KR100859522B1 - Thin Film Transistor Substrates, Color Filter Substrates, and Liquid Crystal Displays - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 기판, 색필터 기판 및 액정 표시 장치에 관한 것으로 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 절연 기판 위에 색을 표현하기 위한 적, 청, 녹색 색필터, 차광 패턴, 기준 전극을 포함하는 상부 기판, 게이트 배선, 데이터 배선, 화소 전극 및 이들과 연결되어 있는 박막 트랜지스터를 포함하는 하부 기판, 상부 및 하부 기판 사이에 충진되어 있는 액정을 포함하고, 상부 기판 및 하부 기판 중 하나에 형성되어 있으며 액정을 배향하는 전계를 형성하는 수단을 구비한다. The present invention relates to a thin film transistor substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal display device. The liquid crystal display device according to the present invention includes a red, blue, green color filter, a light shielding pattern, and a reference electrode for expressing a color on an insulating substrate. A lower substrate including a substrate, a gate wiring, a data wiring, a pixel electrode, and a thin film transistor connected thereto, and a liquid crystal filled between the upper and lower substrates, and formed on one of the upper and lower substrates. Means for forming an electric field to orientate.
액정표시장치, 전극, 액정, 전기장LCD, electrode, liquid crystal, electric field
Description
도 1a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 배치도이다. 1A is a layout view of a thin film transistor substrate according to a first exemplary embodiment of the present invention.
도 1b는 도 1a의 Ib-Ib'선에 대한 단면도이다. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line Ib-Ib 'of FIG. 1A.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a thin film transistor substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 3a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 배치도이다.3A is a layout view of a thin film transistor substrate according to a third exemplary embodiment of the present invention.
도 3b는 도 3b의 IIIb-IIIb'선에 대한 단면도이다.3B is a cross-sectional view taken along line IIIb-IIIb 'of FIG. 3B.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 제 4 내지 제8 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 단면도이다.4 to 8 are cross-sectional views of the thin film transistor substrate according to the fourth to eighth embodiments of the present invention.
도 9a는 본 발명의 제9 실시예에 따른 색필터 기판의 배치도이다.9A is a layout view of a color filter substrate according to a ninth embodiment of the present invention.
도 9b는 도 9b의 IX-IX'선에 대한 단면도이다.FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line IX-IX 'of FIG. 9B.
도 10은 본 발명의 제10 실시예에 따른 색필터 기판의 단면도이다.10 is a cross-sectional view of a color filter substrate according to a tenth embodiment of the present invention.
도 11a는 본 발명의 제11 실시예에 따른 색필터 기판의 배치도이다.11A is a layout view of a color filter substrate according to an eleventh embodiment of the present invention.
도 11b는 도 11a의 XI-XI'선에 대한 단면도이다.FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line XI-XI ′ of FIG. 11A.
도 12a 내지 도 14b는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 12A to 14B are diagrams for describing an operation of the liquid crystal display according to the present invention.
※도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※※ Explanation of code for main part of drawing ※
95 : 보조 게이트 패드 97 : 보조 데이터 패드95: auxiliary gate pad 97: auxiliary data pad
110 : 절연 기판 121 : 게이트선110: insulated substrate 121: gate line
123 : 게이트 전극 125 : 게이트 패드123: gate electrode 125: gate pad
131 : 유지 전극선 140 : 게이트 절연층131: sustain electrode line 140: gate insulating layer
151, 153, 157, 159 : 반도체층 161, 162, 163, 165, 169 : 저항성 접촉층151, 153, 157, 159:
171 : 데이터 선 173 : 소스 전극171: data line 173: source electrode
175 : 드레인 전극 177 : 유지 전극175: drain electrode 177: sustain electrode
179 : 데이터 패드 190 : 화소 전극179: data pad 190: pixel electrode
201a, 202a, 203a, 204a : 구동 전극 201b, 202b, 203b, 204b : 구동 전극선201a, 202a, 203a, 204a:
220 : 차광 패턴 230R : 적색 필터220:
230G : 녹색 필터 230B : 청색 필터230G: Green Filter 230B: Blue Filter
270 : 기준 전극270 reference electrode
본 발명은 광시야각을 구현하는 박막 트랜지스터 기판, 색필터 기판 및 액정 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film transistor substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal display device for implementing a wide viewing angle.
