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KR100893482B1 - Organic light emitting display device and driving method thereof - Google Patents

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KR100893482B1
KR100893482B1 KR1020070084730A KR20070084730A KR100893482B1 KR 100893482 B1 KR100893482 B1 KR 100893482B1 KR 1020070084730 A KR1020070084730 A KR 1020070084730A KR 20070084730 A KR20070084730 A KR 20070084730A KR 100893482 B1 KR100893482 B1 KR 100893482B1
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transistor
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권오경
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삼성모바일디스플레이주식회사
한양대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치는, 데이터선들, 주사선들, 발광 제어선들의 교차부마다 위치되는 다수의 화소들과; 상기 각 화소들에 구비되는 유기 발광 다이오드의 열화정보 및 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 센싱하기 위한 센싱부와; 상기 센싱부에서 센싱된 상기 유기 발광 다이오드의 열화정보 및 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 저장하고, 이를 이용하여 입력 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환하는 변환부와; 상기 변환부에서 출력되는 교정 데이터(Data')를 입력받아 공급될 데이터신호들을 생성하는 데이터 구동부가 포함됨을 특징으로 한다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes: a plurality of pixels positioned at each intersection of data lines, scan lines, and emission control lines; A sensing unit for sensing degradation information of the organic light emitting diode and mobility information of a driving transistor included in each pixel; A converter configured to store deterioration information of the organic light emitting diode and mobility information of a driving transistor sensed by the sensing unit, and convert input data into calibration data by using the same; And a data driver configured to generate data signals to be supplied by receiving calibration data Data 'output from the converter.

Description

유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법{Organic Light Emitting Display and Driving Method Thereof}Organic Light Emitting Display and Driving Method Thereof

본 발명은 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것으로, 특히 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 문턱전압/이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 한 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a driving method thereof, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of displaying an image having a uniform luminance regardless of degradation of an organic light emitting diode and threshold voltage / movement of a driving transistor. It relates to a driving method thereof.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display) 등이 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. The flat panel display includes a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, and an organic light emitting display.

평판 표시장치 중 유기전계발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시한다. 이러한, 유기전계발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점이 있다.Among flat panel displays, an organic light emitting display device displays an image using an organic light emitting diode that generates light by recombination of electrons and holes. Such an organic light emitting display device has an advantage of having a fast response speed and being driven with low power consumption.

도 1은 종래의 유기전계발광 표시장치의 화소를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a pixel of a conventional organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 종래의 유기전계발광 표시장치의 화소(4)는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 데이터선(Dm) 및 주사선(Sn)에 접속되어 유기 발광 다이오드(OLED)를 제어하기 위한 화소회로(2)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a pixel 4 of a conventional organic light emitting display device is connected to an organic light emitting diode OLED, a data line Dm, and a scanning line Sn to control the organic light emitting diode OLED. The pixel circuit 2 is provided.

유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극은 화소회로(2)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로(2)로부터 공급되는 전류에 대응하는 휘도로 발광한다.
화소회로(2)는 주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호에 대응하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류량을 제어한다. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the pixel circuit 2, and the cathode electrode is connected to the second power source ELVSS. The organic light emitting diode OLED emits light with luminance corresponding to the current supplied from the pixel circuit 2.
The pixel circuit 2 controls the amount of current supplied to the organic light emitting diode OLED in response to the data signal supplied to the data line Dm when the scan signal is supplied to the scan line Sn.

이를 위해, 화소회로(2)는 제 1전원(ELVDD)과 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 접속된 제 2트랜지스터(M2)와, 제 2트랜지스터(M2), 데이터선(Dm) 및 주사선(Sn)의 사이에 접속된 제 1트랜지스터(M1)와, 제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극과 제 1전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. To this end, the pixel circuit 2 includes a second transistor M2 connected between the first power supply ELVDD and the organic light emitting diode OLED, the second transistor M2, the data line Dm, and the scan line Sn. And a first capacitor M1 connected between the first transistor M1 and a storage capacitor Cst connected between the gate electrode and the first electrode of the second transistor M2.

제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극은 주사선(Sn)에 접속되고, 제 1전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단자에 접속된다. The gate electrode of the first transistor M1 is connected to the scan line Sn, and the first electrode is connected to the data line Dm. The second electrode of the first transistor M1 is connected to one terminal of the storage capacitor Cst.

여기서, 제 1전극은 소오스전극 및 드레인전극 중 어느 하나로 설정되고, 제 2전극은 제 1전극과 다른 전극으로 설정된다. 예를 들어, 제 1전극이 소오스전극으로 설정되면 제 2전극은 드레인전극으로 설정된다. 주사선(Sn) 및 데이터선(Dm)에 접속된 제 1트랜지스터(M1)는 주사선(Sn)으로부터 주사신호가 공급될 때 턴-온 되어 데이터선(Dm)으로부터 공급되는 데이터신호를 스토리지 커패시터(Cst)로 공급한다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터신호에 대응되는 전압을 충전한다. Here, the first electrode is set to any one of a source electrode and a drain electrode, and the second electrode is set to an electrode different from the first electrode. For example, when the first electrode is set as the source electrode, the second electrode is set as the drain electrode. The first transistor M1 connected to the scan line Sn and the data line Dm is turned on when a scan signal is supplied from the scan line Sn to receive a data signal supplied from the data line Dm to the storage capacitor Cst. ). In this case, the storage capacitor Cst charges a voltage corresponding to the data signal.

제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단자에 접속되고, 제 1전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 다른측단자 및 제 1전원(ELVDD)에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2)의 제 2전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다. The gate electrode of the second transistor M2 is connected to one terminal of the storage capacitor Cst, and the first electrode is connected to the other terminal of the storage capacitor Cst and the first power supply ELVDD. The second electrode of the second transistor M2 is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED.

이와 같은 제 2트랜지스터(M2)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압값에 대응하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다. 이때, 유기 발광 다이오드(OLED)는 제 2트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 생성한다. The second transistor M2 controls the amount of current flowing from the first power source ELVDD to the second power source ELVSS via the organic light emitting diode OLED in response to the voltage value stored in the storage capacitor Cst. In this case, the organic light emitting diode OLED generates light corresponding to the amount of current supplied from the second transistor M2.

하지만, 이와 같은 종래의 유기전계발광 표시장치는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 따른 효율변화에 의하여 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 없는 문제점이 있다. However, such a conventional organic light emitting display device has a problem in that it is impossible to display an image having a desired brightness due to a change in efficiency caused by deterioration of the organic light emitting diode OLED.

실제로, 시간이 지남에 따라서 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화되고, 이에 따라 동일한 데이터신호에 대응하여 점차적으로 낮은 휘도의 빛이 생성되는 문제점이 발생한다. 또한, 종래에는 화소들(4) 각각에 포함되는 구동 트랜지스터(M2)의 문턱전압/이동도의 불균일에 의하여 균일한 휘도의 화상을 표시하지 못하는 문제점이 있다. Indeed, as time goes by, the organic light emitting diode (OLED) deteriorates, thereby causing a problem in that light having a lower luminance is gradually generated in response to the same data signal. In addition, conventionally, there is a problem in that an image of uniform luminance cannot be displayed due to a nonuniformity of the threshold voltage / mobility of the driving transistor M2 included in each of the pixels 4.

따라서, 본 발명의 목적은 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 문턱전압/이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 한 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a driving method thereof capable of displaying an image having a uniform luminance irrespective of deterioration of an organic light emitting diode and threshold voltage / movement of a driving transistor.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기전계발광 표시장치는, 데이터선들, 주사선들, 발광 제어선들의 교차부마다 위치되는 다수의 화소들과; 상기 각 화소들에 구비되는 유기 발광 다이오드의 열화정보 및 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 센싱하기 위한 센싱부와; 상기 센싱부에서 센싱된 상기 유기 발광 다이오드의 열화정보 및 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 저장하고, 이를 이용하여 입력 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환하는 변환부와; 상기 변환부에서 출력되는 교정 데이터(Data')를 입력받아 공급될 데이터신호들을 생성하는 데이터 구동부가 포함됨을 특징으로 한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, an organic light emitting display device includes: a plurality of pixels positioned at intersections of data lines, scan lines, and emission control lines; A sensing unit for sensing degradation information of the organic light emitting diode and mobility information of a driving transistor included in each pixel; A converter configured to store deterioration information of the organic light emitting diode and mobility information of a driving transistor sensed by the sensing unit, and convert input data into calibration data by using the same; And a data driver configured to generate data signals to be supplied by receiving calibration data Data 'output from the converter.

또한, 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구동방법은, 화소들 각각에 포함되는 유기 발광 다이오드로 제 1전류를 공급하면서 제 1전압을 생성하는 제 1단계와; 상기 제 1전압을 제 1디지털값으로 변경하여 메모리에 저장하는 제 2단계와; 상기 화소들 각각에 포함되는 구동 트랜지스터를 경유하여 제 2전류를 싱크하면서 제 2전압을 생성하는 제 3단계와; 상기 화소들 각각에 포함되는 구동 트랜지스터를 경유하여 제 3전류를 싱크하면서 제 3전압을 생성하는 제 4단계와; 상기 제 2전압 및 제 3전압의 차에 해당되는 정보를 제 2디지털값으로 변경하여 메모리에 저장하는 제 5단계와; 상기 메모리에 저장된 정보를 이용하여 유기 발광 다 이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 입력 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환하는 제 6단계와; 상기 교정 데이터(Data')에 대응되는 데이터 신호가 데이터선으로 제공되는 제 6단계가 포함됨을 특징으로 한다.In addition, a method of driving an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a first step of generating a first voltage while supplying a first current to an organic light emitting diode included in each pixel; A second step of changing the first voltage to a first digital value and storing the first voltage in a memory; A third step of generating a second voltage while sinking a second current through a driving transistor included in each of the pixels; A fourth step of generating a third voltage while sinking a third current through a driving transistor included in each of the pixels; A fifth step of changing information corresponding to the difference between the second voltage and the third voltage into a second digital value and storing the information in a memory; A sixth step of converting the input data Data into the calibration data Data 'so as to display an image of a uniform brightness irrespective of deterioration of the organic light emitting diode and mobility of the driving transistor by using the information stored in the memory Wow; And a sixth step of providing a data signal corresponding to the calibration data Data 'to the data line.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구동방법은, 각 화소에 인가되는 제 1전류에 의해 측정되는 상기 각 화소 내의 유기 발광 다이오드 소자 전압의 변위를 측정하여 저장하는 단계와; 각 화소의 구동 트랜지스터를 경유하는 제 2전류 및 제 3전류를 순차적으로 싱크하여 이에 대응되는 제 2전압 및 제 3전압을 측정하며, 상기 제 2전압 및 제 3전압의 차를 저장하는 단계와; 상기 저장된 정보를 이용하여 입력 데이터(Data)에 대해 상기 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도 편차를 보상하도록 하는 교정 데이터(Data')로 변환하는 단계와; 상기 교정 데이터(Data')에 대응되는 데이터 신호가 표시기간(display time) 중 각 화소에 인가되며, 상기 표시기간 중 각 화소의 구동 트랜지스터는 초기화 과정을 통해 문턱전압이 화소 회로 내에서 자체적으로 보상되는 단계가 포함됨을 특징으로 한다.In addition, the method of driving an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention includes the steps of measuring and storing the displacement of the organic light emitting diode voltage in each pixel measured by the first current applied to each pixel; ; Sequentially sinking a second current and a third current through the driving transistor of each pixel to measure a second voltage and a third voltage corresponding thereto, and storing the difference between the second voltage and the third voltage; Converting the data into calibration data Data 'to compensate for deterioration of the organic light emitting diode and variation in mobility of a driving transistor with respect to input data using the stored information; A data signal corresponding to the calibration data Data 'is applied to each pixel during a display time, and the driving transistor of each pixel during the display period compensates for a threshold voltage in the pixel circuit through an initialization process. Characterized in that the step is included.

이와 같은 본 발명의 실시 예에 의하면, 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 문턱전압/이동도 편차와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있게 되는 장점이 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, an image having a uniform luminance can be displayed regardless of deterioration of the organic light emitting diode and variation in threshold voltage / mobility of the driving transistor.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings for those skilled in the art to easily implement the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치는 주사선들(S1 내지 Sn), 발광 제어선들(E1 내지 En), 감지선(CL1 내지 CLn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)과 접속되는 화소들(140)을 포함하는 화소부(130)와, 주사선들(S1 내지 Sn) 및 발광 제어선들(E1 내지 En)을 구동하기 위한 주사 구동부(110)와, 감지선들(CL1 내지 CLn)을 구동하기 위한 감지선 구동부(160)와, 데이터선들(D1 내지 Dm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(120)와, 주사 구동부(110), 데이터 구동부(120) 및 감지선 구동부(160)를 제어하기 위한 타이밍 제어부(150)를 구비한다. Referring to FIG. 2, the organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes scan lines S1 to Sn, emission control lines E1 to En, sensing lines CL1 to CLn, and data lines D1 to Dm. ), The pixel unit 130 including the pixels 140 connected to the second pixel, the scan driver 110 for driving the scan lines S1 to Sn, and the emission control lines E1 to En, and the detection lines CL1. Sensing line driver 160 for driving CLn to, data driver 120 for driving data lines D1 to Dm, scan driver 110, data driver 120, and sensing line driver 160. ), A timing controller 150 for controlling.

또한, 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치는 화소들(140) 각각에 포함되는 유기 발광 다이오드의 열화정보 및 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 추출하기 위한 센싱부(180)와, 센싱부(180)와 데이터 구동부(120)를 선택적으로 데이터선들(D1 내지 Dm)에 접속시키기 위한 스위칭부(170)와, 센싱부(180)에서 센싱된 정보를 저장하고, 이를 이용하여 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 입력 데이터를 변환하는 변환부(190)를 더 구비한다. In addition, the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention, the sensing unit 180 for extracting the degradation information of the organic light emitting diode and the mobility information of the driving transistor included in each of the pixels 140, the sensing unit A switching unit 170 for selectively connecting the data driver 120 and the data driver 120 to the data lines D1 to Dm, and the information sensed by the sensing unit 180, and using the same to store the information of the organic light emitting diode. A conversion unit 190 is further provided to convert input data to display an image having a uniform brightness regardless of degradation and mobility of the driving transistor.

화소부(130)는 주사선들(S1 내지 Sn), 발광 제어선들(E1 내지 En) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차부에 위치되는 화소들(140)을 구비한다. 화소들(140)은 외부로부터 제 1전원(ELVDD) 및 제 2전원(ELVSS)을 공급받는다. 이와 같은 화소들(140)은 데이터신호에 대응하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드를 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 공급되는 전류량을 제어한다. 그러면, 유기 발광 다이오드에서 소정 휘도의 빛이 생성된다. The pixel unit 130 includes pixels 140 positioned at intersections of the scan lines S1 to Sn, the emission control lines E1 to En, and the data lines D1 to Dm. The pixels 140 receive a first power source ELVDD and a second power source ELVSS from an external source. The pixels 140 control the amount of current supplied from the first power source ELVDD to the second power source ELVSS via the organic light emitting diode in response to the data signal. Then, light of a predetermined luminance is generated in the organic light emitting diode.

주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(150)의 제어에 의하여 주사선들(S1 내지 Sn)로 주사신호를 공급한다. 또한, 주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(150)의 제어에 의하여 발광 제어선들(E1 내지 En)로 발광 제어신호를 공급한다. The scan driver 110 supplies a scan signal to the scan lines S1 to Sn under the control of the timing controller 150. In addition, the scan driver 110 supplies the emission control signal to the emission control lines E1 to En under the control of the timing controller 150.

감지선 구동부(160)는 타이밍 제어부(150)의 제어에 의하여 감지선들(CL1 내지 CLn)로 감지신호를 공급한다. The sensing line driver 160 supplies a sensing signal to the sensing lines CL1 to CLn under the control of the timing controller 150.

데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(150)의 제어에 의하여 데이터선들(D1 내지 Dm)로 데이터신호를 공급한다. The data driver 120 supplies data signals to the data lines D1 to Dm under the control of the timing controller 150.

스위칭부(170)는 센싱부(180)와 데이터 구동부(120)를 선택적으로 데이터선들(D1 내지 Dm)에 접속한다. 이를 위하여 스위칭부(170)는 데이터선들(D1 내지 Dm) 각각과 접속되는(즉, 각각의 채널마다) 한 쌍의 스위칭 소자를 구비한다. The switching unit 170 selectively connects the sensing unit 180 and the data driver 120 to the data lines D1 to Dm. To this end, the switching unit 170 includes a pair of switching elements connected to each of the data lines D1 to Dm (that is, for each channel).

센싱부(180)는 화소들(140) 각각에 포함되는 유기 발광 다이오드의 열화정보를 추출하고, 추출된 열화정보를 변환부(190)로 공급한다. 또한, 센싱부(180)는 화소들(140) 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 추출하고, 추출된 이동도 정보를 변환부(190)로 공급한다. 이를 위해, 센싱부(180)는 데이터선들(D1 내지 Dm) 각각과 접속되는(즉, 각각의 채널마다) 센싱회로를 구비한다. The sensing unit 180 extracts degradation information of the organic light emitting diode included in each of the pixels 140 and supplies the extracted degradation information to the converter 190. In addition, the sensing unit 180 extracts mobility information of the driving transistor included in each of the pixels 140, and supplies the extracted mobility information to the converter 190. To this end, the sensing unit 180 includes a sensing circuit connected to each of the data lines D1 to Dm (that is, for each channel).

