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KR100908241B1 - Opto-bus module and its manufacturing method - Google Patents

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KR100908241B1
KR100908241B1 KR1020070026191A KR20070026191A KR100908241B1 KR 100908241 B1 KR100908241 B1 KR 100908241B1 KR 1020070026191 A KR1020070026191 A KR 1020070026191A KR 20070026191 A KR20070026191 A KR 20070026191A KR 100908241 B1 KR100908241 B1 KR 100908241B1
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Abstract

본 발명에 의한 광전버스 모듈 및 그 제작방법은 유전체 내부에 적어도 하나 이상의 광도파로가 삽입되어 있으며, 유전체 하부로부터 광도파로와 만나는 부분까지 스루홀(through hole)구조로 형성되어 한쪽 끝에서 광도파로가 노출되는 제 1 결합부를 복수개 구비한 광전버스부; 및 광전버스부의 제 1 결합부와 전도성 가이드 핀으로 연결될 수 있도록 스루홀 구조로 형성된 제 2 결합부를 구비하고 있는 복수개의 리셉터클부;를 가진다. 본 발명에 의한 광전버스 모듈은 자동적이고 효율적이며 고속, 고집적화된 멀티칩 대 멀티칩의 광통신 및 전기통신 및 정밀하고 효율적인 광결합을 제공한다.The optical bus module and the method of manufacturing the same according to the present invention have at least one optical waveguide inserted into the dielectric and have a through hole structure from the lower portion of the dielectric to the portion where the optical waveguide meets the optical waveguide. An optical bus unit including a plurality of exposed first coupling units; And a plurality of receptacle portions having a second coupling portion formed in a through hole structure to be connected to the first coupling portion of the photoelectric bus portion and the conductive guide pin. The optical bus module according to the present invention provides automatic, efficient, high speed, highly integrated multichip to multichip optical communication and telecommunication, and precise and efficient optical coupling.

Description

광전버스 모듈 및 그 제작방법{Opto-electric-bus module and Manufacturing Method of the Same}Opto-electric-bus module and Manufacturing Method of the Same

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 광전버스 모듈의 구성을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining the configuration of an optical bus module according to an embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b는 각각 도 1에 예시한 광전버스 모듈이 결합된 상태의 단면도 및 평면도를 보여주기 위한 도면이다.2A and 2B are diagrams for showing a cross-sectional view and a plan view, respectively, in which the photobus module illustrated in FIG. 1 is coupled.

도 3은 도 1에 예시한 광전버스 모듈에서의 광신호와 전기신호의 흐름을 보여주는 도면이다.FIG. 3 is a view illustrating the flow of optical signals and electrical signals in the photoelectric bus module illustrated in FIG. 1.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 광전버스 모듈의 구성을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the configuration of an optical bus module according to another embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b는 각각 도 4에 예시한 광전버스 모듈이 결합된 상태의 단면도 및 광신호와 전기신호의 흐름을 보여주기 위한 도면이다.5A and 5B are cross-sectional views of the state in which the photoelectric bus module illustrated in FIG. 4 is coupled, and a view for showing the flow of an optical signal and an electrical signal.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명에 사용된 광결합의 구성을 설명하기 위한 도면이다.6a to 6e are diagrams for explaining the configuration of the optical coupling used in the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 광전버스 모듈을 이용한 복수개의 반도체 칩 사이의 광통신 및 전기통신을 위한 통신모듈을 보여주기 위한 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a communication module for optical communication and telecommunication between a plurality of semiconductor chips using an optical bus module according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 의한 광전버스 모듈의 광도파로 부에 사용된 광도파로의 구성 및 광전송 원리를 설명하기 위한 도면이다.8A to 8C are views for explaining the configuration and optical transmission principle of the optical waveguide used in the optical waveguide portion of the optical bus module according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 의한 광전버스 모듈 및 그 제작방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광통신 및 전기통신을 동시에 제공하는 광전버스 모듈 및 그 제작방법에 관한 것이다.The present invention relates to an optical bus module and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an optical bus module for simultaneously providing optical communication and telecommunication.

종래의 전기배선 한계를 극복하기 위하여 광배선을 이용한 정보처리 기술이 각광을 받고 있다. 또한, 최근에는 광배선 만을 목적으로 하지 않고 광통신 및 전기통신을 함께 제공하는 광전기 혼재 배선 모듈이 개발되고 있다. In order to overcome the limitations of the conventional electrical wiring, information processing technology using optical wiring is in the spotlight. In addition, in recent years, opto-electric hybrid wiring modules have been developed that provide optical communication and electric communication together instead of only optical wiring.

광전기 혼재 배선 모듈은 광신호를 동일 기판상의 반도체 칩 간 또는 다른 기판상의 반도체 칩 간의 근거리 정보 통신에 이용한다. 전통적인 다층 PCB 기판에 광도파로 또는 광섬유를 삽입하여 반도체 칩 간의 광통신은 삽입된 광도파로를 이용하고 전기통신은 PCB에 형성된 전기배선을 이용하는 것이 그 한 예이다.The opto-electric hybrid wiring module uses optical signals for short-range information communication between semiconductor chips on the same substrate or between semiconductor chips on another substrate. For example, an optical waveguide or an optical fiber is inserted into a conventional multilayer PCB substrate, and optical communication between semiconductor chips uses an inserted optical waveguide, and electrical communication uses an electrical wiring formed on a PCB.

하지만, 이러한 광도파로 삽입형 광전기 혼재 배선 모듈은 고정된 광도파로 및 전기 배선을 이용해야 하는 제한이 있어서 다양한 반도체 칩 사이의 다양한 정보 통을 위해서는 매번 그 설계 및 제작을 변경해야 하는 불편이 있다. However, such an optical waveguide insertion type opto-electronic hybrid wiring module has a limitation of using a fixed optical waveguide and an electrical wiring, so that the design and manufacture of the optical waveguide must be changed every time for various information communication between various semiconductor chips.

본 발명은 자동적이고 효율적이며 고속, 고집적화된 멀티칩 대 멀티칩의 광통신 및 전기통신이 가능한 광전버스 모듈을 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한 다.The present invention is to provide an optical bus module capable of automatic and efficient, high-speed, highly integrated multi-chip to multi-chip optical communication and electrical communication.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 광전버스 모듈의 일 실시예는 유전체 내부에 적어도 하나 이상의 광도파로가 삽입되어 있으며, 상기 유전체 하부로부터 상부로까지 스루홀(through hole) 구조로 형성되는 제1 결합부를 복수개 구비한 광전버스부; 및 상기 광전버스부의 상기 제 1 결합부와 전도성 가이드 핀으로 연결될 수 있도록 스루홀 구조로 형성된 제 2 결합부를 구비하고 있는 복수개의 리셉터클부;를 가진다.An embodiment of the optical bus module according to the present invention for achieving the technical problem is at least one optical waveguide is inserted into the dielectric, the first through-hole (through hole) structure from the lower portion of the dielectric to the upper portion An optical bus unit including a plurality of coupling units; And a plurality of receptacle portions having a second coupling portion formed in a through-hole structure to be connected to the first coupling portion and the conductive guide pin of the photoelectric bus portion.

