KR100769111B1 - How to Pick Up Collets, Die Bonders and Chips - Google Patents
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Abstract
픽업 시 및 본딩 시의 반도체 칩의 깨짐을 방지한다. 본딩 툴(10)은 콜렛 홀더(20)과 콜렛(30)으로 구성된다. 콜렛 홀더(20)는 중심부의 진공 흡인공(21), 콜렛 홀더(20)를 지지 부재에 부착하기 위한 고정 나사(22, 23), 아래쪽의 입하부(24) 그리고 입하부(24) 내의 오목부(25)를 갖는다. 콜렛(30)은, 하단의 평탄면(31), 상하로 관통하는 복수의 진공 흡인공(32), 오목부(25)에 감입하는 돌출부(33) 그리고 입하부(24)의 하면에 당접된 플랜지부(34)를 갖는다. 오목부(25)의 깊이(H1)와 돌출부(33)의 높이(H2)를 H1>H2로 설정하여 공간부(26)를 형성하고, 진공 흡인공(21, 32)을 공간부(26)를 개재하여 연통시킨다. 복수의 진공 흡인공(32)에 의해 칩의 주변부를 진공 흡착하고, 픽업 및 본딩한다. The cracking of the semiconductor chip during pickup and bonding is prevented. The bonding tool 10 consists of the collet holder 20 and the collet 30. The collet holder 20 has a vacuum suction hole 21 in the center portion, fixing screws 22 and 23 for attaching the collet holder 20 to the support member, a recess 24 in the lower part and a recess in the mouth 24. It has a portion 25. The collet 30 abuts against the lower surface of the flat surface 31 at the lower end, the plurality of vacuum suction holes 32 penetrating up and down, the protrusion 33 penetrating into the concave portion 25, and the entrance portion 24. It has a flange part 34. The space portion 26 is formed by setting the depth H1 of the recess portion 25 and the height H2 of the protrusion portion 33 to H1> H2, and the vacuum suction holes 21 and 32 are formed in the space portion 26. Communicate via. The plurality of vacuum suction holes 32 vacuum suck the peripheral portions of the chip, and pick up and bond them.
Description
본 발명은 콜렛, 상기 콜렛을 이용한 다이 본더 및 상기 다이 본더의 칩 픽업 방법에 관한 것으로서, 예를 들면, 박편 형상의 반도체 칩(다이)을 웨이퍼 시트에서 픽업하고, 리드 플레임 등의 기판에 연납, 경납, 은 페이스트, 수지 등의 접합재를 개재하여 본딩하는 콜렛, 다이 본더 및 특히 박편 형상의 반도체 칩에 가장 적합한 픽업 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a collet, a die bonder using the collet, and a chip pick-up method of the die bonder. For example, a flake-shaped semiconductor chip (die) is picked up from a wafer sheet and soldered to a substrate such as a lead frame, The present invention relates to a collet, a die bonder for bonding via a bonding material such as braze, silver paste, resin, and the like, and a pick-up method most suitable for a flake-shaped semiconductor chip.
반도체 디바이스는, 일반적으로, 반도체 칩(다이)의 배면을, 연납, 경납, 은 페이스트, 수지 등의 접합재를 개재하여 플린트 기판이나 리드 프레임 등의 기판에 본딩(접합)하여 제조하고 있다.Generally, the semiconductor device manufactures the back surface of a semiconductor chip (die) by bonding (bonding) it to board | substrates, such as a flint board | substrate and a lead frame, via bonding materials, such as soldering, brazing, silver paste, and resin.
이와 같은 반도체 칩을 기판에 본딩하는 다이 본더에 있어서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 반도체 칩의 픽업 위치(P1)와 본딩 위치(P2)와의 사이를 이동하는 픽업 및 본딩 툴(이하, 툴이라 한다)(40)을 이용한다. 이하, 그 동작을 상술하면, 반도체 칩의 픽업 위치(P1)에서 툴(40)이 하강하고(a), 반도체 칩 집합체(60)에서 반도체 칩(65)을 진공 흡착한 툴(40)이 상승(픽업)한 후(b), 수평 이동하고(c) 본딩 위치(P2)에서 툴(40)이 하강하여(d) 반도체 칩(65)을 기판(1)에 접합재(2)를 개재하 여 본딩하고, 본딩이 종료되면 툴(40)이 상승한 후(e), 수평 이동하고(f) 원래의 픽업 위치(P1)의 위쪽으로 복귀한다.In the die bonder which bonds such a semiconductor chip to a board | substrate, as shown in FIG. 4, the pick-up and bonding tool which moves between the pick-up position P1 and the bonding position P2 of a semiconductor chip (henceforth a tool) is called. 40 is used. Hereinafter, the operation will be described in detail. The
상기 툴(40)의 (a)~(f)의 동작 사이에 반도체 칩 집합체(60)는 1 피치분 만큼 수평이동하고, 다음 픽업해야 하는 반도체 칩(65)이 픽업 위치(P1)로 이동된다. 또한, 기판(1)도 1 피치분 만큼 수평이동하고, 다음 본딩 영역(P2)으로 이동된다. 이하, 같은 동작을 반복하여, 순차적으로 반도체 칩(65)을 픽업하고, 기판(1)에 본딩하도록 되어있다.The
상기의 툴(40)은, 도 5a 및 도 5b에 나타낸 바와 같이, 콜렛 홀더(41)에 콜렛(42)이 부착되어 구성되어 있다. 콜렛 홀더(41)는, 중심부에 진공계 또는 압축 기체계가 접속되는 진공 흡인공(43)을 갖고, 콜렛 홀더(41)를 연결하는 파이프에 부착되기 위한 고정나사(44), 하단에 입하부(45) 그리고 상기 입하부(45) 내의 오목부(46)를 구비하고 있다. 콜렛(42)은, 중심부에 진공 흡인공(47), 상기 오목부(46)에 감입하는 돌출부(48) 그리고 입하부(45)의 하단에 접합된 플랜지부(49)를 갖는다. 또한, 콜렛 홀더(41)의 진공 흡인공(43)과 콜렛(42)의 진공 흡인공(47)은, 오목부(46)의 전정부와 돌출부(48)의 상면과의 사이에 형성된 진공부(50)를 개재하여 연통되어 있다. 또한, 도시된 바와는 반대로, 오목부를 콜렛(42)측에 설치하고, 돌출부를 콜렛 홀더(41)측에 설치하는 경우도 있다.As shown in FIG. 5A and FIG. 5B, the
