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KR100939933B1 - Lift pin assembly and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

Lift pin assembly and substrate processing apparatus having the same Download PDF

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KR100939933B1
KR100939933B1 KR1020070063455A KR20070063455A KR100939933B1 KR 100939933 B1 KR100939933 B1 KR 100939933B1 KR 1020070063455 A KR1020070063455 A KR 1020070063455A KR 20070063455 A KR20070063455 A KR 20070063455A KR 100939933 B1 KR100939933 B1 KR 100939933B1
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space
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남궁환
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피에스케이 주식회사
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Abstract

본 발명의 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 서로 이격되어 설치되고, 복수개의 핀 홀을 갖는 제1,2서셉터; 상기 제1서셉터의 핀 홀들과 각각 대응하는 복수개의 리프트 핀들을 갖는 제1 핀 지지부재; 상기 제2서셉터의 핀 홀들과 각각 대응하는 복수개의 리프트 핀들을 갖는 제2 핀 지지부재; 상기 제1,2핀 지지부재를 수직 방향으로 상승 또는 하강시키는 구동 부재; 상기 제1,2핀 지지부재들의 수직 이동을 안내하는 제1,2가이드부재를 포함한다. 본 발명에 의하면, 제1,2 서셉터로부터 기판을 동시에 그리고 안정적으로 로딩 및 언로딩할 수 있다. The substrate processing apparatus of the present invention comprises a process chamber; First and second susceptors spaced apart from each other in the process chamber and having a plurality of pin holes; A first pin support member having a plurality of lift pins respectively corresponding to the pin holes of the first susceptor; A second pin support member having a plurality of lift pins respectively corresponding to the pin holes of the second susceptor; A driving member for raising or lowering the first and second pin supporting members in a vertical direction; And first and second guide members for guiding vertical movement of the first and second pin support members. According to the present invention, the substrate can be loaded and unloaded from the first and second susceptors simultaneously and stably.

Description

리프트 핀 어셈블리 및 그것을 구비한 기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES}Lift pin assembly and substrate processing apparatus having the same {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES}

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 외관도이다.1 is an external view of a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 정단면도이다.2 is a front sectional view of a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 공정 챔버 내부를 보여주는 평면도이다.3 is a plan view illustrating an interior of a process chamber in a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 공정 챔버 내부에 위치하는 리프트 핀 어셈블리의 제1,2핀 지지부재를 보여주는 평면도이다.4 is a plan view illustrating first and second pin support members of a lift pin assembly positioned inside a process chamber in a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5는 리프트 핀 어셈블리의 분해 사시도이다. 5 is an exploded perspective view of the lift pin assembly.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

100 : 공정 챔버100: process chamber

130 : 가스공급부재130: gas supply member

140 : 플라즈마 생성부재140: plasma generating member

150 : 배기부재150: exhaust member

160 : 구획부재160: partition member

200 : 리프트 핀 어셈블리 200: lift pin assembly

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 서셉터에 기판을 로딩/언로딩 시키기 위하여 사용되는 리프트 핀 어셈블리 및 그것을 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a lift pin assembly used for loading / unloading a substrate into a susceptor and a substrate processing apparatus having the same.

일반적으로 반도체 소자는 기판에 다수의 공정들을 반복적으로 실시하여 제조된다. 예를 들자면 기판 상에 절연막이나 도전체막 등의 물질막을 증착하는 공정, 증착된 물질막을 소자 형성을 위하여 필요한 형태로 패터닝하는 공정 그리고 전 공정을 거치면서 기판 상에 형성된 잔류물을 제거하는 공정 그리고 기판이나 물질막내에 소정의 불순물을 주입하는 공정이 있다.Generally, a semiconductor device is manufactured by repeatedly performing a plurality of processes on a substrate. For example, a process of depositing a material film such as an insulating film or a conductor film on a substrate, a process of patterning the deposited material film into a shape necessary for device formation, and a process of removing residues formed on the substrate through the entire process, and the substrate However, there is a step of injecting predetermined impurities into the material film.

이러한 공정들을 진행하기 위해서는 각각의 공정을 수행하는 공정 챔버 내부에 설치된 기판 서셉터로 기판을 로딩하여 필요한 공정을 수행하고, 공정이 완료되면 이 기판을 외부로 언로딩하여 다음 공정을 위하여 이동시키는 과정을 필요에 따라 반복하게 된다.In order to proceed with these processes, a substrate is loaded into a substrate susceptor installed in a process chamber that performs each process to perform a necessary process, and when the process is completed, the substrate is unloaded to the outside to move for the next process. Repeat as necessary.

반도체 소자 제조를 원활하게 진행하기 위해서는 공정이 수행되는 기판이 손상되지 않도록 하는 것이 중요하다. 이를 위하여 각각의 공정 챔버에는 기판을 안정적으로 기판 서셉터에 안착시켜야 하는데, 이를 위하여 기판 서셉터 상으로 기판을 이송하는 로봇암과 기판을 기판 서셉터 상에 안착시키는 리프트 핀 어셈블리가 사용된다. In order to smoothly manufacture the semiconductor device, it is important not to damage the substrate on which the process is performed. To this end, in each process chamber, the substrate must be reliably seated on the substrate susceptor. For this purpose, a robot arm for transferring the substrate onto the substrate susceptor and a lift pin assembly for seating the substrate on the substrate susceptor are used.