액정 표시 장치는 블랙 매트릭스(black matrix : BM)를 포함하는 색필터와, 색필터 위에 투명한 기준 전극이 형성된 상부 기판과, 입력되는 주사 신호에 따라 화상 신호를 전달 또는 차단하는 스위칭 소자(Thin film transistor)를 포함하는 하부 기판으로 구성되며 이들 기판 사이에 액정이 충진되어 있다. The liquid crystal display includes a color filter including a black matrix (BM), an upper substrate on which a transparent reference electrode is formed on the color filter, and a switching element that transmits or blocks an image signal according to an input scan signal. It is composed of a lower substrate including a) and the liquid crystal is filled between these substrates.
이들 중 하부 기판과 상부 기판 사이에 주입되는 액정은 일반적으로 꼬여진 네마틱(Twisted Nematic : 이하 TN 이라 함) 액정이 사용된다. TN 액정 분자들은 가늘고 긴 막대모양을 가지며 일정한 길이(pitch)를 가지고 나선상으로 꼬여있어 액정 분자의 장축의 배열 방위가 연속적으로 변화되는 뒤틀린 구조를 갖는다. Among them, the liquid crystal injected between the lower substrate and the upper substrate is generally a twisted nematic (hereinafter referred to as TN) liquid crystal. TN liquid crystal molecules have a long, thin rod shape, have a constant pitch, twist in a spiral shape, and have a twisted structure in which the long-axis alignment direction of the liquid crystal molecules is continuously changed.
TN 액정을 이용한 액정 표시 장치에서는 입사한 편광이 분자의 장축과 단축의 배열에 따라 각기 다른 광시야각적 특성을 나타낸다. 액정 표시 장치의 시야각은 나선구조의 액정 분자들의 장축을 따라 형성되므로, 보는 각도에 따라 분자의 장축이 변하게 된다. 이러한 액정 표시 장치에서는 수평 방향에 대해서 대칭적인 시야각을 가지며 수직 방향에 대해서는 비대칭적인 시야각을 가지며, 특히 셀의 중심에서의 액정 경사 방위와 시야각이 일치하는 방향에서는 계조 반전(gray level)현상이 나타난다. 따라서 수평 방향의 시야각에 대해서는 광투과율이 비교적 대칭적으로 분포하지만 상하방향에 대해서는 광투과율이 비대칭적으로 분포하기 때문에 상하방향의 시야각에서는 이미지가 반전되는 범위가 발생하여 시야각이 좁아지는 문제가 있다. In a liquid crystal display device using a TN liquid crystal, the incident polarized light exhibits different optical viewing angle characteristics according to the arrangement of the long axis and the short axis of the molecule. Since the viewing angle of the liquid crystal display device is formed along the long axis of the liquid crystal molecules of the spiral structure, the long axis of the molecule changes according to the viewing angle. Such a liquid crystal display has a symmetrical viewing angle with respect to the horizontal direction and an asymmetrical viewing angle with respect to the vertical direction. In particular, a gray level phenomenon occurs in a direction in which the liquid crystal tilt direction and the viewing angle at the center of the cell coincide with each other. Therefore, the light transmittance is distributed relatively symmetrically with respect to the horizontal viewing angle, but the light transmittance is distributed asymmetrically with respect to the up and down directions, so that an image inversion is generated at the viewing angle in the up and down directions, thereby narrowing the viewing angle.
여기서 디스코틱 계열(Discotic)의 보상판을 적용하여 시야각을 개선할 수는 있으나 계조 반전을 개선하는 것은 어렵다. In this case, the viewing angle may be improved by applying a discotic-based compensation plate, but it is difficult to improve the gray level reversal.