보다 바람직하게는 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 광전버스 모듈에 있어서 상기 광전버스부의 일 실시예는 상기 유전체 하부에 전기신호를 전달할 수 있는 제 1 전기배선이 형성되어 있다.More preferably, in the opto-bus module according to the present invention for achieving the above technical problem, an embodiment of the opto-bus unit has a first electric wiring for transmitting an electric signal under the dielectric.

또한 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 광전버스 모듈에 있어서 상기 스루홀 구조의 제 2 결합부는 상기 스루홀 내부에 전기신호를 전달할 수 있는 제 2 전기배선이 형성되어 있다.In addition, in the optical bus module according to the present invention for achieving the above technical problem, the second coupling portion of the through-hole structure is formed with a second electrical wiring for transmitting an electrical signal inside the through-hole.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 광전버스 모듈 제작방법의 일 실시예는 유전체 내부에 적어도 하나 이상의 광도파로가 삽입하고, 상기 유전체 하부로부터 상부로까지 스루홀(through hole) 구조로 형성되는 제1 결합부를 복수개 구비하는 광전버스구성단계; 상기 제 1 결합부와 전도성 가이드 핀으로 연결될 수 있도록 스루홀 구조로 반도체 칩이 실장되는 기판위에 제 2 결합부를 형성하는 리셉터클구성단계; 및 상기 광도파로가 상기 광전소자에 수직 및 수평 광정렬되도 록 상기 제 1 결합부 및 제 2 결합부를 상기 전도성 가이드 핀으로 연결하는 연결단계;를 가진다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method for fabricating an optical bus module according to the present invention, wherein at least one optical waveguide is inserted into a dielectric, and a through hole structure is formed from a lower portion of the dielectric to an upper portion thereof. Optoelectronic bus configuration step comprising a plurality of coupling portions; A receptacle forming step of forming a second coupling portion on a substrate on which a semiconductor chip is mounted in a through hole structure so as to be connected to the first coupling portion and a conductive guide pin; And a connecting step of connecting the first coupling part and the second coupling part to the conductive guide pins such that the optical waveguide is vertically and horizontally aligned with the optoelectronic device.

보다 바람직하게는 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 광전버스 모듈 제작방법에 있어서 상기 광전버스구성단계는 상기 유전체 하부에 전기신호를 전달할 수 있는 제 1 전기배선을 형성하는 제 1 전기배선형성단계;를 더 가진다.More preferably, in the method for manufacturing the photoelectric bus module according to the present invention for achieving the technical problem, the forming of the photoelectric bus comprises: forming a first electrical wiring for transmitting an electrical signal under the dielectric; Has more;

또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 광전버스 모듈 제작방법에 있어서 상기 리셉터클구성단계는 상기 제 2 결합부의 스루홀 내부에 전기신호를 전달할 수 있는 제 2 전기배선을 형성하는 제 2 전기배선형성단계;를 더 가진다.In addition, in the method for manufacturing the photovoltaic bus module according to the present invention for achieving the technical problem, the receptacle forming step is a second electrical wiring to form a second electrical wiring for transmitting an electrical signal inside the through hole of the second coupling portion; It further has a forming step.

이처럼 본 발명에 의한 광전버스 모듈 및 그 제작방법은 제 1 결합부 및 제 2 결합부의 결합에 의하여 광도파로가 광전소자에 정밀하고 효율적으로 광결합될수 있으며, 반도체 칩 사이의 광통신 및 전기통신을 동시에 제공한다.As described above, the optical bus module and the method of manufacturing the optical waveguide according to the present invention can be optically coupled to the optoelectronic device precisely and efficiently by the combination of the first coupling part and the second coupling part. to provide.

또한 본 발명에 있어서 광도파로는 금속광도파로일 수 있고, 플렉서블(flexible)할 수 있다. 본 발명에 사용된 금속광도파로의 광전송은 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤 (LR-SPP) 이론으로 설명할 수 있다.In addition, in the present invention, the optical waveguide may be a metal optical waveguide, and may be flexible. The optical transmission of the metal optical waveguide used in the present invention can be explained by the long-range surface plasmon polaritone (LR-SPP) theory.

표면 플라즈몬(Surface Plasmon; SP)은 유전 상수의 실수항이 서로 반대부호를 가지는 경계면을 따라 구속되어 진행하는 전하밀도의 진동파로서, 표면 전하 밀도 진동은 종방향 표면 구속파를 형성한다.Surface Plasmon (SP) is an oscillation wave of charge density that travels along a boundary where the real terms of the dielectric constants are opposite to each other, and the surface charge density oscillation forms a longitudinal surface constraint wave.

종방향 표면 구속파는 입사파의 전기장 성분이 경계면에 수직한 성분으로 TM모드 (Transverse Magnetic Mode)만이 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤을 여기 및 도파시킬 수 있다.The longitudinal surface restraint wave is a component in which the electric field component of the incident wave is perpendicular to the interface. Only the TM mode (Transverse Magnetic Mode) can excite and guide the long-range surface plasmon polaritone.

본 발명에 의한 광도파로는 광신호가 전달되는 금속광도파로 및 금속광도파로를 둘러싸는 고분자 광학재료를 포함할 수 있으며, 금속광도파로는 두께가 5 내지 200 ㎚ 이고, 폭이 2 내지 100 ㎛일 수 있다. 고분자 광학재료는 할로겐 원소 또는 중수소를 포함하는 고분자 광학 재료로 형성될 수 있다.The optical waveguide according to the present invention may include a metal optical waveguide through which an optical signal is transmitted and a polymer optical material surrounding the metal optical waveguide, and the metal optical waveguide may have a thickness of 5 to 200 nm and a width of 2 to 100 μm. have. The polymer optical material may be formed of a polymer optical material containing a halogen element or deuterium.

또한 본 발명에 있어서, 상기 광전버스부의 끝부분에는 45도 반사경이 형성될 수 있으며, 45도 반사경은 광전버스부와 일체형일 수도 있고, 따로 분리되어 결합되는 착탈식일 수도 있다.In addition, in the present invention, a 45 degree reflector may be formed at the end of the optical bus portion, the 45 degree reflector may be integral with the optical bus portion, or may be detachably separated and combined.