여기서, 상기 유기 발광 다이오드의 열화정보를 추출함은 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가된 후 영상이 표시되기 전의 제 1비표시기간에 수행됨이 바람직하다. 즉, 유기 발광 다이오드의 열화정보 추출은 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 수행될 수 있다.Here, the deterioration information of the organic light emitting diode is preferably extracted in a first non-display period after the power is applied to the organic light emitting display device and before the image is displayed. That is, extraction of degradation information of the organic light emitting diode may be performed whenever power is applied to the organic light emitting display.

이에 반해 상기 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 추출함은 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가된 후 영상이 표시되기 전의 제 2비표시기간에 수행될 수 있을 뿐 아니라, 최초 유기전계발광 표시장치가 제품으로 출하되기 전에 수행되어 그에 따른 이동도 정보가 제품 출하 시에 미리 설정된 정보로서 제공될 수 있다. 즉, 구동 트랜지스터의 이동도 정보추출은 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 수행되거나, 또는 제품 출하 전의 수행 결과가 미리 저장됨으로써, 전원이 인가될 때마다 상기 이동도 정보 추출을 수행하지 않고 상기 미리 저장된 정보를 이용할 수도 있다. On the other hand, extracting mobility information of the driving transistor may be performed not only in the second non-display period after the power is applied to the organic light emitting display device but before the image is displayed, and the first organic light emitting display device is manufactured. It is carried out before the shipment, and thus mobility information may be provided as preset information at the time of product shipment. That is, the mobility information extraction of the driving transistor is performed every time the power is applied to the organic light emitting display, or the performance result before shipment of the product is stored in advance, so that the mobility information is not extracted every time the power is applied. It is also possible to use the pre-stored information without.

변환부(190)는 센싱부(180)로부터 공급되는 열화정보 및 이동도 정보를 저장하는 것으로, 상기 변환부(190)는 모든 화소들에 포함되는 유기 발광 다이오드의 열화정보 및 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 저장한다. 이를 위하여, 변환부(190)는 메모리와, 상기 메모리에 저장된 정보를 이용하여 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 타이밍 제어부로부터 입력되는 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환하는 변환회로를 구비한다. The converter 190 stores deterioration information and mobility information supplied from the sensing unit 180, and the converter 190 deteriorates the degradation information of the organic light emitting diode and the mobility of the driving transistor included in all pixels. Save the information. To this end, the conversion unit 190 uses a memory and data input from the timing controller to display an image having a uniform luminance regardless of deterioration of the organic light emitting diode and mobility of the driving transistor using information stored in the memory ( And a conversion circuit for converting Data into calibration data Data '.

타이밍 제어부(150)는 데이터 구동부(120), 주사 구동부(110) 및 감지선 구동부(160)를 제어한다. The timing controller 150 controls the data driver 120, the scan driver 110, and the sensing line driver 160.

또한, 외부로부터 입력되어 타이밍 제어부(150)에서 출력되는 데이터(Data)는 상기 변환부(190)에 의해 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도 변위를 보상하도록 교정 데이터(Data')로 변환되어 데이터 구동부(120)로 공급된다. 그러면, 데이터 구동부(120)는 상기 변환된 교정 데이터(Data')를 이용하여 데이터신호를 생성하고, 생성된 데이터신호를 화소들(140)로 공급한다. In addition, data Data input from the outside and output from the timing controller 150 is converted into calibration data Data 'by the converter 190 to compensate for deterioration of the organic light emitting diode and mobility displacement of the driving transistor. And the data driver 120 is supplied to the data driver 120. Then, the data driver 120 generates a data signal using the converted calibration data Data 'and supplies the generated data signal to the pixels 140.

본 발명의 실시예의 경우 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도는 상기 센싱부(180) 및 변환부(190)에 의해 보상되며, 구동 트랜지스터의 문턱전압의 차이는 이하에서 설명되는 화소 구조 내에서 자체 보상됨을 특징으로 한다. In the exemplary embodiment of the present invention, the degradation of the organic light emitting diode and the mobility of the driving transistor are compensated by the sensing unit 180 and the converting unit 190, and the difference in the threshold voltage of the driving transistor is within the pixel structure described below. Self-compensated at

도 3은 도 2에 도시된 화소의 제 1실시예를 나타내고 있으며 설명의 편의성을 위하여 제 m데이터선(Dm) 및 제 n주사선(Sn)에 접속된 화소를 도시하기로 한다. 3 illustrates a first embodiment of the pixel illustrated in FIG. 2, and for convenience of description, the pixel connected to the m-th data line Dm and the n-th scan line Sn will be described.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1실시예에 의한 화소(140)는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급하기 위한 화소회로(142)를 구비한다. Referring to FIG. 3, the pixel 140 according to the first embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode OLED and a pixel circuit 142 for supplying current to the organic light emitting diode OLED.

유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극은 화소회로(142)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로(142)로부터 공급되는 전류에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the pixel circuit 142, and the cathode electrode is connected to the second power source ELVSS. The organic light emitting diode OLED generates light having a predetermined luminance in response to a current supplied from the pixel circuit 142.

화소회로(142)는 주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호를 공급받는다. 또한, 화소회로(142)는 감지선(CLn)으로 감지신호가 공급될 때 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보 또는 구동 트랜지스터(즉, 제 2트랜지스터(M2))의 이동도 정보를 센싱부(180)에 제공한다. 이를 위해, 화소회로(142)는 6개의 트랜지스터(M1 내지 M6) 및 2개의 커패시터(C1, C2)를 구비한다.The pixel circuit 142 receives a data signal supplied to the data line Dm when the scan signal is supplied to the scan line Sn. In addition, the pixel circuit 142 may detect deterioration information of the organic light emitting diode OLED or mobility information of the driving transistor (ie, the second transistor M2) when the sensing signal is supplied to the sensing line CLn. 180). To this end, the pixel circuit 142 includes six transistors M1 to M6 and two capacitors C1 and C2.

제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극은 주사선(Sn)에 접속되고, 제 1전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극은 제 1노드(A)에 접속된다. The gate electrode of the first transistor M1 is connected to the scan line Sn, and the first electrode is connected to the data line Dm. The second electrode of the first transistor M1 is connected to the first node A.

제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극은 제 2노드(B)에 접속되고, 제 1전극은 제 1전원(ELVDD)에 접속된다. The gate electrode of the second transistor M2 is connected to the second node B, and the first electrode is connected to the first power source ELVDD.

또한, 상기 제 1전원(ELVDD) 및 제 2노드(B) 사이에는 제 1 커패시터(C1)가 접속되고, 제 1노드(A)와 제 2노드(B) 사이에는 제 2커패시터(C2)가 접속된다. In addition, a first capacitor C1 is connected between the first power source ELVDD and the second node B, and a second capacitor C2 is connected between the first node A and the second node B. FIG. Connected.

이와 같은 제 2트랜지스터(M2)는 제 1 및 제 2커패시터(C1, C2)에 저장된 전압값에 대응하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다. 이때, 유기 발광 다이오드(OLED)는 제 2트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 생성한다. The second transistor M2 is transferred from the first power source ELVDD to the second power source ELVSS in response to the voltage values stored in the first and second capacitors C1 and C2 through the organic light emitting diode OLED. Control the amount of current flowing. In this case, the organic light emitting diode OLED generates light corresponding to the amount of current supplied from the second transistor M2.

제 3트랜지스터(M3)의 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속되고, 제 1전극은 제 2트랜지스터(M2)의 제 2전극에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3)의 제 2전극은 유기 발광 다이오드(OLED)에 접속된다. 이와 같은 제 3트랜지스터(M3)는 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급될 때(하이 레벨) 턴-오프되고, 발광 제어신호가 공급되지 않을 때(로우 레벨) 턴-온된다. 여기서, 발광 제어신호는 제 1 및 제 2커패시터(C1, C2)에 데이터신호에 대응되는 전압이 충전되는 기간(Programming period), 문턱전압이 저장되는 기간(Vth storing period) 유기 발 광 다이오드(OLED)의 열화정보가 센싱되는 기간(OLED degradation sensing period) 동안 공급된다.The gate electrode of the third transistor M3 is connected to the emission control line En, and the first electrode is connected to the second electrode of the second transistor M2. The second electrode of the third transistor M3 is connected to the organic light emitting diode OLED. The third transistor M3 is turned off when the emission control signal is supplied to the emission control line En (high level), and is turned on when the emission control signal is not supplied (low level). Here, the emission control signal includes an organic light emitting diode OLED in which a period corresponding to a voltage corresponding to the data signal is charged in the first and second capacitors C1 and C2 and a period in which the threshold voltage is stored. ) Is supplied during the OLED degradation sensing period.

제 4트랜지스터(M4)의 게이트전극은 감지선(CLn)에 접속되고, 제 1전극은 제 3트랜지스터(M3)의 제 2전극에 접속된다. 또한, 제 4트랜지스터(M4)의 제 2전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(M4)는 감지선(CLn)으로 감지신호가 공급될 때(로우 레벨) 턴-온되고, 그 외의 경우에 턴-오프된다. 여기서, 감지신호는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보가 센싱되는 기간(OLED degradation sensing period) 및 제 2트랜지스터(M2)의 이동도 정보가 센싱되는 기간(mobility sensing period) 동안 공급된다. The gate electrode of the fourth transistor M4 is connected to the sensing line CLn, and the first electrode is connected to the second electrode of the third transistor M3. The second electrode of the fourth transistor M4 is connected to the data line Dm. The fourth transistor M4 is turned on when the sensing signal is supplied to the sensing line CLn (low level), and is turned off in other cases. The sensing signal is supplied during an OLED degradation sensing period during which degradation information of the OLED is sensed, and during a mobility sensing period during which mobility information of the second transistor M2 is sensed.

제 5트랜지스터(M5)의 게이트 전극은 이전단의 주사선(Sn-1)에 접속되고, 제 1전극은 제 2트랜지스터(M2)의 게이트 전극에 접속된다. 또한, 제 2전극은 제 2트랜지스터(M2)의 제 2전극에 연결된다. 즉, 상기 제 5트랜지스터(M5)가 턴 온되면 상기 제 2트랜지스터(M2)는 다이오드 연결(Diode connection)로 구현된다.The gate electrode of the fifth transistor M5 is connected to the scan line Sn-1 of the previous stage, and the first electrode is connected to the gate electrode of the second transistor M2. In addition, the second electrode is connected to the second electrode of the second transistor M2. That is, when the fifth transistor M5 is turned on, the second transistor M2 is implemented as a diode connection.

제 6트랜지스터(M6)의 게이트 전극은 이전단의 주사선(Sn-1)과 연결되고, 제 1전극은 기준전압(Vref)과 연결되며, 제 2전극은 제 1노드(A)에 연결된다. 즉, 상기 제 6트랜지스터(M6)가 턴 온되면 상기 제 2커패시터(C2)의 제 1전극에는 상기 기준전압(Vref)가 인가된다. The gate electrode of the sixth transistor M6 is connected to the scan line Sn-1 of the previous stage, the first electrode is connected to the reference voltage Vref, and the second electrode is connected to the first node A. That is, when the sixth transistor M6 is turned on, the reference voltage Vref is applied to the first electrode of the second capacitor C2.

본 발명의 실시예의 경우 상기 제 1 내지 제 6트랜지스터는 PMOS 트랜지스터로 구현됨을 설명하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. In the embodiment of the present invention, the first to sixth transistors are described as being implemented as PMOS transistors, but are not necessarily limited thereto.

도 4는 도 2에 도시된 화소의 제 2실시예를 나타내고 있으며 설명의 편의성 을 위하여 제 m데이터선(Dm) 및 제 n주사선(Sn)에 접속된 화소를 도시하기로 한다. 4 illustrates a second embodiment of the pixel illustrated in FIG. 2, and for convenience of description, the pixel connected to the m-th data line Dm and the n-th scan line Sn will be described.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2실시예에 의한 화소(140')는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급하기 위한 화소회로(142')를 구비하는 것으로, 상기 화소회로(142')가 7개의 트랜지스터(M1' 내지 M7'), 2개의 커패시터(C1', C2') 및 1개의 스위칭소자(T1)를 구비하는 점에서 앞서 도 3에 도시된 제 1실시예와 차이가 있다.Referring to FIG. 4, the pixel 140 ′ according to the second embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode OLED and a pixel circuit 142 ′ for supplying current to the organic light emitting diode OLED. 3, the pixel circuit 142 'includes seven transistors M1' through M7 ', two capacitors C1' and C2 ', and one switching element T1. There is a difference from the first embodiment.

이 때, 상기 제 1트랜지스터(M1')의 게이트전극은 주사선(Sn)에 접속되고, 제 1전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1')의 제 2전극은 제 1노드(A)에 접속된다. At this time, the gate electrode of the first transistor M1 'is connected to the scan line Sn, and the first electrode is connected to the data line Dm. The second electrode of the first transistor M1 'is connected to the first node A.

제 2트랜지스터(M2')의 게이트전극은 제 2노드(B)에 접속되고, 제 1전극은 제 1전원(ELVDD)에 접속된다. The gate electrode of the second transistor M2 'is connected to the second node B, and the first electrode is connected to the first power source ELVDD.

또한, 상기 제 1전원(ELVDD) 및 제 2노드(B) 사이에는 제 1 커패시터(C1')가 접속되고, 제 1노드(A)와 제 2노드(B) 사이에는 제 2커패시터(C2')가 접속된다. In addition, a first capacitor C1 'is connected between the first power supply ELVDD and the second node B, and a second capacitor C2' is connected between the first node A and the second node B. FIG. ) Is connected.

이와 같은 제 2트랜지스터(M2')는 제 1 및 제 2커패시터(C1', C2')에 저장된 전압값에 대응하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다. 이때, 유기 발광 다이오드(OLED)는 제 2트랜지스터(M2')로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 생성한다. The second transistor M2 'may be connected to the second power source via the organic light emitting diode OLED from the first power source ELVDD in response to voltage values stored in the first and second capacitors C1' and C2 '. ELVSS) to control the amount of current flowing. In this case, the organic light emitting diode OLED generates light corresponding to the amount of current supplied from the second transistor M2 ′.

제 3트랜지스터(M3')의 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속되고, 제 1전극은 제 2트랜지스터(M2')의 제 2전극에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3')의 제 2전극은 유기 발광 다이오드(OLED)에 접속된다. 이와 같은 제 3트랜지스 터(M3')는 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급될 때(하이 레벨) 턴-오프되고, 발광 제어신호가 공급되지 않을 때(로우 레벨) 턴-온된다. 여기서, 발광 제어신호는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보가 센싱되는 기간(OLED degradation sensing period), 제 2트랜지스터(M2')의 이동도 정보가 센싱되는 기간(mobility sensing period), 초기화 구간(Initializing period), 문턱전압이 저장되는 기간 및 데이터신호에 대응되는 전압이 충전되는 기간(Vth storing and Programming period) 동안 공급된다.The gate electrode of the third transistor M3 'is connected to the emission control line En, and the first electrode is connected to the second electrode of the second transistor M2'. The second electrode of the third transistor M3 'is connected to the organic light emitting diode OLED. The third transistor M3 'is turned off when the emission control signal is supplied to the emission control line En (high level), and is turned on when the emission control signal is not supplied (low level). do. The emission control signal may include an OLED degradation sensing period, a period during which mobility information of the second transistor M2 'is sensed, an initialization period, and an initialization period. An initializing period, a period in which the threshold voltage is stored, and a voltage corresponding to the data signal are supplied during the Vth storing and programming period.

제 4트랜지스터(M4')의 게이트전극은 감지선(CLn)에 접속되고, 제 1전극은 제 3트랜지스터(M3')의 제 2전극에 접속된다. 또한, 제 4트랜지스터(M4')의 제 2전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(M4')는 감지선(CLn)으로 감지신호가 공급될 때(로우 레벨) 턴-온되고, 그 외의 경우에 턴-오프된다. 여기서, 감지신호는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보가 센싱되는 기간(OLED degradation sensing period) 동안 공급된다. The gate electrode of the fourth transistor M4 'is connected to the sensing line CLn, and the first electrode is connected to the second electrode of the third transistor M3'. The second electrode of the fourth transistor M4 'is connected to the data line Dm. The fourth transistor M4 'is turned on when the sensing signal is supplied to the sensing line CLn (low level), and is turned off in other cases. In this case, the sensing signal is supplied during an OLED degradation sensing period during which degradation information of the OLED is sensed.

제 5트랜지스터(M5')의 게이트 전극은 주사선(Sn)에 접속되고, 제 1전극은 제 2트랜지스터(M2')의 게이트 전극에 접속된다. 또한, 제 2전극은 제 2트랜지스터(M2')의 제 2전극에 연결된다. 즉, 상기 제 5트랜지스터(M5')가 턴 온되면 상기 제 2트랜지스터(M2')는 다이오드 연결(Diode connection)로 구현된다.The gate electrode of the fifth transistor M5 'is connected to the scan line Sn, and the first electrode is connected to the gate electrode of the second transistor M2'. In addition, the second electrode is connected to the second electrode of the second transistor M2 '. That is, when the fifth transistor M5 'is turned on, the second transistor M2' is implemented as a diode connection.

제 6트랜지스터(M6')의 게이트 전극은 발광 제어선(En)과 연결되고, 제 1전극은 스위칭소자(T1)와 연결되며, 제 2전극은 제 1노드(A)에 연결된다. The gate electrode of the sixth transistor M6 ′ is connected to the emission control line En, the first electrode is connected to the switching element T1, and the second electrode is connected to the first node A.

