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KR100906956B1 - 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR100906956B1
KR100906956B1 KR1020020076643A KR20020076643A KR100906956B1 KR 100906956 B1 KR100906956 B1 KR 100906956B1 KR 1020020076643 A KR1020020076643 A KR 1020020076643A KR 20020076643 A KR20020076643 A KR 20020076643A KR 100906956 B1 KR100906956 B1 KR 100906956B1
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윤영남
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삼성전자주식회사
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Abstract

반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 액정 표시 장치는 제1 기판 상에 컬러필터와 공통 전극이 형성된 상부 기판, 제2 기판상에 스위칭 소자, 스위칭 소자상에 형성된 유기 절연막, 유기 절역막의 상면에 투명 전극, 투명 전극상에 형성된 화소 전극을 포함하고, 공통 전극과 화소 전극이 마주보도록 상부 기판과 결합하는 하부 기판 및 하부 기판과 상기 상부 기판과의 사이에 주입된 액정층을 포함하고, 유기 절연막은 스위칭 소자에 대응하는 오목부와, 볼록부를 갖는다. 따라서, 투명 전극에 반사된 광이 스위칭 소자의 채널부에 조사되는 것을 방지하여 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
Figure R1020020076643
반사-투과형 액정표시장치, 유기 절연막, 오목(concave)부

Description

반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법{TRANS-REFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
도 1은 종래 반사-투과형 액정표시장치의 프로파일의 일부분을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반사-투과형 액정 표시 장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2에서 표시된 원부분을 도시한 확대도이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 실시예에 의한 반사-투과형 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 상부기판 110 : 제2 기판
120 : 컬러필터 130 : 블랙 매트릭스
140 : 공통 전극 150 : 제1 배향막
200 : 하부 기판 220 : 박막 트랜지스터
260 : 제1 기판 280 : 유기 절연막
282 : 투과 전극 283 : 반사 전극
285 : 제2 배향막 300 : 액정층
본 발명은 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 품질을 향상시킬 수 있는 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
오늘날과 같은 정보화 사회에 있어서 디스플레이 장치의 역할은 갈수록 중요해지며, 각종 디스플레이장치가 다양한 산업 분야에 광범위하게 사용되고 있다. 반도체 기술의 급속한 진보에 의해 각종 정보처리장치의 소형 및 경량화에 따라 디스플레이장치도 얇고 가벼우면서 또한, 저소비 전력의 특징을 갖춘 액정 표시 장치가 광범위하게 사용되고 있다.
이러한, 액정 표시 장치는 외부로부터 발생된 제1 광을 제공받아 영상을 표시하는 반사형 액정 표시 장치와 자체적으로 생성된 제2 광을 제공받아 영상을 표시하는 투과형 액정 표시 장치로 구분된다. 최근에는, 전력의 소모를 줄이면서 고화질의 영상을 구현하기 위해 반사형 액정 표시 장치와 투과형 액정 표시 장치의 장점을 모두 살린 반사-투과형 액정 표시 장치가 개발되고 있다.
이와 같은, 반사-투과형 액정표시장치는 외부 광양이 풍부한 곳에서는 제1 광을 이용하는 반사모드에서 영상을 디스플레이하고, 외부 광양이 부족한 곳에서는 자체에 충전된 전기 에너지를 소모하여 생성된 제2 광을 이용하는 투과모드에서 영상을 디스플레이한다.
도 1에는 종래 반사-투과형 액정표시장치의 프로파일 일부분이 도시되어 있는데, 도 1을 참조하여 종래 반사-투과형 액정표시장치(50)의 문제점을 설명하기로 한다.
먼저, 반사-투과형 액정 표시 장치는 전체적으로 보아 제1 기판(20), 제1 기판(20)의 상면에 형성된 박막 트랜지스터(10), 박막 트랜지스터(10)의 상면에 형성된 유기 절연막(30), 유기 절연막(30)에 형성된 콘택홀(31), 상기 유기 절연막(30)의 상면에 증착된 투명 전극(32) 및 광을 반사시키는 화소 전극(33)을 갖는다.
