[go: up one dir, main page]

KR100878979B1 - 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드 - Google Patents

광결정 구조를 가지는 발광 다이오드 Download PDF

Info

Publication number
KR100878979B1
KR100878979B1 KR20070005716A KR20070005716A KR100878979B1 KR 100878979 B1 KR100878979 B1 KR 100878979B1 KR 20070005716 A KR20070005716 A KR 20070005716A KR 20070005716 A KR20070005716 A KR 20070005716A KR 100878979 B1 KR100878979 B1 KR 100878979B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photonic crystal
pattern
light emitting
emitting diode
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR20070005716A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080068243A (ko
Inventor
권민기
박성주
김자연
Original Assignee
광주과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 광주과학기술원 filed Critical 광주과학기술원
Priority to KR20070005716A priority Critical patent/KR100878979B1/ko
Publication of KR20080068243A publication Critical patent/KR20080068243A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100878979B1 publication Critical patent/KR100878979B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

광결정 구조를 가지는 발광 다이오드가 개시된다. 질화갈륨을 이용한 발광 다이오드에서 기판의 상부에는 광결정 구조가 구비된다. 광결정 구조는 기판과 질화갈륨층 사이에 형성되어 p형 질화박막의 식각 공정이 없기 때문에 용이한 p형 오믹전극의 형성이 실현된다. 또한, 굴곡된 사파이어에 질화갈륨층을 성장함에 따라 수평 성장을 촉진하고 박막 내의 결함을 최소화하여 광효율의 저하를 방지할 수 있다.

