KR100969329B1 - 신규한 디아민, 및 이를 포함하는 액정 광배향제, 액정 광배향막 및 액정 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 디아민, 및 이를 이용하여 제조한 액정 광배향제를 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 상기 R1 내지 R6, n1, 및 n4 내지 n6에 대한 정의는 명세서의 상세한 설명에 기재된 바와 같다. 상기 액정 광배향제는 광배향성, 전압유지율, 선경사각, 및 잔류DC 등의 전기적 특성이 우수하며, 인쇄성, 및 세정 안정성이 우수하다.
광배향제, 액정광배향제, 폴리아믹산, 폴리이미드, 디아민, 선경사각, 전압보전율, 수직배향
Description
본 발명은 액정 표시 장치에 사용하는 액정 광배향제, 이를 포함하는 액정 광배향막, 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것으로, 배향성, 전압유지율, 선경사각, 및 잔류DC 등의 전기적 특성이 우수하며, 인쇄성, 및 세정 안정성이 우수한 액정 광배향제, 이를 포함하는 액정 광배향막, 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD)는 액정 배향막을 사용한다. 상기 액정 배향막으로는 주로 고분자 물질을 사용한다. 상기 액정 배향막은 액정 분자의 배열에 방향자(director) 역할을 하여 전기장(electric field)에 의해 액정이 움직여서 화상을 형성할 때, 적당한 방향을 잡도록 해준다. 일반적으로 액정 표시 장치에서 균일한 휘도(brightness)와 높은 명암비(contrast ratio)를 얻기 위해서는 액정을 균일하게 배향하는 것이 필수적이다.
종래에는 액정을 배향시키는 통상적인 방법으로, 유리 등의 기판에 폴리이미드와 같은 고분자 막을 도포하고, 이 표면을 나일론이나 폴리에스테르 같은 섬유로 일정한 방향으로 문지르는 러빙(rubbing) 방법을 이용하였다. 그러나 러빙 방법은 섬유질과 고분자막이 마찰될 때 미세한 먼지나 정전기(electrostatic discharge: ESD)가 발생할 수 있어, 액정 패널 제조시 심각한 문제점을 야기시킬 수 있다.
상기 러빙 방법의 문제점과 시야각 개선을 위해 여러 가지 방법이 연구되고 있다. 이러한 목적으로 개발된 것 중 하나가 수직 배향형 액정 배향이다. 그러나, 상기 수직 배향형 방법에서는 보다 넓은 시야각을 얻기 위하여 컬러 필터 유리 쪽에 사진식각공정(photolithography)이 필요해 제조 공정이 늘어나며 휘도가 떨어지는 문제가 있다.
또한, 상기 러빙 방법의 문제점을 해결하기 위하여, 최근에는 마찰이 아닌 광조사에 의해 고분자 막에 이방성(비등방성, anisotropy)을 유도하고, 이를 이용하여 액정을 배열하고자 하는 광배향법이 연구되고 있다.
상기 광배향법에 사용될 수 있는 재료로는 아조벤젠(azobenzene), 쿠마린(cumarine), 칼콘(chalcone), 신나메이트(cinnamate)와 같은 광기능성기를 함유하는 고분자들이 개발되었다. 이러한 고분자들은 편광된 광 조사에 의해 광이성화나 광가교화 등의 반응이 비등방적으로 일어나고, 이에 의해 고분자 표면에 이방성이 생성되어 액정의 분자배열을 한 방향으로 유도하게 된다.
이러한 액정 광배향막 재료들을 실질적으로 액정 표시 장치에 적용하기 위해서는 광학적 안정성과 열적 안정성이 우수하고, 잔상이 없어야 한다. 그러나, 기 존에 알려진 광배향 재료들은 이러한 면에서 많은 문제점을 나타내고 있다.
한편, 종래의 액정 광배향막 재료는 대부분 고분자형으로서, 고분자 주쇄에 사이드(side) 그룹으로 아조벤젠이나 신나메이트와 같은 광이방성을 유도할 수 있는 광기능성 그룹을 가지고 있다. 이러한 고분자형 액정 광배향막 재료를 사용하는 경우 이방성을 유도하기 위해 많은 광에너지가 요구될 뿐만 아니라, 반응하지 않고 남아 있는 다수의 미반응 광기능성 그룹들이 추후 열적 안정성, 광학적 안정성, 및 전기 광학적 특성에 심각한 영향을 미칠 수 있다.
또한 액정 표시 소자는 일반적으로 투명한 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO) 도전막이 증착되어 있는 유리 기판에 액정 광배향제를 도포하고, 이를 열로 경화한 후 광조사에 의해 고분자 막에 이방성(비등방성, anisotropy)을 유도하여 배향막을 형성한 후 기판 2매를 대향으로 합착하고 액정을 주입하여 제조한다. 또는 상기 액정 표시 소자는 한쪽 기판에 액정을 적하한 후 대향 기판을 합착하여 완성하는 액정 적하 방식으로 제조하고 있다. 특히, 5세대 이상의 중대형 라인에서는 액정 적하 방식을 주로 채택하고 있다.
일반적으로, 액정 광배향막은 폴리이미드 광중합체를 유기 용매에 용해시킨 액정 광배향제를 플렉소 인쇄 등에 의해 기판에 도포한 후, 가건조, 소성 및 광조사를 실시함으로써 형성된다. 이때, 액정 광배향제가 인쇄성이 불량할 경우, 형성된 도막에 막 두께 편차가 생기게 되고, 이러한 도막의 불균일성은 액정 표시 소자의 표시 특성에 악영향을 주는 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 폴리아믹산이나 폴리이미드에 대한 용해성이 우수한 용매에 디에틸렌글리콜디에틸에테르를 사용(일본공개특허공보 평8-208983호)하거나, 디에틸렌글리콜디에틸에테르와 디프로필렌글리콜모노메틸에테르를 혼합 사용(한국공개특허공보 제2005-0106423호)함으로써, 우수한 인쇄성을 갖는 액정 광배향제를 얻고자 하는 시도가 이루어졌다.
상기 용매들을 사용한 액정 광배향제는 퍼짐성이 증가하여, 인쇄성을 개선하는 면이 없지 않으나, 기판에 인쇄 후 기판의 끝단에 뭉침 현상이 발생하여 도막을 불균일하게 만드는 등의 문제점을 갖고 있다.
본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 광배향성, 전압유지율, 선경사각, 및 잔류DC 등의 전기적 특성이 우수하며, 인쇄성, 및 세정 안정성이 우수한 액정 광배향제를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 액정 광배향제를 포함하는 액정 광배향막을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 액정 광배향막을 포함하는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 평균적 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 디아민을 제공한다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,
상기 R1, 및 R2는 각각 독립적으로 단일결합, O, COO, CONH, OCO, SiR'-O-SiR', NR', NR'-CO, CO-NR', NR'-COO, OCO-NR', O-CO-O, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 R'는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 R3는 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 R4 내지 R6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 n1은 1 내지 5의 정수이고, 상기 n4은 0 내지 3의 정수이고, 상기 n5은 0 내지 4의 정수이고, 상기 n6은 0 내지 4의 정수이다)
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 디아민, 방향족 디아민, 및 산이무수물을 중합하여 제조한 폴리아믹산을 포함하는 액정 광배향제를 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면 상기 액정 광배향제를 기판에 도포하여 제조한 액정 광배향막을 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면 상기 액정 광배향막을 포함하는 액정 표시 장치를 제공한다.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명의 액정 광배향제는 광배향성, 전압유지율, 선경사각, 및 잔류DC 등의 전기적 특성이 우수하며, 인쇄성, 및 세정 안정성이 우수하다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 디아민을 제공한다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,
상기 R1, 및 R2는 각각 독립적으로 단일결합, O, COO, CONH, OCO, SiR'-O-SiR', NR', NR'-CO, CO-NR', NR'-COO, OCO-NR', O-CO-O, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 R'는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 R3는 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 R4 내지 R6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 n1은 1 내지 5의 정수이고, 상기 n4은 0 내지 3의 정수이고, 상기 n5은 0 내지 4의 정수이고, 상기 n6은 0 내지 4의 정수이다)
본 명세서에서 치환된이란, 특별한 정의가 없는 한 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 헤테로란, 특별한 정의가 없는 한 탄소 원자가 N, O, S, 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 헤테로 원자로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 디아민, 방향족 디아민, 및 산이무수물을 중합하여 제조한 폴리아믹산, 폴리이미드 또는 이들의 혼합물을 포함하는 액정 광배향제를 제공한다. 상기 산이무수물은 지방족 고리형 산이무수물, 및 방향족 산이무수물로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 산이무수물과 디아민을 공중합하여 폴리아믹산 및 폴리이미드를 제조하는 방법은 종래 폴리아믹산의 공중합에 가능한 것으로 알려진 방법은 제한되지 않 고 적용될 수 있다. 또한, 상기 폴리아믹산 및 폴리이미드를 제조하는 방법은 당해 기술분야의 평균적 기술자에게 잘 알려진 내용이므로 자세한 설명은 생략한다.
