10 to 40 parts by weight of an organic binder.
상술한 중량부 범위의 은(Ag)은 페이스트 조성물이 낮은 저항값을 갖도록 하며, 페이스트 조성물이 기판에 적용되어 저항체막을 형성시키는 경우, 저항체막이 고온으로 발열되어 손상되는 것을 방지한다. The silver (Ag) in the above-described weight part range causes the paste composition to have a low resistance value, and when the paste composition is applied to the substrate to form a resistor film, the resistor film is prevented from being heated to high temperatures and being damaged.
또한, 유리 프릿은 페이스트 조성물의 바인더(binder)로서, 상술한 중량부 범위의 유리 프릿은 페이스트 조성물이 기판에 적용되어 저항체막을 형성하는 경 우, 저항체막의 강도를 증가시키고, 저항체막의 기판에의 부착력을 증가시킬 뿐만 아니라, 낮은 면저항값과 온도저항계수를 갖도록 한다.In addition, the glass frit is a binder of the paste composition, and the glass frit in the above weight part range increases the strength of the resistor film when the paste composition is applied to the substrate to form a resistor film, and the adhesion of the resistor film to the substrate. In addition to increasing the power consumption, it has a low sheet resistance and a temperature resistance coefficient.
또한, 유기 바인더는 페이스트 조성물 내의 각 구성 성분의 분산을 용이하게 하고, 페이스트 조성물의 실크 인쇄 시 인쇄 도막의 균일성을 확보하기 위한 적절한 점도를 제공한다. 이러한 유기 바인더로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 에틸셀룰로즈, 메틸셀룰로즈, 니트로셀룰로즈, 카복시메틸셀룰로즈 등의 셀룰로즈 유도체와 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르, 폴리비닐알콜, 폴리비닐부티랄 등의 수지 성분이 사용될 수 있다.In addition, the organic binder facilitates dispersion of each constituent in the paste composition and provides an appropriate viscosity for ensuring uniformity of the print coating film during silk printing of the paste composition. Although it does not specifically limit as such an organic binder, For example, cellulose derivatives, such as ethyl cellulose, methyl cellulose, nitro cellulose, and carboxymethyl cellulose, resin, such as an acrylic acid ester, methacrylic acid ester, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral Ingredients can be used.
또한, 탄소나노튜브 또는 탄소섬유는 전체 페이스트 조성물 100중량부에 대해, 예를 들어 약 0.01 내지 20중량부로 포함될 수 있다. 탄소나노튜브 또는 탄소섬유는 무게 대비 부피비가 매우 크기 때문에 소량으로 페이스트 조성물에 존재하더라도 페이스트 조성물의 점도 유지가 가능하고, 유리 프릿의 바인더로서의 역할을 돕는다. In addition, carbon nanotubes or carbon fibers may be included, for example, about 0.01 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total paste composition. Carbon nanotubes or carbon fibers can maintain the viscosity of the paste composition even when present in the paste composition in a small amount because the volume to volume ratio is very large, and serves as a binder of the glass frit.
탄소나노튜브는 예를 들어 100 내지 600㎡/g 범위의 비표면적을 가질 수 있으며, 예를 들어 다중벽 탄소나노튜브, 단일벽 탄소나노튜브, 및 박벽 탄소나노튜브에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 페이스트 조성물에 적용되는 탄소섬유는 예를 들어 탄소나노섬유일 수 있다.The carbon nanotubes may have, for example, a specific surface area in the range of 100 to 600 m 2 / g, and may include, for example, at least one selected from multi-walled carbon nanotubes, single-walled carbon nanotubes, and thin-walled carbon nanotubes. have. In addition, the carbon fiber applied to the paste composition may be, for example, carbon nanofibers.
상술한 다중벽 탄소나노튜브, 단일벽 탄소나노튜브 등의 탄소나노튜브는 열전도도와 전기전도도가 우수하여 가장 활용도가 높으며 산화 온도가 비교적 높아 상대적으로 높은 온도의 발열체의 소재로 적합하며, 탄소나노섬유는 탄소나노튜브 보다 열전도도와 전기전도도는 떨어지나 가격이 저렴하며 상대적으로 낮은 온도의 발열체의 소재로 적용하기 용이하다.Carbon nanotubes such as multi-walled carbon nanotubes and single-walled carbon nanotubes described above have the highest thermal conductivity and electrical conductivity, and thus have the highest utilization, and are relatively suitable for heating materials having relatively high temperatures due to their high oxidation temperature. Thermal conductivity and electrical conductivity are lower than carbon nanotubes, but the price is cheaper and it is easy to apply as a material of heating element of relatively low temperature.
