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KR100765385B1 - Light emitting device in which a plurality of light emitting cells are arranged - Google Patents

Light emitting device in which a plurality of light emitting cells are arranged Download PDF

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KR100765385B1
KR100765385B1 KR1020050124443A KR20050124443A KR100765385B1 KR 100765385 B1 KR100765385 B1 KR 100765385B1 KR 1020050124443 A KR1020050124443 A KR 1020050124443A KR 20050124443 A KR20050124443 A KR 20050124443A KR 100765385 B1 KR100765385 B1 KR 100765385B1
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light emitting
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제임스 에스 스펙
이재호
김재조
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서울옵토디바이스주식회사
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Abstract

본 발명은 단일 칩 내에 다수개의 발광 셀이 병렬 연결된 발광 셀 블록을 포함하고, 상기 발광 셀의 일부는 하나의 전류 흐름을 기준으로 순방향으로 배열되고 나머지는 역방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 발광 소자를 제공한다. 상기 발광 셀 블록은 다수개가 직렬 연결될 수 있다. The present invention provides a light emitting device comprising a light emitting cell block in which a plurality of light emitting cells are connected in parallel in a single chip, and a part of the light emitting cells is arranged in a forward direction based on one current flow and the other is arranged in a reverse direction. to provide. A plurality of light emitting cell blocks may be connected in series.

본 발명은 단일 베이스 기판 상에서 다수개의 발광 셀을 직렬과 병렬을 혼합하여 연결함으로써, 발광 소자를 소형화하고 높은 전압에서도 구동가능하며, 일부 발광 셀의 손상이 일어난다 해도 발광 소자의 구동에 영향을 미치지 않고 안정적으로 발광할 수 있으며, 수명을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. According to the present invention, by combining a plurality of light emitting cells in series and parallel on a single base substrate, the light emitting device can be miniaturized and can be driven even at a high voltage, and even if some light emitting cells are damaged, the driving of the light emitting device is not affected. It can emit light stably and has the advantage of improving the life.

발광 소자, LED, 교류 전원, 순방향, 역방향 Light Emitting Device, LED, AC Power, Forward, Reverse

Description

다수의 발광 셀이 어레이된 발광 소자 {Light emitting device having arrayed cells}Light emitting device having an array of light emitting cells

도 1은 종래의 발광 소자를 설명하기 위한 개념 회로도.1 is a conceptual circuit diagram for explaining a conventional light emitting device.

도 2는 본 발명에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념 회로도.2 is a conceptual circuit diagram for explaining a light emitting device according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 단위 발광 셀의 단면도.3 is a cross-sectional view of a unit light emitting cell according to the present invention;

도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 발광 소자의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도.4A to 4C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a light emitting device according to the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도.5 is a plan view for explaining a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도.6 is a plan view for explaining a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

10 : 발광 셀 20 : 기판10 light emitting cell 20 substrate

30 : n형 반도체층 40 : 활성층30: n-type semiconductor layer 40: active layer

50 : p형 반도체층 60 : 투명 전극층50: p-type semiconductor layer 60: transparent electrode layer

70 : 배선 100 : 발광 셀70 wiring 100 light emitting cell

200 : 발광 셀 블록 300 : 교류 전원200: light emitting cell block 300: AC power

401, 402, 403, 404 : 연결 단자401, 402, 403, 404: connection terminal

500, 600 : 본딩 패드 500, 600: bonding pad

701, 702, 703, 704 : 연결 패드 701, 702, 703, 704: connection pad

1000 : 발광 소자1000: light emitting element

본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다수개의 발광 셀이 어레이된 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device in which a plurality of light emitting cells are arranged.

발광 소자(LED; Light emitting device)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭한다. 이러한 발광 소자는 표시 소자 및 백라이트로 이용되고 있으며, 최근 일반 조명 용도로 이를 적용하기 위해 활발한 연구가 진행중이다. 이는 발광 소자가 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길기 때문이다. A light emitting device (LED) refers to a device that generates a small number of carriers (electrons or holes) injected using a p-n junction structure of a semiconductor and emits predetermined light by recombination thereof. Such light emitting devices are used as display devices and backlights, and active research is being conducted to apply them to general lighting applications. This is because the light emitting device consumes less power and has a longer life than conventional light bulbs or fluorescent lamps.

일반적으로 발광 소자는 다이오드 특성에 의해 DC전원에서만 구동할 수 있었다. 이에 종래의 발광 소자를 이용한 발광 장치는 그 사용이 제한적일 뿐 아니라, 현재 가정에서 사용하는 AC 220V의 전원에서 사용하기 위해서는 정류회로와 같은 별도의 회로를 포함하여야 한다. 이에 따라 발광 장치의 회로가 복잡해지고, 이의 제작 단가가 높아지게 되는 문제가 있었다. In general, the light emitting device could only be driven by a DC power supply due to diode characteristics. Therefore, the light emitting device using the conventional light emitting device is not only limited in use, but also includes a separate circuit such as a rectifier circuit in order to be used in the AC 220V power source currently used in the home. Accordingly, there is a problem that the circuit of the light emitting device becomes complicated and its manufacturing cost increases.

이러한 문제를 해결하기 위해 다수의 발광 셀을 직렬 또는 병렬 연결하여 AC전원에서도 구동할 수 있는 발광 소자에 관한 연구가 활발히 진행중이다. In order to solve this problem, researches on light emitting devices capable of driving a plurality of light emitting cells in series or in parallel with AC power are being actively conducted.

도 1은 종래의 교류(AC) 전원에서 구동가능한 발광 소자의 회로도를 도시한 것이다.1 is a circuit diagram of a light emitting device that can be driven by a conventional alternating current (AC) power source.

도면을 참조하면, 종래 발광 소자(10)는 다수의 셀(1)이 직렬 접속된 발광 셀 어레이(2a, 2b)가 병렬 접속되어 교류 전원(3)에 연결된다. 두 개의 발광 셀 어레이(2a, 2b)는 서로 반대 극성으로 되도록 전원(3)에 연결되어, 전류의 방향에 따라 발광 셀 어레이(2a, 2b)가 번갈아가며 동작하기 때문에 교류 전원(3)에서도 충분히 사용이 가능하다.Referring to the drawings, in the conventional light emitting device 10, the light emitting cell arrays 2a and 2b in which a plurality of cells 1 are connected in series are connected in parallel and connected to the AC power source 3. The two light emitting cell arrays 2a and 2b are connected to the power source 3 so as to have opposite polarities to each other, and the light emitting cell arrays 2a and 2b alternately operate in accordance with the direction of the current, so that the AC light source 3 is sufficient. Can be used.