이러한 리프트 핀 어셈블리는 구동부에 의해 리프트핀들이 승강되는데, 이때 진동이 발생하는 경우 기판의 위치 이탈 현상이 발생될 수 있다.The lift pin assembly lifts the lift pins by the driving unit, and when the vibration occurs, the positional deviation of the substrate may occur.

본 발명은 리프트 핀들의 원활한 수직 이동을 제공할 수 있는 리프트 핀 어셈블리 및 그것을 구비한 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.The present invention provides a lift pin assembly and a substrate processing apparatus having the same that can provide smooth vertical movement of lift pins.

본 발명은 리프트 핀들의 수직 이동시 발생되는 진동을 방지할 수 있는 리프트 핀 어셈블리 및 그것을 구비한 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.The present invention is to provide a lift pin assembly and a substrate processing apparatus having the same that can prevent the vibration generated during vertical movement of the lift pins.

본 발명은 동일 챔버에 배치된 복수의 서셉터로부터 기판을 동시에 그리고 안정적으로 로딩 및 언로딩할 수 있는 리프트 핀 어셈블리 및 그것을 구비한 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a lift pin assembly capable of simultaneously and stably loading and unloading a substrate from a plurality of susceptors disposed in the same chamber, and a substrate processing apparatus having the same.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 리프트 핀 어셈블리는 구동 부재; 상기 구동 부재에 의해 수직방향으로 승/하강하는 수평대; 리프트 핀들이 설치되며, 상기 수평대의 승/하강에 따라 수직방향으로 이동하는 적어도 하나의 핀 지지부재; 및 상기 핀 지지부재의 이동을 안내하는 가이드부재를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the lift pin assembly comprises a drive member; A horizontal bar that rises and falls in a vertical direction by the driving member; At least one pin support member provided with lift pins and moving in a vertical direction according to the rising / falling of the horizontal bar; And guide member for guiding the movement of the pin support member.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 리프트 핀 어셈블리는 상기 가이드부재에 의해 이동하는 상기 핀 지지부재의 이동방향과 상기 수평대의 이동방향 간의 각도 차이를 허용하기 위해 상기 핀 지지부재와 상기 수평대를 상호 연결하는 플로팅 조인트를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the lift pin assembly mutually crosses the pin support member and the horizontal bar to allow an angle difference between the moving direction of the pin support member moved by the guide member and the moving direction of the horizontal band. It further comprises a floating joint for connecting.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 핀 지지부재는 상기 수평대의 양단에 대칭 되게 지지되는 제1핀 지지부재와 제2핀 지지부재를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the pin support member includes a first pin support member and a second pin support member which are symmetrically supported at both ends of the horizontal bar.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 핀 지지부재는 상기 리프트 핀들이 수직하게 설치되며, 일단이 개방된 말발굽 형상의 리프트 후프; 상기 리프트 후프에 연결되는 샤프트; 및 상기 샤프트가 고정되고 상기 가이드부재와 연결되는 브라켓을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the pin support member has the lift pins vertically installed, one end of the horseshoe-shaped lift hoop open; A shaft connected to the lift hoop; And a bracket to which the shaft is fixed and connected to the guide member.

상술한 목적을 달성하기 위한 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 서로 이격되어 설치되고, 복수개의 핀 홀을 갖는 제1,2서셉터; 상기 제1서셉터의 핀 홀들과 각각 대응하는 복수개의 리프트 핀들을 갖는 제1 핀 지지부재; 상기 제2서셉터의 핀 홀들과 각각 대응하는 복수개의 리프트 핀들을 갖는 제2 핀 지지부재; 상기 제1,2핀 지지부재를 수직 방향으로 상승 또는 하강시키는 구동 부재; 상기 제1,2핀 지지부재들의 수직 이동을 안내하는 제1,2가이드부재를 포함한다.A substrate processing apparatus for achieving the above object includes a process chamber; First and second susceptors spaced apart from each other in the process chamber and having a plurality of pin holes; A first pin support member having a plurality of lift pins respectively corresponding to the pin holes of the first susceptor; A second pin support member having a plurality of lift pins respectively corresponding to the pin holes of the second susceptor; A driving member for raising or lowering the first and second pin supporting members in a vertical direction; And first and second guide members for guiding vertical movement of the first and second pin support members.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 제1핀 지지부재가 일단에 지지되고, 상기 제2핀 지지부재가 타단에 지지되며, 중심에는 상기 구동부재와 연결되어 상승 또는 하강하는 수평대를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus has the first pin support member is supported at one end, the second pin support member is supported at the other end, the center is connected to the drive member in the horizontal rising or falling Includes more units.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1,2가이드부재에 의해 이동하는 상기 제1,2핀 지지부재의 이동방향과, 상기 수평대의 이동방향 간의 각도 차이를 허용하기 위해 상기 제1,2핀 지지부재와 상기 수평대는 플로팅 조인트에 의해 각각 상호 연결된다.According to an embodiment of the present invention, the first and second pins for moving the first and second pin support member moving by, and the first and second pins to allow the angle difference between the moving direction of the horizontal band The support member and the horizontal stand are interconnected by floating joints, respectively.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1,2핀 지지부재 각각은 상기 핀 홀들에 삽입되는 리프트 핀들이 수직하게 설치되고 일단이 개방된 말발굽 형상의 리프트 후프; 상기 리프트 후프에 연결되며 상기 공정챔버에 관통되어 설치되는 샤프트; 및 상기 공정 챔버로부터 외측으로 노출된 상기 샤프트의 하단에 고정되고 상기 공정 챔버의 외측 저면에 고정되는 상기 제1,2가이드부재와 연결되는 브라켓을 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, each of the first and second pin supporting members may include a horseshoe-shaped lift hoop having vertically installed lift pins inserted into the pin holes and an open end thereof; A shaft connected to the lift hoop and installed through the process chamber; And a bracket connected to the first and second guide members fixed to a lower end of the shaft exposed outward from the process chamber and fixed to an outer bottom surface of the process chamber.

