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KR100822462B1 - Ashing Device for Semiconductor Substrate - Google Patents

Ashing Device for Semiconductor Substrate Download PDF

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Publication number
KR100822462B1
KR100822462B1 KR1020070134451A KR20070134451A KR100822462B1 KR 100822462 B1 KR100822462 B1 KR 100822462B1 KR 1020070134451 A KR1020070134451 A KR 1020070134451A KR 20070134451 A KR20070134451 A KR 20070134451A KR 100822462 B1 KR100822462 B1 KR 100822462B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
door
gate
opening
main chamber
substrate
Prior art date
Application number
KR1020070134451A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박정재
가선호
Original Assignee
아셈테크 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아셈테크 주식회사 filed Critical 아셈테크 주식회사
Priority to KR1020070134451A priority Critical patent/KR100822462B1/en
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Publication of KR100822462B1 publication Critical patent/KR100822462B1/en

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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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Abstract

플라즈마 처리에 의해 에싱공정이 수행되는 동안 균일한 플라즈마 밀도를 제공하여 균일한 기판의 처리가 가능하도록 그 구조가 개량된 반도체 기판의 에싱장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ashing apparatus for a semiconductor substrate in which the structure thereof is improved to provide a uniform plasma density during the ashing process by the plasma treatment to enable uniform substrate processing.

이 에싱장치의 도어(250)는 게이트(211a)의 폐쇄시 게이트(211a)에 진입되어 그 단부가 메인챔버(211)의 내벽면과 동일평면상에 놓여지게 되며, 도어 개폐수단은 메인챔버(211)의 외측에서 도어(250)를 승강시키는 제1실린더(241)와, 제1실린더(241) 및 도어(250)가 탑재되며 도어(250)가 게이트(211a)에 진입 또는 이탈되는 개폐방향으로 수평이동가능하게 마련되는 이동블럭(244)과, 이동블럭(244)이 슬라이딩 이동가능하게 결합되어 안내되는 가이드레일(243)과, 이동블럭(244)을 가이드레일(243)을 따라 왕복이동시키는 제2실린더(242)를 구비한다.The door 250 of the ashing device enters the gate 211a when the gate 211a is closed, and its end is placed on the same plane as the inner wall surface of the main chamber 211, and the door opening and closing means is opened in the main chamber ( The first cylinder 241 for elevating the door 250 from the outside of the 211, the first cylinder 241 and the door 250 is mounted, the opening and closing direction in which the door 250 enters or leaves the gate 211a A movable block 244 provided to be movable horizontally, the guide rail 243 guided by the movable block 244 to be slidably movable, and the movable block 244 reciprocating along the guide rail 243. A second cylinder 242 is provided.

이와 같은 에싱장치는 도어가 게이트 내부로 진입되어 도어의 단부가 메인챔버의 내벽면과 동일평면상에 놓이는 폐쇄위치를 가능하게 함으로써, 공정챔버 내부의 공간적 균일성을 확보하여 플라즈마가스에 의한 기판의 균일한 처리를 가능하게 한다.Such an ashing device enables a closed position in which the door enters the gate and the end of the door is placed on the same plane as the inner wall of the main chamber, thereby ensuring spatial uniformity in the process chamber, and Enable uniform processing.

Description

반도체 기판의 에싱장치{An ashing apparatus for a semiconductor base}An ashing apparatus for a semiconductor base

본 발명은 전기적 특성을 갖도록 포토레지스트로 패터닝을 한 후 이온 주입이 완료된 기판의 포토레지스트를 제거시키는 반도체 기판의 에칭장치에 관한 것으로써, 특히 플라즈마 처리에 의해 에싱공정이 수행되는 동안 균일한 플라즈마 밀도를 제공하여 균일한 기판의 처리가 가능하도록 그 구조가 개량된 반도체 기판의 에싱장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching apparatus for a semiconductor substrate that removes the photoresist of the substrate after ion implantation after patterning with photoresist to have electrical properties, and particularly, uniform plasma density during the ashing process by plasma treatment. The present invention relates to an ashing apparatus for a semiconductor substrate, the structure of which is improved to provide a uniform substrate.

