KR100948951B1 - Atmospheric pressure plasma generator with extended power electrode - Google Patents
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Abstract
본 발명은 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 가스 유입구를 구비한 챔버와; 챔버의 중앙에 설치되는 중앙 그라운드 전극과; 챔버 내에 중앙 그라운드 전극의 양측으로 이격되어 상기 중앙 그라운드 전극과 대향하도록 설치되며, 하부 그라운드 전극에 대향하여 챔버의 중심방향에서 측면방향으로 연장된 형상의 하부면을 구비하는 제1 및 제2 측면 파워전극과; 상기 중앙 그라운드 전극과 제1 및 제2 측면 파워전극의 하측에, 발생된 플라즈마를 챔버의 외부로 분사하는 플라즈마 분사구가 형성된 하부 그라운드 전극을 구비하여, 챔버 내에 가스공급과 함께 전원이 인가됨에 따라, 상기 제1, 2 측면 파워전극과 중앙 그라운드 전극 및 하부 그라운드 전극 사이의 공간에 발생된 플라즈마가 하부 그라운드 전극의 플라즈마 분사구를 통해 외부로 분사되도록 구성되는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성을 구비함으로써, 소량의 식각가스를 이용하여 대기압 상태에서 대면적 플라즈마를 높은 밀도로 균일하게 발생시킬 수 있으며, 플라즈마 분사길이가 향상된 대기압 플라즈마 발생장치를 제공할 수 있게 된다.The present invention relates to an atmospheric pressure plasma generator having an extended power electrode, comprising: a chamber having a gas inlet; A center ground electrode installed at the center of the chamber; First and second side powers spaced apart from both sides of the center ground electrode in the chamber so as to face the center ground electrode, and having a lower surface extending in a lateral direction from the center of the chamber to the lower ground electrode; An electrode; A lower ground electrode having a plasma injection hole for injecting the generated plasma to the outside of the chamber is provided below the center ground electrode and the first and second side power electrodes, so that power is applied together with gas supply in the chamber. The plasma generated in the space between the first and second side power electrodes, the center ground electrode and the lower ground electrode is configured to be sprayed to the outside through the plasma injection hole of the lower ground electrode. By having such a configuration, it is possible to uniformly generate a large-area plasma at a high density at atmospheric pressure using a small amount of etching gas, thereby providing an atmospheric pressure plasma generator with improved plasma injection length.
대기압 플라즈마, 고밀도 플라즈마, 리사이클 시스템, 하부 그라운드 전극, 플라즈마 분사구 Atmospheric Plasma, High Density Plasma, Recycling System, Lower Ground Electrode, Plasma Nozzle
Description
본 발명은 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 파워전극의 하부 면적을 확장시킴으로써 하부 그라운드 전극과의 사이에서 발생하는 플라즈마 밀도를 향상시키고, 피처리 기판의 표면에 가해지는 플라즈마 분사길이를 향상시킬 수 있으며, 처리 후 잔여 가스를 회수 및 재생하여 사용할 수 있도록 함으로써, 대면적의 기판 표면처리에 적용할 수 있는 대기압 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
플라즈마(Plasma)는 이온(ion)이나 전자(electron), 라디칼(radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 가리킨다. 또한 플라즈마 처리방법이란, 일반적으로 반응물질을 이온화된 가스상태인 플라즈마 상태로 만들어 기판 상에 증착하거나, 플라즈마 상태의 반응물질을 이용하여 피처리물을 세정하거나 에칭하는 것을 말한다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like. In addition, the plasma treatment method generally refers to depositing a reactant in a plasma state in an ionized gas state or depositing it on a substrate, or cleaning or etching an object by using a reactant in a plasma state.
한편, 플라즈마 처리방법은 챔버 내 플라즈마 발생 영역의 기압에 따라 저압 플라즈마와 대기압 플라즈마를 이용한 처리방법으로 분류될 수 있다.Meanwhile, the plasma treatment method may be classified into a treatment method using a low pressure plasma and an atmospheric pressure plasma according to the air pressure of the plasma generation region in the chamber.
저압 플라즈마를 이용한 처리방법은, 진공에 가까운 저압(Low Pressure)하에서 글로우 방전 플라즈마(glow discharge plasma)를 발생시켜 기판 상에 박막을 형성하거나, 기판 상에 형성된 소정 물질의 에칭(etching) 또는 에슁(ashing), 세정(cleaning)을 하는 방법으로 종래 주로 채택되어 왔던 방법이다. In the treatment method using low pressure plasma, a glow discharge plasma is generated under low pressure close to vacuum to form a thin film on a substrate, or etching or etching of a predetermined material formed on the substrate. It is a method that has been mainly adopted as a method of ashing and cleaning.
