KR100830586B1 - 기판을 노광하는 장치 및 방법 - Google Patents
기판을 노광하는 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100830586B1 KR100830586B1 KR1020060126452A KR20060126452A KR100830586B1 KR 100830586 B1 KR100830586 B1 KR 100830586B1 KR 1020060126452 A KR1020060126452 A KR 1020060126452A KR 20060126452 A KR20060126452 A KR 20060126452A KR 100830586 B1 KR100830586 B1 KR 100830586B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid
- bath
- line
- measuring
- drain line
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (30)
- 광을 방출하는 광원;상기 광원으로부터 방출된 광을 레티클 스테이지 상에 로딩된 레티클을 향하여 방출하는 조명광학계;상기 레티클을 투과한 광을 기판 스테이지 상에 로딩된 기판을 향하여 조사하는 투영광학계; 및상기 투영광학계와 상기 기판 사이의 광로 상에 액체를 제공하는 액체를 제공하는 액침노광유닛을 포함하되,상기 액침노광유닛은,상기 광로 상에 위치하며, 상기 액체가 채워지는 용기;상기 용기의 일측에 연결되어 상기 용기에 상기 액체를 공급하는 공급라인;상기 용기의 타측에 연결되어 상기 용기 내의 상기 액체를 드레인하는 제1 드레인라인; 및상기 제1 드레인라인에 연결되어 상기 제1 드레인 라인을 흐르는 상기 액체의 상태를 측정하는 하나 이상의 제1 측정부를 구비하는 모니터링 유닛을 포함하고,상기 모니터링 유닛은,상기 제 1 드레인 라인에 연결되어 상기 액체를 회수하는 회수라인과;상기 용기에 공급되는 상기 액체와 동일한 액체를 공급하는 보조 공급라인을 포함하고,상기 제 1측정부는 상기 회수라인을 통해 회수되는 액체와 상기 보조 공급라인을 통해 공급되는 액체가 혼합된 액체의 상태를 측정하도록 제공되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 광을 방출하는 광원;상기 광원으로부터 방출된 광을 레티클 스테이지 상에 로딩된 레티클을 향하여 방출하는 조명광학계;상기 레티클을 투과한 광을 기판 스테이지 상에 로딩된 기판을 향하여 조사하는 투영광학계; 및상기 투영광학계와 상기 기판 사이의 광로 상에 액체를 제공하는 액체를 제공하는 액침노광유닛을 포함하되,상기 액침노광유닛은,상기 광로 상에 위치하며, 상기 액체가 채워지는 용기;상기 용기의 일측에 연결되어 상기 용기에 상기 액체를 공급하는 공급라인;상기 용기의 타측에 연결되어 상기 용기 내의 상기 액체를 드레인하는 제1 드레인라인; 및상기 제1 드레인라인에 연결되어 상기 제1 드레인 라인을 흐르는 상기 액체의 상태를 측정하는 하나 이상의 제1 측정부를 구비하는 모니터링 유닛을 포함하되,상기 모니터링 유닛은,상기 제1 드레인라인에 연결되어 상기 액체를 회수하는 회수라인;상기 회수라인을 통하여 회수된 상기 액체를 저장하는 제1 배스;상기 제1 배스에 연결되어 상기 제1 배스 내의 상기 액체가 흐르며, 상기 제1 측정부가 설치되는 제1 분배라인;상기 제1 배스에 상기 용기에 공급되는 상기 액체와 동일한 액체를 공급하는 보조공급라인을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 모니터링 유닛은 상기 제1 배스에 연결되며 상기 제1 배스 내에 저장된 상기 액체를 외부로 배출하는 제2 드레인라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제3항에 있어서,상기 모니터링 유닛은 상기 제1 측정부과 상기 제2 드레인라인을 연결하는 제1 보조 드레인라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 측정부는 이온분석설비(High Performance Ion Chromatography: HPIC) 또는 유도결합플라스마질량분광기(Inductively Coupled Plasma - Mass Spectrometer) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 삭제
- 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서상기 모니터링 유닛은 상기 보조공급라인 상에 설치된 유량계(fluid meters)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서상기 모니터링 유닛은 회수된 상기 액체를 유출하는 상기 회수라인의 일단이 연결되는 제1 유입구와 공급된 상기 액체를 유출하는 상기 보조공급라인의 일단이 연결되는 제2 유입구가 형성된 믹싱기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제8항에 있어서,상기 믹싱기에는 상기 제1 및 제2 유입구를 통하여 상기 믹싱기 내로 유입된 상기 액체들이 배출되는 복수의 배출구들이 형성되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제8항에 있어서,상기 모니터링 유닛은 상기 회수라인 상에 제공되며, 상기 믹싱기 내에 유입된 상기 액체들이 상기 제1 드레인라인을 향하여 역류하는 것을 방지하는 역류방지기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 배스는 상기 제1 배스 내의 공간을 연통하는 복수개의 공간들로 구획하는 하나 이상의 격벽들을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제11항에 있어서,상기 격벽들은,상기 제1 배스의 천정면으로부터 수직하게 아래를 향하여 연장되는 제1 격벽; 및상기 제1 배스의 바닥면으로부터 수직하게 위를 향하여 연장되는 제2 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 측정부는 유기물 분석기(TOC analyzer), 용존산소 측정부(DO meter), 비저항 측정부(resitivity meter), 그리고 파티클 카운터(particle counter) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 광을 방출하는 광원;상기 광원으로부터 방출된 광을 레티클 스테이지 상에 로딩된 레티클을 향하여 방출하는 조명광학계;상기 레티클을 투과한 광을 기판 스테이지 상에 로딩된 기판을 향하여 