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KR100766214B1 - Multifunctional Thin Film Resistor-Capacitor Arrays and Manufacturing Method Thereof - Google Patents

Multifunctional Thin Film Resistor-Capacitor Arrays and Manufacturing Method Thereof Download PDF

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KR100766214B1
KR100766214B1 KR1020060108523A KR20060108523A KR100766214B1 KR 100766214 B1 KR100766214 B1 KR 100766214B1 KR 1020060108523 A KR1020060108523 A KR 1020060108523A KR 20060108523 A KR20060108523 A KR 20060108523A KR 100766214 B1 KR100766214 B1 KR 100766214B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
silicon substrate
capacitor array
capacitors
film resistor
Prior art date
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KR1020060108523A
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Korean (ko)
Inventor
다니엘 리우
Original Assignee
트루 라이트 코포레이션
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Abstract

A multiple function thin film resistor-capacitor array and a method for manufacturing the same are provided to form resistors with different resistances and capacitors with different capacitances or the combination thereof by controlling the pattern and thickness of a dielectric film, to reduce fabrication costs, and to reduce die bonding time. A dielectric thin film is formed on a silicon substrate. A metallic array layer is formed on the dielectric thin film. The metallic array layer has resistors(23) with different resistances and capacitors(24,25) with different capacitances. The resistors and capacitors are formed by performing a photolithography process using a photomask. A circuit connection is formed between the metallic array layer and the dielectric thin film. A grinding process is performed on the silicon substrate in order to obtain an aiming thickness from the resultant structure.

Description

다기능 박막 저항기-커패시터 어레이{Multiple Function Thin-Film Resistor-Capacitor Array}Multi-function Thin-Film Resistor-Capacitor Array

도 1은 종래기술에 따른 광섬유 수신모듈의 개략도.1 is a schematic diagram of an optical fiber receiving module according to the prior art.

도 2는 종래기술에 따른 광섬유 수신모듈에 사용되는 커패시터들의 개략도.Figure 2 is a schematic diagram of the capacitors used in the optical fiber receiving module according to the prior art.

도 3은 종래기술에 따른 다른 광섬유 수신모듈의 개략도.3 is a schematic diagram of another optical fiber receiving module according to the prior art;

도 4는 종래기술에 따른 다른 광섬유 수신모듈에 사용되는 커패시터의 개략도.4 is a schematic diagram of a capacitor used in another optical fiber receiving module according to the prior art;

도 5는 종래기술에 따른 다른 광섬유 수신모듈의 회로도.5 is a circuit diagram of another optical fiber receiving module according to the prior art.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 방법의 흐름도.6 is a flow chart of a method according to a preferred embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 바람직한 실시예의 단면도.7 is a cross-sectional view of a preferred embodiment of the present invention.

도 8은 광섬유 수신모듈에 사용되는 본 발명의 바람직한 실시예의 개략도.8 is a schematic diagram of a preferred embodiment of the present invention for use in an optical fiber receiving module.

도 9는 광섬유 수신모듈에 사용되는 본 발명의 바람직한 실시예의 회로도.9 is a circuit diagram of a preferred embodiment of the present invention for use in an optical fiber receiving module.

도 10은 광섬유 수신모듈에 사용되는 본 발명의 다른 바람직한 실시예의 개략도.10 is a schematic diagram of another preferred embodiment of the present invention for use in an optical fiber receiving module.

도 11은 광섬유 수신모듈에 사용되는 본 발명의 다른 바람직한 실시예의 회로도.11 is a circuit diagram of another preferred embodiment of the present invention for use in an optical fiber receiving module.

본 발명은 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이에 관한 것으로, 특히 단일 실리콘 기판상에 형성된 서로 다른 저항값의 저항기들과 서로 다른 정전용량의 커패시터들을 갖고 광 기판으로 이용되는 다기능 박막 수동 소자에 대한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multifunction thin film resistor-capacitor array, and more particularly, to a multifunctional thin film passive element used as an optical substrate with resistors of different resistance values and capacitors of different capacitance formed on a single silicon substrate.

광섬유 수신모듈 또는 반도체 소자를 위한 패키지는 전압 레귤레이션(regulation) 또는 노이즈 필터링을 위해 저항기 또는 커패시터와 같은 수동 소자들을 포함하기도 한다.Packages for optical fiber receiving modules or semiconductor devices may include passive components such as resistors or capacitors for voltage regulation or noise filtering.