상기 액정 광배향제가 상기 폴리아믹산과 폴리이미드를 모두 포함하는 경우, 상기 폴리아믹산을 1 내지 90 중량부, 및 상기 폴리이미드 중합체를 1 내지 50 중량부로 포함하는 것이 바람직하다. 상기 폴리아믹산과 폴리이미드의 함량이 상기 범위 내인 경우, 잔상 개선 특성이 우수하여 바람직하다.
상기 액정 광배향제는 수직 배향성 및 자외선 노광에 의한 광배향성을 동시에 가지고 있으며, 따라서 기존의 비감광형 수직 배향제와 동등 수준 또는 그 이상의 전기 특성을 나타낸다.
상기 액정 광배향제는 자외선 노광에 의하여 광배향성을 가짐에 따라, 기존의 러빙 공정에 의하는 경우와 같이 정전기 및 이물질의 발생하거나, 및 최종 제품에서 러빙 자국이 시인되는 등의 문제점이 발생하지 않는다. 또한, 상기 액정 광배향제는 수직 배향성을 가짐에 따라 기존의 액정 광배향법에서와 같이 낮은 앵커링에너지에 의한 신뢰성 저하 등의 문제도 발생하지 않는다.
상기 지방족 고리형 산이무수물로는 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산이무수물(CBDA), 5-(2,5-디옥소테트라히드로퓨릴)-3-메틸시클로헥센-1,2-디카르복실산무수물(DOCDA), 바이시클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산이무수물(BODA), 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산이무수물(CPDA), 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산이무수물(CHDA), 1,2,4-트리카르복시-3-메틸카르복시 시클로펜탄이무수물, 1,2,3,4-테트라카르복시 시클로펜탄이무수물, 4,10-디옥사-트리시클로[6.3.1.02,7]도데칸-3,5,9,11-테트라온(TCA-AH), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 폴리아믹산 제조시 사용되는 방향족 산이무수물로는 피로멜리트산이무수물(PMDA), 비프탈산이무수물(BPDA), 옥시디프탈산이무수물(ODPA), 벤조페논테트라카르복시산이무수물(BTDA), 헥사플루오르이소프로필리덴디프탈산이무수물(6-FDA), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 방향족 디아민으로는 파라페닐렌디아민(p-PDA), 4,4-메틸렌디아닐린(MDA), 4,4-옥시디아닐린(ODA), 메타비스아미노페녹시디페닐설폰(m-BAPS), 파라비스아미노페녹시디페닐설폰(p-BAPS), 2,2-비스아미노페녹시페닐프로판(BAPP), 2,2-비스아미노페녹시페닐헥사플루오로프로판(HF-BAPP), 1,4-디아미노-2-메톡시벤젠, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 폴리아믹산은 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하다.
[화학식 2]
[화학식 3]
(상기 화학식 2, 및 화학식 3에서,
상기 R7, 및 R9는 각각 독립적으로 지방족 고리형 산이무수물, 및 방향족 산이무수물로 이루어진 군에서 선택되는 산이무수물로부터 유도된 4가의 유기기이고,
상기 R8는 방향족 디아민으로부터 유도된 2가의 유기기이고,
상기 R10는 상기 화학식 1로 표시되는 디아민으로부터 유도된 2가의 유기기이다)
상기 지방족 고리형 산이무수물로부터 유도되는 4가의 유기기는 하기 화학식 5 내지 9로 표시되는 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 구조를 가질 수 있다.
[화학식 5] [화학식 6] [화학식 7]
[화학식 8] [화학식 9]
(상기 화학식 5 내지 9에서,
상기 R10는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고, 상기 n10은 0 내지 3의 정수이고,
상기 R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이다)
상기 방향족 산이무수물로부터 유도되는 4가의 유기기는 하기 화학식 10로 표시되는 화합물, 화학식 11로 표시되는 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군 에서 선택되는 구조를 가질 수 있다.
[화학식 10] [화학식 11]
(상기 화학식 10, 및 화학식 11에서,
상기 R21 및 R22는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R24, 및 R25는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고, 상기 n24, 및 n25는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
상기 R23는 O, CO, C(CF3)2와 같은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고, 상기 n23는 0 또는 1의 정수이다)
상기 방향족 디아민으로부터 유도되는 2가의 유기기는 하기 화학식 12 내지 14로 표시되는 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 구조를 가질 수 있다.
[화학식 12] [화학식 13]
[화학식 14]
(상기 화학식 12 내지 14에서,
상기 R31, R33, R34, 및 R37 내지 R40는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기; 및 -O-, -COO-, -CONH-, -OCO-, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 더 포함하는 상기 아킬기, 아릴기, 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R30, R32, R35, 및 R36는 각각 독립적으로 O, SO2, 및 C(CF3)2와 같은 C(R')(R'')(여기서, R', 및 R''는 각각 독립적으로 수소원자, 및 치환 또는 비치환 된 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이다)로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 n31, n33, n34, 및 n37 내지 n40는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
상기 n30, n32, n35, 및 n36은 각각 독립적으로 0 내지 1의 정수이다)
또한, 상기 화학식 2로 표시되는 반복 단위는 액정 분자의 선경사각 조절이 용이하고 우수한 배향성을 갖도록 하기 위하여, 하기 화학식 15 내지 18로 표시되는 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 기능성 디아민으로부터 유도되는 치환기를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 화학식 2로 표시되는 반복 단위 중 일부는 상기 기능성 디아민으로부터 유도되는 2가의 유기기를 포함하게 된다.
[화학식 15]
(상기 화학식 15에서,
상기 R41은 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이고,
상기 R42는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고, 상기 n42는 0 내지 3의 정수이다)
[화학식 16]
(상기 화학식 16에서,
상기 R43, R45, 및 R46은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R44은 O, COO, CONH, OCO, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R47은 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기; 및 -O-, -COO-, -CONH-, -OCO-, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 더 포함하는 상기 알 킬기, 아릴기, 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 n43은 0 또는 3의 정수이고,
상기 n45, 및 n46은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
상기 n44는 0 내지 1의 정수이다)
[화학식 17]
(상기 화학식 17에서,
상기 R64, 및 R66는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R65는 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R61, 및 R62는 각각 독립적으로 O, 및 COO로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,
상기 R63는 O, COO, CONH, 및 OCO로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,
상기 n64, 및 n66는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
상기 n61 내지 n63은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이다)
[화학식 18]
(상기 화학식 18에서,
상기 R51는 각각 독립적으로 단일결합, O, COO, OCO, NHCO, 및 CONH로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고, n51은 0 내지 2의 정수이고,
상기 R52은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기; 및 -O-, -COO-, -CONH-, -OCO-, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 더 포함하는 상기 알킬기, 아릴기, 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이다)
상기 화학식 18로 표시되는 기능성 디아민의 구체적 예로는 하기 화학식 19 내지 21로 표시되는 것을 들 수 있다.
