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KR100855556B1 - Light emitting diode - Google Patents

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KR100855556B1
KR100855556B1 KR1020060132757A KR20060132757A KR100855556B1 KR 100855556 B1 KR100855556 B1 KR 100855556B1 KR 1020060132757 A KR1020060132757 A KR 1020060132757A KR 20060132757 A KR20060132757 A KR 20060132757A KR 100855556 B1 KR100855556 B1 KR 100855556B1
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KR
South Korea
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light emitting
emitting diode
wavelength
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green
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진보라
오승현
김병순
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주식회사 루멘스
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Abstract

본 발명의 목적은 삼색 발광 칩을 이용한 발광다이오드의 장점과 형광체 여기를 이용한 발광다이오드의 장점을 결합하여 NTSC에서 요구되는 영역의 모든 색상을 표현할 수 있으면서 발광효율이 높고 일정한 색의 재현이 가능하며 소비전력을 낮출 수 있도록 된 발광다이오드를 제공함에 있다.An object of the present invention is to combine all the advantages of the light emitting diode using the three-color light emitting chip and the light emitting diode using the phosphor excitation can express all the colors of the area required in NTSC, high luminous efficiency and consistent color reproduction and consumption The present invention provides a light emitting diode capable of lowering power.

이를 위해 본 발명은 리드프레임과, 적, 녹, 청색의 발광 칩 중 상기 리드프레임에 다이본딩되는 두 종류 색상의 적어도 하나 이상의 발광 칩, 상기 다이본딩되는 두 종류 이외의 색상으로 발광되는 형광체가 혼합되어 상기 발광칩을 밀봉하는 수지봉지제를 포함하는 발광다이오드를 제공한다.To this end, the present invention is a mixture of a lead frame, at least one light emitting chip of two kinds of colors die-bonded to the lead frame of red, green, blue light emitting chips, phosphors emitted in colors other than the two types of die bonding. To provide a light emitting diode comprising a resin encapsulating agent for sealing the light emitting chip.

발광다이오드, 발광 칩, 파장, 형광체, 수지봉지제 Light Emitting Diode, Light Emitting Chip, Wavelength, Phosphor, Resin Encapsulant

Description

발광다이오드{Light Emitting Diode}Light Emitting Diodes

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드의 평면도이다.1 is a plan view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드의 측단면도이다.2 is a side cross-sectional view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드를 도시한 사시도이다.3 is a perspective view showing a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드의 여기 파장 특성을 도시한 그래프이다.4 is a graph showing excitation wavelength characteristics of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드의 여기 파장 특성을 도시한 그래프이다.5 is a graph showing excitation wavelength characteristics of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 발광 스펙트럼 분포를 나타내는 파장 특성 분포를 도시한 그래프이다.6 is a graph showing a wavelength characteristic distribution showing an emission spectrum distribution according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10,20 : 발광다이오드 11,21 : 리드프레임10,20: light emitting diode 11,21: lead frame

12,22 : 청색 발광 칩 13,23 : 적색 발광 칩12,22: blue light emitting chip 13,23: red light emitting chip

14 : 반사체 15 : 와이어14 reflector 15 wire

16,24 : 수지봉지제16,24: resin encapsulation agent

본 발명은 발광다이오드에 관한 것이다. 더욱 상세하게 본 발명은 중대형 LCD의 백라이트 유닛의 광원으로 사용되는 발광다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode. More particularly, the present invention relates to a light emitting diode used as a light source of a backlight unit of a medium-large LCD.

일반적으로 발광다이오드(Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시키는 소자로, 최근들어 액정 패널의 백라이트용 광원이나 차세대 조명원 등 다양한 용도로 사용되고 있다.In general, a light emitting diode (Light Emitting Diode) is a device that converts electricity into infrared or light by using the characteristics of the compound semiconductor, and has been recently used for various uses such as a light source for the backlight of the liquid crystal panel or a next-generation lighting source.

상기 액정 패널의 백라이트용 광원으로 사용하기 위해서 종래에는 발광 칩 자체의 발산 파장을 이용하여 빛의 삼원색을 조합하여 백색광을 표현하였다.In order to use as a light source for the backlight of the liquid crystal panel, conventionally, white light is represented by combining three primary colors of light using the emission wavelength of the light emitting chip itself.