그러나, 저압 플라즈마 처리방법은 진공 챔버, 진공 배기 장치 등의 고가 장비가 요구되며, 장치 내 구성의 복잡성으로 인하여 장비의 유지관리에 어려움이 있었다. 더욱이 액정표시장치와 같이 대면적 기판에 플라즈마 처리가 요구될 경우 기판의 크기에 따라 고가의 비용부담이 수반되는 문제점이 있었다.However, the low pressure plasma processing method requires expensive equipment such as a vacuum chamber and a vacuum exhaust device, and there is a difficulty in maintaining the equipment due to the complexity of the internal configuration of the apparatus. In addition, when plasma processing is required for a large area substrate, such as a liquid crystal display, there is a problem that an expensive cost is involved depending on the size of the substrate.
이에 따라 진공발생 및 유지, 측정을 위한 고가 장비의 필요없이 대기압(Atmospheric Pressure) 조건 하에서 발생된 플라즈마를 이용한 처리방법이 제안되었다. 이와 같은 대기압 플라즈마를 이용한 처리방법은 전원이 인가되는 파워전극과 접지된 그라운드 전극의 배치위치에 따라 크게 다이렉트 타입(direct type)과 리모트 타입(remote type)으로 구별될 수 있다.Accordingly, a treatment method using a plasma generated under atmospheric pressure (Atmospheric Pressure) conditions without the need for expensive equipment for vacuum generation, maintenance, and measurement has been proposed. Such a method using atmospheric pressure plasma can be classified into a direct type and a remote type according to the arrangement positions of a power electrode and a grounded ground electrode to which power is applied.
다이렉트 타입은 챔버 내부에 파워전극과 그라운드 전극이 서로 대향하도록 배치되고, 그라운드 전극 상에 기판을 위치시킴으로써, 전원인가시 파워전극과 그라운드 전극의 사이에 발생된 플라즈마를 직접적으로 이용하여 기판의 표면처리가 수행되는 구조이다. In the direct type, the power electrode and the ground electrode are disposed to face each other inside the chamber, and by placing the substrate on the ground electrode, the substrate is directly treated by using the plasma generated between the power electrode and the ground electrode when the power is applied. Is the structure that is performed.
상기 다이렉트 타입을 채택한 종래의 대기압 플라즈마 발생장치는, 전원인가시 파워전극과 그라운드 전극 간에 발생하는 강한 전계로 인하여 세정, 에슁, 에칭 등 목적하는 작업의 처리효과가 뛰어나다는 이점을 갖는 반면, 강한 전계의 작용으 로 인하여 기판상의 금속배선 등 피처리물의 표면에 손상을 발생시킬 위험이 높다는 문제가 있었다.The conventional atmospheric pressure plasma generator adopting the direct type has the advantage that the processing effect of the desired work such as cleaning, etching and etching is excellent due to the strong electric field generated between the power electrode and the ground electrode when the power is applied. There is a problem that the risk of causing damage to the surface of the workpiece, such as metal wiring on the substrate due to the action was high.
한편, 리모트 타입은 일반적으로 챔버 내부에 파워전극과 그라운드 전극이 서로 대향하도록 배치되고, 상기 파워전극 및 그라운드 전극과 수직한 방향으로 챔버의 하부에 기판을 설치하여, 전원인가시 파워전극과 그라운드 전극 사이에서 발생되어 챔버의 하부로 이동하는 플라즈마를 이용하여 기판의 표면처리가 수행되도록 이루어진 구조를 가리킨다. On the other hand, the remote type is generally disposed in the chamber so that the power electrode and the ground electrode to face each other, the substrate is installed in the lower portion of the chamber in a direction perpendicular to the power electrode and the ground electrode, the power electrode and the ground electrode when the power is applied It refers to a structure in which the surface treatment of the substrate is performed by using a plasma generated between and moving to the bottom of the chamber.