광시야각 특성을 갖는 액정 모드는 평면 구동(in-plane-switching : 이하 IPS라 칭함) 모드와 수직 배향(Vertically aligned mode : 이하 VA라 칭함) 모드 등이 있다. The liquid crystal mode having a wide viewing angle characteristic includes an in-plane-switching (hereinafter referred to as IPS) mode and a vertically aligned mode (hereinafter referred to as VA) mode.
IPS 모드는 동일한 기판에 공통 전극과 화소 전극이 소정 간격 이격하여 형성된 구조이며, 화소 전극과 기준 전극 사이에 분포하는 횡전계에 의해 보는 방향에 따라 액정 분자의 굴절율의 변화가 작으므로 시야각이 개선된다. 그러나 횡전계 방식 모드는 단일 화소 상에 기준 전극과 화소 전극이 동시에 형성되므로 액정 패널의 개구율이 감소하고, 휘도 특성이 좋지 않으며 응답 속도가 느린 단점이 있다. The IPS mode is a structure in which the common electrode and the pixel electrode are spaced apart from each other on the same substrate by a predetermined interval, and the change of the refractive index of the liquid crystal molecules is small depending on the direction viewed by the transverse electric field distributed between the pixel electrode and the reference electrode, thereby improving the viewing angle. . However, in the transverse electric field mode, since the reference electrode and the pixel electrode are simultaneously formed on a single pixel, the aperture ratio of the liquid crystal panel is reduced, the luminance characteristic is poor, and the response speed is slow.
VA 모드는 액정이 대칭적인 배열이 용이하며 광시야각과 빠른 응답 특성을 가진다. 이와 같은 수직 배향 모드를 사용하여 PVA(patterned vertical alignment)와 같은 멀티 도메인을 형성하여 광시야각 특성을 개선할 수 있으나 도메인을 형성하기 위한 공정이 복잡하며 화소의 구조도 복잡하다. 또한, 네가티브(negative) 액정을 사용함에 따라 고전압 구동이 필요하고, 개구율이 낮으며 응답 속도에서도 액정 자체의 복원력을 이용하므로 응답 속도 향상에 한계가 있다. VA mode facilitates symmetrical arrangement of liquid crystals, and has a wide viewing angle and fast response characteristics. Such a vertical alignment mode can be used to form a multi-domain such as patterned vertical alignment (PVA) to improve the wide viewing angle characteristics, but the process for forming the domain is complicated and the pixel structure is complicated. In addition, since the use of negative liquid crystals requires high voltage driving, the aperture ratio is low, and the resiliency of the liquid crystal itself is used even at the response speed, thereby limiting the response speed.
이러한 이유로 액정 표시 장치가 대형화 되어감에 따라 액정 표시 장치의 광시야각과 빠른 응답 특성이 요구된다. For this reason, as the liquid crystal display becomes larger, a wide viewing angle and a quick response characteristic of the liquid crystal display are required.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로써 광시야각과 빠른 응답 특성을 갖는 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a wide viewing angle and a quick response characteristic and a method of manufacturing the same.
본 발명은 광시야각을 구현하기 위한 박막 트랜지스터 기판, 색필터, 액정 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film transistor substrate, a color filter, and a liquid crystal display device for implementing a wide viewing angle.