상기 45도 반사경의 하부에는 광전소자에서 발생되는 광원의 편광을 TM모드 또는 TE모드의 특정 광모드로 편광시키는 편광기가 탈착될 수도 있을 것이다.Under the 45 degree reflector, a polarizer for polarizing the light source generated in the photoelectric device to a specific light mode of the TM mode or the TE mode may be detached.

상기 광전소자는 발광소자 또는 수광소자이며, 발광소자의 경우 광의 발광 특성에 따라 TM모드형 레이저 다이오드, TE모드형 다이오드 및 표면발광레이저(VCSEL)등으로 구성할 수 있다.The optoelectronic device may be a light emitting device or a light receiving device, and the light emitting device may be configured of a TM mode laser diode, a TE mode diode, a surface emitting laser (VCSEL), and the like according to light emission characteristics.

본 발명은 PCB 기판 상면에 형성되고, 스루홀 구조의 결합부를 통해 반도체 칩을 실장한 기판과 광전 결합함으로써 광정렬 및 전기 배선 접속이 용이하고, 미세 사이즈의 광도파로를 이용하여 집적도를 향상시킬 수 있다.The present invention is formed on the upper surface of the PCB substrate, and through the coupling portion of the through-hole structure and the photoelectric coupling with the substrate on which the semiconductor chip is mounted, the optical alignment and electrical wiring connection is easy, and the integration degree can be improved by using the optical waveguide of fine size have.

또한 본 발명은 반도체 칩 간의 전기 신호를 전달을 위한 전기배선을 포함함으로써, 반도체 칩 간의 광통신 및 전기통신을 동시에 효율적으로 수행할 수 있는 광전 통신 모듈을 구현할 수 있다.In addition, the present invention includes an electrical wiring for transferring an electrical signal between the semiconductor chip, it is possible to implement an optical communication module that can efficiently perform optical communication and electrical communication between the semiconductor chip at the same time.

이하 첨부한 도면을 사용하여 본 발명인 광전버스 모듈 및 그 제작방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, the photoelectric bus module of the present invention and a method of manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 광전버스 모듈의 구성을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining the configuration of an optical bus module according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 광전버스 모듈은 광전버스부(101), 기판(109) 및 리셉터클부(112, 113)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, an optical bus module according to the present invention may include an optical bus unit 101, a substrate 109, and receptacle units 112 and 113.

광전버스부(101)는 유전체(103)에 삽입된 광도파로(104), 광도파로(104) 양끝에 형성된 45도 반사경(105), 및 스루홀(through hole) 구조의 제 1 결합부(106)로 구성된다.The optical bus unit 101 includes an optical waveguide 104 inserted into the dielectric 103, a 45 degree reflector 105 formed at both ends of the optical waveguide 104, and a first coupling portion 106 having a through hole structure. It consists of

45도 반사경(105) 하단에는 편광기(107)가 형성될 수 있고, 광전버스부(101)하단에는 제 1 전기배선(108)이 형성될 수 있다. 제 1 전기배선(108)은 광도파로(104) 양 끝에 형성된 제 1 결합부(106)의 내부 벽면까지 연장되어 형성될 수 있다. A polarizer 107 may be formed below the 45 degree reflector 105, and a first electric wiring 108 may be formed below the photoelectric bus unit 101. The first electrical wiring 108 may extend to the inner wall surface of the first coupling portion 106 formed at both ends of the optical waveguide 104.

광전버스부(101)가 결합되는 기판(109)에는 송신 반도체 칩(110), 수신 반도체 칩(111) 및 송신 리셉터클부(112), 수신 리셉터클부(113)가 형성될 수 있다. 리셉터클부(112, 113)는 광전버스부(101)와의 결합을 위한 스루홀(through hole) 구조의 제 2 결합부(116)가 형성되어 있다.A transmission semiconductor chip 110, a reception semiconductor chip 111, a transmission receptacle unit 112, and a reception receptacle unit 113 may be formed on the substrate 109 to which the photoelectric bus unit 101 is coupled. The receptacle parts 112 and 113 have a second coupling part 116 having a through hole structure for coupling with the photoelectric bus part 101.

리셉터클부(112, 113)는 상단에 광전소자 즉, 발광소자(114) 또는 수광소자(115)를 실장할 수 있으며, 광전소자(114, 115)와 반도체칩(110, 111)을 연결하기 위한 제 3 전기배선이 확장되어 형성된 벤치부(102)를 더 가질 수 있다.The receptacle units 112 and 113 may mount an optoelectronic device, that is, a light emitting device 114 or a light receiving device 115, on the top of the receptacle unit 112 and 113, for connecting the optoelectronic devices 114 and 115 to the semiconductor chips 110 and 111. The third electric wiring may further have a bench portion 102 formed by extension.

제 2 결합부(116)의 내부 벽면에는 반도체 칩(110, 111)에서 발생된 전기신호가 전달되는 제 2 전기배선(117)이 연장되어 형성된다. 아울러, 반도체 칩(110, 111)과 리셉터클부(116, 117) 사이에는 광전소자(114, 115)의 구동에 필요한 전기신호를 송수신하는 제 3 전기배선(118)이 형성되어 있다. 광전버스부(101)의 스루홀 구조의 제1 결합부(106)과 리셉터클부(112, 113)의 제 2 결합부(116)는 전도성 가이드핀(119)에 의해 결합된다.On the inner wall surface of the second coupling part 116, a second electric wiring 117 through which electric signals generated from the semiconductor chips 110 and 111 are transmitted is formed to extend. In addition, a third electrical wiring 118 is formed between the semiconductor chips 110 and 111 and the receptacle portions 116 and 117 to transmit and receive electrical signals required for driving the photoelectric elements 114 and 115. The first coupling portion 106 of the through hole structure of the photoelectric bus portion 101 and the second coupling portion 116 of the receptacle portions 112 and 113 are coupled by the conductive guide pin 119.

도 2a 및 도 2b는 각각 도 1에 예시한 광전버스 모듈이 결합된 상태의 단면도 및 평면도를 보여주기 위한 도면이다.2A and 2B are diagrams for showing a cross-sectional view and a plan view, respectively, in which the photobus module illustrated in FIG. 1 is coupled.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 전도성 가이드 핀(119)에 의해 광전버스부(101)와 리셉터클부(112, 113)는 물리적으로 견고하게 결합되게 된다.2A and 2B, the photoelectric bus unit 101 and the receptacle units 112 and 113 are physically and firmly coupled by the conductive guide pin 119.

