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KR100784057B1 - 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법 - Google Patents

발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법 Download PDF

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KR100784057B1
KR100784057B1 KR1020060050611A KR20060050611A KR100784057B1 KR 100784057 B1 KR100784057 B1 KR 100784057B1 KR 1020060050611 A KR1020060050611 A KR 1020060050611A KR 20060050611 A KR20060050611 A KR 20060050611A KR 100784057 B1 KR100784057 B1 KR 100784057B1
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Abstract

본 발명에서는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법에 관해 개시된다.
본 발명에 따른 발광소자 패키지 제조방법은 베이스를 준비하는 단계와, 상기 베이스에 홀을 형성하는 단계와, 상기 베이스에 발광부를 형성하는 단계와, 상기 발광부의 상측에 몰드 다이를 위치시키는 단계와, 상기 홀에 몰딩 재료를 주입하는 단계와, 상기 몰드 다이를 제거하는 단계가 포함된다.
트랜스퍼 몰딩, LED

Description

발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법{Light emitting device package and mauufacture method of light emitting device package}
도 1은 종래 기술에 따른 LED 판넬의 구조를 도시한 측단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 내부 구조를 도시한 측단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 상기 발광소자가 절연층 상에 실장된 경우의 발광소자 패키지의 내부 구조를 도시한 측단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자가 실장되기 전의 PCB의 형태를 도시한 상면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자가 실장된 후의 PCB의 형태를 도시한 상면도 및 측면도.
도 6 내지 도 8은 몰딩부의 형성을 위해 PCB에 홀이 형성된 것을 도시한 도면.
도 9 내지 도 10은 몰딩부의 형성을 위해 몰드 다이가 형성되고 몰딩 재료가 주입되는 것을 설명하는 도면.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 발광소자가 트랜스퍼 몰딩된 후의 형태를 도시한 상면도 및 측면도.
도 12은 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지에 확산판이 구비된 후의 형태를 도시한 상면도 및 측면도.
도 13과 도 14는 트랜스퍼 몰딩의 다른 실시예를 설명하는 도면.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 사이드 에미터형 몰딩부의 배광 측정 데이터를 예시한 그래프.
본 발명에서는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법에 관해 개시된다.
반도체 발광소자로는 LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)를 들 수 있는데, 이는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 자외선의 형태로 변환하는 소자이다.
LED는 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 종류는 크게 IRED(Infrared Emitting Diode)와 VLED(Visible Light Emitting Diode)로 나뉘어 진다. 상기 LED의 구조는 다음과 같다.
청색 LED는 사파이어 기판 상에 N형 GaN 층이 형성되고, 상기 N형 GaN 층 표면의 일측 상에 N-메탈이 있고, 상기 N-메탈이 형성된 영역 이외에 활성층이 형성되어 있다.
그리고, 상기 활성층 상에 P형 GaN 층이 형성되고, 상기 P형 GaN 층 상에 P- 메탈이 형성되어져 있다. 상기 활성층은 P 메탈을 통하여 전송되어 오는 정공과 N 메탈을 통하여 전송해오는 전자가 결합하여 광을 발생시키는 층이다.
한편, 평판표시장치(flat pannel display)의 일종인 LCD(Liquid Crystal Display; 액정표시장치)는 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질이 공존하는 액정에 전계를 가하여 액정의 광학적 이방성을 변화시키는 장치로서, 음극선관에 비하여 소비전력이 낮고 부피가 작은 이점이 있으며 대형화 및 고정세화가 가능하여 널리 사용되고 있다.
이러한 LCD는 크게 LCD판넬, 백라이트, 인쇄회로기판 및 모듈홀더로 구성되는데, 상기 LCD 판넬은 투명 전극 패턴 및 화소전극이 스위칭 소자와 연결되어 있는 하측 액정 기판과, 공통 전극이 형성되어 있는 상측 액정기판으로 구성되며, 상기 상측 및 하측 기판 사이에는 액정이 밀봉되어 있다. 그리고, 상기 백라이트는 상기 LCD 판넬에 광원을 제공하는 장치로서, 주로 발광소자(LED) 패키지를 배열하여 제작된 LED 판넬이 사용된다.
상기 인쇄회로기판은 집적전력모듈과 같은 전원공급 및 제어용 모듈을 구비하는 장치이고, 상기 모듈홀더는 이들 구성부를 사각 프레임에 고정시키는 역할을 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 LED 판넬(10)의 구조를 도시한 측단면도이다.