대한민국 공개특허 제2005-0052474호에서는 절연기판 상에 복수의 GaN계 발광 소자가 형성되고, 상기 복수의 발광 소자가 모놀리식으로 직렬 접속된 발광 소자에 대해 개시되어 있다. 상기 복수의 발광 소자는 동수씩 2조로 나뉘어, 각 조의 발광 소자 어레이가 지그재그 형상으로 배치되고, 상기 복수의 발광 소자 사이의 접속은 에어 브리지 배선으로 형성된다. 이러한 발광 소자는 높은 구동전압으로 동작할 수 있는 장점이 있다. Korean Patent Laid-Open Publication No. 2005-0052474 discloses a light emitting device in which a plurality of GaN-based light emitting devices are formed on an insulating substrate, and the plurality of light emitting devices are monolithically connected in series. The plurality of light emitting elements are divided into two sets of equal numbers, each array of light emitting elements is arranged in a zigzag shape, and the connection between the plurality of light emitting elements is formed by an air bridge wiring. Such a light emitting device has an advantage of operating at a high driving voltage.

그러나 상기와 같은 발광 소자는 발광 셀 어레이 내의 다수의 발광 셀이 직렬 연결되어 있다. 따라서, 다수의 발광 셀을 포함하는 발광 셀 어레이에서 하나의 발광 셀의 성능이 저하되는 경우, 양단에 인가되는 전류로 인해 전체적인 발광 셀 어레이의 성능이 저하되는 문제점이 있다.However, in the light emitting device as described above, a plurality of light emitting cells in the light emitting cell array are connected in series. Therefore, when the performance of one light emitting cell is degraded in the light emitting cell array including a plurality of light emitting cells, there is a problem that the performance of the entire light emitting cell array is degraded due to the current applied to both ends.

또한, 발광 셀 어레이를 이루는 다수의 발광 셀 중 하나의 발광 셀의 고장 및 손상이나, 전기적 연결의 불량으로 인해 전체가 작동되지 않는 문제점이 있다. In addition, there is a problem in that the entire operation is not performed due to a failure and damage of one of the light emitting cells constituting the light emitting cell array or a poor electrical connection.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 단일 베이스 기판 상에서 다수개의 발광 셀을 직렬과 병렬을 혼합하여 연결함으로써, 발광 소자를 소형화하고 높은 전압에서도 구동가능하며, 일부 발광 셀의 손상으로 발광 소자 구동에 영향을 미치지 않고 안정적으로 발광할 수 있으며, 구동 수명을 향상시킬 수 있는 다수의 발광 셀이 어레이된 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention is to solve the above problems, by connecting a plurality of light emitting cells in series and parallel on a single base substrate, the size of the light emitting device can be miniaturized and can be driven at a high voltage, and the light emitting device is damaged due to damage to some light emitting cells An object of the present invention is to provide a light emitting device in which a plurality of light emitting cells are arranged that can stably emit light without affecting driving and can improve driving life.

본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위하여 단일 칩 내에 다수개의 발광 셀이 병렬 연결된 발광 셀 블록을 포함하고, 상기 발광 셀의 일부는 하나의 전류 흐름을 기준으로 순방향으로 배열되고 나머지는 역방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 발광 소자를 제공한다. 상기 발광 셀 블록은 다수개가 직렬 연결될 수 있다. The present invention includes a light emitting cell block in which a plurality of light emitting cells are connected in parallel in a single chip to achieve the above object, a portion of the light emitting cells are arranged in a forward direction based on one current flow and the other are arranged in a reverse direction A light emitting device is provided. A plurality of light emitting cell blocks may be connected in series.

상기 발광 셀 블록의 상기 발광 셀의 일부의 애노드는 제 1 연결 단자에 접속되고 캐소드는 제 2 연결 단자에 접속되며, 상기 발광 셀 블록의 상기 발광 셀의 나머지의 캐소드는 상기 제 1 연결 단자에 접속되고 애노드는 상기 제 2 연결 단자에 접속되는 것을 특징으로 한다. An anode of a portion of the light emitting cell of the light emitting cell block is connected to a first connection terminal and a cathode is connected to a second connection terminal, and the remaining cathode of the light emitting cell of the light emitting cell block is connected to the first connection terminal. And the anode is connected to the second connection terminal.

애노드가 제 1 연결 단자에 접속되고 캐소드가 제 2 연결 단자에 접속된 발광 셀의 일부와, 캐소드가 상기 제 1 연결 단자에 접속되고 애노드가 상기 제 2 연결 단자에 접속된 발광 셀의 나머지의 개수가 동일한 것을 특징으로 할 수 있다. The number of light emitting cells in which an anode is connected to the first connection terminal and the cathode is connected to the second connection terminal, and the number of the remainder of the light emitting cells in which the cathode is connected to the first connection terminal and the anode is connected to the second connection terminal. It may be characterized by the same.

또한 상기 다수개의 발광 셀은 소정의 배선을 통해 연결될 수 있으며, 상기 소정의 배선은 브리지(Bridge) 공정 또는 스텝 커버(Step Cover) 등의 공정을 통해 형성될 수 있다. In addition, the plurality of light emitting cells may be connected through a predetermined wiring, and the predetermined wiring may be formed through a process such as a bridge process or a step cover.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 발광 소자에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, a light emitting device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you.

도 2는 본 발명에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념 회로도를 도시한 것이다. 2 is a conceptual circuit diagram illustrating a light emitting device according to the present invention.