이외에도, 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물에는 점도를 조절하기 위하여, 예를 들어 터피놀, 부틸칼비톨 아세테이트, 부틸칼비톨 등의 유기 용매가 포함될 수 있다.In addition, the paste composition according to an embodiment of the present invention may include, for example, an organic solvent such as terpinol, butyl carbitol acetate, butyl carbitol, etc. to adjust the viscosity.
계속해서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에 대해 설명한다. Subsequently, a paste composition according to another embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 다른 실시에에 따른 페이스트 조성물은 탄소나노튜브 및 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와 은(Ag)과, 루테늄(Ru)을 포함하여 이루어진다. The paste composition according to another embodiment of the present invention comprises at least one selected from carbon nanotubes and carbon fibers, silver (Ag), and ruthenium (Ru).
이러한 본 발명의 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물을 보다 상세하게 설명하면, 상기 페이스트 조성물은 은(Ag) 10 내지 60중량부, 루테늄(Ru) 0.25 내지 20중량부, 탄소나노튜브와 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함하여 이루어진다. When explaining the paste composition according to another embodiment of the present invention in more detail, the paste composition is selected from 10 to 60 parts by weight of silver (Ag), 0.25 to 20 parts by weight of ruthenium (Ru), carbon nanotubes and carbon fibers 0.01 to 20 parts by weight of the at least one, 5 to 35 parts by weight of the glass frit, and 10 to 40 parts by weight of the organic binder.
루테늄(Ru)은 음의 온도저항계수를 갖는 것으로, 상술한 중량부 범위의 루테늄은 페이스트 조성물이 낮은 저항값을 갖도록 하고, 페이스트 조성물이 기판에 적용되어 저항체막을 형성하는 경우 막의 표면 평활성을 증가시킨다.Ruthenium (Ru) has a negative temperature resistance coefficient. The ruthenium in the above weight parts ranges the paste composition to have a low resistance value, and increases the surface smoothness of the film when the paste composition is applied to a substrate to form a resistive film. .
본 발명의 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에서 루테늄(Ru) 이외에 은(Ag), 탄소나노튜브, 탄소섬유, 유리 프릿, 및 유기 바인더는 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물에서와 실질적으로 동일하므로, 여기에서는 중복되는 설명은 생략한다.In the paste composition according to another embodiment of the present invention, silver (Ag), carbon nanotubes, carbon fiber, glass frit, and organic binder in addition to ruthenium (Ru) are substantially the same as in the paste composition according to an embodiment of the present invention. Therefore, duplicate description is omitted here.
계속해서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에 대해 설명한다.Subsequently, a paste composition according to another embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물은 탄소나노튜브 및 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와, 은(Ag)과, 팔라듐(Pd)을 포함하여 이루어진다.The paste composition according to another embodiment of the present invention comprises at least one selected from carbon nanotubes and carbon fibers, silver (Ag), and palladium (Pd).
이러한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물을 보다 상세하게 설명하면, 상기 페이스트 조성물은 은(Ag) 10 내지 60중량부, 팔라듐(Pd) 0.25 내지 20중량부, 탄소나노튜브 및 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함하여 이루어진다.When explaining the paste composition according to another embodiment of the present invention in more detail, the paste composition is 10 to 60 parts by weight of silver (Ag), 0.25 to 20 parts by weight of palladium (Pd), carbon nanotubes and carbon fibers 0.01 to 20 parts by weight of at least one selected, 5 to 35 parts by weight of glass frit, and 10 to 40 parts by weight of organic binder.