이와 같은 종래 반사-투과형 액정표시장치는 박막트랜지스터(10) 상면에 도포되는 유기 절연막(30)의 패턴이 픽셀의 위치에 관계없이 볼록(convex)구조로 형성이 되어 있다. 이러한 볼록구조는 백라이트 유닛측에서 관측할 경우 오목(concave)구조가 된다. 즉, 백라이트 유닛에서 올라온 빛은 오목 구조로 형성된 요철에 의하여 도 1에서 도시된 바와 같이 광이 특정 방향으로 모이는 현상이 일어난다. 특히 박막 트랜지스터 채널위에 형성된 요철은 광을 채널로 조사시켜 박막 트랜지스터의 포토 쿼런트(photo current)를 증가되어 액정 표시 장치의 표시 품질이 떨어지는 문제점을 일으킨다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 백라이트 유닛에서 발생한 빛 중 일부 반사광이 박막 트랜지스터 채널에 조사되는 현상을 방지하기 위한 액정 표시 장치를 제공함에 있다.
또한, 상기의 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 목적을 구현하기 위한 액정 표시 장치는, 제1 기판 상에 컬러필터와 공통 전극이 형성된 상부 기판, 제2 기판상에 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자상에 형성된 유기 절연막,상기 유기 절역막의 상면에 형성된 투명 전극, 상기 투명 전극상에 형성된 화소 전극을 포함하고, 상기 공통 전극과 상기 화소 전극이 마주보도록 상기 상부 기판과 결합하는 하부 기판 및 상기 하부 기판과 상기 상부 기판과의 사이에 주입된 액정층을 포함하고, 상기 유기 절연막은 스위칭 소자에 대응하는 오목부와, 볼록부를 가지며, 상기 오목부는 상기 투명전극으로부터의 반사광이 상기 스위칭 소자의 채널부에 조사되는 것을 방지하기 위해 상부 기판에 대하여 오목한 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 목적을 구현하기 위한 액정 표시 장치의 제조 방법은, 제1 기판 상에 컬러필터와 공통 전극을 형성하여 상부 기판을 형성하는 단계, 제2 기판상에 스위칭 소자를 형성하는 단계, 상기 스위칭 소자를 포함하여 상기 제2 기판상에 상기 스위칭 소자와 대응하는 오목부와 볼록부를 갖는 유기 절연막을 형성하는 단계, 상기 유기 절역막의 상면에 투명 전극을 형성하는 단계 및 상기 투명 전극상에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
구체적으로, 상기 유기 절연막을 형성하는 단계는, 상기 기판상에 유기물질로 이루어지는 박막을 도포하는 단계, 상기 박막이 도포된 결과물상에 상기 볼록부에 대응하는 부분은 닫히고, 상기 오목부와 연결부는 열리는 패턴을 갖는 마스크를 위치시키는 단계, 상기 마스크가 위치하는 결과물에 광을 조사하는 단계 및 상기 광이 조사된 박막을 현상하여 상기 유기 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 박막 트랜지스터 채널 위에 요철을 오목한 형상으로 채용함으로써, 광이 상기 채널로 조사되지 않도록 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반사-투과형 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2 는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반사-투과형 액정 표시 장치(600)의 구조를 설명하기 위한 프로파일이고, 도 3 은 도 2에서 표시된 원 부분을 구체적으로 도시한 확대도이다.
도 2, 도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반사-투과형 액정 표시 장치는 전체적으로 보아 상부 기판(100), 하부 기판(200), 상부 기판(100)과 하부 기판(200)사이에 주입된 액정층(300)으로 이루어진다.
상부 기판(100)은 제2 기판(110)상에 R(Red).G(Green).B(Blue)색화소로 이루어진 컬러필터(120)와, 블랙 매트릭스(Black Matrix: BM)(130)와, 공통 전극(140)과, 제1 배향막(150)이 형성된 기판이다.
구체적으로, 제2 기판(110)상에는 통과되는 광에 의해 소정의 색으로 발현되는 색화소인 RGB 화소와 RGB 각각의 색화소 사이에 형성되어 콘스트라스트비(Contrast Ratio:C/R)를 높이기 위한 블랙 매트릭스층(130)이 박막공정에 의해 형성된다. 그 위로 인듐 옥사이드(Indium Tin Oxide; 이하, ITO) 또는 인듐 징크옥사이드(Indium Zinc Oxide; 이하, IZO)로 이루어진 공통 전극(140)이 도포되고, 공통 전극(140)상에는 일정 방향으로 러빙된 제1 배향막(150)이 형성된다.