도면을 참조하면, 발광 소자(1000)는 다수의 발광 셀(100)이 병렬 접속된 발광 셀 블록(200a, 200b)을 포함하고, 상기 발광 셀 블록(200a, 200b)은 소정의 전원 노드(N10, N20) 사이에 다수개가 직렬 연결되어 외부 교류 전원(300)에 접속된다. 상기 발광 셀 블록(200a, 200b)의 각각은 적어도 하나의 순방향 연결된 발광 셀(100-1, 100-2)과, 나머지의 역방향 연결된 발광 셀(100-(n-1), 100-n)을 포함한다. 이 때, 순방향과 역방향은 발광 셀 블록(200a, 200b)이 연결된 전원 노드(N10, N20) 사이의 전류 흐름을 지칭하는 것으로, 제 1 노드(N10)를 기준으로 제 1 노드(N10)로부터 제 2 노드(N20)로 전류가 흐르는 경우의 방향을 순방향으로 지칭하고, 제 2 노드(N20)로부터 제 1 노드(N10)로 전류가 흐르는 경우의 방향을 역방향으로 지칭한다. 즉, 제 1 발광 셀 블록(200a)의 순방향 연결된 적어도 하나의 발광 셀(100-1, 100-2)의 애노드는 제 1 연결 단자(401)에 공통적으로 접속되고, 캐소드는 제 2 연결 단자(402)에 공통적으로 접속된다. 제 1 발광 셀 블록(200a)의 역방향 연결된 나머지 발광 셀(100-(n-1), 100-n)의 캐소드는 제 1 연결 단자(401)에 공통 적으로 접속되고, 애노드는 제 2 연결 단자(402)에 공통적으로 접속된다. 또한 제 2 발광 셀 블록(200b)의 순방향 연결된 적어도 하나의 발광 셀(100-1, 100-2)의 애노드는 제 3 연결 단자(403)에 공통적으로 접속되고, 캐소드는 제 4 연결 단자(404)에 공통적으로 접속된다. 제 2 발광 셀 블록(200b)의 역방향 연결된 나머지 발광 셀(100-(n-1), 100-n)의 캐소드는 제 4 연결 단자(404)에 공통적으로 접속되고, 애노드는 제 3 연결 단자(403)에 공통적으로 접속된다.Referring to the drawings, the light emitting device 1000 includes light emitting cell blocks 200a and 200b in which a plurality of light emitting cells 100 are connected in parallel, and the light emitting cell blocks 200a and 200b are predetermined power nodes N10. , N20 are connected in series to the external AC power supply 300. Each of the light emitting cell blocks 200a and 200b includes at least one forward connected light emitting cell 100-1 and 100-2 and the other reversely connected light emitting cells 100-(n-1) and 100-n. Include. In this case, the forward and reverse directions refer to a current flow between the power nodes N10 and N20 to which the light emitting cell blocks 200a and 200b are connected, and are referred to from the first node N10 based on the first node N10. The direction when the current flows to the second node N20 is referred to as a forward direction, and the direction when the current flows from the second node N20 to the first node N10 is referred to as a reverse direction. That is, the anodes of at least one of the light emitting cells 100-1 and 100-2 connected in the forward direction of the first light emitting cell block 200a are commonly connected to the first connection terminal 401, and the cathode is connected to the second connection terminal ( 402 is commonly connected. The cathodes of the other light emitting cells 100-(n-1, 100-n) connected in the reverse direction of the first light emitting cell block 200a are commonly connected to the first connection terminal 401, and the anode is connected to the second connection terminal. 402 is commonly connected. In addition, the anodes of at least one of the light emitting cells 100-1 and 100-2 forward connected to the second light emitting cell block 200b are commonly connected to the third connection terminal 403, and the cathode is connected to the fourth connection terminal 404. ) Are commonly connected. The cathodes of the other light emitting cells 100-(n-1, 100-n) connected in the reverse direction of the second light emitting cell block 200b are commonly connected to the fourth connection terminal 404, and the anode is connected to the third connection terminal ( 403 in common.

이와 같이 본 발명의 발광 소자(1000)는 적어도 하나의 순방향 연결된 발광 셀(100-1, 100-2)과, 나머지의 역방향 연결된 발광 셀(100-(n-1), 100-n)이 병렬 연결된 발광 셀 블록(200a, 200b)이 다수개 직렬 접속된다. As described above, in the light emitting device 1000 of the present invention, at least one forward connected light emitting cell 100-1 and 100-2 and the other reverse connected light emitting cells 100-(n-1) and 100-n are parallel to each other. A plurality of connected light emitting cell blocks 200a and 200b are connected in series.

도 2의 회로도에 따른 발광 소자(1000)의 동작을 살펴보면, 제 1 노드(N10)에 양(+)의 전압이 인가되고 제 2 노드(N20)에 음(-)의 전압이 인가되는 경우에 제 1 발광 셀 블록(200a)와 제 2 발광 셀 블록(200b)의 순방향 연결된 발광 셀(100-1, 100-2)들이 발광하게 된다. 반면 제 1 노드(N10)에 음(-)의 전압이 인가되고 제 2 노드(N20)에 양(+)의 전압이 인가되는 경우에 제 1 발광 셀 블록(200a)와 제 2 발광 셀 블록(200b)의 역방향 연결된 발광 셀(100-(n-1), 100-n)들이 발광하게 된다. 즉, 외부의 교류 전원(300)이 발광 소자에 인가되더라도 제 1 및 제 2 발광 셀 블록(200a, 200b)의 다수개의 발광 셀들이 교대로 발광하기 때문에 교류 전원(300)에서도 충분히 사용이 가능하다. Referring to the operation of the light emitting device 1000 according to the circuit diagram of FIG. 2, when a positive voltage is applied to the first node N10 and a negative voltage is applied to the second node N20. The light emitting cells 100-1 and 100-2 which are forwardly connected to the first light emitting cell block 200a and the second light emitting cell block 200b emit light. On the other hand, when a negative voltage is applied to the first node N10 and a positive voltage is applied to the second node N20, the first light emitting cell block 200a and the second light emitting cell block ( The reversely connected light emitting cells 100-(n-1) and 100-n of 200 b emit light. That is, even when the external AC power source 300 is applied to the light emitting device, since the plurality of light emitting cells of the first and second light emitting cell blocks 200a and 200b alternately emit light, the AC power source 300 may be sufficiently used. .

본 발명의 발광 소자(1000)는 단일 발광 셀(100)을 구동하기 위한 전압,전류와 발광 소자에 인가되는 교류 구동 전압에 따라 발광 소자(1000)를 구성하는 발광 셀(100)의 개수가 매우 다양할 수 있다. 상기 발광 셀 블록(200a, 200b)의 순방향 및 역방향 연결된 발광 셀의 개수는 한정되지 않으나, 발광 소자(1000)의 밝기의 변화를 최소화하기 위하여 순방향 연결된 발광 셀과 역방향 연결된 발광 셀의 총 개수가 동일한 것이 바람직하다. In the light emitting device 1000 of the present invention, the number of light emitting cells 100 constituting the light emitting device 1000 is very large according to a voltage, a current for driving the single light emitting cell 100, and an AC driving voltage applied to the light emitting device. It can vary. Although the number of forward and backward light emitting cells of the light emitting cell blocks 200a and 200b is not limited, the total number of light emitting cells backward connected to the forward connected light emitting cells is the same in order to minimize a change in brightness of the light emitting device 1000. It is preferable.