[화학식 19] [화학식 20] [화학식 21]
(상기 화학식 21에서, 상기 a는 10 내지 30의 정수이다)
상기 폴리아믹산은 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 이외에 신나메이트계 디아민, 칼콘계 디아민, 쿠마린계 디아민, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 디아민을 더 첨가한 후, 중합하여 제조하는 것이 바람직하다.
상기 폴리아믹산은 서로 다른 종류의 광배향을 위한 광반응성기를 포함함으로써, 액정 광배향제의 감도를 개선할 수 있다. 상기 액정 광배향제는 광반응성이 향상되며, 저에너지에서도 광배향이 이루어질 수 있다.
상기 신나메이트계 디아민으로는 하기 화학식 22로 표시되는 화합물, 하기 화학식 23으로 표시되는 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있고, 상기 칼콘계 디아민으로는 하기 화학식 24로 표시되는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있고, 상기 쿠마린계 디아민으로는 하기 화학식 25로 표시되는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.
[화학식 22]
(상기 화학식 22에서,
상기 R71은 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R72은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고, 상기 n72는 0 내지 3의 정수이다)
[화학식 23]
(상기 화학식 23에서,
상기 R77은 방향족 디아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬렌기를 포함하는 디아민기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R77에서 상기 치환된 알킬렌기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬렌기; 상기 알킬렌기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR'-, -NR'-CO-, -CO-NR'-, -NR'-CO-O-, -O-CO-NR'-, -NR'-, -CO-NR'-, -CH=CH-, -C≡C-, 및 -O-CO-O-(여기서, R'는 수소원자, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된다)로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬렌기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 알킬렌기이고,
상기 R74는 상기 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고, 상기 n74는 0 내지 4의 정수이고,
상기 R75, 및 R76는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 시아노기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 12의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R75, 및 R76에서 상기 치환된 알킬기는 수소원자가 헤테로 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬기; 상기 알킬기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 알킬기이고,
상기 R73는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 알킬아릴(alkylaryl)기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 및 치환 또는 비치환된 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R73에서 상기 치환된 알킬기는 수소원자가 할로겐, 및 시아노기로 이루 어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬기; 상기 알킬기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 알킬기이고,
상기 R73에서 상기 치환된 알킬아릴기는 상기 알킬아릴기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬아릴기이다)
[화학식 24]
(상기 화학식 24에서,
상기 R81은 방향족 디아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬렌기로 치환된 디아민기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R81에서 상기 치환된 알킬렌기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환기된 알킬렌기; 상기 알킬렌기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR'-, -NR'-CO-, -CO-NR'-, -NR'-CO-O-, -O-CO-NR'-, -NR'-, -CO-NR'-, -CH=CH-, -C≡C-, 및 -O-CO-O-(여기서, R'는 수소원자, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된다)로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬렌기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 알킬렌기이고,
상기 R82, 및 R85는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고, 상기 n82, 및 n85는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
상기 R83, 및 R84는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 시아노기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 12의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R83, 및 R84에서 상기 치환된 알킬기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬기; 상기 알킬기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 알킬기이고,
상기 R86는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 알킬아릴(alkylaryl)기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 및 치환 또는 비치환된 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R86에서 상기 치환된 알킬기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬기; 상기 알킬기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 알킬기이고,
상기 R86에서 상기 치환된 알킬아릴기는 상기 알킬아릴기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬아릴기이다)
[화학식 25]
(상기 화학식 25에서,
상기 R91은 방향족 디아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬렌기로 치환된 디아민기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R91에서 상기 치환된 알킬렌기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환기된 알킬렌기; 상기 알킬렌기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR'-, -NR'-CO-, -CO-NR'-, -NR'-CO-O-, -O-CO-NR'-, -NR'-, -CO-NR'-, -CH=CH-, -C≡C-, 및 -O-CO-O-(여기서, R'는 수소원자, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된다)로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬렌기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 알킬렌기이고,
상기 R92는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고, 상기 n92는 0 내지 4의 정수이고,
상기 R93, 및 R94는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 시아노기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 12의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고,
상기 R93, 및 R94에서 상기 치환된 알킬기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬기; 상기 알킬기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 알킬기이다)
상기 폴리아믹산에서 상기 화학식 2로 표시되는 구조 단위와 상기 화학식 3으로 표시되는 구조 단위의 몰비는 1 내지 99 : 1 내지 99인 것이 바람직하고, 1 내지 50 : 50 내지 99인 것이 더욱 바람직하다. 상기 화학식 3으로 표시되는 구조 단위의 몰비가 상기 하한을 벗어나는 경우, 자외선에 의한 액정 광배향성이 제대로 구현되지 않는 문제가 있을 수 있고, 상기 상한을 초과하는 경우, 수직 배향성 및 액정 광배향막의 전기 특성이 떨어질 수 있다.
상기 액정 광배향제는 수평균분자량이 5,000 내지 500,000g/mol인 것이 바람직하다. 상기 액정 광배향제의 수평균분자량이 5,000g/mol 미만이면, 인쇄시 기판 끝단 부분에 얼룩이 발생하는 등의 문제가 있을 수 있고, 수평균분자량이 500,000g/mol을 초과하면, 인쇄시 기판 끝단 부분의 막두께 편차가 발생함으로써 형성된 도막이 불균일해지는 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면 상기 액정 광배향제를 이용하여 제조된 액정 광배향막을 제공한다.
상기 액정 광배향막은 상기 액정 광배향제를 용매에 첨가하여 제조된 액정 광배향막 형성용 조성물을 기판에 도포하여 제조할 수 있다.
상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸 아세트아미드, N,N-디메틸 포름아마이드, 디메틸 설폭사이드, γ-부티로 락톤, 및 메타 크레졸, 페놀, 할로겐화 페놀 등의 페놀계 용매 등을 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 상기 용매는 빈용매인 알코올류, 케톤류, 에스테르류, 에테르류, 탄화수소류, 또는 할로겐화 탄화수소류를 상기 가용성 폴리이미드 중합체가 석출되지 않는 한도내에서 적정 비율로 더 포함한 것을 사용할 수 있다. 상기 빈용매들은 액정 광배향제의 표면에너지를 낮추어 도포시 퍼짐성과 평탄성을 좋게 해주기 때문이다.
상기 빈용매는 전체 용매에 대하여 1 내지 90 부피%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하며, 1 내지 70 부피%의 범위에서 더욱 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 빈용매의 구체적인 예로는 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 시클로 헥사놀, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 1,4-부탄디올, 트리에틸렌 글리콜, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 초산메틸, 초산에틸, 초산부틸, 수산 디에틸, 말론산 에스테르, 디에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 페닐 에테르, 에틸렌 글리콜 페닐 메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 페닐 에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸에틸, 디에틸렌 글리콜 디메틸에 틸, 디에틸렌클리콜 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에텔린 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜타논, 2-하이드록시 프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸 프로피온산 에틸, 에톡시 초산 에틸, 하이드록시 초산 에틸, 2-하이드록시-3-메틸 부탄산 메틸, 3-메톡시 프로피온산 메틸, 3-메톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 메틸, 메틸 메톡시 부탄올, 에틸 메톡시 부탄올, 메틸 에톡시 부탄올, 에틸 에톡시 부탄올, 테트라하이드로퓨란, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 1,4-디클로로 부탄, 트리 클로로 에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠, 헥산, 헵탄, 옥탄, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 들 수 있다.