이에 따라, 광전버스부(101)의 제1 전기배선과 리셉터클부(112, 113)의 제 2 전기배선이 전기적으로 결합된다. 아울러 발광소자와 편광기 및 45도 반사경도 광학적으로 자동 광결합되며, 수광소자 및 45도 반사경도 자동 광결합되게 된다.Accordingly, the first electrical wiring of the photoelectric bus unit 101 and the second electrical wiring of the receptacle units 112 and 113 are electrically coupled. In addition, the light emitting device, the polarizer, and the 45 degree reflector are optically optically coupled, and the light receiving element and the 45 degree reflector are also automatically optically coupled.

도 3은 도 1에 예시한 광전버스 모듈에서의 광신호와 전기신호의 흐름을 보여주는 도면이다.FIG. 3 is a view illustrating the flow of optical signals and electrical signals in the photoelectric bus module illustrated in FIG. 1.

도 3을 참조하면, 광전버스부(101)는 PCB 기판의 리셉터클부(112, 113)에 고정되어 반도체 칩 사이의 광통신 및 전기통신을 중개한다. 반도체 칩에서 발생된 전기 신호는 제 3 전기배선(118)을 따라 송신 리셉터클부(112)의 발광소자(114)로 전달되고 발광소자(114)는 광신호를 발생시킨다.Referring to FIG. 3, the photoelectric bus unit 101 is fixed to the receptacle units 112 and 113 of the PCB substrate to mediate optical communication and electric communication between semiconductor chips. The electrical signal generated from the semiconductor chip is transmitted to the light emitting device 114 of the transmission receptacle unit 112 along the third electric wiring 118 and the light emitting device 114 generates an optical signal.

발광소자(114)에서 발생된 광신호는 45도 반사경을 통해 90도로 진행 방향이 변화되고 광도파로(104)를 통해 도파(導波)되어 반대면의 45도 반사경에서 다시 90 도 진행방향을 변경하여 수광소자(115)로 전달된다. 수광된 광신호는 수신 리셉터클부(113)를 거쳐 수신 반도체 칩으로 최종 전달된다.The optical signal generated from the light emitting element 114 is changed by 90 degrees through the 45 degree reflector and waveguided through the optical waveguide 104 to change the 90 degrees from the 45 degree reflector on the opposite side again. Is transferred to the light receiving element 115. The received optical signal is finally transmitted to the receiving semiconductor chip via the receiving receptacle 113.

전기 신호의 경우, 반도체 칩에서 발생된 전기 신호가 리셉터클부(112)의 제 2 결합부에 형성된 제 2 전기배선(117)으로 전달되고, 이 전기 신호는 도전성 가이드 핀(119)을 통해 광전버스부(101)의 제 1 전기배선(108)으로 전달된다.In the case of an electrical signal, the electrical signal generated from the semiconductor chip is transmitted to the second electrical wiring 117 formed at the second coupling portion of the receptacle portion 112, and the electrical signal is transmitted through the photoelectric bus through the conductive guide pin 119. It is transmitted to the first electrical wiring 108 of the part 101.

제 1 전기배선(108)을 따라 전달된 전기신호는 다시 수광 리셉터클부(113) 의 도전성 가이드 핀을 통해 수신 리셉터클부(113)를 거쳐 최종적으로 수신 반도체 칩으로 전달된다. 이처럼 본 발명에 의하면 광통신 및 전기통신이 동시에 가능하다.The electrical signal transmitted along the first electrical wiring 108 is again transmitted to the receiving semiconductor chip through the receiving receptacle 113 through the conductive guide pin of the light receiving receptacle 113. Thus, according to the present invention, optical communication and electric communication are possible at the same time.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 광전버스 모듈의 구성을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the configuration of an optical bus module according to another embodiment of the present invention.

광전버스부(101)는 유전체(103)에 내장된 광도파로(104), 양 끝에 형성된 45도 반사경(105) 그리고 하부에 부착된 커넥터 핀(120)으로 구성될 수 있다.The optical bus unit 101 may include an optical waveguide 104 embedded in the dielectric 103, a 45 degree reflector 105 formed at both ends, and a connector pin 120 attached to a lower portion thereof.

45도 반사경(105) 하단에는 편광기(107)가 형성될 수 있으며, 광전버스부(101)의 하단에는 제 1 전기배선(108) 이 형성되어 있다. 제 1 전기배선(108) 은 광도파로 양 끝에 형성된 커넥터 핀(120)을 통하여 연결된다.A polarizer 107 may be formed at a lower end of the 45 degree reflector 105, and a first electric wiring 108 is formed at the lower end of the photoelectric bus unit 101. The first electrical wiring 108 is connected through a connector pin 120 formed at both ends of the optical waveguide.

리셉터클부(112, 113)등 기타 다른 구성은 도 1과 유사하므로 상세한 설명은 생략하도록 한다.Other components such as the receptacle parts 112 and 113 are similar to those of FIG. 1, and thus detailed descriptions thereof will be omitted.

도 5a 및 도 5b는 각각 도 4에 예시한 광전버스 모듈이 결합된 상태의 단면도 및 광신호와 전기신호의 흐름을 보여주기 위한 도면이다.5A and 5B are cross-sectional views of the state in which the photoelectric bus module illustrated in FIG. 4 is coupled, and a view for showing the flow of an optical signal and an electrical signal.

도 5a는 커넥터 핀(120)에 의해 광전버스 모듈이 물리적으로 견고하게 결합됨에 따라, 광전버스부(101)의 제 1 전기배선과 리셉터클부(112, 113)의 제 2 결합부에 형성된 제 2 전기배선이 전기적으로 결합되며, 아울러 발광소자와 편광기 및 45도 반사경도 광결합된다.FIG. 5A illustrates a second electrical connection of the photoelectric bus module 101 and the second coupling part of the receptacle parts 112 and 113 as the optical bus module is physically and firmly coupled by the connector pin 120. The electrical wiring is electrically coupled, and the light emitting device, the polarizer, and the 45 degree reflector are also optically coupled.

도 5b는 반도체 칩 사이의 광통신 및 전기 통신을 보여준다. 반도체 칩 사이의 전기통신의 경우에는 반도체 칩에서 발생된 전기 신호가 송신 리셉터클부(112)의 제 2 전기배선(117)을 따라 커넥터 핀(120) 을 통해 광전버스부(101)의 제 1 전기배선(108)으로 전달된다.5B shows optical and electrical communication between semiconductor chips. In the case of electrical communication between the semiconductor chips, the electrical signal generated from the semiconductor chip is transferred to the first electrical circuit of the photoelectric bus unit 101 through the connector pin 120 along the second electrical wiring 117 of the transmission receptacle unit 112. It is delivered to the wiring 108.

