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KR100812514B1 - Compact broadband integrated active module for radar and communication systems - Google Patents

Compact broadband integrated active module for radar and communication systems Download PDF

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KR100812514B1
KR100812514B1 KR1020067011014A KR20067011014A KR100812514B1 KR 100812514 B1 KR100812514 B1 KR 100812514B1 KR 1020067011014 A KR1020067011014 A KR 1020067011014A KR 20067011014 A KR20067011014 A KR 20067011014A KR 100812514 B1 KR100812514 B1 KR 100812514B1
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존 에스. 윌리암스
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레이던 컴퍼니
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Abstract

능동 안테나 어셈블리용 집적 모듈(14)이 개시된다. 집적 모듈은 수신 모드와 송신 모드 사이에서 절환가능하며, 능동 소자들 및 듀얼 입력 광대역 밸룬(34)을 포함한다. 능동 소자들은 증폭기들(26, 36) 및 마이크로 전자-기계 시스템(MEMS) 스위치들(22,24)을 포함한다. 집적 모듈은 안테나 어레이의 복사기 바로 뒤에 배치되도록 채용된다.An integrated module 14 for an active antenna assembly is disclosed. The integrated module is switchable between receive mode and transmit mode, and includes active elements and dual input wideband baluns 34. Active elements include amplifiers 26, 36 and micro electro-mechanical system (MEMS) switches 22, 24. The integrated module is employed to be placed directly behind the copier of the antenna array.

능동 안테나 어셈블리, 집적 모듈, MEMS 스위치, 증폭기, 복사기, 밸룬 Active Antenna Assemblies, Integrated Modules, MEMS Switches, Amplifiers, Copiers, Baluns

Description

레이더 및 통신 시스템용의 콤팩트한 광대역 집적 능동 모듈{COMPACT, WIDE-BAND, INTEGRATED ACTIVE MODULE FOR RADAR AND COMMUNICATION SYSTEMS}Compact Broadband Integrated Active Modules for Radar and Communication Systems {COMPACT, WIDE-BAND, INTEGRATED ACTIVE MODULE FOR RADAR AND COMMUNICATION SYSTEMS}

본 발명은 일반적으로 무선 주파수(radio frequency:RF) 시스템에서 사용하기 위한 집적 능동 모듈(integrated active module)에 관한 것으로서, 더 구체적으로는, 송신기 및/또는 수신기로부터 RF 에너지를 결합하도록 복사기(radiator)와 함께 배치된 광대역 밸룬(balun), 증폭기들, 및 MEMS(micro-electro-mechanical systems) 스위치들을 갖는 어셈블리를 포함할 수 있는 집적 능동 모듈에 관한 것이다.The present invention relates generally to an integrated active module for use in a radio frequency (RF) system, and more particularly to a radiator to combine RF energy from a transmitter and / or a receiver. An integrated active module, which may include an assembly having wideband baluns, amplifiers, and MEMS (micro-electro-mechanical systems) switches disposed together.

마이크로파 및/또는 밀리미터파 주파수에서 신호들(예컨대, RF 신호들)을 송신 및/또는 수신하기 위해 매우 다양한 안테나들이 사용된다. 주로, 이 안테나들은 복수의 복사기(radiator)로 형성된다. 각 복사기는 안테나에 의해 송신될 신호들을 생성하는 데 사용되는 송신기 및 안테나에 의해 수신되는 신호들을 처리하는 데 사용되는 수신기와 연관될 수 있다. 많은 송신/수신(TR) 모듈들에는 송신 경로용 증폭기 및 수신 경로용 증폭기가 제공된다.A wide variety of antennas are used to transmit and / or receive signals (eg, RF signals) at microwave and / or millimeter wave frequencies. Primarily, these antennas are formed of a plurality of radiators. Each copier may be associated with a transmitter used to generate signals to be transmitted by the antenna and a receiver used to process the signals received by the antenna. Many transmit / receive (TR) modules are provided with an amplifier for the transmit path and an amplifier for the receive path.

TR 모듈은 수신기 또는 송신기 중 어느 것이 복사기에 결합되는지를 선택하는 데 사용되는 스위치들을 포함할 수 있다. 과거에는, 스위치들이 PIN 다이오드, GaAs(gallium arsenide) FET(field effect transistors), 래칭 서큘레이터(latching circulator) 및 계전기(relay) 등의 전기기계 장치(electromechanical device)에 의해 구현되었다.The TR module may include switches used to select which of the receiver or transmitter is coupled to the copier. In the past, switches have been implemented by electromechanical devices such as PIN diodes, gallium arsenide (GaAs) field effect transistors (FETs), latching circulators, and relays.

시스템 성능을 저하시킬 수 있는 회로 손실은 RF 트랜시버 회로에 있어서의 고유한 문제점이다. 회로 손실에 기여하는 인자들은, 예컨대 도전체 손실, 유전체 재료 손실 등을 포함한다. 회로 손실을 보상하고 시스템 성능을 향상시키려는 종래의 시도에는 TR 모듈 증폭기에 의해 부가 신호 이득을 제공하는 것이 포함된다. 그러나, TR 모듈 증폭기에서의 부가 이득을 제공하는 것은 TR 모듈의 사이즈 및 전력 소비의 증대를 초래한다. 또한, 고 이득 증폭기들이 채용될 경우에는 열 손실 문제가 발생할 수도 있다.Circuit losses that can degrade system performance are inherent problems in RF transceiver circuits. Factors contributing to circuit loss include, for example, conductor loss, dielectric material loss, and the like. Conventional attempts to compensate for circuit losses and to improve system performance include providing additional signal gain by the TR module amplifiers. However, providing additional gain in the TR module amplifier results in an increase in the size and power consumption of the TR module. In addition, heat loss problems may arise when high gain amplifiers are employed.

또한, 손실은 TR 모듈과 복사기를 결합하는 도전체의 길이 증가와 더불어 증대되기 때문에, 복사기에 대한 TR 모듈의 위치가 문제될 수 있다. TR 모듈 소자들의 사이즈는 TR 모듈의 배치(placement)에 영향을 준다. 즉, TR 모듈의 사이즈가 커질수록, TR 모듈은 다중 복사기 안테나에 각 TR 모듈을 수용시키기 위해 복사기로부터 더 멀리 배치될 수 있다.Also, since the loss increases with increasing length of the conductor coupling the TR module and the copier, the position of the TR module relative to the copier may be a problem. The size of the TR module elements affects the placement of the TR module. In other words, as the size of the TR module increases, the TR module can be placed further from the copier to accommodate each TR module in the multiple copier antenna.

따라서, 당해 기술 분야에서는 RF 어플리케이션용의 콤팩트 사이즈(compact size)를 갖는 고성능 집적 복사기/TR 모듈에 대한 요구가 존재한다.Accordingly, there is a need in the art for a high performance integrated copier / TR module having a compact size for RF applications.

본 발명의 일 양태에 따르면, 본 발명은 능동 안테나 복사기 어셈블리용 집적 모듈 - 상기 집적 모듈은 수신 모드와 송신 모드 사이에서 절환가능함 - 에 관한 것이다. 집적 모듈은 복사기에 의해 송신될 신호들을 증폭하는 제1 증폭기, 복사기에 의해 수신되는 신호들을 증폭하는 제2 증폭기, 듀얼 입력 광대역 밸룬(dual input wideband balun), 밸룬 및 제1 증폭기의 출력에 결합되는 송신 라인, 밸룬 및 제2 증폭기의 입력에 결합되는 수신 라인, 집적 모듈이 송신 모드에 놓여 있을 때 수신 라인을 접지 상태로 분로(shunt)시키는 제1 MEMS 스위치, 및 집적 모듈이 수신 모드에 놓여 있을 때 송신 라인을 접지 상태로 분로시키는 제2 MEMS 스위치를 포함한다.According to one aspect of the invention, the invention relates to an integrated module for an active antenna copier assembly, said integrated module being switchable between a receive mode and a transmit mode. The integrated module is coupled to the output of a first amplifier amplifying the signals to be transmitted by the copier, a second amplifier amplifying the signals received by the copier, a dual input wideband balun, a balun and a first amplifier. A receive line coupled to the input of the transmit line, the balun and the second amplifier, a first MEMS switch that shunts the receive line to ground when the integrated module is in transmit mode, and the integrated module may be in receive mode And a second MEMS switch to shunt the transmission line to ground.