이와 같은 리모트 타입의 장치는 다이렉트 타입에 비하여 기판에 미치는 전계의 영향을 줄일 수 있어 피처리 기판의 손상을 줄일 수 있다는 이점이 있으나, 같은 면적의 처리에 상대적으로 많은 가스량이 요구되어 배기처리 및 단가가 비싼 가스가 사용될 경우 비용상승을 초래하는 문제가 있었다. 따라서, 대면적 기판처리에 적용하기에 어려움이 있었다.This type of remote type device has the advantage of reducing the damage of the substrate to be processed by reducing the influence of the electric field on the substrate as compared to the direct type, but the exhaust gas treatment and unit cost are required because a relatively large amount of gas is required for the treatment of the same area. If expensive gas is used, there is a problem that leads to a cost increase. Therefore, there is a difficulty in applying to large area substrate processing.
이에 종래의 다이렉트 타입에서 지적되어온 피처리물에 손상을 주는 아크(arc)나 스트리머(streamer)를 제어할 수 있으며, 리모트 타입이 안고 있는 처리효율의 저하를 극복하여, 대면적의 기판처리에도 적용될 수 있는 고생산성의 대기압 플라즈마 장치의 개발이 요청되어 왔다.Therefore, it is possible to control an arc or streamer that damages the target object, which has been pointed out in the conventional direct type, to overcome the degradation of processing efficiency of the remote type and to process a large area substrate. There has been a need to develop a high productivity atmospheric plasma apparatus that can be applied.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 기존의 대기압 플라즈마 발생장치에 비해 피처리물에 손상을 유발하는 스트리머나 아크를 제어할 수 있으며, 전극면적의 확장을 통해 플라즈마 밀도를 증가시키고, 플라즈마 분사길이의 향상을 통해 처리면적 및 처리속도를 배가시킬 수 있으며, 가스의 재생사용이 가능한 시스템을 구비하여 단가가 비싼 가스의 이용시 발생하는 비용문제를 해결할 수 있는 대기압 플라즈마 발생장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the problems described above, it is possible to control the streamer or the arc causing damage to the workpiece compared to the conventional atmospheric pressure plasma generator, it is possible to control the plasma density through the expansion of the electrode area It is possible to increase the processing area and the processing speed by increasing the plasma injection length, and to provide a system capable of regenerating gas, which can solve the cost problem when using expensive gas. It aims to provide.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치는, 외부의 가스공급부와 연결되어 반응가스 또는 분위기 가스를 유입하기 위한 가스 유입구를 구비한 챔버와; 챔버 외부의 접지단과 연결되며, 챔버의 중앙에 설치되는 중앙 그라운드 전극과; 챔버 외부의 전원공급부와 연결되며, 챔버 내에 중앙 그라운드 전극의 양측으로 이격되어 상기 중앙 그라운드 전극과 대향하도록 설치되며, 하부 그라운드 전극에 대향하여 챔버의 중심방향에서 측면방향으로 연장된 형상의 하부면을 구비하는 제1 및 제2 측면 파워전극과; 챔버 외부의 접지단과 연결되며, 챔버의 하측에 상기 중앙 그라운드 전극과 제1 및 제2 측면 파워전극에 수직한 방향으로 설치되고, 발생된 플라즈마를 챔버의 외부로 분사하는 플라즈마 분사구가 형성된 하부 그라운드 전극을 구비하여, 챔버 내에 가스공급과 함께 전원공급부로부터 제1 및 제2 측면 파워전극으로 전원이 인가됨에 따라, 상기 제1, 2 측면 파워전극과 중앙 그라운드 전극 및 하부 그라운드 전극 사이의 공간에 발생된 플라즈마가 하부 그라운드 전극의 플라즈마 분사구를 통해 외부로 분사되도록 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an atmospheric pressure plasma generator having an extended power electrode according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having a gas inlet for introducing a reaction gas or an atmosphere gas connected to an external gas supply unit; A center ground electrode connected to the ground terminal outside the chamber and installed in the center of the chamber; It is connected to the power supply outside the chamber, is installed in the chamber to be spaced apart from both sides of the center ground electrode to face the center ground electrode, the lower surface of the shape extending in the lateral direction from the center of the chamber facing the lower ground electrode First and second side power electrodes; A lower ground electrode connected to a ground terminal outside the chamber and disposed below the chamber in a direction perpendicular to the center ground electrode and the first and second side power electrodes, and having a plasma injection hole for injecting the generated plasma to the outside of the chamber. A power source is supplied from the power supply unit to the first and second side power electrodes together with a gas supply in the chamber, and is generated in a space between the first and second side power electrodes and the center ground electrode and the lower ground electrode. It is characterized in that the plasma is configured to be sprayed to the outside through the plasma injection port of the lower ground electrode.
