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KR100884458B1 - 유기전계발광장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

유기전계발광장치 및 그의 제조 방법 Download PDF

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KR100884458B1
KR100884458B1 KR1020070093629A KR20070093629A KR100884458B1 KR 100884458 B1 KR100884458 B1 KR 100884458B1 KR 1020070093629 A KR1020070093629 A KR 1020070093629A KR 20070093629 A KR20070093629 A KR 20070093629A KR 100884458 B1 KR100884458 B1 KR 100884458B1
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photodiode
light emitting
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semiconductor layer
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강철규
박병건
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삼성모바일디스플레이주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광장치는 기판 상에 형성되며, 게이트, 소스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터와 연결되며, 제 1 전극, 유기 박막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기전계발광 다이오드에 있어서, 상기 기판 위에 형성되며, 고농도 P 도핑영역, 결함이 형성된 진성 영역 및 고농도 N 도핑영역이 접합된 반도체층을 갖는 포토 다이오드 및 상기 포토 다이오드로부터 출력되는 전압에 따라 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 인가되는 전압을 조절함으로써 상기 유기전계발광 다이오드에서 방출되는 빛의 휘도를 일정하게 조절하는 제어부를 포함한다.
유기전계발광, 포토 다이오드, 수광 효율, 결함

Description

유기전계발광장치 및 그의 제조 방법 {Organic light emitting device and method of manufacturing the same}
본 발명은 유기전계발광장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수광부에도 건식 식각을 가하여 수광부에 디펙트 사이트(defect site)가 형성된 포토 다이오드(photo diode)를 구비하는 유기전계발광장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
유기전계발광장치(Organic light emitting device)는 자체발광 특성을 갖는 차세대 표시 소자로서, 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)에 비해 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답속도, 소비전력 등의 측면에서 우수한 특성을 갖는다.
유기전계발광장치는 애노드 전극, 유기 박막층 및 캐소드 전극으로 구성되는 유기전계발광 다이오드(diode)를 포함하며, 주사선(scan line)과 신호선(signal line) 사이에 유기전계발광 다이오드가 매트릭스 방식으로 연결되어 화소를 구성하는 패시브 매트릭스(passive matrix) 방식과, 각 화소의 동작이 스위치 역할을 하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)에 의해 제어되는 액티브 매트릭 스(active matrix) 방식으로 구성될 수 있다.
도 1은 박막 트랜지스터를 포함하는 종래의 유기전계발광장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
기판(10) 상에 버퍼층(11)이 형성되고, 버퍼층(11) 상에 소스 및 드레인 영역(12a 및 12b)과 채널 영역(12c)을 제공하는 반도체층(12)이 형성된다. 반도체층(12) 상부에는 게이트 절연막(13)에 의해 반도체층(12)과 절연되는 게이트 전극(14)이 형성되고, 게이트 전극(14)을 포함하는 전체 상부면에는 소스 및 드레인 영역(12a 및 12b)이 노출되도록 콘택홀이 형성된 층간절연막(15)이 형성된다. 층간절연막(15) 상에는 콘택홀을 통해 소스 및 드레인 영역(12a 및 12b)과 연결되는 소스 및 드레인 전극(16a 및 16b)이 형성되고, 소스 및 드레인 전극(16a 및 16b)을 포함하는 전체 상부면에는 소스 또는 드레인 전극(16a 또는 16b)이 노출되도록 비아홀이 형성된 평탄화막(17)이 형성된다. 그리고 평탄화막(17) 상에는 비아홀을 통해 소스 또는 드레인 전극(16a 또는 16b)과 연결되는 애노드 전극(18) 및 발광 영역을 정의하기 위해 애노드 전극(18)을 소정 부분 노출시키기 위한 화소 정의막(19)이 형성되고, 애노드 전극(18) 상에는 유기 박막층(20) 및 캐소드 전극(21)이 형성된다.