상술한 목적을 달성하기 위한 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 서로 이격되어 설치되고, 복수개의 핀 홀을 갖는 제1,2서셉터; 상기 제1,2서셉터로/로부터 기판을 로딩/언로딩 하기 위한 리프트 핀 어셈블리를 포함하되; 상기 리프트 핀 어셈블리는 상기 공정 챔버의 외측 저면에 설치되는 구동 부재; 상기 구동 부재에 의해 수직방향으로 승/하강하는 수평대; 상기 핀 홀들에 위치되는 리프트 핀들이 수직하게 설치되는 리프트 후프, 상기 리프트 후프를 지지하며 상기 공정 챔버의 외측 저면으로 관통하여 설치되는 샤프트, 상기 샤프트가 고정되는 브라켓을 포함하며, 상기 수평대의 양단에 각각 지지되는 제1,2핀 지지부재; 및 상기 공정 챔버의 외측 저면에 설치되고, 상기 제1,2핀 지지부재의 승/하강을 안내하는 제1,2가이드부재를 포함한다.A substrate processing apparatus for achieving the above object includes a process chamber; First and second susceptors spaced apart from each other in the process chamber and having a plurality of pin holes; A lift pin assembly for loading / unloading a substrate into / from said first and second susceptors; The lift pin assembly may include a driving member installed at an outer bottom surface of the process chamber; A horizontal bar that rises and falls in a vertical direction by the driving member; A lift hoop in which the lift pins positioned in the pin holes are vertically installed, a shaft supporting the lift hoop and installed through the outer bottom of the process chamber, and a bracket to which the shaft is fixed, on both ends of the horizontal stand. First and second pin support members respectively supported; And first and second guide members installed on an outer bottom surface of the process chamber and configured to guide the lifting and lowering of the first and second pin supporting members.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 리프트 핀 어셈블리는 상기 제1,2핀 지지부재의 상기 브라켓과 상기 수평대 사이에 설치되어 상기 제1,2가이드부재에 의해 이동하는 상기 제1,2핀 지지부재의 이동방향과, 상기 수평대의 이동방향 간의 각도 차이를 허용하기 위한 플로팅 조인트를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the lift pin assembly is installed between the bracket of the first and second pin support members and the horizontal bar to support the first and second pins moved by the first and second guide members. And a floating joint for allowing an angle difference between the moving direction of the member and the moving direction of the horizontal band.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공정 챔버는 상기 제1서셉터가 위치되는 제1공간과, 상기 제2서셉터가 위치되는 제2공간이 대칭되는 공간 구조를 갖도록 상기 공정 챔버 내부를 구획하는 구획벽을 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the process chamber partitions the inside of the process chamber such that the first space in which the first susceptor is located and the second space in which the second susceptor is located are symmetrical. It further comprises a partition wall.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 공정 챔버의 제1 공간의 상부에 설치되며, 상기 제1공간으로 플라즈마(plasma)와 공정가스를 공급하는 분사하는 제1공급부재와, 상기 공정 챔버의 제2 공간의 상부에 설치되며, 상기 제2공간으로 플라즈마(plasma)와 공정가스를 공급하는 분사하는 제2공급부재를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus is provided in an upper portion of the first space of the process chamber, the first supply member for supplying a plasma (plasma) and the process gas to the first space, and It is installed in the upper portion of the second space of the process chamber, and further comprises a second supply member for injecting the plasma (plasma) and the process gas to the second space.

이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수 있다. 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 각각의 장치는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 개략적으로 도시된 것이다. 또한, 각각의 장치에는 본 명세서에서 자세히 설명되지 아니한 각종의 다양한 부가 장치가 구비되어 있을 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. The invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. The embodiments introduced herein are provided to make the disclosed contents thorough and complete, and to fully convey the spirit and features of the present invention to those skilled in the art. In the drawings, each device is schematically shown for clarity of the invention. Each device may also be equipped with a variety of additional devices not described in detail herein. Like reference numerals denote like elements throughout the specification.

(실시예)(Example)

본 실시 예에서는 플라즈마를 이용하여 사진 공정 후 기판상에 남아 있는 불필요한 감광제를 제거하는 플라즈마 애싱 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 플라즈마를 이용하여 반도체 기판을 처리하는 다른 종류의 장치 또는 공정 가스를 이용하여 반도체 기판을 처리하는 다른 종류의 장치에도 적용될 수 있다. In the present embodiment, a plasma ashing apparatus for removing unnecessary photoresist remaining on a substrate after a photographic process using plasma is described as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and the present invention may be applied to other types of devices for processing semiconductor substrates using plasma or other types of devices for processing semiconductor substrates using process gases.