상기 액정 광배향막 형성용 조성물에서 상기 용매의 함량은 특별히 정해지지는 않으나, 상기 액정 광배향제의 고형분이 1 내지 30중량%, 바람직하게는 3 내지 15중량%, 더욱 바람직하게는 5 내지 10중량%가 되도록 사용한다. 상기 고형분의 함량이 1중량% 미만인 경우, 인쇄시에 기판 표면의 영향을 받아 막의 균일도가 저하되는 문제가 있을 수 있고, 30중량%를 초과하는 경우에는 높은 점도에 의해 인쇄시 형성되는 막의 균일도 저하가 저하되고, 투과율이 하락되는 문제가 있을 수 있다.
상기 액정 광배향막 형성용 조성물은 신뢰성 및 전기광학특성 향상을 위하여 2 내지 4개의 에폭시 관능기를 가지는 에폭시 화합물을 1종 이상 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물은 상기 액정 광배향제 100중량부에 대하여 0.01 내지 50 중량부로 포함되는 것이 바람직하고, 1 내지 30중량부로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 상기 에폭시 화합물의 함량이 50중량부를 초과하는 경우 기판에 도포시 인쇄성이나 평탄성을 저하시킬 수 있고, 0.01중량부 미만인 경우, 에폭시 화합물을 첨가하는 효과가 미미하다.
상기 에폭시 화합물의 구체적인 예로는 N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-디아미노디페닐메탄(TGDDM), N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-디아미노디페닐에탄, N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-디아미노디페닐프로판, N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-디아미노디페닐부탄, N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-디아미노벤젠 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 액정 광배향막 형성용 조성물은 기판과의 접착력을 향상시키고, 평탄성 및 막코팅성을 향상시키기 위하여 실란커플링제 또는 계면활성제를 추가로 사용할 수 있다.
상기 액정 광배향막 형성용 조성물을 기판에 도포하여 액정 광배향막을 형성시킬 수 있다. 상기 액정 광배향막 형성용 조성물을 상기 기판에 도포하는 방법으로는, 스핀 코트법, 플렉소 인쇄법, 잉크젯법 등을 들 수 있다. 그 중에서도 플렉소 인쇄법은 형성한 도막의 균일성이 우수하고, 대형화가 용이하기 때문에 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 기판으로는 투명성이 높은 기판이라면 특별히 한정되지 않고 사용할 수 있으며, 유리 기판, 또는 아크릴 기판이나 폴리카보네이트 기판 등의 플라스틱 기 판을 사용할 수 있다. 또한, 액정 구동을 위한 ITO 전극 등이 형성된 기판을 사용하는 것이 제조 공정의 간소화의 관점에서 바람직하다.
상기 액정 광배향막 형성용 조성물은 도막의 균일성을 높이기 위해 기판에 균일하게 도포한 후, 실온 내지 200℃, 바람직하게는 30 내지 150℃, 더욱 바람직하게는 40 내지 120℃ 에서 1 내지 100 분 동안 가건조를 실시하는 것이 바람직하다. 상기 가건조를 통하여, 액정 광배향막 형성용 조성물의 각 성분의 휘발도를 조정함으로써, 균일하고 편차가 없는 도막을 얻을 수 있다.
그 후, 다시 80 내지 300℃, 바람직하게는 120 내지 280℃의 온도에서 5 내지 300분 동안 소성을 실시하여 완전히 용매분을 증발시킴으로써, 액정 광배향막을 형성할 수 있다.
상기와 같은 방법으로 형성된 액정 광배향막은 편광 자외선 조사에 의한 일축 배향 처리를 하거나, 또는 수직 배향막 등의 일부 용도에서는 일축 배향 처리를 하지 않고 액정 표시 장치에 사용된다.
상기 본 발명의 일 구현예에 따른 액정 광배향막은 10mJ 내지 5000mJ의 에너지에서 0.1 내지 180분 동안 노광하여 일축 배향 처리를 할 수 있다. 상기와 같이 노광 강도를 줄이면서 일축 배향 처리를 하여 상기 폴리이미드 광중합체에 포함되어 있는 이중 결합을 완전히 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면 상기 액정 광배향막을 포함하는 표시 장치를 제공한다. 상기 표시 장치는 액정 표시 장치인 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 액정 표시 장치(1)는 하부 표시판(100), 상부 표시판(200), 및 액정층(3)을 포함한다.
상기 하부 표시판(100)은 제1 기판(110)의 상면에 복수의 게이트선(gate line)(도시하지 않음) 및 복수의 유지 전극(storage electrode)(133)을 포함하는 게이트 도전체가 형성되어 있다. 게이트 도전체 위에는 게이트 절연막(gate insulating layer)(140), 복수의 반도체(154), 복수 쌍의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165), 복수의 소스 전극(source electrode)(173), 및 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 차례로 형성되어 있다.
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이룬다.
반도체(154)의 노출된 부분, 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 게이트 절연막(140) 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성된다. 보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191)이 형성되어 있다.
다음으로, 상부 표시판(200) 에 대하여 설명한다.
상부 표시판(200)은 제2 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 제2 기판(210) 및 차광 부재(220) 위에는 복수의 색필터(230)가 형성되어 있으며, 색필터(230) 위에 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 색필터(230)가 액정층(3)에 노출되는 것을 방지하고, 이러한 덮개막(250)은 생략할 수도 있다.
하부 표시판(100)의 화소 전극(191) 상부와 상부 표시판(200)의 공통 전극(270) 상부에 각각 제1 액정 광배향막(12), 및 제2 액정 광배향막(22)이 형성되어 있다. 상기 제1 액정 광배향막(12), 및 제2 액정 광배향막(22)은 상기 본 발명의 일 구현예에 따른 액정 광배향제를 이용하여 제조된 것이다.
도 1에서는 상기 액정 광배향막(12, 22)이 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 모두에 형성되어 있는 것이 도시되어 있으나, 상기 액정 광배향막(12, 22)은 상부 표시판(200) 또는 하부 표시판(100) 중 어느 하나에만 형성될 수도 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
[
합성예
]
(
합성예
1: 3,5-
디아미노
-벤조산 4-(2-
에톡시카보닐
-비닐)-
페닐
에스테르의 제조)
하기 화학식 26에 3,5-디아미노-벤조산 4-(2-에톡시카보닐-비닐)-페닐 에스테르의 화학식을 나타내었다.
[화학식 26]
1-1) 3-(4-
하이드록시
-
페닐
)-
아크릴릭
산 에틸 에스테르의 제조
질소 분위기 하에서 에탄올(1L)를 사용하여 트랜스-파라-쿠마릭 산(0.609mol, 100g)을 녹인 후 황산(0.304mol, 17mL)을 천천히 첨가하였다. 온도를 70℃로 3시간 동안 환류시키고, 반응기 온도를 상온으로 낮춘 후, 감압 농축하여 에탄올(EtOH)을 제거하였다. 여액을 포화 NaHCO3 수용액을 사용하여 중화시켰다. 100mL의 에틸 아세테이트(EtOAc)로 3회 추출한 후, 포화 NaHCO3 수용액, 및 브라인(brine) 수용액으로 세척하고, 무수 MgSO4로 건조하였다.
건조된 유기층을 거름종이를 이용하여 거른 후 회전 증발기(rotary evaporator)를 이용하여 감압 농축하였다. 이를 통하여 하기 화학식 27로 표시되는 보라색 고체 형태의 3-(4-하이드록시-페닐)-아크릴릭 산 에틸 에스테르(0.6mol, 115.3g)을 98%의 수율로 얻었다.
[화학식 27]
1-2) 5-(3,5-
디니트로
-
벤조일옥시
)-
이소프탈릭산의
제조
질소 분위기 하에서, 0℃로 5-히드록시 이소프탈릭산(0.609mol, 100g)을 녹인 후 3,5-디니트로 벤조일 클로라이드(0.609mol, 140.4g)을 천천히 첨가한 후, 반응기 온도를 상온으로 올렸다. 여액을 포화 NaHCO3 수용액을 사용하여 중화시켰다. 100mL의 에틸 아세테이트(EtOAc)로 3회 추출한 후, 포화 NaHCO3 수용액, 브라인 수용액으로 세척하고, 무수 MgSO4로 건조하였다.