먼저, 측벽이 있는 사각형상의 프레임(11) 내부 하측에 발광소자(12) 및 도전배선(14)이 형성된 PCB(15)가 부착되어 있고, 상기 발광소자(12)의 빛을 분산시키기 위한 에폭시 몰딩층(13)이 프레임(11) 내측에 형성되어 있으며, 상기 프레 임(11)의 상측면에 확산판(16)이 접착되어있다. 이때, 상기 확산판(16)과 발광소자(12)의 거리는 통상 5mm 이상으로 형성되어야 휘도가 증가된다.
상기한 바와 같이 종래 기술에 따른 LED 판넬(10)은, 발광소자(12) 측으로 난반사되는 빛을 활용하지 못하며, 확산판(16)과 발광소자(12)와의 거리를 5mm 이상으로 유지하여야 하므로 LED 판넬(10)의 경박화가 어려운 문제점이 있다.
또한, 이와 같이 LED 판넬(10)을 구성하는 발광소자(12)는 높은 출력의 광을 얻기 위해서 전류의 크기를 높일 경우에는 패키지내의 방열 성능이 좋지 않아 높은 열이 발생하는 문제가 있고, 이와 같이 패키지 내부에 높은 열이 방열되지 않은 채 그대로 존재할 경우 저항이 매우 높아져 광효율이 저하된다.
특히, 종래의 LED 판넬(10)은 특정한 방향(가령, 상측)으로만 빛을 방출시키는 발광소자(12)를 상호간 광 영향 없이 개별적으로 산재하여 배치시키는 구조를 가지므로 R,G,B 색상을 혼합하여 백색광을 표시하기에는 불리한 문제점이 있다.
본 발명은 몰딩부를 트랜스퍼 몰딩 기법으로 형성함으로써 제조 공정이 간단한 발광소자 패키지를 제공한다.
또한, 본 발명은 PCB상에 바로 LED칩이 실장되고 트랜스퍼 몰딩 기법으로 몰딩부가 형성됨으로써 LED칩으로부터 발생되는 열을 외부로 쉽게 방출시키고, 광손실을 최소화하는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법을 제공한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2에 의하면, 상기 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 베이스와 상기 베이스의 상측에 실장되는 발광부 및 상기 발광부에 형성된 몰딩부가 포함되어 구성된다.
상기 베이스는 PCB(110), 절연층(120), 회로층(130)이 포함될 수 있다.
상기 PCB(110)는 메탈 PCB로써, MCPCB((Metal Core Printed Circuit Board)로 형성될 수 있고, 상기 PCB(110)는 상기 회로층(130) 및 절연층(120)과 같은 다른 구성부들을 상측에 실장시켜 지지한다.
그리고, 상기 PCB(110)는 상기 발광부로부터 발생되는 열을 저면측으로 방출한다.
상기 발광부는 발광소자(150)와, 상기 베이스에 형성된 전극(140)과, 상기 발광소자(150)와 상기 전극(140)이 전기적으로 연결되도록 하는 와이어(160)가 포함될 수 있다.
상기 발광소자(150)는 접착부재를 통하여 PCB(110)에 직접 실장될 수도 있으며, 상기 PCB(110) 상측에 형성된 절연층(120) 상에 실장될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 다른 실시예를 도시한 도면으로써, 발광소자(150)가 절연층(120)상에 실장된 것이 도시되어 있다.
이하에서, 도 4 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)가 제조되는 방법을 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 LCD의 백라이트 광원으로 사용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자가 실장되기 전의 PCB의 형태를 도시한 상면도이다.
도 4에 의하면 발광소자(150)들이 형성되는 위치에 회로층(130)과 절연층(120)이 제거되어 있고, 그 주변에 전극(140)이 구비된 구조가 다수개로 형성되어 있는 것을 볼 수 있다.
상기 PCB(110)는 알루미늄, 구리 등의 열전도율이 높은 금속으로 포함되어 형성될 수 있고, 압착된 반도체 계열의 재질로 형성되거나 열전달물질이 도포되어 열방출 기능이 향상되도록 형성될 수 있다.
우선, 상기 PCB(110) 상에 상기 절연층(120)이 적층되는데, 절연층(120)은 회로층(130)과 PCB(110) 사이를 전기적으로 절연시키는 층으로서, 전술한 바와 같이 발광소자(150)가 실장되는 영역이 제거되어 적층되는 구조를 가진다.
이어서, 상기 절연층(120) 상에 회로층(130)이 적층되며, 이때 회로층(130)은 절연층(120)과 같이 발광소자(150)가 실장되는 영역이 제거되어 적층된다.