또한, 본 실시 예에서는 플라즈마를 생성시키기 위한 에너지원으로 마이크로파를 예로 들어 설명하지만, 이외에도 고주파 전원 등 다양한 에너지원이 사용될 수 있다. In addition, in the present exemplary embodiment, microwaves are described as an energy source for generating plasma, but various energy sources such as a high frequency power source may be used.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 플라즈마 소스부에서 생성되는 라디칼을 이용하여 반도체 소자 제조용 기판(이하 기판이라고 함)의 표면을 에싱하기 위한 반도체 제조 장치이다. 1 to 5, a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention uses a radical generated in a plasma source unit to semiconductor a surface of a semiconductor device manufacturing substrate (hereinafter referred to as a substrate). It is a manufacturing apparatus.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는, 소정의 밀폐된 분위기를 제공하는 공정 챔버(process chamber, 100), 제1,2서셉터(110a,110b), 배기부재(150), 구획부재(160), 플라즈마 생성부재(140), 제1,2가스분배플레이트(170a,170b)를 갖는 가스공급부재(130) 그리고 리프트 핀 어셈블리(200)를 포함한다. 1 to 4, the substrate processing apparatus 10 may include a process chamber 100, a first and second susceptors 110a and 110b, and an exhaust member 150 that provide a predetermined closed atmosphere. ), A partition member 160, a plasma generating member 140, a gas supply member 130 having first and second gas distribution plates 170a and 170b, and a lift pin assembly 200.

공정 챔버(100)는 내부에 애싱 공정(ashing process)을 수행하는 프로세스 공간을 제공한다. 공정 챔버(100)는 두 개의 기판을 동시에 처리할 수 있는 구조를 갖는다. 즉, 공정 챔버(100)의 프로세스 공간은 제1공간(a)과 제2공간(b)으로 구획된다. 제1공간(a)과 제2공간(b) 각각은 공정시 수용된 낱장의 기판상에 애싱 공정이 수행되는 공간이다. 공정 챔버(100)의 일측벽에는 제1공간(a)과 제2공간(b)으로 각각 기판 출입이 이루어지는 기판 출입구(102)가 형성된다. 기판 출입구(102)는 게이트 밸브와 같은 개폐도어(104)에 의해 개폐된다. The process chamber 100 provides a process space therein for performing an ashing process. The process chamber 100 has a structure capable of simultaneously processing two substrates. That is, the process space of the process chamber 100 is partitioned into a first space a and a second space b. Each of the first space (a) and the second space (b) is a space in which an ashing process is performed on a single substrate accommodated in the process. One side wall of the process chamber 100 is formed with a substrate entrance and exit 102 through which substrates enter and exit from the first space a and the second space b, respectively. The substrate entrance 102 is opened and closed by an opening / closing door 104 such as a gate valve.

도 2 및 도 3을 참조하면, 공정 챔버(100)의 하부벽(저면)에는 공정 챔버(100) 내 가스가 배기되는 중앙배기구(116)와 사이드 배기구(117)가 제공된다. 중앙 배기구(116)는 제1공간(a)과 제2공간(b) 사이에 위치되어 제1,2공간(a,b)내의 가스 배기가 이루어지고, 사이드 배기구(117)는 서셉터(110a,110b)를 중심으로 중앙 배기구(116)와 대칭되는 제1,2공간(a,b)에 각각 하나씩 위치된다. 본 실시예에서는 두 개의 공간(a,b)을 가지는 공정 챔버(110)를 예로 들어 설명하였으나, 공정 챔버(100) 내 구획 공간은 세 개 이상일 수도 있다.2 and 3, the lower wall (bottom) of the process chamber 100 is provided with a central exhaust port 116 and a side exhaust port 117 through which gas in the process chamber 100 is exhausted. The central exhaust port 116 is located between the first space a and the second space b to exhaust gas in the first and second spaces a and b, and the side exhaust port 117 is the susceptor 110a. One center is positioned in each of the first and second spaces a and b which are symmetrical with respect to the central exhaust port 116. In the present embodiment, the process chamber 110 having two spaces a and b has been described as an example, but three or more partition spaces in the process chamber 100 may be provided.

상기 공정 챔버(100)의 제1공간(a)과 제2공간(b)에는 공정시 기판을 지지하는 제1,2서셉터(110a,110b)가 각각 설치된다. 제1,2서셉터(110a,110b)로는 정전척(electrode chuck)이 사용될 수 있다. 또한, 제1,2서셉터(110a,110b)는 공정시 기판(W)을 안착시켜 기설정된 공정온도로 가열한다. 제1,2서셉터(110a,110b)는 기판(w)상의 포토레지스터가 제거될 수 있는 적정온도(200-400℃)로 유지된다. 제1,2서셉터(110a,110b)는 리프트 핀들이 위치하는 핀 홀(112)들을 갖는다. 제1,2서셉터(110a,110b)에는 전력인가기(미도시됨)가 연결된다. 전력인가기는 제1,2서셉터(110a,110b)에 기설정된 바이어스 전력을 인가한다.The first and second susceptors 110a and 110b supporting the substrate during the process are respectively installed in the first space a and the second space b of the process chamber 100. Electrode chucks may be used as the first and second susceptors 110a and 110b. In addition, the first and second susceptors 110a and 110b seat the substrate W during the process and heat the substrate to a predetermined process temperature. The first and second susceptors 110a and 110b are maintained at an appropriate temperature (200-400 ° C.) at which the photoresist on the substrate w can be removed. The first and second susceptors 110a and 110b have pin holes 112 in which lift pins are located. Power applicators (not shown) are connected to the first and second susceptors 110a and 110b. The power applicator applies preset bias power to the first and second susceptors 110a and 110b.

배기부재(150)는 공정 챔버(100)의 내부를 진공 상태로 형성하고, 에싱 공정이 수행되는 동안 발생하는 반응 부산물 등을 배출시키기 위한 것이다. The exhaust member 150 is to form the inside of the process chamber 100 in a vacuum state, and to discharge reaction by-products and the like generated during the ashing process.