또한, 상기 대기압 플라즈마 발생장치에 있어서, 상기 하부 그라운드 전극의 플라즈마 분사구는 금속(metal)으로 코팅되고, 모세관(capillary) 또는 슬릿(slit) 형태로 구비되는 것이 바람직하다.In the atmospheric pressure plasma generating apparatus, the plasma injection hole of the lower ground electrode may be coated with metal and provided in a capillary or slit form.
본 발명의 또 다른 실시예에 의한 대기압 플라즈마 발생장치는, 외부의 가스공급부와 연결되어 반응가스 또는 분위기 가스를 유입하기 위한 가스 유입구를 구비한 챔버와; 챔버 외부의 접지단과 연결되며, 챔버의 중앙에 설치되는 중앙 그라운드 전극과; 챔버 외부의 전원공급부와 연결되며, 챔버 내에 중앙 그라운드 전극의 양측으로 이격되어 상기 중앙 그라운드 전극과 대향하도록 설치되며, 하부 그라운드 전극에 대향하여 챔버의 중심방향에서 측면방향으로 연장된 형상의 하부면을 구비하는 제1 및 제2 측면 파워전극과; 챔버 외부의 접지단과 연결되며, 챔버 외부의 하측에 상기 중앙 그라운드 전극과 제1 및 제2 측면 파워전극에 수직한 방향으로 설치되는 하부 그라운드 전극을 구비하여, 챔버 내에 가스공급과 함께 전원공급부로부터 제1 및 제2 측면파워전극으로 전원이 인가됨에 따라, 상기 제1 및 제2 측면 파워전극과 상기 중앙 그라운드 전극 및 하부 그라운드 전극 간의 공간에 플라즈마 방전이 일어나도록 구성되는 것을 특징으로 한다.Atmospheric pressure plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention, the chamber is connected to the external gas supply unit having a gas inlet for introducing a reaction gas or atmosphere gas; A center ground electrode connected to the ground terminal outside the chamber and installed in the center of the chamber; It is connected to the power supply outside the chamber, is installed in the chamber to be spaced apart from both sides of the center ground electrode to face the center ground electrode, the lower surface of the shape extending in the lateral direction from the center of the chamber facing the lower ground electrode First and second side power electrodes; A lower ground electrode connected to a ground terminal outside the chamber and installed in a direction perpendicular to the center ground electrode and the first and second side power electrodes at a lower side outside the chamber, and is provided from a power supply unit with a gas supply in the chamber. As power is applied to the first and second side power electrodes, plasma discharge may occur in a space between the first and second side power electrodes, the center ground electrode, and the lower ground electrode.
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또한, 상기 중앙 그라운드 전극과 제1 및 제2 측면 파워전극은 절연물질로 코팅되는 것이 바람직하며, 상기 제1 및 제2 측면 파워전극의 상기 중앙 그라운드 전극 및 하부 그라운드 전극과의 대향면에는 복수의 돌기를 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the center ground electrode and the first and second side power electrodes may be coated with an insulating material, and a plurality of surfaces may be provided on opposite surfaces of the first and second side power electrodes with the center ground electrode and the lower ground electrode. It is preferable to form protrusions.
또한, 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 상술한 실시예들에 의한 대기압 플라즈마 발생장치는, 챔버의 하측으로부터 피처리물과의 반응 후에 남겨진 잔여가스를 이동시키기 위한 배기통로와; 상기 배기통로와 연결된 가스관을 통해서 배기통로를 거쳐 이동되는 잔여가스를 수집하는 회수시스템과; 상기 회수시스템으로부터 수집된 가스를 이송받아 재생처리하는 리사이클 시스템을 더 구비하는 것을 특징으로 한다. In addition, in order to achieve the object of the present invention, the atmospheric pressure plasma generating apparatus according to the embodiments described above, the exhaust passage for moving the residual gas left after the reaction with the object to be processed from the lower side of the chamber; A recovery system for collecting residual gas that is moved through the exhaust passage through a gas pipe connected to the exhaust passage; It is characterized in that it further comprises a recycling system for receiving and collecting the gas collected from the recovery system.
한편, 상기 리사이클 시스템은 챔버의 가스 유입구와 가스 공급라인을 통해 연결되어, 리사이클 시스템에서 재생처리된 가스가 챔버의 내부로 재공급되도록 구성한 것을 특징으로 한다.On the other hand, the recycling system is connected to the gas inlet and the gas supply line of the chamber, characterized in that configured to re-supplied the gas regenerated in the recycling system into the chamber.
