[go: up one dir, main page]

KR100788265B1 - 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100788265B1
KR100788265B1 KR1020060136436A KR20060136436A KR100788265B1 KR 100788265 B1 KR100788265 B1 KR 100788265B1 KR 1020060136436 A KR1020060136436 A KR 1020060136436A KR 20060136436 A KR20060136436 A KR 20060136436A KR 100788265 B1 KR100788265 B1 KR 100788265B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
sub
emitting device
vertical light
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020060136436A
Other languages
English (en)
Inventor
표병기
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020060136436A priority Critical patent/KR100788265B1/ko
Priority to PCT/KR2007/006465 priority patent/WO2008082098A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100788265B1 publication Critical patent/KR100788265B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8582—Means for heat extraction or cooling characterised by their shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 도전성 재질의 열전달 슬러그와, 절연성 재질로 상부에 도전층을 구비하며 상기 열전달 슬러그 위에 탑재되는 적어도 하나 이상의 서브 마운트 기판과, 상기 각 서브 마운트 기판의 도전층 위에 탑재되며 상부 및 하부에 각각 전극이 형성된 적어도 하나 이상의 수직형 발광소자와, 상기 수직형 발광소자의 하부 전극이 전기적으로 연결된 상기 서브 마운트 기판의 도전층과 상기 각 수직형 발광소자의 상부 전극에 와이어 본딩을 통해 각각 전원을 공급하는 적어도 하나 이상의 전원 공급 리드를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명에 의하면, 다수개의 수직형 발광소자를 각각 서브 마운트 기판을 이용하여 열전달 슬러그에 배치한 상태에서 각 수직형 발광소자에 공급되는 전원을 개별적으로 조절할 수 있어 다양한 색상의 광을 방출할 수 있는 풀 컬러 발광 다이오드 패키지를 제작할 수 있다.
발광소자, LED, 수직형, 서브마운트기판, 슬러그, 열전달