한편, 하부 기판(200)은 제1 기판(260)상에 박막 트랜지스터(220)와, 유기 절연막(280)과, 투과 전극(282)과 반사 전극(283)으로 이루어진 화소 전극과, 제2 배향막(285)이 형성된 기판이다. 여기서, 도면상에는 박막 트랜지스터만을 도시하였으나, 스토리지 캐패시터는 그 도시를 생략하였다.
구체적으로, 제1 기판(260), 제1 기판(260)의 상면에 형성된 박막 트랜지스터(220), 박막 트랜지스터(220)의 상면에 형성된 유기 절연막(280), 유기 절연막(280)에 형성된 콘택홀(281), 상기 유기 절연막(280)의 상면에 증착된 투명 전극(282) 및 광을 반사시키는 반사 전극(283)을 갖는다.
구체적으로, 첨부된 도 2, 도 3을 참조하면, 투명한 제1 기판(260)상에는 박막 트랜지스터(220)가 형성된다.
박막 트랜지스터(220)는 다시 게이트 전극(221), 소오스 전극(225) 및 드레인 전극(226), 게이트 전극(221)으로부터 소오스 전극(225) 및 드레인 전극(226)을 절연시키는 절연막(222), 게이트 전극(221)에 전원이 인가됨에 따라 소오스 전극(225)으로부터 드레인 전극(226)으로 전원이 인가되도록 하는 반도체층(223, 224)으로 구성된다.
이와 같은 구성을 갖는 박막 트랜지스터(220)는 제 1 기판(260) 상에 적어도 1 개 이상이 매트릭스 형태로 배열된다.
이때, 매트릭스 형태로 배열된 박막 트랜지스터(220)들 중 각 행(column)에 속하는 모든 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 공통 게이트 라인(common gate line)에 의하여 게이트 전원이 인가된다.
즉, 매트릭스 형태로 배열된 박막 트랜지스터들은 공통 게이트 라인에 의하여 행 단위로 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)된다.
한편, 매트릭스 형태로 배열된 박막 트랜지스터들 중 각 열(row)에 속하는 모든 박막 트랜지스터의 소오스 전극은 공통 데이터 라인(common data line)에 의하여 데이터 전원이 인가된다.
즉, 매트릭스 형태로 배열된 모든 박막 트랜지스터의 소오스 전극에는 공통 데이터 라인에 인가된 전원이 인가된다.
이와 같이 모든 박막 트랜지스터의 소오스 전극에 원하는 전압이 인가된 상태에서 선택된 어느 하나의 공통 게이트 라인에 턴-온 전압이 인가됨으로써 매트릭스 형태로 배열된 박막 트랜지스터들 중 선택된 하나의 행에 속한 박막 트랜지스터에는 소오스 전극으로부터 반도체층을 경유하여 드레인 전극으로 전원이 출력된다.
이처럼 드레인 전극으로 출력된 전원은 액정(Liquid Crystal)이 구동되어 디스플레이가 수행될 수 있도록 한다.
이때, 드레인 전극(226)에 투명한 전극이 형성될 경우, 투과 방식에 의하여 디스플레이를 수행할 수 있고, 드레인 전극(226)에 반사율이 뛰어난 메탈로 전극을 형성할 경우, 반사 방식에 의하여 디스플레이를 수행할 수 있으며, 드레인 전극(226)에 투명한 전극 및 메탈 전극을 모두 형성할 경우 반사-투과 방식에 의하여 디스플레이를 수행할 수 있다.
본 발명에서는 반사-투과 방식으로 디스플레이를 수행하기 위하여 일실시예로 박막 트랜지스터(220)의 드레인 전극(226)에 투명한 전극 및 메탈 전극이 모두 형성된다.
이때, 드레인 전극(226)과 동일한 레이어(layer)에는 소오스 전극(225)도 함께 형성되어 있음으로 드레인 전극(226)에만 투명한 전극 및 메탈 전극이 접촉되도록 하기 위해서 박막 트랜지스터(220)의 상면에는 소정 두께로 유기 절연막(280)이 형성된다.
이때, 상기 유기 절연막(280) 오목부(A)와, 볼록부를 가지며, 상기 오목부(A)는 반사광이 상기 박막 트랜지스터(220) 채널부에 조사되는 것을 방지하기 위해 오목한 형상을 갖는다.