본 발명의 다른 양태에 따르면, 본 발명은 능동 안테나 복사기 어셈블리에 관한 것이다. 어셈블리는 복사기 뒤에 배치되고 수신 모드와 송신 모드 사이에서 절환가능한 집적 모듈 및 복사기를 포함할 수 있다. 집적 모듈은 복사기에 의해 송신될 신호들을 증폭하기 위한 고출력 증폭기(high power amplifier:HPA); 복사기에 의해 수신되는 신호들을 증폭하기 위한 저잡음 증폭기(low noise amplifier:LNA); 적어도 제1 아암(arm) 및 제2 아암 - 상기 아암들 각각은 복사기에 대하여 180도 위상(phase)이 다른 한쌍의 프로브를 통해 복사기에 결합됨 - 을 갖는 광대역 밸룬; 밸룬 및 LNA의 입력에 결합되는 수신 라인; 밸룬 및 HPA의 출력에 결합되는 송신 라인; 집적 모듈이 송신 모드에 놓여 있을 때 수신 라인을 접지 상태로 선택적으로 결합하는 수신 MEMS 스위치; 및 집적 모듈이 수신 모드에 놓여 있을 때 송신 라인을 접지 상태로 선택적으로 결합하는 송신 MEMS 스위치를 포함할 수 있다.According to another aspect of the invention, the invention relates to an active antenna copier assembly. The assembly may include an integrated module and a copier disposed behind the copier and switchable between a receive mode and a transmit mode. The integrated module includes a high power amplifier (HPA) for amplifying the signals to be transmitted by the copier; A low noise amplifier (LNA) for amplifying the signals received by the copier; A wideband balun having at least a first arm and a second arm each of which is coupled to the copier via a pair of probes that are 180 degrees out of phase with respect to the copier; A receive line coupled to the input of the balun and the LNA; A transmission line coupled to the output of the balun and the HPA; A receive MEMS switch for selectively coupling the receive line to ground when the integrated module is in a transmit mode; And a transmit MEMS switch for selectively coupling the transmit line to ground when the integrated module is in a receive mode.

이하의 설명 및 도면을 참조하면, 본 발명의 상기 특징들 및 다른 특징들은 명백해질 것이다.Referring to the following description and drawings, these and other features of the present invention will become apparent.

도 1은 본 발명에 따른 안테나 복사기 및 집적 모듈을 포함하는 안테나 복사기 어셈블리의 분해 조립도.1 is an exploded assembly view of an antenna copier assembly including an antenna copier and an integrated module according to the present invention.

도 2는 집적 모듈의 제1 실시예를 나타내는 개략도.2 is a schematic diagram illustrating a first embodiment of an integrated module;

도 3은 도 2의 집적 모듈의 일부로서 사용하기에 적합한 예시적인 MEMS 스위칭부의 블록도.3 is a block diagram of an exemplary MEMS switching unit suitable for use as part of the integrated module of FIG.

도 4A는 도 2의 4-4 라인을 따라 취해진, 닫힌 상태에 있는 도 2의 집적 모듈에 사용되도록 구성된 MEMS 스위치의 단면도.4A is a cross-sectional view of a MEMS switch configured for use with the integrated module of FIG. 2 in a closed state, taken along line 4-4 of FIG.

도 4B는 도 2의 4-4 라인을 따라 취해진, 개방 상태에 있는 도 2의 집적 모듈에 사용되도록 구성된 MEMS 스위치의 단면도.4B is a cross-sectional view of a MEMS switch configured for use with the integrated module of FIG. 2 in an open state, taken along line 4-4 of FIG.

도 5는 본 발명에 따른 안테나 복사기 어셈블리들의 매트릭스를 포함하는 예시적인 안테나 어레이.5 is an exemplary antenna array comprising a matrix of antenna copier assemblies according to the present invention.

도 6은 집적 모듈의 제2 실시예를 나타내는 개략도.6 is a schematic diagram illustrating a second embodiment of an integrated module.

도 7은 도 6의 집적 모듈의 일부로서 사용하기에 적합한 예시적인 MEMS 스위칭부의 블록도.7 is a block diagram of an exemplary MEMS switching unit suitable for use as part of the integrated module of FIG. 6.

도 8A는 도 6의 8-8 라인을 따라 취해진, 닫힌 상태에 있는 도 6의 집적 모듈에 사용되도록 구성된 MEMS 스위치의 단면도.8A is a cross-sectional view of a MEMS switch configured for use with the integrated module of FIG. 6 in a closed state, taken along line 8-8 of FIG.

도 8B는 도 6의 8-8 라인을 따라 취해진, 개방 상태에 있는 도 6의 집적 모듈에 사용되도록 구성된 MEMS 스위치의 단면도.8B is a cross-sectional view of a MEMS switch configured for use with the integrated module of FIG. 6 in an open state, taken along line 8-8 of FIG.

이하, 상세한 설명에 있어서, 본 발명의 상이한 실시예들에 사용된 것인지 의 여부와는 무관하게, 유사한 구성들은 동일한 참조 부호들로 나타낸다. 본 발명을 명확하고 간결하게 설명하기 위하여, 도면들은 반드시 스케일링될 필요는 없으며, 소정의 특징들은 다소 개략적인 형태로 나타낼 수도 있다.In the following detailed description, whether or not used in different embodiments of the present invention, similar configurations are denoted by the same reference numerals. In order to explain the invention clearly and concisely, the drawings are not necessarily to scale, certain features may be presented in a somewhat schematic form.

본 발명의 일 특징은 능동 안테나 복사기 어셈블리용 집적 모듈을 나타낸다. 집적 모듈은 수신 모드와 송신 모드 사이에서 절환가능하며, 복사기에 의해 송신될 신호들을 증폭하는 제1 증폭기, 복사기에 의해 수신되는 신호들을 증폭하는 제2 증폭기, 듀얼 입력 광대역 밸룬, 제1 증폭기의 출력 신호들을 다이렉팅하는 송신 라인, 입력 신호들을 제2 증폭기의 입력으로 다이렉팅하는 수신 라인, 집적 모듈이 송신 모드에 놓여 있을 때 수신 마이크로스트립(microstrip) 라인을 접지 상태로 분로시키는 제1 MEMS 스위치 및 집적 모듈이 수신 모드에 놓여 있을 때 송신 스트립 라인을 접지 상태로 분로시키는 제2 MEMS 스위치를 포함한다.One feature of the invention is an integrated module for an active antenna copier assembly. The integrated module is switchable between a receive mode and a transmit mode, the first amplifier amplifying the signals to be transmitted by the copier, the second amplifier amplifying the signals received by the copier, the dual input wideband balun, the output of the first amplifier. A transmission line for directing signals, a reception line for directing input signals to an input of a second amplifier, a first MEMS switch for shunting the receiving microstrip line to ground when the integrated module is in transmission mode; And a second MEMS switch for shunting the transmission strip line to ground when the integrated module is in a receive mode.

본 발명의 다른 특징은 능동 안테나 복사기 어셈블리용 집적 모듈에 관한 것이다. 어셈블리는 복사기, 밸룬, 증폭기들, 및 복사기 뒤에 배치된 MEMS 스위치 모듈을 포함한다. 모듈은 수신 모드와 송신 모드 사이에서 절환가능하며, 복사기에 의해 송신될 신호들을 증폭하기 위한 HPA, 복사기에 의해 수신되는 신호들을 증폭하기 위한 LNA, 및 수신 경로 및 송신 경로를 갖는 광대역 밸룬을 포함한다. 복사기로부터 수신된 신호들은 위상이 180도 상이한 한 쌍의 프로브를 통해 밸룬에 결합된다. 밸룬은 신호들을, 에너지를 LNA의 입력으로 향하게 하는 수신 라인에 조합(combine)하고, 공진(resonate)시키고, 결합(couple)한다. 송신 라인은 HPA의 출력으로부터의 에너지를 그 에너지(송신될 신호의 형태)가 180도의 위상차를 갖는 2개의 신호들로 분리되는 밸룬에 결합시킨다. 180도의 위상차를 갖는 2개의 신호들은, 교대로, 프로브들을 통해 복사기에 공급된다. 수신 MEMS 스위치는 집적 모듈이 송신 모드에 놓여 있을 경우에 밸룬의 수신 경로 및 수신 라인을 선택적으로 접지에 결합시키며, 송신 MEMS 스위치는 집적 모듈이 수신 모드에 놓여 있을 경우에 밸룬의 송신 경로 및 송신 라인을 접지에 선택적으로 결합시킨다.Another aspect of the invention relates to an integrated module for an active antenna copier assembly. The assembly includes a copier, a balun, amplifiers, and a MEMS switch module disposed behind the copier. The module is switchable between a receive mode and a transmit mode and includes an HPA for amplifying the signals to be transmitted by the copier, an LNA for amplifying the signals received by the copier, and a broadband balun having a receive path and a transmit path. . The signals received from the copier are coupled to the balun through a pair of probes 180 degrees out of phase. The balun combines, resonates, and couples the signals to a receive line that directs energy to the input of the LNA. The transmission line combines the energy from the output of the HPA into a balun whose energy (in the form of a signal to be transmitted) is separated into two signals having a 180 degree phase difference. Two signals having a phase difference of 180 degrees are alternately supplied to the copier through the probes. The receive MEMS switch selectively couples the balun's receive path and receive line to ground when the integrated module is in transmit mode, and the transmit MEMS switch transmits the balun's transmit path and transmit line when the integrated module is in receive mode. Is selectively coupled to ground.