Description

다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE HAVING A PLURALITY OF VERTICAL LIGHT EMITTING DEVICE}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 수직형 발광소자가 장착된 서브 마운트 기판을 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구성을 보여주는 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1, 2, 3 : 수직형 발광소자 1a : 상부 전극
1b : 하부 전극 10, 20, 30 : 서브 마운트 기판
11 : 기판층 12 : 도전층
13 : 본딩용 패드 40 : 열전달 슬러그
51 - 56 : 전원 공급 리드 70 : 와이어
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 상세하게는 다수개의 수직형 발광소자를 서브 마운트 기판을 이용하여 열전달 슬러그에 배치한 상태에서 각 수직형 발광소자에 공급되는 전원을 개별적으로 조절할 수 있게 하여 다양한 색상의 광을 방출할 수 있도록 하는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
종래의 풀 컬러(full color) 고출력 발광 다이오드 패키지 기술에는 원본딩 발광소자로 불리는 수직형 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED를 사용하여 구현하는 경우가 있다.
적색, 녹색, 청색 LED를 모두 수직형 발광소자를 사용할 경우 적색, 녹색, 청색 LED를 한 방열 구조에 다이 본딩하고 와이어 본딩으로 4개의 단자를 사용하였다. 이때, 4개의 단자 중 하나의 단자는 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)가 되었다.
이러한 경우 LED를 사용하는 사람들이 적색, 청색, 녹색을 자유롭게 구동하기 위해서는 회로가 복잡해지게 되는 단점이 있다.
종래의 풀 컬러(full color) 고출력 발광 다이오드 패키지 기술의 다른 형태로는 원본딩 또는 투본딩 적색 LED, 투본딩 녹색 LED 및 청색 LED를 사용하는 형태가 있다.
이러한 경우 한 방열구조에 적색, 녹색, 청색 LED를 다이 본딩하고 공통단자 1개를 포함한 4개의 단자를 사용하거나 혹은 각 LED마다 개별단자 2개씩을 가진 6개의 단자를 사용하여 와이어 본딩을 통해 발광 다이오드 패키지를 구성하였다.
그러나, 일반적으로 투본딩 LED는 사파이어 기판을 기반으로 제작됨에 따라 열방출 효율이 떨어지고, 사파이어 기판위에 만들어진 녹색 LED와 청색 LED는 정전기에 약하여 별도로 제너 다이오드를 구비해야 하는 번거로움이 있다. 정전기를 막기 위해 제너 다이오드를 구비하게 되면 제조가격이 상승하고 공정도 복잡해지는 문제점이 있다.
본 발명은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 다수의 수직형 발광소자를 구비하면서도 각 수직형 발광소자를 개별적으로 구동시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 발광 다이오드 패키지에 있어서, 도전성 재질의 열전달 슬러그와, 절연성 재질로 상부에 도전층을 구비하며 상기 열전달 슬러그 위에 탑재되는 적어도 하나 이상의 서브 마운트 기판과, 상기 각 서브 마운트 기판의 도전층 위에 탑재되며 상부 및 하부에 각각 전극이 형성된 적어도 하나 이상의 수직형 발광소자와, 상기 수직형 발광소자의 하부 전극이 전기적으로 연결된 상기 서브 마운트 기판의 도전층과, 상기 각 수직형 발광소자의 상부 전극에 와이어 본딩을 통해 각각 전원을 공급하는 적어도 하나 이상의 전원 공급 리드를 포함하는 발광 다이오드 패키지가 제공된다.
바람직하게 상기 전원 공급 리드는 상기 각 서브 마운트 기판마다 한 쌍씩 구비될 수 있다.
바람직하게 상기 적어도 하나 이상의 수직형 발광소자는 서로 다른 색상의 광을 방출하는 적어도 하나 이상의 발광 다이오드일 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 수직형 발광소자가 장착된 서브 마운트 기판을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면 서브 마운트 기판(10)위에는 수직형 발광소자(1)가 탑재된다.