또한, 상술한 종래의 다이 본더의 픽업 위치(P1)에서는, 통상적으로 도 6c에 나타낸 바와 같은 반도체 칩 집합체(60)가 배치되어 있다. 상기 반도체 칩 집합체(60)는, 도 6a에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 링(61)에 부착된 표면에 점착층을 갖는 웨이퍼 시트(62)에 반도체 웨이퍼(63)를 부착하고, 상기 반도체 웨이퍼(63)를 도 6b에 나타낸 바와 같이, 다이서(64)에 의해 종횡으로 절단하여 각각의 반도체 칩(65)으로 분할한 후, 도 6c에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 시트(62)를 고정 링(66)의 위에 배치하고, 웨이퍼 링(61)을 내리 누름(또는 고정 링(66)을 눌러 올림)에 따라, 웨이퍼 시트(62)를 끌어당겨 각각의 반도체 칩(65)의 간격을 확대함과 동시에, 반도체 칩(65)과 웨이퍼 시트(62)와의 접착력을 저하시킨 것이 이용되어 왔다.In addition, in the pickup position P1 of the conventional die bonder mentioned above, the
이러한 반도체 칩 집합체(60)에서, 반도체 칩(65)을 픽업하는 경우, 도 4에 나타낸 바와 같이, 반도체 칩(65)의 아래쪽에서 압력 핀(67)으로 반도체 칩(65)을 가압함과 동시에 반도체 칩(65) 주변부의 웨이퍼 시트(62)를 아래쪽으로부터의 진공흡입에 의해 아래쪽으로 변형시키고, 반도체 칩(65)과 웨이퍼 시트(62)와의 접착면적을 감소시킴에 따라, 반도체 칩(65)과 웨이퍼 시트(62)와의 접착력을 감소시키고, 콜렛(42)에 의해 반도체 칩(65)을 작은 진공 흡인력으로 확실히 흡착하여 픽업할 수 있도록 하고 있다. 또는, 반도체 칩을 콜렛(42)에 흡착 고정하고, 웨이퍼 시트의 하면을 흡착 스테이지에서 흡인하여 끌어내리는 방법으로 반도체 칩(65)을 웨이퍼 시트(62)로부터 픽업할 수 있도록 하고 있다.In the
여기서, 상기 콜렛(42)은 도 7a 내지 도 7c에 나타낸 바와 같이 여러 가지 구성을 가진다. 도 7a에 나타낸 콜렛(42A)은 중심부에 단일한 대경(大徑) 진공 흡인공(51)을 갖고, 하면에 평탄면(52)을 설치한 것이다. 도 7b에 나타낸 콜렛(42B)은, 중심부에 단일한 대경 진공 흡인공(51)을 가짐과 동시에, 하면의 주변부에 입하부(53)를 설치하고, 이러한 입하부(53) 내에 진공 흡인공(51)에 연통하는 오목부 (54)를 설치한 것이다. 도 7c에 나타낸 콜렛(42C)은 중심부에 단일한 대경 진공 흡인공(51)을 가짐과 동시에, 하면의 주변부에 입하부(53)를 설치하고, 이 입하부(53) 내에 진공 흡인공(51)과 연통하는 오목부(54)를 설치하고, 상기 오목부(54)와 진공 흡인공(51)과의 사이에 경사면(55)을 형성한 것이다.Here, the
그리고, 도 7a에 나타낸 콜렛(42A)은, 하면의 평탄면(52)을 반도체 칩(65)에 당접시키고, 진공 흡인공(51)에 진공 흡인력을 작용시키고, 칩(65)을 흡착한다. 또한, 도 7b에 나타낸 콜렛(42B)은, 주변부의 입하부(53)의 하면을 칩(65)에 당접시키고, 진공 흡인공(51)에 진공 흡인력을 작용시키고, 칩(65)을 흡착한다. 또한, 도 7c에 나타낸 콜렛(42C)은, 경사면(55)의 도중에 칩(65)의 상면 견부를 당접시키고, 진공 흡인공(51)에 진공 흡인력을 작용시켜 칩(65)을 흡착한다. The
최근, 반도체 패키지의 소형 및 경량화에 더하여, 대용량화가 진행됨에 따라, 두께가 50μm 이하인 박형 반도체 칩(이하, 박편 칩이라 한다)의 수요가 확대되고, 그러한 박편 칩을 적층하는 기술이 주목되고 있다.In recent years, in addition to miniaturization and weight reduction of semiconductor packages, as the capacity increases, the demand for thin semiconductor chips having a thickness of 50 μm or less (hereinafter referred to as flake chips) has been expanded, and technology for laminating such flake chips has been attracting attention.
박편 칩은 기계적 강도가 작기 때문에, 그 취급에는 세심한 주의를 필요로 한다. 그러나, 종래의 콜렛(42)은 상기 도 7a 및 도 7b의 42B와 도 7c의 42C에 나타낸 바와 같이, 모두 중심부에 단일한 대경 진공 흡인공(51)을 갖는 구조이고, 박편 칩의 픽업 시에 반도체 칩의 중앙부를 진공 흡착하는 것이기 때문에, 픽업 시의 웨이퍼 시트의 박리 개시 시나 박리 종료 시에 일어나는 웨이퍼 시트의 변형에 기인하여, 반도체 칩에 과도한 스트레스를 주는 것을 피할 수 없고, 박편 칩이 깨지기 쉬웠다.Since flake chips have low mechanical strength, their handling requires close attention. However, the
또한, 본딩 시에, 중앙부의 진공 흡인공에 의한 흡착 때문에, 박리 후의 반도체 칩을 안정시켜 핸들링 할 수 없을 뿐만 아니라, 반도체 칩의 중앙 부분이 떠올라 전면에 기포가 잔류하는 등 이에 따라 소정의 접합 품질을 얻을 수 없는 문제점이 있었다. In addition, due to the adsorption by the vacuum suction hole at the time of bonding, not only the semiconductor chip after peeling can be stabilized and handled, but also the center part of the semiconductor chip floats and bubbles remain on the entire surface. There was a problem that can not be obtained.
이하, 그 문제점에 대하여, 각 콜렛 별로 상술한다. 우선, 도 7a에 나타낸 콜렛(42A)은, 박편 칩(65a)을 웨이퍼 시트(62)에서 픽업할 때의 박리개시 시에, 도 8a에 나타낸 바와 같이, 박편 칩(65a)의 중앙부가 위쪽으로 변형되는 응력을 받음과 동시에, 웨이퍼 시트(62)의 아래쪽으로 변형력에 의해, 박편 칩(65a)의 주변부가 웨이퍼 시트(62)와 함께 아래쪽으로 변형되는 응력을 받기 때문에, 박편 칩(65a)이 깨지기 쉽다.Hereinafter, the problem will be described in detail for each collet. First, as shown in FIG. 8A, the
또한, 콜렛(42A)으로 박편 칩(65a)을 기판(1)에 본딩 할 때, 도 8b에 나타낸 바와 같이, 접합재(2)의 반력에 의해 박편 칩(65a)이 위쪽으로 향하는 응력을 받으나, 이 때, 중심부의 진공 흡인공(51)의 존재에 의해, 박편 칩(65a)의 중앙부가 국부적으로 위쪽으로 변형되는 응력(3)을 받으므로, 박편 칩(65a)이 깨지기 쉽다.In addition, when the
또한, 콜렛(42A)으로 박편 칩(65a)을 기판(1)에 본딩 할 때, 도 8b에 나타낸 바와 같이, 콜렛(42A)에 의해 소정의 압력을 가해서 박편 칩(65a)을 기판(1)에 꽉 누르고 있기 때문에, 박편 칩(65a)이 깨지지 않더라도, 진공 흡착공(51)으로부터 압력이 위쪽으로 빠져버리기 때문에, 박편 칩(65a)의 중앙부분이 위쪽으로 변형하여 본딩될 수 있다. 이와 같은 현상은, 후술하는 도 7b의 콜렛(42B)이나, 도 7c의 콜렛(42C)에서도 마찬가지이다.In addition, when bonding the
또한, 본딩 종료 후, 콜렛(42A)으로부터 이탈하기 어려운 박편 칩(65a)이 있을 경우, 도 8c에 나타낸 바와 같이, 진공 흡착공(51)에 압축 기체(4)를 공급하고, 콜렛(42A)에서 박편 칩(65a)을 이탈하기 쉽도록 하면, 압축 기체(4)의 토출 압력이 박편 칩(65a)의 중앙부에 집중하기 때문에, 박편 칩(65a)의 중앙부가 아래쪽으로 변형되는 응력을 받기 때문에, 박편 칩(65a)이 깨지기 쉬운 문제점이 있다.In addition, in the case where there is a