또한, 제 1 전기배선(108)을 따라 전달된 전기신호는 다시 수신 리셉터클부(113)에 연결된 커넥터 핀(120)을 통해 수신 리셉터클부(113)의 제 2 전기배선을 따라 최종적으로 수신 반도체 칩(111)으로 전달된다.In addition, the electrical signal transmitted along the first electrical wiring 108 is finally received along the second electrical wiring of the receiving receptacle 113 through the connector pin 120 connected to the receiving receptacle 113. Is passed to (111).

도 6a 내지 도 6e는 본 발명에 사용된 광결합의 구성을 설명하기 위한 도면이다.6a to 6e are diagrams for explaining the configuration of the optical coupling used in the present invention.

도 6a는 광전버스부(101)의 양 끝단에 단순히 45도 반사경(105)만을 구비한 예이다. 발광소자(114)에서 발생된 광신호는 광전버스부(101)의 끝 부분에 형성된 45도 반사경(105)를 통해 90도로 진행 방향이 변화되고 광도파로(104)를 통해 도파되어 반대면의 45도 반사경을 통해 다시 90도 진행방향을 변경하여 수광소자(115) 로 광신호를 전달한다.6A illustrates an example in which only 45 degree reflectors 105 are provided at both ends of the photoelectric bus unit 101. The optical signal generated by the light emitting element 114 is changed by 90 degrees through the 45 degree reflector 105 formed at the end of the photoelectric bus unit 101, and is guided through the optical waveguide 104 to be 45 The optical signal is transmitted to the light-receiving element 115 by changing the 90-degree moving direction again through the degree reflector.

이때, 리셉터클부(112, 113)의 높이는 발광소자(114)와 광도파로간의 광결합 효율이 최대가 되도록 조절이 가능하다. 또한 발광소자(114)에서 발생되는 광은 광 도파로로 사용되는 금속 선의 표면플라즈몬 폴라리톤 여기(excitation)를 위해 TM모드의 광을 발생시키는 소자를 적용할 수 있다. 만약 발광소자(114)에서 발생된 광이 TM모드 광이라면, 발광소자를 90도 회전하여 부착시킬 수도 있을 것이다.At this time, the height of the receptacle parts 112 and 113 can be adjusted to maximize the optical coupling efficiency between the light emitting element 114 and the optical waveguide. In addition, the light generated by the light emitting device 114 may be applied to the device for generating the TM mode light for the surface plasmon polariton excitation of the metal line used as the optical waveguide. If the light generated by the light emitting device 114 is TM mode light, the light emitting device may be rotated by 90 degrees and attached.

도 6b는 광전버스부(101) 양 끝단에 반사경 모듈(121)을 구비한 것을 보여준다. 반사경 모듈(121)은 제작된 광전버스부(101)의 끝단을 수직으로 형성하고 반사경 모듈(121)을 그 수직면에 부착하는 방식으로 구성할 수 있다. 6B shows that the reflector module 121 is provided at both ends of the photoelectric bus unit 101. The reflector module 121 may be configured by vertically forming the end of the fabricated photoelectric bus unit 101 and attaching the reflector module 121 to its vertical surface.

도 6c 및 도 6d는 광전버스부(101)의 양 끝단에 형성된 45도 반사경 하부에 편광기(107)를 부착한 것을 보여준다.6C and 6D show that the polarizer 107 is attached to the lower portion of the 45 degree reflector formed at both ends of the photoelectric bus unit 101.

광도파로로 이용된 금속 선의 표면플라즈몬 폴라리톤 여기를 위해서는 TM모드의 광을 입사시켜야 할 것이다.Surface plasmon polariton excitation of the metal line used as the optical waveguide will require incidence of TM mode light.

만약 발광소자에서 발생된 광이 TM모드를 포함하지 않거나 TE모드 만을 발생시키는 경우에는 도 6c 및 도 6d와 같이 편광기(107)를 구비하여 금속 선의 표면플라즈몬 폴라리톤 여기에 필요한 TM모드의 광을 입사시킬 수도 있을 것이다. If the light generated by the light emitting device does not include the TM mode or generates only the TE mode, the polarizer 107 is provided as shown in FIGS. 6C and 6D to inject the TM mode light required for the surface plasmon polariton excitation of the metal line. You may be able to.

도 6e는 광전버스부(101)의 양 끝단에 형성된 45도 반사경 하부에 편광기 (107)에 더하여, 집광을 위한 렌즈(122)까지 구비한 실시예를 보여준다.FIG. 6E shows an embodiment in which a lens 122 for condensing is provided in addition to the polarizer 107 under the 45 degree reflector formed at both ends of the optical bus unit 101.

도 6e는 발광소자에서 발생한 광이 퍼지는 경우에는 광도파로로 이용된 금속 선에 광결합되는 효율이 저하되므로 렌즈(122)를 통한 집광을 통하여 발광소자와 금속 선 광도파로 간의 광결합 효율을 증대시키기 위한 실시예를 보여준다.6E shows that the efficiency of optical coupling to the metal line used as the optical waveguide decreases when light generated from the light emitting device is spread, thereby increasing the optical coupling efficiency between the light emitting element and the metal line optical waveguide through condensing through the lens 122. An example is shown.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 광전버스 모듈을 이용한 복수개의 반도체 칩 사이의 광통신 및 전기통신을 위한 통신모듈을 보여주기 위한 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a communication module for optical communication and telecommunication between a plurality of semiconductor chips using an optical bus module according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 광도파로(210) 및 제 1 전기배선(226)이 포함된 광전버스부(207, 220, 223)에 의해 반도체 칩 A(201), 반도체 칩 B(203), 반도체 칩 C(221) 및 반도체 칩 D(225)사이의 광통신 및 전기통신이 동시에 완성되는 실시예를 보여준다.FIG. 7 shows the semiconductor chip A 201, the semiconductor chip B 203, and the semiconductor chip C 221 by the optical bus units 207, 220, and 223 including the optical waveguide 210 and the first electric wiring 226. ) And an optical communication between the semiconductor chip D 225 and the semiconductor chip D 225 are completed simultaneously.