도 1 및 도 2는 종래기술에 따른 광섬유 수신모듈(1)을 위한 패키지와 커패시터 소자를 보여준다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 광섬유 수신 모듈(1)은 베이스(11), 포토다이오드(12), 광 기판(13), 및 트랜스임피던스 증폭기(TIA: 14)를 포함한다. 요구되는 저항값과 정전용량에 따라, 저항기(15) 및 두 개의 단일층 커패시터들(SLC: 16, 16’)이 전압 레귤레이션 또는 노이즈 필터링을 위해 제공된다. 상기 요소들의 회로 연결에 있어서, 포토다이오드(12)는 은(silver) 에폭시로 광 기판(13)에 다이본딩(die bonding)될 수 있고, 포토다이오드(12)의 위치는 상기 광 기판(13)의 두께에 의해 조절될 수 있다. 이후에 상기 포토다이오드(12)는 TO-can 아키텍처를 위해 베이스(11)의 윗면에 와이어 본딩(wire bonding) 및 고정된다. 상기 SLC(16, 16’)의 유전층(161)의 표면에 금속층들(162, 163)이 추가된다. 상기 SLC는 다이 본딩에 의해 포토다이오드(12)와 집적될 수 있고 와이어 본딩에 의한 전기적 연결을 갖는다. 그러나, 정전용량값은 그 두께에 영향을 받는다. 따라 서, 상기 SLC은 광 기판으로 사용될 수 없어 광 기판(13)이 추가로 필요하다. 비용과 처리 시간이 증가한다.1 and 2 show a package and a capacitor element for the optical fiber receiving module 1 according to the prior art. As shown in FIG. 1, the optical fiber receiving module 1 includes a base 11, a photodiode 12, an optical substrate 13, and a transimpedance amplifier (TIA) 14. Depending on the resistance value and capacitance required, resistor 15 and two single layer capacitors (SLC: 16, 16 ') are provided for voltage regulation or noise filtering. In the circuit connection of the elements, the photodiode 12 can be die bonded to the optical substrate 13 with silver epoxy, the position of the photodiode 12 being the optical substrate 13 It can be adjusted by the thickness of. The photodiode 12 is then wire bonded and secured to the top of the base 11 for a TO-can architecture. Metal layers 162 and 163 are added to the surface of the dielectric layer 161 of the SLC 16 and 16 '. The SLC can be integrated with the photodiode 12 by die bonding and has an electrical connection by wire bonding. However, the capacitance value is affected by its thickness. Therefore, the SLC cannot be used as an optical substrate, so an optical substrate 13 is additionally required. Cost and processing time increase.

도 3 내지 도 5는 종래기술에 따른 다른 광섬유 수신모듈(1)을 보여준다. 상기 광섬유 수신모듈(1)은 베이스(11), 포토다이오드(12), 광 기판(13), 및 트랜스임피던스 증폭기(TIA: 14)를 포함한다. 요구되는 저항값과 정전용량에 따라, SMD 저항기(17) 및 두 개의 SMD 커패시터들(18, 18’)이 전압 레귤레이션과 노이즈 필터링을 위해 제공된다. 상기 요소들의 회로 연결에 있어서, 포토다이오드(12)는 광 기판(13)에 다이 본딩될 수 있다. 그러나, SMD 저항기(17) 및 SMD 커패시터들(18, 18’)의 표면에 와어어 본딩이 수행될 수는 없다. 또한, 두 전극들은 동일 평면상에 위치한다. 상기 SMD 소자들이 기판(19)상에 다이본딩된 뒤에 그 전극들이 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 전기적으로 연결된다. 상기 SMD 커패시터들(18, 18’)중 하나는 회로 설계와 와어어 본딩을 위해 포토다이오드(12)와 함께 동일한 광 기판(13) 상에 배치될 수 있다. 이후에 도 5에 도시된 바와 같이 상기 요소들은 와이어본딩을 통해 전기적으로 연결된다. 3 to 5 show another optical fiber receiving module 1 according to the prior art. The optical fiber receiving module 1 includes a base 11, a photodiode 12, an optical substrate 13, and a transimpedance amplifier (TIA) 14. Depending on the resistance value and capacitance required, SMD resistor 17 and two SMD capacitors 18, 18 'are provided for voltage regulation and noise filtering. In the circuit connection of the elements, the photodiode 12 can be die bonded to the optical substrate 13. However, wire bonding cannot be performed on the surfaces of the SMD resistor 17 and the SMD capacitors 18, 18 '. Also, both electrodes are located on the same plane. The SMD elements are die-bonded onto the substrate 19 and then the electrodes are electrically connected as shown in FIGS. 3 and 4. One of the SMD capacitors 18, 18 ′ may be disposed on the same optical substrate 13 together with the photodiode 12 for circuit design and wire bonding. The elements are then electrically connected via wirebonding as shown in FIG. 5.