팔라듐(Pd)은 양의 온도저항계수를 갖는 은(Ag)을 보완하기 위한 것으로, 상술한 중량부 범위의 팔라듐(Pd)은 페이스트 조성물이 기판에 적용되어 저항체막을 형성하는 경우 막의 기계적 물성을 향상시킨다.Palladium (Pd) is intended to supplement silver (Ag) having a positive temperature resistance coefficient, and the above-mentioned weight range of palladium (Pd) improves the mechanical properties of the film when the paste composition is applied to a substrate to form a resistive film. Let's do it.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에서 팔라듐(Pd) 이외의 은(Ag), 탄소나노튜브, 탄소섬유, 유리 프릿, 및 유기 바인더는 본 발명의 일 실시예에 따른 페이스트 조성물에서와 실질적으로 동일하므로, 여기에서는 중복되는 설명은 생략한다.Silver (Ag), carbon nanotubes, carbon fibers, glass frits, and organic binders other than palladium (Pd) in the paste composition according to another embodiment of the present invention are substantially the same as in the paste composition according to the embodiment of the present invention. Since the description is the same, duplicate descriptions are omitted here.
계속해서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에 대해 설명한다.Subsequently, a paste composition according to another embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물은 탄소나노튜브 및 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나와, 은(Ag), 루테늄(Ru)과, 팔라듐(Pd)을 포함하여 이 루어진다. Paste composition according to another embodiment of the present invention comprises at least one selected from carbon nanotubes and carbon fibers, including silver (Ag), ruthenium (Ru), and palladium (Pd).
이러한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물을 보다 상세하게 설명하면, 은(Ag) 10 내지 60중량부, 루테늄(Ru) 0.25 내지 5중량부, 팔라듐(Pd) 0.25 내지 10중량부, 탄소나노튜브 및 탄소섬유에서 선택된 적어도 하나 0.01 내지 20중량부, 유리 프릿 5 내지 35중량부, 및 유기 바인더 10 내지 40중량부를 포함하여 이루어진다. When explaining the paste composition according to another embodiment of the present invention in more detail, 10 to 60 parts by weight of silver (Ag), 0.25 to 5 parts by weight of ruthenium (Ru), 0.25 to 10 parts by weight of palladium (Pd), carbon 0.01 to 20 parts by weight, at least one selected from nanotubes and carbon fibers, 5 to 35 parts by weight of glass frit, and 10 to 40 parts by weight of organic binder.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 페이스트 조성물에서, 은(Ag), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd)과 탄소나노튜브, 탄소나노섬유는 상술한 바와 같은 실시예들에서 설명된 바와 실질적으로 동일하므로, 여기에서는 중복되는 설명은 생략한다.In the paste composition according to another embodiment of the present invention, silver (Ag), ruthenium (Ru), palladium (Pd) and carbon nanotubes, carbon nanofibers are substantially the same as described in the above embodiments. Therefore, duplicate description is omitted here.
본 발명의 실시예들에 따른 페이스트 조성물들은 은(Ag), 루테늄(Ag) 등의 발열에 따른 저항 증가분과 탄소나노튜브 등의 저항 감소분이 서로 상쇄됨으로서, 발열에 따른 저항의 변화를 줄일 수 있다. 이는 발열 전후의 저항의 변화가 거의 없음을 의미하며, 발열체의 저항 설계의 용이성과 안정성을 가질 수 있음을 의미한다. In the paste compositions according to the embodiments of the present invention, the increase in resistance due to heat generation such as silver (Ag) and ruthenium (Ag) and the decrease in resistance such as carbon nanotubes cancel each other, thereby reducing a change in resistance due to heat generation. . This means that there is little change in resistance before and after heating, and it means that the resistance of the heating element can be easily designed and stable.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 페이스트 조성물들은 세라믹이나 절연 처리를 한 금속 등의 기판에 실크 인쇄를 통하여 저항체막을 형성할 수 있으며, 저항의 조절이 자유로워 다양한 전자 부품에 적용이 가능하다. Paste compositions according to the embodiments of the present invention as described above can form a resistor film on the substrate, such as ceramic or insulated metal through silk printing, can be applied to a variety of electronic components freely control the resistance Do.
이하, 실험예들과 비교예들을 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실험예들은 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명이 하기 실험예들 에 의하여 한정되는 것은 아님이 이해되어야 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to experimental and comparative examples. However, it should be understood that the following experimental examples are intended to illustrate the present invention and the present invention is not limited by the following experimental examples.