도 7b에 나타낸 콜렛(42B)은, 도 7a에 나타낸 콜렛(42A)과 비교하여, 큰 오목부(54)를 갖기 때문에, 박편 칩(65a)을 웨이퍼 시트(62)에서 픽업할 때의 박리개시 시에, 도 9a에 나타낸 바와 같이, 오목부(54)의 존재 및 압력 핀(67)의 압력에 의해, 박편 칩(65a)의 중앙부가 위쪽으로 변형되는 응력을 받기 때문에, 박편 칩(65a)이 깨지기 쉽다.Since the
또한, 콜렛(42B)으로 박편 칩(65a)을 기판(1)에 본딩 할 때, 도 9b에 나타낸 바와 같이, 접합재(2)의 반력에 의해 박편 칩(65a)이 위쪽으로 향하는 응력을 받으나, 이 때, 오목부(54)의 존재에 의해, 박편 칩(65a)의 중앙부가 국부적으로 위쪽으로 변형되는 큰 응력(3)을 받기 때문에, 박편 칩(65a)이 깨지기 쉽다.In addition, when bonding the
또한, 본딩 종료 후에, 진공 흡인공(51)에 압축 기체(4)를 공급하면, 도 9c에 나타낸 바와 같이, 박편 칩(65a)의 중앙부가 아래쪽으로 변형되는 응력을 받기 때문에, 박편 칩(65a)이 깨지기 쉬운 문제점이 있다.In addition, when the
도 7c에 나타낸 콜렛(42C)은, 통상, 두꺼운 반도체 칩용이지만, 반대로, 박편 칩(65a)에 적용한 경우, 도시하지 않았으나, 웨이퍼 시트(62)에서 박편 칩(65a)을 픽업할 때의 박리개시 시에, 도 9a와 마찬가지로, 오목부(54)의 존재 및 압력 핀(67)의 압력에 의해, 박편 칩(65a)의 중앙부가 위쪽으로 변형되는 응력을 받기 때문에, 박편 칩(65a)이 깨지기 쉽다.Although the
또한, 박편 칩(65a)을 기판(1)에 본딩 할 때, 도 9b와 마찬가지로, 접합재(2)의 반력에 의해 박편 칩(65a)이 위쪽으로 향하는 응력(3)을 받으나, 이 때, 중앙부의 오목부(54)의 존재에 의해, 박편 칩(65a)의 중앙부가 위쪽으로 변형되는 응력을 받기 때문에, 박편 칩(65a)이 깨지기 쉽다.In addition, when bonding the
또한, 본딩 종료 후에, 박편 칩(65a)을 접합재(2)에 밀착시키기 위한 진공 흡인공(51)에 압축 기체(4)를 공급하면, 도 9c와 마찬가지로, 박편 칩(65a)의 중앙부가 아래쪽으로 변형되는 응력을 받기 때문에, 박편 칩(65a)이 깨지기 쉬운 문제점이 있다.In addition, when the
또한, 도 7c에 나타낸 콜렛(42C)은, 상기의 문제점 외에, 하면의 주변부에 입하부(53)를 갖고, 이러한 입하부(53)에 의해 형성되는 오목부(54)내의 경사면(55)에 박편 칩(65a)의 견부를 당접시켜 흡착하므로, 픽업 시에, 다음과 같은 특유의 문제점을 갖는다.In addition to the above problem, the
즉, 도 10a에 나타낸 바와 같이, 흡착하고자 하는 박편 칩(65a)의 양측에 인접하는 4개의 박편 칩(65b, 65c)의 간격(L1)이, 콜렛(42C)의 폭(L)보다도 작으면 박편 칩(65a)과 인접하는 박편 칩(65b, 65c)과의 극간(g)이 너무 작아, 이와 같은 극간(g)에 입하부(53)가 들어가지 못하기 때문에, 입하부(53)의 하면에서 인접하는 박편 칩(65b, 65c)을 파손하거나, 흡착하고자 하는 박편 칩(65a)을 흡착할 수 없다.That is, as shown in FIG. 10A, when the space | interval L1 of the four
한편, 도 10b에 나타낸 바와 같이, 흡착하고자 하는 박편 칩(65a)의 양측에 인접하는 4개의 박편 칩(65b, 65c)의 간격(L2)을, 콜렛(42C)의 폭(L)보다 크게 하면, 흡착하고자 하는 박편 칩(65a)과 인접하는 박편 칩(65b, 65c)과의 사이에, 입하부(53)가 들어가는 만큼의 간격(g1)이 확보되어, 박편 칩(65a)의 픽업은 가능하게 되나, 이와 같이 큰 극간(g1)을 형성하기 위해서는, 도 6c에 나타낸 웨이퍼 시트(62)의 신장 시에, 웨이퍼 시트(62)를 크게 신장시킬 필요가 있고, 박편 칩(65a)의 수를 적게 해야 하고, 박편 칩(65a)의 수율이 낮아진다. 또는, 대경 웨이퍼 링(61) 및 웨이퍼 시트(62)를 필요로 하기 때문에, 웨이퍼 링(61)이나 웨이퍼 시트(62)가 비싸진다. 더욱이, 픽업 시에, 반도체 칩 집합체(60)의 수평 이동거리가 커지기 때문에, 다이 본더가 대형화, 고가가 될 뿐만 아니라, 고속화할 수 없는 문제점이 있다. 또한, 니들레스 픽업과의 조합이라도, 중앙부분에만 흡인공을 갖는 콜렛으로는 시트의 변형에 의해 칩 주변도 변형된다. 이는 칩의 변형 회복력에 대하여 시트, 칩 간의 점착력이 비교적 높은 때에 발생한다. 칩의 변형 회복력이 50mg 이하이면 특히 발생하기 쉽고, 경우에 따라서는 박편 칩이 깨질 수 있다. 이에 대한 대책으로서는 복수의 진공혈(眞空穴)을 설치한 콜렛이 유효하다. 또한, 콜렛, 스테이지 각각의 진공압력을 조정하는 기구를 설치하여 칩 깨짐을 방지하는 것도 수행되고 있다. 예를 들어, 상부(콜렛 측)를 최대 진공압으로서 칩 보지력을 높게 하고, 하부(스테이지 측)에서 칩이 깨지지 않도록 압력 컨트롤을 수행한다.On the other hand, as shown in FIG. 10B, when the space | interval L2 of the four flake |
본 발명의 목적은, 예를 들면, 박편 칩의 픽업 및/또는 본딩 시에, 박편 칩이 파손되지 않는 콜렛, 상기 콜렛을 이용한 다이 본더 및 칩의 픽업 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a collet in which a flake chip does not break, for example, when picking up and / or bonding a flake chip, a die bonder using the collet, and a method of picking up a chip.
본 발명에 따른 콜렛은, 상술한 과제를 해결하기 위하여, 칩을 픽업 및/또는 본딩하는 콜렛에 있어서, 상기 콜렛의 하면을 평탄면에 형성함과 함께 이러한 하면의 평탄면에 복수의 진공 흡착부를 설치한 것을 특징으로 한다(청구항 제1항).In the collet according to the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, in the collet for picking up and / or bonding the chip, the bottom surface of the collet is formed on a flat surface and a plurality of vacuum adsorption portions are formed on the flat surface of such a bottom surface. It is characterized in that it was installed (claim 1).
전술한"칩을 픽업 및/또는 본딩하는 콜렛"이라는 용어는, 상기 칩을 픽업하여 그대로 본딩하는 소위 다이렉트 본딩 방식의 다이 본더의 콜렛 뿐만 아니라, 상기 칩을 픽업하여 일단 트레이나 위치 수정부 등으로 이동 탑재하고, 이러한 트레이나 위치 수정부 등에서 칩을 픽업하여 본딩하는, 소위 간접 본딩 방식의 다이 본더의 픽업용 콜렛 또는 트레이나 위치 수정부 등에서 칩을 픽업하여 본딩하는 본딩용 콜렛을 포함한다. The term " collet for picking up and / or bonding a chip " refers not only to a collet of a die bonder of a so-called direct bonding method that picks up and bonds the chip as it is, but also picks up the chip and transfers it to a tray or a position fixing unit. It includes a transfer collet for pick-up of a die bonder of a so-called indirect bonding system or a collet for pick-up and bonding of chips from a tray or a position correction unit, which are mobilely mounted and pick up and bond chips from such a tray or a position correction unit.