조사하는 투영광학계; 및상기 투영광학계와 상기 기판 사이의 광로 상에 액체를 제공하는 액체를 제공하는 액침노광유닛을 포함하되,상기 액침노광유닛은,상기 광로 상에 위치하며, 상기 액체가 채워지는 용기;상기 용기의 일측에 연결되어 상기 용기에 상기 액체를 공급하는 공급라인;상기 용기의 타측에 연결되어 상기 용기 내의 상기 액체를 드레인하는 제1 드레인라인; 및상기 제1 드레인라인에 연결되어 상기 제1 드레인 라인을 흐르는 상기 액체의 상태를 측정하는 하나 이상의 제1 측정부를 구비하는 모니터링 유닛을 포함하되,상기 모니터링 유닛은,상기 제1 드레인라인에 연결되어 상기 액체를 회수하는 회수라인;상기 회수라인을 통하여 회수된 상기 액체를 저장하는 제1 배스;상기 제1 배스에 연결되어 상기 제1 배스 내의 상기 액체가 흐르며, 상기 제1 측정부가 설치되는 제1 분배라인;상기 제1 배스와 연결되며, 상기 제1 배스 내에 저장된 상기 액체가 흐르는 연통라인;상기 연통라인과 연결되며, 상기 연통라인 내의 상기 액체를 저장하는 제2 배스;상기 제2 배스에 상기 용기에 공급되는 상기 액체와 동일한 액체를 공급하는 보조공급라인;상기 제2 배스에 연결되어 상기 제2 배스 내의 상기 액체가 흐르는 하나 이상의 제2 분배라인;상기 제2 분배라인 상에 설치되며, 상기 제2 분배라인을 흐르는 상기 액체의 상태를 측정하는 하나 이상의 제2 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치..
- 삭제
- 제14항에 있어서,상기 모니터링 유닛은,상기 제1 배스에 연결되며, 상기 제1 배스 내에 저장된 상기 액체를 외부로 배출하는 제2 드레인라인; 및상기 제2 배스 및 상기 제2 드레인라인에 연결되며, 상기 제2 배스 내에 저장된 상기 액체를 상기 제2 드레인라인으로 배출하는 제3 드레인라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제16항에 있어서,상기 모니터링 유닛은,상기 제1 측정부과 상기 제2 드레인라인을 연결하는 제1 보조 드레인라인; 및상기 제2 측정부와 상기 제2 드레인라인을 연결하는 제2 보조 드레인라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제14항, 제16항, 그리고 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 모니터링 유닛은 회수된 상기 액체를 유출하는 상기 회수라인의 일단이 연결되는 제1 유입구와 공급된 상기 액체를 유출하는 상기 보조공급라인의 일단이 연결되는 제2 유입구가 형성된 믹싱기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제18항에 있어서,상기 모니터링 유닛은 상기 회수라인 상에 제공되며, 상기 믹싱기 내에 유입 된 상기 액체들이 상기 제1 드레인라인을 향하여 역류하는 것을 방지하는 역류방지기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제14항, 제16항, 그리고 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 배스는 상기 제2 배스 내의 공간을 연통하는 복수개의 공간들로 구획하는 하나 이상의 격벽들을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 광을 방출하는 광원;상기 광원으로부터 방출된 광을 레티클 스테이지 상에 로딩된 레티클을 향하여 방출하는 조명광학계;상기 레티클을 투과한 광을 기판 스테이지 상에 로딩된 기판을 향하여 조사하는 투영광학계; 및상기 투영광학계와 상기 기판 사이의 광로 상에 제공되며, 액체가 채워진 액상렌즈; 및상기 액상렌즈로부터 상기 액체를 샘플링하여 상기 액체의 상태를 측정하는 모니터링 유닛을 포함하되,상기 모니터링 유닛은,샘플링된 상기 액체를 저장하는 제1 배스;상기 액상렌즈에 채워지는 액체와 동일한 액체를 상기 제1 배스에 공급하는 보조공급라인;상기 제1 배스에 연결되어 상기 제1 배스 내의 상기 액체가 흐르는 하나 이상의 제1 분배라인;상기 제1 분배라인 상에 설치되며, 상기 제1 분배라인을 흐르는 상기 액체의 상태를 측정하는 하나 이상의 제1 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 삭제
- 제21항에 있어서,상기 제1 측정부는 이온분석설비(High Performance Ion Chromatography: HPIC) 또는 유도결합플라스마질량분광기(Inductively Coupled Plasma - Mass Spectrometer) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 삭제
- 제21항 또는 제23항에 있어서,상기 모니터링 유닛은,상기 제1 배스와 연결되며, 상기 제1 배스 내에 저장된 상기 액체가 흐르는 연통라인;상기 연통라인과 연결되며, 상기 연통라인 내의 상기 액체를 저장하는 제2 배스;상기 제2 배스에 연결되어 상기 제2 배스 내의 상기 액체가 흐르는 하나 이상의 제2 분배라인;상기 제2 분배라인 상에 설치되며, 상기 제2 분배라인을 흐르는 상기 액체의 상태를 측정하는 하나 이상의 제2 측정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제25항에 있어서,상기 모니터링 유닛은 상기 액상렌즈에 채워지는 액체와 동일한 액체를 상기 제2 배스에 공급하는 보조공급라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 기판과 레티클을 투과한 광을 상기 기판을 향하여 조사하는 투영광학계 사이의 광로 상에 액체를 제공하여 상기 광이 상기 액체를 통과하여 상기 기판으로 조사되도록 하는 노광 방법에 있어서,상기 광로 상에 제공된 상기 액체를 샘플링하고, 샘플링된 상기 액체 및 상기 광로 상에 제공되는 상기 액체와 동일한 액체를 혼합하여 희석하고, 희석된 상기 액체의 상태를 측정하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 제27항에 있어서,상기 방법은,광로 상에 제공되기 전의 상기 액체의 초기 측정값을 저장하고,저장된 상기 초기 측정값을 상기 제1 측정부에 의하여 측정된 상기 측정값과 비교한 이후에,상기 제1 측정부에 의하여 측정된 상기 측정값이 상기 초기 측정값으로부터 기설정된 범위를 벗어나면 노광 공정을 중단하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 기판과 레티클을 투과한 광을 상기 기판을 향하여 조사하는 투영광학계 사이의 광로 상에 액체를 제공하여 상기 광이 상기 액체를 통과하여 상기 