그러나, 상기 종래기술에 따른 광섬유 수신모듈(1)은 광 기판 상에 복수의 저항기와 커패시터로 구성된 전압 레귤레이터 및 필터 유닛을 필요로 한다. 복수의 다이 본딩 및 와이어 본딩 공정이 상기 포토다이오드(12)를 위해 요구된다. 따라서 비용이 증가하고 상기 광학 회로 및 전기 회로를 위한 라우팅이 제한된다. 상기 광섬유 수신모듈이 보다 컴팩트해 짐에 따라 디바이스 공간이 또한 제한되는데, 이는 SMD 저항기와 SMD 커패시터가 자신들의 규격을 갖고 있기 때문이다. 상 기 포토다이오드(12)의 위치는 광 기판(13)의 두께에 의해 조절된다. 재료비가 증가한다.However, the optical fiber receiving module 1 according to the related art requires a voltage regulator and a filter unit composed of a plurality of resistors and capacitors on an optical substrate. Multiple die bonding and wire bonding processes are required for the photodiode 12. The cost is thus increased and the routing for the optical and electrical circuits is limited. As the optical fiber receiving module becomes more compact, device space is also limited, since SMD resistors and SMD capacitors have their own specifications. The position of the photodiode 12 is adjusted by the thickness of the optical substrate 13. Material costs increase.

본 발명은 서로 다른 저항값의 저항기들과 서로 다른 정전용량의 커패시터들이 단일 실리콘 기판의 표면상의 유전체 박막 위에 형성될 수 있고, 포토마스크 공정에 의해 쉽게 정의될 수 있는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이를 제공하는 데에 목적이 있다.The present invention provides a multifunctional thin film resistor-capacitor array in which resistors of different resistance values and capacitors of different capacitances can be formed on a dielectric thin film on the surface of a single silicon substrate and can be easily defined by a photomask process. The purpose is to.

본 발명은 포토다이오드의 위치를 조절하기 위해 그라인딩(grinding) 공정에 의해 실리콘 기판의 두께가 조절될 수 있는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이를 제공하는 데에 다른 목적이 있다.It is another object of the present invention to provide a multifunctional thin film resistor-capacitor array in which the thickness of a silicon substrate can be adjusted by a grinding process to adjust the position of the photodiode.

따라서, 본 발명은 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법에 있어서, 상기 박막 저항기-커패시터 어레이는 광섬유 수신모듈을 위한 전압 레귤레이션 및 필터링에 사용되고 광 기판으로 사용되며, 상기 광섬유 수신모듈은 베이스, 포토다이오드 및 트랜스임피던스 증폭기(TIA)를 포함하고, 상기 제조방법은 실리콘 기판을 제공하는 단계; 상기 실리콘 기판상에 유전체 박막을 형성하는 단계; 포토리소그래피 및 포토마스크에 의해 서로 다른 저항값의 저항기들과 서로 다른 정전용량의 커패시터들을 가진 금속 어레이층을 상기 유전체 박막 상에 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판을 광 평면을 위해 원하는 두께로 그라인딩하는 단계; 상기 실리콘 기판의 다른 표면에 금(gold) 패드와 접점을 형성하는 단계; 및 서로 다른 저항값 의 저항기들과 서로 다른 정전용량의 커패시터들을 단일 칩 위에 형성하여 상기 박막 저항기-커패시터 어레이를 완성하는 단계를 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법을 제공한다.Accordingly, the present invention provides a multifunctional thin film resistor-capacitor array manufacturing method, wherein the thin film resistor-capacitor array is used for voltage regulation and filtering for an optical fiber receiving module and is used as an optical substrate, and the optical fiber receiving module includes a base, a photodiode and A transimpedance amplifier (TIA), the method comprising the steps of: providing a silicon substrate; Forming a dielectric thin film on the silicon substrate; Forming, by photolithography and a photomask, a metal array layer on the dielectric thin film having resistors of different resistance values and capacitors of different capacitances; Grinding the silicon substrate to a desired thickness for an optical plane; Forming a gold pad and a contact on another surface of the silicon substrate; And forming resistors of different resistance values and capacitors of different capacitances on a single chip to complete the thin film resistor-capacitor array.