건조된 유기층을 거름종이를 이용하여 거른 후 회전 증발기를 이용하여 감압 농축하였다. 이를 통하여 하기 화학식 28로 표시되는 고체 형태의 5-(3,5-디니트로-벤조일옥시)-이소프탈릭산(0.365mol, 137.4g)을 60%의 수율로 얻었다.
[화학식 28]
1-3) 5-(3,5-
디니트로벤조일옥시
)-
이소프탈릭산
비스
[4(2-
에톡시카보닐
비닐)-
페닐
] 에스테르의 제조
3-(4-하이드록시-페닐)-아크릴릭 산 에틸 에스테르(0.6mol, 115.3g)을 테트라하이드로퓨란(THF)(1L)에 녹여 용액을 제조하였다. 상기 용액을 0℃로 온도를 낮춘 후 THF(500mL)에 녹인 5-(3,5-디니트로-벤조일옥시)-이소프탈릭 클로라이드(0.3mol, 123.9g)을 천천히 적가하였다. 적가가 완료 된 후, 반응 온도를 천천히 상온으로 올렸다. 물과 EtOAc를 넣고 교반시키며 반응을 완료하였다. 유기층을 분리하고, 물층을 EtOAc를 추가로 사용하여 추출하였다. 이렇게 얻어진 유기층을 1N의 HCl, 포화 NaHCO3 수용액, 브라인 수용액을 사용하여 세척하고, 무수 MgSO4로 건조하였다. 건조된 유기층을 거름종이를 이용하여 거른 후 회전 증발기를 이용하여 감압 농축하였다. 이를 통하여 상기 화학식 29로 표시되는 아이보리 색을 띤 고체 5-(3,5-디니트로벤조일옥시)-이소프탈릭산 비스[4(2-에톡시카보닐 비닐)-페닐] 에스테르(0.267mol, 193.4g)을 89%의 수율로 얻었다.
[화학식 29]
1-4) 5-(3,5-
디아미노벤조일옥시
)-
이소프탈릭산
비스
[4(2-
에톡시카보닐
비닐)-
페닐
] 에스테르의 제조
3,5-디아미노-벤조산 4-(2-에톡시카보닐-비닐)-페닐 에스테르(0.267mol, 193.4g)를 THF(1L)에 녹인 후, ·SnCl2·2H2O(2.588mol, 600g)을 첨가하였다. 이후 6시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 종결된 후 상온으로 냉각하였다. 포화 NaHCO3 수용액을 사용하여 반응을 종결하였다. EtOAc로 희석시킨 후 포화 NaHCO3 수용액, 브라인 수용액을 사용하여 세척하고, 무수 MgSO4로 건조하였다. 건조된 유기층을 거름종이를 이용하여 거른 후 회전 증발기를 이용하여 감압 농축하였다. 실리카 겔 크로마토그램을 이용하여 상기 화학식 26으로 표시되는 5-(3,5-디아미노벤조일옥시)-이소프탈릭산 비스[4(2-에톡시카보닐 비닐)-페닐] 에스테르(0.160 mol, 106.4g)을 60%의 수율로 얻었다.
(
합성예
2:
비스
(4-((E)-3-(
옥틸옥시
)-3-
옥소프로
-1-
에닐
)
페닐
)-5-(3,5-
디아미노벤조일옥시
)
이소프탈레이트의
제조)
합성예 1에서 에탄올을 대신하여 옥탄올을 이용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 실시하여 하기 화학식 30으로 표시되는 3,5-디아미노-벤조산 4-[2-(1-에틸-헥실록시카보닐)-비닐]-페닐 에스테르를 얻었다.
[화학식 30]
(
합성예
3:
비스
(4-((E)-3-(
데실옥시
)-3-
옥소프로
-1-
에닐
)
페닐
)-5-(3,5-
디아미노벤조일옥시
)
이소프탈레이트
)
합성예 1에서 에탄올을 대신하여 1-데카놀을 이용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 실시하여 하기 화학식 31로 표시되는 3,5-디아미노-벤조산 4-(2-데실록시카보닐-비닐)-페닐 에스테르를 얻었다.
[화학식 31]
[
제조예
]
(
제조예
1:
폴리아믹산(PSA-1)의
제조)
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 암실 조건하에서 질소를 통과시키면서 페닐렌디아민 0.2 몰, 1-(3,5-디아미노-페닐)-3-옥타데실-피롤리딘-2,5-디온 0.1몰과 상기 화학식 26으로 표시되는 디아민인 5-(3,5-디아미노벤조일옥시)-이소프탈릭산 비스[4(2-에톡시카보닐 비닐)-페닐] 에스테르 0.7 몰을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 넣어 용해시켰다. 고체 상태의 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물 1.0 몰을 넣고 격렬하게 교반하였다. 이때의 고형분 함량은 20중량%이며, 온도는 30℃ 내지 80℃로 유지하면서 24시간 동안 반응을 수행하여 폴리아믹산 용액(PSA-1)을 제조하였다.
(
제조예
2:
폴리아믹산(PSA-2)의
제조)
상기 화학식 26으로 표시되는 디아민을 대신하여 상기 화학식 30으로 표시되는 디아민을 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일하게 폴리아믹산 용액(PSA-2)을 제조하였다.
(
제조예
3:
폴리아믹산(PSA-3)의
제조)
상기 화학식 26으로 표시된 디아민을 대신하여 상기 화학식 31로 표시되는 디아민을 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일하게 폴리아믹산 용액(PSA-3)을 제조하였다.
(
제조예
4:
폴리아믹산(PSA-4)의
제조)
상기 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물을 대신하여 4,10-디옥사-트리시클로[6.3.1.02,7]도데칸-3,5,9,11-테트라온을 사용한 것을 제외하고는 제조 예 1과 동일하게 폴리아믹산 용액(PSA-4)을 제조하였다.
(
제조예
5:
폴리아믹산(PSA-5)의
제조)
상기 화학식 3로 표시된 기능성 디아민을 대신하여 하기 화학식 4로 표시되는 기능성 디아민을 사용한 것과 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물을 대신하여 4,10-디옥사-트리시클로[6.3.1.02,7]도데칸-3,5,9,11-테트라온을 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일하게 폴리아믹산 용액(PSA-5)을 제조하였다.
(
제조예
6:
폴리아믹산(PSA-6)의
제조)
상기 화학식 26으로 표시된 기능성 디아민을 대신하여 하기 화학식 30으로 표시되는 기능성 디아민을 사용한 것과 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물을 대신하여 4,10-디옥사-트리시클로[6.3.1.02,7]도데칸-3,5,9,11-테트라온을 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일하게 폴리아믹산 용액(PSA-6)을 제조하였다.
(
제조예
7: 폴리이미드 중합체(
PSI
-1)의 제조)
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 암실 조건하에서 질소를 통과시키면서 페닐렌디아민 0.2 몰, 1-(3,5-디아미노-페닐)-3-옥타데실-피롤리딘-2,5-디온 0.1몰과 화학식 26으로 표시되는 디아민인 5-(3,5-디아미노벤조일옥시)-이소프탈릭산 비스[4(2-에톡시카보닐 비닐)-페닐] 에스테르 0.7 몰을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 넣어 용해시켰다. 고체 상태의 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물 1.0 몰을 넣고 격렬하게 교반하였다. 이때의 고형분 함량은 20중량%이며, 온도는 30℃ 내지 80℃로 유지하면서 24시간 동안 반응을 수행하여 폴리아믹산 용액을 제조하였다.