Description

광결정 구조를 가지는 발광 다이오드{Light Emitting Diode of having Photonic Crystal Structure}
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드의 형성을 도시한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 다이오드의 광결정 구조를 도시한 평면도이다.
도 3은 사파이어로 구성된 기판이 0.1um 깊이로 직사각형 배열의 홀들을 형성하였을 때의 포토닉 밴드갭을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 발광 다이오드에 의해 광추출 효율의 증가 여부를 확인하기 위한 Full Wave 시뮬레이션 결과이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 140 : 광결정 패턴
160 : 버퍼층 180 : 도핑되지않은 반도체층
200 : 하부 접촉층 210 : n형 클래드층
220 : 활성층 230 : p형 클래드층
240 : 상부 접촉층
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드에 관한 것이다.
일반적인 발광 다이오드의 경우, 내부양자 효율은 거의 100% 에 이르지만(I. Schnitzer 외 4명, Appl. Phys. Lett. 78, 3379) 실제 소자 밖으로 나오는 외부양자효율은 3% 내지 30% 이하이다(M. G. Craford, Semiconductor and semimetals, 64 (Academic press, 2000)). 이것은 다중양자우물 구조에서 생성된 빛이 소자 밖으로 나올 때 소자와 공기사이의 계면에서 굴절률 차이에 의해 일어나는 전반사에 기인한다. 이러한 물리적인 현상으로 인해 종래의 발광 다이오드에서의 광추출 효율은 매우 낮다.
이러한 문제점을 극복하기 위하여, p형 질화갈륨에 마스크없이 비선택 식각공정을 통하여 표면 거칠기를 형성시켜 윗면으로 진행하는 빛이 거친 표면에 도달하였을 때 입사각을 임계각 보다 작게 하여 빛이 발광 다이오드 외부로 쉽게 빠져 나올 수 있게 함으로써 광추출 효율을 증대시킨 예가 있다. 그리고 p형 질화갈륨을 마스크를 사용하여 건식 식각하여 돌출부를 형성시킴으로써 윗면으로 진행하는 돌출부에 도달하였을 때 입사각을 임계각보다 작게 하여 빛이 발광 다이오드 외부로 쉽게 빠져 나올 수 있게 함으로써 광추출 효율을 증대시킨 예가 있다.
또한, 미국 특허 US6,842,403호에서는 발광 다이오드의 p형 질화갈륨 표면에 주기적인 굴절률의 차이를 줌으로써 포토닉 밴드갭이 형성된 광결정을 만들어줌으 로써 빛이 질화갈륨화합물의 내부에 갇히는 빛의 모드를 바꾸어 주어 빛이 안에 갇히지 않고 밖으로 빠져나올 수 있게 하여 빛의 광추출 효율을 향상시킬 뿐 아니라 발광 다이오드 측면에서 나오는 빛을 제어할 수 있도록 하였다. 하지만 실제로 이런 구조를 응용한 논문 Appl. Phys. Lett 87, 203508(2005)에 따르면 그 구조는 p형 질화갈륨 박막을 식각하여야 하기 때문에 p형 오믹층을 형성시키는 면적이 작아져서 시리즈 저항이 커지는 문제를 보고하고 있다.
그리고, X. A. Cao는 p형 박막을 건식 식각할 때 플라즈마 데미지에 의해 p형 질화갈륨 박막이 n형으로 전환되는 문제점을 보고하였다(Appl. Phys. 75, 2569 (1999)). 이는 반도체 발광다이오드의 오믹 전극 형성 및 전류의 균일한 주입시 문제점을 야기할 수 있으며 소자의 발광 효율을 감소시킬 수 있다. 한편, 그 구조들은 광결정을 오직 p형 질화갈륨에 형성하였기 때문에 측면에 갇히는 빛을 꺼낼 수 있는 공간도 오직 p형 질화갈륨 박막의 두께에 국한되므로, 실제 광추출 효율의 증가는 크지 않다.
일본 공개 특허 제2006-165583호는 기판과 질화갈륨층 사이에 요철 구조를 형성시킴으로써 광추출 효율을 증가시켰다. 또한 일본 공개 특허 제2004-153090는 사파이어 기판에 요철을 형성시키고, 이 위에 질화갈륨층이나 질화갈륨과 비슷한 굴절률이 갖은 층을 삽입함으로써 광추출 효율을 향상하였다. 하지만 상기의 특허들은 단순 요철 구조를 사용하여 내부 반사를 억제함으로써 빛의 광추출 효율을 증가시킬 수 있지만, 측면으로 발광되는 빛을 꺼낼 수 없어 여전히 낮은 광효율을 극복할 수 없는 문제가 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 광결정 구조를 가지며, p형 질화갈륨 박막이 n형으로 전환되지 않으며 오믹 전극을 용이하게 형성하여 광추출 효율을 증가시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 형성된 n형의 하부 접촉층; 상기 하부 접촉층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 상부 접촉층을 포함하고, 상기 기판 상에는 규칙적인 패턴이 형성된 광결정 패턴이 구비된 것을 특징으로 하는 광결정 구조을 가지는 발광 다이오드를 제공한다.