여기서, 상기 오목부의 지름은 도면에서 도시한 바와 같이 가상의 원을 상정하였을 때의 상기 원의 지름으로, 상기 반사광이 상기 박막 트랜지스터(220) 채널부에 조사되지 않도록 하기 위하여 상기 채널 길이(C)를 충분히 커버할수 있는 정도여야 한다. 구체적으로, 상기 오목부의 지름(R)은 상기 채널의 길이에 대하여 2:1 정도의 비율을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 대부분의 박막 트랜지스터(220)의 채널 길이가 3㎛내지 5㎛이므로, 오목부의 지름은 상기 채널 길이를 충분히 커버할 수 있는 수준인 6㎛내지 10㎛이상 길이를 가진다.
따라서, 반사-투과형 액정 표시 장치(600)는 도 3에서 도시된 바와 같이, 상기 반사광이 상기 박막 트랜지스터(220)의 채널부외의 부분으로 조사될수 있다.
유기 절연막(280)에는 박막 트랜지스터(220)의 드레인 전극(226)을 개구시키 기 위한 콘택홀(281)이 형성되어 있다.
유기 절연막(280)상에는 콘택홀(281)을 통해 박막 트랜지스터의 드레인 전극(226)과 접촉되는 화소 전극(282, 283)이 형성된다. 구체적으로, 유기 절연막(280)상에는 ITO 또는 IZO로 이루어진 투명 전극(282)이 균일한 두께로 적층되고, 투명 전극(282)위로 투명 전극(282)을 개구시키는 투과창(284)이 형성된 반사 전극(283)이 균일한 두께로 적층된다. 이때, 반사 전극(283)에는 반사율이 뛰어난 금속 물질이 사용된다.
이때, 투명 전극(282)은 유기 절연막(280)상에 균일한 두께로 적층되기 때문에 유기 절연막(280)과 동일한 구조를 갖는다. 즉, 유기 절연막(280)의 형상이 위에서 살펴본 대로 볼록과 오목의 형상을 가지는 요철구조이므로, 투명 전극(282)의 형상 역시 그러하다.
이후, 투명 전극(282)상에 적층되는 반사 전극(283)은 균일한 두께로 적층되기 때문에 투명 전극(282)과 동일한 표면 구조를 갖는다. 그리고 반사 전극(283)과 투과창(284)상에 제2 배향막(285)이 더 형성된다.
다음, 상부 기판(100)은 공통 전극(140)이 화소 전극(282, 283)과 마주보도록 하부 기판(200)과 대향하여 결합된다. 이와 같이, 상부 기판(100)과 하부 기판(200)과의 사이에 액정층(300)이 주입된다. 이로써, 반사-투과형 액정 표시 장치(600)가 완성된다.
이하, 도 2에 도시된 반사-투과형 액정 표시 장치(600)의 하부 기판(200)의 제조 공정을 설명하기로 한다.
도 4a 내지 도4f는 본 발명의 실시예에 의한 반사-투과형 액정 표시 장치의 보다 구체적인 제조 방법을 도시한 도면이다. 여기서, 도 1에 도시한 부분중 동일한 부분은 동일한 도면 부호를 사용한다.
도 4a를 참조하면, 투명한 제1 기판(260)의 전면적에 걸쳐 스퍼터링 공정등을 통하여 소정 두께를 갖는 게이트 박막(230)이 형성된다.
이때, 게이트 박막(230)을 이루는 물질로는 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디뮴 합금(Al-Nd alloy), 크롬(Cr) 등이 사용될 수 있다.
게이트 박막(230)으로 순수 알루미늄을 사용할 경우, 공정 온도 설정에 신중을 기하지 않으면, 힐락(hill rock)과 같은 트러블이 발생될 수 있음으로 공정 온도 설정에 신중을 기하도록 한다.
이처럼 알루미늄-네오디뮴 합금 및 크롬을 이용한 게이트 박막(230)을 이용할 경우 낮은 전기 저항 및 높은 강도를 갖는 게이트 전극(221)을 얻을 수 있다.
첨부된 도 4b를 참조하면, 제 1 기판(260)에 형성된 게이트 박막(230)은 포토레지스트 도포 공정, 제 1 패턴 마스크(미도시)를 이용한 사진 공정, 노광 공정, 식각 공정을 통하여 패터닝되어 게이트 전극(221)이 형성된다.
이후, 첨부된 도 4c에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(221)이 포함되도록 제 1 기판(260)에는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정 등에 의하여 박막들이 연속 증착된다.