한편, 도 3에서 제시된 실시예에 따를 때, 상기 절연층(120)은 제거되지 않고 절연층(120)의 상측에 발광소자(150)가 실장될 수도 있다.
본 발명의 실시예에 의한 발광소자 패키지(100)상에는 개별 모듈화한 발광소자(150)가 다수개로 구비되므로 상기 회로층(130)에는 상기 발광소자(150)들의 배열을 위한 회로가 구성된다.
상기 발광소자(150)가 위치되는 부분이 제거된 회로층(130)의 끝단에는 상기 발광소자(150)와 회로층(130)이 전기적으로 연결되는 전극(140)이 위치되어 상호 와이어(160)로 연결된다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자가 실장된 후의 PCB의 형태를 도시한 상면도 및 측면도이다.
상기 발광부는 화합물 반도체로 이루어지는 발광소자(150)와, 전류를 전달하는 전극(140)을 구비하여 상기 회로층(130)과 와이어(160)에 의해 도전 배선된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 발광소자 패키지(100)는 COB(Chip On Board) 개념으로서, PCB(110)에 바로 실장됨으로써 열방출 효과를 극대화할 수 있다.
또한, 상기 발광소자(150)는 LED칩으로서 SiOB(Silicon Optical Bench)칩, 붉은색 LED칩, 녹색 LED칩, 청색 LED칩, 황색 LED칩, 오렌지색 LED칩 등으로 구비될 수 있다. 상기 SiOB칩은 기판에 컵모양의 공간을 에칭하고 그 내부로 LED를 실장한 칩을 의미한다.
이때, 본 발명에 의한 발광소자 패키지(100)는 우수한 색혼합 특성을 가지므로 종래와는 달리 보다 다양한 LED칩 배열을 가질 수 있다.
상기 절연층(120)과 회로층(130)이 적층된 후, PCB(110) 상에 발광소자(150)가 본딩되고, 발광소자(150) 및 전극(140)이 와이어(160)로 연결되고, 그 위로 몰딩부(170)가 형성된다. 이때 상기 몰딩부(170)는 렌즈 구조물 또는 몰딩 지지물과 같은 부가적인 구조물을 구비하지 않고 트랜스퍼 몰딩 기법을 사용하여 형성되므로 열방출 효과는 더욱 좋아진다.
상기 트랜스퍼 몰딩 기법에 따른 몰딩부(170)의 형성에 대해 보다 상세히 설명하도록 한다.
여기서 트랜스퍼 몰딩이란 일정한 형태로 음각한 몰드 다이(die)에 점도를 가지는 컴파운드를 열과 압을 이용하여 채워넣은 후 경화시키는 몰딩 방법을 의미한다.
도 6과 도 7은 몰딩부의 형성을 위해 PCB에 홀을 형성한 것을 설명하는 도면이다. 도 6과 도 7에 도시된 바와 같이, 하나의 몰딩부(170)의 형성을 위해 두개의 홀(180)이 PCB(110)에 형성한다.
도 8에는 상기 PCB(110)의 하측에서 바라본 홀(180)의 형상이 도시되어 있다.
PCB(110)에 홀(180)을 형성한 상태에서 도 9에 도시된 바와 같이 몰딩부(170)의 형상을 음각한 몰드 다이(190)를 PCB(110) 상측에 위치시킨다.
그리고, 도 10에 도시된 바와 같이, PCB(110)에 형성된 홀(180)을 통해 애폭시 또는 실리콘과 같은 몰딩 재료를 주입한다.
하나의 몰딩부(170)의 형성을 위해서는 두개의 홀(180)을 필요로 하는데, 하나의 홀(180)을 통해서 몰딩 재료를 주입하고 다른 하나의 홀(180)을 통해 몰드 다이(190) 내부의 공기가 몰딩 재료의 주입에 따라 배출된다.
그리고, 도 11에 도시된 바와 같이, 몰드 다이(190)를 제거하면 하면 몰딩부(170)가 완성된다. 이 때, PCB(110)에 형성된 홀(180)의 적어도 일부분에는 몰딩 재료가 채워질 수 있다.
이와 같이, 상기 몰딩부(170)는 회로층(130)과 절연층(120) 상에서 상기 발광소자(150) 및 전극(140)을 덮도록 트랜스퍼 몰딩된다.
따라서, 몰딩부(170)는 별도의 몰딩 지지물을 구비할 필요가 없으며, 몰딩부(170)가 렌즈 역할을 하게 되므로 렌즈 구조물을 별도로 장착할 필요가 없다. 즉, 렌즈를 구조물에 끼워 넣어 광의 진행 경로를 변경시키는 종래의 방식과는 달리 본 발명에서 몰딩부(170)는 하나의 구조물로서 최소의 공정을 통하여 구현가능하다.