이 폴리아믹산 용액에 3.0 몰의 아세트산무수물과 5.0 몰의 피리딘을 첨가하고 80℃로 승온시키고 6시간 동안 반응시킨 후, 진공증류를 통해 촉매와 용매를 제거하여 고형분 함량 20%의 가용성 폴리이미드 수지를 제조하였다. 제조된 가용성 폴리이미드 수지에 유기용매인 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 또는 γ-부티로락톤을 첨가하고, 상온에서 24 시간 동안 교반하여 폴리이미드 수지(PSI-1)를 제조하였다.
(
제조예
8: 폴리이미드 중합체(
PSI
-2)의 제조)
상기 화학식 26으로 표시된 디아민을 대신하여 상기 화학식 30으로 표시되는 디아민을 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 동일하게 폴리이미드 중합체(PSI-2)을 제조하였다.
(
제조예
9: 폴리이미드 중합체(
PSI
-3)의 제조)
상기 화학식 26으로 표시된 디아민을 대신하여 상기 화학식 31로 표시되는 디아민을 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 동일하게 폴리이미드 중합체(PSI-3)을 제조하였다.
(
제조예
10: 폴리이미드 중합체(
PSI
-4)의 제조)
상기 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물을 대신하여 4,10-디옥사-트리시클로[6.3.1.02,7]도데칸-3,5,9,11-테트라온을 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 동일하게 폴리이미드 중합체(PSI-4)을 제조하였다.
(
제조예
11: 폴리이미드 중합체(
PSI
-5)의 제조)
상기 화학식 26으로 표시된 디아민을 대신하여 상기 화학식 30으로 표시되는 디아민을 사용한 것과 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물을 대신하여 4,10-디옥사-트리시클로[6.3.1.02,7]도데칸-3,5,9,11-테트라온을 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 동일하게 폴리이미드 중합체(PSI-5)을 제조하였다.
(
제조예
12: 폴리이미드 중합체(
PSI
-6)의 제조)
상기 화학식 26으로 표시된 디아민을 대신하여 하기 화학식 31로 표시되는 디아민을 사용한 것과 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물을 대신하여 4,10-디옥사-트리시클로[6.3.1.02,7]도데칸-3,5,9,11-테트라온을 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 동일하게 폴리이미드 중합체(PSI-6)을 제조하였다.
[
실시예
: 액정
광배향제의
제조]
(
실시예
1)
제조예 1에서 얻은 고형분 8wt%의 PSA-1 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24 시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
2)
제조예 2에서 얻은 고형분 8wt%의 PSA-2 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
3)
제조예 3에서 얻은 고형분 8wt%의 PSA-3 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
4)
제조예 4에서 얻은 고형분 8wt%의 PSA-4 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
5)
제조예 5에서 얻은 고형분 8wt%의 PSA-1 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24 시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
6)
제조예 6에서 얻은 고형분 8wt%의 PSA-1 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
7)
제조예 7에서 얻은 고형분 8wt%의 PSI-1 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
8)
제조예 8에서 얻은 고형분 8wt%의 PSI-2 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
9)
제조예 9에서 얻은 고형분 8wt%의 PSI-3 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24 시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
10)
제조예 10에서 얻은 고형분 8wt%의 PSI-4 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
11)
제조예 11에서 얻은 고형분 8wt%의 PSI-5 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
실시예
12)
제조예 12에서 얻은 고형분 8wt%의 PSI-6 용액 70g을 질소를 통과시키면서 24시간 동안 교반한 후, 입경 0.1㎛의 필터로 여과하여 고형분 8wt%의 액정 광배향제를 얻었다.
(
비교예
1)
페닐렌디아민을 대신하여 4,4-메틸렌디아닐린을 0.90 mol 사용하고, 1-(3,5- 디아미노-페닐)-3-옥타데실-피롤리딘-2,5-디온을 대신하여 2,4-디아미노페녹시헥사데칸 0.10 mol 사용한 것을 제외하고는 상기의 실시예 1과 동일하게 수행하여 폴리아믹산 용액을 수득하였다.
(
비교예
2)
페닐렌디아민을 대신하여 4,4-메틸렌디아닐린을 0.80 mol 사용하고, 1-(3,5-디아미노-페닐)-3-옥타데실-피롤리딘-2,5-디온을 대신하여 2,4-디아미노페녹시헥사데칸 0.10 mol 사용한 것을 제외하고는 상기의 실시예 7과 동일하게 수행하여 폴리이미드 중합체를 수득하였다.
(물성 평가)
상기 합성예 1 내지 3에서 제조된 디아민에 대하여 Bruker 300MHz 를 이용하여 핵자기공명분광법(nuclear magnetic resonance spectroscopy, 1H NMR)으로 분석하였고, 그 결과를 도 2 내지 4에 나타내었다. 도 2 내지 4를 참조하면, 상기 합성예 1 내지 3에서 제조된 유기 화합물은 각각 3,5-디아미노-벤조산 4-(2-에톡시카보닐-비닐)-페닐 에스테르, 비스(4-((E)-3-(옥틸옥시)-3-옥소프로-1-에닐)페닐)-5-(3,5-디아미노벤조일옥시) 이소프탈레이트, 및 비스(4-((E)-3-(데실옥시)-3-옥소프로-1-에닐)페닐)-5-(3,5-디아미노벤조일옥시) 이소프탈레이트임을 알 수 있다.
(인쇄성 평가)
상기 실시예 1 내지 12, 비교예 1, 및 비교예 2에서 제조된 액정 광배향제를 10cm×10cm 크기의 ITO 기판 위에 도포하고, 일정 조건 하에 스핀 코팅하여 0.1㎛ 두께로 균일하게 만든 다음, 핫 플레이트(hot plate) 위에서 70℃의 온도로 탈용매 과정을 거치고 210℃의 온도로 경화 과정을 거쳐 액정 광배향막을 제조하였다.
육안과 광학 현미경을 통하여, 상기 제조된 액정 광배향제의 퍼짐 특성과 말림특성을 관찰하여 액정 광배향제의 인쇄성을 평가하였다. 상기 인쇄성 평가 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
(액정
광배향성
평가)
액정 광배향제의 액정 광배향성을 평가하기 위하여 액정 셀을 제작하여 이용하였다. 상기 액정 셀의 제조는 다음과 같다.
규격화된 크기의 ITO 유리 기판에 1.5cm×1.5cm 크기의 정사각형 ITO 모양과 전압 인가를 위한 전극 ITO 모양만을 남기고 다른 부분의 ITO를 제거하기 위해 포토리소그래피 공정을 이용하여 패턴화하였다.
패턴화한 ITO 기판에 실시예 1 내지 12, 비교예 1, 및 비교예 2에서 제조한 액정 광배향제를 도포하고 스핀 코팅하여 0.1㎛ 두께로 만든 다음, 70℃와 210℃의 경화 과정을 거치게 하였다.
상기 경화 과정을 거친 ITO 기판을 노광기(UIS-S2021J7-YD01, Ushio LPUV)를 이용하여 일정 각도, 일정 에너지하에서 노광한 2개의 기판을 노광 방향이 서로 반 대 방향(VA mode용, 90도)이 되도록 한 후, 4.75㎛의 셀 갭을 유지한 채로 정사각형 ITO 모양이 위, 아래로 일치하게 접합하였다. 상기 노광시 광원은 2kW 딥 UV 램프(deep UV ramp, UXM-2000)를 사용하였다.
이와 같은 방법으로 만들어진 셀에 액정을 채운 후, 직교 편광된 광학 현미경을 이용, 액정 광배향성을 관찰하였고, 결과를 하기 표 1에 정리하였다.
(
선경사각
평가)
선경사각 평가를 위한 액정 셀은 셀 갭을 50㎛로 유지할 수 있도록, 위의 방법과는 달리 별도로 제조하였다.