도 1을 참조하면, 집적 능동 안테나 복사기 어셈블리(10)의 분해 조립도가 도시되어 있다. 복사기 어셈블리(10)는 복사기(12) 및 집적 모듈(14)을 포함한다. 복수의 복사기 어셈블리들(10)은 스캐닝, 커뮤니케이션 등의 응용들에 사용될 어레이 안테나를 형성하도록 상호 결합되어 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 전술한 실시예에 있어서, 복사기(12)는 광대역(wideband), 광주사(widescan), 로우 프로파일(low profile), 멀티-층(multi-layer), 고유전체(high dielectric), 원형(circular)(또는 실린더형) 복사기이다. 일 실시예에 있어서, 복사기(12)는 X-대역 복사기일 수 있으며, 다른 실시예에 있어서, 복사기는 듀얼 주파수 복사기(예컨대, X-대역 및 C-대역)일 수 있다. 도 1에 도시된 복사기(12)는 입력 프로브(16a)가 다른 프로브(16b)로부터 180도의 위상차를 갖는 선형 분극을 갖는다. 본 발명은 전술한 복사기(12)에 한정되는 것은 아니며, 그외의 타입의 복사기들이, 예컨대 나선형(spiral) 복사기들, 비발디(vivaldi) 복사기들 등의 복사기 어셈블리(10)의 일부로서 사용될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 복사기(12)는 유전체 실린더상으로 인쇄된 원형 패치이다.1, an exploded view of an integrated active antenna copier assembly 10 is shown. Copier assembly 10 includes a copier 12 and an integrated module 14. It should be understood that the plurality of copier assemblies 10 may be used in conjunction with each other to form an array antenna for use in applications such as scanning, communication, and the like. In the embodiment described above, the copier 12 has a wideband, widescan, low profile, multi-layer, high dielectric, circular shape. (Or cylindrical) copiers. In one embodiment, copier 12 may be an X-band copier, and in other embodiments, the copier may be a dual frequency copier (eg, X-band and C-band). The copier 12 shown in FIG. 1 has a linear polarization in which the input probe 16a has a 180 degree phase difference from the other probe 16b. The invention is not limited to the copier 12 described above, and other types of copiers may be used as part of the copier assembly 10, such as spiral copiers, vivaldi copiers, and the like. In one embodiment, copier 12 is a circular patch printed onto a dielectric cylinder.

집적 모듈(14)은 복사기(12)의 바로 뒤에 위치한다. 이러한 구성은 복사기(12)에 대한 집적 모듈(14)의 근접성을 증대시킨다. 따라서, 집적 모듈(14)을 복사기(12)에 결합시키는 데 사용되는 도전체들의 길이는 최소로 유지될 수 있으며, 도전체 손실은 최소화될 수 있다. 또한, 집적 모듈(14)은 송신 및 수신 경로용 증폭기들을 포함한다. 또한, 집적 모듈(14)은 광대역, 듀얼 입력 밸룬을 포함한다. 전술한 실시예에 있어서, 복사기(12)는 한 쌍의 프로브(16)에 의해 집적 모듈(14)의 출력들에 결합된다. 레이돔(radome)(18) 및 유전층(20)은 종래와 마찬가지로 복사기(12)의 위에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 대역폭을 증가시키기 위한 기생 패치(parasitic patch)(도시하지 않음)는 복사기(12)와 유전층(20) 사이에 제공된다.The integrated module 14 is located directly behind the copier 12. This configuration increases the proximity of the integrated module 14 to the copier 12. Thus, the length of the conductors used to couple the integrated module 14 to the copier 12 can be kept to a minimum, and the conductor losses can be minimized. The integrated module 14 also includes amplifiers for the transmit and receive paths. The integrated module 14 also includes a wideband, dual input balun. In the above embodiment, the copier 12 is coupled to the outputs of the integrated module 14 by a pair of probes 16. The radome 18 and dielectric layer 20 may be disposed on top of the copier 12 as in the prior art. In one embodiment, a parasitic patch (not shown) for increasing the bandwidth is provided between the copier 12 and the dielectric layer 20.

도 2를 참조하면, 집적 모듈(14)의 제1 실시예가 도시되어 있다. 집적 모듈(14)을 복사기(12) 바로 뒤에 배치시키기 위해서는, 집적 모듈(14)의 사이즈가 문제된다. 이하 더욱 상세히 설명하는 바와 같이, 집적 모듈(14)은 MEMS 스위치들을 사용하여 콤팩트한 집적 모듈(14) 구성을 얻는다. 더 구체적으로, 집적 모듈(14)은 MEMS 스위치들 및 밸룬을 갖는 다른 능동 장치들(예컨대, 증폭기들)을 통합하여 콤팩트한 멀티-층 마이크로파 회로를 얻는다.2, a first embodiment of an integrated module 14 is shown. In order to place the integrated module 14 directly behind the copier 12, the size of the integrated module 14 is a problem. As will be explained in more detail below, the integrated module 14 uses MEMS switches to obtain a compact integrated module 14 configuration. More specifically, integrated module 14 incorporates MEMS switches and other active devices (eg, amplifiers) with baluns to obtain a compact multi-layer microwave circuit.

집적 모듈(14)은 송신기(도시하지 않음)를 복사기(12)에 결합시키는 것과 관련하여 사용되는 제1 MEMS 스위치를 포함한다. 본 명세서에서는 이 MEMS 스위치가 송신 MEMS 스위치(22)로서 언급될 것이다. 또한, 집적 모듈(14)은 수신기(도시하 지 않음)를 복사기(12)에 결합시키는 것과 관련하여 사용되는 제2 MEMS 스위치를 포함한다. 본 명세서에서는 이 MEMS 스위치가 수신 MEMS 스위치(24)로서 언급될 것이다.The integrated module 14 includes a first MEMS switch used in connection with coupling the transmitter (not shown) to the copier 12. This MEMS switch will be referred to herein as the transmit MEMS switch 22. The integrated module 14 also includes a second MEMS switch used in connection with coupling the receiver (not shown) to the copier 12. This MEMS switch will be referred to herein as the receiving MEMS switch 24.

집적 모듈(14)은, 신호들이 송신용 복사기(12)에 접속되기 전에 송신기에 의해 생성된 신호들을 수신하고 증폭하도록 결합되는 HPA(26)를 포함한다. HPA(26)와 송신기 간의 접속은, 예컨대 마이크로스트립 라인(28)에 의해 이루어질 수 있다. HPA(26)의 출력은 송신 마이크로스트립 라인(30)에 결합된다. 이하 후술하는 바와 같이, 송신 마이크로스트립 라인(30)은 송출(outgoing) 신호를 광대역 밸룬(34)에 결합시키는 데 사용되는 송신 경로의 부분으로 간주될 수 있다. 밸룬(34)은 제1 아암 쌍(32,33) 및 제2 아암 쌍(42,43)을 포함한다. 밸룬(34)의 아암(32)들은 프로브들(16) 중 하나에 접속되며, 밸룬(34)의 아암(42)은 프로브들(16) 중 다른 하나에 접속된다.The integration module 14 includes an HPA 26 that is coupled to receive and amplify the signals generated by the transmitter before the signals are connected to the transmitting copier 12. The connection between the HPA 26 and the transmitter may be made, for example, by the microstrip line 28. The output of the HPA 26 is coupled to the transmit microstrip line 30. As described below, the transmission microstrip line 30 may be considered part of the transmission path used to couple the outgoing signal to the broadband balun 34. The balun 34 includes a first arm pair 32, 33 and a second arm pair 42, 43. The arms 32 of the balun 34 are connected to one of the probes 16, and the arm 42 of the balun 34 is connected to the other of the probes 16.