또한, 상기 스위칭소자(T1)은 턴 온되면 센싱부(180)에 연결되고, 턴 오프되 면 기준전압(Vref)원과 연결된다. 즉, 상기 스위칭소자(T1)이 턴 온되면 데이터 라인(Dm) 이외의 별도의 제어 라인(Cm)을 통해 상기 화소(140)가 센싱부(180)에 연결되는 것이다. In addition, the switching device T1 is connected to the sensing unit 180 when it is turned on, and is connected to a reference voltage Vref source when it is turned off. That is, when the switching device T1 is turned on, the pixel 140 is connected to the sensing unit 180 through a separate control line Cm other than the data line Dm.

즉, 구동 트랜지스터로서의 제 2트랜지스터(M2')의 이동도 정보가 센싱되는 기간에는 상기 제어 라인(Cm)을 통해 화소(140')가 센싱부(180)에 연결됨을 특징으로 한다. That is, the pixel 140 ′ is connected to the sensing unit 180 through the control line Cm during the period in which the mobility information of the second transistor M2 ′ as the driving transistor is sensed.

제 7트랜지스터(T7')는 이전단의 주사신호(Sn-1)과 연결되고, 제 1전극은 제 6트랜지스터(M6')의 제 1전극에 연결되며, 제 2전극은 제 2트랜지스터(M2')의 게이트 전극에 연결된다. The seventh transistor T7 'is connected to the scan signal Sn-1 of the previous stage, the first electrode is connected to the first electrode of the sixth transistor M6', and the second electrode is the second transistor M2. ') Is connected to the gate electrode.

본 발명의 실시예의 경우 상기 제 1 내지 제 7트랜지스터는 PMOS 트랜지스터로 구현됨을 설명하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.도 5는 도 2에 도시된 스위칭부, 센싱부 및 변환부를 상세히 나타내는 도면이다. 단, 도 5에서는 설명의 편의성을 위하여 제 m데이터선(Dm)과 접속되는 구성을 도시하기로 한다. In the exemplary embodiment of the present invention, the first to seventh transistors are described as being implemented as PMOS transistors, but are not necessarily limited thereto. FIG. 5 is a diagram illustrating in detail a switching unit, a sensing unit, and a conversion unit illustrated in FIG. 2. . However, FIG. 5 illustrates a configuration connected to the m-th data line Dm for convenience of description.

도 5를 참조하면, 스위칭부(170)의 각각의 채널에는 한 쌍의 스위치(sw1 내지 sw2)가 구비된다. 그리고, 센싱부(180)의 각각의 채널에는 센싱회로(181) 및 아날로그 디지털 변환부(Analog-Digital Converter : 이하 "ADC"라 함)(182)가 구비된다.(여기서, ADC는 다수의 채널당 하나, 또는 모든 채널이 하나의 ADC를 공유하여 사용할 수 있다) 또한, 변환부(190)는 메모리(191) 및 변환회로(192)를 구비한다. Referring to FIG. 5, a pair of switches sw1 to sw2 are provided in each channel of the switching unit 170. Each channel of the sensing unit 180 is provided with a sensing circuit 181 and an analog-to-digital converter (hereinafter referred to as "ADC") 182. One or all channels may share and use one ADC. In addition, the converter 190 includes a memory 191 and a converter circuit 192.

상기 스위칭부(170)의 제 1스위치(sw1)는 데이터 구동부(120)와 데이터 선(Dm) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 1스위치(sw1)는 데이터 구동부(120)를 통해 데이터 신호가 공급될 때 턴-온된다. 즉, 제 1스위치(sw1)는 유기전계발광 표시장치가 소정의 영상을 표시하는 기간 동안 턴-온 상태를 유지한다. The first switch sw1 of the switching unit 170 is positioned between the data driver 120 and the data line Dm. The first switch sw1 is turned on when the data signal is supplied through the data driver 120. That is, the first switch sw1 maintains the turn-on state for the period in which the organic light emitting display device displays a predetermined image.

또한, 상기 스위칭부(170)의 제 2스위치(sw2)는 센싱부(180)와 데이터선(Dm) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 2스위치(sw2)는 센싱부(180)를 통해 화소부의 각 화소로부터 제공되는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보 또는 제 2트랜지스터(M2)의 이동도 정보가 센싱되는 동안 턴-온된다. In addition, the second switch sw2 of the switching unit 170 is positioned between the sensing unit 180 and the data line Dm. The second switch sw2 is turned on while sensing the degradation information of the OLED or the mobility information of the second transistor M2 provided from each pixel of the pixel unit through the sensing unit 180. do.

이 때, 상기 제 2스위치(sw2)는 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가된 후부터 영상이 표시되기 전까지의 비표시기간(non-display time) 동안 턴-온 상태를 유지하거나, 또는 제품이 출하되기 전의 비표시기간 동안 턴 온 상태를 유지한다.At this time, the second switch sw2 maintains the turn-on state for a non-display time after the power is applied to the organic light emitting display device and before the image is displayed, or the product is shipped. It remains turned on for the non-display period before it is turned on.

보다 상세히 설명하면, 유기 발광 다이오드의 열화정보를 센싱하는 경우에는 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가된 후 영상이 표시되기 전의 비표시기간에 수행됨이 바람직하다. 즉, 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보 센싱은 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 수행될 수 있다.In more detail, when sensing degradation information of the organic light emitting diode, it is preferable to perform the non-display period before the image is displayed after the power is applied to the organic light emitting display device. That is, deterioration information sensing of the OLED may be performed whenever power is applied to the organic light emitting display.

이에 반해 상기 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 센싱하는 경우에는 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가된 후 영상이 표시되기 전의 제 2비표시기간에 수행될 수 있을 뿐 아니라, 최초 유기전계발광 표시장치가 제품으로 출하되기 전에 수행될 수 있다.On the other hand, in the case of sensing the mobility information of the driving transistor, the organic light emitting display device may be performed in a second non-display period after the power is applied to the organic light emitting display device and before the image is displayed. It can be done before shipping to the product.

즉, 구동 트랜지스터의 이동도 정보 센싱은 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 수행되거나, 또는 제품 출하 전의 수행 결과가 미리 저장됨으로써, 전원이 인가될 때마다 상기 이동도 정보 추출을 수행하지 않고 상기 미리 저장된 정보를 이용할 수도 있다. That is, the mobility information sensing of the driving transistor is performed every time the power is applied to the organic light emitting display device, or the performance result before shipment of the product is stored in advance, so that the mobility information is not extracted every time the power is applied. It is also possible to use the pre-stored information without.

상기 센싱회로(181)는 도 6에 도시된 바와 같이 전류 소스부(185), 제 1 및 제 2 전류 싱크(sink)부(186, 187) 및 이에 각각 연결된 스위칭소자(SW1, SW2, SW3)를 구비한다. As illustrated in FIG. 6, the sensing circuit 181 includes a current source unit 185, first and second current sink units 186 and 187, and switching elements SW1, SW2, and SW3 connected thereto, respectively. It is provided.

전류 소스부(185)는 제 1스위칭소자(SW1)가 턴-온되었을 때 화소(140)로 제 1전류를 공급하고, 상기 제 1전류가 공급될 때 데이터라인(Dm)에 생성되는 소정 전압을 ADC(182)로 공급한다. 여기서, 제 1전류는 화소(140)에 포함되는 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 공급된다. 따라서, 전류 소스부(185)에서 생성되는 소정 전압(또는 제 1전압)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 갖는다. The current source unit 185 supplies a first current to the pixel 140 when the first switching device SW1 is turned on, and a predetermined voltage generated in the data line Dm when the first current is supplied. To the ADC 182. Here, the first current is supplied via the organic light emitting diode OLED included in the pixel 140. Therefore, the predetermined voltage (or first voltage) generated by the current source unit 185 has deterioration information of the organic light emitting diode OLED.

이를 상세히 설명하면, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 유기 발광 다이오드(OLED)의 저항값이 변화된다. 따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 소정 전압의 전압값이 변화되고, 이에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 추출할 수 있다. In detail, as the OLED degrades, the resistance value of the OLED changes. Accordingly, the voltage value of the predetermined voltage is changed in response to the deterioration of the organic light emitting diode (OLED), thereby degrading information of the organic light emitting diode (OLED) can be extracted.

한편, 제 1전류의 전류값은 정해진 시간 내에 소정의 전압이 인가될 수 있도록 다양하게 설정된다. 예를 들어, 제 1전류는 화소(140)가 최대 휘도로 발광할 때 유기 발광 다이오드(OLED)로 흘러야 할 전류값(Imax)으로 설정될 수 있다. On the other hand, the current value of the first current is set variously so that a predetermined voltage can be applied within a predetermined time. For example, the first current may be set to a current value Imax that should flow to the organic light emitting diode OLED when the pixel 140 emits light at the maximum luminance.

제 1전류 싱크부(186)는 제 2스위칭소자(SW2)가 턴-온되었을 때 화소(140)로부터 제 2전류를 싱크하고, 상기 제 2전류가 싱크될 때 데이터라인(Dm) 또는 제어라인(Cm)에 생성되는 소정 전압(제 2전압)이 측정된다.The first current sinker 186 sinks a second current from the pixel 140 when the second switching device SW2 is turned on, and the data line Dm or the control line when the second current is sinked. The predetermined voltage (second voltage) generated at Cm is measured.

즉, 도 3에 도시된 제 1실시예의 화소(140)가 적용되는 경우에는 상기 데이터 라인(Dm)에 생성되는 제 2전압이 측정되고, 도 4에 도시된 제 2실시예의 화소(140')가 적용되는 경우에는 상기 제어라인(Cm)에 생성되는 제 2전압이 측정된다. That is, when the pixel 140 of the first embodiment shown in FIG. 3 is applied, the second voltage generated in the data line Dm is measured, and the pixel 140 'of the second embodiment shown in FIG. 4 is measured. When is applied, the second voltage generated in the control line Cm is measured.

또한, 제 2전류 싱크부(187)은 상기 제 2스위칭소자(SW2)가 턴-오프되고, 제 3스위칭소자(SW3)이 턴-온되었을때, 화소(140)로부터 제 3전류를 싱크하고, 상기 제 3전류가 싱크될 때 데이터라인(Dm) 또는 제어라인(Cm)에 생성되는 소정의 전압(제 3전압)이 측정된다. In addition, the second current sink 187 sinks a third current from the pixel 140 when the second switching device SW2 is turned off and the third switching device SW3 is turned on. When the third current is sinked, a predetermined voltage (third voltage) generated in the data line Dm or the control line Cm is measured.

즉, 도 3에 도시된 제 1실시예의 화소(140)가 적용되는 경우에는 상기 데이터 라인(Dm)에 생성되는 제 3전압이 측정되고, 도 4에 도시된 제 2실시예의 화소(140')가 적용되는 경우에는 상기 제어라인(Cm)에 생성되는 제 3전압이 측정된다. That is, when the pixel 140 of the first embodiment shown in FIG. 3 is applied, the third voltage generated in the data line Dm is measured, and the pixel 140 'of the second embodiment shown in FIG. 4 is measured. When is applied, the third voltage generated in the control line Cm is measured.

이 때, 상기 제 2전압 및 제 3전압의 차에 해당되는 정보는 ADC(182)로 공급된다. At this time, the information corresponding to the difference between the second voltage and the third voltage is supplied to the ADC 182.

여기서, 상기 제 2전류 및 제 3전류는 화소(140, 140')에 포함되는 제 2트랜지스터(M2, M2')를 경유하여 싱크된다. 따라서, 상기 제 1 및 제 2전류 싱크부(186, 187)을 통해 생성되는 데이터라인(Dm) 또는 제어라인(Cm)의 소정 전압의 차(|제 2전압 -제 3전압|)는 제 2트랜지스터(M2, M2')의 이동도 정보를 갖는다.Here, the second current and the third current are sinked via the second transistors M2 and M2 'included in the pixels 140 and 140'. Therefore, the difference (| second voltage-third voltage |) of the predetermined voltage between the data line Dm or the control line Cm generated through the first and second current sinks 186 and 187 is equal to the second. Contains mobility information of the transistors M2 and M2 '.

즉, 도 4에 도시된 제 2실시예에 의한 화소(140')가 적용될 경우에는 상기 제 2전류 및 제 3전류가 싱크될 때, 화소(140') 내의 스위칭소자(T1)가 턴 온됨으로써, 제 2트랜지스터(M2')의 이동도 정보가 전달되는 경로에 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극이 제외된다.That is, when the pixel 140 'according to the second embodiment shown in FIG. 4 is applied, the switching element T1 in the pixel 140' is turned on when the second and third currents are sinked. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is excluded from the path through which the mobility information of the second transistor M2 'is transmitted.

이를 통해 상기 제 2트랜지스터(M2')의 이동도 정보가 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도에 영향을 받지 않게 되어 보다 정확한 정보를 획득할 수 있게 되는 것이다. As a result, the mobility information of the second transistor M2 ′ is not affected by the degree of deterioration of the organic light emitting diode OLED, thereby obtaining more accurate information.

이에 상기 ADC(182)는 센싱회로(181)로부터 공급되는 제 1전압을 제 1디지털값으로 변환하고, 제 2전압 및 제 3전압의 차를 제 2디지털값으로 변환한다. Accordingly, the ADC 182 converts the first voltage supplied from the sensing circuit 181 into the first digital value, and converts the difference between the second voltage and the third voltage into the second digital value.

또한, 변환부(190)는 메모리(191) 및 변환회로(192)를 구비한다. In addition, the conversion unit 190 includes a memory 191 and a conversion circuit 192.

메모리(191)는 ADC(182)로부터 공급되는 제 1디지털값 및 제 2디지털값을 저장한다. 실제로, 메모리(191)는 화소부(130)에 포함되는 모든 화소들(140, 140') 각각의 제 2트랜지스터(M2, M2')의 이동도 정보 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보를 저장한다. The memory 191 stores the first digital value and the second digital value supplied from the ADC 182. In fact, the memory 191 stores mobility information of each of the second transistors M2 and M2 'of each pixel 140 and 140' included in the pixel unit 130 and deterioration information of the organic light emitting diode OLED. Save it.

변환회로(192)는 메모리(191)에 저장된 제 1디지털값 및 제 2디지털값을 이용하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 및 구동 트랜지스터(M2, M2')의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 타이밍 제어부(150)로부터 전달받은 입력 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환한다. The conversion circuit 192 uses a first digital value and a second digital value stored in the memory 191 to maintain a uniform brightness regardless of deterioration of the organic light emitting diode OLED and mobility of the driving transistors M2 and M2 '. The input data Data received from the timing controller 150 is converted into calibration data Data 'to display an image.

예를 들어, 변환회로(192)는 제 1디지털값을 참조하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화가 될수록 입력 데이터(Data)의 비트값을 증가하여 교정 데이터(Data')를 생성하며, 상기 생성된 교정 데이터(Data')는 데이터 구동부(120)으로 전달되어 최종적으로 상기 교정 데이터에 의한 데이터 신호가 화소에 제공된다. 이에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 낮은 휘도의 빛이 생성되는 것을 방지한다. For example, the conversion circuit 192 generates the calibration data Data 'by increasing the bit value of the input data Data as the organic light emitting diode OLED deteriorates with reference to the first digital value. The corrected calibration data Data 'is transferred to the data driver 120, and finally a data signal based on the calibration data is provided to the pixel. Accordingly, as the organic light emitting diode OLED is deteriorated, light of low luminance is prevented from being generated.

또한, 변환회로(192)는 제 2디지털값을 참조하여 제 2트랜지스터(M2, M2')의 이동도가 보상될 수 있도록 입력 데이터를 변환하고, 이에 따라 제 2트랜지스터(M2, M2')의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있다.In addition, the conversion circuit 192 converts the input data so that the mobility of the second transistors M2 and M2 'can be compensated with reference to the second digital value, thereby converting the second transistors M2 and M2'. It is possible to display an image of uniform luminance regardless of mobility.

데이터 구동부(120)는 상기 교정 데이터(Data')를 이용하여 데이터신호를 생성하고, 생성된 데이터신호를 화소(140, 140')로 공급한다. The data driver 120 generates a data signal using the calibration data Data 'and supplies the generated data signal to the pixels 140 and 140'.

도 7은 데이터 구동부의 실시예를 나타내는 블록도이다. 7 is a block diagram illustrating an embodiment of a data driver.

도 7을 참조하면, 데이터 구동부(120)는 쉬프트 레지스터부(121), 샘플링 래치부(122), 홀딩 래치부(123), 디지털 아날로그 변환부(이하, DAC부)(124) 및 버퍼부(125)를 구비한다. Referring to FIG. 7, the data driver 120 includes a shift register 121, a sampling latch 122, a holding latch 123, a digital-to-analog converter (hereinafter referred to as a DAC unit) 124, and a buffer unit ( 125).

쉬프트 레지스터부(121)는 타이밍 제어부(150)로부터 소스 스타트 펄스(SSP) 및 소스 쉬프트 클럭(SSC)을 공급받는다. 소스 쉬프트 클럭(SSC) 및 소스 스타트 펄스(SSP)를 공급받은 쉬프트 레지스터(121)는 소스 쉬프트 클럭(SSC)의 1주기 마다 소스 스타트 펄스(SSP)를 쉬프트 시키면서 순차적으로 m개의 샘플링 신호를 생성한다. 이를 위해, 쉬프트 레지스터부(121)는 m개의 쉬프트 레지스터(1211 내지 121m)를 구비한다. The shift register unit 121 receives the source start pulse SSP and the source shift clock SSC from the timing controller 150. The shift register 121 supplied with the source shift clock SSC and the source start pulse SSP sequentially generates m sampling signals while shifting the source start pulse SSP every one period of the source shift clock SSC. . To this end, the shift register unit 121 includes m shift registers 1211 to 121m.