그러나 상기한 구조는 칩 자체의 삼색 광도효율이 좋지 않고 열에 대한 광도 저하 특성이 각기 다름으로 인해 삼색의 조합에서 사용 환경에 따른 색상의 편차가 다양하게 나타나는 게 현실이며 제조원가 또한 극도로 높아 대량 생산에 어려움이 있다.However, the above-described structure is a reality that the variation of the color according to the usage environment in the combination of the three colors due to the poor three-color luminous efficiency of the chip itself and the different characteristics of luminous degradation with respect to heat, the manufacturing cost is also extremely high in mass production There is difficulty.

이에 효율이 좋은 기존의 YAG계, TAG계, Silicate계 형광체의 청색 여기 특성을 이용한 백색광을 백라이트 광원으로 적용하는 시도가 있으나 적색의 색상영역이 형광체의 효율을 저하시키며 적색의 표현 영역이 예컨대 NTSC(national television system committee :미국텔레비전시스템위원회) 기준의 적색 영역을 표현하지 못하여 고칼라 가뮷(GAMUT)을 실현하지 못하는 문제점이 있다.There is an attempt to apply white light using the blue excitation characteristics of the existing YAG-based, TAG-based and Silicate-based phosphors having high efficiency as a backlight light source, but the red color region decreases the efficiency of the phosphor and the red expression region is NTSC ( National television system committee: There is a problem in that it does not realize the high color gamut (GAMUT) because it cannot express the red area of the national television system committee standard.

즉, NTSC 기준의 중대형 LCD의 백라이트용 광원으로 사용되기 적합하고 고칼라 가뮷을 구현하기 위해 적, 녹, 청의 삼색 발광 칩를 이용한 구조의 경우 넓은 파장의 발광 영역을 확보하고 이로 인해 NTSC 기준의 넓은 영역의 색상을 표현할 수 있는 광원을 제공할 수는 있으나, 삼색의 발광 칩이 개별적으로 광학적 특성이 다름으로 인해 동일한 조합으로 동일한 색상의 발광다이오드를 제공하지 못해 수율이 저조하고 이에 제조원가가 상승되는 단점이 있다.That is, it is suitable to be used as a light source for backlight of NTSC standard medium / large LCD, and in case of structure using red, green and blue tricolor light emitting chip to realize high color gamut, it secures wide light emission area and therefore wide area of NTSC standard. Although it is possible to provide a light source capable of expressing the color of the light emitting diodes, the light emitting diodes of the three colors can not be provided in the same combination in the same combination due to the different optical characteristics, the yield is low and the manufacturing cost is increased have.

또한, 단일 파장의 발광 칩에 형광체를 여기하여 백색광을 내는 기술은 동일 색상의 일정한 구현문제 및 적, 녹, 청색의 넓은 영역의 색상을 표현하지 못해 중대형 영상 매체의 백라이트 유닛으로 사용하기에는 색상 표현의 제한이라는 단점이 있다.In addition, the technology of emitting white light by exciting phosphors in a single wavelength light emitting chip has a problem of implementing a certain color of the same color and a color of a wide range of red, green, and blue colors, and thus it is difficult to use it as a backlight unit of medium and large sized video media. There is a disadvantage of limitation.

또한, 이를 개선하여 고칼라 가뮷을 실현한 형광체를 적용하기도 하나 이러한 구조는 발광 효율이 좋지 않아 상용화하기 힘든 게 현실이다.In addition, it is possible to apply a phosphor that has improved the color by improving this, but such a structure is difficult to commercialize due to the poor luminous efficiency.