수직형 발광소자(1)는 상부 전극(1a) 및 하부 전극(1b)을 구비하고 있으며, 그 사이에는 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층의 발광 구조를 가지고 있다.
슬러그 및 리드 전극을 구비하는 고출력 발광 다이오드 패키지에 수직형 발광소자가 실장될 때, 일반적으로 수직형 발광소자는 도전성 재질의 열전달 슬러그에 탑재되며, 하부 전극은 도전성 열전달 슬러그를 통해 전원과 연결되며 상부 전 극은 와이어 본딩을 통해 전원과 접속된 리드 전극과 연결된다.
따라서, 수직형 발광소자(1)는 원본딩 칩이라고도 불리며, 상부에 두 개의 전극이 형성되어 두 개의 본딩작업이 필요한 투본딩 칩과 구별된다.
수직형 발광소자(1)는 상부 전극과 하부 전극에 전원이 공급되면 활성층에서 광이 형성되어 외부로 방출된다.
이러한 수직형 발광소자(1)는 다양한 방법에 의해 제작될 수 있다.
예를 들어, 수직형 발광소자(1)는 도전성 기판 위에, 버퍼층, 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층을 차례대로 적층한 후 제 2 도전형 반도체층 위에 상부 전극을 형성하여 제작될 수 있다.
다른 형태로는 기판 위에 버퍼층, 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층을 차례대로 적층한 후 레이저를 기판에 조사하여 기판을 분리한 후 제 1 도전형 반도체층에 하부 전극을 형성하고, 제 2 도전형 반도체층에 상부 전극을 형성하여 제작될 수 도 있다.
서브 마운트 기판(10)은 절연성 재질로 이루어져 있다. 예를 들어 서브 마운트 기판(10)은 AlN 또는 SiC로 이루어질 수 있다. 이외에도 절연성 재질의 다양한 기판이 사용될 수 있으며, 열전도성이 뛰어난 기판이면 더욱 바람직하다.
도면에서는 서브 마운트 기판(10)이 사각형 형상으로 도시되어 있지만, 서브 마운트 기판(10)의 형태와 크기, 두께는 다양하게 변형이 가능하다.
서브 마운트 기판(10)의 상부에는 일정한 두께의 도전층(12)이 형성된다.
도전층(12)은 Ag, Al, Au, AuSn, Ni, W 등의 전도성 금속으로 이루어질 수 있다.
따라서, 서브 마운트 기판(10)은 절연성 재질의 기판층(11)과 도전층(12)으로 이루어진다. 도전층(12)위에 수직형 발광소자(1)가 탑재된다. 따라서, 수직형 발광소자(1)의 하부 전극(1b)은 도전층(12)위에 전기적으로 접속되어 있다.
아울러, 도전층(12)은 외부 전원과 접속된 리드 전극과 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결되어 진다.
도전층(12)위에는 본딩용 패드(13)가 형성되어 있다. 리드 전극과 접속되도록 도전층(12)에 직접 와이어 본딩할 수 도 있지만, 본딩용 패드(13)를 사용하면 도전층(12)과 리드 전극의 와이어 본딩 작업이 쉬워지고 견고하게 할 수 있다.
서브 마운트 기판(10)에 형성되는 본딩용 패드(13)의 위치와 형태는 얼마든지 변형이 가능하다.
서브 마운트 기판(10)의 기판층(11)이 절연 재질로 되어 있음에 따라 수직형 발광소자(1)가 서브 마운트 기판(10)에 탑재된 상태에서 도전성 재질의 열전달 슬러그에 장착된다고 하더라도 수직형 발광소자(1)는 해당 열전달 슬러그와 전기적으로 단절될 수 있게 된다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 적색 LED(1)와 녹색 LED(2)와 청색 LED(3)가 각각 탑재된 서브 마운트 기판(10, 20, 30)과, 열전달 슬러그(40)와, 전원 공급 리드(51 - 56)를 포함하여 구성된다.
도면에는 발광 다이오드 패키지의 구체적인 하우징 구조를 도시하지 않고, 하우징내에 설치되는 서브 마운트 기판(10, 20, 30)과, 열전달 슬러그(40)와, 전원 공급 리드(51 - 56)만을 선택적으로 도시하였다. 여기에서 하우징 구조를 생략하고 그 하우징내에 구비되는 각 구성요소들만을 선택적으로 도시한 것은 해당 구성요소의 결합 관계를 좀더 용이하게 설명하기 위한 것이며 도면에 도시된 각 구성요소들이 일정한 형태의 하우징 구조내에 결합되어 패키지화되는 것은 일반적인 사항이라 할 것이다.
서브 마운트 기판(10, 20, 30)은 절연성 재질로 이루어져 있으며, 상부에 도전층이 형성되어 있고, 도전층 위에 적색 LED(1)와 녹색 LED(2)와 청색 LED(3)가 각각 탑재되어 있다.