구체적인 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트 선, 게이트선의 일부인 게이트 전극, 게이트선의 일단에 연결되어 있는 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선, 기판 위에 형성되어 있는 게이트 절연층, 게이트 절연층의 소정 영역에 형성되어 있는 반도체층, 반도체층 위에 일정거리 이격되어 대향되도록 형성되어 있는 저항성 접촉층, 게이트 절연층 위에 형성되어 있으며 게이트선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 선, 데이터선의 분지이며 저항성 접촉층의 일측과 연결되어 있는 소스 전극, 소스 전극과 대향하며 저항성 접촉층의 타측에 형성되어 있는 드레인 전극, 데이터선의 일단에 연결되어 있는 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선, 데이터 배선 위에 형성되어 있으며 제1 접촉구를 포함하는 보호층, 보호층 위에 형성되며 제1 접촉구를 통해 드레인 전극과 연결되어 있으며 노출구를 가지는 화소 전극을 포함하고, 게이트 배선 또는 데이터 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며 노출구와 대응하는 위치에 배치되어 있는 구동 전극, 구동 전극의 일단에 연결되어 구동 전극에 전원을 인가하기 위한 구동 전극선을 포함한다. A thin film transistor substrate according to the present invention includes a gate line formed on an insulating substrate, a gate electrode which is a part of the gate line, a gate wiring including a gate pad connected to one end of the gate line, a gate insulating layer formed on the substrate, and gate insulation A semiconductor layer formed in a predetermined region of the layer, an ohmic contact layer formed to be spaced apart from each other by a predetermined distance on the semiconductor layer, and a data line and a data line formed on the gate insulating layer and defining a pixel region crossing the gate line. A source electrode connected to one side of the ohmic contact layer, a drain electrode facing the source electrode and formed on the other side of the ohmic contact layer, a data line including a data pad connected to one end of the data line, and formed on the data line. Including a first contact hole A protective layer, which is formed on the protective layer, is connected to the drain electrode through the first contact hole and includes a pixel electrode having an exposure hole, and is formed on the same layer as the gate wiring or data wiring and disposed at a position corresponding to the exposure hole. And a driving electrode line connected to one end of the driving electrode for applying power to the driving electrode.
여기서 구동 전극은 원 또는 3점 이상의 꼭지점을 가진 정다각형으로 화소 영역의 가운데 또는 화소 영역의 가장자리에 대응되도록 형성되어 있는 것이 바람직하다In this case, the driving electrode is a regular polygon having a vertex of at least three points or more, and is preferably formed to correspond to the center of the pixel area or the edge of the pixel area.
또한, 본 발명에 따른 색기판은 절연 기판 위에 매트릭스 형상으로 형성되어 있는 차광 패턴, 차광 패턴 위에 형성되어 있는 적색, 청색, 녹색 색필터, 색필터 위에 형성되어 있는 제1 층간 절연층, 제1 층간 절연층 위의 소정 영역에 형성되어 있는 구동 전극 및 구동 전극의 일단에 연결되어 구동 전극에 전원을 인가하기 위한 구동 전극선, 구동 전극 위에 형성되어 있는 제2 층간 절연층, 제2 층간 절연층 위에 형성되어 있는 기준 전극을 포함한다. In addition, the color substrate according to the present invention includes a light shielding pattern formed in a matrix shape on an insulating substrate, a red, blue, green color filter formed on the light shielding pattern, a first interlayer insulating layer and a first interlayer formed on the color filter. A driving electrode line formed in a predetermined region on the insulating layer and a driving electrode line connected to one end of the driving electrode to apply power to the driving electrode, a second interlayer insulating layer formed on the driving electrode, and a second interlayer insulating layer And a reference electrode.
여기서 구동 전극은 원 또는 3점 이상의 꼭지점을 가진 정다각형으로 색필터의 가운데 또는 가장자리에 대응되도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. Here, the driving electrode is a regular polygon having a vertex of at least three points or more, and is preferably formed to correspond to the center or edge of the color filter.
그리고 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 절연 기판 위에 색을 표현하기 위한 적, 청, 녹색 색필터, 차광 패턴, 기준 전극을 포함하는 상부 기판, 게이트 배선, 데이터 배선, 화소 전극 및 이들과 연결되어 있는 박막 트랜지스터를 포함하는 하부 기판, 상부 및 하부 기판 사이에 충진되어 있는 액정을 포함하고, 상부 기판 및 하부 기판 중 하나에 형성되어 있으며 액정을 배향하는 전계를 형성하는 수단을 구비한다. In addition, the liquid crystal display according to the present invention includes red, blue, and green color filters, light blocking patterns, upper substrates including reference electrodes, gate wirings, data wirings, pixel electrodes, and the like, for expressing colors on an insulating substrate. And a means for forming an electric field including a liquid crystal filled between the lower substrate, the upper substrate, and the lower substrate including the thin film transistor, and formed on one of the upper substrate and the lower substrate.