본 발명의 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치에 의하면, 대기압 상태에서 미세 스트리머(streamer)나 아킹(arcing)과 같은 전기적 충격으로부터 피처리물의 표면이 손상되는 것을 방지함과 동시에, 소량의 식각 가스를 사용하여 고밀도의 대면적 플라즈마를 안정적으로 균일하게 발생시킬 수 있는 효과가 있다.According to the atmospheric pressure plasma generator having the extended power electrode of the present invention, the surface of the workpiece is prevented from being damaged by an electrical shock such as a fine streamer or arcing at atmospheric pressure and a small amount of The etching gas is used to stably and uniformly generate a high density large area plasma.
또한, 피처리물의 처리 후 잔여 가스를 재사용할 수 있는 시스템을 구비함으로써, 환경오염을 줄이고 공정비용을 절감할 수 있게 된다.In addition, by having a system that can reuse the residual gas after the treatment of the object, it is possible to reduce environmental pollution and reduce the process cost.
더욱이, 대기압 조건에서 균일하고 안정적인 특성의 고밀도 플라즈마를 대면적으로 생성할 수 있는 본 발명의 대기압 플라즈마 발생장치에 의하면, TFT-LCD의 표면 식각 공정 및 표면 크리닝 공정을 대기압 플라즈마로 대체할 수 있게 함으로써, 공정시간을 줄이고 단가를 낮추는 것이 가능해진다. Moreover, according to the atmospheric pressure plasma generator of the present invention capable of generating a high density plasma having a uniform and stable property under atmospheric pressure in large areas, it is possible to replace the surface etching process and the surface cleaning process of the TFT-LCD with atmospheric pressure plasma. As a result, it is possible to reduce the processing time and lower the unit cost.
첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 의한 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치의 구성을 나타낸다. 1 shows a configuration of an atmospheric pressure plasma generator having an extended power electrode according to the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 대기압 플라즈마 발생장치는 상부에 가스 유입구(401)를 구비한 챔버(400)와, 양면전극으로서 챔버의 중앙에 설치되는 중앙 그라운드 전극(100)과, 상기 중앙 그라운드 전극의 양측으로 소정 간격 이격되어 대향하도록 설치되는 제1 측면 파워전극(201) 및 제2 측면 파워전극(202)과, 플라즈마 분사구(301)를 구비하고 챔버(400)의 하측에 설치되는 하부 그라운드 전극(300)을 구비하는 구성으로 이루어진다. 여기서 제1 및 제2 파워전극(201, 202)은 챔버 외부의 전원공급부(10)와 연결되며, 중앙 그라운드 전극(100) 및 하부 그라운드 전극(300)은 챔버 외부의 접지단(20)과 연결된다. 또한, 상기 가스 유입구(401)는 반응가스(예컨대, 식각가스) 또는 분위기 가스를 챔버 내로 유입시키기 위하여 외부의 가스 공급부와 연결되도록 구성할 수 있다. As shown in FIG. 1, the atmospheric pressure plasma generator according to the present invention includes a
상기 중앙 그라운드 전극(100)과 제1, 2 측면 파워전극(201, 202), 하부 그라운드 전극(300)은 스테인리스 스틸(stainless steel) 또는 구리(Cu)와 같은 재질로 구성할 수 있다. 또한, 이들 전극면은 그 표면을 절연물질로 코팅하여 플라즈마가 균일하게 발생되도록 한다. 한편, 전원공급부(10)에 의해 제1, 2 측면 파워전극(201, 202)에 가해지는 전원의 크기는 수 킬로 볼트(kV) 내지 수십 킬로 볼트(kV)가 될 수 있다. The
