KR100934480B1 - 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100934480B1 KR100934480B1 KR1020090022692A KR20090022692A KR100934480B1 KR 100934480 B1 KR100934480 B1 KR 100934480B1 KR 1020090022692 A KR1020090022692 A KR 1020090022692A KR 20090022692 A KR20090022692 A KR 20090022692A KR 100934480 B1 KR100934480 B1 KR 100934480B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- metal substrate
- thin film
- film transistor
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 69
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 77
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 12
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004091 panning Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 금속 기판을 사용하여 플렉서블하고 배면 및 양면 발광할 수 있는 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 패널은 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부가 형성된 플렉서블한 금속 기판과, 상기 금속 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 유기 발광 셀을 포함하며, 상기 배면 발광부는 상기 금속 기판 하부에 홀 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 한다.
금속 기판, 배면 발광부, 유기 발광 표시 패널, OLED, 양면 발광
Description
본 발명은 금속 기판을 사용하여 플렉서블하고, 배면 및 양면 발광할 수 있는 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 전계 발광 표시 장치(OLED) 등이 각광 받고 있다. OLED는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점을 갖고 있다.
유기 박막 트랜지스터 기판은 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광 셀을 포함한다. 이때, 유기 발광 셀은 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속된 양극과, 발광층을 포함하는 유기층과, 유기층 상에 형성된 음극을 포함한다.
이러한, 유기 박막 트랜지스터 기판은 플렉서블 금속 기판 상에 형성되어 빛 이 투과하지 못하므로 기판 반대 방향으로 빛을 발광하는 전면 발광(Top emission) 구조를 이용하게 된다. 하지만, 전면 발광 구조의 유기 박막 트랜지스터 기판 경우에는 음극을 투명 전극 재질로 형성함으로써 전기적인 특성이 좋지 않고, 투명 전극 재질로 음극을 형성하는 공정에 대한 어려움이 많다. 따라서, 제조 공정 측면에서 배면 발광 구조의 유기 박막 트랜지스터 기판이 전면 발광 구조의 유기 박막 트랜지스터 기판보다 유리하다. 또한, 기존의 기술로 금속 기판을 이용하여 유기 박막 트랜지스터 기판을 형성할 경우에는 금속 기판이 불투명함으로써 금속 시판을 이용하여 배면 발광 구조로 형성하기 힘들다.
상기와 같은 문제점을 위하여, 본 발명은 금속 기판을 사용하여 플렉서블하고, 배면 및 양면 발광할 수 있는 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 패널은 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부가 형성된 플렉서블한 금속 기판과, 상기 금속 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 유기 발광 셀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 배면 발광부는 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 홀 형태로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 금속 기판은 몰리브덴, SUS(Steel Use Stainless), 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴 합금, 티타늄 합금, 텅스텐 합금과 같은 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 박막 트랜지스터는 N형 트랜지스터 또는 P형 트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 금속 기판 상에 버퍼막을 더 포함하며, 상기 버퍼막은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 및 유기 절연막 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 패널의 제조 방법은 금속 기판 상에 버퍼막을 형성하며, 상기 금속 기판에 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부를 형성하는 단계와, 상기 금속 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 유기 발광 셀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 금속 기판 상에 버퍼막을 형성하며, 상기 금속 기판에 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부를 형성하는 단계는 상기 금속 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계와, 상기 버퍼막이 형성된 금속 기판 상부 및 하부에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 상기 발광 영역을 제외한 영역의 금속 기판 하부에 포토레지스트 패턴이 남는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 노출된 금속 기판을 패터닝하는 단계와, 상기 발광 영역을 제외한 영역의 금속 기판 하부에 남은 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 배면 발광부는 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 홀 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 금속 기판은 몰리브덴, SUS(Steel Use Stainless), 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴 합금, 티타늄 합금, 텅스텐 합금과 같은 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 박막 트랜지스터는 N형 트랜지스터 또는 P형 트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘, 비정질 실리콘을 결정화 한 다결정 실리콘, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)의 증착 방법을 이용하여 600~ 1200℃에서 증착한 다결정 실리콘인것을 특징으로 한다.