또한 본 발명에 따른 발광 소자(1000)는 병렬 연결된 다수개의 발광 셀을 포함하기 때문에, 하나의 발광 셀에 문제가 생기더라도 그 외의 발광 셀에 영향을 미치지 않아 안정적으로 발광할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시한 바와 같은 종래 발광 소자에 있어서, 순방향으로 직렬 연결된 발광 셀 어레이의 일부 발광 셀이 손상되거나 발광 셀간의 연결이 불량한 경우, 교류 전압의 인가시 순방향으로 전류가 흐를 때 작동을 하지 않는 문제점이 있었다. 반면에 도 2에 도시된 본 발명의 발광 소자는 제 1 발광 셀 블록의 순방향 연결된 하나의 발광 셀에 문제가 발생하여도, 그 외의 순방향 연결된 다수 발광 셀에 의해 발광하기 때문에 일부 발광 셀의 손상에 의해 발광 소자의 성능이 저하되거나 발광하지 못하는 현상을 방지할 수 있다. 따라서 발광 소자의 안정적인 발광 특성을 기대할 수 있으며, 일부 셀의 연결 불량 및 손상에 의해 수명이 단축되는 현상을 막을 수 있다. In addition, since the light emitting device 1000 according to the present invention includes a plurality of light emitting cells connected in parallel, even if a problem occurs in one light emitting cell, the light emitting device 1000 may stably emit light without affecting other light emitting cells. For example, in the conventional light emitting device as shown in FIG. 1, when some light emitting cells of the light emitting cell array connected in series in the forward direction are damaged or the connection between the light emitting cells is poor, when a current flows in the forward direction when an AC voltage is applied. There was a problem that did not work. On the other hand, the light emitting device of the present invention shown in Fig. 2 has a problem of damage to some light emitting cells because it emits light by a number of other forward connected light emitting cells even if a problem occurs in one forward connected light emitting cell of the first light emitting cell block. As a result, the performance of the light emitting device may be deteriorated or the phenomenon of not emitting light may be prevented. Therefore, stable light emitting characteristics of the light emitting device can be expected, and the lifespan can be prevented from being shortened due to poor connection and damage of some cells.

도 3은 본 발명에 따른 단위 발광 셀(100)의 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of a unit light emitting cell 100 according to the present invention.

도면을 참조하면, 발광 셀(100)은 베이스 기판(20)과, 베이스 기판(20) 상에 순차적으로 적층된 n형 반도체층(30), 활성층(40), p형 반도체층(50) 및 투명 전극층(60)을 포함한다. 또한, n형 반도체층(30)의 노출된 영역 상에 형성된 n형 전극(미도시)과, 또는 투명 전극층(60) 상에 형성된 p형 전극(미도시)을 더 포함할 수 있다. 이 때, n형 전극 하부와 p형 전극 하부 각각에 n형 저항 접속막(미도시) 및 p형 저항 접속막(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 투명 전극층(60)은 형성하지 않을 수도 있다.Referring to the drawings, the light emitting cell 100 includes a base substrate 20, an n-type semiconductor layer 30, an active layer 40, a p-type semiconductor layer 50 sequentially stacked on the base substrate 20, and the like. The transparent electrode layer 60 is included. In addition, the semiconductor device may further include an n-type electrode (not shown) formed on the exposed region of the n-type semiconductor layer 30, or a p-type electrode (not shown) formed on the transparent electrode layer 60. In this case, an n-type resistive connection film (not shown) and a p-type resistive connection film (not shown) may be further included on each of the lower n-type electrode and the lower p-type electrode, and the transparent electrode layer 60 may not be formed. have.

상기에서 베이스 기판(20)은 발광 소자를 제작하기 위한 통상의 웨이퍼를 지칭하는 것으로, 본 실시예에서는 사파이어로 구성된 결정 성장 기판(20)을 사용한다. 즉, 상술한 다층의 구조는 결정 성장의 베이스 기판(20) 위에 에피택셜 성장을 통해 형성되기 때문이다. In the above, the base substrate 20 refers to a conventional wafer for fabricating a light emitting device. In this embodiment, the crystal growth substrate 20 made of sapphire is used. That is, the above-described multilayer structure is formed through epitaxial growth on the base substrate 20 of crystal growth.

상기 베이스 기판(20) 상에 결정 성장시 베이스 기판(20)과 후속층과의 격자 부정합을 줄이기 위한 버퍼층(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 버퍼층은 반도체 재료인 GaN을 포함한다. A buffer layer (not shown) may be further included to reduce lattice mismatch between the base substrate 20 and subsequent layers when crystals are grown on the base substrate 20, and the buffer layer may include GaN, which is a semiconductor material.

상기 n형 반도체층(30)은 전자가 생성되는 층으로서, n형 화합물 반도체층과 n형 클래드층으로 형성된다. 이 때, n형 화합물 반도체 층은 n형 불순물이 도핑되어 있는 GaN을 사용한다. 상기 p형 반도체층(50)은 전공이 생성되는 층으로서, p형 클래드층과 p형 화합물 반도체층으로 형성된다. 이 때, p형 화합물 반도체층은 p형 불순물이 도핑되어 있는 AlGaN을 사용한다.The n-type semiconductor layer 30 is a layer in which electrons are generated, and is formed of an n-type compound semiconductor layer and an n-type cladding layer. At this time, the n-type compound semiconductor layer uses GaN doped with n-type impurities. The p-type semiconductor layer 50 is a layer in which pores are formed, and is formed of a p-type cladding layer and a p-type compound semiconductor layer. At this time, the p-type compound semiconductor layer uses AlGaN doped with p-type impurities.

상기 활성층(40)은 소정의 밴드 갭과 양자 우물이 만들어져 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, InGaN을 포함하여 이루어진다. 또한, 활성층(40)을 이루는 물질의 종류에 따라 전자 및 전공이 결합하여 발생하는 발광 파장이 변화된다. 따라서, 목표로 하는 파장에 따라 활성층(40)에 포함되는 반도체 재료를 조절하는 것이 바람직하다.The active layer 40 is a region where a predetermined band gap and a quantum well are made to recombine electrons and holes, and includes InGaN. In addition, the emission wavelength generated by the combination of electrons and holes is changed according to the type of material constituting the active layer 40. Therefore, it is preferable to adjust the semiconductor material contained in the active layer 40 according to the target wavelength.