한편, 상기 몰딩부(170)는 전술한 대로 사이드 에미터형 구조를 가질 뿐만 아니라 탑 에미터형 구조로서 트랜스퍼 몰딩될 수 있으며, 이러한 경우 그 상부가 돔형 또는 편평형으로 형성되고, 또한 측면은 편평한 면을 형성하여 직육면체 기둥형 구조를 가질 수 있다.
따라서, 상기 발광소자(150)는 사이드 에미터 구조와 탑 에미터 구조가 모두 구현가능하며, 가령 R,G,B의 세 가지 색상이 혼합되어 하나의 색을 만드는 경우 이와 같은 다양한 광의 경로를 통하여 다양한 종류의 색혼합 비율을 조성하기가 수월해진다.
또한, 상기 몰딩부(170)는 에폭시 또는 실리콘 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)에 확산판(200)이 구비된 후의 형태를 도시한 상면도 및 측면도이다.
도 12에 의하면, 다수개의 발광소자 모듈들이 각각 트랜스퍼 몰딩 기법을 통하여 몰딩되어 있는데, 각각의 몰딩부(170)는 사이드 에미터(side emitter)형 발광 구조를 이루는 것으로 도시되어 있다.
즉, 본 발명에 의한 몰딩부(170)는 그 상부가 원추형으로 패인 형상을 이루고 있으며, 따라서 도 12에 도시된 바와 같이 사이드 에미터 구조 상에서도 다양한 경로로 광을 방출할 수 있게 된다.
또한, 상기 원추형을 이루는 상면 구조는, 그 단면을 이루는 2개의 원추면들이 다양한 각도로 형성될 수 있으므로, 상면으로 방출시키는 광의 양과 측면으로 방출시키는 광의 양을 조절할 수 있다.
이러한 몰딩부(170)의 구조에 의하면, 발광소자(150)의 어레이에 따라 다양한 광학구조를 설계할 수 있으며, 종래에 확산판과 LED칩간에 확보되어야 하는 5mm 이상의 이격 거리를 더 줄일 수 있으므로 전체 LED패널의 두께를 감소시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지는 디스플레이 장치를 이루는 백라이트 유닛의 광원으로 이용되는 것으로, 상기 백라이트 유닛에는 광가이드판(이하에서, "LGP(Light Guide Panel)"라 함)이 구비되며, 그 밑으로 발광소자들이 위치된다.
도 12에 도시된 바와 같이, 상기 LGP(200)는 발광소자(150)들의 이격 위치에 맞추어 발광소자 위치에 나란하게 확산 패턴(210, 220)을 형성하고, 상기 확산패턴(210, 220)은 불필요하게 방출되어 색혼합에 안좋은 영향을 주는 LED칩의 광을 차단시킨다.
도 13과 도 14는 본 발명에서 트랜스퍼 몰딩의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 13과 도 14는 도 9 및 도 10과 달리, 몰드 다이(190)에 홀(180)을 형성하고, 상기 홀(180)을 통해 몰드 재료를 주입한다.
본 실시예에 의하면, PCB(110)에 홀을 형성하지 않아도 되며, 홀(180)이 형성된 몰드 다이(190)를 이용하여 트랜스퍼 몰딩을 하게 되므로 공정이 보다 간단해 질 수 있는 장점이 있다.
한편, 도 9 및 도 10에 도시된 실시예와, 도 13 및 도 14에 도시된 실시예를 함께 적용할 수도 있다. 즉, 상기 몰드 다이(190)와 PCB(110)에 각각 홀(180)을 형성하고, 상기 몰드 다이(190)에 형성된 홀(180)을 통해 몰드 재료를 주입하거나 상기 PCB(110)에 형성된 홀(180)을 통해 몰드 재료를 주입할 수 있다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 사이드 에미터형 몰딩부(170)의 배광 측정 데이터를 예시한 그래프이다.
도 15에 도시된 그래프는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)의 양측으로 수평을 이루는 기준선을 "90°내지 -90°"로 설정하고, 발광소자 패키지(100)의 상측 수직선을 "0°"로 설정하여 몰딩부(170)로부터 유출되는 광의 세기를 표시하고 있는데, 층을 이루고 있는 각각의 반원들은 광의 세기를 나타낸다.