또한, 상기 버퍼막은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 및 유기 절연막 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 패널의 제조 방법은 금속 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계와, 상기 버퍼막이 형성된 금속 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 유기 발광 셀을 형성하는 단계와, 상기 유기 발광 셀이 형성된 기판 상부 및 하부에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 금속 기판 하부에 발광 영역에 해당하는 화소 위치와 대응되는 금속 기판을 식각하여 배면 발광부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 보호막은 유기 보호막을 코팅하거나 보호 테이프를 부착하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 금속 기판은 몰리브덴, SUS(Steel Use Stainless), 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴 합금, 티타늄 합금, 텅스텐 합금과 같은 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 패널은 빛을 배면 또는 양면 발광하는 유기 발광 셀과, 상기 유기 발광 셀의 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부가 형성된 플렉서블한 금속 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 패널의 제조 방법은 금속 기판 상에 버퍼막을 형성하며, 상기 금속 기판에 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부를 형성하는 단계와, 상기 금속 기판 상에 빛을 배면 또는 양면 발광하는 유기 발광 셀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법은 금속 기판 하부에 발광 영역과 대응되는 위치에 배면 발광부를 형성한다. 이에 따라, 금속 기판 상에 유기 박막 트랜지스터를 형성하더라도 발광 영역과 대응되는 위치에 배면 발광부를 형성함으로써 배면 발광 및 전면 발광 할 수 있으므로 양면 발광을 할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법은 기판을 금속 재질로 형성함으로써 플렉서블한 특성을 가질 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 1 내지 도 7를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이다.
본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 패널은 서로 마주보고 합착된 상부 기판과 유기 박막 트랜지스터 기판을 구비한다.
상부 기판(미도시)은 유기 박막 트랜지스터 기판과 마주보며 투명 물질로 형성된다. 상부 기판은 유리나 폴리머와 같은 절연물을 사용하는 것이 바람직하다.
유기 박막 트랜지스터 기판은 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 유기 발광 셀을 포함한다.
박막 트랜지스터 기판은 도 1에 도시된 바와 같이 기판(100) 위에 형성된 버퍼막(101)과, 버퍼막(101) 위에 형성된 게이트 전극(102)과, 게이트 전극(102)을 덮는 게이트 절연막(106), 게이트 절연막(106)을 사이에 두고 게이트 전극(102)과 중첩되어 소스 전극(109) 및 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114)과, 소스 전극(109) 및 드레인 전극(110)과의 오믹 접촉을 위하여 채널부를 제외한 활성층(114) 위에 형성된 오믹 접촉층(116)으로 구성된다. 또한, 기판(100) 상에 형성된 박막 트랜지스터 상에 무기 절연 물질로 형성된 무기 보호막(108)과, 유기 절연 물질로 형성된 유기 보호막(120)을 형성할 수 있다.
유기 발광 셀은 박막 트랜지스터의 드레인 전극(110)과 접속되며, 무기 보호막(108) 및 유기 보호막(120) 상에 형성된 양극(124)과, 양극(124)을 노출시키는 화소 홀(126)이 형성된 뱅크 절연막(128)과, 화소 홀(126)을 통해 노출된 양극(124) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기층(130)과, 유기층(130) 위에 형성된 음극(132)으로 구성된다.
유기층(130)은 양극(124) 상에 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 발광층, 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL), 전자 주입층(Electron Injection layer;EIL)으로 적층되어 형성된다.이러한, 유기층(130)에 포함된 발광층은 양극(124)을 통하여 정공과 음극(132)을 통하여 전자가 재결합되어 생성된 여기자가 바닥상태로 되돌아가면서 특정 파장의 빛을 기판(100) 방향으로 배면 발광하게 된다.
이와 같이 배면 발광의 구조뿐만 아니라, 도 2에 도시된 바와 같이 음극(132)을 투명 전극 재질로 형성하여 특정 파정이 기판 방향 및 기판 반대 방향으로 발광할 수 있는 양면 발광 구조의 유기 박막 트랜지스터 기판으로 형성할 수 있다.
이때, 기판(100)은 빛이 투과되지 않는 금속 물질로 형성되며, 예로 들어 SUS(Steel Use Stainless), 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄, 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 이러한 기판(100)은 빛이 배면 발광할 수 있도록 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부(EA)가 형성된다. 다시 말하여, 배면 발광부(EA)는 금속 재 질로 형성된 기판(100)이 배면 발광할 수 있도록 발광 영역만큼의 크기로 기판(100) 하부에 홀이 형성된다. 이에 따라, 기판(100)이 금속 재질로 형성되더라도 배면 발광과 상면 발광을 동시에 구현할 수 있다. 또한, 기판(100)이 금속 재질로 형성됨으로써 플렉서블한 특성을 가질 수 있다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이고, 도 4a 내지 도 6b는 도 3a에 도시된 배면 발광부를 가지는 기판의 제조 방법을 상세히 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 기판(100) 상에 버퍼막(101)이 형성되며, 발광 영역이 형성될 위치에 배면 발광부(EA)가 형성된다.