상기와 같이 애노드 전극(18), 유기 박막층(20) 및 캐소드 전극(21)으로 구성되는 유기전계발광장치는 애노드 전극(18)과 캐소드 전극(21)에 소정의 전압이 인가되면 애노드 전극(18)을 통해 주입되는 정공과 캐소드 전극(21)을 통해 주입되는 전자가 유기 박막층(20)에서 재결합하게 되고, 이 과정에서 발생되는 에너지 차 이에 의해 빛을 방출한다.
그런데 상기와 같이 구성된 유기전계발광장치는 빛을 방출하는 유기 박막층(20)이 유기 물질로 이루어지기 때문에 시간에 따라 막질 및 발광 특성이 열화되어 방출되는 빛의 휘도가 저하되는 문제점이 있었다. 또한, 발광된 빛이 외부로 방출되는 동안 유기전계발광장치에는 외부 광원으로부터 빛이 입사되는데, 외부로부터 입사되는 빛의 반사에 의해 콘트라스트(contrast)가 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 개선하기 위한 것으로, 외부로부터 입사되는 빛의 량에 따라 방출되는 빛의 휘도가 조절되도록 하기 위해 포토 다이오드가 구비된 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 데에 목적이 있다.
또한 포토 다이오드의 수광 효율을 증대시킬 수 있는 유기전계발광 표시 소자 및 그의 제조 방법을 제공하는 데에 다른 목적이 있다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 유기전계발광장치는 기판 상에 형성되며, 게이트, 소스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터와 연결되며, 제 1 전극, 유기 박막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기전계발광 다이오드에 있어서, 상기 기판 위에 형성되며, 고농도 P 도핑영역, 결함이 형성된 진성 영역 및 고농도 N 도핑영역이 접합된 반도체층을 갖는 포토 다이오드 및 상기 포토 다이오드로부터 출력되는 전압에 따라 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 인가되는 전압을 조절함으로써 상기 유기전계발광 다이오드에서 방출되는 빛의 휘도를 일정하게 조절하는 제어부를 포함한다.
또한, 유기전계발광장치의 제조 방법은 기판 상면에 형성된 버퍼층 상에 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제 1 반도체층에 고농도 P 도핑영역, 진성 영역 및 고농도 N 도핑영역을 구비한 포토 다이오드를 형성하고, 상기 제 2 반도체층에 소스 및 드레인 영역과 채널 영역을 형성하는 단계, 상기 제 1 및 제 2 반도체층을 포함하는 전체면 상에 게이트 절연막을 형성한 후 상기 채널 영역의 상면에 위치한 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계 및 상기 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극 상에 층간 절연막을 형성한 후 상기 층간 절연막과 게이트 절연막을 건식 식각 방법으로 패터닝하여 상기 소스 및 드레인 영역, 상기 고농도 P 도핑영역 및 상기 고농도 N 도핑영역이 노출되도록 컨택홀을 형성하고, 상기 진성 영역을 노출시키는 단계를 포함한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 외부로부터 입사되는 빛의 량에 따라 방출되는 빛의 휘도가 조절되도록 하기 위해 포토 다이오드가 구비된 유기전계발광 장치 및 그의 제조 방법을 제공하며, 포토 다이오드의 수광 효율을 증대시킬 수 있는 유기전계발광장치 및 그의 제조 방법을 제공한다.
이하에서는 먼저 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 다이오드를 구비하는 유기전계발광장치를 설명하기 위한 단면도이다.
유기전계발광장치의 발광층을 구성하는 유기 물질은 시간에 따라 막질과 특 성이 열화되어 방출되는 빛의 휘도가 저하되는 문제점이 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 포토 다이오드를 이용하여 외부로부터 입사되는 빛이나 내부로부터 방출되는 빛을 감지하여 방출되는 빛의 휘도를 일정하게 조절하는 방법이 개발되었다. 그러나 표시 장치의 크기 및 두께가 점차 감소됨에 따라 포토 다이오드의 크기도 감소되기 때문에 수광 면적 및 효율이 저하되는 문제점이 있다.