또한, 본 발명에 따른 콜렛은, 중심부에 진공 흡인공을 갖는 콜렛 홀더에 장착되고, 상하로 관통하는 복수의 진공 흡인공을 구비하며, 상기 콜렛 홀더의 진공 흡인공과 상기 콜렛의 복수의 진공 흡인공를 연통시키는 밀폐된 공간부를 설치한 것을 특징으로 하고 있다(청구항 제2항).In addition, the collet according to the present invention is mounted to a collet holder having a vacuum suction hole at the center thereof, and includes a plurality of vacuum suction holes penetrating up and down, and the vacuum suction hole of the collet holder and the plurality of vacuum suction holes of the collet are provided. It is characterized by providing a sealed space for communicating (claim claim 2).
또한, 본 발명에 따른 콜렛은, 중심부에 진공 흡인공을 갖는 콜렛 홀더에 장작되고, 상기 콜렛이 단일 또는 복수의 진공 흡인공을 가짐과 동시에, 하면에 상기 진공 흡인공에 연통하는 홈부를 구비하고, 상기 콜렛 홀더의 진공 흡인공과 상기 콜렛의 단일 또는 복수의 진공 흡인공을 연통시키는 밀폐된 공간부를 설치한 것을 특징으로 하고 있다(청구항 제3항).In addition, the collet according to the present invention is mounted in a collet holder having a vacuum suction hole at the center thereof, and the collet has a single or a plurality of vacuum suction holes, and at the same time a lower surface has a groove communicating with the vacuum suction hole. And a sealed space portion for communicating the vacuum suction hole of the collet holder with a single or a plurality of vacuum suction holes of the collet is provided (claim 3).
또한, 본 발명에 따른 다이 본더는, 상술한 콜렛 중 어느 하나의 콜렛을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다(청구항 제4항).Moreover, the die bonder which concerns on this invention is characterized by including the collet in any one of the above-mentioned collets (claim 4).
또한, 본 발명에 따른 칩의 픽업 방법은, 상기 다이 본더를 이용하여, 배면이 웨이퍼 시트에 접합된 칩을 콜렛으로 진공 흡착한 후, 상기 칩의 배면을 상기 웨이퍼 시트의 아래쪽에서 압력 핀으로 상대적으로 압력하거나, 상기 웨이퍼 시트를 아래쪽에서의 진공 흡인력에 의해 하방으로 변형시키는 것을 특징으로 하고 있다(청구항 제5항).Further, in the method of picking up a chip according to the present invention, using the die bonder, the back side of the chip bonded to the wafer sheet is vacuum-adsorbed with a collet, and then the back side of the chip is placed relative to the pressure pin under the wafer sheet. Or the wafer sheet is deformed downward by a vacuum suction force from the bottom (claim 5).
본원의 청구항 제1항에 기재된 콜렛에 따르면, 하면의 복수의 진공 흡인부에 의해 박편 칩의 주변부를 진공 흡착할 수 있기 때문에, 종래와 같이 박편 칩의 중앙부에만 진공 흡인력이 작용하여 주변부가 풀리 되지 않고, 예를 들면, 상기 박편 칩을 웨이퍼 시트에서 박리하여 픽업할 때, 상기 박편 칩의 주변부의 웨이퍼 시트가 아래쪽으로부터 작용하는 진공 흡인력에 의해 아래쪽으로 변형되어도 상기 박편 칩의 주변부가 상기 콜렛으로 진공 흡착되어 있으므로, 상기 박편 칩의 주변부가 웨이퍼 시트의 변형에 수반하여 아래쪽으로 변형되지 않고, 상기 웨이퍼 시트만을 아래쪽으로 변형시킬 수 있고, 상기 박편 칩의 웨이퍼 시트로부터의 박리 개시가 부드럽게 수행되어, 상기 박편 칩의 픽업 시의 깨짐을 방지할 수 있다.According to the collet according to
또한, 예를 들면, 박편 칩을 기판에 본딩할 때, 상기 콜렛의 평탄면에 의해, 상기 박편 칩을 균등하게 가압할 수 있으므로, 종래의 콜렛 중앙부에 설치한 진공 흡인공의 존재 및 접합재의 반력에 의해 박편 칩의 중앙부가 위쪽으로 변형되는 응력을 받지 않고, 상기 박편 칩의 본딩시의 깨짐을 방지할 수 있다.Further, for example, when the flake chip is bonded to the substrate, since the flake chip can be evenly pressed by the flat surface of the collet, the presence of a vacuum suction hole provided in the center of the conventional collet and the reaction force of the bonding material By this, the center portion of the flake chip is not subjected to the stress that is deformed upward, and thus cracking during bonding of the flake chip can be prevented.
또한, 박편 칩의 본딩 종료 후, 진공 흡인부에 압축 기체를 공급하고, 상기 박편 칩이 상기 콜렛에서 떨어지기 쉬운 경우, 복수의 진공 흡인부에서 토출되는 압축 기체가 상기 박편 칩의 넓은 면으로 분산됨에 따라, 종래의 중앙부에 진공 흡인공을 갖는 콜렛과 같이, 박편 칩의 중앙부에 국부적으로 압축 기체의 토출 압력이 집중되어 박편 칩의 중앙부가 아래쪽으로 변형하려고 하는 응력이 없어지고, 상기 박편 칩의 콜렛에서의 이탈 시 깨짐을 방지할 수 있다. In addition, after the bonding of the flake chips is completed, the compressed gas is supplied to the vacuum suction portion, and the flake chips are likely to fall out of the collet, and the compressed gas discharged from the plural vacuum suction portions is dispersed to the wide surface of the flake chips. As a collet having a vacuum suction hole in the center portion of the related art, the discharge pressure of the compressed gas is concentrated locally in the center portion of the flake chip, thereby eliminating the stress that the center portion of the flake chip is going to deform downward. Breaking from the collet can be prevented.
또한, 본원의 청구항 제2항에 기재된 콜렛에 의하면, 콜렛 홀더의 중심부의 진공 흡인공에 작용하는 진공 흡인력은, 상기 콜렛 홀더와 상기 콜렛 사이의 밀폐된 공간부를 개재하여 상기 콜렛의 복수의 진공 흡인공에 균등히 분산시키고, 박편 칩의 주변부를 진공 흡착할 수 있으며, 평탄면에서 접합재의 반력을 분산하여 받을 수 있고, 압축 기체의 공급 시에는 상기 압축 기체를 분산하여 박편 칩에 공급할 수 있으므로 박편 칩의 픽업 시, 본딩 시 및 박편 칩의 이탈 시의 어디에서도 상기 박편 칩이 깨지는 것을 방지 할 수 있다. 더욱이, 상기 콜렛 홀더는, 종래와 마찬가지로, 중심부에만 진공 흡인공을 갖는 것을 공용할 수 있고, 단순히, 상기 콜렛에 복수의 진공 흡인공을 갖는 것을 채용하면 되므로, 복수의 진공 흡인공을 미세 홈 등에 의해 형성하는 경우에 비교하여, 각 단의 구성이 간단하게 되고, 상기 콜렛을 저가로 제작할 수 있다. 또한, 상기 콜렛의 복수의 진공 흡인공은, 콜렛의 주물 성형 시에 동시에 형성할 수 있으므로, 상기 진공 흡인공의 증가에 따른 공정 수 혹은 비용의 상승은 없다.Moreover, according to the collet of
또한, 상기 콜렛의 진공 흡인공의 구멍 지름이나 밀도를 중앙부와 주변부에서 다르게 함에 따라, 박편 칩의 본딩 시에, 상기 박편 칩의 중앙부에서 주변부로 압력이 가해지도록 할 수 있고, 박편 칩의 하부 분위기 가스를 압출하면서 기판에 본딩할 수 있게 되고, 분위기 가스를 끌어 들이지 않고 상기 박편 칩을 본딩할 수 있다. 이에 따라 칩과 모재의 사이로 끌려 들어가는 가스를 확실히 제거하고, 소정의 접착 강도 및 제품 품질을 얻을 수 있다. In addition, by varying the hole diameter or density of the vacuum suction hole of the collet at the center portion and the peripheral portion, it is possible to apply pressure to the peripheral portion from the center portion of the flake chip during bonding of the flake chip, It is possible to bond to the substrate while extruding the gas, and to bond the flake chips without drawing an atmosphere gas. Thereby, the gas attracted between a chip | tip and a base material can be removed reliably, and predetermined adhesive strength and product quality can be obtained.