상기와 같은 구성을 구비하여, 챔버(400) 내로 가스가 공급되고 전원공급부(10)로부터 제1 및 제2 측면 파워전극으로 전원이 인가되면, 상기 제1, 2 측면 파워전극(201, 202)과 중앙 그라운드 전극(100) 사이의 공간 및 제1, 2 측면 파워전극(201, 202)과 하부 그라운드 전극(300) 사이의 공간에서는 플라즈마 방전이 일어나게 되는데, 이때 발생된 플라즈마는 하부 그라운드 전극(300)에 마련된 플라즈마 분사구(301)를 통해서 챔버의 하측 외부로 배출된다. With the above configuration, when gas is supplied into the
즉, 제1, 2 측면 파워전극(201, 202)과 중앙 그라운드 전극(100) 사이의 공간에서 분해된 가스와 발생된 플라즈마를 토대로, 제1, 2 측면 파워전극(201, 202)의 하부면(211, 212)과 하부 그라운드 전극(300) 사이에서도 방전을 일으켜 고밀도의 플라즈마를 생성할 수 있게 되며, 생성된 고밀도 플라즈마는 압력차에 의해 하부 그라운드 전극(300)의 플라즈마 분사구(301)를 통해서 분사되도록 구성된다. 상기 구성은 리모트 타입(remote type)의 처리방식으로서, 피처리물(기판)(30)은 하부 그라운드 전극(300)의 하측에 배치되어 하부 그라운드 전극(300)의 플라즈마 분사구(301)를 통해 배출되는 플라즈마에 의해 표면처리된다.That is, the lower surface of the first and second
이와 같은 구성을 통하여, 고밀도 대면적 플라즈마가 일정의 분사압으로 방출되어 기판 등의 표면처리를 수행할 수 있게 되므로, 기존의 리모트 타입 대기압 플라즈마의 처리면적의 한계성을 극복할 수 있게 되며, 처리속도 향상을 도모할 수 있게 된다.Through such a configuration, the high density large area plasma is discharged at a constant injection pressure to perform the surface treatment of the substrate, thereby overcoming the limitation of the processing area of the conventional remote type atmospheric pressure plasma, and the processing speed. It can be improved.
상기 플라즈마 분사구(301)는, 그 형태에 특별한 제한이 있는 것은 아니지만 예를 들면 하부 그라운드 전극(300) 면에 형성된 다수의 홀(hole) 형태로 구비될 수 있으며, 분사구의 표면은 금속(metal)으로 코팅하여 미세 스트리머(streamer)나 아킹(arcing)을 방지하도록 한다.Although the
바람직하게는, 상기 하부 그라운드 전극(300)은 그 표면을 절연물질(dielectric material)로 코팅하되 플라즈마 분사구(301)는 금속(metal)으로 코팅하여, 절연물질 사이에 금속이 코팅된 형태로 구성할 수 있다. 택일적으로, 상기 하부 그라운드 전극(300)을 절연물질로 코팅하되 플라즈마 분사구(301)는 상기 절연물질 코팅층의 하부에 금속(metal)이 코팅된 형태로 구성하는 것도 가능하다.Preferably, the
도 2(a)~(c)에 하부그라운드 전극의 플라즈마 분사구(301)의 예시적인 형태를 나타내었다. 도시된 바와 같이, 플라즈마 분사구(301)는 다양한 패턴의 모세관(capillary) 또는 슬릿(slit) 형상 중에서 선택되는 일 형태로 구성될 수 있으며, 모세관과 슬릿 형상의 조합구성으로 형성하는 것도 가능하다. 이와 같은 분사구의 형태는 플라즈마 발생시 하부 그라운드 전극 모듈 내부의 압을 만들어 주어 플라즈마 배출시 분사영역을 확장시켜 준다. 2 (a) to 2 (c) show an exemplary form of the
한편, 상기 제1 및 제2 측면 파워전극(201, 202)의 하부는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 하부 그라운드 전극(300)에 대향하여 각각 챔버의 중심방향에서 측면방향으로 연장된 형상으로 구성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하부 그라운드 전극(300)과 대향되도록 제1 및 제2 측면 파워전극(201, 202)의 하부가 휘어진 하부면(211, 212)을 형성 함으로써, 챔버 상부의 좁은 영역에서 발생된 플라즈마가 하부로 내려와 하부 그라운드 전극과의 대향면에서 더 높은 밀도 및 대면적 플라즈마로 생성될 수 있는 것이다. Meanwhile, lower portions of the first and second
도 3은 도 1에 도시된 확장형 파워전극을 구비한 플라즈마 발생장치의 구성에 있어서, 챔버 양측의 제1 및 제2 측면 파워전극의 변형예를 나타낸다. FIG. 3 shows a modification of the first and second side power electrodes on both sides of the chamber in the configuration of the plasma generator having the extended power electrode shown in FIG. 1.