도 2에서 도시된 바와 같이 기판(100)의 소정 부분에 반사막(110)이 형성된다. 반사막(110)은 발광 영역과 인접한 비발광 영역에 Ag, Mo, Ti, Al 또는 Ni 등의 금속으로 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 외부로부터 빛이 입사될 때 포토 다이오드를 투과한 빛과 기판 방향으로 진행하는 빛이 반사막(110)에 의하여 반사되어 포토 다이오드로 입사되도록 함으로써 수광 효율이 증대된다.
반사막(110)을 포함하는 기판(100)의 전체면에는 버퍼층(120)이 형성된다. 반사막(110) 상부의 버퍼층(120) 상에는 고농도 P 도핑영역(131), 고농도 N 도핑영역(132)과 진성(intrinsic) 영역(133)으로 구성된 반도체층(130a)이 형성되고, 반도체층(130a)과 인접된 부분의 버퍼층(120) 상에는 소스 및 드레인 영역(134 및 135)과 채널 영역(136)이 구비된 반도체층(130b)이 형성된다. 반도체층(130b) 상부에는 게이트 절연막(140)에 의해 반도체층(130b)과 절연되는 게이트 전극(150)이 형성되고, 게이트 전극(150)을 포함하는 전체 상부면에는 소스 및 드레인 영역(134 및 135)이 노출되도록 콘택홀이 형성된 층간절연막(160)이 형성된다. 층간절연막(160) 상에는 콘택홀을 통해 소스 및 드레인 영역(134 및 135)과 연결되는 소스 및 드레인 전극(170a 및 170b)이 형성된다.
이후의 패키징 순서는 일반적인 유기전계발광장치와 동일하다. 소스 및 드레인 전극(170a 및 170b)을 포함하는 전체 상부면에는 소스 또는 드레인 전극이 노출되도록 비아홀이 형성된 평탄화막이 형성된다. 그리고 평탄화막 상에는 비아홀을 통해 소스 또는 드레인 전극(170a 또는 170b)과 연결되는 애노드 전극 및 발광 영역을 정의하기 위해 애노드 전극을 소정 부분 노출시키기 위한 화소 정의막이 형성되고, 애노드 전극 상에는 유기 박막층 및 캐소드 전극이 형성된다. 유기 박막층은 정공 수송층, 유기발광층 및 전자 수송층이 적층된 구조로 형성되며, 정공 주입층과 전자 주입층이 더 포함될 수 있다.
상기와 같이 애노드 전극, 유기 박막층 및 캐소드 전극으로 구성되는 유기전계발광 다이오드는 애노드 전극과 캐소드 전극에 소정의 전압이 인가되면 애노드 전극을 통해 주입되는 정공과 캐소드 전극을 통해 주입되는 전자가 유기 박막층에서 재결합하게 되고, 이 과정에서 발생되는 에너지 차이에 의해 빛을 방출한다. 이와 같이 빛이 외부로 방출되는 동안 유기전계발광장치에는 외부의 광원으로부터 빛이 입사되는데, 고농도 P 도핑영역(131), 고농도 N 도핑영역(132)과 진성(intrinsic) 영역(133)으로 구성된 반도체층(130a)으로 형성되는 포토 다이오드는 외부로부터 입사되는 빛을 수광하여 빛의 량에 따른 전기신호를 발생한다.
포토 다이오드는 광신호를 전기신호로 변환하는 반도체 소자로서, 역바이어스 상태 즉, 고농도 P 도핑영역(131)에는 음(-)의 전압이 인가되고, 고농도 N 도핑영역(132)에는 양(+)의 전압이 인가된 상태에서 빛이 입사되면 전자와 정공이 진성 영역(133)에 형성되는 공핍 영역(depletion region)을 따라 이동함으로써 전류가 흐르게 된다. 이에 의해 빛의 양에 비례하는 전압을 출력하게 된다.
따라서 포토 다이오드로부터 출력되는 전압에 따라 유기전계발광 다이오드의 애노드 전극과 캐소드 전극에 인가되는 전압을 조절시키는 제어부를 형성함으로써, 외부로부터 입사되는 빛의 양에 따라 유기전계발광장치에 의하여 방출되는 빛의 양을 조절하여, 유기전계발광장치에서 방출하는 빛의 휘도가 일정하도록 조절할 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면 외부로부터 빛이 포토 다이오드로 입사될 때 포토 다이오드를 투과한 빛과 입사되지 않고 기판(100) 방향으로 진행하는 빛이 반사막(110)에 반사되어 포토 다이오드로 입사되도록 함으로써 수광 효율이 증대되도록 한다.