상기 투명 전극층(60)은 p형 전극을 통해 입력되는 전압을 p형 반도체층(50)에 균일하게 전달하는 역할을 한다. 또한, 상기 n형 반도체층(30)의 노출된 영역과 투명 전극층(60) 상에 형성되는 n형 전극과 p형 전극은 발광 셀(100) 간을 금속 배선을 통해 전기적으로 연결하기 위한 것으로, Ti/Au의 적층 구조로 형성할 수 있다. The transparent electrode layer 60 serves to uniformly transfer the voltage input through the p-type electrode to the p-type semiconductor layer 50. In addition, the n-type electrode and the p-type electrode formed on the exposed region of the n-type semiconductor layer 30 and the transparent electrode layer 60 are for electrically connecting the light emitting cells 100 through metal wires. It can be formed in a laminated structure of Ti / Au.

상술한 바와 같이 본 발명의 발광 셀(100)은 베이스 기판(20) 상에 순차적으로 형성된 수평 타입의 발광 칩을 지칭하는 것으로, 본 발명에서는 하나의 발광 칩을 이용하여 하나의 발광 소자를 제작하지 않고, 다수개의 발광 칩을 이용하여 하나의 발광 소자를 형성하기 때문에 종래의 발광 칩을 발광 셀(100)로 표기하였다. As described above, the light emitting cell 100 of the present invention refers to a horizontal type of light emitting chip sequentially formed on the base substrate 20. In the present invention, one light emitting device is not manufactured using one light emitting chip. Instead, since a single light emitting device is formed using a plurality of light emitting chips, a conventional light emitting chip is referred to as a light emitting cell 100.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 발광 소자의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도이다. 본 발명은 단일 베이스 기판 상에서 다수개의 발광 셀을 전기적으로 연결하여 발광 소자를 소형화하고 발광 소자의 제조 공정을 단순화할 수 있는 발광 소자를 제조한다. 4A to 4C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a light emitting device according to the present invention. The present invention provides a light emitting device capable of miniaturizing the light emitting device and simplifying the manufacturing process of the light emitting device by electrically connecting a plurality of light emitting cells on a single base substrate.

도 4a를 참조하면, 베이스 기판(20) 상에 n형 반도체층(30), 활성층(40) 및 p형 반도체층(50)을 순차적으로 형성한다. 상기 베이스 기판(20) 상에 결정 성장시 베이스 기판(20)과 후속층들의 격자 부정합을 줄이기 위한 버퍼층(미도시)을 더 형성할 수도 있다.Referring to FIG. 4A, the n-type semiconductor layer 30, the active layer 40, and the p-type semiconductor layer 50 are sequentially formed on the base substrate 20. A buffer layer (not shown) may be further formed on the base substrate 20 to reduce lattice mismatch between the base substrate 20 and subsequent layers during crystal growth.

상술한 물질층들은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PCVD; Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등을 포함한 다양한 증착 및 성장 방법을 통해 형성된다.The above-described material layers include metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma chemical vapor deposition (PCVD), molecular beam growth (MBE), and molecular beam growth (MBE). It is formed through various deposition and growth methods including beam epitaxy) and hydride vapor phase epitaxy (HVPE).

이후, 도 4b에 도시한 바와 같이 소정의 식각 공정을 통해 p형 반도체층(50) 및 활성층(40)의 일부를 제거하여 n형 반도체층(30)의 일부를 노출하고, 베이스 기판(20) 상에 다수 개의 발광 셀(100)을 형성하기 위하여 노출된 n형 반도체층(30)의 소정 영역을 베이스 기판(20)이 노출되도록 제거한다. 또한, p형 반도체층(50) 상에 투명 전극층(60)을 형성한다. 이는 상술한 바에 한정되지 않고, 공정상 편의를 위해 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 먼저 p형 반도체층(50) 상에 투명 전극층(60)을 형성하고 베이스 기판(20) 상에 다수 개의 발광 셀(100)을 형성하기 위해 베이스 기판(20)의 소정 영역이 노출되도록 투명 전극층(60), p형 반도체층(50), 활성층(40) 및 n형 반도체층(30)을 제거한 후, 소정의 투명 전극층(60), p형 반도체층(50)과 활성층(40)의 일부를 제거하여 n형 반도체층(30)의 일부를 노출시킬 수도 있다. 이 때 습식, 건식 식각 공정을 실시할 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 4B, a portion of the n-type semiconductor layer 30 is exposed by removing a portion of the p-type semiconductor layer 50 and the active layer 40 through a predetermined etching process, and the base substrate 20 is exposed. The predetermined region of the n-type semiconductor layer 30 exposed to form the plurality of light emitting cells 100 thereon is removed to expose the base substrate 20. In addition, the transparent electrode layer 60 is formed on the p-type semiconductor layer 50. This is not limited to the above, and may be variously changed for convenience of process. For example, first, a predetermined region of the base substrate 20 is exposed to form the transparent electrode layer 60 on the p-type semiconductor layer 50 and the plurality of light emitting cells 100 on the base substrate 20. After removing the transparent electrode layer 60, the p-type semiconductor layer 50, the active layer 40 and the n-type semiconductor layer 30, the predetermined transparent electrode layer 60, the p-type semiconductor layer 50 and the active layer 40 are removed. A portion of n) may be removed to expose a portion of the n-type semiconductor layer 30. At this time, a wet and dry etching process can be performed.

도 4c를 참조하면, 소정의 배선 형성 공정을 통해 인접한 발광 셀(100) 간을 전기적으로 연결한다. 예를 들어, 일 발광 셀의 노출된 n형 반도체층(30)과 이와 인접한 다른 일 발광 셀의 투명 전극층(60)을 배선으로 연결한다. 도면에는 다수개의 직렬 연결된 발광 셀 들의 단면을 도시한 것으로, 본 발명에 따른 발광 소자의 병렬 연결 및 연결 패드에의 연결시 상기와 마찬가지로 소정의 배선을 통해 전기 연결된다. 이 때 브리지(Bridge) 공정 또는 스텝 커버(Step Cover) 등의 공정을 통해 각기 인접한 발광 셀을 전기적으로 연결하는 도전성 배선(70)을 형성한다. Referring to FIG. 4C, the adjacent light emitting cells 100 are electrically connected through a predetermined wiring forming process. For example, the exposed n-type semiconductor layer 30 of one light emitting cell and the transparent electrode layer 60 of another light emitting cell adjacent thereto are connected by wires. In the drawings, a cross-sectional view of a plurality of series-connected light emitting cells is shown. When the light emitting devices according to the present invention are connected in parallel and connected to the connection pads, they are electrically connected as described above. At this time, a conductive line 70 for electrically connecting adjacent light emitting cells is formed through a process such as a bridge process or a step cover.