실험예Experimental Example 1 One
은(Ag) 분말 40중량부, 팔라듐(Pd) 분말 5중량부, 단일벽 탄소나노튜브 10중량부, 유리 프릿 35중량부 및 에틸셀룰로즈 10중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다. 40 parts by weight of silver (Ag) powder, 5 parts by weight of palladium (Pd) powder, 10 parts by weight of single-wall carbon nanotubes, 35 parts by weight of glass frit and 10 parts by weight of ethyl cellulose were added to adjust the viscosity, and then 3 The paste composition was prepared by dispersion mixing with a roll.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 17㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 9㎛였다.The paste composition was printed on an alumina (Al 2 O 3 ) substrate by screen printing to form a coating film having a size of 0.3 mm × 450 mm, and then dried at 150 ° C. for 10 minutes. At this time, the thickness of the coating film was about 17 μm. Subsequently, the coating film was heated at a rate of 20 ° C./min, held at a maximum temperature of 850 ° C. for 20 minutes, and fired to complete the resistive film. An electrode layer was formed on this resistor film, and a glass paste was applied thereon to form a protective layer to obtain a heating element. The thickness of the obtained heating element thick film was 9 micrometers.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.An AC of 220V was applied to both ends of the electrode layer of the heating element, and the initial resistance value and the heating resistance value were calculated by measuring current in the maximum saturation temperature region using a HIOKI 3280-10 digital multimeter. The results are shown in Table 1 below.
실험예Experimental Example 2 2
은(Ag) 분말 42중량부, 루테늄(Ru) 분말 3중량부, 단일벽 탄소나노튜브 15중량부, 유리 프릿 32중량부, 및 에틸셀룰로즈 8중량부에 테레비네올을 가하여 점도 를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다. After adjusting the viscosity by adding 42 parts by weight of silver (Ag) powder, 3 parts by weight of ruthenium (Ru) powder, 15 parts by weight of single-wall carbon nanotubes, 32 parts by weight of glass frit, and 8 parts by weight of ethyl cellulose, the viscosity was adjusted. The paste composition was prepared by dispersion mixing with 3 rolls.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 15㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 8㎛였다.The paste composition was printed on an alumina (Al 2 O 3 ) substrate by screen printing to form a coating film having a size of 0.3 mm × 450 mm, and then dried at 150 ° C. for 10 minutes. At this time, the thickness of the coating film was about 15 μm. Subsequently, the coating film was heated at a rate of 20 ° C./min, held at a maximum temperature of 850 ° C. for 20 minutes, and fired to complete the resistive film. An electrode layer was formed on this resistor film, and a glass paste was applied thereon to form a protective layer to obtain a heating element. The thickness of the obtained heating element thick film was 8 micrometers.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.An AC of 220V was applied to both ends of the electrode layer of the heating element, and the initial resistance value and the heating resistance value were calculated by measuring current in the maximum saturation temperature region using a HIOKI 3280-10 digital multimeter. The results are shown in Table 1 below.
실험예Experimental Example 3 3
은(Ag) 분말 40중량부, 루테늄(Ru) 분말 2중량부, 팔라듐(Pd) 분말 5중량부, 단일벽 탄소나노튜브 12중량부, 유리 프릿 31중량부, 및 에틸셀룰로즈 10중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다. 40 parts by weight of silver (Ag) powder, 2 parts by weight of ruthenium (Ru) powder, 5 parts by weight of palladium (Pd) powder, 12 parts by weight of single-walled carbon nanotubes, 31 parts by weight of glass frit, and 10 parts by weight of ethyl cellulose Neol was added to adjust the viscosity, followed by dispersion mixing with 3 rolls to prepare a paste composition.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 20㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온 하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 12㎛였다.The paste composition was printed on an alumina (Al 2 O 3 ) substrate by screen printing to form a coating film having a size of 0.3 mm × 450 mm, and then dried at 150 ° C. for 10 minutes. At this time, the thickness of the coating film was about 20 μm. Subsequently, the coating film was heated at a rate of 20 ° C./min, held at a maximum temperature of 850 ° C. for 20 minutes, and fired to complete the resistive film. An electrode layer was formed on this resistor film, and a glass paste was applied thereon to form a protective layer to obtain a heating element. The thickness of the obtained heating element thick film was 12 micrometers.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.An AC of 220V was applied to both ends of the electrode layer of the heating element, and the initial resistance value and the heating resistance value were calculated by measuring current in the maximum saturation temperature region using a HIOKI 3280-10 digital multimeter. The results are shown in Table 1 below.