일반적으로 포토 다이오드를 구성하는 반도체층(130a)은 폴리실리콘으로 형성되는데, 500Å 정도로 얇게 형성되기 때문에 충분한 수광 효율을 얻기 어렵다. 또한, 표시 장치의 크기 및 두께가 점차 감소됨에 따라 포토 다이오드의 크기도 감소되기 때문에 수광 효율은 더욱 낮아진다. 그러나 본 발명의 일 실시예에 따르면, 반사막(110)에 의해 수광 효율이 증대되기 때문에 포토 다이오드의 크기 감소가 가능해지며, 이에 따라 표시 장치의 크기 감소가 용이해진다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토다이오드의 반도체층 및 그 상부층을 나타내는 개략도이다.
도 3a에서 도시되는 바와 같이, 일반적으로 포토다이오드의 반도체층(130a)은 기판(100), 반사막(110) 및 버퍼층(120)위에 형성되며, 폴리실리콘으로 구성된 다. 반도체층(130a)은 고농도 P 도핑영역(131), 진성 영역(133), 고농도 N 도핑영역(132)으로 형성된다. 이러한 일반적인 PIN 구조의 포토다이오드의 경우에 전자-홀 쌍(Electron-Hole Pair)이 반도체층의 중앙부인 진성 영역(133)에서 주로 발생한다. 이러한 반도체층 위에 게이트절연막(140) 및 층간절연막(160)이 형성되며, 건식 식각(dry etching)을 하여 콘택홀을 형성한 후에 고농도 P 도핑영역(131) 및 고농도 N 도핑영역(132)과 연결되는 각각의 전극(180a, 180b)이 형성된다.
현재 유기전계발광장치의 제조공정에 있어서, 반도체층(130a, 130b)은 폴리 실리콘으로 형성된다. 폴리실리콘을 사용하여 제작된 포토다이오드는 비정질 실리콘을 이용했을 때보다 빛에 대한 민감도가 떨어지는 단점이 있다.
이를 극복하기 위하여 도 3b에서 설명되는 방법이 사용될 수 있다.
도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토다이오드의 반도체층 및 그 상부층을 나타내는 개략도이다.
도 3b에서 도시되는 바와 같이, 포토다이오드의 반도체층(130a)은 기판(100), 반사막(110) 및 버퍼층(120)위에 형성되며, 폴리실리콘으로 구성된다. 반도체층(130a)은 고농도 P 도핑영역(131), 진성 영역(133), 고농도 N 도핑영역(132)으로 형성되고, 이러한 반도체층 위에 게이트절연막(140) 및 층간절연막(160)이 형성된다.
종래에 있어서 건식 식각(dry etching)을 하여 콘택홀만을 형성하였으나, 본 발명의 다른 실시예에서는 진성 영역(133) 상부의 수광부(190)까지 건식 식각을 행한다. 그 결과 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토다이오드에서는 건식 식각을 통 해 생성된 컨택홀에 형성되며, 고농도 P 도핑영역(131) 및 고농도 N 도핑영역(132)과 연결되는 각각의 전극(180a, 180b)과 건식 식각의 결과로 진성 영역(133)이 개방된 수광부(190)가 구비된다.
이와 같이 건식 식각을 함으로써, 폴리실리콘으로 형성된 반도체층(130a)의 진성 영역(133)에 플라즈마 손상(Plasma damage)이 가해지고, 그 결과 진성 영역(133)에 결함(defect site)가 생성된다. 이에 의하여 빛에 의한 전자-홀 쌍의 생성이 증가된다.
도 3c는 디펙트의 밀도에 따른 빛에 의한 도전율을 나타내는 그래프이다.