실시예 1 내지 12, 비교예 1, 및 비교예 2에서 제조한 액정 광배향제의 선경사각을 측정하기 위하여 50㎛ 셀 갭의 액정 셀을 제조하여 결정회전법(crystal rotation method)을 이용하였다. 선경사각 측정 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
(전기적 특성 및 광학적 특성 평가)
액정 광배향제의 전기적 특성 및 광학적 특성들은 4.75㎛ 셀 갭의 액정 셀을 이용하여 전압-투과도 곡선, 전압보전율, 및 잔류 DC전압을 측정하여 평가하였다.
상기 전압-투과도 곡선, 전압보전율, 및 잔류 DC전압의 전기적 특성 및 광학적 특성들을 간단히 설명하면 다음과 같다.
상기 전압-투과도 곡선은 중요한 전기적 특성 및 광학적 특성 중의 하나로 액정표시장치의 구동 전압을 결정짓는 특성 중의 하나이며, 액정 셀에 전압을 인가 하면서 투과도를 측정하여 가장 밝은 상태의 광량을 100%, 가장 어두운 상태의 광량을 0%로 하여 표준화한 곡선이다.
상기 전압보전율은 능동구동 방식의 TFT-LCD에서 비선택기간 동안 외부전원과 플로팅된 상태의 액정층이 충전된 전압을 유지하는 정도를 말하며, 100%에 가까운 값이 이상적이다.
상기 잔류 DC전압은 이온화된 액정 층의 불순물들이 배향막에 흡착되어, 외부에서 인가된 전압이 없더라도 액정 층에 걸려 있는 전압을 말하며, 낮을수록 좋다. 상기 잔류 DC전압의 측정 방법으로는 플리커를 이용한 방법과 DC전압에 따른 액정 층의 전기용량 변화 곡선(C-V)을 이용한 방법 등이 보편적이다.
액정 셀을 이용한 액정 광배향제의 전기적 특성 및 광학적 특성들의 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[표 1]
| 시료 | 인쇄성 | 수직배향성 | 광배향성 | 선경사각(°) |
| 실시예 1 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.86 |
| 실시예 2 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.91 |
| 실시예 3 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.94 |
| 실시예 4 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.88 |
| 실시예 5 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.91 |
| 실시예 6 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.95 |
| 실시예 7 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.88 |
| 실시예 8 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.90 |
| 실시예 9 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.87 |
| 실시예 10 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.97 |
| 실시예 11 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.89 |
| 실시예 12 | 양호 | 양호 | 양호 | 89.96 |
| 비교예 1 | 불량 | 불량 | 불량 | 80.40 |
| 비교예 2 | 불량 | 불량 | 불량 | 81.21 |
[표 2]
| 시료 | 전압-투과도 | 전압보전율(%) | 잔류DC(by C-V) | |
| 상온(25℃) | 고온(60℃) | |||
| 실시예 1 | 양호 | 99.53 | 99.36 | 48 |
| 실시예 2 | 양호 | 99.55 | 99.32 | 46 |
| 실시예 3 | 양호 | 99.51 | 99.28 | 51 |
| 실시예 4 | 양호 | 99.52 | 99.26 | 45 |
| 실시예 5 | 양호 | 99.48 | 99.18 | 60 |
| 실시예 6 | 양호 | 99.51 | 99.16 | 58 |
| 실시예 7 | 양호 | 99.56 | 99.15 | 61 |
| 실시예 8 | 양호 | 99.47 | 99.12 | 55 |
| 실시예 9 | 양호 | 99.41 | 99.10 | 38 |
| 실시예 10 | 양호 | 99.46 | 99.16 | 46 |
| 실시예 11 | 양호 | 99.42 | 99.15 | 59 |
| 실시예 12 | 양호 | 99.52 | 99.12 | 48 |
| 비교예 1 | 양호 | 98.51 | 97.31 | 332 |
| 비교예 2 | 양호 | 98.38 | 97.08 | 401 |
상기 표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 12에서 제조한 액정 광배항제는 인쇄성, 수직배향성, 광배향성, 및 선경사각이 양호하여 액정 광배향막으로 사용될 수 있음을 알 수 있다.
상기 표 2를 참조하면, 실시예 1 내지 12에서 제조한 액정 광배향제는 전압-투과도가 양호하고, 전압 보전율이 모두 99% 이상인 것을 알 수 있다. 반면, 비교예 1, 및 비교예 2에서 제조한 액정 광배향제는 전압 보전율이 99%에 미치지 못함을 알 수 있다.
또한, 실시예 1 내지 12에서 제조한 액정 광배향제는 잔류 DC가 낮은 반면, 비교예 1, 및 비교예 2에서 제조한 액정 광배향제는 잔류 DC가 매우 높음을 알 수 있다.
상기 전압 보전율과 잔류 DC는 액정 광배향막의 잔상 특성을 평가하는 기준이 되는 것으로, 상기 전압 보전율이 높을 수록, 잔류 DC가 낮을 수록 잔상 특성이 우수한 것을 의미한다. 따라서, 실시예 1 내지 12에서 제조한 액정 광배향제는 비교예 1, 및 비교예 2에서 제조한 액정 광배향제 보다 잔상 특성이 우수함을 알 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 액정 표시 장치의 단면도.
도 2 내지 4는 각각 본 발명의 합성예 1 내지 3에서 제조한 디아민의 1H-NMR 스펙트럼을 나타내는 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 액정 표시 장치 3: 액정층
12: 제1 액정 광배향막 22: 제2 액정 광배향막
100: 하부 표시판 110: 제1 기판
175: 드레인 전극 191: 화소 전극
200: 상부 표시판 210: 제2 기판
230: 색필터 270: 공통 전극
Claims (16)
- 하기 화학식 1로 표시되는 디아민.[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,상기 R1, 및 R2는 각각 독립적으로 단일결합, O, COO, CONH, OCO, SiR'-O-SiR', NR', NR'-CO, CO-NR', NR'-COO, OCO-NR', O-CO-O, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,상기 R'는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,상기 R3는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기이고,상기 R4 내지 R6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,상기 n1은 1 내지 5의 정수이고, 상기 n4은 0 내지 3의 정수이고, 상기 n5은 0 내지 4의 정수이고, 상기 n6은 0 내지 4의 정수이고,상기 치환된이란 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다) - 하기 화학식 1로 표시되는 디아민,방향족 디아민, 및지방족 고리형 산이무수물, 및 방향족 산이무수물로 이루어진 군에서 선택되는 산이무수물을 중합하여 제조한 폴리아믹산을 포함하는 액정 광배향제.[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,상기 R1, 및 R2는 각각 독립적으로 단일결합, O, COO, CONH, OCO, SiR'-O-SiR', NR', NR'-CO, CO-NR', NR'-COO, OCO-NR', O-CO-O, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,상기 R'는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,상기 R3는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기이고,상기 R4 내지 R6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,상기 n1은 1 내지 5의 정수이고, 상기 n4은 0 내지 3의 정수이고, 상기 n5은 0 내지 4의 정수이고, 상기 n6은 0 내지 4의 정수이고,상기 치환된이란 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다) - 제2항에 있어서,상기 폴리아믹산은 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 공중합체인 것인 액정 광배향제.[화학식 2]
[화학식 3]
(상기 화학식 2, 및 화학식 3에서,상기 R7, 및 R9는 각각 독립적으로 지방족 고리형 산이무수물, 및 방향족 산이무수물로 이루어진 군에서 선택되는 산이무수물로부터 유도된 4가의 유기기이고,상기 R8는 방향족 디아민으로부터 유도된 2가의 유기기이고,상기 R10는 상기 화학식 1로 표시되는 디아민으로부터 유도된 2가의 유기기이다) - 제2항에 있어서,상기 지방족 고리형 산이무수물은 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산이무수물(CBDA), 5-(2,5-디옥소테트라히드로퓨릴)-3-메틸시클로헥센-1,2-디카르복실산무수물(DOCDA), 바이시클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산이무수물(BODA), 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산이무수물(CPDA), 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산이무수물(CHDA), 1,2,4-트리카르복시-3-메틸카르복시 시클로펜탄이무수물, 1,2,3,4-테트라카르복시 시클로펜탄이무수물, 4,10-디옥사-트리시클로[6.3.1.02,7]도데칸-3,5,9,11-테트라온, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 액 정 광배향제.