또한, 본원의 청구항 제3항에 기재된 콜렛에 따르면, 콜렛 홀더의 중심부의 진공 흡인공에 작용하는 진공 흡인력은, 상기 콜렛의 단일 또는 복수의 진공 흡인공을 개재하여 홈부에 균등하게 분산되므로, 픽업 시에 박편 칩의 주변부를 진공 흡착할 수 있고, 본딩 시에 접합재의 반력을 평탄면에서 분산하여 받을 수 있으며, 박편 칩의 이탈 시에 압축 기체의 토출 압력을 박편 칩의 보다 넓은 면으로 분산할 수 있으므로, 픽업 시, 본딩 시 및 이탈 시의 어느 때라도 박편 칩을 국부적으로 변형시키는 응력이 작용하지 않기 때문에, 상기 박편 칩의 깨짐을 방지할 수 있다. 또한, 상기 콜렛 홀더는, 종래와 마찬가지로, 중심부에만 진공 흡인공을 갖는 것을 공용할 수 있고, 단순히 상기 콜렛 하면에 진공 흡인공에 연통하는 홈부를 갖는 것을 채용하면 되므로, 복수의 진공 흡인공을 미세 홈 등에 의해 형성하는 경우에 비교하여, 각 단의 구성이 간단하게 되어, 상기 콜렛을 저가로 제작할 수 있다. 또한, 상기 콜렛의 진공 흡인공 및 홈부는, 콜렛의 주물 성형 시에 동시에 형성할 수 있으므로, 홈부를 설치함에 따라 공정 수 내지 비용의 상승은 발생하지 않는다.Further, according to the collet according to
또한, 본원의 청구항 제4항에 기재된 다이 본더에 따르면, 박편 칩을 웨이퍼 시트로부터 박리하는 픽업 시에, 웨이퍼 시트에 붙어있는 박편 칩을 아래쪽에서 압력 핀으로 압력하거나, 상기 웨이퍼 시트를 진공 흡인하여 아래쪽으로 변형시킴에 따라, 상기 박편 칩과 웨이퍼 시트와의 접착 면적을 감소시켜 접착력을 감소시키는 경우에, 상기 박편 칩의 상면 주변부를 콜렛의 복수의 진공 흡인공 또는 홈부에서 흡착할 수 있고, 박편 칩을 평탄면에서 받으므로, 상기 박편 칩의 중앙부가 위쪽으로 변형하거나, 박편 칩의 주변부가 웨이퍼 시트의 변형에 수반하여 아래쪽으로 변형하거나 하지 않고, 박편 칩의 주변부의 웨이퍼 시트만이 아래쪽으로 변형하고, 상기 박편 칩과 웨이퍼 시트와의 접착력을 감소시켜서, 부드럽게 박리 개시하고, 상기 박편 칩을 깨짐 없이 확실히 픽업 할 수 있다.Moreover, according to the die bonder of
또한, 상기 박편 칩을 기판에 본딩할 때, 접합재의 반력을 상기 콜렛의 평탄면으로 분산하여 받기 때문에, 종래의 콜렛 중앙부에 설치한 진공 흡인공의 존재 및 접합재에 따른 반력에 의해, 박편 칩의 중앙부가 위쪽으로 변형하는 현상이 없어지고, 상기 박편 칩을 깨짐 없이 본딩할 수 있다.In addition, since the reaction force of the bonding material is distributed to the flat surface of the collet when the flake chip is bonded to the substrate, the presence of the vacuum suction hole provided in the center of the collet and the reaction force according to the bonding material are used. The phenomenon that the central portion is deformed upward is eliminated, and the flake chip can be bonded without cracking.
또한, 상기 박편 칩의 본딩 후, 진공 흡인공에 압축기체를 공급하고, 박편 칩을 상기 콜렛에서 떨어지기 쉽게 하는 경우에는, 상기 콜렛의 복수의 진공 흡인공 또는 홈부에서 압축 기체가 박편 칩의 넓은 면으로 분산하여 토출됨에 따라, 종래의 중앙부에 진공 흡인공을 갖는 콜렛과 같은, 박편 칩의 중앙부에 압축 기체의 토출압력이 집중하여, 박편 칩의 중앙부가 아래쪽으로 변형하지 않게 되고, 상기 박편 칩의 깨짐을 방지하여, 상기 박편 칩을 콜렛에서 이탈시킬 수 있다.In addition, in the case where the compressed gas is supplied to the vacuum suction hole after the bonding of the lamella chips, and the lamella chips are easily removed from the collet, the compressed gas is formed in the plurality of vacuum suction holes or grooves of the collet. As it is dispersed and discharged to the surface, the discharge pressure of the compressed gas is concentrated in the center of the flake chip, such as a collet having a vacuum suction hole in the conventional center, so that the center portion of the flake chip is not deformed downward, and the flake chip By preventing the cracking, the flake chip can be separated from the collet.
또한, 본원의 청구항 제5항에 기재된 칩의 픽업 방법에 따르면, 상기 콜렛에서 칩의 주변부를 진공 흡착하고 나서, 상기 칩의 배면을 압력 핀으로 상대적으로 압축하거나, 상기 칩을 접합하고 있는 웨이퍼 시트를 진공 흡인하여 아래쪽으로 변형시키거나 하므로, 종래의 칩의 픽업 방법과 같이, 칩의 주변부가 풀리 상태에서 칩의 중앙부가 상대적으로 압력되거나 칩의 주변부의 웨이퍼 시트가 아래쪽으로 변형하거나 하지 않고, 칩에 스트레스를 주지 않고, 상기 칩의 픽업 시의 깨짐을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.In addition, according to the chip pick-up method according to claim 5 of the present application, the wafer sheet is vacuum-adsorbed at the periphery of the chip in the collet, and the back surface of the chip is relatively compressed with a pressure pin or the wafer sheet is bonded to the chip. Since the vacuum suction is used to deform downward, the chip is not deformed downward or the wafer sheet of the peripheral portion of the chip is deformed downward in the state where the peripheral part of the chip is pulled, as in the conventional chip pickup method. It is possible to effectively prevent cracking when picking up the chip without stressing the chip.
도 1a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 본딩 툴의 종단 측면도이다.1A is a longitudinal side view of a bonding tool according to a first embodiment of the present invention.
도 1b는 도 1a의 본딩 툴의 하면도이다.FIG. 1B is a bottom view of the bonding tool of FIG. 1A.
도 1c는 도 1a의 본딩 툴의 콜렛 정면도이다.1C is a collet front view of the bonding tool of FIG. 1A.
도 2a는 도 1c의 콜렛을 구비한 다이 본더의 동작 설명용 박편 칩 픽업 시의 상태의 요부 확대 종단면도이다.FIG. 2A is an enlarged longitudinal sectional view of a main portion of a state of pick-up of a flake chip for explaining the operation of the die bonder having the collet of FIG. 1C; FIG.
도 2b는 박편 칩 본딩시의 상태의 요부 확대 종단면도이다.2B is an enlarged longitudinal sectional view of a main portion of a state at the time of flake chip bonding.
도 2c는 도 1c의 콜렛을 구비한 본딩의 동작 설명용 박편 칩의 콜렛에서의 이탈시 상태의 요부 확대 종단면도이다.FIG. 2C is an enlarged longitudinal cross-sectional view of the main portion of the state in the state of detachment from the collet of the lamella chip for explaining the operation of bonding with the collet of FIG. 1C. FIG.