상술한 브리지 공정은 에어브리지 공정이라고도 하며, 서로 연결할 칩 간에 포토 공정을 이용해 감광액을 도포하고 현상하여 감광막 패턴을 형성하고, 그 위에 금속 등의 물질을 진공 증착 등의 방법으로 먼저 박막으로 형성하고, 다시 그 위에 전기 도금(electroplating), 무전해 도금(electroplating) 또는 금속 증착 등의 방법으로 금을 포함하는 도전성 물질을 일정 두께로 도포한다. 이후, 솔벤트 등의 용액으로 감광막 패턴을 제거하면 도전성 물질의 하부는 다 제거되고 브리지 형태의 도전성 물질만이 공간에 형성된다. The bridge process described above is also referred to as an air bridge process, by using a photo process between the chips to be connected to each other by using a photo process to form a photoresist pattern, and then forming a material such as metal on the first thin film by a method such as vacuum deposition, Again, a conductive material containing gold is applied to a predetermined thickness by a method such as electroplating, electroplating or metal deposition. Subsequently, when the photoresist pattern is removed with a solution such as a solvent, the lower portion of the conductive material is removed and only the bridge-shaped conductive material is formed in the space.

또한, 스텝 커버 공정은 서로 연결할 칩 간에 포토 공정을 이용해 감광액을 도포하고, 현상하여 서로 연결될 부분만을 남기고 다른 부분은 감광막 패턴으로 뒤덮고, 그 위에 전기 도금, 무전해 도금 또는 금속 증착 등의 방법으로 금을 포함하는 도전성 물질을 일정 두께로 도포한다. 이어서, 솔벤트 등의 용액으로 감광막 패턴을 제거하면 도전성 물질이 덮힌 이외의 부분은 다 제거되고 도전성 물질이 덮힌 부분 만이 남아 연결할 칩 사이를 전기적으로 연결시키는 역할을 하게 된다. In addition, the step cover process uses a photo process between the chips to be connected to each other using a photo process, and develops, leaving only the portions to be connected to each other, and covering the other portions with a photoresist pattern, and on top of it by electroplating, electroless plating or metal deposition. Applying a conductive material containing a predetermined thickness. Subsequently, when the photoresist pattern is removed with a solution such as a solvent, all portions other than the conductive material are covered and only the portions covered with the conductive material remain to serve to electrically connect the chips to be connected.

상기의 배선(70)으로는 금속뿐만 아니라 전도성을 갖는 모든 물질들을 사용할 수 있다. As the wiring 70, all materials having conductivity as well as metal may be used.

또한, 별도의 와이어를 통한 전기 연결을 위해 베이스 기판(20)의 일 가장자리에 제 1 본딩 패드(500)를 형성하고, 다른 가장자리에 제 2 본딩 패드(600)를 형성한다. 상기 제 1 및 제 2 본딩 패드(500, 600)는 전기 전도성이 우수한 금속을 사용한다. 이는 스크린 인쇄 방법으로 형성하거나, 소정의 마스크 패턴을 이용한 증착 공정을 통해 형성한다. In addition, the first bonding pad 500 is formed at one edge of the base substrate 20 and the second bonding pad 600 is formed at the other edge for electrical connection through a separate wire. The first and second bonding pads 500 and 600 use a metal having excellent electrical conductivity. It is formed by a screen printing method or a deposition process using a predetermined mask pattern.

상술한 본 발명의 발광 소자의 제조는 일 실시예일뿐 이에 한정되지 않고, 다양한 공정과 제조 방법이 소자의 특성 및 공정의 편의에 따라 변경되거나 추가 될 수 있다. 즉, 앞서 언급한 수평형의 발광 셀 뿐만 아니라 수직형의 발광 셀을 연결하여 발광 소자를 제작할 수 있다. The manufacturing of the light emitting device of the present invention described above is not limited thereto, and various processes and manufacturing methods may be changed or added according to the characteristics of the device and the convenience of the process. That is, the light emitting device may be manufactured by connecting not only the horizontal light emitting cells but also the vertical light emitting cells.

도 5는 도 2에 도시된 발광 소자를 실제로 구현한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 평면도를 도시한 것이다. FIG. 5 is a plan view illustrating a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention in which the light emitting device shown in FIG. 2 is actually implemented.

본 실시예는 직렬 연결된 다수개의 발광 셀 블록(200a, 200b, 200c, 200d)을 포함하며, 각 발광 셀 블록(200a, 200b, 200c, 200d)은 병렬 연결된 다수개의 발광 셀(100)들을 포함한다. 도면을 참조하면, 2개의 본딩 패드(500, 600) 사이에 24개의 발광 셀(100)들이 6× 4의 행렬(matrix) 형태로 배열되고, 연결 패드(701, 702, 703) 및 소정의 배선(70)을 통해 4개의 발광 셀 블록(200a, 200b, 200c, 200d)이 직렬 연결되고 각 발광 셀 블록(200a, 200b, 200c, 200d)의 발광 셀(100)은 순방향 또는 역방향으로 병렬 연결되어 있다. 이 때, 순방향과 역방향은 발광 소자의 전류 흐름을 지칭하는 것으로, 제 1 본딩 패드(500)를 기준으로 제 1 본딩 패드(500)로부터 제 2 본딩 패드(600)로 전류가 흐르는 경우의 방향을 순방향으로 지칭하고, 제 2 본딩 패드(600)로부터 제 1 본딩 패드(500)로 전류가 흐르는 경우의 방향을 역방향으로 지칭한다.The present embodiment includes a plurality of light emitting cell blocks 200a, 200b, 200c, and 200d connected in series, and each light emitting cell block 200a, 200b, 200c, and 200d includes a plurality of light emitting cells 100 connected in parallel. . Referring to the drawings, 24 light emitting cells 100 are arranged in a 6 × 4 matrix form between two bonding pads 500 and 600, and connection pads 701, 702, and 703 and predetermined wirings are arranged. Four light emitting cell blocks 200a, 200b, 200c and 200d are connected in series through 70, and light emitting cells 100 of each light emitting cell block 200a, 200b, 200c and 200d are connected in parallel in a forward or reverse direction. have. At this time, the forward direction and the reverse direction refer to the current flow of the light emitting device, and the direction when the current flows from the first bonding pad 500 to the second bonding pad 600 based on the first bonding pad 500. It refers to the forward direction, and the direction when the current flows from the second bonding pad 600 to the first bonding pad 500 is referred to as the reverse direction.