또한, 집적 모듈(14)은 신호들이 부가 처리용 수신기에 접속되기 전에 복사기(12)에 의해 수신된 신호들을 수신하고 증폭하도록 결합되는 LNA(36)를 포함한다. LNA(36)와 수신기 간의 접속은, 예컨대 마이크로스트립 라인(38)에 의해 이루어질 수 있다. LNA(36)의 입력은 수신 마이크로스트립 라인(40)에 결합된다. 이하 후술하는 바와 같이, 수신 마이크로스트립 라인(40)은 밸룬(34)으로부터의 인입(incoming) 신호를 LNA(36)에 결합시키는 데 사용되는 수신 경로의 부분으로 간주될 수 있다. The integrated module 14 also includes an LNA 36 which is coupled to receive and amplify the signals received by the copier 12 before the signals are connected to a receiver for further processing. The connection between the LNA 36 and the receiver can be made, for example, by the microstrip line 38. The input of LNA 36 is coupled to the receiving microstrip line 40. As discussed below, the receive microstrip line 40 may be considered part of the receive path used to couple the incoming signal from the balun 34 to the LNA 36.

집적 모듈(14)을 복사기(12) 바로 뒤에 배치시키는 것뿐만 아니라, 능동 장 치들(MEMS 스위치들(22,24), HPA(26), 및 LNA(36)) 및 밸룬(34)을 통합하는 것은 종래의 설계에 비해 시스템 성능을 향상시킨다. 즉, 회로 손실을 최소화할 수 있으며, LNA(36) 및 HPA(26)로부터의 이득은 성능의 향상에 기여한다.In addition to placing the integrated module 14 directly behind the copier 12, it also integrates active devices (MEMS switches 22, 24, HPA 26, and LNA 36) and balun 34. This improves system performance over conventional designs. That is, circuit losses can be minimized, and the gains from the LNA 36 and the HPA 26 contribute to improved performance.

전술한 바와 같이, 밸룬(34)은 제1 내부 접속 아암(32,33) 쌍 및 제2 내부 접속 아암(42,43) 쌍을 포함한다. 아암의 쌍들(32/33,42/43)은 대향하여 배치된 "L" 형상 구조를 형성한다. 슬롯(44)은 아암의 쌍들(32/33,42/43)을 분리한다. 전술한 실시예에 있어서, 밸룬(34)의 각 아암(32,33,42,및 43)은 1/4 파장(1/4 λ)부분들이다. 아암(42)의 출력은, 프로브들(16) 중 하나에 의해 아암(32)을 복사기(12)에 결합시킨 것으로부터 위상이 180도 상이한 위치에 프로브들(16) 중 다른 하나를 통해 복사기(12)에 결합된다.As mentioned above, the balun 34 includes a first pair of inner connecting arms 32 and 33 and a pair of second inner connecting arms 42 and 43. The pairs of arms 32/33, 42/43 form an "L" shaped structure arranged oppositely. Slot 44 separates pairs of arms 32/33, 42/43. In the above embodiment, each arm 32, 33, 42, and 43 of the balun 34 are quarter wavelength (1/4 lambda) portions. The output of the arm 42 is via the copier through the other one of the probes 16 at a position 180 degrees out of phase from the arm 32 coupled to the copier 12 by one of the probes 16. 12).

송신 마이크로스트립 라인(30) 및 수신 마이크로스트립 라인(40)은 밸룬(34)의 상부에 배치된다. 전술한 실시예에 있어서, 송신 마이크로스트립 라인(30)은 송신 MEMS 스위치(22)로부터 수신 MEMS 스위치(24)를 향해 연장되며, 수신 마이크로스트립 라인(40)은 수신 MEMS 스위치(24)로부터 송신 MEMS 스위치(22)를 향해 연장된다. 송신 마이크로스트립 라인(30) 및 수신 마이크로스트립 라인(40)은 수 개의 라인폭들로 분리될 수 있다.The transmit microstrip line 30 and the receive microstrip line 40 are disposed on top of the balun 34. In the above embodiment, the transmit microstrip line 30 extends from the transmit MEMS switch 22 toward the receive MEMS switch 24, and the receive microstrip line 40 extends from the receive MEMS switch 24 to the transmit MEMS switch. Extend toward the switch 22. The transmit microstrip line 30 and the receive microstrip line 40 can be separated into several line widths.

전술한 실시예에 있어서, 송신 마이크로스트립 라인(30)은 밸룬(34)의 아암들(33,43)에 전기적으로 결합된다. 송신 마이크로스트립(30)은 송신 MEMS 스위치(22)로부터 연장되며, 밸룬(34)의 아암(33)의 위에 배치되고 그곳으로부터 분리된다. 또한, 송신 마이크로스트립 라인(30)의 종축을 따라 이어져, 밸룬(34)의 아 암(43)의 위에 배치되고 그로부터 분리된다. 이하 상세히 기술하는 바와 같이, 집적 모듈(14)이 수신 모드에 놓여 있을 경우 정상파 공진기의 설치를 위하여, 슬롯(44)의 중앙으로부터 송신 MEMS 스위치(22)의 말단(즉, 밸룬(34)의 아암(43) 위에 배치된 단부)인 송신 마이크로스트립 라인(30)의 단부까지 측정된 송신 마이크로스트립 라인(30)의 길이는 1/4 파장(즉, 1/4 λ)이다. 슬롯(44)으로부터 송신 MEMS 스위치(22)까지의 송신 마이크로스트립 라인(30)의 길이는 집적 모듈(14)의 동작에 대해 서는 그 중요성이 미미하다.In the above embodiment, the transmission microstrip line 30 is electrically coupled to the arms 33, 43 of the balun 34. The transmission microstrip 30 extends from the transmission MEMS switch 22 and is disposed above and separated from the arm 33 of the balun 34. It also runs along the longitudinal axis of the transmission microstrip line 30 and is disposed above and separated from the arm 43 of the balun 34. As will be described in detail below, for the installation of standing wave resonators when the integrated module 14 is in the receive mode, the end of the transmitting MEMS switch 22 (ie the arm of the balun 34) from the center of the slot 44. The length of the transmission microstrip line 30 measured to the end of the transmission microstrip line 30, which is the end disposed above 43, is 1/4 wavelength (i.e., 1/4 lambda). The length of the transmission microstrip line 30 from the slot 44 to the transmission MEMS switch 22 is insignificant for the operation of the integrated module 14.

마찬가지로, 수신 마이크로스트립 라인(40)은 밸룬(34)의 아암들(43,33)에 전기적으로 결합된다. 수신 마이크로스트립 라인(40)은 수신 MEMS 스위치(24)로부터 연장되며, 밸룬(34)의 아암(43)의 위에 배치되고 그로부터 분리된다. 또한, 수신 마이크로스트립 라인(40)의 종축을 따라 이어져, 밸룬(34)의 아암(33)의 위에 배치되고 그곳으로부터 분리된다. 이하 상술하는 바와 같이, 집적 모듈(14)이 송신 모드에 놓여 있을 경우 정상파 공진기의 설치를 위하여, 슬롯(44)의 중앙으로부터 수신 MEMS 스위치(24)의 말단(즉, 밸룬(34)의 아암(33) 위에 배치된 단부)인 수신 마이크로스트립 라인(40)의 단부까지 측정된 수신 마이크로스트립 라인(40)의 길이는 1/4 파장(즉, 1/4 λ)이다. 슬롯(44)으로부터 수신 MEMS 스위치(24)까지의 수신 마이크로스트립 라인(40)의 길이는 집적 모듈(14)의 동작에 대해서는 그 중요성이 미미하다.Similarly, the receiving microstrip line 40 is electrically coupled to the arms 43, 33 of the balun 34. The receive microstrip line 40 extends from the receive MEMS switch 24 and is disposed above and separated from the arm 43 of the balun 34. It also runs along the longitudinal axis of the receiving microstrip line 40 and is disposed above and separated from the arm 33 of the balun 34. As described below, for the purpose of installing the standing wave resonator when the integrated module 14 is in the transmission mode, the end of the receiving MEMS switch 24 from the center of the slot 44 (ie, the arm of the balun 34) The length of the receiving microstrip line 40 measured to the end of the receiving microstrip line 40, the end disposed above 33) is 1/4 wavelength (i.e., 1/4 [lambda]). The length of the receive microstrip line 40 from the slot 44 to the receive MEMS switch 24 is insignificant for the operation of the integrated module 14.