여기서 전계를 형성하는 수단은 기준 전극과 색필터 사이에 기준 전극과 절연되도록 형성되어 있고, 또는 데이터 배선 또는 게이트 배선과 동일한 층에 형성되어 있는 것이 바람직하다. The means for forming the electric field is preferably formed between the reference electrode and the color filter so as to be insulated from the reference electrode, or is formed on the same layer as the data wiring or the gate wiring.
그리고 전계를 형성하는 수단은 도전성 금속으로 형성된 구동 전극, 구동 전극에 전원을 인가하기 위한 구동 전극선으로 이루어지며, 구동 전극은 화소 전극 또는 색필터의 가운데 또는 가장자리에 대응되도록 형성되는 것이 바람직하다. The means for forming the electric field may include a driving electrode formed of a conductive metal and a driving electrode line for applying power to the driving electrode, and the driving electrode may be formed to correspond to the center or the edge of the pixel electrode or the color filter.
또한, 구동 전극과 대응되는 화소 전극 또는 기준 전극에는 노출구가 형성되 어 있으며, 화소 전극과 기준 전극 사이에 형성되는 전계가 구동 전극과 기준 전극 사이에 형성되는 전계보다 크게 하며, 구동 전극은 원 또는 3개 이상의 꼭지점을 가지는 정다각형으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. In addition, an exposure opening is formed in the pixel electrode or the reference electrode corresponding to the driving electrode, and an electric field formed between the pixel electrode and the reference electrode is larger than an electric field formed between the driving electrode and the reference electrode, and the driving electrode is a circle or It is preferable that it is formed in the regular polygon which has three or more vertices.
이제 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면과 함께 상세히 설명한다. Embodiments according to the present invention will now be described in detail with the accompanying drawings.
[제1 실시예][First Embodiment]
도 1a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고, 도 1b는 도 1a의 Ib-Ib′선에 대한 단면도이다. 1A is a layout view illustrating a thin film transistor substrate according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line Ib-Ib ′ of FIG. 1A.
도 1a 내지 도 1b에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(110) 위에 게이트 배선(121, 123, 125), 구동 전극(201a), 구동 전극선(201b)이 형성되어 있다. As illustrated in FIGS. 1A to 1B, gate wirings 121, 123, and 125, a driving
게이트 배선(121, 123, 125)은 가로방향으로 길게 형성되어 있는 게이트선(121), 게이트선(121)의 일단에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 인가 받아 게이트선(121)으로 전달하는 게이트 패드(125), 게이트선(121)의 일부분인 게이트 전극(123)을 포함한다. The
구동 전극(201a)은 게이트선과 평행하게 형성된 구동 전극선(201b)의 분지로 게이트선(121)과 이후 기술될 데이터선에 의해 정의되는 화소 영역 내에 형성되어 화소 영역 전체에 균일한 전계가 형성되도록 한다. 전극은 원 또는 3개 이상의 꼭지점을 가지는 정다각형으로, 다각형을 반으로 접을 경우 완전히 일치되도록 형성되어 있다. The driving
그리고 게이트 배선(121, 123, 125)을 포함하는 기판 전면에 게이트 절연층(140)이 형성되어 있다.