실험예Experimental Example 4 4
은(Ag) 분말 40중량부, 단일벽 탄소나노튜브 15중량부, 유리 프릿 33중량부, 및 에틸셀룰로즈 12중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다. 40 parts by weight of silver (Ag) powder, 15 parts by weight of single-walled carbon nanotubes, 33 parts by weight of glass frit, and 12 parts by weight of ethyl cellulose were added to adjust the viscosity, followed by dispersion mixing with 3 rolls to prepare a paste composition. It was.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 15㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 7㎛였다.The paste composition was printed on an alumina (Al 2 O 3 ) substrate by screen printing to form a coating film having a size of 0.3 mm × 450 mm, and then dried at 150 ° C. for 10 minutes. At this time, the thickness of the coating film was about 15 μm. Subsequently, the coating film was heated at a rate of 20 ° C./min, held at a maximum temperature of 850 ° C. for 20 minutes, and fired to complete the resistive film. An electrode layer was formed on this resistor film, and a glass paste was applied thereon to form a protective layer to obtain a heating element. The thickness of the obtained heating element thick film was 7 micrometers.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.An AC of 220V was applied to both ends of the electrode layer of the heating element, and the initial resistance value and the heating resistance value were calculated by measuring current in the maximum saturation temperature region using a HIOKI 3280-10 digital multimeter. The results are shown in Table 1 below.
비교예Comparative example 1 One
은(Ag) 분말 55중량부, 팔라듐(Pd) 분말 6중량부, 유리 프릿 31중량부, 및 에틸셀룰로즈 8중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다. After adjusting the viscosity by adding 55 parts by weight of silver (Ag) powder, 6 parts by weight of palladium (Pd) powder, 31 parts by weight of glass frit, and 8 parts by weight of ethyl cellulose, and adjusting the viscosity, the mixture was dispersed and mixed with 3 rolls to prepare a paste composition. It was.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 16㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 9㎛였다.The paste composition was printed on an alumina (Al 2 O 3 ) substrate by screen printing to form a coating film having a size of 0.3 mm × 450 mm, and then dried at 150 ° C. for 10 minutes. At this time, the thickness of the coating film was about 16 μm. Subsequently, the coating film was heated at a rate of 20 ° C./min, held at a maximum temperature of 850 ° C. for 20 minutes, and fired to complete the resistive film. An electrode layer was formed on this resistor film, and a glass paste was applied thereon to form a protective layer to obtain a heating element. The thickness of the obtained heating element thick film was 9 micrometers.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.An AC of 220V was applied to both ends of the electrode layer of the heating element, and the initial resistance value and the heating resistance value were calculated by measuring current in the maximum saturation temperature region using a HIOKI 3280-10 digital multimeter. The results are shown in Table 1 below.
비교예Comparative example 2 2
은(Ag) 분말 55중량부, 루테늄(Ru) 분말 5중량부, 유리 프릿 30중량부, 및 에틸셀룰로즈 40중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합 하여 페이스트 조성물을 제조하였다. After adjusting the viscosity by adding 55 parts by weight of silver (Ag) powder, 5 parts by weight of ruthenium (Ru) powder, 30 parts by weight of glass frit, and 40 parts by weight of ethyl cellulose to adjust the viscosity, the mixture was dispersed by 3 rolls to prepare a paste composition. It was.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 15㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 7㎛였다.The paste composition was printed on an alumina (Al 2 O 3 ) substrate by screen printing to form a coating film having a size of 0.3 mm × 450 mm, and then dried at 150 ° C. for 10 minutes. At this time, the thickness of the coating film was about 15 μm. Subsequently, the coating film was heated at a rate of 20 ° C./min, held at a maximum temperature of 850 ° C. for 20 minutes, and fired to complete the resistive film. An electrode layer was formed on this resistor film, and a glass paste was applied thereon to form a protective layer to obtain a heating element. The thickness of the obtained heating element thick film was 7 micrometers.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.An AC of 220V was applied to both ends of the electrode layer of the heating element, and the initial resistance value and the heating resistance value were calculated by measuring current in the maximum saturation temperature region using a HIOKI 3280-10 digital multimeter. The results are shown in Table 1 below.