도 3c에서 도시된 바와 같이 단위 부피(1cm3)당 디펙트의 밀도가 증가하면, 빛에 의한 도전율이 증가함을 실험을 통해 알 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 의도적으로 건식 식각을 함으로써, 진성 영역(133)에 결함을 증대시켜 빛에 의한 전자-홀 쌍 생성의 증대를 유도한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따르는 유기전계발광장치의 제조 방법을 도 4a 내지 도 4e를 통해 설명하기로 한다.
도 4a를 참조하면, 기판(100) 상에 Ag, Mo, Ti, Al, Ni 등의 금속을 스퍼터링(sputtering) 방법 등으로 증착한 후 소정의 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정으로 패터닝하여 소정 부분에 반사막(110)을 형성한다. 반사막(110)을 형성하기 위한 금속은 빛을 반사시킬 수 있을 정도의 두께 예를 들어, 100 내지 5000Å의 두께로 증착한다.
본 실시예에서, 기판(100) 방향으로 진행하는 빛을 효과적으로 반사시키기 위해서는 반사막(110)을 반도체층(130a)보다 넓게 형성하는 것이 바람직하다.
도 4b를 참조하면, 반사막(110)을 포함하는 기판(100)의 전체면에 버퍼층(120) 및 반도체층(130)을 순차적으로 형성한 후 반도체층(130)을 패터닝하여 반사막(110) 상부에는 반도체층(130a)이 잔류되도록 하고, 반사막(110)과 인접된 부분의 버퍼층(120) 상에는 반도체층(130b)이 잔류되도록 한다. 버퍼층(120)은 열에 의한 기판(100)의 피해를 방지하기 위한 것으로, 실리콘 산화막(SiO2)이나 실리콘 질화막(SiNx)과 같은 절연막으로 형성하고, 반도체층(130)은 비정질 실리콘이나 폴리실리콘으로 형성하는데, 비정질 실리콘을 사용하는 경우 열처리를 통해 결정화시킨다.
도 4c를 참조하면, N형 및 P형 불순물 이온 주입 공정으로 반도체층(130a)에는 고농도 P 도핑영역(131), 고농도 N 도핑영역(132)과 진성(intrinsic) 영역(133)이 구비된 하나의 반도체층(130a)을 형성하고, 다른 반도체층(130b)에는 소스 및 드레인 영역(134 및 135)과 채널 영역(136)을 형성한다. 따라서 하나의 반도체층(130a)에는 고농도 P 도핑영역(131), 고농도 N 도핑영역(132)과 진성(intrinsic) 영역(133)이 구비된 포토다이오드가 형성되고, 다른 반도체층(130b)에는 소스 및 드레인 영역(134 및 135)과 소스 및 드레인 영역(134 및 135) 사이의 채널 영역(136)으로 이루어진 트랜지스터가 형성된다.
도 4d를 참조하면, 반도체층(130a 및 130b)을 포함하는 전체면에 게이트 절 연막(140)을 형성한 후 채널 영역(136) 상부의 게이트 절연막(140) 상에 게이트 전극(150)을 형성한다.
도 4e를 참조하면, 게이트 전극(150)을 포함하는 전체면에 층간 절연막(160)을 형성한다. 그리고 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)을 건식 식각 방식으로 패터닝하여 반도체층(130b)의 소스 및 드레인 영역(134 및 135)이 노출되도록 콘택홀을 형성하고, 콘택홀을 통해 소스 및 드레인 영역(134 및 135)과 연결되도록 소스 및 드레인 전극(170a 및 170b)을 형성한다.
또한, 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)을 건식 식각 방식으로 패터닝하여 반도체층(130a)의 고농도 P 도핑영역(131) 및 고농도 N 도핑영역(132)이 노출되도록 콘택홀을 형성하고, 콘택홀을 통해 고농도 P 도핑영역(131) 및 고농도 N 도핑영역(132)이 각각 연결되는 전극(180a 및 180b)을 형성한다.