본 발명의 상기 목적은, 기판; 상기 기판 상에 규칙적인 패턴이 형성된 광결정 패턴; 상기 광결정 패턴의 홀과 상부를 매립하는 도핑되지 않은 반도체층; 상기 도핑되지 않은 반도체층 상에 형성된 n형의 하부 접촉층; 상기 하부 접촉층 상에 형성된 n형 클래드층; 상기 n형 클래드층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층; 및 상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형의 상부 접촉층을 포함하고, 상기 광결정 패턴의 규칙적으로 배열된 상기 원형의 홀들의 배치는 직사각형 또는 육각형 배열을 가지는 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드의 제공을 통해서도 달성되나.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
실시예
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드의 형성을 도시한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면, 기판(100) 상에 마스크 패턴(120)을 형성한다. 상기 기판(100)은 질화갈륨, SiC, GaAs, Si, ZnO 또는 사파이어로 구성된다. 또한, 마스크 패턴(120)은 크롬 또는 포토레지스트를 사용함이 바람직하다.
먼저, 크롬으로 기판(100)의 전면을 도포한 다음, 크롬의 상부에 포토레지스트를 도포한다. 계속해서 통상적인 포토리소그래피 공정을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 형성된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 크롬으로 형성된 마스크 패턴(120)을 형성한다. 상기 마스크 패턴(120)의 형성은 습식 식각을 통해 이루어짐이 바람직하다. 습식 식각시의 식각 용액은 질산 등을 사용할 수 있다. 또한, 습식 식각은 기판(100)의 표면의 일부가 노출될 때까지 수행된다.
계속해서 마스크 패턴(120)이 형성되면, 마스크 패턴(120) 상부에 잔류하는 포토레지스트 패턴을 제거한다.
상술한 과정을 통한 마스크 패턴(120)의 형성 이외에도, 다른 방법을 통해 마스크 패턴(120)을 형성할 수 있다. 즉, 기판(100) 상에 포토레지스트를 도포하고, 통상의 포토리소그래피 공정을 통해 마스크 패턴(120)을 형성할 수도 있다.
도 1b를 참조하면, 마스크 패턴(120)을 식각 마스크로 이용하여 광결정 패턴(140)을 형성한다. 상기 광결정 패턴(140)은 이방성 건식 식각을 통해 형성함이 바람직하다. 또한, 건식 식각시의 에천트(etchant)는 BCl3 또는 Cl2일 수 있다. 광 결정 패턴(140)이 형성되면, 상부에 존재하는 마스크 패턴(120)을 제거한다.
도 1c를 참조하면, 돌출된 광결정 패턴(140)의 상부 및 하부의 이격 공간에 버퍼층(160)을 형성한다. 또한, 상기 버퍼층(160) 상부에는 도핑되지 않은 반도체 층(180)이 형성된다. 예컨대, 기판(100)이 사파이어인 경우, 상기 버퍼층(160)은 질화 갈륨으로 형성된다. 질화 갈륨으로 형성된 버퍼층(160)은 도핑되지 않은 반도체 층(180)이 에피텍셜 성장할 수 있는 결정성 씨드로서 역할을 수행한다. 따라서, 버퍼층(160) 상부에는 도핑되지 않은 반도체층(180)이 구비된다. 만일, 버퍼층(160)이 질화 갈륨을 가지는 경우, 상기 도핑되지 않은 반도체층(180)은 질화 갈륨으로 구성된다.
상기 도핑되지 않은 반도체층(180) 상부에는 하부 접촉층(200)이 구비된다. 상기 하부 접촉층(200)은 n형으로 구성된다. 또한, 상기 도핑되지 않은 반도체층(180)이 질화 갈륨으로 구성된 경우, 하부 접촉층(200)은 질화 갈륨을 포함한 구성을 가진다.
또한, 상기 버퍼층(160) 및 도핑되지 않은 반도체층(180)은 생략될 수 있다. 즉, 하부 접촉층(200)은 광결정 패턴(140) 상부에 직접 형성될 수도 있다.
또한, 상기 버퍼층(160) 및 도핑되지 않은 반도체층(180)이 질화 갈륨을 포함하는 경우, 이들은 Ga1-x-yInxAlyN(0≤x,y≤1, x+y<1)로 이루어지며 기판(100) 상에 순차적으로 형성된며, 하부 접촉층(200)은 n형 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어짐이 바람직하다.
도 1d를 참조하면, 형성된 하부 접촉층(200) 상에 n형 클래드층(210), 활성층(220), p형 클래드층(230) 및 상부 접촉층(240)이 순차적으로 형성된다. 또한, 하부 접촉층(200) 상에는 n형 전극(250)이 형성되고, 상부 접촉층(240) 상에는 p형 전극(260)이 형성된다.