The
게이트 전극(123)과 대응되는 부분의 게이트 절연층(140) 위에는 비정질 규소와 같은 반도체 물질로 형성한 반도체층(151)과, 비정질 규소와 같은 반도체 물질에 n형 불순물을 고농도로 도핑하여 형성한 저항성 접촉층(161, 163, 165)이 형성되어 있다.On the
저항성 접촉층(161, 163, 165) 및 게이트 절연층(140) 위에는 데이터 배선(171, 173, 175, 179) 및 유지 전극(177)이 형성되어 있다. The data lines 171, 173, 175, and 179 and the
데이터 배선(171, 173, 175, 179)은 게이트선(121)과 수직하게 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선(171), 데이터선(171)의 분지이며 저항성 접촉층(163)에도 연결되는 소스 전극(173), 데이터선(171)의 일단에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상신호를 인가받는 데이터 패드(179), 소스 전극(173)과 분리되어 있으며 게이트 전극(123)에 대하여 소스 전극(173)의 반대 저항성 접촉층(165) 위에 형성되어 있는 드레인 전극(175), 유지 용량을 향상시키기 위해 게이트선(121)과 중첩되어 있는 유지 전극(177)을 포함한다. The
기판 위에 드레인 전극(175)을 노출하는 제1 접촉구(181), 게이트 패드(125)를 노출하는 제2 접촉구(182), 데이터 패드(125)를 노출하는 제3 접촉구(183), 유지 전극(177)을 노출하는 제4 접촉구(184)를 가지는 보호층(180)이 형성되어 있다.A
그리고 보호층(180) 위에는 제1 및 제4 접촉구(181, 184)를 통해 각각 드레인 전극(175) 및 유지 전극(177)과 연결되는 화소 전극(190), 제2 접촉구(182)를 통해 게이트 패드(125)와 연결되는 보조 게이트 패드(95) 및 제3 접촉구(183)를 통해 데이터 패드(179)와 연결되는 보조 데이터 패드(97)가 형성되어 있다. 화소 전 극(190)은 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 일부 중첩되어 개구율을 높일수 있으나, 중첩되지 않도록(도시되지 않음) 형성할 수도 있다. 화소 전극(190)을 데이터선(171)과 중첩하도록 형성하는 경우에는 데이터선(171)과 화소 전극(190) 사이의 커플링(coupling)을 감소시키기 위하여 저유전율 물질로 보호층(180)을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 구동 전극(201a)의 전계가 액정층으로 유출될 수 있도록 구동 전극(201a)과 대응되는 화소 전극(190)의 부분에 노출구(191, 192)가 형성되어 있다. The
[제2 실시예]Second Embodiment
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 단면도이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 실시예와는 달리 제2 실시예에는 보호층(180)에 구동 전극(201a)을 노출하는 개방구(185)가 더 형성되어 있다. 2 is a cross-sectional view of a thin film transistor substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, unlike the first embodiment, the opening 185 exposing the driving
개방구(185)는 제1실시예에 비해 좀더 강한 전계를 형성하기 위한 것으로 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 이용하여 액정층을 구동할 때 액정에 충분히 강한 전계를 인가할 수 있도록 한다. 즉, 개방구(185)가 없는 경우는 구동 전극(201a) 위에 형성된 다수의 유전체층(게이트 절연층, 보호층)으로 인해 전계가 약화되어 충분히 강한 전계를 얻기 어려운 경우가 있다. The opening 185 is for forming a stronger electric field than in the first embodiment, so that a sufficiently strong electric field can be applied to the liquid crystal when driving the liquid crystal layer using the thin film transistor according to the present invention. That is, in the case where the opening 185 is not present, the electric field is weakened due to the plurality of dielectric layers (gate insulating layer and protective layer) formed on the driving
[제3 내지 제8 실시예] [Third to eighth embodiments]
도 3a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고, 도 3b는 도 3a의 IIIb-IIIb′선에 대한 단면도이다. 3A is a layout view illustrating a thin film transistor substrate according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line IIIb-IIIb ′ of FIG. 3A.