- 제2항에 있어서,상기 방향족 산이무수물은 피로멜리트산이무수물(PMDA), 비프탈산이무수물(BPDA), 옥시디프탈산이무수물(ODPA), 벤조페논테트라카르복시산이무수물(BTDA), 헥사플루오르이소프로필리덴디프탈산이무수물(6-FDA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 액정 광배향제.
- 제2항에 있어서,상기 방향족 디아민은 파라페닐렌디아민(p-PDA), 4,4-메틸렌디아닐린(MDA), 4,4-옥시디아닐린(ODA), 메타비스아미노페녹시디페닐설폰(m-BAPS), 파라비스아미노페녹시디페닐설폰(p-BAPS), 2,2-비스아미노페녹시페닐프로판(BAPP), 2,2-비스아미노페녹시페닐헥사플루오로프로판 (HF-BAPP), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노바이페닐, 및 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노바이페닐로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 액정 광배향제.
- 제2항에 있어서,상기 액정 광배향제는 상기 폴리아믹산을 이미드화시켜 제조한 폴리이미드를 더 포함하는 것인 액정 광배향제.
- 제2항에 있어서,상기 방향족 디아민은 하기 화학식 15 내지 18로 표시되는 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 기능성 디아민인 것인 액정 광배향제.[화학식 15]
(상기 화학식 15에서,상기 R41은 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이고,상기 R42는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고, 상기 n42는 0 내지 3의 정수이고,상기 치환된이란 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로 아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다)[화학식 16]
(상기 화학식 16에서,상기 R43, R45, 및 R46은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R44은 O, COO, CONH, OCO, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R47은 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기; 및 -O-, -COO-, -CONH-, -OCO-, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 더 포함하는 상기 알킬기, 아릴기, 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되 는 어느 하나의 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 n43은 0 또는 3의 정수이고,상기 n45, 및 n46은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,상기 n44는 0 내지 1의 정수이고,상기 치환된이란 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다)[화학식 17]
(상기 화학식 17에서,상기 R64, 및 R66는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R65는 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R61, 및 R62는 각각 독립적으로 O, 및 COO로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,상기 R63는 O, COO, CONH, 및 OCO로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,상기 n64, 및 n66는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,상기 n61 내지 n63은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,상기 치환된이란 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다)[화학식 18]
(상기 화학식 18에서,상기 R51는 각각 독립적으로 단일결합, O, COO, OCO, NHCO, 및 CONH로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고, n51은 0 내지 2의 정수이고,상기 R52은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기; 및 -O-, -COO-, -CONH-, -OCO-, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 더 포함하는 상기 알킬기, 아릴기, 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 치환된이란 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다) - 제2항에 있어서,상기 폴리아믹산은 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 이외에신나메이트계 디아민, 칼콘계 디아민, 쿠마린계 디아민, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 디아민을 더 첨가한 후, 중합하여 제조한 것인 액정 광배향제.
- 제9항에 있어서,상기 신나메이트계 디아민은 하기 화학식 22로 표시되는 화합물, 하기 화학식 23으로 표시되는 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 액정 광배향제.[화학식 22]
(상기 화학식 22에서,상기 R71은 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R72은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고, 상기 n72는 0 내지 3의 정수이고,상기 치환된이란 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다)[화학식 23]
(상기 화학식 23에서,상기 R77은 방향족 디아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬렌기를 포함하는 디아민기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R77에서 상기 치환된 알킬렌기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬렌기; 상기 알킬렌기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR'-, -NR'-CO-, -CO-NR'-, -NR'-CO-O-, -O-CO-NR'-, -NR'-, -CO-NR'-, -CH=CH-, -C≡C-, 및 -O-CO-O-(여기서, R'는 수소원자, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된다)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬렌기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 알킬렌기이고,상기 R74는 상기 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고, 상기 n74는 0 내지 4의 정수이고,상기 R75, 및 R76는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 시아노기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 12의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R75, 및 R76에서 상기 치환된 알킬기는 수소원자가 헤테로 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기; 상기 알킬기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 알킬기이고,상기 R73는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 알킬아릴(alkylaryl)기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 및 치환 또는 비치환된 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R73에서 상기 치환된 알킬기는 수소원자가 할로겐, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기; 상기 알킬기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 알킬기이고,상기 R73에서 상기 치환된 알킬아릴기는 상기 알킬아릴기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬아릴기이고,상기 치환된이란 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다) - 제9항에 있어서,상기 칼콘계 디아민은 하기 화학식 24로 표시되는 화합물인 것인 액정 광배향제.[화학식 24]
(상기 화학식 24에서,상기 R81은 방향족 디아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬렌기로 치환된 디아민기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R81에서 상기 치환된 알킬렌기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환기된 알킬렌기; 상기 알킬렌기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR'-, -NR'-CO-, -CO-NR'-, -NR'-CO-O-, -O-CO-NR'-, -NR'-, -CO-NR'-, -CH=CH-, -C≡C-, 및 -O-CO-O-(여기서, R'는 수소원자, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된다)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬렌기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 알킬렌기이고,상기 R82, 및 R85는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고, 상기 n82, 및 n85는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,상기 R83, 및 R84는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 시아노기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 12의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R83, 및 R84에서 상기 치환된 알킬기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기; 상기 알킬기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 알킬기이고,상기 R86는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 알킬아릴(alkylaryl)기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 및 치환 또는 비치환된 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R86에서 상기 치환된 알킬기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기; 상기 알킬기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 알킬기상기 R86에서 상기 치환된 알킬아릴기는 상기 알킬아릴기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 알킬아릴기이고,상기 치환된이란 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다) - 제9항에 있어서,상기 쿠마린계 디아민은 하기 화학식 25로 표시되는 화합물인 것인 액정 광배향제.[화학식 25]
(상기 화학식 25에서,상기 R91은 방향족 디아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬렌기로 치환된 디아민기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R91에서 상기 치환된 알킬렌기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환기된 알킬렌기; 상기 알킬렌기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR'-, -NR'-CO-, -CO-NR'-, -NR'-CO-O-, -O-CO-NR'-, -NR'-, -CO-NR'-, -CH=CH-, -C≡C-, 및 -O-CO-O-(여기서, R'는 수소원자, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된다)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬렌기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 알킬렌기이고,상기 R92는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고, 상기 n92는 0 내지 4의 정수이고,상기 R93, 및 R94는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 시아노기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 12의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고,상기 R93, 및 R94에서 상기 치환된 알킬기는 수소원자가 할로겐 원자, 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기; 상기 알킬기의 하나 이상의 비인접한 CH2 그룹이 -O-, -CO-O-, -O-CO-, 및 -CH=CH-로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 알킬기이고,상기 치환된이란 수소원자가 할로겐기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 할로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환된 것을 의미한다) - 제2항에 있어서,상기 폴리아믹산의 수평균분자량은 5,000 내지 500,000g/mole인 것인 액정 광배향제.
- 제3항에 있어서,상기 폴리아믹산에서 상기 화학식 2로 표시되는 구조 단위와 상기 화학식 3으로 표시되는 구조 단위의 몰비는 1 내지 99 : 1 내지 99인 것인 액정 광배향제.
- 제2항 내지 제14항 중 어느 한 항 기재에 따른 액정 광배향제를 기판에 도포하여 제조한 액정 광배향막.
- 제15항에 따른 액정 광배향막을 포함하는 액정 표시 장치.
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