반도체 장치는 고속의 처리속도와 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구되며, 이에따라 반도체 장치의 제조기술은 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 발전되고 있다.The semiconductor device is required to have a high processing speed and a large storage capacity, and accordingly, the manufacturing technology of the semiconductor device is being developed to improve the degree of integration, reliability, and response speed.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판에 대하여 증착, 사진, 식각, 이온주입, 연마, 세척등의 단위공정들을 반복적으로 수행할 수 있도록 한다.In general, a semiconductor device may repeatedly perform unit processes such as deposition, photography, etching, ion implantation, polishing, and cleaning of a semiconductor substrate.

이러한 단위공정들 중 식각 및 이온주입공정은 반도체 기판상에 형성된 피가공막을 선택적으로 식각하기 위한 마스크(mask)와 반도체 기판 상에 선택적으로 이온을 주입하기 위한 마스크가 필요하고, 마스크는 반도체 기판 상에 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 공정과 상기 포토레지스트막을 특 정패턴으로 형성하기 위한 노광 및 현상 공정을 통해 반도체 기판 상에 형성된다.Among these unit processes, etching and ion implantation processes require a mask for selectively etching a processed film formed on a semiconductor substrate and a mask for selectively implanting ions on the semiconductor substrate, and the mask is formed on the semiconductor substrate. It is formed on a semiconductor substrate through a process of forming a photoresist film by applying a photoresist composition to the photoresist and an exposure and development process for forming the photoresist film in a specific pattern.

식각 및 이온 주입공정이 종료된 후에는 마스크로 사용된 포토레지스트막을 제거하는 에싱(ashing)공정이 수행되어 진다. 이 에싱공정은 반도체 기판 상에 형성되는 다층막들의 가공과 더불어 수차례 반복되어 수행된다.After the etching and ion implantation processes are completed, an ashing process of removing the photoresist film used as a mask is performed. This ashing process is repeated several times with the processing of the multilayer films formed on the semiconductor substrate.

이러한 에싱장치를 나타낸 도 1을 참조하면, 이는 공정챔버(10)의 일측에 반도체 기판(1)이 출입되며 도어(5)에 의해서 개폐되는 게이트(2)가 형성되어 있고, 공정챔버(10)의 내부에는 히터를 내장하며 반도체 기판(1)을 안착시키는 테이블(3)이 마련되어 있으며, 테이블(3) 상부에는 플라즈마가 기판(3)에 균일하게 분포될 수 있도록 하는 분배플레이트(4)가 마련되어 있다.Referring to FIG. 1 illustrating such an ashing apparatus, a gate 2 into which a semiconductor substrate 1 enters and exits and is opened and closed by a door 5 is formed at one side of a process chamber 10, and a process chamber 10 is formed. A table 3 having a heater therein and a semiconductor substrate 1 seated therein is provided, and a distribution plate 4 is provided on the table 3 so that plasma can be uniformly distributed on the substrate 3. have.

이와 같은 에싱장치는 반도체 기판(1)이 게이트(2)를 통하여 진입되어 테이블(3)에 안착된 후 도어(5)가 폐쇄되며, 내장된 히터에 의해 가열된 테이블(3)이 기판(1)을 가열하고 공정챔버의 내부는 진공상태로 형성된다.In such an ashing apparatus, after the semiconductor substrate 1 enters through the gate 2 and is seated on the table 3, the door 5 is closed, and the table 3 heated by the built-in heater is connected to the substrate 1. ) Is heated and the inside of the process chamber is formed in a vacuum state.

이어서 플라즈마 상태의 산소 레디칼이 공정챔버(10)로 공급되고 분배플레이트(4)를 통하여 기판(1)에 고루 토출되어서, 포토레지스트의 막이 제거되게 된다.Subsequently, oxygen radicals in a plasma state are supplied to the process chamber 10 and evenly discharged to the substrate 1 through the distribution plate 4 so that the film of the photoresist is removed.

그러나 이와 같은 에칭장치는 공정챔버(10) 내부의 공간적 비대칭이 형성되어서 즉, 게이트(2) 존재에 따른 출입로의 형성으로 공정챔버(10)의 벽 두께만큼의 공간적 비대칭이 발생되고, 이에따라 플라즈마 처리 등을 수행하는 경우에 기판(1)의 가장자리('a' 부분과 'b'부분)에서 플라즈마 밀도차이가 발생되어 기판 처리의 균일도가 떨어지게 된다.However, in such an etching apparatus, the spatial asymmetry inside the process chamber 10 is formed, that is, the spatial asymmetry as much as the wall thickness of the process chamber 10 is generated by the formation of the entrance and exit path according to the presence of the gate 2, and thus the plasma treatment. Etc., the plasma density difference is generated at the edges ('a' portion and 'b' portion) of the substrate 1, thereby decreasing the uniformity of the substrate processing.

