KR100790864B1 - 분산제, 이를 포함한 페이스트 조성물, 이를 사용하여제조되는 무기 소자 및 이를 채용한 표시 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
전단 속도(shear rate) 0.2/sec에서의 점도(cps ) | 전단 속도(shear rate) 1/sec에서의 점도(cps ) | 전단 속도(shear rate) 10/sec에서의 점도(cps ) | |
실시예 2 | 10000 | 10000 | 10500 |
비교예 4 | 10000 | 9000 | 8750 |
비교예 5 | 30000 | 21000 | 19500 |
비교예 6 | 10000 | 11500 | 11688 |
전단 속도(shear rate) 0.2/sec에서의 점도(cps ) | 전단 속도(shear rate) 1/sec에서의 점도(cps ) | 전단 속도(shear rate) 10/sec에서의 점도(cps ) | |
실시예 3 | 7044 | 3852 | 2881 |
비교예 7 | 59270 | 15280 | 7068 |
600℃에서의 잔류 탄소량(%) | |
실시예 1 | 1.37 |
비교예 1 | 9.98 |
비교예 3 | 3.83 |
Claims (63)
- 분지형 알킬기 및 아릴렌기를 포함하는 소수부; 및알킬렌옥사이드기 및 카르복실기를 포함하는 친수부를 포함하는 분산제로서:상기에서,알킬기가 탄소수 5 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알킬기이고,아릴렌기가 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,알킬렌옥사이드기가 탄소수 2 내지 10 의 치환 또는 비치환된 알킬렌 옥사이드기이며,상기 분산제가 하기 <화학식 1>로 표시되는 것을 특징으로 하는 분산제.<화학식 1>R1-A-(OR2)n-(OR3)m-O-(CH2)k-COOH상기 식에서,R1은 탄소수 5 내지 30의 치환 또는 비치환된 분지형 알킬기;A는 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기;R2 및 R3 는 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 5의 치환 또는 비치환된 알킬렌기;K 는 0 내지 4;n 및 m은 각각 독립적으로0 내지 30의 정수; 및,3≤n+m≤30이다.
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- 삭제
- 삭제
- 무기 입자; 및,유기 용매;제 1 항에 따른 분산제를 포함하는 페이스트 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 유기 용매가 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨 아세테이트, 펜테인디올, 다이펜틴, 리모닌, 에틸렌글리콜 알킬 에테르, 디에틸렌글리콜 알킬 에테르, 에틸렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬 에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 트리에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌글리콜 알킬 에테르, 프로필렌글리콜 페닐 에테르, 디프로필렌글리콜 알킬 에테르, 트리프로필렌글리콜 알킬 에테르, 프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 트리프롤필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 프탈산 디메틸, 프탈산 디에틸, 프탈산 디부틸 및 증류수로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 조성물이 무기 입자 100중량부를 기준으로, 유기 용매 24 내지 80 중량부 및 분산제 0.5 내지 3 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 무기 입자가 유리 분말이며;유기 바인더;를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 8 항에 있어서, 상기 유리 분말이 PbO, BaO, SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO, Bi2O3, MgO, Na2O, K2O, TiO2, ZrO2, CuO 및 SnO2 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 8 항에 있어서, 상기 유기 바인더가 셀룰로오스계 수지, 부티랄계 수지, 폴리에틸렌 옥사이드, 아클리레이트계 수지, 비닐계 수지 및 폴리프로필렌 카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 8 항에 있어서, 상기 조성물이 첨가제를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 8 항에 있어서, 상기 조성물이 유리 분말 100중량부를 기준으로, 유기 바인더 3 내지 6 중량부, 유기 용매 21 내지 74 중량부 및 분산제 0.5 내지 3.0 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 12 항에 있어서 상기 조성물이 유리 분말 100 중량부를 기준으로 첨가제 0.1 내지 3 중량부를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 12 항에 있어서, 상기 페이스트 조성물이 온도 25℃, 전단 속도 1sec-1 에서의 점도가 10,000 내지 60,000 cps인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 무기 입자가 형광체이며;유기 바인더;를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 15 항에 있어서, 상기 형광체가 YBO3:Tb, BaMg10Al17:Eu, YGdBO3:Eu 및 Zn2SiO4:Mn으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이 스트 조성물.
- 제 15 항에 있어서, 상기 조성물이 첨가제를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 15 항에 있어서, 상기 형광체 페이스트 조성물이 형광체 100 중량부를 기준으로, 바인더 3 내지 6 중량부, 유기 용매 21 내지 74 중량부 및 분산제 0.5 내지 3 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 15 항에 있어서, 상기 조성물이 형광체 100 중량부를 기준으로 첨가제 0.1 내지 3 중량부를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 5 내지 제 19 항 중 어느 한 항의 페이스트 조성물을 채용한 표시 소자.