구체적으로, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 기판(100)은 금속 재질로 예로 들어 SUS(Steel Use Stainless), 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄, 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 이러한, 기판(100) 상에 버퍼막(101)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 유기 절연막 중 어느 하나를 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 증착 방법으로 전면 증착되어 형성된다.
이어서, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이 버퍼막(101)이 형성된 기판(100) 상부 및 하부에 포토레지스트(152)가 도포된 다음, 마스크를 이용하여 포토리소그래피 공정으로 포토레지스트(152)가 노광 및 현상됨으로써 발광 영역과 대응되는 영역에 포토레지스트(152)가 제거되며, 발광 영역을 제외한 영역에 포토레지스트 패턴(152)은 남게된다.
그리고, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이 발광 영역을 제외한 영역에 남은 포토레지스트 패턴(152)을 마스크로 이용하여 발광 영역과 대응되는 위치에 기판이 제거됨으로써 배면 발광부(EA)가 형성된다. 이 후, 금속 기판(100) 상부 및 하부에 형성된 남은 포토레지스트 패턴(152)이 스트립 공정으로 제거된다. 이에 따라, 금속 기판(100)은 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부(EA)가 형성된다.
도 3b를 참조하면, 배면 발광부(EA)를 가지는 기판(100) 상에 게이트 전극(102)이 형성된다.
구체적으로, 기판(100) 상에 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층이 증착된다. 게이트 금속층은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 구리(Cu), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 등으로 이용된다. 게이트 금속층은 포토리소그래프 공정 및 식각 공정을 통해 패터닝됨으로써 게이트 전극(102)이 형성된다.
도 3c를 참조하면, 게이트 전극(102)이 형성된 기판(100) 상에 게이트 절연막(106)이 형성되고, 활성층(114) 및 오믹 접촉층(116)을 포함하는 반도체 패턴(112)이 형성된다.
구체적으로, 게이트 금속(102)이 형성된 기판(100) 상에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposion)등의 증착 방법 통해 무기 절연 물질이 전면 증착됨으로써 게이트 절연막(106)이 형성된다. 게이트 절연막 증착 방법으로 비정질 실리콘층, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층이 순차적으로 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 비정질 실리콘층 및 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층이 패닝됨으로써 활성층(114) 및 오믹 접촉층(116)을 포함하는 반도체 패턴(112)이 형성된다. 게이트 절연막(106)으로는 질화 실리콘(SiOx), 산화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질이 이용된다.
도 3d를 참조하면, 반도체 패턴(112)이 형성된 게이트 절연막(106) 상에 소스 전극(109), 드레인 전극(110)을 포함하는 소스 및 드레인 전극 패턴이 형성된다.
구체적으로, 반도체 패턴(112)이 형성된 게이트 절연막(106) 위에 소스 및 드레인 금속층은 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성된다. 소스 및 드레인 금속층으로는 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 텅스텐(MoW), 구리(Cu) 등으로 이용된다. 이 소스 및 드레인 금속층이 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝됨으로써 소스 전극(109), 드레인 전극(110)을 포함하는 소스 및 드레인 전극 패턴이 형성된다. 이어서, 소스 전극(109)과 드레인 전극(110)을 마스크로 하여 두 전극 사이로 노출된 오믹 접촉층(116)을 제거하여 활성층(114)이 노출되게 한다.
도 3e를 참조하면, 소스 및 드레인 전극 패턴이 형성된 게이트 절연막(106) 상에 컨택홀(122)을 포함하는 무기 및 유기 보호막(108,120)이 형성된다.
구체적으로, 소스 및 드레인 전극 패턴이 형성된 게이트 절연막(106) 상에 PECVD, 스핀 코팅(Spin Coating), 스핀리스 코팅(Spinless Coating) 등의 방법으로 무기 및 유기 보호막(108,120)이 형성된다. 그리고 무기 및 유기 보호막(108,120)이 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝됨으로써 컨택홀(122)이 형성된다. 여기서, 무기 보호막(108)으로는 게이트 절연막(106)과 같은 무기 절연 물질이 이용되며, 유기 보호막(120)으로는 아크릴 등과 같은 유기 절연 물질이 이용된다.