또한, 상기 n형 클래드층(210)과 p형 클래드층(230)은 생략될 수 있는 구성이다.
상기 n형 클래드층(210)은 Al-질화갈륨을 가지며, 활성층(220)은 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 장벽층과 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어짐이 바람직하다. 또한, p형 클래드층(230)은 Al-질화갈륨을 가지며, 상기 n형 클래드층(210)과 p형 클래드층(230)은 질화갈륨과 AlxGa1 - xN(0≤x≤1)으로 이루어진 초격자층으로 형성될 수도 있다.
광결정은 발광되는 빛의 반파장 정도의 간격을 가지고, 공간적으로 반복되는 두가지 이상의 유전체로 이루어진 격자의 구조를 지칭한다. 통상적으로, 반파장 정도 이격거리를 가진 공간을 빛이 진행하는 경우, 강한 간섭 현상이 발생하며, 파동의 특성이 변경된다. 즉, 빛은 광결정을 통과할 때, 광결정을 새로운 광학적 매질로 인식하게 된다. 따라서, 광결정을 이용하는 경우, 빛의 인위적인 조작 및 제어가 가능하고, 광소자에서는 수평 방향으로 진행하는 빛을 수직방향으로 제어할 수 있다. 따라서, 광소자인 발광 다이오드의 광효율은 극대화된다.
한편, 상기 도 1a 내지 도 1d에서 도시된 발광 다이오드에서 녹색, 청색 또는 자외선 발광을 위한 다중양자 우물구조로는 우물층으로 질화인듐갈륨층이 사용되고, 장벽층으로는 질화갈륨이 사용된다. 이는 질화인듐갈륨의 밴드갭이 인듐의 도핑량에 의해 0.7eV(적외선)에서 가시광선을 거쳐 3.4eV(자외선)까지 변화할 수 있기 때문이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 다이오드의 광결정 패턴을 도시한 평면도이다.
도 2를 참조하면, 광결정 패턴은 원형의 홀(300) 및 홀의 주위를 감싸는 주변부(320)로 구성된다. 상기 도 1d에서 홀은 사파이어 기판(100) 상에서 패턴화된 구조에서 식각된 부분에 해당하며, 주변부는 기판(100) 표면에서 식각되지 아니한 부분에 해당한다.
원형의 홀(300)은 도핑되지 않은 반도체층(180)으로 채워지거나, 하부 접촉층(200)으로 채워진다. 즉, 홀(300)을 매립하는 물질 및 식각에 의해 잔류하는 기판에 의해 광결정은 형성된다.
또한, 기판(100) 상에 형성된 광결정 패턴은 직사각형(cubic) 배열 또는 육각형(hexagonal) 배열이 될 수 있다. 광결정 패턴에 따라, 형성되는 광결정의 포토닉 밴드갭이 달라지며, 인접한 홀 사이의 거리 a 및 홀의 반경 r도 변경된다.
도 3은 사파이어로 구성된 기판이 0.1um 깊이로 직사각형 배열의 홀들을 형성하였을 때의 포토닉 밴드갭을 나타낸 그래프이다.
도 3을 참조하면, 패턴이 형성된 사파이어 기판의 외곽은 질화갈륨층으로 매 립된다. 이때, 사파이어의 굴절율은 1.7, 질화갈륨층의 굴절율은 2.4이다. 상기 도 3에서 Frequency는 패턴 사이의 이격거리 a /발광파장 λ을 나타내며, Ratio는 패턴의 반경 r/패턴 사이의 이격거리 a를 나타낸다.
만약 Ratio 가 0.3 이고 파장이 460 nm(청색 발광)인 경우, 그때 Freqency 영역은 0.615 ~ 0.635 가 되고 계산을 통해 얻어진 바람직한 주기와 홀의 반지름은 각각 287± 5, 86± 2 이다. 이처럼 광결정은 특정 파장에 대해서 특정 주기와 홀의 반지름이 구현되었을 때 수평으로 갇히는 빛을 수직으로 제어하여 광추출 효율을 꺼낼수 있어 광효율이 증대될 수 있다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 발광 다이오드에 의해 광추출 효율의 증가 여부를 확인하기 위한 Full Wave 시뮬레이션 결과이다.
도 4를 참조하면, 사파이어 기판 상에 형성된 홀의 깊이는 0.1um 이며, 직사각형(cubic) 배열의 홀들이 형성되며, 홀 사이의 거리는 290nm, 반경은 87nm이다. 시뮬레이션 방법으로는 genetic algorithm을 적용한 finite difference time domain 계산툴을 이용하였고, 이로서 광결정이 형성된 경우와 형성되지 않은 경우의 광추출 효율 증가의 결과를 예측할 수 있다.
상기 도 4에서, 본 발명에 따른 발광 다이오드는 빛이 발광 다이오드 내부에서 공기로 수직 성분과 수평 성분 각각 도파디는 빛을 보여준다. 적색으로 치우칠 수록 빛의 강도가 크며, 청색으로 치우칠수록 빛의 강도가 낮음을 알 수 있다. 또한, 백색은 빛이 가장 강한 부분이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 광결정이 사파이어 기판 상에 형성된 구조의 경우는 수직성분으로 도파되는 빛의 양(수직성분의 백 색 영역)이 크게 증가하는 것을 알 수 있다.