동작에 있어서, 집적 모듈(14)은 송신 모드 및 수신 모드로 놓여질 수 있다. 송신 모드에 있어서, 집적 모듈(14)은 송신기에 의해 생성된 신호들을 복사기(12) 에 결합하며, 수신 경로를 접지 라인(46)으로 분로시킨다. 이하 후술하는 바와 같이, 분로(shunt)는 수신 MEMS 스위치(24)의 엑튜에이션(actuation)에 의해 확립된다. 밸룬(34) 및 수신 마이크로스트립 라인(40)의 접지 라인(46)으로의 분로는, 송신 경로(즉, 송신기로부터 복사기(12)로의 도전 경로)를 따라 밸룬(34)을 통해 최대 에너지 전달을 허용하는 수신 경로(즉, 복사기(12)로부터 수신기로의 도전 경로)에 대하여 스위치(24)에서 가상 단락을 형성한다.In operation, the integrated module 14 may be placed in a transmit mode and a receive mode. In the transmit mode, the integrated module 14 couples the signals produced by the transmitter to the copier 12 and shunts the receive path to ground line 46. As described below, shunt is established by actuation of the receiving MEMS switch 24. The shunt from the balun 34 and the receiving microstrip line 40 to the ground line 46 provides maximum energy transfer through the balun 34 along the transmission path (ie, the conducting path from the transmitter to the copier 12). Form a virtual short at switch 24 for the allowable receive path (ie, conductive path from copier 12 to receiver).

수신 모드에 있어서, 집적 모듈(14)은 복사기(12)에 의해 수신된 신호들을 수신기에 결합하며, 송신 경로를 접지 라인(48)으로 분로시킨다. 이하 후술하는 바와 같이, 분로는 송신 MEMS 스위치(22)의 엑튜에이션(actuation)에 의해 확립된다. 밸룬(34) 및 송신 마이크로스트립 라인(30)의 접지 라인(48)으로의 분로는, 수신 경로를 따라 밸룬(34)을 통해 최대 에너지 전달을 허용하는 송신 경로에 대하여 스위치(22)에서 가상 단락을 형성한다.In the receive mode, the integrated module 14 couples the signals received by the copier 12 to the receiver and shunts the transmit path to ground line 48. As will be described later, the shunt is established by actuation of the transmission MEMS switch 22. The shunt of the balun 34 and the transmit microstrip line 30 to ground line 48 is a virtual short-circuit at the switch 22 for the transmit path that allows maximum energy transfer through the balun 34 along the receive path. To form.

집적 모듈(14)의 전술한 동작 외에, 송신 중에 수신 마이크로스트립 라인(40)의 접지 라인(46)으로의 분로는 송신 신호들로부터 LNA(36)를 보호(예컨대, 고립)한다. 마찬가지로, 수신 중에 송신 마이크로스트립 라인(30)의 접지 라인(48)으로의 분로는 수신 신호들로부터 HPA(26)를 보호(예컨대, 고립)한다.In addition to the aforementioned operation of the integrated module 14, the shunt of the receiving microstrip line 40 to the ground line 46 during transmission transmits (eg, isolates) the LNA 36 from the transmitted signals. Similarly, shunting of the transmitting microstrip line 30 to ground line 48 during the reception protects (eg, isolates) the HPA 26 from received signals.

수신 MEMS 스위치(24) 및 송신 MEMS 스위치(22)는 SPDT(single pole, double throw) 스위치로서 함께 기능한다. 집적 모듈(14)이 송신 모드에 놓이면, 수신 MEMS 스위치(24)는 인입 신호들(예컨대, 방해 신호 또는 역탐지(countermeasure))을 차단하기 위한 아이솔레이터로서 기능한다.Receive MEMS switch 24 and transmit MEMS switch 22 function together as a single pole, double throw (SPDT) switch. When integrated module 14 is in transmit mode, receive MEMS switch 24 functions as an isolator to block incoming signals (e.g., jamming or countermeasures).

도 3을 참조하면, 집적 모듈(14)의 송신 MEMS 스위치(22) 및/또는 수신 MEMS 스위치(24)로서 사용될 수 있는 예시적인 MEMS 스위칭부(50)의 블록도가 도시되어 있다. 도 3에 도시된 접속 패드들 및 도전성 부재들의 구성은 집적 모듈(14) 내에서 사용되도록 변경될 수 있다는 것을 유념하자. 도 4A 및 도 4B는, MEMS 스위칭부(50)의 일반적인 구성을 이용하여 제조되지만, 집적 모듈(14) 내에 사용되도록 구성된 수신 MEMS 스위치(24)의 단면도를 나타낸다. 전술한 실시예에 있어서, 송신 MEMS 스위치(22)의 단면은 일반적으로 수신 MEMS 스위치(24)의 단면의 거울상일 수 있다. 따라서, 송신 MEMS 스위치(22)는 별도로 설명하지 않을 것이다. 도 4A의 단면은 닫힌 상태(전술한 분로를 생성하기 위한 온 상태로서도 언급된다)에 있는 수신 MEMS 스위치(24)를 나타내며, 도 4B의 단면은 개방 상태(오프 상태라고도 한다)에 있는 수신 MEMS 스위치(24)를 나타낸다는 것을 유념하자.Referring to FIG. 3, a block diagram of an exemplary MEMS switching unit 50 that can be used as the transmit MEMS switch 22 and / or the receive MEMS switch 24 of the integrated module 14 is shown. Note that the configuration of the connection pads and the conductive members shown in FIG. 3 can be changed for use in the integrated module 14. 4A and 4B show a cross-sectional view of a receive MEMS switch 24 manufactured using the general configuration of MEMS switching section 50 but configured for use within integrated module 14. In the above embodiment, the cross section of the transmitting MEMS switch 22 may generally be a mirror image of the cross section of the receiving MEMS switch 24. Therefore, the transmission MEMS switch 22 will not be described separately. 4A shows the receive MEMS switch 24 in the closed state (also referred to as the on state to generate the shunt described above), while the cross section of FIG. 4B shows the receive MEMS switch in the open state (also referred to as the off state). Note that (24) is shown.

집적 모듈(14)의 제1 실시예에 있어서, MEMS 스위치들(22,24)은 MEMS 스위칭부(50) 등의 분로 캔틸레버(cantilever) MEMS 스위치들에 의해 구현될 수 있다. 이하, MEMS 스위칭부(50)의 특징들 및 특성들이 설명될 것이지만, 본 명세서에 전체로서 참조 문헌으로 포함되는 공개 문헌인, 미국 특허 6,046,659호에서는 적합한 스위칭부의 상세한 부가 설명을 발견할 수 있을 것이다.In the first embodiment of the integrated module 14, the MEMS switches 22 and 24 may be implemented by shunt cantilever MEMS switches such as the MEMS switch 50. Hereinafter, while the features and characteristics of the MEMS switching unit 50 will be described, a detailed additional description of a suitable switching unit may be found in US Pat. No. 6,046,659, which is a publication, which is incorporated herein by reference in its entirety.

MEMS 스위칭부(50)는 SPST 스위치 장치로서 보여질 수 있다. 더 구체적으로, MEMS 스위칭부(50)는 신호 도전 경로를 접지 상태로 분로(또는, "단락")시킴으로써, 신호 송신을 인터럽트하는 MEMS 스위치에 의해 구현될 수 있다.The MEMS switching unit 50 can be seen as an SPST switch device. More specifically, the MEMS switching unit 50 may be implemented by a MEMS switch that interrupts signal transmission by shunting (or "shorting") the signal conduction path to the ground state.

스위칭부(50)는 전기자(armature)(52)의 인접 단부(56)에 있는 제1 신호 송 신 라인(54)에 부착된 전기자(52)를 포함한다. 전기자(52)의 말단(distal end)(또는 접촉 단부(58))은 제2 신호 송신 라인(60)의 위에 위치한다. 전기자(52) 아래에 기판 바이어스 전극(62)을 배치할 수 있으며, 전기자(52)가 개방 상태에 있을 경우, 전기자(52)는 공기 간극(air gap)에 의해 기판 바이어스 전극(62) 및 제2 송신 라인(60)으로부터 이격된다.The switch 50 includes an armature 52 attached to the first signal transmission line 54 at the adjacent end 56 of the armature 52. The distal end (or contact end 58) of the armature 52 is located above the second signal transmission line 60. A substrate bias electrode 62 may be disposed below the armature 52, and when the armature 52 is in an open state, the armature 52 may be formed of the substrate bias electrode 62 and the first through an air gap. 2 is spaced apart from the transmission line 60.