샘플링 래치부(122)는 쉬프트 레지스터부(121)로부터 순차적으로 공급되는 샘플링 신호에 응답하여 상기 교정 데이터(Data')를 순차적으로 저장한다. 이를 위하여, 샘플링 래치부(122)는 m개의 교정 데이터(Data')를 저장하기 위하여 m개의 샘플링 래치(1221 내지 122m)를 구비한다. The sampling latch unit 122 sequentially stores the calibration data Data 'in response to sampling signals sequentially supplied from the shift register unit 121. To this end, the sampling latch unit 122 includes m sampling latches 1221 to 122m to store m calibration data Data '.

홀딩 래치부(123)는 타이밍 제어부(150)로부터 소스 출력 인에이블(SOE) 신호를 공급받는다. 소스 출력 인에이블(SOE) 신호를 공급받은 홀딩 래치부(123)는 샘플링 래치부(122)로부터 교정 데이터(Data')를 입력받아 저장한다. 그리고, 홀 딩 래치부(123)는 자신에게 저장된 교정 데이터(Data')를 디지털-아날로그 변환부(DAC부)(124)로 공급한다. 이를 위해, 홀딩 래치부(123)는 m개의 홀딩 래치(1231 내지 123m)를 구비한다.The holding latch unit 123 receives a source output enable (SOE) signal from the timing controller 150. The holding latch unit 123 supplied with the source output enable (SOE) signal receives and stores calibration data Data ′ from the sampling latch unit 122. The holding latch unit 123 supplies the calibration data Data 'stored therein to the digital-to-analog converter (DAC unit) 124. To this end, the holding latch unit 123 includes m holding latches 1231 to 123m.

DAC부(124)는 홀딩 래치부(123)로부터 교정 데이터(Data')들을 입력받고, 입력받은 교정 데이터(Data')들에 대응하여 m개의 데이터신호를 생성한다. 이를 위하여, DAC부(124)는 m개의 디지털-아날로그 변환기(Digital-Analog Converter : DAC)(1241 내지 124m)를 구비한다. 즉, DAC부(124)는 각각의 채널마다 위치되는 DAC들(1241 내지 124m)을 이용하여 m개의 데이터신호를 생성하고, 생성된 데이터신호를 버퍼부(125)로 공급한다. The DAC unit 124 receives calibration data Data ′ from the holding latch unit 123 and generates m data signals corresponding to the received calibration data Data ′. To this end, the DAC unit 124 includes m digital-to-analog converters (DACs) 1241 to 124m. That is, the DAC unit 124 generates m data signals using the DACs 1241 to 124m positioned for each channel, and supplies the generated data signals to the buffer unit 125.

버퍼부(125)는 DAC부(124)로부터 공급되는 m개의 데이터신호를 m개의 데이터선(D1 내지 Dm) 각각으로 공급한다. 이를 위해, 버퍼부(125)는 m개의 버퍼들(1251 내지 125m)을 구비한다. The buffer unit 125 supplies m data signals supplied from the DAC unit 124 to each of the m data lines D1 to Dm. To this end, the buffer unit 125 includes m buffers 1251 to 125m.

도 8a 내지 도 8g는 본 발명의 제 1실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구동방법을 설명하기 위한 도면으로, 이는 도 3에 도시된 화소가 적용된다. 8A to 8G are diagrams for describing a method of driving an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention, in which the pixel illustrated in FIG. 3 is applied.

단, 설명의 편의를 위하여 n번째 주사선(Sn)과 m번째 데이터선(Dm)에 연결된 화소의 제 1실시예(도 3에 도시)를 그 대상으로 한다. For convenience of explanation, the first embodiment (shown in FIG. 3) of the pixel connected to the n-th scan line Sn and the m-th data line Dm is the object.

단, 앞서 언급한 바와 같이 구동 트랜지스터의 이동도 정보의 센싱은 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 수행되거나, 또는 제품 출하 전에 수행되어 그 결과가 미리 저장됨으로써, 전원이 인가될 때마다 상기 이동도 정보 추출을 수행하지 않고 상기 미리 저장된 정보를 이용할 수도 있다. However, as mentioned above, the sensing of mobility information of the driving transistor is performed whenever power is applied to the organic light emitting display device, or before the product is shipped, and the result is stored in advance so that whenever power is applied. The previously stored information may be used without performing the mobility information extraction.

도 7의 실시예에서는 상기 구동 트랜지스터의 이동도 정보 센싱이 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 수행됨을 그 예로 설명하나, 본 발명의 실시예가 반드시 이에 한정되지 않음은 당업자에게 자명하다. In the embodiment of FIG. 7, the mobility information sensing of the driving transistor is performed every time power is applied to the organic light emitting display device, but it is apparent to those skilled in the art that the embodiment of the present invention is not necessarily limited thereto.

이하, 도 8a 내지 도 8g를 통해 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치의 구동방법을 보다 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, a driving method of the organic light emitting display device according to the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 8A to 8G.

먼저 도 8a는 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가된 후 영상이 표시되기 전의 제 1비표시기간(non-display time) 동안의 동작을 설명한다. First, FIG. 8A illustrates an operation during a first non-display time after the power is applied to the organic light emitting display device and before the image is displayed.

상기 제 1비표시기간에는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보가 센싱 (OLED degradation sensing)되는 동작이 수행된다.In the first non-display period, an operation in which degradation information of the OLED is sensed is performed.

도 8a에 도시된 바와 같이 상기 제 1비표시기간에는 주사신호(Sn, Sn-1)는 하이레벨, 감지신호(CLn)는 로우레벨, 발광제어신호(En)는 하이레벨로 인가되어 화소의 화소회로 내에서는 제 4트랜지스터(M4)만이 턴 온된다. As shown in FIG. 8A, in the first non-display period, the scan signals Sn and Sn-1 are applied at a high level, the detection signal CLn is at a low level, and the emission control signal En is applied at a high level. Only the fourth transistor M4 is turned on in the pixel circuit.

또한, 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)은 턴 오프되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 온되어 상기 화소(140)는 센싱부(180)에 연결된다.In addition, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned off, and the second switch sw2 is turned on so that the pixel 140 is connected to the sensing unit 180.

또한, 센싱회로(181) 내에서는 전류 소스부(185)에 연결된 제 1스위칭소자(SW1)이 턴온되고, 제 1 및 제 2전류 싱크부(186, 187)에 연결된 제 2, 3스위칭소자(SW2, SW3)은 턴오프된다. 이 때, 상기 전류 소스부(185)에서 제공하는 제 1전류(Iref)는 앞서 언급한 바와 같이 상기 화소(140)가 최대 휘도로 발광할 때 유기 발광 다이오드(OLED)로 흘러야 할 전류값(Imax)으로 설정될 수 있다. In addition, in the sensing circuit 181, the first switching device SW1 connected to the current source unit 185 is turned on and the second and third switching devices connected to the first and second current sinks 186 and 187 ( SW2 and SW3 are turned off. At this time, the first current Iref provided by the current source unit 185 is the current value Imax to flow to the organic light emitting diode OLED when the pixel 140 emits light at the maximum luminance as described above. It can be set to).

상기와 같은 신호의 인가에 따라 상기 전류 소스부(185)로부터 제공되는 제 1전류가 데이터 라인 및 화소 내의 제 4트랜지스터(M4)를 거쳐 유기 발광 다이오드(OLED)로 인가된다.According to the application of the signal as described above, the first current provided from the current source unit 185 is applied to the organic light emitting diode OLED through the data line and the fourth transistor M4 in the pixel.

이에 따라, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 생성되는 소정 전압(제 1전압, VOLED)은 상기 센싱 회로(181)에 동일하게 인가되며, 상기 제 1전압은 ADC(182)로 공급된다. Accordingly, a predetermined voltage (first voltage, V OLED ) generated at the anode electrode of the organic light emitting diode OLED is equally applied to the sensing circuit 181, and the first voltage is supplied to the ADC 182. do.

즉, 전류 소스부(185)를 통해 생성되는 제 1전압은 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 갖는다. That is, the first voltage generated through the current source unit 185 has deterioration information of the organic light emitting diode OLED.

이에 상기 ADC(182)는 센싱회로(181)로부터 공급되는 제 1전압을 제 1디지털값으로 변환하며, 메모리(191)는 ADC(182)로부터 공급되는 제 1디지털값 을 저장한다. 실제로, 메모리(191)는 화소부에 포함되는 모든 화소들(140) 각각의 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보를 저장한다. Accordingly, the ADC 182 converts the first voltage supplied from the sensing circuit 181 into a first digital value, and the memory 191 stores the first digital value supplied from the ADC 182. In fact, the memory 191 stores deterioration information of the organic light emitting diode OLED of each of the pixels 140 included in the pixel unit.

다음으로 도 8b 및 도 8c는 영상의 표시에 앞서 도 8a의 제 1비표시기간(non-display time) 이후부터 영상이 표시되기 전 제 2비표시기간 동안의 동작을 설명한다. 8B and 8C illustrate operations during the second non-display period after the first non-display time of FIG. 8A and before the image is displayed before the display of the image.

상기 제 2비표시기간에는 화소(140) 내 구동 트랜지스터로서의 제 2트랜지스터(M2)의 이동도 정보가 센싱되는 동작이 수행된다. In the second non-display period, an operation of sensing mobility information of the second transistor M2 as a driving transistor in the pixel 140 is performed.

본 발명의 실시예에서는 상기 제 2트랜지스터(M2)의 이동도 정보를 센싱하기 위해 상기 제 2비표시기간을 두 구간으로 나누어 각각 독립적으로 전류를 싱크하는 동작을 수행함을 특징으로 한다. In an exemplary embodiment of the present invention, the second non-display period is divided into two sections to sense current mobility of the second transistor M2 in order to sense mobility information.

단, 앞서 설명한 바와 같이 제 2 트랜지스터(M2)의 이동도 정보의 센싱은 제품 출하 전에 수행되어 그 결과가 미리 저장됨으로써, 전원이 인가될 때마다 상기 이동도 정보 추출을 수행하지 않고 상기 미리 저장된 정보를 이용할 수도 있다. However, as described above, the sensing of the mobility information of the second transistor M2 is performed before the product is shipped, and the result is stored in advance, so that the mobility information is not extracted every time the power is applied. Can also be used.

도 8b에 도시된 바와 같이 상기 제 2비표시기간 중 첫번째 구간에는 이전단의 주사신호(Sn-1)는 로우레벨, 주사신호(Sn)는 하이레벨, 감지신호(CLn)는 로우레벨, 발광제어신호(En)는 로우레벨로 인가되어 화소(140)의 화소회로 내에서는 제 3트랜지스터(M3), 제 4 및 제 5트랜지스터(M4, M5)이 턴 온된다. 또한, 상기 제 5트랜지스터(M5)가 턴 온됨으로써, 제 2트랜지스터(M2)는 다이오드 연결(Diode connection)되므로 턴 온된다.As shown in FIG. 8B, in the first section of the second non-display period, the previous scan signal Sn-1 has a low level, the scan signal Sn has a high level, the detection signal CLn has a low level, and emits light. The control signal En is applied at a low level so that the third transistor M3, the fourth and fifth transistors M4 and M5 are turned on in the pixel circuit of the pixel 140. In addition, since the fifth transistor M5 is turned on, the second transistor M2 is turned on because it is a diode connection.

또한, 상기 이전단의 주사신호(Sn-1)가 로우레벨로 인가됨으로써, 제 6트랜지스터(M6)는 턴 온되며, 이에 따라 제 6트랜지스터(M6)의 제 1전극으로 인가되는 기준전압(Vref)는 제 1노드(A)로 인가된다.In addition, since the previous scan signal Sn−1 is applied at a low level, the sixth transistor M6 is turned on, and accordingly, the reference voltage Vref applied to the first electrode of the sixth transistor M6 is applied. ) Is applied to the first node (A).

또한, 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)은 턴 오프되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 온되어 상기 화소(140)는 센싱부(180)에 연결된다.In addition, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned off, and the second switch sw2 is turned on so that the pixel 140 is connected to the sensing unit 180.

또한, 센싱회로(181) 내에서는 전류 소스부(185)에 연결된 제 1스위칭소자(SW1)이 턴 오프되고, 제 1전류 싱크부(186)에 연결된 제 2스위칭소자(SW2)가 턴 온되며, 제 2전류 싱크부(187)에 연결된 제 3스위칭소자(SW3)가 턴 오프된다. 이 때, 상기 제 1전류 싱크부(186)에서 싱크하는 제 2전류는 일 예로 도시된 바와 같이 1/4βImax가 될 수 있다.(β는 상수)In the sensing circuit 181, the first switching device SW1 connected to the current source unit 185 is turned off, and the second switching device SW2 connected to the first current sink unit 186 is turned on. The third switching device SW3 connected to the second current sink 187 is turned off. In this case, the second current sinking in the first current sinking unit 186 may be 1 / 4βImax as shown in an example. (Β is a constant).

또한, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극에는 제 2전원(ELVSS)가 아닌 하이레벨의 전압이 인가된다. 이는 상기 제 1전류 싱크부(186)에서 싱크되는 전류가 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 것을 방지하기 위함이다. In addition, a high level voltage is applied to the cathode of the organic light emitting diode OLED, not the second power source ELVSS. This is to prevent the current sinking in the first current sink 186 from being supplied to the OLED.

상기와 같은 신호의 인가에 따라 상기 제 1전류 싱크부(186)는 제 2스위칭소자(SW2), 데이터 라인, 제 4트랜지스터(M4), 제 3트랜지스터(M3) 및 제 2트랜지스터(M2)를 경유하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 제 2전류 즉, 1/4βImax를 싱크한다. 제 1전류 싱크부(186)에서 상기 제 2전류가 싱크될 때 제 1전류 싱크부(186)에는 제 2전압이 인가된다. In response to the signal, the first current sink unit 186 is configured to connect the second switching element SW2, the data line, the fourth transistor M4, the third transistor M3, and the second transistor M2. The second current, i.e., 1 / 4βImax, is sinked from the first power supply ELVDD via the first power source ELVDD. When the second current is sinked in the first current sink 186, a second voltage is applied to the first current sink 186.

즉, 상기 제 2전압(VG1 _1)은

Figure 112007060950179-pat00001
이 된다. That is, the second voltage V G1 _1 is
Figure 112007060950179-pat00001
Becomes

(μ : 제 2트랜지스터의 이동도, W/L : 제 2트랜지스터 채널의 폭(Width) 대 길이(Length) 비, Vth : 제 2트랜지스터의 문턱전압,)(μ: mobility of the second transistor, W / L: width to length ratio of the second transistor channel, Vth: threshold voltage of the second transistor,)

상기 수식에서 나타나는 바와 같이 상기 제 2전류가 제 2트랜지스터(M2)를 경유하여 싱크되기 때문에 제 2전압에는 제 2트랜지스터(M2)의 문턱전압/이동도 정보가 포함된다.As shown in the above equation, since the second current is sinked via the second transistor M2, the second voltage includes the threshold voltage / mobility information of the second transistor M2.

다음으로 도 8c에 도시된 바와 같이 상기 제 2비표시기간 중 두번째 구간에는 이전단의 주사신호(Sn-1)는 로우레벨, 주사신호(Sn)은 하이레벨, 감지신호(CLn)은 로우레벨, 발광제어신호(En)은 로우레벨로 인가되어 화소(140)의 화소회로 내에서는 제 3트랜지스터(M3), 제 4 및 제 5트랜지스터(M4, M5)이 턴 온된다. 또한, 상기 제 5트랜지스터(M5)가 턴 온됨으로써, 제 2트랜지스터(M2)는 다이오드 연결(Diode connection)되므로 턴 온된다.Next, as shown in FIG. 8C, in the second section of the second non-display period, the previous scan signal Sn-1 has a low level, the scan signal Sn has a high level, and the detection signal CLn has a low level. The emission control signal En is applied at a low level so that the third transistor M3, the fourth and fifth transistors M4 and M5 are turned on in the pixel circuit of the pixel 140. In addition, since the fifth transistor M5 is turned on, the second transistor M2 is turned on because it is a diode connection.

또한, 상기 이전단의 주사신호(Sn-1)가 로우레벨로 인가됨으로써, 제 6트랜지스터(M6)는 턴 온되며, 이에 따라 제 6트랜지스터(M6)의 제 1전극으로 인가되는 기준전압(Vref)는 제 1노드(A)로 인가된다.In addition, since the previous scan signal Sn−1 is applied at a low level, the sixth transistor M6 is turned on, and accordingly, the reference voltage Vref applied to the first electrode of the sixth transistor M6 is applied. ) Is applied to the first node (A).

또한, 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)는 턴 오프되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 온되어 상기 화소(140)는 센싱부(180)에 연결된다.In addition, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned off, and the second switch sw2 is turned on so that the pixel 140 is connected to the sensing unit 180.

또한, 센싱회로(181) 내에서는 전류 소스부(185)에 연결된 제 1스위칭소자(SW1)이 턴 오프되고, 제 1전류 싱크부(186)에 연결된 제 2스위칭소자(SW2)가 턴 오프되며, 제 2전류 싱크부(187)에 연결된 제 3스위칭소자(SW3)가 턴 온된다. 이 때, 상기 제 2전류 싱크부(187)에서 싱크하는 제 3전류는 일 예로 도시된 바와 같이 βImax가 될 수 있다.(β는 상수)In the sensing circuit 181, the first switching device SW1 connected to the current source unit 185 is turned off, and the second switching device SW2 connected to the first current sink unit 186 is turned off. The third switching device SW3 connected to the second current sink 187 is turned on. In this case, the third current sinking in the second current sinking unit 187 may be βImax as shown in an example. (Β is a constant).