- 제 20 항에 있어서, 상기 표시 소자가 플라즈마 디스플레이 소자인 것을 특징으로 하는 표시 소자.
- 제 20 항에 있어서, 상기 표시 소자가 전계 방출 표시 소자인 것을 특징으로 하는 표시 소자.
- 제 5 내지 제 19 항 중 어느 한 항의 페이스트 조성물을 격벽으로 채용한 플라즈마 디스플레이.
- 분지형 알킬기 및 아릴렌기를 포함하는 소수부; 및알킬렌옥사이드기 및 카르복실기를 포함하는 친수부를 포함하는 분산제로서:상기에서,알킬기가 탄소수 5 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알킬기이고,아릴렌기가 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,알킬렌옥사이드기가 탄소수 2 내지 10 의 치환 또는 비치환된 알킬렌 옥사이드기이며,상기 분산제가 하기 <화학식 2>로 표시되는 것을 특징으로 하는 분산제.<화학식 2>상기 식에서,R1은 탄소수 5 내지 30의 치환 또는 비치환된 분지형 알킬기;R2 는 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 5의 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 및,n 은 0 내지 30의 정수이다.
- 무기 입자; 및,유기 용매;제 24 항에 따른 분산제를 포함하는 페이스트 조성물.
- 제 25 항에 있어서, 상기 유기 용매가 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨 아세테이트, 펜테인디올, 다이펜틴, 리모닌, 에틸렌글리콜 알킬 에테르, 디에틸렌글리콜 알킬 에테르, 에틸렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬 에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 트리에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌글리콜 알킬 에테르, 프로필렌글리콜 페닐 에테르, 디프로필렌글리콜 알킬 에테르, 트리프로필렌글리콜 알킬 에테르, 프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 트리프롤필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 프탈산 디메틸, 프탈산 디에틸, 프탈산 디부틸 및 증류수로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 25 항에 있어서, 상기 조성물이 무기 입자 100중량부를 기준으로, 유기 용매 24 내지 80 중량부 및 분산제 0.5 내지 3 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 25 항에 있어서, 상기 무기 입자가 유리 분말이며;유기 바인더;를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 28 항에 있어서, 상기 유리 분말이 PbO, BaO, SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO, Bi2O3, MgO, Na2O, K2O, TiO2, ZrO2, CuO 및 SnO2 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 28 항에 있어서, 상기 유기 바인더가 셀룰로오스계 수지, 부티랄계 수지, 폴리에틸렌 옥사이드, 아클리레이트계 수지, 비닐계 수지 및 폴리프로필렌 카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 28 항에 있어서, 상기 조성물이 첨가제를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 28 항에 있어서, 상기 조성물이 유리 분말 100중량부를 기준으로, 유기 바인더 3 내지 6 중량부, 유기 용매 21 내지 74 중량부 및 분산제 0.5 내지 3.0 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 32 항에 있어서 상기 조성물이 유리 분말 100 중량부를 기준으로 첨가제 0.1 내지 3 중량부를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 32 항에 있어서, 상기 페이스트 조성물이 온도 25℃, 전단 속도 1sec-1 에서의 점도가 10,000 내지 60,000 cps인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 25 항에 있어서, 상기 무기 입자가 형광체이며;유기 바인더;를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 35 항에 있어서, 상기 형광체가 YBO3:Tb, BaMg10Al17:Eu, YGdBO3:Eu 및 Zn2SiO4:Mn으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 35 항에 있어서, 상기 조성물이 첨가제를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 35 항에 있어서, 상기 형광체 페이스트 조성물이 형광체 100 중량부를 기준으로, 바인더 3 내지 6 중량부, 유기 용매 21 내지 74 중량부 및 분산제 0.5 내지 3 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 35 항에 있어서, 상기 조성물이 형광체 100 중량부를 기준으로 첨가제 0.1 내지 3 중량부를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 25 내지 제 39 항 중 어느 한 항의 페이스트 조성물을 채용한 표시 소자.
- 제 40 항에 있어서, 상기 표시 소자가 플라즈마 디스플레이 소자인 것을 특징으로 하는 표시 소자.
- 제 40 항에 있어서, 상기 표시 소자가 전계 방출 표시 소자인 것을 특징으로 하는 표시 소자.