비교예Comparative example 3 3
은(Ag) 분말 45중량부, 루테늄(Ru) 분말 2중량부, 팔라듐(Pd) 분말 5중량부, 유리 프릿 37중량부, 및 에틸셀룰로즈 48중량부에 테레비네올을 가하여 점도를 조정한 후, 3롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다. After adjusting the viscosity by adding terebinol to 45 parts by weight of silver (Ag) powder, 2 parts by weight of ruthenium (Ru) powder, 5 parts by weight of palladium (Pd) powder, 37 parts by weight of glass frit, and 48 parts by weight of ethyl cellulose, The paste composition was prepared by dispersion mixing with 3 rolls.
알루미나(Al2O3) 기판에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 0.3mm × 450mm 크기의 도막을 형성한 후, 이를 150℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 15㎛였다. 이어, 상기 도막을 20℃/분의 속도로 승온하고, 최고 온도 850℃에서 20분간 유지하여 소성을 행하여 저항체막을 완성하였 다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포하여 보호층을 형성하여 발열체를 수득하였다. 얻어진 발열체 후막의 두께는 9㎛였다.The paste composition was printed on an alumina (Al 2 O 3 ) substrate by screen printing to form a coating film having a size of 0.3 mm × 450 mm, and then dried at 150 ° C. for 10 minutes. At this time, the thickness of the coating film was about 15 μm. Subsequently, the coating film was heated at a rate of 20 ° C./minute, held at a maximum temperature of 850 ° C. for 20 minutes, and calcined to complete a resistive film. An electrode layer was formed on this resistor film, and a glass paste was applied thereon to form a protective layer to obtain a heating element. The thickness of the obtained heating element thick film was 9 micrometers.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지털 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.An AC of 220V was applied to both ends of the electrode layer of the heating element, and the initial resistance value and the heating resistance value were calculated by measuring current in the maximum saturation temperature region using a HIOKI 3280-10 digital multimeter. The results are shown in Table 1 below.
표 1TABLE 1
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 페이스트 조성물에 의해 형성된 저항체막을 포함하는 실험예 1 내지 4의 발열체의 초기 저항값과 발열시 저항값을 비교하여 보면, 발열시 저항값은 초기 저항값과 유사하거나 오히려 낮아지는 것을 알 수 있다. 반면, 비교예 1 내지 3의 발열체의 발열시 저항값은 초기 저항값에 비해 약 2배 정도 증가됨을 알 수 있다. As can be seen in Table 1, when comparing the initial resistance value and the resistance during heating of the heating elements of Experimental Examples 1 to 4 including the resistor film formed by the paste composition according to the embodiments of the present invention, the resistance during heating It can be seen that the value is similar to or lower than the initial resistance value. On the other hand, it can be seen that the resistance value during heating of the heating elements of Comparative Examples 1 to 3 is increased by about 2 times compared to the initial resistance value.
이로부터, 본 발명의 실시예들에 따른 페이스트 조성물은 저항의 증가를 억제하면서도, 동시에 안정된 온도저항계수를 갖는 것을 알 수 있다. From this, it can be seen that the paste composition according to the embodiments of the present invention has a stable temperature resistance coefficient while suppressing an increase in resistance.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명 의 범위는 상기와 같은 특정 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.In the above described exemplary embodiments of the present invention by way of example, the scope of the present invention is not limited to the specific embodiments as described above, the patent of the present invention by those skilled in the art to which the present invention belongs Changes may be made as appropriate within the scope of the claims.