즉, 상기 제 3전류는 앞서 설명한 제 1전류 싱크부(186)에서 싱크하는 전류의 4배에 해당함을 특징으로 한다. 단, 이는 하나의 실시예로써 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 3전류는 제 2전류의 4j(j은 정수) 배에 해당함이 바람직하다.That is, the third current corresponds to four times the current sinked by the first current sink 186 described above. However, the embodiment is not limited thereto, and the third current may correspond to 4j (j is an integer) times the second current.

또한, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극에는 제 2전원(ELVSS)가 아닌 하이레벨의 전압이 인가된다. 이는 상기 제 3전류 싱크부(187)에서 싱크되는 전류가 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 것을 방지하기 위함이다. In addition, a high level voltage is applied to the cathode of the organic light emitting diode OLED, not the second power source ELVSS. This is to prevent the current that is sinked from the third current sink 187 from being supplied to the OLED.

상기와 같은 신호의 인가에 따라 상기 제 3전류 싱크부(187)는 제 3스위칭소자(SW3), 데이터 라인, 제 4트랜지스터(M4), 제 3트랜지스터(M3) 및 제 2트랜지스터(M2)를 경유하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 제 3전류 즉, βImax를 싱크한다. 제 3전류 싱크부(187)에서 상기 제 3전류가 싱크될 때 제 3전류 싱크부(186)에는 제 3전압이 인가된다. In response to the signal, the third current sinker 187 may connect the third switching device SW3, the data line, the fourth transistor M4, the third transistor M3, and the second transistor M2. The third current, i.e., βImax, is sinked from the first power source ELVDD via the first power source ELVDD. When the third current is sinked in the third current sinker 187, a third voltage is applied to the third current sinker 186.

즉, 상기 제 3전압(VG1 _2)은

Figure 112007060950179-pat00002
이 된다. That is, the third voltage V G1 _2 is
Figure 112007060950179-pat00002
Becomes

상기 수식에서 나타나는 바와 같이 상기 제 3전류가 제 2트랜지스터(M2)를 경유하여 싱크되기 때문에 제 3전압에는 제 2트랜지스터(M2)의 문턱전압/이동도 정보가 포함된다.As shown in the above equation, since the third current is sinked via the second transistor M2, the third voltage includes the threshold voltage / mobility information of the second transistor M2.

이와 같이 상기 제 1 및 제 2전류 싱크부(186, 187)를 통해 제 2전압 및 제 3전압이 측정되면, 상기 제 2전압 및 제 3전압의 차에 해당되는 정보는 ADC(182)로 공급된다. As such, when the second voltage and the third voltage are measured through the first and second current sinks 186 and 187, information corresponding to the difference between the second voltage and the third voltage is supplied to the ADC 182. do.

이 때, 상기 제 2 전압 및 제 3전압의 차(|제 2전압 -제 3전압|)는At this time, the difference between the second voltage and the third voltage (| second voltage-third voltage |)

Figure 112007060950179-pat00003
가 되며, 상기 수식에서 나타나는 바와 같이 이는 제 2트랜지스터(M2)의 이동도 정보를 갖는다.
Figure 112007060950179-pat00003
As shown in the above formula, it has the mobility information of the second transistor M2.

이에 상기 ADC(182)는 센싱회로(181)로부터 공급되는 제 2전압 및 제 3전압의 차를 제 2디지털값으로 변환하며, 메모리(191)는 ADC(182)로부터 공급되는 상기 제 2디지털값 을 저장한다. 실제로, 메모리(191)는 화소부에 포함되는 모든 화소들(140) 각각의 구동 트랜지스터에 대한 이동도 정보를 저장한다. Accordingly, the ADC 182 converts the difference between the second voltage and the third voltage supplied from the sensing circuit 181 into a second digital value, and the memory 191 stores the second digital value supplied from the ADC 182. Save it. In fact, the memory 191 stores mobility information about the driving transistors of all the pixels 140 included in the pixel unit.

즉, 도 8a 내지 도 8c의 단계를 거쳐 메모리(191)는 ADC(182)로부터 공급되는 제 1디지털값 및 제 2디지털값을 저장하게 되며, 이에 따라 상기 메모리(191)는 화소부(130)에 포함되는 모든 화소들(140) 각각의 제 2트랜지스터(M2)의 이동도 정보 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보를 저장한다. That is, the memory 191 stores the first digital value and the second digital value supplied from the ADC 182 through the steps of FIGS. 8A to 8C, and thus the memory 191 stores the pixel unit 130. The mobility information of each of the second transistors M2 and the degradation information of the organic light emitting diode OLED may be stored.

이에 변환회로(192)는 메모리(191)에 저장된 제 1디지털값 및 제 2디지털값을 이용하여 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 타이밍 제어부(150)로부터 전달받은 입력 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환한다. Accordingly, the conversion circuit 192 may use the first digital value and the second digital value stored in the memory 191 to display an image of uniform luminance regardless of deterioration of the organic light emitting diode and mobility of the driving transistor. The input data Data received from 150 is converted into calibration data Data '.

즉, 변환회로(192)는 제 1디지털값을 참조하여 각 화소에 구비된 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도를 판단하고, 이와 동시에 제 2디지털값을 참조하여 각 화소에 구비된 제 2트랜지스터(M2)의 이동도를 측정하여 타이밍 제어부(150)으로부터 입력되는 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환한 뒤 이를 데이터 구동부(120)에 제공함으로써, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 낮은 휘도의 빛이 생성되는 것을 방지하면서, 제 2트랜지스터(M2)의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있게 되는 것이다. That is, the conversion circuit 192 determines the degree of deterioration of the organic light emitting diode OLED provided in each pixel with reference to the first digital value, and at the same time, the second transistor provided in each pixel with reference to the second digital value. The organic light emitting diode OLED deteriorates by measuring the mobility of the M2 and converting the data Data input from the timing controller 150 into calibration data Data 'and providing the same to the data driver 120. It is possible to display an image of uniform luminance regardless of the mobility of the second transistor M2 while preventing the generation of light having a lower luminance as much as possible.

다음으로는 상기 변환된 데이터(Data')에 대응되는 데이터 신호가 각각의 화소에 입력되어 최종적으로 상기 데이터 신호에 대응되는 계조로 발광되는 단계가 수행된다.Next, a data signal corresponding to the converted data Data 'is input to each pixel, and finally light emitting is performed with a gray level corresponding to the data signal.

단, 상기 변환된 교정 데이터(Data')가 화소에 입력되어 발광되는 과정은 초기화(Initializing) 구간, 문턱전압 저장(Vth storing) 구간, 데이터신호에 대응되는 전압이 충전되는 구간 즉, 프로그래밍(Programming) 구간 및 발광(emission) 구간으로 나뉘어 구현되며, 상기 각각의 구간에서의 동작을 이하 도 8d 내지 도 8g를 통해 설명하도록 한다. In this case, the converted calibration data Data 'is inputted to the pixel to emit light. An initializing section, a threshold voltage storing section, and a section in which a voltage corresponding to the data signal is charged, that is, programming ) Is implemented by dividing into a section and an emission section, and the operation in each section will be described below with reference to FIGS. 8D to 8G.

도 8d는 초기화 구간에 해당되는 것으로, 상기 구간에는 도시된 바와 같이 이전단의 주사신호(Sn-1)은 로우레벨, 주사신호(Sn)은 하이레벨, 감지신호(CLn)는 하이레벨, 발광제어신호(En)은 로우레벨로 인가된다.8D corresponds to an initialization section, in which the previous scan signal Sn-1 has a low level, the scan signal Sn has a high level, and the detection signal CLn has a high level, as shown in FIG. The control signal En is applied at a low level.

따라서, 제 6트랜지스터(M6)는 턴 온되어 기준전압(Vref)가 제 1노드(A)에 인가되며, 제 5트랜지스터(M5) 및 제 3트랜지스터(M3)가 턴 온되어 제 2트랜지스터(M2)의 게이트 전극 즉, 제 2노드(B)의 전압이 유기발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극에 인가되는 제 2전원(ELVSS)로 초기화된다. Accordingly, the sixth transistor M6 is turned on to apply the reference voltage Vref to the first node A, and the fifth transistor M5 and the third transistor M3 are turned on, and the second transistor M2 is turned on. Voltage of the second node B is initialized to the second power source ELVSS applied to the cathode of the organic light emitting diode OLED.

이 때, 상기 기준전압(Vref)는 하이레벨의 전압으로서 제 1전원(ELVDD)로 구현될 수 있으며, 상기 제 2전원(ELVSS)는 접지전원(GND, 0V)으로 구현될 수 있다. 즉, 상기 제 2노드(B)의 전압은 0V로 초기화될 수 있다. In this case, the reference voltage Vref may be implemented as a first power source ELVDD as a high level voltage, and the second power source ELVSS may be implemented as a ground power source GND and 0V. That is, the voltage of the second node B may be initialized to 0V.

또한, 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)는 턴 온되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 오프되어 상기 화소(120)는 데이터 구동부(120)에 연결된다. 따라서, 센싱회로(181) 내의 제 1 내지 제 3스위칭소자(SW1,2,3)는 모두 턴 오프된다. In addition, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned on, and the second switch sw2 is turned off so that the pixel 120 is connected to the data driver 120. Therefore, all of the first to third switching elements SW1, 2, and 3 in the sensing circuit 181 are turned off.

도 8e는 문턱전압 저장(Vth storing) 구간에 해당되는 것으로, 상기 구간에는 도시된 바와 같이 이전단의 주사신호(Sn-1)는 로우레벨, 주사신호(Sn)는 하이레벨, 감지신호(CLn)는 하이레벨, 발광제어신호(En)은 하이레벨로 인가되어, 화소(140)의 화소회로 내에서는 제 5 및 제 6트랜지스터(M5, M6)이 턴 온된다. 또한, 상기 제 5트랜지스터(M5)가 턴 온됨으로써, 제 2트랜지스터(M2)는 다이오드 연결(Diode connection)되므로 턴 온된다.8E corresponds to a threshold voltage storing section, in which the previous scan signal Sn-1 has a low level, the scan signal Sn has a high level, and the detection signal CLn, as shown in FIG. Is a high level, and the emission control signal En is applied at a high level, and the fifth and sixth transistors M5 and M6 are turned on in the pixel circuit of the pixel 140. In addition, since the fifth transistor M5 is turned on, the second transistor M2 is turned on because it is a diode connection.

즉, 상기 제 1노드(A)에는 이전 구간에서와 동일하게 기준전압(Vref)가 인가되어 있으며, 상기 제 2노드(B)에는 제 2 및 제 5트랜지스터의 턴 온에 의해 제 1전원(ELVDD) 과 제 2트랜지스터(M2)의 문턱전압의 차에 해당하는 전압(ELVDD-Vth)이 인가된다. That is, the reference voltage Vref is applied to the first node A as in the previous section, and the first power source ELVDD is turned on to the second node B by turning on the second and fifth transistors. ) And the voltage ELVDD-Vth corresponding to the difference between the threshold voltage of the second transistor M2 is applied.

따라서, 앞서 설명한 바와 같이 상기 기준전압(Vref)가 제 1전원(ELVDD)와 동일할 경우 상기 제 1노드(A)와 제 2노드(B) 사이에 연결된 제 2커패시터(C2)에는 상기 제 2트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth)이 저장된다. Therefore, as described above, when the reference voltage Vref is the same as the first power source ELVDD, the second capacitor C2 connected between the first node A and the second node B is connected to the second capacitor C2. The threshold voltage Vth of the transistor M2 is stored.

또한, 초기화 구간에서와 마찬가지로 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)는 턴 온되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 오프되어 상기 화소(120)는 데이터 구동부(120)에 연결된다. 따라서, 센싱회로(181) 내의 제 1 내지 제 3스위칭소자(SW1,2,3)는 모두 턴 오프된다.  In addition, as in the initialization period, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned on, and the second switch sw2 is turned off so that the pixel 120 is connected to the data driver 120. Therefore, all of the first to third switching elements SW1, 2, and 3 in the sensing circuit 181 are turned off.

도 8f는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전되는 구간 즉, 프로그래밍(Programming) 구간에 해당되는 것으로, 상기 구간에는 도시된 바와 같이 이전단의 주사신호(Sn-1)는 하이레벨, 주사신호(Sn)는 로우레벨, 감지신호(CLn)는 하이레벨, 발광제어신호(En)는 하이레벨로 인가되어, 화소(140)의 화소회로 내에서는 제 1트랜지스터(M1)만이 턴 온된다. 8F corresponds to a section in which a voltage corresponding to the data signal is charged, that is, a programming section, in which the previous scan signal Sn-1 has a high level and a scan signal Sn as shown in FIG. Is applied at a low level, the detection signal CLn is at a high level, and the emission control signal En is at a high level, so that only the first transistor M1 is turned on in the pixel circuit of the pixel 140.

이에 따라 데이터 구동부(120)에서 출력되는 데이터 신호는 화소(140)의 화소회로 내로 인가될 수 있게 된다. Accordingly, the data signal output from the data driver 120 may be applied into the pixel circuit of the pixel 140.

이 때, 상기 데이터 신호는 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 변환된 데이 터(Data')에 대응되는 데이터 신호이다.In this case, the data signal is a data signal corresponding to the data (Data ') converted to display an image of uniform brightness regardless of deterioration of the organic light emitting diode and mobility of the driving transistor.

상기 데이터 신호가 화소 회로 내로 인가되어 제 1노드(A)의 전압이 변동되며, 이에 따라 상기 제 2노드(B)의 전압은 제 1 및 제 2커패시터(C1, C2)의 커플링에 의해 변동된다.The data signal is applied into the pixel circuit to change the voltage of the first node A, and accordingly the voltage of the second node B is changed by the coupling of the first and second capacitors C1 and C2. do.

따라서, 상기 프로그래밍 구간을 통해 제 2노드(B)에 인가되는 전압은 일 예로

Figure 112007060950179-pat00004
가 된다.Therefore, the voltage applied to the second node B through the programming period is an example.
Figure 112007060950179-pat00004
Becomes

여기서,

Figure 112007060950179-pat00005
는 유기발광 다이오드(OLED)의 열화 정도를 보상하는 전류비이고,
Figure 112007060950179-pat00006
는 최초 입력 데이터(Data)에 의해 계조를 표현하기 위해 조절되는 값(k는 데이터 구동부 내의 DAC의 비트수)이며, β는 싱크되는 전류(1/4Imax, Imax)의 전류비이다.here,
Figure 112007060950179-pat00005
Is a current ratio that compensates for the degree of degradation of the organic light emitting diode (OLED),
Figure 112007060950179-pat00006
Is a value (k is the number of bits of the DAC in the data driver) to represent the gray scale by the initial input data (Data), and β is a current ratio of the sinked currents (1 / 4Imax, Imax).

또한, 이전 초기화 구간에서와 마찬가지로 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)는 턴 온되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 오프되어 상기 화소(140)는 데이터 구동부(120)에 연결된다. 따라서, 센싱회로(181) 내의 제 1 내지 제 3스위칭소자(SW1,2,3)는 모두 턴 오프된다. In addition, as in the previous initialization period, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned on, and the second switch sw2 is turned off so that the pixel 140 is connected to the data driver 120. Therefore, all of the first to third switching elements SW1, 2, and 3 in the sensing circuit 181 are turned off.

마지막으로 도 8g는 상기 충전된 데이터 신호에 대응되는 계조로 유기 발광 소자(OLED)가 발광되는 구간에 해당되는 것으로, 상기 구간에는 도시된 바와 같이 이전단의 주사신호(Sn-1)은 하이레벨, 주사신호(Sn)은 하이레벨, 감지신호(CLn)은 하이레벨, 발광제어신호(En)은 로우레벨로 인가되어, 제 3트랜지스터(M3)가 턴 온된다.Lastly, FIG. 8G corresponds to a section in which the organic light emitting diode OLED emits light with a gray level corresponding to the charged data signal, in which the previous scan signal Sn-1 has a high level as shown in the section. The scan signal Sn is applied at a high level, the detection signal CLn is at a high level, and the emission control signal En is applied at a low level, so that the third transistor M3 is turned on.

즉, 상기 제 3트랜지스터(M3)가 턴 온됨으로써, 프로그래밍된 전압에 대응되는 전류는 상기 제 3트랜지스터(M3)를 거쳐 유기 발광소자(OLED)에 인가되며, 최종적으로 상기 유기 발광소자는 상기 전류에 대응하는 계조로 빛을 발광하게 된다.That is, since the third transistor M3 is turned on, a current corresponding to the programmed voltage is applied to the organic light emitting diode OLED through the third transistor M3. Finally, the organic light emitting diode is the current. The light emits light with a gray level corresponding to.

또한, 이전 초기화 구간에서와 마찬가지로 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)은 턴 온되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 오프되어 상기 화소(120)는 데이터 구동부(120)에 연결된다. 따라서, 센싱회로(181) 내의 제 1 내지 제 3스위칭소자(SW1,2,3)은 모두 턴 오프된다. In addition, as in the previous initialization period, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned on and the second switch sw2 is turned off so that the pixel 120 is connected to the data driver 120. Therefore, all of the first to third switching elements SW1, 2, and 3 in the sensing circuit 181 are turned off.

프로그래밍된 전압에 대응되는 전류(ID)는 다음과 같은 수식으로 표현될 수 있다. The current I D corresponding to the programmed voltage can be expressed by the following equation.