따라서, 본 발명은 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이를 사용하는 광섬유 수신모듈을 제공한다. 상기 광섬유 수신 모듈은 베이스; 칩 위에 형성되고, 요구되는 저항값들의 저항기들과 요구되는 정전용량들의 커패시터들을 포함하되, 상기 베이스의 한 면에 다이본딩된 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이; 상기 다기능 박막저항기-커패시터 어레이에 다이본딩되되, 다기능 박막RC어레이의 두께는 포토다이오드의 광학 위치를 제어하기 위해 조절되는 포토다이오드 다이(die); 및 상기 베이스의 한 면에 다이본딩된 트랜스임피던스 증폭기(TIA)를 포함하고, 상기 포토다이오드, 트랜스임피던스 증폭기, 박막 저항기-커패시터 어레이의 저항기들과 커패시터들, 및 상기 베이스의 단자들은 와이어본딩되어 그들 사이의 연결을 형성한다.Accordingly, the present invention provides an optical fiber receiving module using a multifunctional thin film resistor-capacitor array. The optical fiber receiving module has a base; A multifunction thin film resistor-capacitor array formed over the chip, the multifunction thin film resistor-capacitor array die-bonded to one side of the base, the resistors having required resistance values and capacitors of required capacitances; A photodiode die die-bonded to the multifunction thin film resistor-capacitor array, the thickness of the multifunction thin film RC array being adjusted to control the optical position of the photodiode; And a transimpedance amplifier (TIA) die-bonded to one side of the base, wherein the photodiode, transimpedance amplifier, resistors and capacitors of a thin film resistor-capacitor array, and terminals of the base are wirebonded to To form a connection between them.

본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the accompanying drawings.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이(2)의 제조방법은 다음과 같은 단계들을 포함한다:6 and 7, the manufacturing method of the multifunctional thin film resistor-capacitor array 2 according to the present invention includes the following steps:

800단계: 실리콘 기판(21)을 마련한다.Step 800: prepare a silicon substrate 21.

802단계: 유전체 박막(22)을 상기 실리콘 기판(21) 상에 형성하며, 상기 유전체 박막(22)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물이다.Step 802: A dielectric thin film 22 is formed on the silicon substrate 21, and the dielectric thin film 22 is silicon oxide or silicon nitride.

803단계: 포토리소그래피 및 포토마스크에 의해 복수의 저항기들 및 커패시터들을 가진 금속 어레이층(221)을 상기 유전체 박막(22) 상에 형성하고, 그 사이에 연결 회로를 형성한다.Step 803: A metal array layer 221 having a plurality of resistors and capacitors is formed on the dielectric thin film 22 by photolithography and a photomask, and a connection circuit is formed therebetween.

804단계: 광 평면을 위해 원하는 두께로 상기 실리콘 기판(21)을 그라인딩한다. 또는, 원하는 두께의 실리콘 기판(21)을 선택하거나, 저항기-커패시터 어레이 형성 후 반도체 제조 공정에 의해 상기 실리콘 기판(21)을 그라인딩한다.Step 804: Grind the silicon substrate 21 to a desired thickness for the light plane. Alternatively, the silicon substrate 21 having a desired thickness is selected, or the silicon substrate 21 is ground by a semiconductor manufacturing process after forming a resistor-capacitor array.

806단계: 상기 실리콘 기판(21)의 다른 면을 그라인딩한 다음에, 금(gold) 패드(26)를 코팅하여 접점(contact)을 형성한다. 또는, 은(silver) 에폭시로 다이 본딩하여 접점들을 형성한다.Step 806: After grinding the other side of the silicon substrate 21, a gold pad 26 is coated to form a contact. Or die bond with silver epoxy to form the contacts.