도 3f를 참조하면, 무기 및 유기 보호막(108,120) 상에 박막 트랜지스터의 드레인 전극(110)과 접속된 양극(124)이 형성된다.
구체적으로, 양극(124)은 무기 및 유기 보호막(108,120) 상에 ITO(Indume Tin Oxide), IZO(Indume Zinc Oxide) 등과 같은 투명 도전 물질이 스퍼터링 등과 같은 증착 방법으로 형성된다. 이러한, 양극(124)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극(110)과 컨택홀(122)을 통해 접속된다.
도 3g를 참조하면, 양극(124)이 형성된 기판(100) 상에 화소 홀(126)이 포함된 뱅크 절연막(128)이 형성된다.
구체적으로, 양극(124)이 형성된 기판(100) 상에 스핀리스 또는 스핀 코팅 등의 코팅 방법을 통해 감광성 유기 절연 물질이 전면 도포된다. 이러한 유기 절연 물질은 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 양극(124)을 노출시키는 화소 홀(126)이 포함된 뱅크 절연막(128)이 형성된다.
도 3h를 참조하면, 화소 홀(126)이 포함된 뱅크 절연막(128)이 형성된 기판(100) 상에 유기층(130), 음극(132)이 순차적으로 형성된다.
구체적으로, 화소 홀(126) 상에는 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층, 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL)이 포함된 유기층(130)이 형성된다. 이후, 유기층(130)이 형성된 기판(100) 상에 알루미늄, 마그네슘, 은 등과 같이 반사율이 높은 금속 재질로 형성된다.
또한, 양면 발광의 구조일 경우에는 ITO, IZO 등과 같은 투명 도전 물질으로 음극이 형성될 수 있다.
도 7a 내지 도 7i는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대한 다른 실시 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 도 7a 내지 도 7g에 도시된 바와 같이 기판(100) 상에 박막 트랜지스터 및 유기 발광 셀을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 기판을 형성한다. 이때, 기판(100) 상에 박막 트랜지스터 및 유기 발광 셀은 본 발명의 제1 실시 예와 동일한 제조 방법을 통해 형성됨으로써 생략하기로 한다. 이 후, 도 7h에 도시된 바와 같이 유기 박막 트랜지스터가 형성된 기판(100) 상부 및 하부에 포토레지스트(160)를 도포한 다음, 마스크를 이용하여 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝됨으로써 발광 영역(EA)과 대응되는 영역에 포토레지스트가 제거되며, 발광 영역(EA)을 제외한 영역에 포토레지스트 패턴(160)이 남게된다. 발광 영역(EA)을 제외한 기판(100) 하부에 남은 포토레지스트 패턴(160)을 마스크로 이용하여 발광 영역(EA)과 대응되는 위치에 기판(100)이 제거됨으로써 배면 발광부(EA)가 형성된다. 이어서, 유기 박막 트랜지스터 기판(100) 상부 및 하부에 남은 포토레지스트 패턴(160)이 스트립 공정으로 제거됨으로써 배면 발광부(EA)가 포함된 유기 박막 트랜지스터 기판이 형성된다.
한편, 도 7a 내지 도 7g에 도시된 바와 같이 기판 상에 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광 셀을 형성한 다음 기판 상부와 하부에 유기 물질로 형성된 보호막을 코팅하거나, 보호 테이프를 부착하는 공정을 더 추가하여 유기 발광 셀 및 박막 트랜지스터를 보호할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판은 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광 셀을 포함한다.
박막 트랜지스터는 도 8에 도시된 바와 같이 기판(100) 상에 형성된 버퍼막(101)과, 버퍼막(101) 상에 형성된 형성된 액티브층(214)과, 게이트 절연막(240)을 사이에 두고 액티브층(214)의 채널 영역(214C)과 중첩된 게이트 전극(206)과, 층간 절연막(242)을 관통하는 컨택홀(224S, 224D) 각각을 통해 액티브층(214)의 소스 영역(214S) 및 드레인 영역(214D)과 각각 접속된 소스 전극(208) 및 드레인 전극(210)을 구비한다. PMOS TFT의 액티브층(214)의 소스 영역(214S) 및 드레인 영역(214D)은 p 불순물이 도핑되어 형성된다. 또한, NMOS TFT의 액티브층(214)의 소스 영역(214S) 및 드레인 영역(214D)은 n 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다.
이때, 액티브층(214)은 비정질 실리콘, 비정질 실리콘을 결정화 한 다결정 실리콘, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)의 증착 방법을 이용하여 600~ 1200℃에서 증착한 다결정 실리콘으로 형성된다.