도전성 딤플(conducting dimple), 또는 콘택트(64)는, 닫힌 상태에서 콘택트(64)가 제2 신호 송신 라인(60)과 접촉하도록 전기자(52)의 접촉 단부(58)로부터 아래 방향으로 돌출한다. 콘택트(64)는, 전기자(52)가 닫힌 상태에 있을 경우 제1 신호 송신 라인(54) 및 제2 신호 송신 라인(60)이 도전성 경로에 의해 전기적으로 상호 결합되도록 도전성 송신 라인(66)에 의해 제1 신호 송신 라인(54)에 전기적으로 접속된다. 다음, 신호들은 MEMS 스위칭부(50)를 통해 제1 신호 송신 라인(54)으로부터 제2 신호 송신 라인(60)으로(또는 그 역으로) 통과할 수 있다. 전기자(52)가 개방 상태에 있을 경우, 제1 신호 송신 라인(54) 및 제2 신호 송신 라인(60)은 전기적으로 상호 고립되어 있다.The conducting dimple, or contact 64, projects in the closed state downwardly from the contact end 58 of the armature 52 such that the contact 64 contacts the second signal transmission line 60. The contact 64 is connected to the conductive transmission line 66 such that the first signal transmission line 54 and the second signal transmission line 60 are electrically coupled to each other by a conductive path when the armature 52 is in the closed state. It is electrically connected to the 1st signal transmission line 54 by this. The signals may then pass through the MEMS switching unit 50 from the first signal transmission line 54 to the second signal transmission line 60 (or vice versa). When the armature 52 is in the open state, the first signal transmission line 54 and the second signal transmission line 60 are electrically isolated from each other.

기판 바이어스 전극(62)의 위에서, 전기자(52)에는 전기자 바이어스 전극(68)이 제공된다(전기자 바이어스 전극(68)은 전술한 바와 같이 송신 라인(66)의 어느 한 측면 상에 멀티플 세그먼트를 가질 수 있거나, 또는 송신 라인(66) 아래에 배치되고 절연층에 의해 그곳으로부터 분리되는 부분을 가질 수 있다). 기판 바이어스 전극(62)은 기판 바이어스 패드(70)에 전기적으로 결합된다. 전기자 바이어스 전극(68)(및 그 부분들)은 적어도 하나의 전기자 도전체(74)를 통해 전기자 바 이어스 패드(72)에 전기적으로 결합된다. 기판 바이어스 패드(70)와 전기자 바이어스 패드(72) 사이에 적절한 전압 전위가 인가되는 경우, 전기자 바이어스 전극(68)은 기판 바이어스 전극(62)에 유인되어 MEMS 스위칭부(50)를 개방 상태(예컨대, 도 4B에 도시된 바와 같은)로부터 닫힌 상태(예컨대, 도 4A에 도시된 바와 같은)로 액튜에이팅시킨다.Above the substrate bias electrode 62, the armature 52 is provided with an armature bias electrode 68 (the armature bias electrode 68 will have multiple segments on either side of the transmission line 66 as described above). Or have a portion disposed below the transmission line 66 and separated there from by an insulating layer). The substrate bias electrode 62 is electrically coupled to the substrate bias pad 70. Armature bias electrode 68 (and portions thereof) is electrically coupled to armature bias pad 72 through at least one armature conductor 74. When an appropriate voltage potential is applied between the substrate bias pad 70 and the armature bias pad 72, the armature bias electrode 68 is attracted to the substrate bias electrode 62 to open the MEMS switch 50 in an open state (eg, , As shown in FIG. 4B) from the closed state (eg, as shown in FIG. 4A).

전기자(52)는 콘택트(64), 송신 라인(66), 바이어스 전극(68), 도전체(74) 등의 구성 요소들을 지지하기 위한 구조적 부재들(76)을 포함할 수 있다. 콘택트(64) 및 송신 라인(66)은 동일한 재료층 또는 상이한 재료층들로 형성될 수 있다.Armature 52 may include structural members 76 for supporting components such as contact 64, transmission line 66, bias electrode 68, conductor 74, and the like. Contact 64 and transmission line 66 may be formed of the same material layer or different material layers.

도 4A 및 도 4B에 도시된 바와 같이, MEMS 스위칭부(50)가 집적 모듈(14) 내에서 MEMS 스위치들(22,24)로서 사용될 경우, 제1 신호 송신 라인(54)은 마이크로스트립 라인들(수신 MEMS 스위치(24)에 대한 수신 마이크로스트립 라인(40) 및 송신 MEMS 스위치(22)에 대한 송신 마이크로스트립 라인(30))로서 구현된다. 마찬가지로, 제2 송신 라인(60)은 접지 라인들(수신 MEMS 스위치(24)에 대한 접지 라인(46) 및 송신 MEMS 스위치(22)에 대한 접지 라인(48))로서 구현된다. 따라서, 송신 MEMS 스위치(22) 및 수신 MEMS 스위치(24)의 전기자(52)가 닫힌 상태에 있을 경우, 마이크로스트립 라인(30 또는 40)은 각 접지 라인(48 또는 46)으로 분로된다. 송신 MEMS 스위치(22) 또는 수신 MEMS 스위치(24)의 전기자는 개방 상태에 있으며, 마이크로스트립 라인(30 또는 40)은 각 접지 라인(48 또는 46)으로부터 고립되어 있다.As shown in FIGS. 4A and 4B, when the MEMS switching unit 50 is used as the MEMS switches 22 and 24 in the integrated module 14, the first signal transmission line 54 is a microstrip line. (Receive microstrip line 40 to receive MEMS switch 24 and transmit microstrip line 30 to transmit MEMS switch 22). Similarly, second transmission line 60 is implemented as ground lines (ground line 46 for receiving MEMS switch 24 and ground line 48 for transmitting MEMS switch 22). Thus, when the armature 52 of the transmitting MEMS switch 22 and the receiving MEMS switch 24 is in the closed state, the microstrip lines 30 or 40 are divided into respective ground lines 48 or 46. The armature of the transmitting MEMS switch 22 or the receiving MEMS switch 24 is in an open state, and the microstrip lines 30 or 40 are isolated from each ground line 48 or 46.

도 4A 및 도 4B를 계속 참조하면, 닫힌 상태(예컨대, 집적 모듈(14)이 송신 모드에 있는 경우) 및 개방 상태(예컨대, 집적 모듈(14)이 수신 모드에 있는 경우)의 각각을 나타내는 수신 MEMS 스위치(24)가 도시되어 있다. 수신 마이크로스트립 라인(40)은 밸룬(34)의 아암들(43,33)의 위에 배치되며 그곳으로부터 분리된다. 절연층(78)은 수신 마이크로스트립 라인(40)을 아암들(43,33)로부터 고립시킨다. 송신 MEMS 스위치(22)는 송신 마이크로스트립 라인(30) 및 아암들(33,43)과 함께 마찬가지로 배치된다. 전술한 구조들(예컨대, 밸룬(34), 마이크로스트립(30,40), MEMS 스위치들(22,24), HPA(26), 및 LNA(36))은 기판(82) 상에 배치될 수 있다.With continued reference to FIGS. 4A and 4B, a receive indicating each of a closed state (eg, when the integrated module 14 is in transmit mode) and an open state (eg, when the integrated module 14 is in receive mode) MEMS switch 24 is shown. The receiving microstrip line 40 is disposed above and separated from the arms 43, 33 of the balun 34. Insulating layer 78 isolates receiving microstrip line 40 from arms 43 and 33. The transmission MEMS switch 22 is likewise arranged with the transmission microstrip line 30 and the arms 33, 43. The aforementioned structures (eg, balun 34, microstrips 30 and 40, MEMS switches 22 and 24, HPA 26, and LNA 36) may be disposed on substrate 82. have.

집적 모듈(14)이 수신 모드 또는 송신 모드로 지정되도록, 송신 MEMS 스위치(22) 및 수신 MEMS 스위치(24) 양자의 전기자 바이어스 패드(72) 및 기판 바이어스 패드(70)에 적절한 신호들을 인가하기 위해 컨트롤러(도시하지 않음)가 사용될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 컨트롤러는 디지털 마이크로프로세서일 수 있다.To apply the appropriate signals to the armature bias pad 72 and the substrate bias pad 70 of both the transmit MEMS switch 22 and the receive MEMS switch 24 such that the integrated module 14 is designated as a receive mode or a transmit mode. A controller (not shown) can be used. In one embodiment, the controller may be a digital microprocessor.

도 5를 참조하면, 안테나 복사기들(12)의 9×9 매트릭스로 구성되는 예시적인 안테나 어레이(84)가 도시되어 있다. 본 발명은 다수의 복사 소자들을 갖는 위상 어레이 안테나 등의 다른 사이즈의 안테나 어레이들에도 적용가능하다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 방사 소자들의 입력 포트들의 적절한 여기(excitation)에 의해, 듀얼-선형 극성 안테나 또는 듀얼-원형 극성 안테나가 얻어질 수 있다.Referring to FIG. 5, an exemplary antenna array 84 is shown that consists of a 9 × 9 matrix of antenna copiers 12. It should be understood that the present invention is also applicable to antenna arrays of other sizes, such as a phased array antenna with multiple radiating elements. For example, by appropriate excitation of the input ports of the radiating elements, a dual-linear polar antenna or a dual-circular polar antenna can be obtained.