종래에 있어서 건식 식각을 하여 포토다이오드와의 콘택홀만을 형성하였으나, 본 발명의 다른 실시예에서는 진성 영역(133) 상부의 수광부(190)에 존재하는 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)까지 건식 식각을 행한다. 그 결과 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토다이오드에는 건식 식각의 결과 고농도 P 도핑영역(131) 및 고농도 N 도핑영역(132)이 노출되는 콘택홀이 형성되며 또한, 건식 식각의 결과로 진성 영역(133)의 상부층까지 식각된 수광부(190)가 구비된다.
이와 같이 건식 식각을 함으로써, 폴리실리콘으로 형성된 반도체층(130a)의 진성 영역(133)에 플라즈마 손상(Plasma damage)이 가해지고, 그 결과 진성 영역(133)에 결함(defect site)이 생성된다. 이에 의하여 빛에 의한 전자-홀 쌍의 생 성이 증가된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구의 범위에 의하여 정하여져야만 한다.
도 1은 박막 트랜지스터를 포함하는 종래의 유기전계발광장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 다이오드를 구비하는 유기전계발광장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토다이오드의 반도체층 및 그 상부층을 나타내는 개략도이다.
도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토다이오드의 반도체층 및 그 상부층을 나타내는 개략도이다.
도 3c는 디펙트의 밀도에 따른 빛에 의한 도전율을 나타내는 그래프이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 유기전계발광장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 100: 기판 11, 120: 버퍼층
12, 130a, 130b: 반도체층 12a, 134: 소스 영역
12b, 135: 드레인 영역 12c, 136: 채널 영역
13, 140: 게이트 절연막 14, 150: 게이트 전극
15, 160: 층간 절연막 16a, 170a: 소스 전극
16b, 170b: 드레인 전극 131: 고농도 P 도핑영역
132: 고농도 N 도핑영역 133: 진성 영역

Claims (9)

  1. 기판 상에 형성되며, 게이트, 소스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터와 연결되며, 제 1 전극, 유기 박막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기전계발광 다이오드;
    상기 기판 위에 형성되며, 고농도 P 도핑영역, 결함이 형성된 진성 영역 및 고농도 N 도핑영역이 접합된 반도체층을 갖는 포토 다이오드; 및
    상기 포토 다이오드로부터 출력되는 전압에 따라 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 인가되는 전압을 조절함으로써 상기 유기전계발광 다이오드에서 방출되는 빛의 휘도를 일정하게 조절하는 제어부를 포함하는, 유기전계발광장치
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 상면과 상기 포토 다이오드의 하면 사이에 형성되며, 외부로부터 입사되는 빛을 상기 포토 다이오드로 반사시키는 반사막을 더 포함하는, 유기전계발광장치
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사막이 Ag, Mo, Ti, Al 및 Ni을 포함하는 군에서 선택된 하나로 형성된, 유기전계발광장치
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사막이 100 내지 5000Å의 두께로 형성된, 유기전계발광장치
  5. 기판 상면에 형성된 버퍼층 상에 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 반도체층에 고농도 P 도핑영역, 진성 영역 및 고농도 N 도핑영역을 구비한 포토 다이오드를 형성하고, 상기 제 2 반도체층에 소스 및 드레인 영역과 채널 영역을 형성하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 반도체층을 포함하는 전체면 상에 게이트 절연막을 형성한 후 상기 채널 영역의 상면에 위치한 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극 상에 층간 절연막을 형성한 후 상기 층간 절연막과 게이트 절연막을 건식 식각 방법으로 패터닝하여 상기 소스 및 드레인 영역, 상기 고농도 P 도핑영역 및 상기 고농도 N 도핑영역이 노출되도록 컨택홀을 형성하고, 상기 진성 영역을 노출시키는 단계;를 포함하는, 유기전계발광장치의 제조 방법
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판의 상면과 상기 포토 다이오드의 하면 사이에 반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기전계발광장치의 제조방법
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 반사막을 Ag, Mo, Ti, Al 및 Ni을 포함하는 군에서 선택된 하나로 형성하는, 유기전계발광장치의 제조 방법
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 반사막을 100 내지 5000Å의 두께로 형성하는, 유기전계발광장치의 제조 방법
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 진성 영역에 결함이 형성된, 유기전계발광장치의 제조 방법
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