Figure 112007060950179-pat00007
Figure 112007060950179-pat00007

상기 수식에서 확인할 수 있는 바와 같이 유기 발광 다이오드(OLED)에 입력되는 전류는 상기 유기 발광 다이오드의 열화정도가 보상됨과 함께 구동 트랜스터(M2)의 이동도 및 문턱전압의 특성이 반영되지 않음으로써 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있 게 되는 것이다.As can be seen from the above equation, the current input to the organic light emitting diode OLED is compensated for the deterioration degree of the organic light emitting diode and the characteristics of the mobility and the threshold voltage of the driving transformer M2 are not reflected. It is possible to display an image of uniform brightness regardless of the degradation of the light emitting diode and the mobility of the driving transistor.

도 9a 내지 도 9g는 본 발명의 제 2실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구동방법을 설명하기 위한 도면으로, 이는 도 4에 도시된 화소가 적용된다.9A to 9G are diagrams for describing a method of driving an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention, in which the pixel illustrated in FIG. 4 is applied.

단, 설명의 편의를 위하여 n번째 주사선(Sn)과 m번째 데이터선(Dm)에 연결된 화소의 제 2실시예(도 4에 도시)를 그 대상으로 한다.  For convenience of explanation, the second embodiment (shown in FIG. 4) of the pixel connected to the n-th scan line Sn and the m-th data line Dm is the object.

단, 앞서 언급한 바와 같이 구동 트랜지스터의 이동도 정보의 센싱은 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 수행되거나, 또는 제품 출하 전에 수행되어 그 결과가 미리 저장됨으로써, 전원이 인가될 때마다 상기 이동도 정보 추출을 수행하지 않고 상기 미리 저장된 정보를 이용할 수도 있다. However, as mentioned above, the sensing of mobility information of the driving transistor is performed whenever power is applied to the organic light emitting display device, or before the product is shipped, and the result is stored in advance so that whenever power is applied. The previously stored information may be used without performing the mobility information extraction.

도 9의 실시예에서는 상기 구동 트랜지스터의 이동도 정보 센싱이 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 수행됨을 그 예로 설명하나, 본 발명의 실시예가 반드시 이에 한정되지 않음은 당업자에게 자명하다. In the embodiment of FIG. 9, the mobility information sensing of the driving transistor is performed every time power is applied to the organic light emitting display device, but it is apparent to those skilled in the art that the embodiment of the present invention is not necessarily limited thereto.

이하, 도 9a 내지 도 9g를 통해 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치의 구동방법을 보다 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, a driving method of the organic light emitting display device according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 9A to 9G.

먼저 도 9a는 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가된 후 영상이 표시되기 전의 제 1비표시기간(non-display time) 동안의 동작을 설명한다. 9A illustrates an operation during a first non-display time after the power is applied to the organic light emitting display device and before the image is displayed.

상기 제 1비표시기간에는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보가 센싱 (OLED degradation sensing)되는 동작이 수행된다.In the first non-display period, an operation in which degradation information of the OLED is sensed is performed.

도 9a에 도시된 바와 같이 상기 제 1비표시기간에는 주사신호(Sn, Sn-1)는 하이레벨, 감지신호(CLn)는 로우레벨, 발광제어신호(En)는 하이레벨로 인가되어 화 소의 화소회로 내에서는 제 4트랜지스터(M4')만이 턴 온된다. As shown in FIG. 9A, in the first non-display period, the scan signals Sn and Sn-1 are applied at a high level, the detection signal CLn is at a low level, and the emission control signal En is applied at a high level. Only the fourth transistor M4 'is turned on in the pixel circuit.

또한, 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)은 턴 오프되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 온되어 상기 화소(140')는 센싱부(180)에 연결된다.In addition, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned off, and the second switch sw2 is turned on so that the pixel 140 ′ is connected to the sensing unit 180.

또한, 센싱회로(181) 내에서는 전류 소스부(185)에 연결된 제 1스위칭소자(SW1)이 턴온되고, 제 1 및 제 2전류 싱크부(186, 187)에 연결된 제 2, 3스위칭소자(SW2, SW3)은 턴오프된다. 이 때, 상기 전류 소스부(185)에서 제공하는 제 1전류(Iref)는 앞서 언급한 바와 같이 상기 화소(140')가 최대 휘도로 발광할 때 유기 발광 다이오드(OLED)로 흘러야 할 전류값(Imax)으로 설정될 수 있다. In addition, in the sensing circuit 181, the first switching device SW1 connected to the current source unit 185 is turned on and the second and third switching devices connected to the first and second current sinks 186 and 187 ( SW2 and SW3 are turned off. In this case, as described above, the first current Iref provided by the current source unit 185 is a current value that should flow to the organic light emitting diode OLED when the pixel 140 'emits light at the maximum luminance. Imax).

상기와 같은 신호의 인가에 따라 상기 전류 소스부(185)로부터 제공되는 제 1전류가 데이터 라인 및 화소 내의 제 4트랜지스터(M4')를 거쳐 유기 발광 다이오드(OLED)로 인가된다.According to the application of the signal, the first current provided from the current source unit 185 is applied to the organic light emitting diode OLED through the fourth transistor M4 ′ in the data line and the pixel.

이에 따라, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 생성되는 소정 전압(제 1전압)은 상기 센싱 회로(181)에 동일하게 인가되며, 상기 제 1전압은 ADC(182)로 공급된다. Accordingly, a predetermined voltage (first voltage) generated at the anode electrode of the organic light emitting diode OLED is equally applied to the sensing circuit 181, and the first voltage is supplied to the ADC 182.

즉, 전류 소스부(185)를 통해 생성되는 제 1전압은 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 갖는다. That is, the first voltage generated through the current source unit 185 has deterioration information of the organic light emitting diode OLED.

이에 상기 ADC(182)는 센싱회로(181)로부터 공급되는 제 1전압을 제 1디지털값으로 변환하며, 메모리(191)는 ADC(182)로부터 공급되는 제 1디지털값 을 저장한다. 실제로, 메모리(191)는 화소부에 포함되는 모든 화소들(140') 각각의 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보를 저장한다. Accordingly, the ADC 182 converts the first voltage supplied from the sensing circuit 181 into a first digital value, and the memory 191 stores the first digital value supplied from the ADC 182. In fact, the memory 191 stores deterioration information of the organic light emitting diode OLED of each of the pixels 140 'included in the pixel unit.

다음으로 도 9b 및 도 9c는 유기전계발광 표시장치에 앞서 도 9a의 제 1비표시기간(non-display time) 이후부터 영상이 표시되기 전 제 2비표시기간 동안의 동작을 설명한다. Next, FIGS. 9B and 9C illustrate an operation during the second non-display period before the image is displayed after the first non-display time of FIG. 9A prior to the organic light emitting display.

상기 제 2비표시기간에는 화소(140') 내 구동 트랜지스터로서의 제 2트랜지스터(M2')의 이동도 정보가 센싱되는 동작이 수행된다. In the second non-display period, an operation of sensing mobility information of the second transistor M2 'as a driving transistor in the pixel 140' is performed.

본 발명의 실시예에서는 상기 제 2트랜지스터(M2')의 이동도 정보를 센싱하기 위해 상기 제 2비표시기간을 두 구간으로 나누어 각각 독립적으로 전류를 싱크하는 동작을 수행함을 특징으로 한다. In an exemplary embodiment of the present invention, the second non-display period is divided into two sections so as to separately sense currents in order to sense the mobility information of the second transistor M2 '.

단, 앞서 설명한 바와 같이 제 2 트랜지스터(M2')의 이동도 정보의 센싱은 제품 출하 전에 수행되어 그 결과가 미리 저장됨으로써, 전원이 인가될 때마다 상기 이동도 정보 추출을 수행하지 않고 상기 미리 저장된 정보를 이용할 수도 있다.However, as described above, the sensing of the mobility information of the second transistor M2 'is performed before the product is shipped and the result is stored in advance, so that the mobility information is not extracted every time the power is applied. Information may also be available.

도 9b에 도시된 바와 같이 상기 제 2비표시기간 중 첫번째 구간에는 이전단의 주사신호(Sn-1)는 로우레벨, 주사신호(Sn)는 로우레벨, 감지신호(CLn)는 하이레벨, 발광제어신호(En)는 하이레벨로 인가되어 화소(140')의 화소회로 내에서는 제 1트랜지스터(M1'), 제 5 및 제 7트랜지스터(M5', M7')이 턴 온된다. 또한, 상기 제 5트랜지스터(M5')가 턴 온됨으로써, 제 2트랜지스터(M2')는 다이오드 연결(Diode connection)되므로 턴 온된다.As shown in FIG. 9B, in the first section of the second non-display period, the previous scan signal Sn-1 has a low level, the scan signal Sn has a low level, the detection signal CLn has a high level, and emits light. The control signal En is applied at a high level so that the first transistor M1 ′, the fifth and seventh transistors M5 ′, M7 ′ are turned on in the pixel circuit of the pixel 140 ′. In addition, since the fifth transistor M5 'is turned on, the second transistor M2' is turned on because it is a diode connection.

또한, 화소(140') 내에 구비된 스위칭소자(T1)에 하이레벨이 인가되어 턴 온되어 화소(140')가 제어라인(Cm)을 통해 센싱부(180)에 연결된다. 이 때, 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1) 및 제 2스위치(sw2)는 모두 턴 오프된다.In addition, a high level is applied to the switching element T1 provided in the pixel 140 'and turned on to connect the pixel 140' to the sensing unit 180 through the control line Cm. At this time, in the switching unit 170, both the first switch sw1 and the second switch sw2 are turned off.

또한, 센싱회로(181) 내에서는 전류 소스부(185)에 연결된 제 1스위칭소자(SW1)이 턴 오프되고, 제 1전류 싱크부(186)에 연결된 제 2스위칭소자(SW2)가 턴 온되며, 제 2전류 싱크부(187)에 연결된 제 3스위칭소자(SW3)가 턴 오프된다. 이 때, 상기 제 1전류 싱크부(186)에서 싱크하는 제 2전류는 일 예로 도시된 바와 같이 1/4βImax가 될 수 있다.(β는 상수)In the sensing circuit 181, the first switching device SW1 connected to the current source unit 185 is turned off, and the second switching device SW2 connected to the first current sink unit 186 is turned on. The third switching device SW3 connected to the second current sink 187 is turned off. In this case, the second current sinking in the first current sinking unit 186 may be 1 / 4βImax as shown in an example. (Β is a constant).

상기와 같은 신호의 인가에 따라 상기 제 1전류 싱크부(186)는 제 2스위칭소자(SW2), 제어라인(Cm), 화소 내의 스위칭소자(T1), 제 7트랜지스터(M7'), 제 5트랜지스터(M5') 및 제 2트랜지스터(M2')를 경유하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 제 2전류 즉, 1/4βImax를 싱크한다. 제 1전류 싱크부(186)에서 상기 제 2전류가 싱크될 때 제 1전류 싱크부(186)에는 제 2전압이 인가된다. According to the application of the signal as described above, the first current sink 186 includes the second switching element SW2, the control line Cm, the switching element T1 in the pixel, the seventh transistor M7 ', and the fifth. The second current, i.e., 1 / 4βImax, is sinked from the first power supply ELVDD via the transistor M5 'and the second transistor M2'. When the second current is sinked in the first current sink 186, a second voltage is applied to the first current sink 186.

즉, 상기 제 2전압(VG1 _1)은

Figure 112007060950179-pat00008
이 된다. That is, the second voltage V G1 _1 is
Figure 112007060950179-pat00008
Becomes

(μ : 제 2트랜지스터의 이동도, W/L : 제 2트랜지스터 채널의 폭(Width) 대 길이(Length) 비, Vth : 제 2트랜지스터의 문턱전압,)(μ: mobility of the second transistor, W / L: width to length ratio of the second transistor channel, Vth: threshold voltage of the second transistor,)

상기 수식에서 나타나는 바와 같이 상기 제 2전류가 제 2트랜지스터(M2')를 경유하여 싱크되기 때문에 제 2전압에는 제 2트랜지스터(M2')의 문턱전압/이동도 정보가 포함된다.As shown in the above equation, since the second current is sinked through the second transistor M2 ', the second voltage includes the threshold voltage / mobility information of the second transistor M2'.

다음으로 도 9c에 도시된 바와 같이 상기 제 2비표시기간 중 두번째 구간에는 이전단의 주사신호(Sn-1)는 로우레벨, 주사신호(Sn)는 로우레벨, 감지신호(CLn) 은 하이레벨, 발광제어신호(En)는 하이레벨로 인가되어 화소(140')의 화소회로 내에서는 제 1트랜지스터(M1'), 제 5 및 제 7트랜지스터(M5', M7')이 턴 온된다. 또한, 상기 제 5트랜지스터(M5')가 턴 온됨으로써, 제 2트랜지스터(M2')는 다이오드 연결(Diode connection)되므로 턴 온된다.Next, as shown in FIG. 9C, in the second section of the second non-display period, the previous scan signal Sn-1 has a low level, the scan signal Sn has a low level, and the detection signal CLn has a high level. The emission control signal En is applied at a high level so that the first transistor M1 ', the fifth and seventh transistors M5', M7 'are turned on in the pixel circuit of the pixel 140'. In addition, since the fifth transistor M5 'is turned on, the second transistor M2' is turned on because it is a diode connection.

또한, 화소내에 구비된 스위칭소자(T1)에 하이레벨이 인가되어 턴 온되어, 화소(140')가 제어라인(Cm)을 통해 센싱부(180)에 연결된다. 이때, 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1) 및 제 2스위치(sw2)가 모두 턴 오프된다. In addition, a high level is applied to the switching element T1 included in the pixel and turned on, so that the pixel 140 'is connected to the sensing unit 180 through the control line Cm. At this time, in the switching unit 170, both the first switch sw1 and the second switch sw2 are turned off.

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또한, 센싱회로(181) 내에서는 전류 소스부(185)에 연결된 제 1스위칭소자(SW1)이 턴 오프되고, 제 1전류 싱크부(186)에 연결된 제 2스위칭소자(SW2)가 턴 오프되며, 제 2전류 싱크부(187)에 연결된 제 3스위칭소자(SW3)가 턴 온된다. 이 때, 상기 제 2전류 싱크부(187)에서 싱크하는 제 3전류는 일 예로 도시된 바와 같이 4βImax가 될 수 있다.(β는 상수)In the sensing circuit 181, the first switching device SW1 connected to the current source unit 185 is turned off, and the second switching device SW2 connected to the first current sink unit 186 is turned off. The third switching device SW3 connected to the second current sink 187 is turned on. In this case, the third current sinking in the second current sinking unit 187 may be 4βImax as shown in an example. (Β is a constant).

즉, 상기 제 3전류는 앞서 설명한 제 1전류 싱크부(186)에서 싱크하는 전류의 4배에 해당함을 특징으로 한다. 단, 이는 하나의 실시예로써 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 3전류는 제 2전류의 4j(j는 정수) 배에 해당함이 바람직하다.That is, the third current corresponds to four times the current sinked by the first current sink 186 described above. However, the embodiment is not limited thereto, and the third current may correspond to 4j (j is an integer) times the second current.

상기와 같은 신호의 인가에 따라 상기 제 2전류 싱크부(187)는 제 3스위칭소자(SW3), 제어 라인(Cm), 화소 내의 스위칭소자(T1), 제 7트랜지스터(M7'), 제 5트랜지스터(M5') 및 제 2트랜지스터(M2')를 경유하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 제 3 전류 즉, βImax를 싱크한다. 제 2전류 싱크부(187)에서 상기 제 3전류가 싱크될 때 제 2전류 싱크부(187)에는 제 3전압이 인가된다. According to the application of the signal as described above, the second current sink 187 may include the third switching element SW3, the control line Cm, the switching element T1 in the pixel, the seventh transistor M7 ′, and the fifth. The third current, i.e., βImax, is sinked from the first power supply ELVDD via the transistor M5 'and the second transistor M2'. When the third current is sinked in the second current sink 187, a third voltage is applied to the second current sink 187.

즉, 상기 제 3전압(VG1 _2)은

Figure 112007060950179-pat00009
이 된다. That is, the third voltage V G1 _2 is
Figure 112007060950179-pat00009
Becomes

상기 수식에서 나타나는 바와 같이 상기 제 3전류가 제 2트랜지스터(M2')를 경유하여 싱크되기 때문에 제 3전압에는 제 2트랜지스터(M2')의 문턱전압/이동도 정보가 포함된다.As shown in the above equation, since the third current is sinked via the second transistor M2 ', the third voltage includes the threshold voltage / mobility information of the second transistor M2'.

이와 같이 상기 제 1 및 제 2전류 싱크부(186, 187)를 통해 제 2전압 및 제 3전압이 측정되면, 상기 제 2전압 및 제 3전압의 차에 해당되는 정보는 ADC(182)로 공급된다. As such, when the second voltage and the third voltage are measured through the first and second current sinks 186 and 187, information corresponding to the difference between the second voltage and the third voltage is supplied to the ADC 182. do.

이 때, 상기 제 2 전압 및 제 3전압의 차(|제 2전압 -제 3전압|)는At this time, the difference between the second voltage and the third voltage (| second voltage-third voltage |)

Figure 112007060950179-pat00010
가 되며, 상기 수식에서 나타나는 바와 같이 이는 제 2트랜지스터(M2')의 이동도 정보를 갖는다.
Figure 112007060950179-pat00010
As shown in the above formula, it has the mobility information of the second transistor M2 '.

이에 상기 ADC(182)는 센싱회로(181)로부터 공급되는 제 2전압 및 제 3전압의 차를 제 2디지털값으로 변환하며, 메모리(191)는 ADC(182)로부터 공급되는 상기 제 2디지털값 을 저장한다. 실제로, 메모리(191)는 화소부에 포함되는 모든 화소들(140') 각각의 구동 트랜지스터에 대한 이동도 정보를 저장한다. Accordingly, the ADC 182 converts the difference between the second voltage and the third voltage supplied from the sensing circuit 181 into a second digital value, and the memory 191 stores the second digital value supplied from the ADC 182. Save it. In fact, the memory 191 stores mobility information about the driving transistors of all the pixels 140 'included in the pixel unit.