도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 전원을 공급하기 위한 구동 전극선(201b)과 구동 전극선(201b)에 연결되어 있는 구동 전극(202a)이 형성되어 있다. 구동 전극(202a)은 원 또는 3개 이상의 꼭지점을 가지는 정다각형으로, 화소 영역과 대응하고, 화소 영역 내부의 가장자리를 따라 형성되어 구동 전극(202a)이 둘러싸는 면적 내에 액정이 위치되도록 한다. 그리고 화소 전극(190)은 구동 전극(202a)과 대응되는 영역에 노출구(193)를 가진다. As shown in Figs. 3A and 3B, a driving
그리고 제1 실시예의 구동 전극(201a)은 소정의 반지름을 가지는 원이고 이를 선형 배선이 구동 전극선(201b)과 연결하고 있으나, 제3 실시예의 구동 전극(202a)은 화소 영역 내의 가장자리를 따라 구동 전극(201a)이 형성되므로 꼭지점은 단지 일정폭을 가진 선으로만 연결되어 있다. 전극의 형태가 다른 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일한 구조로 형성되어 있다. 물론 도 4에 도시한 바와 같이, 제2 실시예에 형성되어 있는 개방구(186)를 형성할 수 있다.(제4 실시예) The
이상 설명된 실시예들은 모두 전극이 게이트 배선과 동일한 층에 형성되어 있으나, 도 5 내지 도 8에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 전극은 데이터 배선과 동일한 층에 형성(제5 내지 제8 실시예)될 수 있다. In all the embodiments described above, the electrodes are formed on the same layer as the gate wiring, but as shown in FIGS. 5 to 8, the electrodes according to the present invention are formed on the same layer as the data wiring (Fifth to Eighth Embodiments). Can be
[제9, 10 실시예] [Example 9, Example 10]
도 9a는 본 발명의 제9 실시예에 따른 색필터 기판의 배치도이고, 도 9b는 도 9a의 IX-IX'선에 대한 단면도이다.FIG. 9A is a layout view of a color filter substrate according to a ninth embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line IX-IX ′ of FIG. 9A.
도 9a 및 도 9b에 도시한 바와 같이, 절연 기판 위에 빛샘을 방지하지 위하여 매트릭스 형상으로 차광 패턴(black matrix)(220)이 형성되어 있다. 그리고, 차광 패턴에 의해 정의되는 영역에 적(230R), 녹(230G) 청(230B)색의 색필터가 형성 되어 있으며 색필터(230R, 230G, 230B) 위에는 제1 층간 절연층(801)이 형성되어 있다. 제1 층간 절연층(801) 위에는 액정에 전계를 형성하기 위한 구동 전극(203a)과 구동 전극(203a)에 전원을 인가하기 위한 구동 전극선(203b)이 형성되어 있다. 구동 전극(203a)은 원 또는 3개 이상의 꼭지점으로 이루어지는 정다각형으로 각 색필터의 가운데에 대응되도록 형성되어 있다. 그리고 구동 전극(203a) 위에 제2 층간 절연층(802)이 형성되고 제2 층간 절연층(802) 위에 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indiumzinc oxide) 등과 같은 투명 도전 물질로 이루어지는 기준 전극(270)이 형성되어 있다. 물론 앞서 설명한 박막 트랜지스터의 화소 전극(190)과 마찬가지로 구동 전극(203a)과 대응되는 영역(271)에는 기준 전극(270)이 형성되어 있지 않다. 9A and 9B, a
도10에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판에 형성한 개방구(187)를 형성함으로써 좀더 강한 전계를 형성할 수 있다.(제10 실시예) As shown in Fig. 10, a stronger electric field can be formed by forming the openings 187 formed in the thin film transistor substrate according to the present invention.
또한, 도 11a 내지 도 11b에 도시한 바와 같이 제 3 실시예에 형성한 구동 전극(202a)과 같은 형상의 구동 전극(204a)을 색필터(230R, 230G, 230B) 위에 형성할 수 있다.(제11실시예) 물론, 구동 전극(204a) 위에 개방구(187)를 형성하여 좀더 강한 전계를 형성할 수도 있다.(도시하지 않음)11A to 11B, a
이상 설명된 박막 트랜지스터와 색필터 기판을 이용한 액정 표시 장치를 제조하였을 경우 이들의 동작은 다음과 같다. 도 12 내지 도 15는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 동작을 설명하기 위한 개략적인 도면으로서 앞서 기술된 여러 실시예에 따를 박막 트랜지스터 기판과 색필터 기판을 사용하는 여러 액정 표시 장치에 동일하게 적용할 수 있다. When the liquid crystal display device using the thin film transistor and the color filter substrate described above are manufactured, their operation is as follows. 12 to 15 are schematic diagrams for explaining the operation of the liquid crystal display according to the present invention, which may be equally applied to various liquid crystal display devices using the thin film transistor substrate and the color filter substrate according to the above-described embodiments. Can be.