배기부재(150)는 중앙 배기관(152), 사이드 배기관(154), 그리고 감압부재(미도시됨)를 포함한다. 중앙 배기관(152)은 공정 챔버(110) 내부 가스를 외부로 배기시킨다. 중앙 배기관(152)은 제1 및 제2 공간(a, b) 내 가스를 모두 배기하도 록 공정 챔버(100)의 중앙 배기구(116)와 연결된다. 사이드 배기관(154)은 사이드 배기구(117)와 각각 연결되며, 다시 사이드 배기관(154)은 중앙 배기관(152)과 연결된다. 감압부재(미도시됨)는 중앙 배기관(154)에 설치된다. 감압부재는 공정 챔버(100) 내부 압력을 감압하도록 제1 및 제2 공간(a, b) 내 가스를 강제로 흡입한다. 감압부재로는 진공펌프(vacuum pump)가 사용될 수 있다.The exhaust member 150 includes a central exhaust pipe 152, a side exhaust pipe 154, and a pressure reducing member (not shown). The central exhaust pipe 152 exhausts the gas inside the process chamber 110 to the outside. The central exhaust pipe 152 is connected to the central exhaust port 116 of the process chamber 100 to exhaust all the gases in the first and second spaces a and b. The side exhaust pipes 154 are connected to the side exhaust ports 117, respectively, and the side exhaust pipes 154 are connected to the central exhaust pipes 152. The pressure reducing member (not shown) is installed in the central exhaust pipe 154. The pressure reducing member forcibly sucks gas in the first and second spaces a and b to reduce the pressure inside the process chamber 100. A vacuum pump may be used as the pressure reducing member.

구획부재(160)는 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)이 대칭되는 공간 구조를 갖도록 공정 챔버(110) 내부를 구획하는 구획벽(162)을 포함한다. 구획벽(162)은 공정 챔버(110) 내부 중앙에서 상하로 수직하게 설치된다. 이때, 구획벽(162)은 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 각각이 좌우 대칭되도록 공정 챔버(110) 내부를 구획한다. 구획부재(160)는 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)의 분리 배기를 위해 제공된다. 또한, 구획부재(160)는 제1공간(a)의 제1서셉터(110a)에 인가되는 전력과 제2공간(b)의 제2서셉터(110b)에 인가되는 전력이 서로 영향을 받지 않도록 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)을 구획한다. 따라서, 구획부재(160)의 재질은 절연체인 것이 바람직하다.The partition member 160 includes a partition wall 162 partitioning the inside of the process chamber 110 to have a space structure in which the first space a and the second space b are symmetrical. The partition wall 162 is vertically installed vertically in the center of the process chamber 110. In this case, the partition wall 162 partitions the inside of the process chamber 110 such that each of the first space a and the second space b is symmetrical. The partition member 160 is provided for separate exhaust of the first space a and the second space b. In addition, in the partition member 160, the power applied to the first susceptor 110a in the first space a and the power applied to the second susceptor 110b in the second space b are not affected by each other. The first space (a) and the second space (b) are partitioned so as not to. Therefore, the material of the partition member 160 is preferably an insulator.

본 실시예에서는 구획부재(160)가 일체형의 구획벽(162)을 구비하여 공정챔버(100)를 구획하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 구획부재의 구조 및 형상, 그리고 설치 방식은 다양하게 변경 및 변형될 수 있다. 예컨대, 구획부재(160)는 구획벽(162)이 서로 분리 가능한 구조로 이루어질 수 있으며, 구획벽(162)은 복수개로 이루어질 수 있다. 또는, 구획부재(160)의 구획벽(162)은 공정 챔버(110)에 고정 설치될 수 있다. In this embodiment, the partition member 160 is provided with an integral partition wall 162 to partition the process chamber 100 as an example, but the structure, shape, and installation of the partition member are variously changed and modified. Can be. For example, the partition member 160 may have a structure in which the partition walls 162 may be separated from each other, and the partition walls 162 may be formed in plural. Alternatively, the partition wall 162 of the partition member 160 may be fixedly installed in the process chamber 110.

플라즈마 생성부재(140)는 공정시 플라즈마를 발생시켜 공정 챔버(100)로 공 급한다. 플라즈마 생성부재(140)로는 원격 플라즈마 발생장치(remote plasma generating apparatus)가 사용된다. 플라즈마 생성부재(140)는 제1 생성부재(142) 및 제2 생성부재(144)를 포함한다. 제1 생성부재(142)는 공정시 제1 공급부재(132)로 플라즈마를 공급하고, 제2 생성부재(144)는 공정시 제2 공급부재(134)로 플라즈마를 공급한다. 제1 및 제2 생성부재(142, 144) 각각은 마그네트론(magnetron)(142a, 144a), 도파관(wave guide line)(142b, 144b), 그리고 가스 공급관(gas supply line)(142c, 144c)을 포함한다. 마그네트론(142a, 144a)은 공정시 플라즈마 생성을 위한 마이크로파(micro wave)를 발생시킨다. 도파관(142b)은 마그네트론(142a)에서 생성된 마이크로파를 가스 공급관(142c)으로 유도하고, 도파관(144b)은 마그네트론(144a)에서 생성된 마이크로파를 각각의 가스 공급관(144c)으로 유도한다. 가스 공급관(142c, 144c)은 공정시 반응 가스를 공급한다. 이때, 마그네트론(142a, 144b)에서 생성된 마이크로파에 의해 가스 공급관(142c, 144c)을 통해 공급받은 반응가스로부터 플라즈마가 발생된다. 플라즈마 생성부재(140)에서 생성된 플라즈마는 애싱 공정시 가스공급부재(130)로 공급된다. The plasma generating member 140 generates plasma during the process and supplies the plasma to the process chamber 100. A remote plasma generating apparatus is used as the plasma generating member 140. The plasma generating member 140 includes a first generating member 142 and a second generating member 144. The first generating member 142 supplies the plasma to the first supply member 132 during the process, and the second generating member 144 supplies the plasma to the second supply member 134 during the process. Each of the first and second generating members 142 and 144 may include a magnetron 142a and 144a, a wave guide line 142b and 144b, and a gas supply line 142c and 144c. Include. The magnetrons 142a and 144a generate microwaves for plasma generation during the process. The waveguide 142b guides the microwaves generated in the magnetron 142a to the gas supply pipe 142c, and the waveguide 144b guides the microwaves generated in the magnetron 144a to each gas supply pipe 144c. The gas supply pipes 142c and 144c supply reaction gases during the process. At this time, plasma is generated from the reaction gas supplied through the gas supply pipes 142c and 144c by the microwaves generated by the magnetrons 142a and 144b. The plasma generated by the plasma generating member 140 is supplied to the gas supply member 130 during the ashing process.