안테나 어레이(84)의 각 안테나 복사기(12)의 뒤에 집적 모듈(14)이 배치되어 안테나 복사기 어셈블리(10)를 형성한다(도 1). 안테나 어레이(84)를 명확히 설명하기 위하여, 단 하나의 집적 모듈(14)만을 설명한다. 또한, 집적 모듈(14)은 안테나 어레이(84)의 측면으로서 기술된다. 그러나, 본 명세서 및 도 1에 설명된 바와 같이, 집적 모듈(14)은 복사기(12)의 바로 뒤에 배치되어 집적 모듈(14)과 복사기(12)를 결합하는 도전체들의 길이를 최소화할 수 있다.An integrated module 14 is disposed behind each antenna copier 12 of the antenna array 84 to form the antenna copier assembly 10 (FIG. 1). In order to clarify the antenna array 84, only one integrated module 14 is described. In addition, the integrated module 14 is described as the side of the antenna array 84. However, as described herein and in FIG. 1, the integration module 14 may be disposed immediately behind the copier 12 to minimize the length of the conductors that couple the integration module 14 and the copier 12. .

도 6을 참조하면, 집적 모듈(14')의 제2 실시예가 도시되어 있다. 동작면에 있어서, 집적 모듈(14')의 제2 실시예는 집적 모듈(14)의 제1 실시예와 동일한 방식으로 기능하며, 복사기(12)의 바로 뒤에 배치될 정도의 사이즈를 갖는다.Referring to FIG. 6, a second embodiment of an integrated module 14 ′ is shown. In operation, the second embodiment of the integrated module 14 'functions in the same manner as the first embodiment of the integrated module 14, and is sized to be disposed immediately behind the copier 12. As shown in FIG.

집적 모듈(14)과 마찬가지로, 집적 모듈(14')은 대향하여 배치되고 슬롯(44')에 의해 분리되는 아암(32') 및 아암(42')을 갖는 밸룬(34')을 포함한다. 그러나, 집적 모듈(14')에 있어서, 밸룬(34')은 CPW(co-planar wave guide)로서 배치되어 있다. 또한, 집적 모듈(14')은 도전체(28')에 의해 송신기에 전기적으로 접속된 HPA(26') 및 도전체(38')에 의해 수신기에 접속된 LNA(36')를 포함한다. HPA(26')의 출력 및 LNA(36')의 출력은 각각 송신 CPW 라인(30') 및 수신 CPW 라인(40')에 접속된다. 송신 CPW 라인(30') 및 수신 CPW 라인(40')은 각각 송신 경로 및 수신 경로의 부분들로 간주될 수 있다.Like the integrated module 14, the integrated module 14 ′ includes a balun 34 ′ with an arm 32 ′ and an arm 42 ′ disposed oppositely and separated by a slot 44 ′. However, in the integrated module 14 ', the balun 34' is arranged as a co-planar wave guide (CPW). The integrated module 14 'also includes an HPA 26' electrically connected to the transmitter by conductor 28 'and an LNA 36' connected to the receiver by conductor 38 '. The output of HPA 26 'and the output of LNA 36' are connected to transmit CPW line 30 'and receive CPW line 40', respectively. The transmit CPW line 30 'and the receive CPW line 40' may be considered part of the transmit path and receive path, respectively.

송신 CPW 라인(30') 및 수신 CPW 라인(40')은 밸룬(34')에 전기적으로 결합된다. 전술한 실시예에 있어서, 수신 스트립 라인(40') 및 밸룬(34')은 동일한 평면 내에 배치된다. 집적 모듈(14')의 제2 실시예에 있어서 송신 및 수신 MEMS 스위치들(22',24')은 용량성 멤브레인 MEMS 스위치들이다. 송신 MEMS 스위치(22') 및/또는 수신 MEMS 스위치(24')로서 사용될 적절한 용량성 멤브레인 MEMS 스위치는 본 명세서에 전체로서 참조 문헌으로 포함되는 공개 문헌인, 미국 특허 6,391,675호에 상세히 기술되어 있다.The transmit CPW line 30 'and the receive CPW line 40' are electrically coupled to the balun 34 '. In the above-described embodiment, the receiving strip line 40 'and the balun 34' are arranged in the same plane. In the second embodiment of the integrated module 14 ', the transmit and receive MEMS switches 22', 24 'are capacitive membrane MEMS switches. Suitable capacitive membrane MEMS switches to be used as transmit MEMS switch 22 'and / or receive MEMS switch 24' are described in detail in US Pat. No. 6,391,675, which is a published document incorporated herein by reference in its entirety.

도 7, 도 8A, 및 도 8B를 참조하면, 수신 MEMS 스위치(24') 및 수신 CPW 라인(40') 및 아암(42')에의 그 접속들이 상세히 도시되어 있다. 당업자라면 명백히 알 수 있는 바와 같이, 밸룬(34')의 아암(32'), 송신 MEMS 스위치(22'), 및 송신 CPW 라인(30')에 대하여 유사한 구성이 이용된다. 따라서, 송신 MEMS 스위치(22')는 별도로 설명하지 않을 것이다.7, 8A, and 8B, the connection to receive MEMS switch 24 'and receive CPW line 40' and arm 42 'is shown in detail. As will be apparent to those skilled in the art, similar configurations are used for the arm 32 'of the balun 34', the transmit MEMS switch 22 ', and the transmit CPW line 30'. Therefore, the transmission MEMS switch 22 'will not be described separately.

수신 MEMS 스위치(24')는 밸룬(34')의 아암(42')상에 배치된 비-도전성 포스트(88)와 바이어스 패드(90) 사이에서 스팬(span)되는 도전성 멤브레인(86)을 포함한다. 멤브레인(86)의 아래에는 수신 CPW 라인(40')의 일부를 형성하는 전극(92)이 배치되어 있다(대안적으로, 전극(92)이 MEMS CPW 라인(40')으로부터 분리되어 있지만, 수신 스트립 라인(40')에 접속된다). 전극(92) 위에는 유전체층(94)이 놓여져 있다. 설명한 대로, 기판(96) 상에는 전술한 구조가 형성된다.The receive MEMS switch 24 'includes a conductive membrane 86 that spans between the non-conductive posts 88 and the bias pad 90 disposed on the arms 42' of the balun 34 '. do. Below the membrane 86 is arranged an electrode 92 which forms part of the receiving CPW line 40 '(alternatively, although the electrode 92 is separated from the MEMS CPW line 40', the receiving 92 Connected to strip line 40 '). The dielectric layer 94 is placed on the electrode 92. As described, the above-described structure is formed on the substrate 96.

바이어스 패드(90), 및 그에 따른 멤브레인(86)은 접지 전위 등의 기준 전압에 접속된다. 수신 MEMS 스위치(24')(예컨대, 도 8A에 도시된 바와 같은)의 오프 상태에 있어서, 멤브레인(86)과 유전체층(94) 사이에는 공기 간극이 존재한다. DC 바이어스 전압이 전극(92)에 인가되어 멤브레인(86)과 전극(92) 간에 전압 차가 발생하면, 수신 MEMS 스위치(24')는, 멤브레인(86)이 유전체층(94)에 놓일 때까지 멤브레인(86)이 아래 방향으로 편향되는 온 상태로 토글(toggle)할 것이다. 이 접촉은 고주파 신호들을 밸룬(34')의 아암(42') 및 수신 CPW 라인(40')으로부터 멤브레 인(86) 및 전술한 실시예에 있어서의 접지에 효과적으로 단락시키거나 분로시키는 용량성 결합을 형성한다.Bias pad 90, and thus membrane 86, is connected to a reference voltage, such as ground potential. In the off state of the receiving MEMS switch 24 ′ (eg, as shown in FIG. 8A), an air gap exists between the membrane 86 and the dielectric layer 94. When a DC bias voltage is applied to the electrode 92 so that a voltage difference occurs between the membrane 86 and the electrode 92, the receiving MEMS switch 24 ′ is applied to the membrane (until the membrane 86 is placed on the dielectric layer 94). 86 will toggle on, deflected downwards. This contact is a capacitive element that effectively short-circuits or shunts high frequency signals from the arm 42 'of the balun 34' and the receiving CPW line 40 'to the membrane 86 and to ground in the above-described embodiment. To form a bond.