즉, 도 9a 내지 도 9c의 단계를 거쳐 메모리(191)는 ADC(182)로부터 공급되는 제 1디지털값 및 제 2디지털값을 저장하게 되며, 이에 따라 상기 메모리(191)는 화소부(130)에 포함되는 모든 화소들(140') 각각의 제 2트랜지스터(M2)의 이동도 정보 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보를 저장한다. That is, the memory 191 stores the first digital value and the second digital value supplied from the ADC 182 through the steps of FIGS. 9A to 9C. Accordingly, the memory 191 stores the pixel unit 130. The mobility information of each of the second transistors M2 and the deterioration information of the organic light emitting diode OLED may be stored.

이에 변환회로(192)는 메모리(191)에 저장된 제 1디지털값 및 제 2디지털값을 이용하여 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 타이밍 제어부(150)로부터 전달받은 입력 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환한다. Accordingly, the conversion circuit 192 may use the first digital value and the second digital value stored in the memory 191 to display an image of uniform luminance regardless of deterioration of the organic light emitting diode and mobility of the driving transistor. The input data Data received from 150 is converted into calibration data Data '.

즉, 변환회로(192)는 제 1디지털값을 참조하여 각 화소에 구비된 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도를 판단하고, 이와 동시에 제 2디지털값을 참조하여 각 화소에 구비된 제 2트랜지스터(M2')의 이동도를 측정하여 타이밍 제어부(150)으로부터 입력되는 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환한 뒤 이를 데이터 구동부(120)에 제공함으로써, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 낮은 휘도의 빛이 생성되는 것을 방지하면서, 제 2트랜지스터(M2)의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있게 되는 것이다. That is, the conversion circuit 192 determines the degree of deterioration of the organic light emitting diode OLED provided in each pixel with reference to the first digital value, and at the same time, the second transistor provided in each pixel with reference to the second digital value. By measuring the mobility of the M2 'and converting the data Data input from the timing controller 150 into the calibration data Data', the organic light emitting diode OLED is provided to the data driver 120. As it deteriorates, light of low luminance is prevented from being generated, and an image of uniform luminance can be displayed regardless of the mobility of the second transistor M2.

다음으로는 상기 변환된 데이터(Data')에 대응되는 데이터 신호가 각각의 화소에 입력되어 최종적으로 상기 데이터 신호에 대응되는 계조로 발광되는 단계가 수행된다.Next, a data signal corresponding to the converted data Data 'is input to each pixel, and finally light emitting is performed with a gray level corresponding to the data signal.

단, 상기 변환된 교정 데이터(Data')가 화소에 입력되어 발광되는 과정은 초기화(Initializing) 구간, 문턱전압 저장 및 데이터신호에 대응되는 전압이 충전(프로그래밍)되는(Vth storing and Programming) 구간, 부스팅(Boosting) 구간 및 발광(emission) 구간으로 나뉘어 구현되며, 상기 각각의 구간에서의 동작을 이하 도 9d 내지 도 9g를 통해 설명하도록 한다. In this case, the converted calibration data Data 'is inputted to a pixel to emit light. An initializing period, a threshold voltage storage, and a voltage corresponding to a data signal are charged (Vth storing and programming) period, Implemented into a boosting section and an emission section, the operation in each section will be described below with reference to FIGS. 9D to 9G.

도 9d는 초기화 구간에 해당되는 것으로, 상기 구간에는 도시된 바와 같이 이전단의 주사신호(Sn-1)는 로우레벨, 주사신호(Sn)는 하이레벨, 감지신호(CLn)는 하이레벨, 발광제어신호(En)는 하이레벨로 인가된다.FIG. 9D corresponds to an initialization section, in which the previous scan signal Sn-1 has a low level, the scan signal Sn has a high level, and the detection signal CLn has a high level, as shown in FIG. The control signal En is applied at a high level.

또한, 스위칭소자(T1)는 턴 오프되어 상기 제 6트랜지스터(M6')의 제 1전극으로는 기준전압(Vref)이 인가된다. In addition, the switching element T1 is turned off and the reference voltage Vref is applied to the first electrode of the sixth transistor M6 '.

이 때, 상기 기준전압(Vref)은 접지전압(GND, 0V)로 구현됨이 바람직하다. In this case, the reference voltage Vref may be implemented as the ground voltage GND and 0V.

따라서, 제 7트랜지스터(M7)가 턴 온되어 제 7트랜지스터의 제 2전극에 인가된 전압 즉, 제 2트랜지스터(M2)의 게이트 전압은 상기 기준전압(Vref)으로 초기화 된다. Therefore, the seventh transistor M7 is turned on and the voltage applied to the second electrode of the seventh transistor, that is, the gate voltage of the second transistor M2 is initialized to the reference voltage Vref.

또한, 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1) 및 제 2스위치(sw2)는 모두 턴 오프되어 상기 구간에서는 화소(140')가 데이터 구동부(120) 및 센싱부(180)에 연결되지 않는다. In addition, in the switching unit 170, both the first switch sw1 and the second switch sw2 are turned off so that the pixel 140 ′ is not connected to the data driver 120 and the sensing unit 180 in the period. .

도 9e는 문턱전압 저장 및 프로그래밍(Vth storing and Programming) 구간에 해당되는 것으로, 상기 구간에는 도시된 바와 같이 이전단의 주사신호(Sn-1)는 하이레벨, 주사신호(Sn)는 로우레벨, 감지신호(CLn)는 하이레벨, 발광제어신호(En)는 하이레벨로 인가되고, 스위칭소자(T1)는 턴 오프되어 상기 제 6트랜지스터(M6')의 제 1전극은 기준전압(Vref)원에 연결된다.FIG. 9E corresponds to a threshold voltage storing and programming section, in which the previous scan signal Sn-1 has a high level, the scan signal Sn has a low level, as shown in FIG. The detection signal CLn is applied at a high level, the emission control signal En is applied at a high level, and the switching element T1 is turned off so that the first electrode of the sixth transistor M6 'is a reference voltage Vref. Is connected to.

이에 따라, 상기 화소(140')의 화소회로 내에서는 제 1 및 제 5트랜지스터(M1', M5')이 턴 온된다. 또한, 상기 제 5트랜지스터(M5')가 턴 온됨으로써, 제 2트랜지스터(M2')는 다이오드 연결(Diode connection)되므로 턴 온된다.Accordingly, the first and fifth transistors M1 'and M5' are turned on in the pixel circuit of the pixel 140 '. In addition, since the fifth transistor M5 'is turned on, the second transistor M2' is turned on because it is a diode connection.

즉, 상기 제 2노드(B)에는 제 2 및 제 5트랜지스터의 턴 온에 의해 제 1전원(ELVDD) 과 제 2트랜지스터(M2')의 문턱전압의 차에 해당하는 전압(ELVDD-Vth)이 인가된다. That is, the voltage ELVDD-Vth corresponding to the difference between the threshold voltages of the first power source ELVDD and the second transistor M2 'is turned on by the second node B by turning on the second and fifth transistors. Is approved.

또한, 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)는 턴 온되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 오프되어 상기 화소(140')는 데이터 구동부(120)에 연결된다. 따라서, 센싱회로(181) 내의 제 1 내지 제 3스위칭소자(SW1,2,3)는 모두 턴 오프된다. In addition, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned on, and the second switch sw2 is turned off so that the pixel 140 ′ is connected to the data driver 120. Therefore, all of the first to third switching elements SW1, 2, and 3 in the sensing circuit 181 are turned off.

즉, 상기 구간에서는 데이터 구동부(120)에서 인가되는 데이터 신호 즉, 교정 데이터(Data')에 대응되는 데이터 신호가 화소 내에 제공되며, 상기 데이터 신호는 데이터 라인(Dm) 및 제 1트랜지스터(M1')을 거쳐 제 1노드(A)에 인가된다. That is, in the period, a data signal applied from the data driver 120, that is, a data signal corresponding to the calibration data Data ′ is provided in the pixel, and the data signal is the data line Dm and the first transistor M1 ′. Is applied to the first node (A).

이 때, 상기 데이터 신호에 의해 상기 제 1노드에 걸리는 전압은, 일 예로 In this case, the voltage applied to the first node by the data signal is one example.

Figure 112007060950179-pat00011
가 될 수 있다.
Figure 112007060950179-pat00011
Can be

여기서,

Figure 112007060950179-pat00012
는 유기발광 다이오드(OLED)의 열화 정도를 보상하는 전류비이고,
Figure 112007060950179-pat00013
는 최초 입력 데이터(Data)에 의해 계조를 표현하기 위해 조절되는 값(k는 데이터 구동부 내의 DAC의 비트수)이며, β는 싱크되는 전류(1/4Imax, Imax)의 전류비이다.here,
Figure 112007060950179-pat00012
Is a current ratio that compensates for the degree of degradation of the organic light emitting diode (OLED),
Figure 112007060950179-pat00013
Is a value (k is the number of bits of the DAC in the data driver) to represent the gray scale by the initial input data (Data), and β is a current ratio of the sinked currents (1 / 4Imax, Imax).

도 9f는 부스팅(Boosting) 구간에 해당되는 것으로, 상기 구간에는 도시된 바와 같이 이전단의 주사신호(Sn-1)는 하이레벨, 주사신호(Sn)는 하이레벨, 감지신 호(CLn)는 하이레벨이 인가되고, 발광제어신호(En)는 로우레벨로 천이되어, 화소(140)의 화소회로 내의 제 6트랜지스터(M6')가 턴 온된다. FIG. 9F corresponds to a boosting section, in which the previous scan signal Sn-1 has a high level, the scan signal Sn has a high level, and the detection signal CLn has shown in FIG. The high level is applied, and the emission control signal En transitions to the low level, and the sixth transistor M6 'in the pixel circuit of the pixel 140 is turned on.

이에 따라 상기 제 6트랜지스터(M6')의 제 1전극으로 제공되는 기준전압(Vref)은 제 1노드(A)로 인가되며, 이에 이전 프로그래밍 구간에서 인가된 데이터 신호에 의한 제 1노드(A)의 전압이 변동되며, 이에 따라 상기 제 2노드(B)의 전압은 제 1 및 제 2커패시터(C1, C2)에 따른 부스팅(Boosting)에 의해 변동된다.Accordingly, the reference voltage Vref provided to the first electrode of the sixth transistor M6 'is applied to the first node A, and thus the first node A is applied by the data signal applied in the previous programming section. The voltage of is changed, and accordingly, the voltage of the second node B is changed by boosting according to the first and second capacitors C1 and C2.

따라서, 상기 부스팅 구간을 통해 제 2노드(B)에 인가되는 전압은 일 예로

Figure 112007060950179-pat00014
가 된다.Therefore, the voltage applied to the second node B through the boosting period is an example.
Figure 112007060950179-pat00014
Becomes

또한, 이전 프로그래밍 구간에서와 마찬가지로 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)는 턴 온되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 오프되어 상기 화소(120)는 데이터 구동부(120)에 연결된다. 따라서, 센싱회로(181) 내의 제 1 내지 제 3스위칭소자(SW1,2,3)는 모두 턴 오프된다. In addition, as in the previous programming period, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned on and the second switch sw2 is turned off so that the pixel 120 is connected to the data driver 120. Therefore, all of the first to third switching elements SW1, 2, and 3 in the sensing circuit 181 are turned off.

마지막으로 도 7g는 상기 충전된 데이터 신호에 대응되는 계조로 유기 발광 소자(OLED)가 발광되는 구간에 해당되는 것으로, 상기 구간에는 도시된 바와 같이 이전단의 주사신호(Sn-1)는 하이레벨, 주사신호(Sn)는 하이레벨, 감지신호(CLn)는 하이레벨, 발광제어신호(En)는 로우레벨로 인가되어, 제 3트랜지스터(M3')가 턴 온된다.Lastly, FIG. 7G corresponds to a section in which the organic light emitting diode OLED emits light with a gray level corresponding to the charged data signal, in which the previous scan signal Sn-1 has a high level as shown in the section. The scan signal Sn is applied at a high level, the detection signal CLn is at a high level, and the emission control signal En is applied at a low level, so that the third transistor M3 'is turned on.

즉, 상기 제 3트랜지스터(M3')가 턴 온됨으로써, 프로그래밍된 전압에 대응되는 전류는 상기 제 3트랜지스터(M3')를 거쳐 유기 발광소자(OLED)에 인가되며, 최종적으로 상기 유기 발광소자는 상기 전류에 대응하는 계조로 빛을 발광하게 된다.That is, since the third transistor M3 'is turned on, a current corresponding to the programmed voltage is applied to the organic light emitting diode OLED through the third transistor M3', and finally the organic light emitting diode is The light emits light with a gray level corresponding to the current.

또한, 이전 구간에서와 마찬가지로 스위칭부(170)에서는 제 1스위치(sw1)은 턴 온되고, 제 2스위치(sw2)는 턴 오프되어 상기 화소(140')는 데이터 구동부(120)에 연결된다. 따라서, 센싱회로(181) 내의 제 1 내지 제 3스위칭소자(SW1,2,3)은 모두 턴 오프된다. In addition, as in the previous section, in the switching unit 170, the first switch sw1 is turned on, and the second switch sw2 is turned off so that the pixel 140 ′ is connected to the data driver 120. Therefore, all of the first to third switching elements SW1, 2, and 3 in the sensing circuit 181 are turned off.

프로그래밍된 전압에 대응되는 전류(ID)는 다음과 같은 수식으로 표현될 수 있다. The current I D corresponding to the programmed voltage can be expressed by the following equation.

Figure 112007060950179-pat00015
Figure 112007060950179-pat00015

Figure 112007060950179-pat00016
Figure 112007060950179-pat00016

상기 수식에서 확인할 수 있는 바와 같이 유기 발광 다이오드(OLED)에 입력되는 전류는 상기 유기 발광 다이오드의 열화정도가 보상됨과 함께 구동 트랜스터(M2')의 이동도 및 문턱전압의 특성이 반영되지 않음으로써 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있게 되는 것이다. As can be seen from the above equation, the current input to the organic light emitting diode (OLED) is compensated for the deterioration degree of the organic light emitting diode and the characteristics of the mobility and threshold voltage of the driving transformer M2 'are not reflected. It is possible to display an image of uniform brightness regardless of deterioration of the organic light emitting diode and mobility of the driving transistor.

상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.The above detailed description and drawings are merely exemplary of the present invention, but are used only for the purpose of illustrating the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical protection scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 종래의 화소를 나타내는 회로도.1 is a circuit diagram showing a conventional pixel.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 블록도.2 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 화소의 제 1실시예를 나타내는 회로도.FIG. 3 is a circuit diagram showing a first embodiment of the pixel shown in FIG.

도 4는 도 2에 도시된 화소의 제 2실시예를 나타내는 회로도.4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the pixel shown in FIG.

도 5는 도 2에 도시된 스위칭부, 센싱부 및 변환부을 상세히 나타내는 블록도. FIG. 5 is a block diagram illustrating in detail a switching unit, a sensing unit, and a conversion unit illustrated in FIG. 2.

도 6은 도 5에 도시된 센싱회로를 나타내는 도면.FIG. 6 is a diagram illustrating a sensing circuit of FIG. 5. FIG.

도 7은 도 2에 도시된 데이터 구동부의 실시예를 나타내는 블록도.FIG. 7 is a block diagram illustrating an embodiment of a data driver shown in FIG. 2. FIG.