- 제 25 내지 제 39 항 중 어느 한 항의 페이스트 조성물을 격벽으로 채용한 플라즈마 디스플레이.
- 무기 입자; 및,유기 용매;제 44 항에 따른 분산제를 포함하는 페이스트 조성물.
- 제 45 항에 있어서, 상기 유기 용매가 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨 아세테이트, 펜테인디올, 다이펜틴, 리모닌, 에틸렌글리콜 알킬 에테르, 디에틸렌글리콜 알킬 에테르, 에틸렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬 에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 트리에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌글리콜 알킬 에테르, 프로필렌글리콜 페닐 에테르, 디프로필렌글리콜 알킬 에테르, 트리프로필렌글리콜 알킬 에테르, 프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 트리프롤필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 프탈산 디메틸, 프탈산 디에틸, 프탈산 디부틸 및 증류수로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 45 항에 있어서, 상기 조성물이 무기 입자 100중량부를 기준으로, 유기 용매 24 내지 80 중량부 및 분산제 0.5 내지 3 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 45 항에 있어서, 상기 무기 입자가 유리 분말이며;유기 바인더;를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 48 항에 있어서, 상기 유리 분말이 PbO, BaO, SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO, Bi2O3, MgO, Na2O, K2O, TiO2, ZrO2, CuO 및 SnO2 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 48 항에 있어서, 상기 유기 바인더가 셀룰로오스계 수지, 부티랄계 수지, 폴리에틸렌 옥사이드, 아클리레이트계 수지, 비닐계 수지 및 폴리프로필렌 카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 48 항에 있어서, 상기 조성물이 첨가제를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 48 항에 있어서, 상기 조성물이 유리 분말 100중량부를 기준으로, 유기 바인더 3 내지 6 중량부, 유기 용매 21 내지 74 중량부 및 분산제 0.5 내지 3.0 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 52 항에 있어서 상기 조성물이 유리 분말 100 중량부를 기준으로 첨가제 0.1 내지 3 중량부를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 52 항에 있어서, 상기 페이스트 조성물이 온도 25℃, 전단 속도 1sec-1 에서의 점도가 10,000 내지 60,000 cps인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 45 항에 있어서, 상기 무기 입자가 형광체이며;유기 바인더;를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 55 항에 있어서, 상기 형광체가 YBO3:Tb, BaMg10Al17:Eu, YGdBO3:Eu 및 Zn2SiO4:Mn으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 55 항에 있어서, 상기 조성물이 첨가제를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 55 항에 있어서, 상기 형광체 페이스트 조성물이 형광체 100 중량부를 기준으로, 바인더 3 내지 6 중량부, 유기 용매 21 내지 74 중량부 및 분산제 0.5 내지 3 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 55 항에 있어서, 상기 조성물이 형광체 100 중량부를 기준으로 첨가제 0.1 내지 3 중량부를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
- 제 45 내지 제 59 항 중 어느 한 항의 페이스트 조성물을 채용한 표시 소자.
- 제 60 항에 있어서, 상기 표시 소자가 플라즈마 디스플레이 소자인 것을 특징으로 하는 표시 소자.
- 제 60 항에 있어서, 상기 표시 소자가 전계 방출 표시 소자인 것을 특징으로 하는 표시 소자.
- 제 45 내지 제 59 항 중 어느 한 항의 페이스트 조성물을 격벽으로 채용한 플라즈마 디스플레이.
Priority Applications (2)
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JP2006181612A JP2007007648A (ja) | 2005-06-30 | 2006-06-30 | 分散剤、それを含むペースト組成物、及びそれを使用して製造される無機素子、並びにそれを含むディスプレイ装置 |
US11/480,186 US7662317B2 (en) | 2005-06-30 | 2006-06-30 | Dispersant, paste composition including the dispersant, inorganic device using the paste composition, and display apparatus including the inorganic device |
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
KR1020050135838A KR100790864B1 (ko) | 2005-06-30 | 2005-12-30 | 분산제, 이를 포함한 페이스트 조성물, 이를 사용하여제조되는 무기 소자 및 이를 채용한 표시 소자 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8641927B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4405413A (en) * | 1982-05-20 | 1983-09-20 | The Harshaw Chemical Company | Blush-free acid zinc electroplating baths and process |
KR20010037347A (ko) * | 1999-10-15 | 2001-05-07 | 성재갑 | 평판표시장치용 격벽 페이스트 조성물 및 이를 이용한 격벽의 제조방법 |
-
2005
- 2005-12-30 KR KR1020050135838A patent/KR100790864B1/ko active IP Right Grant
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US8641927B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste |
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