송신 모드에 있어서, 송신 MEMS 스위치(22')는 오프 상태로 놓여져 송신기에 의해 생성되는 신호들이 복사기(12)에 결합되게 하며, 수신 MEMS 스위치(24')는 온 상태로 놓여져 밸룬(34')의 아암(42') 및 수신 CPW 라인(40')을 접지에 분로시킨다. 수신 모드에 있어서, 송신 MEMS 스위치(22')는 온 상태로 놓여져 밸룬(34')의 아암(32') 및 송신 CPW 라인(30')을 접지에 분로시키며, 수신 MEMS 스위치(24')는 오프 상태에 놓여져 복사기(12)에 의해 수신되는 신호들이 수신기에 결합되게 한다.In the transmit mode, the transmit MEMS switch 22 'is placed in an off state to allow signals generated by the transmitter to be coupled to the copier 12, and the receive MEMS switch 24' is placed in an on state to provide a balun 34 '. Shunt arm 42 'and receive CPW line 40' to ground. In the receive mode, the transmit MEMS switch 22 'is placed in an on state to divide the arm 32' of the balun 34 'and the transmit CPW line 30' to ground, and the receive MEMS switch 24 ' It is placed in the off state to allow signals received by the copier 12 to be coupled to the receiver.

도시하지는 않았지만, 집적 모듈(14')을 수신 모드 또는 송신 모드로 지정하도록, 적절한 신호들을 송신 MEMS 스위치(22') 및 수신 MEMS 스위치(24') 양자의 전극(92)에 인가하기 위한 컨트롤러가 사용될 수 있다.Although not shown, a controller for applying appropriate signals to electrodes 92 of both transmit MEMS switch 22 'and receive MEMS switch 24' is provided to designate integrated module 14 'in receive or transmit mode. Can be used.

본 발명의 특정적인 실시예들이 상술되었지만, 본 발명은 이에 따른 범위에 제한되는 것이 아니라, 여기에 첨부되는 클레임들의 사상 및 용어들로부터 유래하는 모든 변경, 변형 및 균등물을 포함한다는 것을 이해해야 할 것이다.While specific embodiments of the invention have been described above, it should be understood that the invention is not limited to the scope thereof, but includes all changes, modifications and equivalents derived from the spirit and terminology of the claims appended hereto. .

Claims (10)

수신 모드와 송신 모드 사이에서 절환가능한, 능동 안테나 복사기 어셈블리(active antenna radiator assembly)(10)용 집적 모듈(integrated module)(14)로서, As an integrated module 14 for an active antenna radiator assembly 10, switchable between a receive mode and a transmit mode, 복사기에 의해 송신될 신호들을 증폭하는 제1 증폭기(26);A first amplifier 26 for amplifying the signals to be transmitted by the copier; 상기 복사기에 의해 수신되는 신호들을 증폭하는 제2 증폭기(36);A second amplifier (36) for amplifying the signals received by the copier; 듀얼 입력 광대역 밸룬(balun)(34);Dual input broadband balun 34; 상기 밸룬 및 상기 제1 증폭기의 출력에 결합되는 송신 라인(30);A transmission line 30 coupled to the balun and the output of the first amplifier; 상기 밸룬 및 상기 제2 증폭기의 입력에 결합되는 수신 라인(40);A receive line (40) coupled to the input of the balun and the second amplifier; 상기 집적 모듈이 송신 모드에 놓여 있을 경우, 상기 수신 라인을 접지에 분로(shunt)시키는 제1 MEMS 스위치(24); 및A first MEMS switch (24) for shunting the receive line to ground when the integrated module is in a transmit mode; And 상기 집적 모듈이 수신 모드에 놓여 있을 경우, 상기 송신 라인을 접지에 분로시키는 제2 MEMS 스위치(22)A second MEMS switch 22 that shunts the transmission line to ground when the integrated module is in a receive mode 를 포함하는 집적 모듈.Integrated module comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 송신 및 수신 라인들은 상기 밸룬 위에 배치되는 마이크로스트립(microstrip) 라인들인 집적 모듈.And said transmit and receive lines are microstrip lines disposed above said balun. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 및 제2 MEMS 스위치들은 분로 캔틸레버(shunt cantilever) MEMS 스위치들인 집적 모듈.And the first and second MEMS switches are shunt cantilever MEMS switches. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 송신 및 수신 라인들은 상기 밸룬의 평면 내에 배치되는 CPW(co-planar wave guide) 라인들인 집적 모듈.Wherein the transmit and receive lines are co-planar wave guide (CPW) lines disposed in the plane of the balun. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 및 제2 MEMS 스위치들은 용량성 멤브레인 MEMS 스위치들인 집적 모듈.And the first and second MEMS switches are capacitive membrane MEMS switches. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 송신 라인은, 상기 집적 모듈이 수신 모드에 놓여 있을 경우 상기 제2 MEMS 스위치에서 가상(virtual)의 단락으로서 기능하도록 구성되며, The transmission line is configured to function as a virtual short at the second MEMS switch when the integrated module is in a receive mode, 상기 수신 라인은, 상기 집적 모듈이 송신 모드에 놓여 있을 경우 상기 제1 MEMS 스위치에서 가상의 단락으로서 기능하도록 구성되는 집적 모듈.And the receive line is configured to function as a virtual short at the first MEMS switch when the integrated module is in a transmit mode. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 밸룬은 슬롯에 의해 이격된 제1 아암(43) 및 제2 아암(33)을 갖는 집적 모듈.The balun has an first arm (43) and a second arm (33) spaced by slots. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1 아암은 제3 아암(42)과 쌍을 이루어, 제1 "L" 형상 구조를 형성하며, The first arm is paired with a third arm 42 to form a first "L" shaped structure, 상기 제2 아암은 제4 아암(32)과 쌍을 이루어, 상기 제1 "L" 형상 구조와 대향하여 배치되는 제2 "L" 형상 구조를 형성하는 집적 모듈.The second arm is paired with a fourth arm (32) to form a second “L” shaped structure disposed opposite the first “L” shaped structure. 능동 안테나 복사기 어셈블리(10)로서,As an active antenna copier assembly 10, 복사기(12); 및Copier 12; And 상기 복사기의 뒤에 배치되고 수신 모드와 송신 모드 사이에서 절환가능한 집적 모듈(14)An integrated module 14 disposed behind the copier and switchable between a receive mode and a transmit mode 을 포함하며,Including; 상기 집적 모듈은,The integrated module, 상기 복사기에 의해 송신될 신호들을 증폭하기 위한 고출력 증폭기(high power amplifier:HPA)(26);A high power amplifier (HPA) 26 for amplifying the signals to be transmitted by the copier; 상기 복사기에 의해 수신되는 신호들을 증폭하기 위한 저잡음 증폭기(low noise amplifier: LNA)(36);A low noise amplifier (LNA) 36 for amplifying the signals received by the copier; 적어도 제1 아암(33) 및 제2 아암(43)을 갖는 광대역 밸룬(34) - 상기 아암들 각각은 상기 복사기에 대해 180도의 위상차를 갖는 한 쌍의 프로브들(16)을 통 해 상기 복사기에 결합됨 - ;Broadband balun 34 having at least a first arm 33 and a second arm 43, each of which is connected to the copier via a pair of probes 16 having a phase difference of 180 degrees relative to the copier. Combined-; 상기 밸룬 및 상기 LNA의 입력에 결합되는 수신 라인(40);A receiving line 40 coupled to the balun and to the input of the LNA; 상기 밸룬 및 상기 HPA의 출력에 결합되는 송신 라인(30);A transmission line 30 coupled to the balun and to the output of the HPA; 상기 집적 모듈이 송신 모드에 놓여 있을 경우, 상기 수신 라인을 접지에 선택적으로 결합시키는 수신 마이크로 전자-기계 시스템(MEMS) 스위치(24); 및A receive micro electro-mechanical system (MEMS) switch 24 for selectively coupling the receive line to ground when the integrated module is in a transmit mode; And 상기 집적 모듈이 수신 모드에 놓여 있을 경우, 상기 송신 라인을 접지에 선택적으로 결합시키는 송신 MEMS 스위치(22)Transmit MEMS switch 22 that selectively couples the transmit line to ground when the integrated module is in a receive mode. 를 포함하는 능동 안테나 복사기 어셈블리.Active antenna copier assembly comprising a. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 송신 라인은, 상기 집적 모듈이 수신 모드에 놓여 있을 경우 상기 송신 MEMS 스위치에서 가상의 단락으로서 기능하도록 구성되며,The transmission line is configured to function as a virtual short at the transmission MEMS switch when the integrated module is in a reception mode, 상기 수신 라인은, 상기 집적 모듈이 송신 모드에 놓여 있을 경우 상기 수신 MEMS 스위치에서 가상의 단락으로서 기능하도록 구성되는 복사기 어셈블리.And the receive line is configured to function as a virtual short at the receive MEMS switch when the integrated module is in a transmit mode.
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