상기한 바와 같이 백색 발광다이오드로서 삼색의 발광 칩을 이용한 구조의 경우 색상의 온도에 따른 편차의 문제와 광효율이 좋지 않고 소비전력이 높은 단점이 있으며, 형광체의 여기를 이용한 구조의 경우 광효율이 좋은 반면 NTSC 영역의 넓은 색 재현이 어려워 해상도 및 색상표현의 한계를 극복하지 못하는 문제점이 있다.As described above, in the case of a structure using a light emitting chip of three colors as a white light emitting diode, there is a problem of deviation according to the temperature of the color and a disadvantage of poor light efficiency and high power consumption. It is difficult to reproduce a wide color in the NTSC area, and there is a problem in that it cannot overcome the limitations of resolution and color expression.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 삼색 발광 칩을 이용한 발광다이오드의 장점과 형광체 여기를 이용한 발광다이오드의 장점을 결합하여 NTSC에서 요구되는 영역의 모든 색상을 표현할 수 있으면서 발광효율이 높고 일정한 색의 재현이 가능하며 소비전력을 낮출 수 있도록 된 발광다이오드를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to combine the advantages of the light emitting diode using the tri-color light emitting chip with the advantages of the light emitting diode using phosphor excitation all colors of the area required in the NTSC The present invention provides a light emitting diode capable of expressing light emitting efficiency, high color reproduction, and low power consumption.

또한, 본 발명은 수율을 높여 생산 원가를 최소화할 수 있으며 보다 신뢰성을 높일 수 있도록 된 발광다이오드를 제공함에 또다른 목적이 있다.In addition, the present invention has another object to provide a light emitting diode that can increase the yield to minimize the production cost and increase the reliability.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발광다이오드는 리드프레임과, 적, 녹, 청색의 발광 칩 중 상기 리드프레임에 다이본딩되는 두 종류 색상의 적어도 하나 이상의 발광 칩, 상기 다이본딩되는 두 종류 이외의 색상으로 발광되는 형광체가 혼합되어 상기 발광칩을 밀봉하는 수지봉지제를 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, the light emitting diode includes a lead frame and at least one light emitting chip of two kinds of colors die-bonded to the lead frame among red, green, and blue light emitting chips, and colors other than the two kinds of die bonding. Phosphor emitting light may be mixed to include a resin encapsulant for sealing the light emitting chip.

이에 따라 두 종류 색상의 발광 칩과 나머지 색상의 형광체에 의해 넓은 영역의 색상 표현이 가능하고 발광 효율을 높일 수 있게 된다.Accordingly, a wide range of colors can be expressed by the light emitting chips of two colors and the phosphors of the remaining colors, and the light emitting efficiency can be improved.

여기서 상기 리드프레임에 다이본딩되는 두 종류의 발광 칩은 청색의 발광 칩과 적색의 발광 칩일 수 있다.The two types of light emitting chips die-bonded to the lead frame may be blue light emitting chips and red light emitting chips.

또한, 상기 형광체는 녹색의 형광체일 수 있다.In addition, the phosphor may be a green phosphor.

상기 형광체는 상기 발광 칩 중 적어도 하나의 발광 칩에서 발산되는 파장에 의해 여기되어 발산하는 구조일 수 있으며, 상기 청색의 발광 칩의 파장에 여기되어 발산되도록 함이 바람직하다.The phosphor may be a structure that is excited and diverged by a wavelength emitted from at least one of the light emitting chips, and is preferably excited by the wavelength of the blue light emitting chip.

상기 청색의 발광 칩은 445nm ~ 460nm의 파장대로 발산되도록 함이 바람직하다.The blue light emitting chip preferably emits in the wavelength range of 445 nm to 460 nm.

상기 적색의 발광 칩은 620nm ~ 650nm의 파장대로 발산되도록 함이 바람직하다.Preferably, the red light emitting chip emits light at a wavelength of 620 nm to 650 nm.

상기 녹색의 형광체는 520nm ~ 540nm의 파장대로 발산되도록 함이 바람직하 다.The green phosphor is preferably to be emitted in the wavelength range of 520nm ~ 540nm.

또한, 상기 형광체의 여기 파장은 445nm ~ 460nm 임이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 500nm 이상의 파장대에서는 여기되지 않는 구조일 수 있다.In addition, the excitation wavelength of the phosphor is preferably 445nm ~ 460nm, more preferably may have a structure that is not excited in the wavelength band of 500nm or more.

여기서 상기 발광다이오드는 리드프레임에 반사체가 사출성형되고 반사체 내부에 상기 투과형 수지봉지제가 충진된 구조이거나, 발광 칩이 실장된 리드프레임에 상기 수지봉지제가 트랜스퍼 몰딩된 구조, 또는 램프 형태로 이루어질 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.The light emitting diode may include a structure in which a reflector is injection molded in a lead frame and the transmissive resin encapsulant is filled in the reflector, or a structure in which the resin encapsulant is transfer molded in a lead frame on which a light emitting chip is mounted, or a lamp. It does not specifically limit.