각 반도체 칩의 리셉터클부(202, 204, 222, 219, 227)에 형성된 제 2 결합부와 각 광전버스부(207, 220, 223)에 형성된 제 1 결합부가 전도성 가이드 핀(216) 에 의해 자동적으로 광결합 및 전기결합이 완성된다.The second coupling portion formed in the receptacle portions 202, 204, 222, 219 and 227 of each semiconductor chip and the first coupling portion formed in each of the photoelectric bus portions 207, 220 and 223 are automatically driven by the conductive guide pins 216. The optical coupling and the electrical coupling are completed.

외부에서 반도체 칩 A(201)에 인가된 신호가 제 1 발광신호와 제 1 연산신호로 구성된 경우, 제 1 발광신호를 받은 반도체 칩 A(201)의 발광소자(206)는 제 1 광신호를 발생하고 발생된 제 1 광신호는 광전버스부(207)의 광도파로(210) 및 수광소자(212)를 통하여 반도체 칩 B(203)으로 전달된다.When the signal applied to the semiconductor chip A 201 from the outside is composed of the first light emission signal and the first operation signal, the light emitting element 206 of the semiconductor chip A 201 receiving the first light emission signal receives the first light signal. The generated first optical signal is transmitted to the semiconductor chip B 203 through the optical waveguide 210 and the light receiving device 212 of the photoelectric bus unit 207.

반도체 칩 B(203)에 수광된 수광신호는 내부 연산을 통해 다시 반도체 칩 B(203)의 발광소자(228, 229)를 구동하는 제 2 발광신호, 제 3 발광신호로 전환되어 발광소자를 구동시킨다. 제 2 발광신호, 제 3 발광신호에 의하여 발생된 제 2 광신호, 제 3 광신호는 다시 광전버스부(220, 223)를 통하여 반도체 칩 C(221), 반도체 칩 D(225)로 전달된다.The received signal received by the semiconductor chip B 203 is converted into a second light emitting signal and a third light emitting signal for driving the light emitting devices 228 and 229 of the semiconductor chip B 203 through internal calculations to drive the light emitting device. Let's do it. The second and third optical signals generated by the second and third light emitting signals are transmitted to the semiconductor chip C 221 and the semiconductor chip D 225 through the photoelectric bus units 220 and 223. .

이때 반도체 칩 B(203)에서 연산된 신호는 반도체 칩 B(203)의 발광소자(230)에 제 4 발광신호를 전달하여 제 4 광신호를 발생시킨다. 제 4 광신호는 반도체 칩 A(201)의 수광소자(231)로 전달되어 반도체 칩 A(201)과 반도체 칩 B(203)상의 광통신 결과를 송수신한다. 반도체 칩 C(221), 반도체 칩 D(225)등에서 이루어지는 광통신에서도 상기와 같은 방식으로 광통신이 가능할 것이다.In this case, the signal calculated by the semiconductor chip B 203 transfers the fourth light emission signal to the light emitting device 230 of the semiconductor chip B 203 to generate the fourth optical signal. The fourth optical signal is transmitted to the light receiving element 231 of the semiconductor chip A 201 to transmit and receive optical communication results on the semiconductor chip A 201 and the semiconductor chip B 203. Optical communication in the semiconductor chip C 221, the semiconductor chip D 225, and the like may be performed in the same manner as described above.

본 발명에 의한 반도체 칩 사이의 전기 통신은 다음과 같을 수 있다. 외부로부터 반도체 칩 A(201)에 인가된 연산신호는 반도체 칩 A(201)의 구성회로 및 구성 반도체 회로에 따라 적절하게 연산되고 그 연산된 결과는 제 1 연산결과신호를 발생시킨다.The electrical communication between the semiconductor chips according to the present invention may be as follows. The operation signal applied to the semiconductor chip A 201 from the outside is suitably calculated according to the component circuit and the component semiconductor circuit of the semiconductor chip A 201, and the result of the calculation generates the first calculation result signal.

반도체 칩 A(201)에서 생성된 제 1 연산결과신호는 제 3 전기배선(205)을 따라 리셉터클부(202)의 제 2 결합부로 전달되고, 광전버스부(207)의 제 1 결합부의 도전성 가이드핀(216)을 통해 리셉터클부(204)로 전달되어 최종적으로 반도체 칩 B(203)에 전달된다.The first operation result signal generated by the semiconductor chip A 201 is transferred to the second coupling portion of the receptacle portion 202 along the third electrical wiring 205 and the conductive guide of the first coupling portion of the optoelectronic bus portion 207 is provided. The pin 216 is transferred to the receptacle unit 204 and finally to the semiconductor chip B 203.

반도체 칩 B(203) 에 의해 연산처리된 제 2 연산결과신호 또한 상기와 같은 방식으로 반도체 칩 C(221), 반도체 칩 D(225)으로 전달된다.The second operation result signal computed by the semiconductor chip B 203 is also transferred to the semiconductor chip C 221 and the semiconductor chip D 225 in the same manner as described above.

이때 반도체 칩 B(203) 의 제 2 연산결과신호는 반도체 칩 A(201)로부터 수신된 제 1 연산결과신호와 반도체 칩 C(221), 반도체 칩 D(225)으로부터 수신된 제3 연산결과신호, 제4 연산결과신호의 종합적인 연산에 의해 구현될 수도 있을 것이다. 상기와 같은 방식으로 반도체 칩 A(201), 반도체 칩 B(203), 반도체 칩 C(221) 및 반도체 칩 D(225)사이의 전기통신이 완성된다.In this case, the second operation result signal of the semiconductor chip B 203 may be a first operation result signal received from the semiconductor chip A 201 and a third operation result signal received from the semiconductor chip C 221 and the semiconductor chip D 225. This may be implemented by comprehensive operation of the fourth operation result signal. In this manner, the electrical communication between the semiconductor chip A 201, the semiconductor chip B 203, the semiconductor chip C 221, and the semiconductor chip D 225 is completed.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 의한 광전버스 모듈의 광도파로부에 사용된 광도파로의 구성 및 광전송 원리를 설명하기 위한 도면이다.8A to 8C are views for explaining the configuration and optical transmission principle of the optical waveguide used in the optical waveguide unit of the optical bus module according to an embodiment of the present invention.

도 8a와 같이, 광도파로(103)는 유전체(104)에 내장된 두께가 수 나모 미터이고 폭이 수십 미크론인 금속 선을 이용하여 입사광을 수 센티미터 길이까지 전송할 수 있는 특성을 갖는다. 이와 같이 금속 선을 이용한 광도파로를 금속 선 광도 파로라고 한다.As shown in FIG. 8A, the optical waveguide 103 has a characteristic of transmitting incident light up to several centimeters in length by using metal lines having a thickness of several nanometers and several tens of microns embedded in the dielectric 104. Thus, the optical waveguide using the metal line is called a metal line optical waveguide.