각 서브 마운트 기판(10, 20, 30)에 탑재되는 적색 LED(1)와 녹색 LED(2)와 청색 LED(3)는 수직형 발광소자이다.
열전달 슬러그(40)는 열전도성이 높은 재질이 사용되며, 도전성 재질을 사용하는 것이 바람직하다.
전원 공급 리드(51 -56)는 각 서브 마운트 기판(10, 20, 30)마다 한 쌍씩 구비되어 있다.
따라서, 제 1 전원 공급 리드(51)와 제 4 전원 공급 리드(54)는 적색 LED(1)가 탑재된 제 1 서브 마운트 기판(10)에 와이어(70)를 통해 연결되고, 제 2 전원 공급 리드(52)와 제 5 전원 공급 리드(55)는 녹색 LED(2)가 탑재된 제 2 서브 마운트 기판(20)에 와이어(70)를 통해 연결되고, 제 3 전원 공급 리드(53)와 제 6 전원 공급 리드(56)는 청색 LED(3)가 탑재된 제 3 서브 마운트 기판(30)에 와이어(70)를 통해 연결된다.
제 1 서브 마운트 기판(10)과 제 2 서브 마운트 기판(20)과 제 3 서브 마운트 기판(30)이 열전달 슬러그(40)에 배치되는 위치와 서로 이격되는 간격은 얼마든지 변형이 가능하다.
적색 LED(1)와 녹색 LED(2)와 청색 LED(3)는 절연성 재질의 서브 마운트 기판(10, 20, 30)에 탑재되어 열전달 슬러그(40)에 배치됨에 따라 각 LED간에는 전기적으로 단절되어 있다.
또한, 각 서브 마운트 기판(10)마다 한 쌍의 전원 공급 리드(51 - 56)가 구비되어 있음에 따라 각 전원 공급 리드(51 - 56)에 별도의 전원을 공급할 수 있으며, 이로 인해 적색 LED(1)와 녹색 LED(2)와 청색 LED(3)는 개별적으로 동작할 수 있다.
예를 들어, 제 1 전원 공급 리드(51)와 제 4 전원 공급 리드(54)에만 전원을 공급하고 나머지 전원 공급 리드(52, 53, 55, 56)에 전원을 공급하지 않으면 적색 LED(1)만 동작하여 적색광을 방출할 수 있다.
한편, 제 2 전원 공급 리드(52)와 제 5 전원 공급 리드(55)에만 전원을 공급하고 나머지 전원 공급 리드(51, 53, 54, 56)에 전원을 공급하지 않으면 녹색 LED(2)만 동작하여 녹색광을 방출할 수 있다.
한편, 제 3 전원 공급 리드(53)와 제 6 전원 공급 리드(56)에만 전원을 공급하고 나머지 전원 공급 리드(51, 52, 54, 55)에 전원을 공급하지 않으면 청색 LED(3)만 동작하여 청색광을 방출할 수 있다.
아울러, 제 1 전원 공급 리드(51) 내지 제 6 전원 공급 리드(56)에 적절하게 전원을 공급하면 적색 LED(1)와 녹색 LED(2)와 청색 LED(3)가 전체적으로 동작하여 백색광을 방출할 수 도 있다.
그 외에도 제 1 전원 공급 리드(51) 내지 제 6 전원 공급 리드(56)에 공급되는 전원을 개별적으로 조절하여 원하는 색상의 광을 만들어 낼 수 있다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
예를 들어, 본 발명의 일실시예에서는 서브 마운트 기판은 각 수직형 발광소자가 탑재된 상태에서 열전달 슬러그 위에 서로 이격되어 설치되어 있다.
그러나, 서브 마운트 기판을 하나의 기판으로 하여 열전달 슬러그에 형성하고, 하나의 기판위에 각각의 수직형 발광소자가 서로 전기적으로 이격되어 탑재되도록 할 수 있다. 즉, 절연성 재질의 상부에 도전층을 형성할 때 도전층을 서로 이격되게 형성한 다음 전기적으로 분리된 각 도전층 위에 각 수직형 발광소자를 탑재하는 형태로 변형이 가능하다.
본 발명에 의하면, 다수개의 수직형 발광소자를 서브 마운트 기판을 이용하여 열전달 슬러그에 배치한 상태에서 각 수직형 발광소자에 공급되는 전원을 개별 적으로 조절할 수 있어 다양한 색상의 광을 방출할 수 있는 풀 컬러 발광 다이오드 패키지를 제작할 수 있다.
또한, 풀 컬러 발광 다이오드 패키지를 구현함에 있어 각 발광소자를 투본딩 발광소자에 비하여 열방출 효율이 비교적 좋은 수직형 발광소자를 사용함에 따라 발광 다이오드 패키지의 열적 안정성이 향상되고, 그로 인해 광출력이 개선된 풀 컬러 고출력 발광 다이오드를 제작할 수 있다.
또한, 풀 컬러 고출력 발광 다이오드 패키지를 구현함에 있어 각 발광소자를 투본딩 발광소자에 비하여 비교적 정전기에 강한 수직형 발광소자를 사용함에 따라 발광 다이오드 패키지의 전기적인 안정성이 향상되고, 그로 인해 수명이 긴 풀 컬러 고출력 발광 다이오드를 제작할 수 있다.