도 3a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 본딩 툴의 종단측면도이다.3A is a longitudinal side view of a bonding tool according to a second embodiment of the present invention.
도 3b는 도 3a의 본딩 툴의 하면도이다.3B is a bottom view of the bonding tool of FIG. 3A.
도 3c는 도 3a의 본딩 툴의 콜렛 정면도이다.3C is a collet front view of the bonding tool of FIG. 3A.
도 4는 다이 본더의 픽업 및 본딩 동작 설명도이다.4 is an explanatory diagram of a pick-up and bonding operation of a die bonder.
도 5a는 종래의 다이 본더의 본딩 툴의 종단배면도이다.5A is a longitudinal rear view of a bonding tool of a conventional die bonder.
도 5b는 도 5c의 본딩 툴의 부분 확대 종단 정면도이다.5B is an enlarged fragmentary front view of the bonding tool of FIG. 5C.
도 6a는 도 4에 나타낸 반도체 칩 집합체 제조 공정의 웨이퍼 시트에 반도체 웨이퍼를 붙인 상태의 설명도이다.It is explanatory drawing of the state which stuck the semiconductor wafer to the wafer sheet of the semiconductor chip assembly manufacturing process shown in FIG.
도 6b는 도 4에 나타낸 반도체 칩 집합체 제조 공정에서 다이서에 의해 반도체 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 분할한 상태의 설명도이다.FIG. 6B is an explanatory diagram of a state in which a semiconductor wafer is divided into respective semiconductor chips by Dicer in the semiconductor chip assembly manufacturing step shown in FIG. 4.
도 6c는 도 4에 나타낸 반도체 칩 집합체 제조 공정에서 웨이퍼 시트를 늘린 상태의 설명도이다.It is explanatory drawing of the state which extended the wafer sheet in the semiconductor chip assembly manufacturing process shown in FIG.
도 7a는 종래의 다이 본더의 콜렛 종단면도이다.7A is a collet longitudinal sectional view of a conventional die bonder.
도 7b는 종래의 다이 본더의 다른 콜렛 종단면도이다.7B is another collet longitudinal sectional view of a conventional die bonder.
도 7c는 종래의 다이 본더의 또 다른 콜렛 종단면도이다.7C is another collet longitudinal sectional view of a conventional die bonder.
도 8a는 도 7a의 콜렛에 의한 동작 설명용 박편 칩 픽업 시의 상태의 요부 확대 종단면도이다. FIG. 8A is an enlarged longitudinal sectional view of a main portion of a state at the time of picking up a thin chip for explaining the operation by the collet of FIG. 7A. FIG.
도 8b는 도 7a의 콜렛에 의한 동작 설명용 박편 칩 이탈시의 상태의 요부 확대 종단면도이다.FIG. 8B is an enlarged longitudinal sectional view of a main portion of a state at the time of detachment of the lamella chip for explaining the operation by the collet of FIG. 7A; FIG.
도 8c는 도 7a의 콜렛에 의한 동작 설명용의 박편 칩 본딩시의 상태의 요부 확대 종단면도이다.FIG. 8C is an enlarged longitudinal sectional view of a main portion of a state of thin chip bonding for explaining the operation by the collet of FIG. 7A. FIG.
도 9a는 도 7b의 콜렛에 의한 동작 설명용의 박편 칩 픽업 시의 상태의 요부 확대 종단면도이다.FIG. 9A is an enlarged longitudinal sectional view of a main portion of a state of thin chip pick-up for explaining the operation by the collet of FIG. 7B. FIG.
도 9b는 도 7b의 콜렛에 의한 동작 설명용 박편 칩 이탈시의 상태의 요부 확대 종단면도이다.FIG. 9B is an enlarged longitudinal sectional view of a main portion of a state at the time of detachment of the flake chip for explaining the operation by the collet of FIG. 7B. FIG.
도 9c는 도 7b의 콜렛에 의한 동작 설명용 박편 칩의 접합재에 대한 밀착시 의 요부 확대 종단면도이다.FIG. 9C is an enlarged longitudinal sectional view of the main portion in close contact with the bonding material of the lamella chip for explaining the operation by the collet of FIG. 7B. FIG.
도 10a는 도 7c의 콜렛에 의한 문제점 설명용 요부 확대 종단면도로, 칩 간격이 작은 경우의 제1 문제점 설명도이다.Fig. 10A is an enlarged longitudinal sectional view for explaining the problem caused by the collet of Fig. 7C, which is a first problem explanatory diagram in the case where the chip spacing is small.
도 10b는 도 7c의 콜렛에 의한 문제점 설명용 요부 확대 종단면도로, 칩 간격을 크게 한 경우의 제2 문제점 설명도이다.Fig. 10B is an enlarged longitudinal sectional view for explaining the problem caused by the collet shown in Fig. 7C, and is a second problem explanatory diagram in the case where the chip spacing is increased.
이하, 본 발명에 따른 콜렛을 구비한 다이 본더의 실시예들에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of a die bonder having a collet according to the present invention will be described with reference to the drawings.
실시예 1Example 1
본 발명의 제1 실시예에 따른 툴(10)은, 도 1a 내지 도 1c에 나타낸 바와 같이, 콜렛 홀더(20) 및 콜렛 홀더(20)에 장착되는 콜렛(30)을 구비하고 있다. 콜렛 홀더(20)는, 예를 들면, 스테인리스 재질이며, 중심부에 진공계로 접속되는 진공 흡인공(21)을 가지고, 상기 콜렛 홀더(20)를 지지 부재에 부착하기 위한 2개의 고정 나사공(22, 23), 하단부의 주변부에 입하부(24) 및 상기 입하부(24)에 의해 둘러싸인 오목부(25)를 갖는다.The
상기 콜렛(30)은, 예를 들면, 용도에 따라, 스테인리스, 니트릴 고무, 불소 고무, 내열성 수지재 등으로 이루어지고, 하면의 평탄면(31), 상하로 관통하는 복수(도시된 바에 따르면, 직사각형 형상의 박편 칩용으로 세로 3개ㅧ 가로 5개의 15개)의 소정의 직경의 진공 흡인공(32), 상기 콜렛 홀더(20)의 홈부(25)에 감입하는 돌출부(33), 그리고 콜렛 홀더(20)의 입하부(24)의 하면에 당접하는 플랜지부(34)를 갖는다.The
상기 콜렛 홀더(20)의 오목부(25)의 깊이(H1)는, 콜렛(30)의 홈부(33)의 높이(H2)보다도 크게 설정되어 있고, 오목부(25)의 천정면과 돌출부(33)의 상면과의 사이에, H1-H2에 해당되는 공간부(26)가 형성되어 있다. 이로 인하여, 콜렛 홀더(20)의 진공 흡인공(21)과 콜렛(30)의 진공 흡인공(32)은, 공간부(26)를 개재하여 연통하고 있다. 그에 따라, 콜렛 홀더(20)의 진공 흡인공(21)에 진공 흡인력을 작용시키면, 공간부(26)를 개재하여 콜렛(30)의 복수의 진공 흡인공(32)에 진공 흡인력이 작용한다. 또한, 콜렛 홀더(20)의 진공 흡인공(21)에 압축 기체를 공급하면, 상기 공간부(26)를 개재하여 콜렛(30)의 복수의 진공 흡인공(32)으로부터 압축 기체가 분산하여 토출된다.The depth H1 of the