이하, 첨부한 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 당업자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드의 평면도이며, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드의 측단면도이다.1 is a plan view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 is a side cross-sectional view of the light emitting diode according to the first embodiment of the present invention.

상기한 도면에 의하면, 본 실시예의 발광다이오드(10)는 한쌍의 양극 리드프레임(Anode Lead Frame)과 음극 리드프레임(Cathode Lead Frame)으로 이루어진 리드프레임(11)과, 상기 리드프레임(11)의 다이패드에 다이접착제를 매개로 부착되는 청색의 발광 칩(12)과 적색의 발광 칩(13), 상기 리드프레임(11)의 상측에 수지로 성형되어 상기 발광 칩(12,13)을 둘러싸는 반사체(14), 상기 발광 칩(12,13)과 리드프레임(11) 사이에 연결되는 통전 와이어(15), 상기 청색의 발광 칩의 발산 파장에 의해 여기되어 녹색으로 발산되는 녹색 형광체가 혼합되어 상기 반사체 내에 충진되는 수지봉지제(16)를 포함한다.According to the drawings, the light emitting diode 10 of the present embodiment includes a lead frame 11 including a pair of anode lead frames and cathode lead frames, and A blue light emitting chip 12, a red light emitting chip 13, and a resin formed on the upper side of the lead frame 11, which are attached to the die pad through a die adhesive, surround the light emitting chips 12 and 13. The reflector 14, the conducting wire 15 connected between the light emitting chips 12 and 13 and the lead frame 11, and green phosphors excited by the emission wavelength of the blue light emitting chip and emitted green And a resin encapsulant 16 filled in the reflector.

본 실시예에서 하나의 발광다이오드(10) 내에는 3개의 발광 칩이 실장되며, 두 개는 청색의 빛을 발산하는 청색의 발광 칩(12)이고 나머지 하나는 적색의 빛을 발산하는 적색의 발광 칩(13)이다.In the present embodiment, three light emitting chips are mounted in one light emitting diode 10, two are blue light emitting chips 12 emitting blue light, and the other is red light emitting red light. Chip 13.

하나의 발광다이오드에 대한 상기 청색의 발광 칩과 적색의 발광 칩의 개수에 대해서는 상기 실시예에 한정되지 않으며 다양한 조합이 가능하다 할 것이다.The number of the blue light emitting chip and the red light emitting chip for one light emitting diode is not limited to the above embodiment and various combinations are possible.

또한, 상기 3개의 발광 칩(12,13)은 서로 직렬회로로 구성되도록 상기 리드프레임(11)에 통전 와이어(15)를 매개로 연결되다. 이러한 직렬 연결구조는 기존 발광다이오드의 회로구조와 동일한 것으로 종래와 제조공정을 변경하지 않고 그대로 이용하여 본 실시예의 발광다이오드 칩을 제조할 수 있는 잇점을 제공한다.In addition, the three light emitting chips 12 and 13 are connected to the lead frame 11 through a conducting wire 15 so as to be configured in a series circuit with each other. This series connection structure is the same as the circuit structure of the conventional light emitting diode, and provides the advantage that the light emitting diode chip of the present embodiment can be manufactured using the same without changing the conventional manufacturing process.

도 1에서 상기 3개의 발광 칩(12,13)은 삼각형태로 배치되나, 이러한 배치 구조에 대해서는 특별히 한정되지 않으며 다양한 형태로 배치될 수 있다.In FIG. 1, the three light emitting chips 12 and 13 are arranged in a triangular shape, but the arrangement structure is not particularly limited and may be arranged in various forms.

상기 청색의 발광 칩(12)은 GaN계 또는 InGaN계 원소로 제작되며, 445nm ~ 460nm 파장대의 빛을 발산한다.The blue light emitting chip 12 is made of GaN-based or InGaN-based elements, and emits light in the wavelength range of 445 nm to 460 nm.