구체적으로, 게이트 전극(221)이 형성된 제 1 기판(100)에 순차적으로 증착되는 박막들은 게이트 절연막(222), 제 1, 제 2 반도체막(223, 224) 및 소오스/드 레인 전극 형성용 메탈막(227)이다.
보다 구체적으로, 게이트 절연막(222)은 게이트 전극(221)이 포함되도록 제 1 기판(260)의 전면적에 형성되는 투명 박막으로 질화 실리콘(SiNx) 재질로 약 4500Å 정도의 박막 두께를 갖는다.
한편, 이 게이트 절연막(222)의 상면에는 전면적에 걸쳐 제 1 반도체막(223)이 형성된다. 제 1 반도체막(223)은 아몰퍼스 실리콘 재질로 약 2000Å 정도의 두께를 갖도록 형성된다.
이 제 1 반도체막(223)은 게이트 전극(221)에 전원이 인가될 경우, 후술될 소오스 전극으로부터 드레인 전극으로 전원이 공급되도록 하는 채널 역할을 한다.
이어서, 제 1 반도체막(223)의 상면에는 전면적에 걸쳐 다시 제 2 반도체막(224)이 형성된다. 제 2 반도체막(224)은 아몰퍼스 실리콘에 n+ 물질이 이온 도핑된 n+ 아몰퍼스 실리콘 재질이 약 500Å 정도의 두께를 갖도록 형성된다.
한편, 제 2 반도체막(224)의 상면에는 다시 소오스-드레인 전극 형성용 메탈막(227)이 형성되는데, 소오스-드레인 전극 형성용 메탈막(227)은 스퍼터링 방식에 의하여 약 1500Å 두께를 갖는 크롬으로 형성된다.
이후, 도 4d 에 도시된 바와 같이 게이트 전극(221)의 상면에 형성된 게이트 절연막(222), 제 1, 제 2 반도체막(223, 224), 소오스/드레인 전극 형성용 메탈막(227)은 소정 형상으로 패터닝된다.
이후, 드레인 전극(225) 및 소오스 전극(226)이 형성되는 과정에서 외부로 노출된 제 2 반도체막(224)은 소오스 전극(226) 및 드레인 전극(225)을 마스크로 하여 식각되어 박막 트랜지스터(220)가 제작된다.
또한, 박막 트랜지스터(220)가 형성된 제 1 기판(260)의 상면에는 전면적에 걸쳐 유기 절연막(280)이 후박하게 형성된다.
이 유기 절연막(280)은 후술될 투과 전극 및 반사 전극이 드레인 전극(225) 이외의 도전성 패턴, 예를 들면, 소오스 전극(226) 등과 쇼트 되지 않도록 하기 위함이다. 이때, 유기 절연막(280)은 절연성이면서 광이 투과될 수 있도록 투명해야 한다. 이를 만족시키기 위해서, 유기 절연막(280)은 투명한 절연물질인 벤조 사이클릭 부텐(benzo cyclic butene) 물질로 구성된다.
이후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 유기 절연막(280)의 요철 형성을 위한 마스크가 위치된다. 마스크(700)는 박막 트랜지스터에 대응되는 부분(710)이 개구되고, 나머지 부분에는 일정한 패턴으로 개구된 슬릿을 갖는다. 유기 절연막(280)의 요철을 박막 트랜지스터(220)에 대응하는 부분은 오목(concave)한 형상을 가지고, 그 외의 부분은 볼록(convex)한 형상을 가지도록 마스크(700)를 제작하여야 한다. 즉, 오목(concave)한 형상을 구현하기 위하여 중심부를 넓게 개구하고 그 주변부도 점점 좁아지는 슬릿을 가지는 마스크(700)가 필요하다.
이후, 도 4f에 도시된 바와 같이 마스크(700) 위치시키고, 노광, 현상등의 과정을 거처 유기 절연막(280) 요철을 형성한다.
이러한 유기 절연막(280) 요철에서 박막 트랜지스터(220) 대응되는 부분에 완만한 오목(concave)형상을 가지게 하기 위해서는 도 4e에서 구비하는 마스크(700)의 슬릿이 정밀하게 구현되어져야 한다.
여기서, 박막 트랜지스터(220)의 채널 부분과 유기 절연막(280)의 오목(concave)한 부분의 지름의 비가 1:2 정도로 설정하는 것이 바람직하다.