Claims (11)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080019561A KR100977635B1 (en) | 2008-03-03 | 2008-03-03 | Paste Composition, Resistor Film and Electronic Component Comprising the Same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080019561A KR100977635B1 (en) | 2008-03-03 | 2008-03-03 | Paste Composition, Resistor Film and Electronic Component Comprising the Same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090094548A KR20090094548A (en) | 2009-09-08 |
| KR100977635B1 true KR100977635B1 (en) | 2010-08-23 |
Family
ID=41294944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080019561A Expired - Fee Related KR100977635B1 (en) | 2008-03-03 | 2008-03-03 | Paste Composition, Resistor Film and Electronic Component Comprising the Same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100977635B1 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101251091B1 (en) * | 2009-10-08 | 2013-04-04 | (주)엘지하우시스 | Heated paint composition, method of forming the heated layer and automobile knob |
| KR101630645B1 (en) * | 2015-05-14 | 2016-06-15 | 주식회사 대화알로이테크 | Heating device for glass and heating method for the same |
| KR101668600B1 (en) * | 2015-05-14 | 2016-10-24 | 주식회사 대화알로이테크 | Display Fabrication Apparatus |
| EP3179826B1 (en) | 2015-12-09 | 2020-02-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heating element including nano-material filler |
| CN110232983B (en) * | 2019-04-08 | 2020-10-30 | 绍兴文理学院元培学院 | Thick film resistor paste for ceramic piezoresistive pressure sensor and preparation method thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004047174A (en) | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Conductive paste |
| KR20070059914A (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-12 | 한국전자통신연구원 | Manufacturing method of high reliability CNC paste and manufacturing method of CNC emitter |
| KR20080078397A (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-27 | 엘지전자 주식회사 | Paste composition for electrodes, manufacturing method thereof and plasma display panel using same and manufacturing method thereof |
-
2008
- 2008-03-03 KR KR1020080019561A patent/KR100977635B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004047174A (en) | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Conductive paste |
| KR20070059914A (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-12 | 한국전자통신연구원 | Manufacturing method of high reliability CNC paste and manufacturing method of CNC emitter |
| KR20080078397A (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-27 | 엘지전자 주식회사 | Paste composition for electrodes, manufacturing method thereof and plasma display panel using same and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090094548A (en) | 2009-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101123351B1 (en) | High conductive paste composition and method of high conductive paste composition | |
| KR200448882Y1 (en) | Heater using paste composition | |
| JP3541070B2 (en) | Automotive glass thick film conductor paste | |
| KR102097861B1 (en) | Transparent heating film and preparation method thereof | |
| KR20090119260A (en) | High Conductivity Paste Composition | |
| KR100977635B1 (en) | Paste Composition, Resistor Film and Electronic Component Comprising the Same | |
| TW200937451A (en) | Electrode paste for solar cell and solar cell electrode using the paste | |
| KR20100066780A (en) | Conductive paste and conductive circuit board produced therewith | |
| KR101777691B1 (en) | Heating composition having graphene oxide and heater using the same | |
| KR101090111B1 (en) | Heater using paste composition | |
| JP2008108716A (en) | Conductive paste composition for low-temperature firing | |
| KR20190058794A (en) | Toner fused metal plate heater and fusing belt using the same | |
| CN110382636B (en) | Molecular inks with improved thermal stability | |
| JP2014067492A (en) | Composition for forming conductive part and manufacturing method of conductive part | |
| CN110519870B (en) | Graphene/base metal alloy conductive material, resistance paste, heating element, preparation and application thereof | |
| JP6755247B2 (en) | A composition for forming a solar cell electrode and an electrode manufactured from the composition. | |
| KR101729758B1 (en) | A stacking type digitizer using copper-nano-ink for low temperature sintering and a method for manufacturing the same | |
| KR200448475Y1 (en) | Heater using paste composition | |
| KR200446575Y1 (en) | Heater using paste composition | |
| KR200453079Y1 (en) | Heater using paste composition | |
| CN102576580A (en) | Conductors for photovoltaic cells | |
| CN114902355B (en) | Resistor paste, fired product, and electrical product | |
| KR20150141398A (en) | Electrically conductive ink component using nanowire and manufacturing method of conductive layers therefrom | |
| TWI761247B (en) | Graphene conductive film and manufacturing method thereof, graphene- carbon nanotube conductive film and manufacturing method thereof | |
| JP2000315421A (en) | Copper conductive paste |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| D14-X000 | Search report completed |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Fee payment year number: 1 St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130816 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Fee payment year number: 4 St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140819 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Fee payment year number: 5 St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150807 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Fee payment year number: 6 St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160809 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Fee payment year number: 7 St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170817 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Fee payment year number: 8 St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Fee payment year number: 9 St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190814 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Fee payment year number: 10 St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Not in force date: 20200818 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20200818 St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |