KR100864643B1 - 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- 기판을 세정 챔버로 안내하는 단계;초임계 유체를 이용하여 상기 세정 챔버를 제1 압력으로 조성하여 상기 기판을 세정하는 단계;상기 기판의 세정이 이루어진 세정 챔버를 자연 배기에 의해 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 조정하는 단계;상기 제2 압력으로 조정할 때 상기 제2 압력으로 조정하는 속도에 비해 급격하게 압력 조정 속도가 저하되는 구간에 강제 배기를 수행하여 상기 제2 압력보다 낮은 제3 압력으로 조정하는 단계;상기 제3 압력으로 조정된 상태의 세정 챔버로부터 상기 기판을 빼내는 단계; 및상기 세정 챔버를 강제 배기하여 제3 압력으로 조정할 때 빠르게 조정되도록 강제 배기 수행 전에 진공을 형성하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법.
- 삭제
- 기판을 세정하기 위한 세정 공간을 제공하고, 기판의 세정을 위해 공급되는 초임계 유체에 의해 제1 압력으로 조성되는 세정 챔버;기판의 세정이 이루어진 상기 세정 챔버를 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 조정되도록 자연 배기를 수행하는 제1 배기부; 및상기 제2 압력으로 조정하는 속도에 비해 급격하게 압력 조정 속도가 저하되는 구간에 상기 세정 챔버를 제2 압력보다 낮은 제3 압력으로 조정되도록 강제 배기를 수행하는 제2 배기부를 포함하며,상기 제2 배기부는 상기 세정 챔버를 강제 배기하여 상기 제3 압력으로 조정할 때 빠르게 조정되도록 상기 강제 배기 이전에 진공으로 조성되는 진공 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 배기부는 상기 세정 챔버의 배기를 위한 제1 배기 유로 및 상기 제1 배기 유로를 개폐하는 제1 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제2 배기부는 상기 세정 챔버의 배기를 위한 제2 배기 유로, 상기 제2 배기 유로를 개폐하는 제2 밸브 및 상기 제2 배기 유로 상에 배치되고 상기 세정 챔버를 강제 배 기하기 위한 진공 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
- 삭제
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101856606B1 (ko) * | 2016-06-02 | 2018-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20180105089A (ko) * | 2017-03-14 | 2018-09-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR20200142673A (ko) * | 2019-06-13 | 2020-12-23 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960005772A (ko) * | 1994-07-20 | 1996-02-23 | 제임스 조셉 드롱 | 고온에서 초 고진공 처리를 위한 진공챔버 |
JP2002134420A (ja) | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法 |
KR20030047011A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 주성엔지니어링(주) | 반도체소자 제조용 진공장치 및 그 작동방법 |
KR20060124882A (ko) * | 2005-05-26 | 2006-12-06 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 건조 장치 및 방법 |
-
2007
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960005772A (ko) * | 1994-07-20 | 1996-02-23 | 제임스 조셉 드롱 | 고온에서 초 고진공 처리를 위한 진공챔버 |
JP2002134420A (ja) | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法 |
KR20030047011A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 주성엔지니어링(주) | 반도체소자 제조용 진공장치 및 그 작동방법 |
KR20060124882A (ko) * | 2005-05-26 | 2006-12-06 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 건조 장치 및 방법 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101856606B1 (ko) * | 2016-06-02 | 2018-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20180105089A (ko) * | 2017-03-14 | 2018-09-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102482206B1 (ko) | 2017-03-14 | 2022-12-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR20200142673A (ko) * | 2019-06-13 | 2020-12-23 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
KR102228517B1 (ko) * | 2019-06-13 | 2021-03-16 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
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