또한, 상기 적색의 발광 칩(13)은 InGap계 원소로 제작되며, 620nm ~ 650nm 파장대의 빛을 발산한다.In addition, the red light emitting chip 13 is made of an InGap-based element and emits light in a wavelength range of 620 nm to 650 nm.

상기 수지봉지제(16)는 빛이 투과되는 투명재질의 에폭시수지와 형광체가 혼합된 액상 또는 고상의 수지혼합물로서, 에폭시수지와 상기 형광체의 혼합비율은 무게비로 형광체가 수지혼합물의 15% 이내로 혼합됨이 바람직하다. The resin encapsulant 16 is a liquid or solid resin mixture in which a light-transparent epoxy resin and a phosphor are mixed, and the mixing ratio of the epoxy resin and the phosphor is a weight ratio of the phosphor mixed within 15% of the resin mixture. Is preferred.

상기 혼합비율이 15%보다 높으면 발광효율이 종래와 비교하여 저하되며, 적색, 녹색, 청색을 추출함에 있어 근원인 청색의 발광을 극도로 저하시킴으로서 색 의 재현 가뮷값이 저하된다.When the mixing ratio is higher than 15%, the luminous efficiency is lowered as compared with the conventional one, and the reproduction pseudo-value of color is lowered by extremely reducing the emission of blue which is the source in extracting red, green, and blue.

또한, 본 실시예에서 상기 녹색의 형광체는 스트론튬 실리케이트(Strontium Silicate)를 주성분으로 하는 실리케이트(Silicate)계 소재로 이루어진다. 상기 소재 이외에도 다음에 설명되는 특성을 만족하는 소재면 상기 녹색의 형광체로서 모두 적용가능하다 할 것이다.In addition, in the present embodiment, the green phosphor is made of a silicate-based material mainly containing strontium silicate. In addition to the material, any material that satisfies the following characteristics will be applicable as the green phosphor.

상기 수지봉지제(16)에 혼합되는 상기 녹색의 형광체는 청색의 발광 칩(12) 한 종류의 파장에만 여기되어 발광되는 구조로 되어 있다. 이에 상기 녹색의 형광체는 청색의 발광 칩(12)의 파장대인 445nm ~ 460nm의 파장대에서 여기되고 500nm 이상의 파장대에서는 여기되지 않는 특징을 가지며, 상기 특정 파장대에서 여기되어 520nm ~ 540nm의 파장대로 빛을 발산한다.The green phosphor mixed with the resin encapsulant 16 has a structure that is excited by only one type of wavelength of the blue light emitting chip 12 to emit light. Accordingly, the green phosphor is excited in the wavelength range of 445 nm to 460 nm, which is the wavelength band of the blue light emitting chip 12, and is not excited in the wavelength range of 500 nm or more, and is excited in the specific wavelength band to emit light in the wavelength range of 520 nm to 540 nm. do.

또한, 상기 녹색의 형광체는 발광 스펙트럼에서 1개 이상의 피크 파장을 갖고 녹색의 파장 영역과 적색의 파장 영역에 피크가 분포하며, 적색 발광 효율이 녹색 발광 효율의 20%를 넘지 않는 특성을 갖는다.In addition, the green phosphor has one or more peak wavelengths in the emission spectrum, peaks are distributed in the green wavelength region and the red wavelength region, and the red light emission efficiency does not exceed 20% of the green light emission efficiency.

이는 상기 녹색의 형광체가 청색과 녹색 파장만 조합이 이루어짐으로서 가장 이상적인 조건으로 일정한 색 좌표를 구현할 수 있으며 형광체 양에 대한 색변화가 극도로 적기 때문이다.This is because the green phosphor is a combination of only blue and green wavelengths can implement a constant color coordinates under the most ideal conditions and the color change with respect to the amount of the phosphor is extremely small.

상기 녹색의 형광체가 발현하는 스펙트럼이 녹색의 파장 영역에서만 분포하거나 상기 적색 발광 효율이 녹색 발광 효율의 20%를 넘는 경우에는 발광 칩의 근원 파장과 형광체의 녹색, 적색 파장의 삼색의 조합이 됨으로 색 분포가 다양하게 나타나서 일정한 색 구현이 어렵게 된다.When the spectrum of the green phosphor is distributed only in the green wavelength range or when the red luminous efficiency exceeds 20% of the green luminous efficiency, the color becomes a combination of three colors of the source wavelength of the light emitting chip and the green and red wavelengths of the phosphor. Diverse distributions make it difficult to achieve consistent colors.