이를 위해서 한국특허등록 제0750828호에 개시된 기판 에싱장치에서는 도 2 에서와 같이, 공정챔버의 내측면에 게이트(112)와 동일한 형상의 더미게이트슬롯(118)을 형성하여서, 공정챔버 내부에서의 공간적 불균형을 최소화하여 균일한 플라즈마 밀도를 형성함으로써 기판을 처리하도록 한 기술이 개시되어 있다.To this end, in the substrate ashing apparatus disclosed in Korean Patent Registration No. 0750828, a dummy gate slot 118 having the same shape as the gate 112 is formed on the inner side of the process chamber, as shown in FIG. Techniques for treating substrates by minimizing imbalance to form a uniform plasma density are disclosed.

그러나 이러한 장치는 공정챔버 내부 둘레를 따라 게이트와 동일한 두께로 더미게이트슬롯(118)을 형성하여야 하므로 가공공정이 번거롭고, 공정챔버가 전체적으로 부피가 커지는 문제점을 갖게 된다.However, since such a device has to form the dummy gate slot 118 with the same thickness as the gate along the inner circumference of the process chamber, the process is cumbersome, and the process chamber is bulky.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로써, 상기 선행특허에서와 같이 더미게이트슬롯을 형성하지 아니하고도 공정챔버 내부의 공간적 불균일을 간단한 구조로 해결할 수 있도록 한 반도체 기판의 에싱장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and the ashing apparatus of the semiconductor substrate to solve the spatial nonuniformity inside the process chamber with a simple structure without forming a dummy gate slot as in the prior patent The purpose is to provide.

상기 목적을 달성하는 본 발명은 측면부에 기판이 출입되는 게이트가 형성되고 내부공간에 진입된 기판을 안착시키는 테이블이 마련된 메인챔버와, 상기 메인챔버의 상면에 개폐가능하게 결합되어 공정챔버를 구성하며 플라즈마가스를 기판에 균일하게 분배시키는 분배플레이트가 결합되는 개폐덮개와, 상기 개폐덮개에 결합되어 상기 공정챔버 내부로 플라즈마가스를 공급시키는 가스공급조와, 상기 게이트를 개폐하는 도어와, 상기 도어를 개폐시키는 개폐수단을 구비하는 반도체 기판의 에싱장치에 있어서,The present invention to achieve the above object is formed with a main chamber is provided with a gate for entering and exiting the substrate in the side portion is provided with a table for seating the substrate entered into the inner space, and is coupled to the upper surface of the main chamber so as to constitute a process chamber An opening and closing cover to which a distribution plate for uniformly distributing plasma gas is coupled to the substrate, a gas supply tank coupled to the opening and closing cover to supply plasma gas into the process chamber, a door to open and close the gate, and to open and close the door. In an ashing apparatus for a semiconductor substrate having an opening and closing means for

상기 도어는 상기 게이트의 폐쇄시 게이트에 진입되어 그 단부가 메인챔버의 내벽면과 동일평면상에 놓여지게 되며,The door enters the gate when the gate is closed and its end is placed on the same plane as the inner wall of the main chamber.

상기 개폐수단은 상기 메인챔버의 외측에서 상기 도어를 승강시키는 제1실린더와, 상기 제1실린더 및 상기 도어가 탑재되며 상기 도어가 상기 게이트에 진입 또는 이탈되는 개폐방향으로 수평이동가능하게 마련되는 이동블럭과, 상기 이동블럭이 슬라이딩 이동가능하게 결합되어 안내되는 가이드레일과, 상기 가이드레일을 따라 상기 이동블럭을 왕복이동시키는 제2실린더를 구비하여 된 것을 특징으로 한다.The opening and closing means includes a first cylinder for elevating the door from the outside of the main chamber, the first cylinder and the door are mounted, and the movement is provided to move horizontally in the opening and closing direction in which the door enters or leaves the gate. And a block, a guide rail to which the movable block is slidably coupled, and a second cylinder reciprocating the movable block along the guide rail.

또한, 본 발명 에싱장치는 상기 메인챔버의 외측벽면에 상기 도어의 하강시 도어가 안내되는 안내홈이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the ashing device of the present invention is characterized in that the guide groove which is guided when the door is lowered on the outer wall surface of the main chamber is formed.