유기 발광 셀은 박막 트랜지스터의 드레인 전극(210)과 접속되며, 유기 보호막(220) 상에 형성된 양극(222)과, 양극(222)을 노출시키는 화소 홀이 형성된 뱅크 절연막과, 화소 홀을 통해 노출된 양극(222) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기 층(230)과, 유기층(230) 위에 형성된 음극(232)으로 구성된다.
유기층(230)은 양극(222) 상에 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 발광층, 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL), 전자 주입층(Electron Injection layer;EIL)으로 적층되어 형성된다. 이러한, 유기층(230)에 포함된 발광층은 양극(222)을 통하여 정공과 음극(232)을 통하여 전자가 재결합되어 생성된 여기자가 바닥상태로 되돌아가면서 특정 파장의 빛을 기판(100) 방향으로 배면 발광하게 된다.
이와 같이 배면 발광의 구조뿐만 아니라, 음극(232)을 투명 전극 재질로 형성하여 특정 파장이 기판 방향 및 기판 반대 방향으로 발광할 수 있는 양면 발광 구조의 유기 박막 트랜지스터 기판으로 형성할 수 있다.
이때, 기판(100)은 빛이 투과되지 않는 금속 물질로 형성되며, 예로 들어 철, 몰리브덴, 텅스텐, 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 이러한 기판(100)은 빛이 배면 발광할 수 있도록 유기층(230)과 대응되는 하부에 배면 발광부(EA)가 형성된다. 다시 말하여, 배면 발광부(EA)는 금속 재질로 형성된 기판(100)이 배면 발광할 수 있도록 발광 영역만큼의 크기로 기판(100) 하부에 홀이 형성된다. 이에 따라, 기판(100)이 금속 재질로 형성되더라도 배면 발광과 상면 발광을 동시에 구현할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술 될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기 술영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음이 자명하다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판의 양면 발광을 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 6b는 도 3a에 도시된 배면 발광부를 가지는 기판의 제조 방법을 상세히 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7i는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대한 다른 실시 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 101 : 버퍼막
102,206 : 게이트 전극 106,240 : 게이트 절연막
108 : 무기 보호막 109,208 : 소스 전극
110,210 : 드레인 전극 112 : 반도체층
122 : 컨택홀 124,222 : 양극
126 : 화소 홀 128 : 뱅크 절연막
130,230 : 유기층 132,232 : 음극
152,160 : 포토레지스트 242 : 층간절연막
Claims (17)
- 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부가 형성된 플렉서블한 금속 기판과;상기 금속 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터와;상기 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 유기 발광 셀을 포함하며,상기 배면 발광부는 상기 금속 기판 하부에 홀 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 금속 기판은 몰리브덴, SUS(Steel Use Stainless), 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴 합금, 티타늄 합금, 텅스텐 합금과 같은 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널.
- 제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 N형 트랜지스터 또는 P형 트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널.
- 제1항에 있어서,상기 금속 기판 상에 버퍼막을 더 포함하며, 상기 버퍼막은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 및 유기 절연막 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널.
- 금속 기판 상에 버퍼막을 형성하며, 상기 금속 기판에 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부를 형성하는 단계와;상기 금속 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 유기 발광 셀을 형성하는 단계를 포함하며,상기 금속 기판 상에 버퍼막을 형성하며, 상기 금속 기판에 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 배면 발광부를 형성하는 단계는상기 금속 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계와;상기 버퍼막이 형성된 금속 기판 상부 및 하부에 포토레지스트를 도포하는 단계와;상기 발광 영역을 제외한 영역의 금속 기판 하부에 포토레지스트 패턴이 남는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 노출된 금속 기판을 패터닝하는 단계와;상기 발광 영역을 제외한 영역의 금속 기판 하부에 남은 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
- 삭제
- 제6항에 있어서,상기 배면 발광부는 발광 영역에 해당하는 화소 위치에 홀 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 금속 기판은 몰리브덴, SUS(Steel Use Stainless), 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴 합금, 티타늄 합금, 텅스텐 합금과 같은 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 N형 트랜지스터 또는 P형 트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘, 비정질 실리콘을 결정화 한 다결정 실리콘, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)의 증착 방법을 이용하여 600~ 1200℃에서 증착한 다결정 실리콘인것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 버퍼막은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 및 유기 절연막 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
- 금속 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계와;상기 버퍼막이 형성된 금속 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 유기 발광 셀을 형성하는 단계와;상기 유기 발광 셀이 형성된 기판 상부 및 하부에 보호막을 형성하는 단계와;상기 금속 기판 하부에 발광 영역에 해당하는 화소 위치와 대응되는 금속 기판을 식각하여 배면 발광부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 보호막은 유기 보호막을 코팅하거나 보호 테이프를 부착하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 금속 기판은 몰리브덴, SUS(Steel Use Stainless), 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴 합금, 티타늄 합금, 텅스텐 합금과 같은 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090022692A KR100934480B1 (ko) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090022692A KR100934480B1 (ko) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100934480B1 true KR100934480B1 (ko) | 2009-12-30 |
Family
ID=41684888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090022692A Active KR100934480B1 (ko) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100934480B1 (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130007421A (ko) * | 2011-06-29 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 절연층의 경사 구조 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101521114B1 (ko) * | 2010-12-03 | 2015-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| US20160035806A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| CN111370366A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-03 | 福建华佳彩有限公司 | 一种双面显示面板及制作方法 |
| KR20210048465A (ko) * | 2014-07-29 | 2021-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050009532A (ko) * | 2003-07-16 | 2005-01-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 표시소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20070005399A (ko) * | 2005-07-06 | 2007-01-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR100704660B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-04-09 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100750591B1 (ko) | 2005-12-07 | 2007-08-20 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자 및 그 제조방법과 화소 전극용 무기절연막 형성방법 |