이제 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 동작을 화이트(white)와 블랙(black) 상태를 예로 들어 설명한다.The operation of the liquid crystal display according to the present invention will now be described using white and black states as an example.
먼저 도 12a, 도 12b는 화이트 상태를 설명하기 위한 도면으로, 구동 전극(201a)과 기준 전극(270) 사이에만 전압이 인가되고, 화소 전극(190)과 기준 전극(270) 사이에는 전압이 인가되지 않은 상태이다. 따라서 도시한 바와 같이 액정의 방향이 전극을 중심으로 동심원으로 정렬되어 화이트를 표시하게 된다.12A and 12B are diagrams for describing a white state. A voltage is applied only between the driving
이 때, 화소 전극(190)은 부유(floating) 상태에 있거나 또는 기준 전극(270)과 등전위로 유지될 수 있다. In this case, the
다음으로 도 13a, 도 13b는 블랙 상태를 설명하기 위한 도면으로 구동 전극(201a)과 기준 전극(270) 사이에는 전압을 인가하지 않고, 화소 전극(190)과 기준 전극(270) 사이에만 전압을 인가한 상태이다. 이렇게 하면 액정(3)이 구동 전극(201a)에 의하여 정렬되어 있었으므로 선경사(PRE PILT)를 가지고 있고, 화소 전극(190)과 기준 전극(270) 사이에 형성되는 전계에 의하여 강제적으로 액정(3)이 재정렬되므로 매우 빠르게 응답하고, PVA의 수직 배향과 같이 완전한 블랙 상태를 얻을 수 있다.Next, FIGS. 13A and 13B are diagrams for describing a black state. A voltage is applied only between the
블랙 상태를 표시하기 위한 다른 방법으로는 도 14a, 도 14b에 도시한 바와 같이, 화소 전극(190)과 기준 전극(270) 사이 뿐만 아니라 구동 전극(201a)과 기준 전극(270) 사이에도 전압을 인가하는 것이다. 이 경우는 화소 전극(190) 과 기준 전극(270) 사이에 걸리는 전계가 구동 전극(201a)과 기준 전극(270) 사이에 걸리는 전계보다 훨씬 강해야 한다. 이때 정면에서 빛이 다소 샐수 있으나 차광 패턴(220)에 의해 차단함으로써 우수한 블랙 상태를 얻을 수 있다. As another method for displaying the black state, as shown in FIGS. 14A and 14B, a voltage is applied between the driving
이상 기술된 바와 같이, 본 발명에서는 화소 전극과 별개로 구동 전극을 형성하고 구동 전극과 화소 전극을 이용하여 액정을 구동함으로써 액정의 배향 변경을 항상 전계에 의하여 강제로 하기 때문에 응답 속도가 빠르며, 또한 액정을 배향하기 위한 배향막 형성 공정(polyimide print)과 러빙(rubbing) 공정을 생략할 수 있다. 또 액정이 구동 전극을 중심으로 상하좌우 대칭을 이루도록 정렬하기 때문에 시야각 및 계조 반전이 개선된다. As described above, in the present invention, since the driving electrode is formed separately from the pixel electrode and the liquid crystal is driven using the driving electrode and the pixel electrode, the change in the alignment of the liquid crystal is always forced by an electric field, and the response speed is high. An alignment film forming process and a rubbing process for aligning the liquid crystal may be omitted. In addition, since the liquid crystals are aligned so as to be symmetrical with respect to the driving electrode, the viewing angle and gray level inversion are improved.
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