808단계: 상기 박막 저항기-커패시터 어레이(2)의 제조를 완료하되, 서로 다른 저항값의 저항기들 및 서로 다른 정전용량의 커패시터들 또는 그 조합이 형성된다.Step 808: The manufacturing of the thin film resistor-capacitor array 2 is completed, and resistors of different resistance values and capacitors of different capacitances or combinations thereof are formed.

상기 유전체 박막(22) 상의 저항기들의 저항값 및 커패시터들의 정전용량은 유전체 박막(22)의 두께 및 한정된 패턴에 의해 좌우된다. 바꾸어 말하면, 상기 금속 어레이층(221)은 포토마스크를 사용하여 서로 다른 형태와 크기로 형성될 수 있고, 상기 유전체 박막(22)의 두께는 단일 칩 위에 서로 다른 저항값의 저항기들 및 서로 다른 정전용량의 커패시터들을 형성하기 위해 제어되어 상기 박막 저항기-커패시터 어레이(2)가 완성된다. 그들 사이의 상기 회로 연결도 회로 트레이스(circuit trace)에 의해 형성될 수 있다.The resistance value of the resistors on the dielectric thin film 22 and the capacitance of the capacitors depend on the thickness and the defined pattern of the dielectric thin film 22. In other words, the metal array layer 221 may be formed in different shapes and sizes using a photomask, and the thickness of the dielectric thin film 22 may be different from each other by using resistors of different resistance values and different electrostatic capacitances on a single chip. Controlled to form capacitive capacitors, the thin film resistor-capacitor array 2 is completed. The circuit connection between them can also be formed by a circuit trace.

또한, 상기 박막 저항기-커패시터 어레이(2)의 금속 어레이층(221) 상에 다 이 본딩 및 와이어 본딩이 직접 수행될 수 있고, 접점들도 연결된 면에 형성될 수 있다. 상기 박막 저항기-커패시터 어레이(2)는 광섬유 수신모듈(3) 및 관련 제품에 유익하게 사용될 수 있다.In addition, die bonding and wire bonding may be directly performed on the metal array layer 221 of the thin film resistor-capacitor array 2, and the contacts may also be formed on the connected surface. The thin film resistor-capacitor array 2 can be advantageously used in the optical fiber receiving module 3 and related products.

도 8 및 도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상기 박막 저항기-커패시터 어레이(2)를 사용하는 광섬유 수신모듈(3)을 보여주고 있다. 상기 광섬유 수신모듈(3)은 복수의 단자를 가진 베이스(31), 본 발명에 따른 박막 저항기-커패시터 어레이(2), 단일 칩 상에 형성되고 베이스(31)의 표면에 접합된 저항기(23) 및 커패시터들(24, 25), 포토다이오드(32), 및 트랜스임피던스 증폭기(TIA: 33)를 포함하며, 상기 구성요소들은 TO-can 아키텍처로 패키징된다.8 and 9 show an optical fiber receiving module 3 using the thin film resistor-capacitor array 2 according to a preferred embodiment of the present invention. The optical fiber receiving module 3 comprises a base 31 having a plurality of terminals, a thin film resistor-capacitor array 2 according to the invention, a resistor 23 formed on a single chip and bonded to the surface of the base 31. And capacitors 24, 25, photodiode 32, and transimpedance amplifier (TIA) 33, which components are packaged in a TO-can architecture.

상기 포토다이오드(32)는 은 에폭시로 박막 저항기-커패시터 어레이(2)의 커패시터(25)에 다이 본딩된다. 바꾸어 말하면, 상기 박막 저항기-커패시터 어레이(2)는 종래의 광 기판을 대신하여 포토다이오드(32)의 기판으로서 기능한다. 상기 박막 저항기-커패시터 어레이(2)의 두께는 포토다이오드(32)의 원하는 위치에 맞추기 위해 그라인딩에 의해 조절될 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이 상기 포토다이오드(32), TIA(33), 박막 저항기-커패시터 어레이(2) 상의 저항기(23)와 커패시터들(24, 25), 및 베이스(31)의 단자들(311)은 와이어 본딩 공정에 의해 연결된다.The photodiode 32 is die bonded to the capacitor 25 of the thin film resistor-capacitor array 2 with silver epoxy. In other words, the thin film resistor-capacitor array 2 functions as a substrate of the photodiode 32 in place of a conventional optical substrate. The thickness of the thin film resistor-capacitor array 2 can be adjusted by grinding to fit the desired position of the photodiode 32. As shown in FIG. 9, the terminals of the photodiode 32, the TIA 33, the resistor 23 and the capacitors 24 and 25, and the base 31 on the thin film resistor-capacitor array 2 ( 311 is connected by a wire bonding process.