도 4는 상기 녹색의 형광체의 여기 스펙트럼 특성을 보여주는 그래프이며, 도 5는 상기 녹색의 형광체가 여기 파장에 반응하여 광 발산하는 스펙트럼 분포를 보여주는 그래프이다.4 is a graph showing excitation spectral characteristics of the green phosphor, and FIG. 5 is a graph showing a spectral distribution in which the green phosphor emits light in response to an excitation wavelength.

상기한 그래프에서 확인할 수 있듯이 상기 녹색의 형광체는 500nm 이상의 파장대에서는 여기되지 않는 특성을 가지며 445nm ~ 460nm의 여기 파장에 반응하여 525nm ~ 540nm의 파장으로 발산하며, 620nm 이상 파장대로의 광 발산은 하지 않는 것을 알 수 있다.As can be seen from the above graph, the green phosphor has a property of not being excited in a wavelength range of 500 nm or more, and emits in a wavelength of 525 nm to 540 nm in response to an excitation wavelength of 445 nm to 460 nm, and does not emit light in a wavelength of 620 nm or more. It can be seen that.

이에 따라 본 발광다이오드는 청색의 발광 칩과 적색의 발광 칩으로부터 발산된 특정 파장과 상기 청색의 발광 칩으로부터 발산된 파장에 의해 여기 되어 상기 녹색의 형광체로부터 발산되는 파장이 서로 조합되면서 청색, 적색, 녹색의 넓은 파장 영역에서 발광하게 된다.Accordingly, the light emitting diode is excited by a specific wavelength emitted from the blue light emitting chip and the red light emitting chip and a wavelength emitted from the blue light emitting chip, and the wavelength emitted from the green phosphor is combined with each other. It emits light in the wide wavelength range of green.

도 6은 본 실시예에 따른 발광다이오드의 발광 파장을 도시한 그래프로, 상기 그래프에서 확인할 수 있듯이 청색과 적색 및 녹색의 파장대가 뚜렷이 확인되며 NTSC 기준을 만족하는 넓은 파장 영역에서 각 색상이 발광되는 것을 알 수 있다.FIG. 6 is a graph illustrating light emission wavelengths of light emitting diodes according to the present embodiment. As can be seen from the graphs, blue, red, and green wavelength bands are clearly identified, and each color emits light in a wide wavelength region satisfying the NTSC standard. It can be seen that.

한편, 도 3은 발광다이오드의 또다른 실시예로서 에폭시 수지가 몰딩된 구조를 도시하고 있다.Meanwhile, FIG. 3 illustrates a structure in which an epoxy resin is molded as another embodiment of the light emitting diode.

상기한 도면에 의하면, 본 실시예의 발광다이오드(20)는 한 쌍의 양극 리드프레임(Anode Lead Frame)과 음극 리드프레임(Cathode Lead Frame)으로 이루어진 리드프레임(21)과, 상기 리드프레임(21)의 다이패드에 다이접착제를 매개로 부착되는 청색의 발광 칩(22)과 적색의 발광 칩(23), 상기 청색의 발광 칩(22)의 발산 파 장에 의해 여기되어 녹색으로 발산되는 녹색 형광체가 혼합되어 상기 리드프레임(21) 상에 트랜스퍼 몰딩되는 수지봉지제(24)를 포함한다.According to the drawings, the light emitting diode 20 of the present embodiment includes a lead frame 21 including a pair of anode lead frames and cathode lead frames, and the lead frames 21. The green phosphor that is excited by the emission wavelength of the blue light emitting chip 22, the red light emitting chip 23, and the blue light emitting chip 22, which is attached to the die pad through the die adhesive, emits green. A resin encapsulant 24 is mixed and transferred to the lead frame 21.

상기 수지봉지제(24)는 리드프레임(21)에 몰딩되어 외형을 이루는 수지 몰드로 이해할 수 있다.The resin encapsulant 24 may be understood as a resin mold molded into the lead frame 21 to form an outline.