이는 광결정이 측면으로 갇히는 빛을 수직으로 전환시키기 때문이다. 이값을 하부의 그래프에서 정량적으로 측정하였다. 상기 도 4에서 녹색은 하부도 도파되는 빛의 세기를 나타내며, 청색은 상부로 도파되는 빛의 세기를 나타낸다. 따라서, 정량적으로 측정한 경우, 광결정이 없는 구조(b)에 비해 하부로 도파되는 빛의 세기가 3배 이상 증가함을 그래프를 통해 확인할 수 있다. 따라서, 광결정을 사용하여 광추출 효율은 크게 증가된다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 광결정 구조의 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 활성층이나 p형 질화갈륨 박막이 건식 식각에 의해 손상을 입지 않으므로 종래의 발광 다이오드의 전기적 및 광학적 특성이 저하되는 문제를 해결할 수 있고, 고효율 및 고출력 발광 소자를 구현할 수 있다. 즉, 종래의 경우, 하부 접촉층 상에 광결정 구조를 형성하는 경우, p형의 질화갈륨층이 식각에 의해 손상되거나, n형으로 도전형이 변경되는 문제가 발생되었으나, 본 발명에 개시된 바와 같이 기판 상에 직접 광결정 구조를 형성하는 경우, 이러한 문제를 해결할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 n형의 하부 접촉층;
    상기 하부 접촉층 상에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상에 형성된 상부 접촉층을 포함하고,
    상기 기판 상에는 규칙적인 패턴이 형성된 광결정 패턴이 구비되고,
    상기 광결정 패턴은 규칙적으로 배열된 원형의 홀들을 가지고 상기 원형의 홀들의 배치는 직사각형 또는 육각형 배열을 가지며,
    상기 원형의 홀은 상기 하부 접촉층을 구성하는 물질로 매립되고, 발광되는 빛의 반파장의 간격을 가지는 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어이고, 상기 하부 접촉층은 질화갈륨으로 구성된 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드.
  5. 기판;
    상기 기판 상에 규칙적인 패턴이 형성된 광결정 패턴;
    상기 광결정 패턴의 홀과 상부를 매립하는 도핑되지 않은 반도체층;
    상기 도핑되지 않은 반도체층 상에 형성된 n형의 하부 접촉층;
    상기 하부 접촉층 상에 형성된 n형 클래드층;
    상기 n형 클래드층 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층; 및
    상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형의 상부 접촉층을 포함하고, 상기 광결정 패턴의 규칙적으로 배열된 상기 원형의 홀들의 배치는 직사각형 또는 육각형 배열을 가지고, 상기 원형의 홀은 발광되는 빛의 반파장의 간격을 가지는 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서, 상기 광결정 패턴은,
    상기 기판 상에 크롬을 도포하고,
    상기 도포된 크롬 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고,
    형성된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로하여 크롬으로 구성된 마스크 패턴을 형성하고,
    상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판을 식각하여 광결정 패턴을 형성하는 것에 의해 구비되는 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드.
  8. 제5항에 있어서, 상기 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드는, 상기 광결정 패턴 상에 상기 도핑되지 않은 반도체층의 성장을 위해 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드.
KR20070005716A 2007-01-18 2007-01-18 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드 Active KR100878979B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070005716A KR100878979B1 (ko) 2007-01-18 2007-01-18 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070005716A KR100878979B1 (ko) 2007-01-18 2007-01-18 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080068243A KR20080068243A (ko) 2008-07-23
KR100878979B1 true KR100878979B1 (ko) 2009-01-14