도 10 및 도 11은 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 박막 저항기-커패시터 어레이(2)를 보여준다. 본 바람직한 실시예는 이 바람직한 실시예의 박막 저항기-커패시터 어레이(2)가 서로 다른 정전용량의 커패시터들(24, 25, 27)의 조합 을 포함한다는 점을 제외하고 도 8 및 도 9에 도시한 실시예와 유사하다. 포토다이오드(32)는 상기 박막 저항기-커패시터 어레이(2)의 커패시터(25)에 다이 본딩된다. 상기 포토다이오드(32)의 원하는 높이는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이(2)의 두께에 의해 조절된다. 상기 포토다이오드(32), TIA(33), 박막RC어레이(2) 내의 저항기(23)와 커패시터들(24, 25), 및 베이스(31)의 단자들(311)은 도 11에 도시한 바와 같이 와이어 본딩 공정에 의해 연결된다.10 and 11 show a thin film resistor-capacitor array 2 according to another preferred embodiment of the present invention. This preferred embodiment is shown in FIGS. 8 and 9 except that the thin film resistor-capacitor array 2 of this preferred embodiment comprises a combination of capacitors 24, 25, 27 of different capacitance. Similar to the example. The photodiode 32 is die bonded to the capacitor 25 of the thin film resistor-capacitor array 2. The desired height of the photodiode 32 is controlled by the thickness of the multifunction thin film resistor-capacitor array 2. The photodiode 32, the TIA 33, the resistor 23 and the capacitors 24 and 25 in the thin film RC array 2, and the terminals 311 of the base 31 are shown in FIG. As connected by the wire bonding process.

본 발명에 따른 상기 광섬유 수신모듈(3)을 위한 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이(2)는 다음과 같은 장점을 갖는다.The multifunctional thin film resistor-capacitor array 2 for the optical fiber receiving module 3 according to the present invention has the following advantages.

(a) 반도체 공정을 통해 유전체 층의 패턴 및 두께를 조절함으로써 서로 다른 저항값의 저항기들 및 서로 다른 정전용량의 커패시터들 또는 그 조합이 형성될 수 있다.(a) By adjusting the pattern and thickness of the dielectric layer through the semiconductor process, resistors of different resistance values and capacitors of different capacitances or combinations thereof may be formed.

(b) 낮은 재료 소비량과 비용(b) low material consumption and cost

(c) 단일 칩 내 다수의 수동 소자들에 의해 다이 본딩 공정 시간을 줄인다.(c) Reduce die bonding process time by multiple passive elements in a single chip.

(d) 상기 저항기 및 커패시터는 와이어 본딩 공정 시간을 줄이기 위해 포토마스크 회로 설계를 통해 연결될 수 있다.(d) The resistors and capacitors may be connected via a photomask circuit design to reduce wire bonding process time.

(e) 실리콘 기판의 두께가 그라인딩 공정을 통해 조절되거나, 원하는 두께의 칩이 사용되거나, 저항기-커패시터 어레이 패턴을 가진 실리콘 기판이 원하는 두께로 그라인딩될 수 있으며, 저항기-커패시터 어레이는 그에 따른 영향을 받지 않는다.(e) The thickness of the silicon substrate can be adjusted through the grinding process, a chip of the desired thickness can be used, or a silicon substrate with a resistor-capacitor array pattern can be ground to the desired thickness, and the resistor-capacitor array can be affected accordingly. Do not receive.

(f) 칩 접합 및 와이어 본딩 공정들이 용이하여 광섬유 수신모듈 및 관련 제품의 응용에도 좋은 영향을 준다.(f) The chip bonding and wire bonding processes are easy, which has a good effect on the application of optical fiber receiving module and related products.