본 실시예에 따른 발광다이오드(20)는 상기 리드프레임(21)에 결합되는 상기 수지봉지제(24)의 구조를 제외하고 발광 칩이나 형광체의 특성과 그 작용에 대해서는 실시예 1에서 설명한 바와 동일하므로 이하 상세한 설명을 생략하도록 한다.Except for the structure of the resin encapsulant 24 coupled to the lead frame 21, the light emitting diode 20 according to the present embodiment has the same characteristics and operation as those described in Example 1 except for the structure of the light emitting chip or the phosphor. Therefore, the detailed description will be omitted below.

이하, 실시예 1을 참조하여 본 발광다이오드(10)의 제조공정을 살펴보면, 삼원색의 발광 칩 중 청색의 발광 칩(12)과 적색의 발광 칩(13)은 다이 접착제를 매개로 리드프레임(11) 상에 다이본딩되고, 리드프레임(11)과의 전기적 연결을 위해 골드 통전 와이어(15)로 와이어 본딩하는 과정을 거치게 된다.Hereinafter, referring to Example 1, a manufacturing process of the light emitting diode 10 will be described. Among the light emitting chips of three primary colors, the blue light emitting chip 12 and the red light emitting chip 13 may have a lead frame 11 through a die adhesive. Die bonding on the wire) and wire bonding with the gold conducting wire 15 for electrical connection with the leadframe 11.

그리고 투과성 에폭시 수지에 녹색의 형광체를 혼합하여 수지봉지제(16)를 제조하고 형광체가 혼합된 상기 수지봉지제(16)를 상기 리드프레임(11) 상에 성형된 반사체(13)에 주입하여 충진하거나, 실시예 2의 경우 리드프레임(21)에 트랜스퍼 몰딩한다.In addition, a resin encapsulant 16 is prepared by mixing a green phosphor with a transparent epoxy resin, and the resin encapsulant 16 mixed with phosphor is injected into a reflector 13 formed on the lead frame 11 and filled. Alternatively, in the second embodiment, the lead frame 21 is transfer molded.

상기 수지봉지제 경화공정을 거쳐 수지가 경화되면 각 소자를 트리밍 또는 포밍공정을 통해 개별화한 후 전기적 그리고 광학적인 특성 선별공정을 통해 삼원색의 넓은 파장대와 균일한 색상영역을 갖는 발광다이오드(10)를 제조할 수 있게 된다.When the resin is cured through the resin encapsulation process, each device is individualized through a trimming or forming process, and then a light emitting diode 10 having a broad wavelength band of three primary colors and a uniform color gamut is formed through an electrical and optical characteristic selection process. It becomes possible to manufacture.

이상 설명한 바와 같이 본 발명의 예시적인 실시예가 도시되어 설명되었지 만, 다양한 변형과 다른 실시예가 본 분야의 숙련된 기술자들에 의해 행해질 수 있을 것이다. 이러한 변형과 다른 실시예들은 첨부된 청구범위에 모두 고려되고 포함되어 본 발명의 진정한 취지 및 범위를 벗어나지 않는다 할 것이다.While exemplary embodiments of the present invention have been shown and described as described above, various modifications and other embodiments may be made by those skilled in the art. Such modifications and other embodiments will be considered and included in the appended claims without departing from the true spirit and scope of the invention.

위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 삼색의 발광 칩을 이용한 발광다이오드의 장점과 형광체를 이용한 발광다이오드의 장점만을 취하여 제조원가를 최소화하면서 높은 수율과 넓은 영역의 색상 표현이 가능한 발광다이오드를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a light emitting diode capable of expressing a high yield and a wide range of colors while minimizing manufacturing costs by taking advantage of light emitting diodes using tricolor light emitting chips and light emitting diodes using phosphors.

또한, 종래 직렬 회로구성을 그대로 이용할 수 있어서 회로 개선을 위한 별도의 설계가 불필요한 잇점이 있다.In addition, the conventional series circuit configuration can be used as it is, there is an advantage that a separate design for circuit improvement is unnecessary.