-
2009
- 2009-03-17 KR KR1020090022692A patent/KR100934480B1/ko active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050009532A (ko) * | 2003-07-16 | 2005-01-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 표시소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20070005399A (ko) * | 2005-07-06 | 2007-01-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR100704660B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-04-09 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100750591B1 (ko) | 2005-12-07 | 2007-08-20 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자 및 그 제조방법과 화소 전극용 무기절연막 형성방법 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101521114B1 (ko) * | 2010-12-03 | 2015-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR20130007421A (ko) * | 2011-06-29 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 절연층의 경사 구조 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101881133B1 (ko) | 2011-06-29 | 2018-07-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 절연층의 경사 구조 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US20160035806A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| KR20160014878A (ko) * | 2014-07-29 | 2016-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US9893133B2 (en) | 2014-07-29 | 2018-02-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display including penetrated portion |
| KR102245771B1 (ko) * | 2014-07-29 | 2021-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20210048465A (ko) * | 2014-07-29 | 2021-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102328188B1 (ko) | 2014-07-29 | 2021-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN111370366A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-03 | 福建华佳彩有限公司 | 一种双面显示面板及制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102328494B1 (ko) | Oled 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법 | |
| CN107424957B (zh) | 柔性tft基板的制作方法 | |
| US9881987B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same | |
| US8227803B2 (en) | Organic electroluminescent display device and method for fabricating the same | |
| US8405084B2 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
| US7830476B2 (en) | Electroluminescence display device comprising a drain electrode being directly contacted with the upper surface of the first transparent conductive layer and the side surface of the second conductive layer and fabricating methods thereof | |
| US8698251B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| US8283860B2 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
| US8241933B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| KR101084273B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US8946008B2 (en) | Organic light emitting diode display, thin film transitor array panel, and method of manufacturing the same | |
| US20080116463A1 (en) | Light-emitting apparatus and production method thereof | |
| WO2016112663A1 (zh) | 制作阵列基板的方法和阵列基板 | |
| KR20130107459A (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
| KR100934480B1 (ko) | 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
| US20110031478A1 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| US8946720B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same | |
| KR101101109B1 (ko) | 유기전계발광 표시 장치 | |
| KR101941438B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조방법 | |
| KR101849575B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
| KR101450905B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법 | |
| KR20100000404A (ko) | 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
| US20190326368A1 (en) | Oled component, method for manufacturing the same and oled display | |
| KR20100042037A (ko) | 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
| KR20080054927A (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20090317 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PA0302 | Request for accelerated examination |
Patent event date: 20090317 Patent event code: PA03022R01D Comment text: Request for Accelerated Examination |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20090609 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20090921 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20091221 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20091222 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121107 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20121107 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131122 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20131122 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141118 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20141118 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151207 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20151207 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161115 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20161115 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171116 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20171116 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181112 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181112 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191015 Year of fee payment: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20191015 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201013 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211013 Start annual number: 13 End annual number: 13 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221108 Start annual number: 14 End annual number: 14 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231016 Start annual number: 15 End annual number: 15 |