본 발명에 있어서, 광도파로는 금속 선 광도파로일 수 있고, 플렉서블(flexible)할 수 있다. 광도파로가 금속 선 광도파로인 경우, 광도파로의 광전송은 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤(LR-SPP)이론으로 이를 설명할 수 있다.In the present invention, the optical waveguide may be a metal line optical waveguide, and may be flexible. If the optical waveguide is a metal line optical waveguide, the optical transmission of the optical waveguide can be explained by the long-range surface plasmon polaritone (LR-SPP) theory.

금속 선 광도파로의 광도파 원리를 간단히 설명하면, 광신호가 금속 선에 있는 자유전자의 분극과 이들 분극의 상호적인 커플링을 통해 전달된다.Briefly describing the optical waveguide principle of a metal line optical waveguide, an optical signal is transmitted through polarization of free electrons in the metal line and mutual coupling of these polarizations.

이러한 자유 전자의 연속적인 커플링을 표면 플라즈몬 폴라리톤(surface plasmon polariton)이라 하며, 이를 이용한 장거리 광전송을 이론적으로 장주기 표면 플라즈몬 폴라리톤(long-range surface plasmon polariton)이라 한다.Such continuous coupling of free electrons is called surface plasmon polariton, and long-distance light transmission using this is theoretically called long-range surface plasmon polariton.

표면 플라즈몬(Surface Plasmon; SP)은 유전 상수의 실수항이 서로 반대부호를 가지는 경계면을 따라 구속되어 진행하는 전하밀도의 진동파로서, 표면 전하 밀도 진동은 종방향 표면 구속파를 형성한다.Surface Plasmon (SP) is an oscillation wave of charge density that travels along a boundary where the real terms of the dielectric constants are opposite to each other, and the surface charge density oscillation forms a longitudinal surface constraint wave.

종방향 표면 구속파는 입사파의 전기장 성분이 경계면에 수직한 성분으로 TM모드 (Transverse Magnetic Mode)만이 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤을 여기(excitation) 및 도파(導波)시킬 수 있다.The longitudinal surface restraint wave is a component in which the electric field component of the incident wave is perpendicular to the interface, and only TM mode (Transverse Magnetic Mode) can excite and wave the long-distance surface plasmon polaritone.

이러한 금속 선 광도파로는 미세 사이즈 예를 들면, 두께 5 내지 200 ㎚정도와 폭 2 내지 100 ㎛ 정도 사이즈의 금속선을 가지고 광신호를 충분히 전달할 수 있다.Such a metal line optical waveguide can sufficiently transmit an optical signal with a metal wire having a fine size, for example, a thickness of about 5 to 200 nm and a width of about 2 to 100 μm.

도 8b는 자유 전자의 분극이 적절하게 형성되어 광신호가 원활하게 전송되는 상태를 보여주고 있으며, 도 8c는 자유 전자의 분극이 부적절하게 형성되어 광 신호 전송이 원활하지 못한 상태를 보여준다.FIG. 8B illustrates a state in which polarization of free electrons is properly formed and thus an optical signal is smoothly transmitted. FIG. 8C illustrates a state in which optical signal transmission is not smoothly formed due to improper polarization of free electrons.

즉, 자유 전자의 분극을 통해 x축 방향의 TM 모드(Ex)가 비대칭(antisymmetry) 상태일 때, 광전송이 원활하게 일어나다.That is, light transmission occurs smoothly when the TM mode Ex in the x-axis direction is asymmetrical through polarization of free electrons.

오른쪽 부분에 전송된 광신호의 인텐서티(intensity)가 개략적으로 표현되어 있는데, 도 8c에 비해 도 8b에서 광신호가 원활하게 전송되고 있음을 확인할 수 있다.Intensity of the optical signal transmitted to the right portion is schematically represented. It can be seen that the optical signal is smoothly transmitted in FIG. 8B compared to FIG. 8C.

한편, 금속선(metal) 상부 및 금속선 하부의 유전체(dielectric)의 유전율들(ε1 ,ε3)은 서로 다를 수 있으나 동일할 수도 있으며, 이러한 원리를 이용하여 동일한 유전체로 금속선을 둘러싸는 형태로 금속 선 광도파로를 형성할 수 있다.Meanwhile, the dielectric constants ε1 and ε3 of the dielectric above the metal wire and the metal wire below the metal wire may be different from each other, but may also be the same. By using this principle, the metal wire light may be surrounded by the same dielectric. A waveguide can be formed.

본 발명은 또한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다.The invention can also be embodied as computer readable code on a computer readable recording medium. The computer-readable recording medium includes all kinds of recording devices in which data that can be read by a computer system is stored.

컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광데이터 저장장치 등이 있으며, 또한 캐리어 웨이브(예를 들어 인터넷을 통한 전송)의 형태로 구현되는 것도 포함한다. 또한 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다.Examples of computer-readable recording media include ROM, RAM, CD-ROM, magnetic tape, floppy disk, optical data storage, and the like, and may also be implemented in the form of a carrier wave (for example, transmission over the Internet). Include. The computer readable recording medium can also be distributed over network coupled computer systems so that the computer readable code is stored and executed in a distributed fashion.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far I looked at the center of the preferred embodiment for the present invention. Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.

이처럼 본 발명에 의한 광전버스 모듈은 자동적이고 효율적이며 고속, 고집적화된 멀티칩 대 멀티칩의 광통신 및 전기통신 및 정밀하고 효율적인 광결합을 제공한다.As such, the optical bus module according to the present invention provides automatic, efficient, high speed, highly integrated multichip to multichip optical communication and telecommunication, and precise and efficient optical coupling.