또한, 본 발명 에싱장치는 상기 개폐덮개의 상면 가장자리를 따라서 물센서가 부착된 것을 특징으로 한다.In addition, the ashing device of the present invention is characterized in that the water sensor is attached along the upper edge of the opening and closing cover.

본 발명 에싱장치는 도어가 게이트 내부로 진입되어 도어의 단부가 메인챔버의 내벽면과 동일평면상에 놓이는 폐쇄위치를 가능하게 함으로써, 공정챔버 내부의 공간적 균일성을 확보하여 플라즈마가스에 의한 기판의 균일한 처리를 가능하게 한다.The ashing apparatus of the present invention enables a closed position in which the door enters the gate and the end of the door lies on the same plane as the inner wall of the main chamber, thereby ensuring spatial uniformity in the process chamber, thereby providing a substrate with plasma gas. Enable uniform processing.

또한, 메인챔버의 외벽면에 도어가 안내되는 안내홈을 형성하여, 도어의 이탈거리를 단축시킴으로써 공정처리시간을 단축시킬 수 있게 한다.In addition, by forming a guide groove for guiding the door on the outer wall surface of the main chamber, it is possible to shorten the process processing time by shortening the departure distance of the door.

본 발명 실시예의 에싱장치는 공정챔버 내부의 공간적 균일성을 확보하여 플라즈마가스에 의한 기판의 균일한 처리를 가능하게 하고, 도어의 개폐속도를 향상시켜서 공정처리시간을 단축시킬 수 있도록 한다.The ashing apparatus of the embodiment of the present invention ensures spatial uniformity in the process chamber to enable uniform processing of the substrate by plasma gas, and improves the opening and closing speed of the door to shorten the process processing time.

본 발명 실시예의 에싱장치를 나타낸 도 3 내지 도 5를 참조하면, 이 에싱장치의 공정챔버(210)는 측면부에 기판(201)이 출입되는 게이트(211a)가 형성되고 내부공간에 진입된 기판(201)을 안착시키는 테이블(203)이 마련된 메인챔버(211)와, 상기 메인챔버(211)의 상면에 개폐가능하게 결합되며 플라즈마가스를 기판(201)에 균일하게 분배시키는 분배플레이트(202)가 결합되는 개폐덮개(212)로 구성된다.3 to 5 showing the ashing apparatus according to the embodiment of the present invention, the process chamber 210 of the ashing apparatus has a substrate (201a) is formed in the side surface of the substrate 201 enters and exits the substrate ( The main chamber 211 is provided with a table 203 for seating the 201, and the distribution plate 202 is coupled to the upper surface of the main chamber 211 so as to be open and close uniformly distribute the plasma gas to the substrate 201 Composed of the opening and closing cover 212 is coupled.

상기 개폐덮개(212)는 잠금구(270)와 걸림편(280)에 의해서 록킹 및 록킹해제될 수 있다.The opening and closing cover 212 may be locked and unlocked by the lock 270 and the locking piece 280.

상기 개폐덮개(212)의 상면에는 상기 공정챔버(210) 내부로 플라즈마가스를 공급시키는 가스공급조(230)가 결합되어 있고, 상기 게이트(211a)를 개폐하는 도어(250)가 개폐수단에 의해서 개폐가능하게 마련되어 있다.The upper surface of the opening and closing cover 212 is coupled to the gas supply tank 230 for supplying the plasma gas into the process chamber 210, the door 250 for opening and closing the gate 211a by the opening and closing means It is provided so that opening and closing is possible.

상기 도어(250)는 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 게이트(211a)의 폐쇄시 게이트(211a)에 진입되어 그 단부가 메인챔버(211)의 내벽면과 동일평면상에 놓여지게 된다. As shown in FIG. 4, the door 250 enters the gate 211a when the gate 211a is closed, and its end is placed on the same plane as the inner wall surface of the main chamber 211.

이에따라서 도 1의 "a" 및 "b"에서와 같이 게이트 형성에 따른 공정챔버 내부의 공간적 불균형을 해소할 수 있게 된다.Accordingly, as shown in "a" and "b" of Figure 1 it is possible to resolve the spatial imbalance in the process chamber according to the gate formation.