제 1 발광 셀 블록(200a)은 제 1 본딩 패드(500)와 제 1 연결 패드(701) 사이에 소정의 배선(70)을 통해 순방향 병렬 연결된 3개의 발광 셀(100)과, 역방향 병렬 연결된 3개의 발광 셀(100)을 포함한다. 마찬가지로 제 2 발광 셀 블록(200b) 은 제 1 연결 패드(701)와 제 2 연결 패드(702) 사이에 소정의 배선(70)을 통해 순방향 병렬 연결된 3개의 발광 셀(100)과, 역방향 병렬 연결된 3개의 발광 셀(100)을 포함하고, 제 3 발광 셀 블록(200c)은 제 2 연결 패드(702)와 제 3 연결 패드(703) 사이에 소정의 배선(70)을 통해 순방향 병렬 연결된 3개의 발광 셀(100)과, 역방향 병렬 연결된 3개의 발광 셀(100)을 포함한다. 또한 제 4 발광 셀 블록(200d)은 제 3 연결 패드(703)와 제 2 본딩 패드(600) 사이에 소정의 배선(70)을 통해 순방향 병렬 연결된 3개의 발광 셀(100)과, 역방향 병렬 연결된 3개의 발광 셀(100)을 포함한다. The first light emitting cell block 200a is connected between the first light emitting pad 500 and the first connection pad 701 with three light emitting cells 100 connected in parallel in a forward direction through a predetermined wiring 70, and 3 connected in a reverse parallel manner. Light emitting cells 100. Similarly, the second light emitting cell block 200b is connected in parallel with the three light emitting cells 100 forward and parallel connected through the predetermined wiring 70 between the first connection pad 701 and the second connection pad 702. Three light emitting cells 100, and the third light emitting cell block 200c includes three light emitting cells connected in parallel between the second connection pads 702 and the third connection pads 703 through a predetermined wiring 70. It includes a light emitting cell 100 and three light emitting cells 100 connected in reverse parallel. In addition, the fourth light emitting cell block 200d is connected in parallel with the three light emitting cells 100 forward and parallel connected through the predetermined wiring 70 between the third connection pad 703 and the second bonding pad 600. Three light emitting cells 100 are included.

본 실시예는 발광 셀 블록(200a, 200b, 200c, 200d)의 인접한 발광 셀(100)들이 순방향과 역방향 발광 셀이 교대로 병렬 접속되도록 하였으나, 발광 셀(100)들의 개수 및 배열은 이에 한정되지 않고 다양하게 구성할 수 있다. In the present exemplary embodiment, the adjacent light emitting cells 100 of the light emitting cell blocks 200a, 200b, 200c, and 200d have forward and reverse light emitting cells alternately connected in parallel, but the number and arrangement of the light emitting cells 100 are not limited thereto. It can be configured in various ways.

본 실시예에 따른 발광 소자의 제조를 위해 상기 언급한 바와 같이 베이스 기판(20) 상에 다수개의 발광 셀(100)을 형성하고, 기판(20)의 양 측에 제 1 및 제 2 본딩 패드(500, 600)를, 각 발광 셀 블록(200a, 200b, 200c, 200d)들의 사이에 연결 패드(701, 702, 703)를 형성한다. 또한, 소정의 브리지 공정 또는 스텝 커버 등의 공정을 통해 각 발광 셀 블록(200a, 200b, 200c, 200d)의 발광 셀(100)들을 병렬 연결하는 소정의 배선(70)을 형성하여 발광 소자를 제작할 수 있다. As described above, the plurality of light emitting cells 100 may be formed on the base substrate 20 and the first and second bonding pads may be formed on both sides of the substrate 20 to manufacture the light emitting device according to the present embodiment. The connection pads 701, 702, and 703 are formed between the light emitting cell blocks 200a, 200b, 200c, and 200d. In addition, a light emitting device may be fabricated by forming a predetermined wiring 70 connecting the light emitting cells 100 of the light emitting cell blocks 200a, 200b, 200c, and 200d in parallel through a predetermined bridge process or a step cover process. Can be.

이러한 본 실시예는 제 1 및 제 2 본딩 패드(500, 600)를 통해 외부의 교류 전원이 인가되며, 제 1 내지 제 4 발광 셀 블록(200a, 200b, 200c, 200d)의 다수개의 발광 셀(100)들이 번갈아 가면서 발광하기 때문에 교류전원에서도 충분히 사용 이 가능하다. In this embodiment, an external AC power is applied through the first and second bonding pads 500 and 600, and the plurality of light emitting cells of the first to fourth light emitting cell blocks 200a, 200b, 200c, and 200d may be provided. 100) can be used in AC power supply because they alternately emit light.

또한 본 실시예는 다수개의 발광 셀이 병렬 연결되어 있기 때문에, 일부 발광 셀에 문제가 생기더라도 그 외의 발광 셀은 변함없이 전류를 인가받을 수 있으므로 안정적으로 발광할 수 있다. 예를 들어, 제 1 발광 셀 블록(200a)의 순방향 연결된 하나의 발광 셀(100)이 손상된다 하여도, 그 외의 순방향 연결된 발광 셀(100)에 의해 발광하기 때문에 일부 발광 셀의 손상에 의해 성능이 저하되거나 발광하지 못하는 현상을 방지할 수 있다. 따라서 발광 소자의 안정적인 발광 특성을 기대할 수 있으며, 일부 셀의 연결 불량 및 손상에 의해 수명이 단축되는 현상을 막을 수 있다.In addition, in the present embodiment, since a plurality of light emitting cells are connected in parallel, even if a problem occurs in some light emitting cells, the other light emitting cells can be stably emitted because the other light emitting cells can be applied without change. For example, even if one forward-connected light-emitting cell 100 of the first light-emitting cell block 200a is damaged, the light is emitted by the other forward-connected light-emitting cell 100. This phenomenon can be prevented from being degraded or failing to emit light. Therefore, stable light emitting characteristics of the light emitting device can be expected, and the lifespan can be prevented from being shortened due to poor connection and damage of some cells.

도 6는 도 2에 도시된 발광 소자를 실제로 구현한 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도를 도시한 것이다. FIG. 6 is a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention in which the light emitting device shown in FIG. 2 is actually implemented.