이후의 공정은 도면에 도시하지는 않았지만, 유기 절연막의 상면에는 소정 두께를 갖는 포토레지스트 박막이 스핀 코팅등의 방법으로 형성되고, 사진/식각 공정에 의하여 포토레지스트 박막 중 박막 트랜지스터의 드레인 전극부분에 해당하는 부분이 제거되어 콘택홀이 형성된다.
이후, 유기 절연막에는 도전성이면서 투명한 ITO 물질 또는 IZO 물질로 투과 전극이 소정 두께를 갖도록 증착된다. 이때, 투과 전극의 일부는 콘태홀에 의하여 노출된 박막 트랜지스터의 트랜지스터에도 증착되어, 드레인 전극으로부터 출력된 전원이 인가된다.
이 투과 전극은 반사-투과형 액정 표시 장치가 투과 모드에서 디스플레이를 수행하도록 하기위하여 유기 절연막의 상면에 형성된다.
이후, 스퍼터링 방식에 의하여 유기 절연막의 상면중에 반사전극이 형성된다.
이로써, 외부에서 공급된 광은 반사 전극의 요철에 반사되어 액정을 통과하여 고휘도 디스플레이가 가능하고, 하부 기판의 밑면에서 유기 절연막을 경유하여 투과 전극을 통과한 광을 이용하여 디스플레이가 가능하다.
이와 같은 방법에 의하여 제조된 하부 기판에는 RGB 화소 및 공통 전극이 형성된 상부 기판이 결합되고, 상부 기판과 하부 기판이 결합된 상태에서 제1, 제2 기판의 사이에는 액정이 주입되어 반사-투과형 액정 표시 장치가 제조된다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 박막 트랜지스터 상면에 도포되는 유기 절연막의 요철형상을 박막 트랜지스터에 대응되는 부분은 상부 기판에서 보아 오목한 구조로 구비함으로써, 백라이트 유닛에서 발생된 광중 일부 반사광이 박막 트랜지스터 채널부에 조사되는 것을 방지할 수 있다.
이상 본 발명은 상기 실시예에 의해 설명하였지만, 본 발명은 이에 의해 제한되는 것은 아니고, 당업자가 통상의 지식의 범위내에서 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다.

Claims (6)

  1. 제1 기판 상에 컬러필터와 공통 전극이 형성된 상부 기판;
    제2 기판상에 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자상에 형성된 유기 절연막,상기 유기 절역막의 상면에 형성된 투명 전극, 상기 투명 전극상에 형성된 화소 전극을 포함하고, 상기 공통 전극과 상기 화소 전극이 마주보도록 상기 상부 기판과 결합하는 하부 기판; 및
    상기 하부 기판과 상기 상부 기판과의 사이에 주입된 액정층을 포함하고,
    상기 유기 절연막은 스위칭 소자에 대응하는 오목부와, 볼록부를 가지며, 상기 오목부는 상기 투명전극으로부터의 반사광이 상기 스위칭 소자의 채널부에 조사되는 것을 방지하기 위해 상부 기판에 대하여 오목한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자의 채널 길이와 상기 오목부의 지름의 비율이 약 1:2 인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 오목부의 유기 절연막 두께는 상기 볼록부의 유기 절연막 두께보다 얇고, 상기 화소 전극이 형성된 영역의 유기 절연막의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제1 기판 상에 컬러필터와 공통 전극을 형성하여 상부 기판을 형성하는 단계;
    제2 기판상에 스위칭 소자를 형성하는 단계;
    상기 스위칭 소자를 포함하여 상기 제2 기판상에 상기 스위칭 소자와 대응하는 오목부와 볼록부를 갖는 유기 절연막을 형성하는 단계;
    상기 유기 절역막의 상면에 투명 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 투명 전극상에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유기 절연막을 형성하는 단계는,
    상기 기판상에 유기물질로 이루어지는 박막을 도포하는 단계;
    상기 박막이 도포된 결과물상에 상기 볼록부에 대응하는 부분은 닫히고, 상기 오목부와 연결부는 열리는 패턴을 갖는 마스크를 위치시키는 단계;
    상기 마스크가 위치하는 결과물에 광을 조사하는 단계; 및
    상기 광이 조사된 박막을 현상하여 상기 유기 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시 장치의 제조방법.
  6. 제4 항에 있어서, 상기 스위칭 소자의 채널 길이와 상기 오목부의 지름의 비율이 약 1:2 로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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