가스공급부재(130)의 제1공급부재(132)와 제2공급부재(134)는 공정시 공정 챔버(110)의 제1 공간(a)과 제2 공간(b)으로 플라즈마(plasma)와 공정가스를 분사한다. 제1 공급부재(132)는 공정 챔버(100)의 제1 공간(a) 상부에 설치되며, 제1 생성부재(142)와 연결되는 깔때기 형상의 유로를 제공하는 덮개(136a)와, 덮개(136a) 하부에 기판(w)에 대향되게 설치되는 제1가스 분배 플레이트(Gas Distribution Plate, GDP;170a)를 갖는다. 제2 공급부재(134)는 공정 챔버(100)의 제2 공간(b) 상부에 설치되며, 제2 생성부재(144)와 연결되는 깔때기 형상의 유로를 제공하는 덮개(136b)와, 덮개(136b) 하부에 기판(w)에 대향되게 설치되는 제1,2 가스 분배 플레이트(Gas Distribution Plate;170a,170b)를 갖는다. The first supply member 132 and the second supply member 134 of the gas supply member 130 are connected to the first space a and the second space b of the process chamber 110 during the process. Inject process gas. The first supply member 132 is installed in the upper portion of the first space (a) of the process chamber 100, the cover 136a for providing a funnel-shaped flow path connected to the first generating member 142, and the cover ( 136a) has a first gas distribution plate (GDP) 170a installed to face the substrate w. The second supply member 134 is installed in an upper portion of the second space b of the process chamber 100, and includes a cover 136b that provides a funnel-shaped flow path connected to the second generating member 144, and a cover ( 136b) has first and second gas distribution plates 170a and 170b disposed to face the substrate w.

제1 공급부재(132)는 공정시 제1 공간(a)의 제1서셉터(110a)에 안착된 기판(W)을 향해 플라즈마와 공정가스를 분사하고, 제2 공급부재(134)는 공정시 제2 공간(b)의 제2서셉터(110a,110b)에 안착된 기판(W)을 향해 플라즈마와 공정가스를 분사한다. The first supply member 132 injects plasma and process gas toward the substrate W seated on the first susceptor 110a in the first space a during the process, and the second supply member 134 processes the process. Plasma and process gas are sprayed toward the substrate W mounted on the second susceptors 110a and 110b in the second space b.

특히, 제1 및 제2 가스 분배 플레이트(170a,170b)는 제1 및 제2 공간(a, b)으로 제공되는 공정가스 및 플라즈마의 밀도가 균일하게 형성되도록 비대칭으로 형성되는 다수의 가스분사유로(172a,172b)들을 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 및 제2 가스 분배 플레이트(170a,170b)는 동일한 크기의 가스분사유로(172a)들이 형성된 제1 가장자리 부분과, 기판 출입구(112)와 인접하고 제1 가장자리 부분에 형성된 가스분사유로(172a)들보다는 상대적으로 큰 가스분사유로(172b)들이 형성된 제2 가장자리 부분으로 구분될 수 있는 비대칭의 가스분사유로(172a,172b)들을 갖는다. In particular, the first and second gas distribution plates 170a and 170b may be formed in an asymmetrical manner so that the density of the process gas and the plasma provided to the first and second spaces a and b is uniformly formed. It may have (172a, 172b). Specifically, the first and second gas distribution plates 170a and 170b may include a first edge portion in which gas injection passages 172a having the same size are formed, and a gas injection adjacent to the substrate entrance 112 and formed at the first edge portion. Gas injection passages 172b that are relatively larger than the flow passages 172a have asymmetric gas injection passages 172a and 172b that can be divided into second edge portions formed.

도 5는 리프트 핀 어셈블리의 분해 사시도이다.5 is an exploded perspective view of the lift pin assembly.