본 실시예는 상기 일실시예와 마찬가지로 직렬 연결된 다수개의 발광 셀 블록(200)을 포함하고 각 발광 셀 블록(200)은 병렬 연결된 다수개의 발광 셀(100)들을 포함하며, 단지 별도의 연결 패드 형성 없이 소정의 배선(70)을 통해 연결한다. This embodiment includes a plurality of light emitting cell blocks 200 connected in series as in the above embodiment, and each of the light emitting cell blocks 200 includes a plurality of light emitting cells 100 connected in parallel, and only a separate connection pad is formed. It connects through a predetermined wiring 70 without.

도면을 참조하면, 2개의 본딩 패드(500, 600) 사이에 30개의 발광 셀(100)들이 6× 5의 행렬 형태로 배열되고, 소정의 배선(70)을 통해 5개의 발광 셀 블록(200)이 직렬 연결되고 각 발광 셀 블록(200)의 발광 셀(100)들은 순방향 또는 역방향으로 병렬 연결되어 있다. 상기 배선(70)은 소정의 브리지 공정 또는 스텝 커버 등의 공정을 통해 형성된다. 이는 별도의 연결 패드의 형성 없이 배선(70)을 통해 연결함으로써 상기 일실시예에 비해 기판(20) 상의 면적을 적게 차지하며 효율 적으로 활용할 수 있는 장점이 있다. Referring to the drawings, 30 light emitting cells 100 are arranged in a 6 × 5 matrix form between two bonding pads 500 and 600, and five light emitting cell blocks 200 are formed through predetermined wirings 70. The light emitting cells 100 of the light emitting cell blocks 200 are connected in series and connected in parallel in the forward or reverse directions. The wiring 70 is formed through a process such as a predetermined bridge process or a step cover. This has the advantage that it can take advantage of the area on the substrate 20 and efficiently utilized by connecting through the wiring 70 without the formation of a separate connection pad.

이러한 본 실시예는 제 1 및 제 2 본딩 패드(500, 600)를 통해 외부의 교류 전원이 인가되며, 5개의 발광 셀 블록(200)의 다수개의 발광 셀(100)들이 번갈아 가면서 발광하기 때문에 교류전원에서도 충분히 사용이 가능하다. In this embodiment, an external AC power is applied through the first and second bonding pads 500 and 600, and the plurality of light emitting cells 100 of the five light emitting cell blocks 200 emit light alternately. It can be used even in power supply.

또한 본 실시예는 다수개의 발광 셀이 병렬 연결되어 있기 때문에, 일부 발광 셀에 문제가 생기더라도 그 외의 발광 셀은 변함없이 전류를 인가받을 수 있으므로 안정적으로 발광할 수 있다. 따라서 발광 소자의 안정적인 발광 특성을 기대할 수 있으며, 일부 셀의 연결 불량 및 손상에 의해 수명이 단축되는 현상을 막을 수 있다.In addition, in the present embodiment, since a plurality of light emitting cells are connected in parallel, even if a problem occurs in some light emitting cells, the other light emitting cells can be stably emitted because the other light emitting cells can be applied without change. Therefore, stable light emitting characteristics of the light emitting device can be expected, and the lifespan can be prevented from being shortened due to poor connection and damage of some cells.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below It will be appreciated that modifications and variations can be made.

본 발명의 발광 소자는 단일 베이스 기판 상에서 다수개의 발광 셀을 전기적으로 연결하여 발광 소자를 소형화할 수 있고, 발광 소자의 제조 공정을 단순화할 수 있는 장점이 있다. 또한, 다수의 발광 셀이 연결되어 가정용에서 사용하는 고전압에서도 동작이 가능한 발광 소자를 제공할 수 있다. The light emitting device of the present invention has an advantage that the light emitting device can be miniaturized by electrically connecting a plurality of light emitting cells on a single base substrate, and the manufacturing process of the light emitting device can be simplified. In addition, a plurality of light emitting cells can be connected to provide a light emitting device that can operate even at high voltage used in the home.

또한, 본 발명의 발광 소자는 다수개의 발광 셀을 직렬과 병렬을 혼합하여 연결함으로써, 일부 발광 셀의 손상이 일어난다 해도 발광 소자의 구동에 영향을 미치지 않고 안정적으로 발광할 수 있으며, 신뢰성 및 수명의 향상을 기대할 수 있다. In addition, the light emitting device of the present invention can connect a plurality of light emitting cells by mixing in series and parallel, so that even if some light emitting cells are damaged, it can emit light stably without affecting the driving of the light emitting device, You can expect an improvement.

Claims (6)

단일 칩 내에 다수개의 발광 셀이 브리지(Bridge) 공정 또는 스텝 커버(Step Cover) 공정으로 형성된 배선을 통해 병렬 연결된 발광 셀 블록을 포함하고,A plurality of light emitting cells in a single chip includes a light emitting cell block connected in parallel through a wiring formed by a bridge process or a step cover process, 상기 발광 셀의 일부는 하나의 전류 흐름을 기준으로 순방향으로 배열되고 나머지는 역방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 발광 소자.And a part of the light emitting cells is arranged in the forward direction based on one current flow and the other is arranged in the reverse direction. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 발광 셀 블록은 다수개가 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.The light emitting device, characterized in that the plurality of light emitting cell blocks are connected in series. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 발광 셀 블록의 상기 발광 셀의 일부의 애노드는 제 1 연결 단자에 접속되고 캐소드는 제 2 연결 단자에 접속되며, 상기 발광 셀 블록의 상기 발광 셀의 나머지의 캐소드는 상기 제 1 연결 단자에 접속되고 나머지 애노드는 상기 제 2 연결 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 발광 소자. An anode of a portion of the light emitting cell of the light emitting cell block is connected to a first connection terminal and a cathode is connected to a second connection terminal, and the remaining cathode of the light emitting cell of the light emitting cell block is connected to the first connection terminal. And the remaining anode is connected to the second connection terminal. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 애노드가 제 1 연결 단자에 접속되고 캐소드가 제 2 연결 단자에 접속된 발광 셀의 일부와, 캐소드가 상기 제 1 연결 단자에 접속되고 애노드가 상기 제 2 연결 단자에 접속된 발광 셀의 나머지의 개수가 동일한 것을 특징으로 하는 발광 소 자.The number of light emitting cells in which an anode is connected to the first connection terminal and the cathode is connected to the second connection terminal, and the number of the remainder of the light emitting cells in which the cathode is connected to the first connection terminal and the anode is connected to the second connection terminal. The light emitting device characterized in that the same. 삭제delete 삭제delete
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