도 15에 의하면, 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 "-60°내지 -90°", 그리고 "60°내지 90°"의 양 측면 방향으로 광을 방출하며, 대부분의 광량이 양 사이드로 집중되어 있음을 볼 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면 발광소자 패키지의 제조공정이 보다 간단해 진다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면 발광소자 패키지의 방열 특성 및 색 혼합 특성이 우수하다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 베이스와,
    상기 베이스의 상측에 형성되는 발광부와,
    상기 발광부에 트랜스퍼 몰딩되는 몰딩부가 포함되며,
    상기 몰딩부의 형성을 위한 몰딩 재료의 주입을 위해 상기 베이스에 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 홀의 적어도 일부분에는 상기 몰딩 재료가 채워진 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  4. 베이스와,
    상기 베이스의 상측에 형성되는 발광부와,
    상기 발광부에 트랜스퍼 몰딩되는 몰딩부가 포함되며,
    상기 베이스는 PCB와, 상기 PCB의 상측에 형성된 절연층과, 상기 절연층의 상측에 형성된 회로층이 포함되어 구성되고,
    상기 발광부는 상기 PCB에 형성된 발광소자와 상기 회로층에 형성된 전극을 포함하고, 상기 발광소자와 전극은 전기적으로 연결되어 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  5. 베이스와,
    상기 베이스의 상측에 형성되는 발광부와,
    상기 발광부에 트랜스퍼 몰딩되는 몰딩부가 포함되며,
    상기 베이스는 PCB와, 상기 PCB의 상측에 형성된 절연층과, 상기 절연층의 상측에 형성된 회로층이 포함되어 구성되고,
    상기 발광부는 상기 절연층에 형성된 발광소자와 상기 회로층에 형성된 전극을 포함하고, 상기 발광소자와 전극은 전기적으로 연결되어 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  6. 베이스와,
    상기 베이스의 상측에 형성되는 발광부와,
    상기 발광부에 트랜스퍼 몰딩되는 몰딩부가 포함되며,
    상기 몰딩부는 상측이 오목한 형상인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  7. 베이스와,
    상기 베이스의 상측에 형성되는 발광부와,
    상기 발광부에 트랜스퍼 몰딩되는 몰딩부가 포함되며,
    상기 발광부는 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED, 황색 LED, 오렌지색 LED 중 적어도 하나 이상이 포함되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  8. 베이스와,
    상기 베이스의 상측에 형성되는 발광부와,
    상기 발광부에 트랜스퍼 몰딩되는 몰딩부가 포함되며,
    상기 몰딩부는 에폭시 또는 실리콘 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  9. 베이스와,
    상기 베이스의 상측에 형성되는 발광부와,
    상기 발광부에 트랜스퍼 몰딩되는 몰딩부가 포함되며,
    상기 몰딩부는 상기 베이스의 상측에서 경화된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  10. 베이스를 준비하는 단계와,
    상기 베이스에 홀을 형성하는 단계와,
    상기 베이스에 발광부를 형성하는 단계와,
    상기 발광부의 상측에 몰드 다이를 위치시키는 단계와,
    상기 홀에 몰딩 재료를 주입하는 단계와,
    상기 몰드 다이를 제거하는 단계가 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  11. 베이스를 준비하는 단계와,
    상기 베이스에 발광부를 형성하는 단계와,
    상기 발광부의 상측에 홀이 형성된 몰드 다이를 위치시키는 단계와,
    상기 홀에 몰딩 재료를 주입하는 단계와,
    상기 몰드 다이를 제거하는 단계가 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 몰드 다이는 복수의 발광부 상측에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  13. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 몰드 재료는 에폭시 또는 실리콘인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  14. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 홀은 하나의 발광부가 형성된 영역에 두개가 형성되고, 하나의 홀은 몰드 재료가 주입되고 다른 하나의 홀은 몰드 다이 내부의 공기가 배출되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  15. 베이스를 준비하는 단계와,
    상기 베이스에 복수의 발광부를 형성하는 단계와,
    상기 복수의 발광부의 상측에 몰딩부의 형상을 음각한 몰드 다이를 위치시키는 단계와,
    상기 베이스와 상기 몰드 다이 사이의 공간에 몰딩 재료를 주입하는 단계와,
    상기 몰드 다이를 제거하는 단계가 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  16. 베이스와,
    상기 베이스의 상측에 형성된 복수의 발광부와,
    상기 복수의 발광부에 각각 분리되어 형성되고 상기 베이스 또는 발광부에 경화되어 결합되는 몰딩부가 포함되어 구성되며,
    상기 몰딩부의 형성을 위한 몰딩 재료의 주입을 위해 상기 베이스에 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
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