도시된 바와 같이, 제1 및 제2 측면 파워전극(201, 202)의 상기 중앙 그라운드 전극(100) 및 하부 그라운드 전극(300)과의 대향면에는 방전이 잘 일어나도록 뾰족한 형상의 복수의 돌기(201a, 202a)가 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 파워전극(201, 202) 면에 형성된 돌기(201a, 202a)는 낮은 전압에서도 플라즈마 발생이 용이하도록 작용하며, 전극의 표면적을 넓게 하여 발생 플라즈마 밀도를 향상시켜 처리효율을 높이도록 기능한다. 바람직하게는, 돌기 전체를 절연물질(dielectric material)로 코팅하거나 절연체 구조물을 구비시킴으로써, 플라즈마가 균일하게 발생되도록 구성한다.As shown in the figure, a plurality of protrusions having a pointed shape are formed on opposite surfaces of the first and second
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 돌기(201a, 202a)는 삼각뿔 형상으로 형성될 수 있으며, 복수의 열과 행을 이루도록 규칙적으로 배치하는 것이 바람직하다. 또한 돌기는 첨단(尖端)이 점으로 된 핀 형상, 원뿔 또는 다각뿔을 포함하는 첨형으 로 이루어질 수 있으며, 선택적으로 다각기둥 형상으로 하는 것도 가능하다As shown in FIG. 4, the
한편, 필요에 따라서는 중앙 그라운드 전극(100)과 제1 측면 파워전극(201) 사이의 공간과, 중앙 그라운드 전극(100)과 제2 측면 파워전극(202) 사이의 공간을 물리적으로 분리시키고, 가스 유입구(401)가 상기 분리된 각 공간의 상부에 각각 마련되도록 구성함으로써, 챔버 내 좌측과 우측 부분에 서로 다른 종류의 가스를 주입하여 서로 다른 플라즈마 처리가 이루어지도록 구성하는 것도 가능하다. 예컨대, 일측에서는 표면 세정을 행한 후에, 타측에서는 에칭이나 증착 공정을 수행하는 등 인라인 시스템(in-line system)으로 운용할 수도 있을 것이다.Meanwhile, if necessary, the space between the
도 5는 본 발명에 의한 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치의 응용 실시예를 나타낸다. Figure 5 shows an application embodiment of the atmospheric pressure plasma generating apparatus having an extended power electrode according to the present invention.
도시된 바와 같이, 하부 그라운드 전극(300)을 챔버(400)의 외부 하측에 설치하고 상기 하부 그라운드 전극(300) 위에 피처리물(기판)을 위치시킴으로써, 중앙 그라운드 전극(100)과 제1, 2 측면 파워전극(201, 202), 제1, 2 측면 파워전극(201, 202)의 하부면(211, 212)과 하부 그라운드 전극(300) 간에 발생된 플라즈마를 이용하여 피처리물의 표면처리가 수행되도록 구성하는 것도 가능하다. 이와 같은 구조는 피처리물의 처리속도를 향상시킬 수 있는 특징이 있다. 하부 그라운드 전극(300)의 구성을 제외한 기타 돌기의 형성구조 등은 도 3의 실시예에서와 동일하게 구성할 수 있다. As shown in the drawing, the
또한, 도 5의 실시예에 있어서도, 중앙 그라운드 전극(100)과 제1 측면 파워전극(201) 사이의 공간과, 중앙 그라운드 전극(100)과 제2 측면 파워전극(202) 사이의 공간을 물리적으로 분리시키고, 가스 유입구(401)가 상기 분리된 각 공간의 상부에 각각 마련되도록 구성함으로써, 챔버 내 좌측과 우측 부분에 서로 다른 종류의 가스를 주입하여 서로 다른 플라즈마 처리가 이루어지도록 하는 것이 가능하다.5, the space between the
한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치의 실시예들은, 챔버(400)의 하측으로부터 피처리물과의 반응 후에 남겨진 잔여가스를 이동시키기 위한 배기통로(500)와, 상기 배기통로와 연결된 가스관(50)을 통해서 배기통로를 거쳐 이동되는 잔여가스를 수집하는 회수시스템(600)과, 상기 회수시스템(600)으로부터 수집된 가스를 이송받아 재생처리하는 리사이클 시스템(700)을 더 구비할 수 있다.On the other hand, as shown in Figure 1, embodiments of the atmospheric pressure plasma generator having an extended power electrode according to the present invention, for moving the residual gas remaining after the reaction with the object from the lower side of the chamber 400 A
이 경우, 리사이클 시스템(700)으로부터 재생처리된 가스를 챔버(400) 내부로 도입하기 위해서는, 상기 리사이클 시스템(700)과 챔버의 가스 유입구(401)를 서로 연결하여 재생처리된 가스가 이송되는 가스 공급라인(40)이 구비되는 것이 바람직하다. 또한, 배기통로(500)는 챔버(400)의 하측으로부터 챔버의 외주면을 따라 챔버의 상측으로 연장되도록 형성할 수 있다.In this case, in order to introduce the regenerated gas from the
이와 같이, 피처리물의 처리 후 남겨진 잔여 가스가 배기통로(500)를 따라 가스관(50)을 통해서 회수시스템(600)에 수집되고, 다시 리사이클 시스템(700)에서 재생처리되어 플라즈마 발생에 재사용되도록 함으로써, 소량의 가스를 사용하여 필요한 공정을 수행할 수 있게 되어 환경오염을 줄일 수 있게 된다. 또한, 고가의 가스를 사용하여야 할 경우 처리 후 잔여가스를 재사용할 수 있게 되어 고비용의 문제를 해결할 수 있게 되며, 연속공정 시에는 공정 단가를 절감할 수 있게 되는 이 점도 있다. As such, the residual gas remaining after the treatment of the object is collected in the