상기 개폐수단은 상기 메인챔버(211)의 외측에서 상기 도어(250)를 승강시키는 제1실린더(241)와, 상기 제1실린더(241) 및 상기 도어(250)가 탑재되며 상기 도어(250)가 상기 게이트(211a)에 진입 또는 이탈되는 개폐방향으로 수평이동가능하게 마련되는 이동블럭(244)과, 상기 이동블럭(244)이 슬라이딩 이동가능하게 결합되어 안내되는 가이드레일(243)과, 상기 가이드레일(243)을 따라 이동블럭(244)을왕복이동시키는 제2실린더(242)를 구비한다.The opening and closing means includes a first cylinder 241 for elevating the door 250 from the outside of the main chamber 211, the first cylinder 241 and the door 250, and the door 250. A movable block 244 provided horizontally movable in an opening and closing direction in which the gate enters or exits the gate 211a, a guide rail 243 guided by the movable block 244 to be slidably movable, and A second cylinder 242 for reciprocating the moving block 244 along the guide rail 243 is provided.

또한, 상기 메인챔버(211)의 외측벽면에는 상기 도어(250)의 하강시 도어가 안내되는 안내홈(211b)이 형성되어 있다.In addition, a guide groove 211b is formed on the outer wall of the main chamber 211 to guide the door when the door 250 descends.

또한, 상기 개폐덮개(212)의 상면 가장자리를 따라서는 물센서(260)가 부착되어서, 가스공급조(230) 또는 개폐덮개(212)의 상면에 발생된 물이 개폐덮개(212)와 메인챔버(211)의 틈새사이를 통하여 공정챔버(210) 내부로 유입되어서 공정수율이 저하되는 것을 미연에 방지한다. 즉, 물기발생시 물센서(260)의 작동으로 공정가동을 즉시 중단토록 한다.In addition, the water sensor 260 is attached along the upper edge of the opening and closing cover 212, the water generated in the gas supply tank 230 or the upper surface of the opening and closing cover 212 is the opening and closing cover 212 and the main chamber Through the gap of 211 is introduced into the process chamber 210 to prevent the process yield is lowered in advance. That is, when water is generated, the operation of the water sensor 260 is immediately stopped.

참조번호 240은 가이드레일(243) 및 제2실린더(242)들이 지지되는 지지대로서, 지지프레임(220)에 수평으로 고정설치된다.Reference numeral 240 is a support on which the guide rails 243 and the second cylinders 242 are supported, and is fixed to the support frame 220 horizontally.

이와 같은 에싱장치는 반도체 기판(201)이 게이트(211a)를 통하여 진입되어 테이블(203)에 안착된 후 도어(250)가 폐쇄되며, 내장된 히터에 의해 가열된 테이블(203)이 기판(201)을 가열하고 공정챔버(210)의 내부는 진공상태로 형성된다.In such an ashing apparatus, the door 250 is closed after the semiconductor substrate 201 enters through the gate 211a and is seated on the table 203, and the table 203 heated by the built-in heater is the substrate 201. ) Is heated and the inside of the process chamber 210 is formed in a vacuum state.

이어서 플라즈마 상태의 산소 레디칼이 공정챔버(210)로 공급되고 분배플레이트(202)를 통하여 기판(201)에 고루 토출되어서, 포토레지스트의 막이 제거되게 된다.Subsequently, the oxygen radical in the plasma state is supplied to the process chamber 210 and evenly discharged to the substrate 201 through the distribution plate 202, so that the film of the photoresist is removed.

이때 도어(250)의 단부가 메인챔버(211)의 내벽면과 동일평면상에 위치되도록 함으로써, 공정챔버(210)내부의 공간적 균일성을 확보함으로써 균일한 기판(201)의처리를 가능하게 한다.At this time, the end of the door 250 is located on the same plane as the inner wall surface of the main chamber 211, thereby ensuring the spatial uniformity inside the process chamber 210 to enable the uniform processing of the substrate 201. .

한편, 상기와 같은 구성의 에싱장치의 도어 개폐동작은 다음과 같다.On the other hand, the door opening and closing operation of the ashing device of the above configuration is as follows.

도 4에 도시된 바와 같이, 도어(250)가 게이트(211a)에 진입되어 게이트(211a)를 폐쇄시킨 상태에서 도 5에 도시된 도어 이탈위치로의 작동은, 먼저 제2실린더(242)가 작동하여 이동블럭(244), 제1실린더(241) 및 도어(250)를 좌측방 향으로 수평이동시킨다. 이때 도어(250)의 단부가 상기 안내홈(211b)의 진입구간에 이를때까지 도어(250)를 수평이동시킨다.As shown in FIG. 4, when the door 250 enters the gate 211a and the gate 211a is closed, the operation of the door to the door release position illustrated in FIG. 5 is performed by the second cylinder 242. In operation, the moving block 244, the first cylinder 241 and the door 250 is horizontally moved to the left direction. At this time, the door 250 is horizontally moved until the end of the door 250 reaches the entrance section of the guide groove 211b.