또한, 두 종류의 발광 칩만을 제어하는 것으로 색상을 조정할 수 있게 되어 색상 조정이 보다 용이하며, 종래 3종류의 발광 칩에 의한 색채조합과 비교하여 두 종류 발광 칩에 의한 색채 조합으로 전류와 광도 특성 변화에 민감하지 않게 작용함으로서 사용환경의 조건이 바뀌더라도 동일 패키지 내에서의 색 재현이 일정하게 유지될 수 있다.In addition, the color can be adjusted more easily by controlling only two kinds of light emitting chips, and the color adjustment is easier. By being insensitive to change, color reproduction in the same package can be kept constant even if the conditions of the use environment are changed.

Claims (15)

액정표시소자의 백라이트 유닛의 광원으로 사용되는 발광다이오드에 있어서, In the light emitting diode used as the light source of the backlight unit of the liquid crystal display device, 상기 발광다이오드는 리드프레임과, 상기 리드프레임에 다이본딩되는 적색의 발광 칩과 청색의 발광 칩, 상기 발광 칩의 발광 파장에 여기되어 녹색으로 발광되는 녹색의 형광체가 혼합되어 상기 발광칩을 밀봉하는 수지봉지제를 포함하고, The light emitting diode is mixed with a lead frame, a red light emitting chip die-bonded to the lead frame, a blue light emitting chip, and a green phosphor excited by the light emission wavelength of the light emitting chip to emit green light to seal the light emitting chip. Including resin encapsulant, 상기 수지봉지제는 에폭시수지와 녹색의 형광체가 혼합된 수지혼합물로 이루어지고, 상기 녹색의 형광체는 무게비로 수지혼합물의 15% 이내로 혼합되며, 445nm ~ 460nm의 파장대에 여기되어 520nm ~ 540nm의 파장대로 발광되고, 발광 스펙트럼에서 1개 이상의 피크 파장을 갖고 녹색의 파장 영역과 적색의 파장 영역에 피크가 분포하며, 적색 발광 효율이 녹색 발광 효율의 20%를 넘지 않는 특성을 갖는 발광다이오드.The resin encapsulation agent is made of a resin mixture in which an epoxy resin and a green phosphor are mixed, and the green phosphor is mixed within 15% of the resin mixture by weight ratio, and excited in a wavelength range of 445 nm to 460 nm to a wavelength of 520 nm to 540 nm. A light emitting diode that emits light, has one or more peak wavelengths in an emission spectrum, has peaks distributed in a green wavelength region and a red wavelength region, and has a red luminous efficiency that does not exceed 20% of the green luminous efficiency. 제 1 항에 있어서, 형광체는 상기 두 종류의 발광 칩 중 한 종류의 발광 칩에서 발산되는 파장대에만 여기되는 발광다이오드.The light emitting diode of claim 1, wherein the phosphor is excited only at a wavelength band emitted from one type of light emitting chip among the two types of light emitting chips. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 형광체는 상기 청색의 발광 칩의 발산 파장대에 여기되는 발광다이오드.And the phosphor is excited to the emission wavelength band of the blue light emitting chip. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, wherein 상기 청색의 발광 칩은 445nm ~ 460nm의 파장대로 발산되는 발광다이오드.The blue light emitting chip emits light with a wavelength of 445 nm to 460 nm. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, wherein 상기 적색의 발광 칩은 620nm ~ 650nm의 파장대로 발산되는 발광다이오드.The red light emitting chip emits light with a wavelength of 620 nm to 650 nm. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 리드프레임에 반사체가 사출성형되고, 상기 반사체 내부에 상기 수지봉지제가 충진된 구조의 발광다이오드.A light emitting diode having a structure in which a reflector is injection molded in the lead frame and the resin encapsulation agent is filled in the reflector. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 리드프레임에 상기 수지봉지제가 트랜스퍼 몰딩된 구조의 발광다이오드.A light emitting diode having a structure in which the resin encapsulant is transfer molded to the lead frame. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수개의 발광 칩은 직렬 회로 연결된 구조의 발광다이오드.The light emitting diodes of the plurality of light emitting chips connected in series circuit. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 녹색의 형광체는 스트론튬 실리케이트(Strontium Silicate)를 주성분으로 하는 실리케이트(Silicate)계 소재로 이루어지는 발광다이오드.The green phosphor is a light emitting diode made of a silicate (Silicate) material mainly composed of Strontium Silicate (Strontium Silicate). 삭제delete 삭제delete
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