다음으로, 상기의 툴(10)에 따른 박편 칩의 픽업 동작, 본딩 동작 및 상기 콜렛에서의 이탈 동작에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.Next, the pick-up operation of the flake chip according to the
우선, 픽업 위치(P1)에서, 상기 박편 칩을 픽업하는 경우에 대하여 설명하면, 도 2a에 나타낸 바와 같이, 툴(10)의 콜렛(30)을 웨이퍼 시트(62)에 접착된 박편 칩(65a)의 상면에 당접시키고, 콜렛 홀더(20)의 진공 흡인공(21)에 진공 흡인력을 작용시킨다. 그에 따라, 이러한 진공 흡인력은 공간부(26)를 개재하여 콜렛(30)의 복수의 진공 흡인공(32)으로 분산되어, 박편 칩(65a)의 주변부를 진공 흡착할 수 있다.First, the case of picking up the flake chip at the pick-up position P1 will be described. As shown in FIG. 2A, the
이러한 상태에서, 웨이퍼 시트(62)의 아래쪽에서 압력 핀(67)으로 박편 칩 (65a)의 중앙부를 압력하거나, 웨이퍼 시트(62)를 아래쪽에서 진공 흡인력에 의해 하방으로 변형시키면, 박편 칩(65a)이 평탄면(31)에 당접해 있고, 주변부가 콜렛(30)의 진공 흡인공(32)에 의해 흡착되어 있으므로, 박편 칩(65a)의 중앙부가 압력 핀(67)에 의해 위쪽으로 굽지 않음과 동시에, 박편 칩(65a)의 주변부가 웨이퍼 시트(62)의 변형에 수반하여 아래쪽으로 변형하지 않고, 박편 칩(65a)의 주변부가 웨이퍼 시트(62)로부터 부드럽게 박리를 개시할 수 있고, 박편 칩(65a)과 웨이퍼 시트(62)와의 접착 면적이 감소하여 접착력이 감소한다.In such a state, when the center portion of the
전술한 상태에서 그대로 툴(10)을 상승시키면, 상술한 바와 같이, 주변부가 웨이퍼 시트(62)로부터 박리되어 있는 박편 칩(65a)은, 이 박리되어 있는 주변부에서 중심부를 향해 웨이퍼 시트(62)에서 차례로 박리되어 가면서 완전히 박리된다. 이 때, 박편 칩(65a)의 중앙부가 콜렛(30)의 진공 흡인공(32)에 의해 흡착되어 있으므로, 박편 칩(65a)의 중앙부가 아래쪽으로 변형하지 않고, 부드럽게 웨이퍼 시트(62)로부터 박리되고, 박편 칩(65a)이 깨지지 않고 픽업된다.When the
다음으로, 상기 툴(10)에 흡착된 박편 칩(65a)을 기판(1)에 본딩하는 경우에 대하여 설명하면, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 기판(1)에 공급되어 있는 접합재(2)에 의해, 박편 칩(65a)은 위쪽을 향해 반력을 받으나, 콜렛(30)의 하면에 평탄면(31)을 가지므로, 접합재(2)에 의한 반력은 박편 칩(65a)의 배면 전체에 균일하게 분산된 결과, 종래와 같은 박편 칩(65a)의 중앙부에만 국부적인 반력을 받지 않고, 박편 칩(65a)이 깨지지 않는다. Next, the case where the
또한, 본딩 종료 후, 툴(10)에서 박편 칩(65a)을 이탈시키기 위해, 진공 흡 인공(21)에 압축 기체를 공급한 경우, 도 2c에 나타낸 바와 같이, 압축 기체(4)는 콜렛(30)의 복수의 진공 흡인공(32)에서 박편 칩(65a)으로 분산하여 토출되기 때문에, 종래의 중앙부에 단일 진공 흡입공을 갖는 콜렛과 같이, 박편 칩(65a)의 중앙부에만 압축 기체가 집중하여 토출되지 않으므로, 박편 칩(65a)의 중앙부가 아래쪽으로 변형하지 않고, 박편 칩(65a)의 깨짐을 방지하고, 박편 칩(65a)을 이탈시킬 수 있다.In addition, in the case where compressed gas is supplied to the vacuum suction artificial 21 in order to detach the
실시예 2Example 2
다음으로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 콜렛(10A)을 도 3a, 도 3b 및 도 3c를 참조하여 설명한다. 상기 콜렛(10A)은, 콜렛 홀더(20) 및 콜렛(30A)을 구비하고 있다. 본 실시예에 따른 콜렛 홀더(20)는, 도 1a에 나타낸 콜렛 홀더(20)와 동일하므로, 동일 부분에는 동일 참조번호를 부여하고 그에 대한 설명은 생략한다.Next, the
콜렛(30A)이 하면의 평탄면(31), 복수의 소경 진공 흡인공(32), 콜렛 홀더(20)의 오목부(25)에 감입하는 돌출부(33) 그리고 콜렛 홀더(20)의 입하부(24)의 하면에 당접하는 플랜지부(34)를 갖는 점은, 도 1a에 도시한 콜렛(30)과 동일하나, 복수의 진공 흡인공(32)의 하단과 일 방향으로 연통하는 홈부(35) 및 복수의 진공 흡인공(32)의 하단과 타 방향으로 연통하는 홈부(36)를 갖는 점이 다르다. 콜렛(30A)을 관통하는 진공 흡인공(24) 및 홈부(35, 36)는 제작 형으로 미리 진공 흡인공(24) 및 홈부(35, 36)의 형상에 대응하는 돌출부를 형성해 두면, 콜렛(30A)의 주물 성형 시에, 동시에 진공 흡인공(24) 및 홈부(35, 36)를 형성할 수 있으므로, 복 수의 진공 흡인공(32)이나 홈부(35, 36)를 형성함에 따른 제조 공정 수 및 비용의 상승을 방지할 수 있다.The
다음으로, 상기 홈부(35, 36)를 갖는 콜렛(30A)을 구비한 툴(10A)의 동작에 대하여 설명한다.Next, operation | movement of the
우선, 툴(10A)에서 박편 칩(65a)을 흡착하는 경우는, 툴(10A)의 콜렛(30A)을 웨이퍼 시트(62)에 접합된 박편 칩(65a)의 상면에 당접시켜, 콜렛 홀더(20)의 진공 흡인공(21)에 진공 흡인력을 작용시킨다. 그에 따라, 상기 진공 흡인력은, 공간부(26)를 개재하여 콜렛(30A)의 복수의 진공 흡인공(32)으로 분산되고, 이들 진공 흡인공(32)에 연통하는 홈부(35, 36)로 분산되고, 박편 칩(65a)의 주변부를 보다 넓은 면에서 진공 흡착 할 수 있다.First, in the case where the
이러한 상태에서, 웨이퍼 시트(62)의 아래쪽에서 압력 핀(67)으로 박편 칩(65a)의 중앙부를 압력하거나, 웨이퍼 시트(62)를 아래쪽에서의 진공 흡인력에 의해 아래쪽으로 변형시키거나 하면, 박편 칩(65a)이 평탄면(31)에 당접해 있고, 주변부가 콜렛(30A)의 홈부(35, 36)에 의해 진공 흡착되어 있으므로, 박편 칩(65a)의 중앙부가 압력 핀(67)에 의해 위쪽으로 변형하지 않음과 동시에, 박편 칩(65a)의 주변부가 웨이퍼 시트(62)의 변형에 수반하여 아래쪽으로 변형하지 않고, 박편 칩(65a)의 주변부가 웨이퍼 시트(62)에서 부드럽게 박리를 개시하고, 박편 칩(65a)과 웨이퍼 시트(62)와의 접착 면적이 감소하여 접착력이 감소한다.In such a state, when the center portion of the
그대로 툴(10A)을 상승시키면, 상술한 바와 같이, 주변부가 웨이퍼 시트(62)에서 박리되어 있는 박편 칩(65a)은 상기 박리되어 있는 주변부에서 중심부를 향해 웨이퍼 시트(62)에서 차례로 박리되면서 완전히 박리된다. 이 때, 박편 칩(65a)의 중앙부가 콜렛(30A)의 홈부(35, 36)에 의해 흡착되어 있으므로, 박편 칩(65a)의 중앙부가 아래쪽으로 변형하지 않고, 부드럽게 웨이퍼 시트(62)로부터 박리되고, 박편 칩(65a)이 깨지지 않고 픽업된다.When the
다음으로, 상기 툴(10A)에 흡착된 박편 칩(65a)을 기판(1)에 본딩하는 경우에 대하여 설명하면, 기판(1)에 공급되어 있는 접합재(2)에 의해, 박편 칩(65a)은 위쪽을 향하는 반력(3)을 받으나, 콜렛(30A)의 하면에 평탄면(31)을 가지므로, 접합재(2)에 의한 반력은, 박편 칩(65a)의 배면 전체에 균일하게 분산된 결과, 종래와 같은 박편 칩(65a)의 중앙부에만 국부적인 반력을 받지 않고, 박편 칩(65a)의 깨짐이 없어진다.Next, the case where the
또한, 본딩 종료 후, 툴(10A)에서 박편 칩(65a)을 이탈시키기 위해, 진공 흡인공(21)에 압축 기체(4)를 공급한 경우, 압축 기체(4)는 콜렛(30A)의 복수의 홈부(35, 36)에서 박편 칩(65a)의 넓은 면으로 분산하여 토출되기 때문에, 종래의 중앙부에 단일 진공 흡인공을 갖는 콜렛과 같이, 박편 칩(65a)의 중앙부에만 국부적으로 압축 기체가 집중하여 토출되지 않으므로, 박편 칩(65a)의 중앙부가 아래쪽으로 변형하지 않고, 박편 칩(65a)의 깨짐을 방지하고, 박편 칩(65a)을 이탈시킬 수 있다.In addition, when the
또한, 상술한 실시예들은 본 발명의 특정한 형태에 대하여 설명한 것으로, 본 발명은 이들 실시예들에 한정되지 않고, 각종 변형이 가능하다.In addition, the above-described embodiments have been described with respect to specific forms of the present invention, and the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications are possible.