Claims (7)

  1. 발광 다이오드 패키지에 있어서,
    도전성 재질의 열전달 슬러그와,
    절연성 재질로 상부에 도전층을 구비하며 상기 열전달 슬러그 위에 탑재되는 적어도 하나 이상의 서브 마운트 기판과,
    상기 각 서브 마운트 기판의 도전층 위에 탑재되며 상부 및 하부에 각각 전극이 형성된 적어도 하나 이상의 수직형 발광소자와,
    상기 수직형 발광소자의 하부 전극이 전기적으로 연결된 상기 서브 마운트 기판의 도전층과, 상기 각 수직형 발광소자의 상부 전극에 와이어 본딩을 통해 각각 전원을 공급하는 적어도 하나 이상의 전원 공급 리드를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 전원 공급 리드는 상기 각 서브 마운트 기판마다 한 쌍씩 구비되는 발광 다이오드 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 수직형 발광소자는 서로 다른 색상의 광을 방출하는 적어도 하나 이상의 발광 다이오드인 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 서브 마운트 기판은 AlN 또는 SiC로 이루어진 발광 다이오드 패키지.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 도전층은 Ag, Al, Au, AuSn, Ni, W으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 재질로 이루어진 발광 다이오드 패키지.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 서브 마운트 기판은 각 수직형 발광소자가 탑재된 상태에서 상기 열전달 슬러그 위에 서로 이격되어 설치되는 발광 다이오드 패키지.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 서브 마운트 기판은 하나의 기판으로 이루어지며, 상기 하나의 기판위에 상기 적어도 하나 이상의 수직형 발광소자가 서로 전기적으로 이격되어 탑재되어 있는 발광 다이오드 패키지.
KR1020060136436A 2006-12-28 2006-12-28 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지 Expired - Fee Related KR100788265B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060136436A KR100788265B1 (ko) 2006-12-28 2006-12-28 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지
PCT/KR2007/006465 WO2008082098A1 (en) 2006-12-28 2007-12-12 Light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060136436A KR100788265B1 (ko) 2006-12-28 2006-12-28 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100788265B1 true KR100788265B1 (ko) 2007-12-27

Family

ID=39147887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060136436A Expired - Fee Related KR100788265B1 (ko) 2006-12-28 2006-12-28 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100788265B1 (ko)
WO (1) WO2008082098A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060002282A (ko) * 2004-07-01 2006-01-09 서울반도체 주식회사 일체형 열전달 슬러그가 형성된 발광다이오드 패키지 및그 제조방법
KR20060002326A (ko) * 2004-07-01 2006-01-09 서울반도체 주식회사 방열효율이 향상된 단색 고출력 발광다이오드 패키지

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19861398B4 (de) * 1997-10-03 2010-12-09 Rohm Co. Ltd., Kyoto Licht abstrahlende Halbleitervorrichtung
KR100419611B1 (ko) * 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
US7994526B2 (en) * 2003-05-28 2011-08-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060002282A (ko) * 2004-07-01 2006-01-09 서울반도체 주식회사 일체형 열전달 슬러그가 형성된 발광다이오드 패키지 및그 제조방법
KR20060002326A (ko) * 2004-07-01 2006-01-09 서울반도체 주식회사 방열효율이 향상된 단색 고출력 발광다이오드 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008082098A1 (en) 2008-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100788265B1 (ko) 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지
US10326059B2 (en) Thin film light emitting diode
JP4325412B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
US9472743B2 (en) Light emitting diode package
US7473934B2 (en) Semiconductor light emitting device, light emitting module and lighting apparatus
US7777237B2 (en) Semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same
US8129917B2 (en) Light emitting device for AC operation
JP5528794B2 (ja) 交流駆動型発光装置
JP2011216891A (ja) 発光素子パッケージ及び照明システム
US20110284883A1 (en) Semiconductor light-emitting element, light-emitting device, luminaire, display unit, traffic signal lamp unit, and traffic information display unit
JP2013540362A (ja) 発光素子および発光方法
JP2011187962A (ja) 発光装置
JP2010157738A (ja) 発光素子パッケージ
EP2355196B1 (en) Light emitting device package, method of manufacturing the same, and lighting system
US7858991B2 (en) Light emitting device with magnetic field
KR100849828B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20030073054A (ko) 반도체 엘이디 소자 및 그 제조 방법
KR101104760B1 (ko) 발광 장치
KR20060069375A (ko) 반도체 엘이디 소자 및 그 제조 방법
KR101119015B1 (ko) 발광 장치
KR100447029B1 (ko) 반도체 엘이디 소자 및 그 제조 방법
JP2004200277A (ja) 複合発光素子
KR101104767B1 (ko) 발광 장치
JP2016096322A (ja) 発光装置
KR101104763B1 (ko) 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20061228

PA0201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20071211

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20071217

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20071218

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20101027

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110927

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120917

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120917

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130911

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130911

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140912

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140912

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150902

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150902

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160907

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160907

Start annual number: 10

End annual number: 10

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20200928