Family

ID=39822097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20070005716A Active KR100878979B1 (ko) 2007-01-18 2007-01-18 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100878979B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100992728B1 (ko) 2008-10-20 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120092325A (ko) * 2011-02-11 2012-08-21 서울옵토디바이스주식회사 광 결정 구조를 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030093265A (ko) * 2001-03-21 2003-12-06 미츠비시 덴센 고교 가부시키가이샤 반도체 발광 소자
KR20040019352A (ko) * 2001-07-24 2004-03-05 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 요철형성 기판을 갖춘 반도체발광소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030093265A (ko) * 2001-03-21 2003-12-06 미츠비시 덴센 고교 가부시키가이샤 반도체 발광 소자
KR20040019352A (ko) * 2001-07-24 2004-03-05 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 요철형성 기판을 갖춘 반도체발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080068243A (ko) 2008-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101341374B1 (ko) 광자결정 발광소자 및 그 제조방법
TWI401729B (zh) 阻斷半導體差排缺陷之方法
KR20140082852A (ko) 반도체 발광 소자
WO2006035212A1 (en) Textured light emitting diodes
KR20070110688A (ko) 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
KR101258582B1 (ko) 나노로드 발광소자
KR20120010437A (ko) 발광소자 및 그 제조방법
US8314439B2 (en) Light emitting diode with nanostructures and method of making the same
CN102222743A (zh) 具有垂直取光机制的发光器件及其制作方法
Gao et al. Improvement of the performance of GaN-based LEDs grown on sapphire substrates patterned by wet and ICP etching
KR20120058137A (ko) 발광소자 및 그 제조방법
JP2010114159A (ja) 発光素子及びその製造方法
JP5435523B1 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
KR20130025856A (ko) 나노로드 발광소자
JP4362125B2 (ja) 側面発光半導体素子及び側面発光半導体素子の製造方法
CN102255010B (zh) 一种氮化镓发光二极管的制作方法
KR100794121B1 (ko) 발광 다이오드
KR100878979B1 (ko) 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드
JP2011238884A (ja) エピタキシャル成長用基板、ＧａＮ系半導体結晶の成長方法、半導体構造およびＧａＮ系ＬＥＤ素子
TWI482308B (zh) 形成細微圖案之方法及製造使用該細微圖案的半導體發光裝置之方法
CN101140968A (zh) 一种具有经图案化的基底的发光元件及其制造方法
KR20080085519A (ko) 발광 소자용 기판 및 그 제조방법
JP2007184433A (ja) 半導体積層構造及びその上に形成された半導体素子
KR100843455B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 제조 방법
KR100604562B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20070118

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20080125

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E90F Notification of reason for final refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Final Notice of Reason for Refusal

Patent event date: 20080818

Patent event code: PE09021S02D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20090102

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20090108

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20090108

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120102

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130102

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130102

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140102

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140102

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150102

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150102

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160204

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160204

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170705

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170705

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180212

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180212

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201231

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220103

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230104

Start annual number: 15

End annual number: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240103

Start annual number: 16

End annual number: 16