예를 들면, 상술한 실시예 2에서는, 콜렛(30A)에 복수의 진공 흡착공(32)을 형성한 경우에 대하여 설명했지만, 도 3a 및 도 3b에 나타낸 콜렛(30A)과 같이, 평탄면(31)에 홈부(35, 36)를 형성하는 경우에는, 이러한 홈부(35, 36)에 연통하는 진공 흡인공(32)의 수를 도시된 경우 보다 적게 할 수 있고, 예를 들면, 단일 진공 흡인공(24)을 갖는 구성으로 하여도 무방하다.For example, in Example 2 mentioned above, although the case where the some
또한, 전술한기 실시예들은, 특히 현저한 효과가 발휘되는 박편 칩의 픽업, 본딩 및 콜렛에서의 이탈에 대하여 설명했으나, 통상적으로 약 50μm 이상의 두께를 갖는 반도체 칩의 픽업, 본딩 및 콜렛으로부터의 이탈에 대해서도 적용할 수 있음은 자명하다.In addition, the above-described embodiments have specifically described the pickup, bonding, and release from the collet of the flake chip, which exhibits a remarkable effect. However, the above-described embodiments are conventionally used for the pickup, bonding, and separation from the semiconductor chip having a thickness of about 50 μm or more. Applicability is also obvious.
또한, 상술한 실시예들은, 기판(1)에 접합재(2)를 도포 등에 의해 공급하여, 이 접합재(2)를 개재하여 박편 칩을 본딩하는 경우에 대해서 설명했으나, 미리, 박편 칩의 배면에 접합재를 피착시켜두고, 이러한 접합재를 개재하여 본딩하도록 하여도 무방하다.In addition, although the above-mentioned embodiment demonstrated the case where the
또한, 상술한 실시예 1 및 2에서는, 콜렛 홀더(20)측에 입하부(24)와 오목부(25)를 설치하고, 콜렛(30, 30A)측에 상기 오목부(25)에 감입하는 돌출부(33)와, 상기 입하부(24)의 하면에 당접하는 플랜지부(34)를 설치하는 경우에 대하여 설명했지만, 도시한 경우와는 반대로, 콜렛(30, 30A)측에 입상부 및 오목부를 설치하고, 콜렛 홀더(20)측에 상기 오목부에 감입하는 돌출부 및 입상부의 상면에 당접하는 플렌지부를 설치하여도 무방하다.In addition, in Examples 1 and 2 mentioned above, the
또한, 도 2a 내지 도 2c에서는, 콜렛(30)의 크기가 박편 칩(65a)의 크기와 동등한 경우에 대하여 나타내고 있으나, 보다 박편 칩(65a)의 주변부분을 진공 흡 착하기 위해서는, 콜렛(30)의 크기가 박편 칩(65a) 보다 큰 것이어도 무방하다. 이와 같이, 콜렛(30)을 박편 칩(65a)보다 크게 함에 따라, 박편 칩(65a) 주변부의 접합재의 기포를 보다 완전히 제거하고, 양호한 본딩을 실현할 수 있다. 콜렛(30)의 구체적인 크기(칩 사이즈에서 초과된 양)는, 칩 사이즈나, 칩과 리드 프레임, 또는 기판 등의 사이에 개재하는 경우 테이프의 두께에 따라 다르다.In addition, although the case where the size of the
또한, 전술한기 실시예 1에서는, 콜렛(30)의 복수의 진공 흡인공(32)을, 동일 지름으로 균일하게 형성하는 경우에 대해서 설명했으나, 예를 들면, 중앙부의 진공 흡인공의 구멍 지름은 크고, 주변부의 진공 흡인공의 구멍 지름은 작게 형성하거나, 중앙부의 진공 흡인공의 밀도를 크게, 주변부의 진공 흡인공의 밀도를 작게 형성함에 따라, 중앙부와 주변부에서 박편 칩에 가해지는 압력이 다르도록 하면, 박편 칩의 기판으로의 본딩 시에, 상기 박편 칩의 중앙부에서 주변부로 차례로 압력을 가하여, 상기 박편 칩의 아래쪽의 분위기 가스를 압출하면서 본딩할 수 있게 되고, 접합재에 기포를 포함하지 않는 양호한 본딩을 실현할 수 있다. 또한, 도 1 및 도 2에서는, 콜렛(30)의 칩과의 접촉면을 평탄면으로 하고 있으나, 칩 하면과 압력 핀이나 니들레스 슬라이더와의 사이에 개재하는 시트의 변형을 이용하여, 콜렛(30)의 하면 중앙부분을 아래쪽을 향하게 약간의 돌출을 이루는 곡면으로 형성하는 것으로, 복수의 진공 흡인공(32)과의 상승(相乘)작용으로 보다 박리성을 향상시키거나, 본딩 시의 분위기 가스의 압출을 부드럽게 할 수 있다.In addition, in Example 1 mentioned above, although the case where the several vacuum suction holes 32 of the
또한, 상술한 실시예들은, 칩을 픽업하여 그대로 본딩하는, 소위, 다이렉트 본딩 방식의 다이 본더에 대하여 설명했으나, 픽업한 칩을 일단 트레이나 위치 수 정부로 이동하고, 이러한 트레이나 위치 수정부에서 칩을 픽업하여 본딩하는, 소위, 간접 본딩 방식의 다이 본더의 픽업용 콜렛이나 본딩용 콜렛에도 적용할 수 있다.In addition, the above-described embodiments have described a so-called direct bonding die bonder in which chips are picked up and bonded as they are, but once the picked-up chip is moved to a tray or a position corrector, It is also applicable to the pick-up collet and bonding collet of a so-called indirect bonding die bonder which picks up and bonds a chip.
본 발명은 반도체 칩의 다이 본더에 특히 적합한 것이나, 그 외에도 저항기 칩이나 콘덴서 칩 등의 각종 전자 부품의 다이 본더에도 적용할 수 있다.The present invention is particularly suitable for die bonders of semiconductor chips, but can also be applied to die bonders of various electronic components such as resistor chips and capacitor chips.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art have various modifications of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. And can be changed.
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