도 5 및 도 2를 참조하면, 리프트 핀 어셈블리(200)는 제1서셉터(110a)와 제2서셉터(110b)로부터 기판을 안정적으로 승/하강시키기 위한 구성을 갖는다. 리프트 핀 어셈블리(200)는 구동부재(210), 수평대(220), 제1,2핀 지지부재(230a,230b). 제1,2가이드부재(240a,240b) 그리고 플로팅 조인트(250)를 포함한다. 본 발명의 리프트 핀 어셈블리(200)는 구동부재 하나로 2개의 서셉터로부터 기 판을 업/다운할 수 있는 장치이다.5 and 2, the lift pin assembly 200 has a configuration for stably raising / lowering a substrate from the first susceptor 110a and the second susceptor 110b. The lift pin assembly 200 includes a drive member 210, a horizontal stand 220, and first and second pin support members 230a and 230b. The first and second guide members 240a and 240b and the floating joint 250 are included. Lift pin assembly 200 of the present invention is a device that can up / down the substrate from two susceptors with one drive member.

구동부재(210)는 공정 챔버(100)의 외측 저면에 설치된다. 구동 부재(210)는 리니어 모터(linear motor) 또는 실린더 등과 같은 액츄에이터가 사용될 수 있다. 수평대(220)는 구동 부재(210)와 연결되어, 구동 부재(210)에 의해 수직 방향으로 승/하강한다. 수평대(220)는 기다란 막대 형상으로 이루어진다. 수평대(220)의 양단에는 제1핀 지지부재(230a)와 제2핀 지지부재(230b)가 각각 설치된다. 제1,2핀 지지부재(230a,230b)는 플로팅 조인트(250)에 의해 수평대(220)에 연결 지지된다. The driving member 210 is installed on the outer bottom surface of the process chamber 100. The driving member 210 may be an actuator such as a linear motor or a cylinder. The horizontal stand 220 is connected to the driving member 210, and is moved up and down in the vertical direction by the driving member 210. The horizontal stage 220 is formed in an elongated rod shape. The first pin support member 230a and the second pin support member 230b are respectively installed at both ends of the horizontal bar 220. The first and second pin support members 230a and 230b are connected to and supported by the horizontal arm 220 by the floating joint 250.

제1핀 지지부재(230a)는 제1서셉터(110a)에서의 기판 로딩/언로딩을 담당하며, 제2핀 지지부재(230b)는 제2서셉터(110b)에서의 기판 로딩/언로딩을 담당한다. 제1,2핀 지지부재(230a,230b)는 핀 홀(112)들에 위치되는 3개의 리프트 핀(232)들이 수직하게 설치되는 리프트 후프(234)와, 리프트 후프(234)를 지지하며 공정 챔버(100)의 외측 저면으로 관통하여 설치되는 샤프트(236), 샤프트(236) 하단에 설치되는 벨로우즈(238) 그리고 샤프트(236)가 고정되는 브라켓(239)을 포함한다. 브라켓(239)은 저면에 플로팅 조인트(250)가 연결되며 일측면은 제1,2가이드 부재(240)에 연결된다. 리프트 후프(234)는 일단이 개방된 말발굽 형상으로 이루어져 있으나, 그 형상은 다양하게 변경될 수 있다.The first pin support member 230a is responsible for substrate loading / unloading in the first susceptor 110a, and the second pin support member 230b is substrate loading / unloading in the second susceptor 110b. In charge of. The first and second pin support members 230a and 230b support a lift hoop 234 in which three lift pins 232 positioned in the pin holes 112 are vertically installed, and a lift hoop 234. And a shaft 236 installed through the outer bottom surface of the chamber 100, a bellows 238 installed at the bottom of the shaft 236, and a bracket 239 to which the shaft 236 is fixed. The bracket 239 is connected to the floating joint 250 at the bottom and one side thereof is connected to the first and second guide members 240. The lift hoop 234 is formed in a horseshoe shape of which one end is open, but the shape may be variously changed.

플로팅 조인트(250)는 제1,2핀 지지부재(230a,230b)의 브라켓(239)과 수평대(220) 사이에 설치되어 제1,2가이드부재(240)에 의해 이동하는 제1,2핀 지지부재(230a,230b)의 이동방향과, 수평대(220)의 이동방향 간의 각도 차이를 허용하여, 제1,2핀 지지부재(230a,230b)의 안정적인 수직 이동을 제공하게 된다. 특히, 조립 과정에서 수평대(220)의 수평이 틀어지거나 가공 오차 등으로 위치가 틀어져서 생기는 제1,2핀 지지부재(230a,230b)의 직선 운동 방해요인을 플로팅 조인트(250)이 제거해준다. 다시 말하면, 리프트 핀 어셈블리(200)는 중앙에 배치되는 구동부재(210)와 양측에 배치되는 제1,2가이드 부재(240)가 동시에 직선 운동을 하도록 기구적으로 연결된다. 따라서, 구동 부재(210)에 의해 이동되는 수평대(220)의 이동방향, 수평대(220)의 수평 상태, 제1,2가이드부재(240)에 의해 안내되는 제1,2핀 지지부재(230a,230b)의 이동방향이 조립 과정에서 정확하게 세팅되지 않더라도, 플로팅 조인트(250)가 제1,2핀 지지부재(230a,230b)의 운동 방향을 수직한 직선 방향으로 유도하여 각도 틀어짐으로 발생되는 진동을 방지할 수 있다. The floating joint 250 is installed between the bracket 239 and the horizontal stand 220 of the first and second pin support members 230a and 230b to be moved by the first and second guide members 240. The angle difference between the moving direction of the pin support members 230a and 230b and the moving direction of the horizontal arm 220 is allowed to provide stable vertical movement of the first and second pin support members 230a and 230b. In particular, the floating joint 250 removes the linear motion disturbances of the first and second pin support members 230a and 230b caused by the horizontal plate 220 being displaced or the position error due to a machining error. . In other words, the lift pin assembly 200 is mechanically connected such that the driving member 210 disposed at the center and the first and second guide members 240 disposed at both sides simultaneously perform linear movement. Therefore, the moving direction of the horizontal stage 220 moved by the driving member 210, the horizontal state of the horizontal stage 220, the first and second pin support members guided by the first and second guide members 240 ( Although the moving direction of the 230a and 230b is not set correctly during the assembling process, the floating joint 250 guides the movement direction of the first and second pin supporting members 230a and 230b in a vertical straight direction to generate an angular shift. Vibration can be prevented.