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 다음의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어남이 없이 얼마든지 다양하게 변경실시할 수 있을 것이다.In the above, the present invention has been shown and described with respect to certain preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and those skilled in the art to which the present invention pertains can variously change variously without departing from the technical spirit of the present invention described in the following claims. You can do it.
본 발명의 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치에 의하면, 대기압 상태에서 미세 스트리머(streamer)나 아킹(arcing)과 같은 전기적 충격으로부터 피처리물의 표면이 손상되는 것을 방지함과 동시에, 소량의 식각 가스를 사용하여 고밀도의 대면적 플라즈마를 안정적으로 균일하게 발생시킬 수 있어, 대면적의 기판 식각에도 적용할 수 있게 된다.According to the atmospheric pressure plasma generator having the extended power electrode of the present invention, the surface of the workpiece is prevented from being damaged by an electrical shock such as a fine streamer or arcing at atmospheric pressure and a small amount of By using the etching gas, it is possible to stably and uniformly generate a high-density, large-area plasma, which can be applied to etching a large-area substrate.
또한, 피처리물의 처리 후 잔여 가스를 재사용할 수 있는 시스템을 구비함으로써, 환경오염을 줄이고 공정비용을 절감할 수 있게 된다.In addition, by having a system that can reuse the residual gas after the treatment of the object, it is possible to reduce environmental pollution and reduce the process cost.
더욱이, 대기압 조건에서 균일하고 안정적인 특성의 고밀도 플라즈마를 대면적으로 생성할 수 있는 본 발명의 대기압 플라즈마 발생장치에 의하면, TFT-LCD의 표면 식각 공정 및 표면 크리닝 공정을 대기압 플라즈마로 대체할 수 있게 된다.Furthermore, according to the atmospheric plasma generator of the present invention capable of generating a high density plasma having a uniform and stable characteristic in a large area under atmospheric pressure conditions, the surface etching process and the surface cleaning process of the TFT-LCD can be replaced with atmospheric pressure plasma. .
도 1은 본 발명에 의한 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치의 구성을 나타내는 도면,1 is a view showing the configuration of an atmospheric pressure plasma generator having an extended power electrode according to the present invention;
도 2는 본 발명에 의한 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치에 있어서, 하부그라운드 전극의 플라즈마 분사구의 형태를 예시적으로 나타내는 도면,FIG. 2 is a view showing the shape of a plasma injection hole of a lower ground electrode in an atmospheric pressure plasma generator having an extended power electrode according to the present invention;
도 3은 도 1에 도시된 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치의 구성에 있어서, 챔버 양측의 제1 및 제2 측면 파워전극의 변형예를 나타내는 도면,3 is a view showing a modification of the first and second side power electrodes on both sides of the chamber in the configuration of the atmospheric pressure plasma generator having the extended power electrode shown in FIG. 1;
도 4는 본 발명에 의한 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치의 파워전극에 구비된 돌기의 형성구조를 나타내는 도면,4 is a view showing the structure of the protrusions provided in the power electrode of the atmospheric pressure plasma generating apparatus having an extended power electrode according to the present invention;
도 5는 본 발명에 의한 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치의 응용 실시예를 나타내는 도면.5 is a view showing an application embodiment of the atmospheric pressure plasma generating apparatus having an extended power electrode according to the present invention.
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