도 8a 내지 도 8g는 본 발명의 제 1실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구동방법을 설명하기 위한 도면.8A to 8G illustrate a method of driving an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 9a 내지 도 9g는 본 발명의 제 2실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구동방법을 설명하기 위한 도면.9A to 9G illustrate a method of driving an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

2,142 : 화소회로 4,140, 140' : 화소2,142: pixel circuit 4,140, 140 ': pixel

110 : 주사 구동부 120 : 데이터 구동부110: scan driver 120: data driver

121 : 쉬프트 레지스터부 122 : 샘플링 래치부121: shift register section 122: sampling latch section

123 : 홀딩 래치부 124 : 신호 생성부123: holding latch unit 124: signal generating unit

125 : 버퍼부 130 : 화소부125: buffer portion 130: pixel portion

150 : 타이밍 제어부 160 : 감지선 구동부150: timing controller 160: sensing line driver

170 : 스위칭부 180 : 센싱부170: switching unit 180: sensing unit

181 : 센싱회로 182 : ADC181: sensing circuit 182: ADC

185 : 전류 소스부 186 : 제 1전류 싱크부185: current source unit 186: first current sink unit

187 : 제 2전류 싱크부 190 : 변환부187: second current sink 190: converter

191 : 메모리 192 : 변환 회로191 memory 192 conversion circuit

Claims (32)

데이터선들, 주사선들, 발광 제어선들의 교차부마다 위치되는 다수의 화소들과;A plurality of pixels positioned at each intersection of the data lines, the scan lines, and the emission control lines; 상기 각 화소들에 구비되는 유기 발광 다이오드의 열화정보 및 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 센싱하기 위한 센싱부와;A sensing unit for sensing degradation information of the organic light emitting diode and mobility information of a driving transistor included in each pixel; 상기 센싱부에서 센싱된 상기 유기 발광 다이오드의 열화정보 및 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 저장하고, 이를 이용하여 입력 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환하는 변환부와;A converter configured to store deterioration information of the organic light emitting diode and mobility information of a driving transistor sensed by the sensing unit, and convert input data into calibration data by using the same; 상기 변환부에서 출력되는 교정 데이터(Data')를 입력받아 공급될 데이터신호들을 생성하는 데이터 구동부가 포함되며,It includes a data driver for generating data signals to be supplied by receiving the calibration data (Data ') output from the conversion unit, 상기 센싱부는,The sensing unit, 각각의 채널마다 위치되는 센싱회로와;A sensing circuit positioned for each channel; 상기 센싱회로로부터 공급되는 상기 유기발광 다이오드의 열화 정보를 제 1디지털값으로 변환하고, 상기 구동 트랜지스터의 이동도 정보를 제 2디지털값으로 변환하기 위한 적어도 하나의 아날로그 디지털 변환부가 포함됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And at least one analog-digital converter for converting degradation information of the organic light emitting diode supplied from the sensing circuit into a first digital value and converting mobility information of the driving transistor into a second digital value. Organic electroluminescent display. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센싱부와 상기 데이터 구동부 중 어느 하나를 데이터선들과 접속하기 위한 스위칭부가 포함됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치. And a switching unit for connecting any one of the sensing unit and the data driver to the data lines. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센싱회로는,The sensing circuit, 상기 화소로 제 1전류를 공급하기 위한 전류 소스부와;A current source unit for supplying a first current to the pixel; 상기 화소로부터 제 2전류를 싱크하기 위한 제 1전류 싱크부와;A first current sinker for sinking a second current from the pixel; 상기 화소로부터 제 3전류를 싱크하기 위한 제 2전류 싱크부를 포함함을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And a second current sink for sinking a third current from the pixel. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 센싱회로는 상기 전류 소스부, 제 1 및 제 2전류싱크부에 각각 연결되는 스위칭소자(SW1, SW2, SW3)를 포함함을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.The sensing circuit includes a switching element (SW1, SW2, SW3) connected to the current source unit, the first and second current sink unit, respectively. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제 3전류는 제 2전류의 4j(j는 정수)배에 해당함을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And the third current corresponds to 4j (j is an integer) times the second current. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 스위칭부는 각각의 채널마다 한 쌍의 스위치(sw1, sw2)를 구비하고, The switching unit includes a pair of switches sw1 and sw2 for each channel, 상기 한 쌍의 스위치는, The pair of switches, 상기 데이터 구동부와 상기 데이터선 사이에 위치되며 상기 데이터신호가 공급될 때 턴-온되는 제 1스위치(sw1)와; A first switch sw1 positioned between the data driver and the data line and turned on when the data signal is supplied; 상기 센싱부와 상기 데이터선 사이에 위치되며 상기 열화 정보 또는 이동도 정보가 센싱될 때 턴-온되는 제 2스위치(sw2)임을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And a second switch (sw2) positioned between the sensing unit and the data line and turned on when the degradation information or mobility information is sensed. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 변환부는, The conversion unit, 상기 제 1디지털값 및 제 2디지털값을 저장하기 위한 메모리와;A memory for storing the first digital value and the second digital value; 상기 메모리에 저장된 정보를 이용하여 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 입력 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환하는 변환회로를 포함함을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.A conversion circuit for converting input data into calibration data to display an image of uniform brightness irrespective of deterioration of the organic light emitting diode and mobility of a driving transistor using information stored in the memory. An organic light emitting display device, characterized in that. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화소들 각각은, Each of the pixels, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)와;The organic light emitting diode (OLED); 게이트 전극이 주사선에 접속되고, 데이터선 및 제 1노드(A) 사이에 접속된 제 1트랜지스터(M1)와;A first transistor M1 connected to the scan line and connected between the data line and the first node A; 게이트 전극이 제 2노드(B)에 접속되고, 제 1전극이 제 1전원(ELVDD)에 접속되는 제 2트랜지스터(M2)와;A second transistor M2 having a gate electrode connected to the second node B and a first electrode connected to the first power source ELVDD; 게이트 전극이 발광 제어선에 접속되고, 상기 제 2트랜지스터(M2)의 제 2전극 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속된 제 3트랜지스터(M3)와;A third transistor (M3) connected to a light emission control line and connected between a second electrode of the second transistor (M2) and an anode electrode of the organic light emitting diode (OLED); 게이트 전극이 감지선에 접속되고, 데이터선 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속된 제 4트랜지스터(M4)와;A fourth transistor (M4) connected to a sensing line of the gate electrode and connected between the data line and the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED); 게이트 전극이 이전단의 주사선에 접속되고, 상기 제 2트랜지스터(M2)의 게이트 전극 및 제 2전극 사이에 접속된 제 5트랜지스터(M5)와;A fifth transistor (M5) connected to a gate electrode of the previous stage and connected between the gate electrode and the second electrode of the second transistor (M2); 게이트 전극이 이전단의 주사선에 접속되고, 기준전압(Vref)원과 상기 제 1노드 사이에 접속된 제 6트랜지스터(M6)와;A sixth transistor (M6) connected to a scan line at a previous stage and connected between a reference voltage (Vref) source and the first node; 상기 제 1전원(ELVDD) 및 제 2노드(B) 사이에 접속된 제 1 커패시터(C1)와;A first capacitor C1 connected between the first power supply ELVDD and the second node B; 상기 제 1노드(A) 및 제 2노드(B) 사이에 접속된 제 2커패시터(C2)가 포함함을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And a second capacitor (C2) connected between the first node (A) and the second node (B). 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 1 내지 제 6트랜지스터는 PMOS 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하 는 유기전계발광 표시장치.And the first to sixth transistors are implemented as PMOS transistors. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 발광 제어선으로 공급되는 발광 제어신호는 상기 제 1 및 제 2커패시터(C1, C2)에 데이터신호에 대응되는 전압이 충전되는 기간, 제 2트랜지스터(M2)의 문턱전압이 저장되는 기간, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보가 센싱되는 기간에 하이레벨로 인가됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.The emission control signal supplied to the emission control line includes a period during which a voltage corresponding to a data signal is charged in the first and second capacitors C1 and C2, a period during which a threshold voltage of the second transistor M2 is stored, and The organic light emitting display device of claim 1, wherein the degradation information of the organic light emitting diode is applied at a high level. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 감지선으로 공급되는 감지신호는 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보가 센싱되는 기간 및 상기 제 2트랜지스터(M2)의 이동도 정보가 센싱되는 기간에 로우 레벨로 인가됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.The sensing signal supplied to the sensing line is applied at a low level in a period during which deterioration information of the organic light emitting diode is sensed and a period in which mobility information of the second transistor M2 is sensed. Light emitting display. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 기준전압(Vref)은 상기 제 1전원(ELVDD)와 동일한 전압값으로 구현됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.The reference voltage (Vref) is the organic light emitting display device, characterized in that implemented as the same voltage value as the first power source (ELVDD). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화소들 각각은, Each of the pixels, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)와;The organic light emitting diode (OLED); 게이트 전극이 주사선에 접속되고, 데이터선 및 제 1노드(A) 사이에 접속된 제 1트랜지스터(M1')와;A first transistor M1 ', whose gate electrode is connected to the scanning line and connected between the data line and the first node A; 게이트 전극이 제 2노드(B)에 접속되고, 제 1전극이 제 1전원(ELVDD)에 접속되는 제 2트랜지스터(M2')와;A second transistor M2 ', whose gate electrode is connected to the second node B, and the first electrode is connected to the first power source ELVDD; 게이트 전극이 발광 제어선에 접속되고, 상기 제 2트랜지스터(M2')의 제 2전극 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속된 제 3트랜지스터(M3')와;A third transistor (M3 ') connected to a light emission control line and connected between a second electrode of the second transistor (M2') and an anode electrode of the organic light emitting diode (OLED); 게이트 전극이 감지선에 접속되고, 데이터선 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속된 제 4트랜지스터(M4')와;A fourth transistor (M4 ') connected to a sensing line of the gate electrode and connected between the data line and the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED); 게이트 전극이 주사선에 접속되고, 상기 제 2트랜지스터(M2')의 게이트 전극 및 제 2전극 사이에 접속된 제 5트랜지스터(M5')와;A fifth transistor (M5 ') having a gate electrode connected to the scan line and connected between the gate electrode and the second electrode of the second transistor (M2'); 게이트 전극이 발광 제어선에 접속되고, 기준전압(Vref)원 또는 제어선과 상기 제 1노드 사이에 접속된 제 6트랜지스터(M6')와;A sixth transistor (M6 ') connected to a light emission control line and connected between a reference voltage (Vref) source or a control line and the first node; 상기 제 6트랜지스터(M6')의 제 1전극을 기준전압원 또는 제어선에 연결시키는 스위칭소자(T1)과;A switching element T1 connecting the first electrode of the sixth transistor M6 'to a reference voltage source or a control line; 상기 제 1전원(ELVDD) 및 제 2노드(B) 사이에 접속된 제 1 커패시터(C1')와;A first capacitor C1 'connected between the first power supply ELVDD and the second node B; 상기 제 1노드(A) 및 제 2노드(B) 사이에 접속된 제 2커패시터(C2')와;A second capacitor C2 'connected between the first node A and the second node B; 게이트 전극이 이전단의 주사선에 접속되고, 상기 제 6트랜지스터(M6')의 제 1전극 및 제 2트랜지스터(M2')의 게이트 전극 사이에 접속된 제 7트랜지스터(M7')가 포함함을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And a seventh transistor M7 'connected to the scan line of the previous stage and connected between the first electrode of the sixth transistor M6' and the gate electrode of the second transistor M2 '. An organic light emitting display device. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제 1 내지 제 7트랜지스터는 PMOS 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And the first to seventh transistors are implemented as PMOS transistors. 제 16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 발광 제어선으로 공급되는 발광 제어신호는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보가 센싱되는 기간, 제 2트랜지스터(M2)의 이동도 정보가 센싱되는 기간, 초기화 구간, 문턱전압이 저장되는 기간 및 데이터신호에 대응되는 전압이 충전되는 기간에 하이레벨로 공급됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.The emission control signal supplied to the emission control line includes a period during which deterioration information of the OLED is sensed, a period during which mobility information of the second transistor M2 is sensed, an initialization period, a period during which a threshold voltage is stored, and An organic light emitting display device, characterized in that being supplied at a high level while a voltage corresponding to a data signal is charged. 제 16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 감지선으로 공급되는 감지신호는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보가 센싱되는 기간 동안에 로우 레벨로 인가됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And a sensing signal supplied to the sensing line is applied at a low level while the degradation information of the organic light emitting diode (OLED) is sensed. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제 2트랜지스터(M2)의 이동도 정보가 센싱되는 기간에 상기 스위칭소자(T1)이 턴 온되며, 데이터 라인(Dm) 이외의 별도의 제어선을 통해 상기 화소가 센싱부에 연결됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치. The switching device T1 is turned on in a period in which the mobility information of the second transistor M2 is sensed, and the pixel is connected to the sensing unit through a separate control line other than the data line Dm. Organic light emitting display device. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 기준전압(Vref)은 접지전원(GND)과 동일한 전압값으로 구현됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And the reference voltage (Vref) is implemented with the same voltage value as the ground power supply (GND). 화소들 각각에 포함되는 유기 발광 다이오드로 제 1전류를 공급하면서 제 1전압을 생성하는 제 1단계와;A first step of generating a first voltage while supplying a first current to an organic light emitting diode included in each of the pixels; 상기 제 1전압을 제 1디지털값으로 변경하여 메모리에 저장하는 제 2단계와;A second step of changing the first voltage to a first digital value and storing the first voltage in a memory; 상기 화소들 각각에 포함되는 구동 트랜지스터를 경유하여 제 2전류를 싱크하면서 제 2전압을 생성하는 제 3단계와;A third step of generating a second voltage while sinking a second current through a driving transistor included in each of the pixels; 상기 화소들 각각에 포함되는 구동 트랜지스터를 경유하여 제 3전류를 싱크하면서 제 3전압을 생성하는 제 4단계와;A fourth step of generating a third voltage while sinking a third current through a driving transistor included in each of the pixels; 상기 제 2전압 및 제 3전압의 차에 해당되는 정보를 제 2디지털값으로 변경하여 메모리에 저장하는 제 5단계와;A fifth step of changing information corresponding to the difference between the second voltage and the third voltage into a second digital value and storing the information in a memory; 상기 메모리에 저장된 정보를 이용하여 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있도록 입력 데이터(Data)를 교정 데이터(Data')로 변환하는 제 6단계와;A sixth step of converting input data into calibration data to display an image of uniform brightness regardless of degradation of the organic light emitting diode and mobility of the driving transistor by using the information stored in the memory; ; 상기 교정 데이터(Data')에 대응되는 데이터 신호가 데이터선으로 제공되는 제 6단계가 포함됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동방법.And a sixth step of providing a data signal corresponding to the calibration data (Data ') to a data line. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제 1 내지 제 5단계는 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가된 후 영상이 표시되기 전의 비표시기간에 수행되어 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 수행됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동방법.The first to fifth steps are performed in a non-display period after the power is applied to the organic light emitting display device and before the image is displayed. The organic light emitting display is performed every time power is applied to the organic light emitting display device. Method of driving display device. 제 21항에 있어서,상기 제 3 내지 제 5단계는 유기전계발광 표시장치가 제품으로 출하되기 전에 수행되어 그 결과가 미리 저장되며, 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 상기 미리 저장된 정보를 이용함을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동방법. The method according to claim 21, wherein the third to fifth steps are performed before the organic light emitting display device is shipped to a product, and the result is stored in advance, and the pre-stored information every time power is applied to the organic light emitting display device. Method of driving an organic light emitting display device, characterized in that using. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제 3전류는 제 2전류의 4j(j는 정수)배에 해당함을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동방법.And wherein the third current corresponds to 4j (j is an integer) times the second current. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제 1전압에는 유기발광 다이오드의 열화 정보가 포함됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동방법.And the first voltage includes deterioration information of the organic light emitting diode. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제 2전압 및 제 3전압의 차에는 구동 트랜지스터의 이동도 정보가 포함됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동방법.And the mobility information of the driving transistor is included in the difference between the second voltage and the third voltage. 각 화소에 인가되는 제 1전류에 의해 측정되는 상기 각 화소 내의 유기 발광 다이오드 소자 전압의 변위를 측정하여 저장하는 단계와;Measuring and storing a displacement of an organic light emitting diode voltage in each pixel measured by a first current applied to each pixel; 각 화소의 구동 트랜지스터를 경유하는 제 2전류 및 제 3전류를 순차적으로 싱크하여 이에 대응되는 제 2전압 및 제 3전압을 측정하며, 상기 제 2전압 및 제 3전압의 차를 저장하는 단계와;Sequentially sinking a second current and a third current through the driving transistor of each pixel to measure a second voltage and a third voltage corresponding thereto, and storing the difference between the second voltage and the third voltage; 상기 저장된 정보를 이용하여 입력 데이터(Data)에 대해 상기 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 이동도 편차를 보상하도록 하는 교정 데이터(Data')로 변환하는 단계와;Converting the data into calibration data Data 'to compensate for deterioration of the organic light emitting diode and variation in mobility of a driving transistor with respect to input data using the stored information; 상기 교정 데이터(Data')에 대응되는 데이터 신호가 표시기간(display time) 중 각 화소에 인가되며, 상기 표시기간 중 각 화소의 구동 트랜지스터는 초기화 과정을 통해 문턱전압이 화소 회로 내에서 자체적으로 보상되는 단계가 포함됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동방법.A data signal corresponding to the calibration data Data 'is applied to each pixel during a display time, and the driving transistor of each pixel during the display period compensates for a threshold voltage in the pixel circuit through an initialization process. And driving the organic light emitting display device. 제 27항에 있어서,The method of claim 27, 상기 각 화소 내의 유기 발광 다이오드 소자 전압의 변위를 측정하여 저장하는 단계는, 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가된 후 영상이 표시되기 전의 비표시기간에 수행되어 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 수행됨을 특징 으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동방법.Measuring and storing the displacement of the voltage of the organic light emitting diode element in each pixel is performed in a non-display period after the power is applied to the organic light emitting display device and before the image is displayed, thereby supplying power to the organic light emitting display device. The method of driving an organic light emitting display device, characterized in that performed every time. 제 27항에 있어서,The method of claim 27, 상기 제 2전압 및 제 3전압을 측정하며, 상기 제 2전압 및 제 3전압의 차를 저장하는 단계는, 유기전계발광 표시장치가 제품으로 출하되기 전에 수행되어 그 결과가 미리 저장되며, 유기전계발광 표시장치에 전원이 인가될 때마다 상기 미리 저장된 정보를 이용함을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동방법.Measuring the second voltage and the third voltage, and storing the difference between the second voltage and the third voltage, is performed before the organic light emitting display device is shipped to the product, the result is stored in advance, the organic field A method of driving an organic light emitting display device, wherein the pre-stored information is used whenever power is applied to a light emitting display device. 제 27항에 있어서,The method of claim 27, 상기 초기화는 상기 구동 트랜지스터가 다이오드 커낵션되어 구동 트랜지스터의 게이트 전극의 전압이 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극의 전압과 동일해지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동방법.And wherein the initialization is performed by diode coupling of the driving transistor such that the voltage of the gate electrode of the driving transistor is equal to the voltage of the cathode electrode of the organic light emitting diode. 제 27항에 있어서,The method of claim 27, 상기 초기화에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 기준전압(Vref)과 동일해짐을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 구동방법.And the gate voltage of the driving transistor is equal to a reference voltage (Vref) by the initialization. 제 31항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 기준전압(Vref)은 접지전원(GND)과 동일한 전압값으로 구현됨을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 구동방법.And the reference voltage (Vref) is implemented with the same voltage value as the ground power supply (GND).
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