지금까지 바람직한 실시예를 참고로 본 발명을 설명하였지만 본 발명은 이에 한정되지 않음을 알 수 있을 것이다. 다양한 대체 및 변형이 상기 설명에 제시되었고 당 분야에서 통상의 기술을 가진 자들에 의해 다른 것들도 가능하다. 따라서 이러한 모든 대체 및 변형은 첨부된 특허청구범위에 정의된 본 발명의 범위 내에 포함된다.Although the present invention has been described with reference to preferred embodiments, it will be appreciated that the present invention is not limited thereto. Various alternatives and modifications have been presented in the above description and others are possible by those skilled in the art. Accordingly, all such substitutions and variations are included within the scope of the invention as defined in the appended claims.

Claims (13)

다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a multifunctional thin film resistor-capacitor array, 상기 박막 저항기-커패시터 어레이는 광섬유 수신모듈을 위한 전압 레귤레이션 및 필터링에 사용되고 광 기판으로 사용되며, 상기 광섬유 수신모듈은 베이스, 포토다이오드 및 트랜스임피던스 증폭기(TIA)를 포함하고, 상기 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법은,The thin film resistor-capacitor array is used for voltage regulation and filtering for an optical fiber receiving module and is used as an optical substrate, wherein the optical fiber receiving module includes a base, a photodiode and a transimpedance amplifier (TIA), and the multifunctional thin film resistor-capacitor Array manufacturing method, a) 실리콘 기판을 마련하는 단계;a) preparing a silicon substrate; b) 상기 실리콘 기판 상에 유전체 박막을 형성하는 단계;b) forming a dielectric thin film on the silicon substrate; c) 포토리소그래피 및 포토마스크에 의해 서로 다른 저항값의 저항기들과 서로 다른 정전용량의 커패시터들을 갖는 금속 어레이 층을 상기 유전체 박막 상에 형성하고, 그 사이에 회로 연결을 형성하는 단계;c) forming, by photolithography and a photomask, a metal array layer on the dielectric thin film having resistors of different resistance values and capacitors of different capacitance, and forming a circuit connection therebetween; d) 상기 실리콘 기판을 광 평면을 위해 원하는 두께로 그라인딩하는 단계; 및d) grinding the silicon substrate to a desired thickness for the light plane; And e) 상기 박막 저항기-커패시터 어레이의 제조를 종료하여, 서로 다른 저항값의 저항기들과 서로 다른 정전용량의 커패시터들 또는 그 조합이 형성되는 단계를 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법.e) terminating the manufacture of the thin film resistor-capacitor array to form resistors of different resistance values and capacitors of different capacitances or combinations thereof. 제 1 항에 있어서, d) 단계 후에,The method of claim 1, wherein after step d), 포토다이오드를 위해 원하는 광 평면을 가진 박막 저항기-커패시터 어레이에 포토다이오드를 다이 본딩하는 단계를 더 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법.Die-bonding the photodiode to a thin film resistor-capacitor array having a desired optical plane for the photodiode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실리콘 기판의 다른 표면 상에 금(gold) 패드를 코팅하여 접점을 형성하는 단계를 더 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법.And forming a contact by coating a gold pad on another surface of the silicon substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실리콘 기판의 다른 표면을 그라인딩하여 두께를 조절한 다음에, 금 패드를 코팅하여 접점을 형성하는 단계를 더 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법.Grinding the other surface of the silicon substrate to adjust its thickness, and then coating a gold pad to form a contact, the method of manufacturing a multifunction thin film resistor-capacitor array. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 은(silver) 에폭시로 상기 실리콘 기판의 다른 표면상에 접점을 형성하는 단계를 더 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법.And forming a contact on the other surface of the silicon substrate with silver epoxy. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유전체 박막의 두께 및 유전체 박막의 패턴을 제어함으로써 상기 실리콘 기판상의 저항기들의 저항값 및 커패시터들의 정전용량을 결정하는 단계를 더 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법.Determining the resistance value of the resistors on the silicon substrate and the capacitance of the capacitors by controlling the thickness of the dielectric thin film and the pattern of the dielectric thin film. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 포토마스크의 패턴에 의해 상기 실리콘 기판상의 저항기들과 커패시터들 사이에 회로 연결을 형성하는 단계를 더 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법.Forming a circuit connection between resistors and capacitors on said silicon substrate by a pattern of photomask. 