제1,2가이드 부재(240)는 제1,2핀 지지부재(230a,230b)의 이동을 안내하게 되며, 공정 챔버(100)의 외측 저면에 설치된다. The first and second guide members 240 guide the movement of the first and second pin support members 230a and 230b and are installed on the outer bottom surface of the process chamber 100.

리프트 핀 어셈블리(200)는 리프트 핀(232)들이 기판 출입구(102)의 개방에 따라 로봇(미도시됨)에 의해 투입 위치되는 기판(w)의 저면을 받친 상태에서 구동부재(210)에 의해 하강(다운위치)되어 제1,2서셉터(110a,110b) 상면에 기판을 안정적으로 올려놓게 된다. The lift pin assembly 200 is driven by the drive member 210 in a state in which the lift pins 232 support the bottom surface of the substrate w which is placed by the robot (not shown) in accordance with the opening of the substrate entrance 102. It is lowered (down-positioned) to stably place the substrate on the first and second susceptors 110a and 110b.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 리프트 핀들의 원활한 수직 이동이 가능하다. 또한, 본 발명은 리프트 핀들의 수직 이동시 발생되는 진동을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 동일 챔버에 배치된 복수의 서셉터로부터 기판을 동시에 그리고 안정적으로 로딩 및 언로딩할 수 있다.As described in detail above, the present invention enables smooth vertical movement of the lift pins. In addition, the present invention can prevent the vibration generated when the vertical movement of the lift pins. In addition, the present invention can simultaneously and stably load and unload a substrate from a plurality of susceptors disposed in the same chamber.

Claims (12)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판 처리 장치에 있어서:In the substrate processing apparatus: 공정 챔버;Process chambers; 상기 공정 챔버 내부에 서로 이격되어 설치되고, 복수개의 핀 홀을 갖는 제1,2서셉터;First and second susceptors spaced apart from each other in the process chamber and having a plurality of pin holes; 상기 제1,2서셉터로/로부터 기판을 로딩/언로딩 하기 위한 리프트 핀 어셈블리를 포함하되;A lift pin assembly for loading / unloading a substrate into / from said first and second susceptors; 상기 리프트 핀 어셈블리는 The lift pin assembly 상기 공정 챔버의 외측 저면에 설치되는 구동 부재;A drive member installed on an outer bottom surface of the process chamber; 상기 구동 부재에 의해 수직방향으로 승/하강하는 수평대;A horizontal bar that rises and falls in a vertical direction by the driving member; 상기 핀 홀들에 위치되는 리프트 핀들이 수직하게 설치되는 리프트 후프, 상기 리프트 후프를 지지하며 상기 공정 챔버의 외측 저면으로 관통하여 설치되는 샤프트, 상기 샤프트가 고정되는 브라켓을 포함하며, 상기 수평대의 양단에 각각 지지되는 제1,2핀 지지부재; A lift hoop in which the lift pins positioned in the pin holes are vertically installed, a shaft supporting the lift hoop and installed through the outer bottom of the process chamber, and a bracket to which the shaft is fixed, on both ends of the horizontal stand. First and second pin support members respectively supported; 상기 공정 챔버의 외측 저면에 설치되고, 상기 제1,2핀 지지부재의 승/하강을 안내하는 제1,2가이드부재; 및First and second guide members installed on an outer bottom surface of the process chamber and configured to guide the lifting / lowering of the first and second pin supporting members; And 상기 제1,2핀 지지부재의 상기 브라켓과 상기 수평대 사이에 설치되어 상기 제1,2가이드부재에 의해 이동하는 상기 제1,2핀 지지부재의 이동방향과, 상기 수평대의 이동방향 간의 각도 차이를 허용하기 위한 플로팅 조인트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.An angle between a moving direction of the first and second pin supporting members which is installed between the bracket of the first and second pin supporting members and the horizontal stand and moved by the first and second guide members, and an angle between the moving directions of the horizontal pins Substrate processing apparatus comprising a floating joint for allowing a difference. 삭제delete 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 공정 챔버는 The process chamber 상기 제1서셉터가 위치되는 제1공간과, 상기 제2서셉터가 위치되는 제2공간이 대칭되는 공간 구조를 갖도록 상기 공정 챔버 내부를 구획하는 구획벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a partition wall partitioning the inside of the process chamber so that the first space in which the first susceptor is located and the second space in which the second susceptor is located are symmetrical. Device. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 기판 처리 장치는 The substrate processing apparatus 상기 공정 챔버의 제1 공간의 상부에 설치되며, 상기 제1공간으로 플라즈마(plasma)와 공정가스를 공급하는 분사하는 제1공급부재와,A first supply member installed in an upper portion of a first space of the process chamber and injecting a plasma and a process gas into the first space; 상기 공정 챔버의 제2 공간의 상부에 설치되며, 상기 제2공간으로 플라즈마(plasma)와 공정가스를 공급하는 분사하는 제2공급부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a second supply member disposed above the second space of the process chamber and configured to spray plasma and process gas into the second space.
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