기판으로 조사되도록 하는 노광 방법에 있어서,광로 상에 제공된 상기 액체를 샘플링하고, 샘플링된 상기 액체의 상태를 제1 측정부를 이용하여 측정하고,샘플링된 상기 액체의 일부를 광로 상에 제공되기 전의 상기 액체와 혼합하여 희석하고, 희석된 상기 액체의 상태를 제2 측정부에 의하여 측정하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 제29항에 있어서,상기 방법은,광로 상에 제공되기 전의 상기 액체의 초기 측정값들을 저장하고,저장된 상기 초기 측정값들을 각각 상응하는 상기 제1 측정부에 의하여 측정된 상기 측정값 및 상기 제2 측정부에 의하여 측정된 상기 측정값과 비교한 이후에,측정된 상기 측정값들 중 어느 하나가 상기 초기 측정값으로부터 기설정된 범위를 벗어나면 노광 공정을 중단하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060126452A KR100830586B1 (ko) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | 기판을 노광하는 장치 및 방법 |
US11/999,526 US20080137046A1 (en) | 2006-12-12 | 2007-12-06 | Apparatus and method for exposing substrate |
JP2007320703A JP2008147677A (ja) | 2006-12-12 | 2007-12-12 | 露光装置および露光方法 |
TW096147412A TW200834256A (en) | 2006-12-12 | 2007-12-12 | Apparatus and method for exposing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060126452A KR100830586B1 (ko) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | 기판을 노광하는 장치 및 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100830586B1 true KR100830586B1 (ko) | 2008-05-21 |
Family
ID=39497569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060126452A KR100830586B1 (ko) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | 기판을 노광하는 장치 및 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080137046A1 (ko) |
JP (1) | JP2008147677A (ko) |
KR (1) | KR100830586B1 (ko) |
TW (1) | TW200834256A (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1036766A1 (nl) * | 2008-04-25 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus. |
TW201015230A (en) | 2008-10-03 | 2010-04-16 | Univ Nat Chiao Tung | Immersion inclined lithography apparatus and tank thereof |
CN112650031B (zh) * | 2020-12-25 | 2024-07-23 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 浸液供给装置、光刻系统和浸液品质监测方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005122218A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006013806A1 (ja) | 2004-08-03 | 2006-02-09 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2006041086A1 (ja) | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU5447499A (en) * | 1998-09-03 | 2000-03-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device and method for producing the same |
ATE348326T1 (de) * | 2002-10-11 | 2007-01-15 | Soitec Silicon On Insulator | Verfahren zur bestimmung einer partikelkonzentration in der atmosphäre eines reinraums oder einer mini-umgebung |
JP4548341B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2010-09-22 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法 |
KR20060044914A (ko) * | 2004-06-11 | 2006-05-16 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 박막도포장치 및 박막도포방법 그리고 액침노광장치 및액침노광방법 |
JP4194541B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2008-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び液状態検出装置 |
DE102004050642B4 (de) * | 2004-10-18 | 2007-04-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Überwachung von Parametern eines Belichtungsgerätes für die Immersionslithographie und Belichtungsgerät für die Immersionslithographie |
US7065427B1 (en) * | 2004-11-01 | 2006-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Optical monitoring and control of two layers of liquid immersion media |
WO2006053751A2 (de) * | 2004-11-18 | 2006-05-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage |
JP4752473B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US7602471B2 (en) * | 2006-05-17 | 2009-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for particle monitoring in immersion lithography |
-
2006
- 2006-12-12 KR KR1020060126452A patent/KR100830586B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-12-06 US US11/999,526 patent/US20080137046A1/en not_active Abandoned
- 2007-12-12 TW TW096147412A patent/TW200834256A/zh unknown
- 2007-12-12 JP JP2007320703A patent/JP2008147677A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005122218A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006013806A1 (ja) | 2004-08-03 | 2006-02-09 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2006041086A1 (ja) | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080137046A1 (en) | 2008-06-12 |
TW200834256A (en) | 2008-08-16 |
JP2008147677A (ja) | 2008-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5064340B2 (ja) | 液浸リソグラフィに関する方法および液浸リソグラフィ装置 | |
JP5090398B2 (ja) | リソグラフィ装置の液浸流体又はリソグラフィ装置からの液浸流体中の粒子を検出する方法及びリソグラフィ装置 | |
JP2007122025A (ja) | 基板、基板露光方法、および機械読取可能媒体 | |
US20060001851A1 (en) | Immersion photolithography system | |
KR100830586B1 (ko) | 기판을 노광하는 장치 및 방법 | |
JP5199184B2 (ja) | リソグラフィ装置、メトロロジー装置、熱測定システム、及び熱測定方法 | |
TW200944949A (en) | Method and system for determining a suppression factor of a suppression system and a lithographic apparatus | |
KR101363420B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
CN110520800B (zh) | 对流体处理结构进行性能测试的方法 | |
KR102669931B1 (ko) | 디바이스 제조 방법 및 컴퓨터 프로그램 | |
CN117501175A (zh) | 照射源和相关联的方法设备 | |
US8129097B2 (en) | Immersion lithography | |
JP4922358B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
US7378025B2 (en) | Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2009016404A (ja) | 液体回収装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
Mulkens et al. | ArF immersion lithography using TWINSCAN technology | |
TWI842595B (zh) | 照明源及相關的方法裝置 | |
KR100868624B1 (ko) | 파티클 검출 장치 | |
Gardiner et al. | Determination of residual casting solvent concentration gradients in resist films by a “halt development” technique | |
NL2024938A (en) | Device manufacturing method and computer program | |
TW202414074A (zh) | 用於對準度量衡裝置之照明偵測系統之方法及相關聯度量衡裝置 | |
Sundberg et al. | A method to characterize pattern density effects: chemical flare and develop loading | |
TW202431024A (zh) | 用於操作度量衡裝置之偵測系統的方法及相關度量衡裝置 | |
KR20240091530A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
WO2024078802A1 (en) | Substrate support qualification |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20061212 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20071218 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20080424 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20080513 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20080514 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110429 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120430 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130430 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130430 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140430 Year of fee payment: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140430 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20160409 |