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법에 있어서, In the method of manufacturing a multifunctional thin film resistor-capacitor array, 상기 박막 저항기-커패시터 어레이는 광섬유 수신모듈을 위한 전압 레귤레이션 및 필터링에 사용되고 광 기판으로 사용되며, 상기 광섬유 수신모듈은 베이스, 포토다이오드 및 트랜스임피던스 증폭기(TIA)를 포함하고, 상기 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법은,The thin film resistor-capacitor array is used for voltage regulation and filtering for an optical fiber receiving module and is used as an optical substrate, wherein the optical fiber receiving module includes a base, a photodiode and a transimpedance amplifier (TIA), and the multifunctional thin film resistor-capacitor Array manufacturing method, a) 실리콘 기판을 마련하는 단계;a) preparing a silicon substrate; b) 상기 실리콘 기판 상에 유전체 박막을 형성하는 단계;b) forming a dielectric thin film on the silicon substrate; c) 포토리소그래피 및 포토마스크에 의해 서로 다른 저항값의 저항기들과 서로 다른 정전용량의 커패시터들을 가진 금속 어레이층을 상기 유전체 박막 상에 형성하고, 그 사이에 회로 연결을 형성하는 단계; 및c) forming, by photolithography and a photomask, a metal array layer on the dielectric thin film having resistors of different resistance values and capacitors of different capacitance, and forming a circuit connection therebetween; And d) 상기 박막 저항기-커패시터 어레이의 제조를 종료하여, 서로 다른 저항값의 저항기들과 서로 다른 정전용량의 커패시터들 또는 그 조합이 형성되는 단계를 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법.d) terminating the manufacture of the thin film resistor-capacitor array to form resistors of different resistance values and capacitors of different capacitances or combinations thereof. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 광 평면의 요구 두께에 따른 두께를 가진 상기 실리콘 기판을 선택하는 단계를 더 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이 제조방법.And selecting said silicon substrate having a thickness in accordance with a desired thickness of an optical plane. 광섬유 수신모듈을 위한 전압 레귤레이션 및 필터링에 사용되고 광 기판으로 사용되는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이에 있어서,A multifunctional thin film resistor-capacitor array used for voltage regulation and filtering for an optical fiber receiving module and used as an optical substrate, 상기 광섬유 수신모듈은 베이스, 포토다이오드 및 트랜스임피던스 증폭기(TIA)를 포함하고, 상기 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이는,The optical fiber receiving module includes a base, a photodiode and a transimpedance amplifier (TIA), and the multifunction thin film resistor-capacitor array includes: 포토다이오드를 위한 광 기판으로 사용하기 위해 베이스에 부착되는 실리콘 기판; 및A silicon substrate attached to the base for use as an optical substrate for the photodiode; And 상기 실리콘 기판의 한 면에 코팅되고, 서로 다른 저항값의 저항기들과 서로 다른 정전용량의 커패시터들 또는 그 조합이 표면상에 마련된 유전체 박막을 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이.And a dielectric thin film coated on one surface of the silicon substrate, the dielectric thin film having a resistor having a different resistance value and capacitors having different capacitances or a combination thereof provided on a surface thereof. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 실리콘 기판은 접점을 형성하기 위해 다른 면에 금 패드를 더 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이.And the silicon substrate further comprises a gold pad on the other side to form a contact. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 서로 다른 저항값의 저항기들 및 서로 다른 정전용량의 커패시터들은 서로 다른 형태, 두께 및 면적의 박막들에 의해 상기 유전체 박막 상에 형성되는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이.Wherein the resistors of different resistance values and capacitors of different capacitances are formed on the dielectric thin film by thin films of different shapes, thicknesses and areas. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 유전체 박막은 서로 다른 저항값의 저항기들 및 서로 다른 정전용량의 커패시터들을 연결하기 위한 회로 트레이스를 더 포함하는 다기능 박막 저항기-커패시터 어레이.Wherein the dielectric thin film further comprises circuit traces for connecting resistors of different resistance values and capacitors of different capacitances.
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