Claims (20)

유전체 내부에 적어도 하나 이상의 광도파로가 삽입되어 있으며, 상기 유전체 하부로부터 상부로까지 스루홀(through hole) 구조로 형성되는 제1 결합부를 복수개 구비한 광전버스부; 및An optical bus part having at least one optical waveguide inserted into the dielectric and having a plurality of first coupling parts formed in a through hole structure from a lower portion of the dielectric to an upper portion thereof; And 상기 광전버스부의 상기 제 1 결합부와 전도성 가이드 핀으로 연결될 수 있도록 스루홀 구조로 형성된 제 2 결합부를 구비하고 있는 복수개의 리셉터클부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈.And a plurality of receptacle portions having a second coupling portion formed in a through-hole structure to be connected to the first coupling portion and the conductive guide pin of the photoelectric bus portion. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리셉터클부는 전기 신호를 발생시키는 반도체칩이 실장된 기판 위에 형성된 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈.And the receptacle portion is formed on a substrate on which a semiconductor chip for generating an electrical signal is mounted. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제2결합부는 상기 제2결합부의 스루홀 내부에 형성되어 상기 반도체 칩에서 발생된 전기신호를 전달하는 제2전기배선을 포함하고,The second coupling part includes a second electrical wiring formed in the through hole of the second coupling part to transfer an electrical signal generated from the semiconductor chip. 상기 제1결합부는 상기 제1결합부의 스루홀 내부에서 상기 유전체 하부로 연결되어 상기 전도성 가이드 핀에 의해 상기 제2전기배선과 전기적으로 결합되는 제1전기배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈.The first coupling part includes a first electrical wiring connected to the lower portion of the dielectric in the through hole of the first coupling part and electrically coupled to the second electrical wiring by the conductive guide pin. . 제 2항에 있어서, 상기 리셉터클부는The method of claim 2, wherein the receptacle portion 상부에 광전소자를 실장할 수 있으며, 내부에 상기 광전소자 및 상기 반도체 칩 사이의 전기신호를 전달하는 제 3 전기배선이 확장되어 형성된 벤치부를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈.The opto-bus module, characterized in that it further includes a bench portion that can be mounted on the optoelectronic device, the third electrical wiring is extended to transfer the electrical signal between the optoelectronic device and the semiconductor chip therein. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광도파로는 광신호가 전달되는 하나 이상의 금속 선 및 상기 금속 선을 둘러싸는 고분자 광학재료를 포함하는 금속광도파로인 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈.And the optical waveguide is a metal optical waveguide including at least one metal line through which an optical signal is transmitted and a polymer optical material surrounding the metal line. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 금속광도파로는 두께가 5 내지 200 ㎚ 이고, 폭이 2 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈.The metal optical waveguide has a thickness of 5 to 200 nm, a width of 2 to 100 ㎛ optobus module. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 금속광도파로는 플렉서블(flexible)한 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈.And the metal optical waveguide is flexible. 제 1항에 있어서, 상기 광전버스부는According to claim 1, wherein the optical bus unit 상기 유전체의 좌우측면에 45도 반사경이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈.Opto-bus module comprising a 45 degree reflector is formed on the left and right sides of the dielectric. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 45도 반사경 하부에는 수직 광신호의 편광 특성 조절을 위한 편광기가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈.And a polarizer for adjusting the polarization characteristic of the vertical optical signal under the 45 degree reflector. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 45도 반사경 하부에는 수직 광신호의 집광을 위한 렌즈가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈.And a lens for condensing a vertical optical signal under the 45 degree reflector. 유전체 내부에 적어도 하나 이상의 광도파로가 삽입하고, 상기 유전체 하부로부터 상부로까지 스루홀(through hole) 구조로 형성되는 제1 결합부를 복수개 구비하는 광전버스구성단계;An optical bus construction step of inserting at least one optical waveguide into a dielectric, and having a plurality of first coupling parts formed in a through hole structure from a lower portion of the dielectric to an upper portion thereof; 상기 제 1 결합부와 전도성 가이드 핀으로 연결될 수 있도록 스루홀 구조로 반도체 칩이 실장되는 기판위에 제 2 결합부를 형성하는 리셉터클구성단계; 및A receptacle forming step of forming a second coupling portion on a substrate on which a semiconductor chip is mounted in a through hole structure so as to be connected to the first coupling portion and a conductive guide pin; And 상기 광도파로가 광전소자에 수직 및 수평 광정렬되도록 상기 제 1 결합부 및 제 2 결합부를 상기 전도성 가이드 핀으로 연결하는 연결단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈 제작방법.And connecting the first coupling part and the second coupling part with the conductive guide pins such that the optical waveguide is vertically and horizontally aligned with the optoelectronic device. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제2결합부의 스루홀 내부에 형성되어 상기 반도체 칩에서 발생된 전기신호를 전달하는 제2전기배선을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈 제작방법.And forming a second electrical wiring formed in the through hole of the second coupling part to transfer an electrical signal generated from the semiconductor chip. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1결합부의 스루홀 내부에서 상기 유전체 하부로 연결되고, 상기 전도성 가이드 핀에 의해 상기 제2전기배선과 전기적으로 결합되는 제1전기배선을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈 제작방법.And forming a first electrical wiring connected to the lower portion of the dielectric inside the through hole of the first coupling portion and electrically coupled to the second electrical wiring by the conductive guide pin. How to make a module. 제 11항에 있어서, 상기 리셉터클구성단계는The method of claim 11, wherein the receptacle configuration step 상부에 상기 광전소자를 실장할 수 있는 벤치부를 구성하고, 상기 벤치부 내부에 상기 광전소자 및 상기 반도체 칩 사이의 전기신호를 전달하는 제 3 전기배선이 확장하여 형성하는 벤치부구성단계;를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈 제작방법.A bench unit configured to form a bench unit capable of mounting the optoelectronic device on an upper portion of the bench unit, wherein a third electric wiring for transmitting an electrical signal between the optoelectronic device and the semiconductor chip is formed to be extended; Optobus module manufacturing method comprising a. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 광도파로는 광신호가 전달되는 하나 이상의 금속 선 및 상기 금속 선을 둘러싸는 고분자 광학재료를 포함하는 금속광도파로인 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈 제작방법.And the optical waveguide is a metal optical waveguide including at least one metal line through which an optical signal is transmitted and a polymer optical material surrounding the metal line. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 금속광도파로는 두께가 5 내지 200 ㎚ 이고, 폭이 2 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈 제작방법.The metal optical waveguide has a thickness of 5 to 200 nm, the width of the optical bus module manufacturing method, characterized in that 2 to 100 ㎛. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 금속광도파로는 플렉서블(flexible)한 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈 제작방법.And the metal optical waveguide is flexible. 제 11항에 있어서, 상기 광전버스구성단계는12. The method of claim 11, wherein the optoelectronic bus configuration step 상기 유전체의 좌우측면에 45도 반사경을 형성하는 반사경형성단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈 제작방법.And a reflector forming step of forming a 45 degree reflector on the left and right side surfaces of the dielectric. 제 18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 45도 반사경 하부에 수직 광신호의 편광 특성 조절을 위한 편광기를 더 부착하는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈 제작방법.And a polarizer for adjusting the polarization characteristic of the vertical optical signal under the 45 degree reflector. 제 18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 45도 반사경 하부에 수직 광신호의 집광을 위한 렌즈를 더 부착하는 것을 특징으로 하는 광전버스 모듈 제작방법.And a lens for condensing a vertical optical signal under the 45 degree reflector.
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