이어서, 제1실린더(241)를 작동하여 도어(250)를 하강시킨다. 이때 도어(250)는 안내홈(211b)을 따라 안정적으로 하강이동하게 되며, 안내홈(211b)의 깊이만큼 게이트(211a)로부터 도어(250)의 이탈구간이 단축되게 되므로, 공정시간을 단축시킬 수 있게 된다.Subsequently, the first cylinder 241 is operated to lower the door 250. In this case, the door 250 is stably moved downward along the guide groove 211b, and the separation period of the door 250 is shortened from the gate 211a by the depth of the guide groove 211b, thereby shortening the process time. It becomes possible.

도 1 및 도 2는 종래 에싱장치를 나타낸 개략도,1 and 2 is a schematic view showing a conventional ashing apparatus,

도 3은 본 발명 에싱장치를 나타낸 사시도,Figure 3 is a perspective view of the ashing apparatus of the present invention,

도 4 및 도 5는 본 발명 에싱장치의 요부 동작도이다.4 and 5 are main operations of the ashing apparatus of the present invention.

Claims (2)

측면부에 기판이 출입되는 게이트가 형성되고 내부공간에 진입된 기판을 안착시키는 테이블이 마련된 메인챔버와, 상기 메인챔버의 상면에 개폐가능하게 결합되어 공정챔버를 구성하며 플라즈마가스를 기판에 균일하게 분배시키는 분배플레이트가 결합되는 개폐덮개와, 상기 개폐덮개에 결합되어 상기 공정챔버 내부로 플라즈마가스를 공급시키는 가스공급조와, 상기 게이트를 개폐하는 도어와, 상기 도어를 개폐시키는 개폐수단을 구비하는 반도체 기판의 에싱장치에 있어서,A main chamber having a gate through which a substrate enters and exits and a table for seating a substrate entered into an inner space is coupled to the upper surface of the main chamber so as to be openable and close, thereby forming a process chamber and uniformly distributing plasma gas to the substrate. A semiconductor substrate having an opening and closing cover to which a distribution plate is coupled, a gas supply tank coupled to the opening and closing cover to supply plasma gas into the process chamber, a door to open and close the gate, and an opening and closing means to open and close the door. In the ashing device of, 상기 도어(250)는 상기 게이트(211a)의 폐쇄시 게이트(211a)에 진입되어 그 단부가 메인챔버(211)의 내벽면과 동일평면상에 놓여지게 되며,The door 250 enters the gate 211a when the gate 211a is closed, and its end is placed on the same plane as the inner wall surface of the main chamber 211. 상기 개폐수단은 상기 메인챔버(211)의 외측에서 상기 도어(250)를 승강시키는 제1실린더(241)와, 상기 제1실린더(241) 및 상기 도어(250)가 탑재되며 상기 도어(250)가 상기 게이트(211a)에 진입 또는 이탈되는 개폐방향으로 수평이동가능하게 마련되는 이동블럭(244)과, 상기 이동블럭(244)이 슬라이딩 이동가능하게 결합되어 안내되는 가이드레일(243)과, 상기 이동블럭(244)을 가이드레일(243)을 따라 왕복이동시키는 제2실린더(242)를 구비하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 에싱장치.The opening and closing means includes a first cylinder 241 for elevating the door 250 from the outside of the main chamber 211, the first cylinder 241 and the door 250, and the door 250. A movable block 244 provided horizontally movable in an opening and closing direction in which the gate enters or exits the gate 211a, a guide rail 243 guided by the movable block 244 to be slidably movable, and And a second cylinder (242) for reciprocating the moving block (244) along the guide rail (243). 제 1 항에 있어서, 상기 메인챔버(211)의 외측벽면에 상기 도어(250)의 하강시 도어가 안내되는 안내홈(211b)이 형성되고, 상기 개폐덮개(212)의 상면 가장자 리를 따라서 물센서(260)가 부착된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 에싱장치.According to claim 1, Guide grooves (211b) for guiding the door when the lowering of the door 250 is formed on the outer wall surface of the main chamber 211, along the upper edge of the opening and closing cover 212 An ashing device for semiconductor substrates, characterized in that the water sensor 260 is attached.
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