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KR100762059B1 - Insulating Wall, Heating Structure, Heating Device, Substrate Processing Equipment - Google Patents

Insulating Wall, Heating Structure, Heating Device, Substrate Processing Equipment Download PDF

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KR100762059B1
KR100762059B1 KR1020060130688A KR20060130688A KR100762059B1 KR 100762059 B1 KR100762059 B1 KR 100762059B1 KR 1020060130688 A KR1020060130688 A KR 1020060130688A KR 20060130688 A KR20060130688 A KR 20060130688A KR 100762059 B1 KR100762059 B1 KR 100762059B1
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heating element
attachment groove
cylindrical
heating
wall
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시노부 스기우라
히데토 다테노
히토시 무라타
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

발열체의 걸림을 방지하여, 발열체의 변형을 미연에 방지한다. By preventing the heating element from being caught, deformation of the heating element is prevented.

발열체(42)가 마련되는 부착홈(40)의 측벽에 단열벽체(33)의 중심 방향으로 감에 따라서 발열체(42)로부터 멀어지도록 경사하는 테이퍼면(40b), (40c)을 마련한다. 열팽창에 따라 발열체(42)가 부착홈(40) 내에서 반경 방향 외향으로 움직일 때에, 발열체(42)가 부착홈(40)의 테이퍼면(40b), (40c)에 걸려 버리는 것을 방지할 수 있기 때문에, 발열체(42)가 온도 하강하여 수축해도, 발열체(42)는 부착홈(40) 내에서 반경 방향 내향으로 움직여 본래의 위치로 되돌아갈 수 있다. 발열체의 열팽창 및 열수축에 따르는 변형을 방지하는 것에 의해, 발열체의 열팽창 및 열수축에 따라 발생하는 발열체의 단선은 미연에 방지할 수 있기 때문에, 발열체의 수명을 연장할 수 있다. Tapered surfaces 40b and 40c which are inclined away from the heating element 42 are provided on the sidewall of the attachment groove 40 in which the heating element 42 is provided, as it moves toward the center direction of the heat insulation wall 33. When the heating element 42 moves radially outward in the attachment groove 40 due to thermal expansion, the heating element 42 can be prevented from being caught by the tapered surfaces 40b and 40c of the attachment groove 40. Therefore, even if the heating element 42 shrinks due to the temperature drop, the heating element 42 can move radially inward in the attachment groove 40 to return to the original position. By preventing deformation due to thermal expansion and thermal contraction of the heating element, disconnection of the heating element generated due to thermal expansion and thermal contraction of the heating element can be prevented in advance, thus extending the life of the heating element.

Description

단열벽체, 발열체의 유지 구조체, 가열 장치 및 기판 처리 장치{HEAT INSULATING WALL, SUPPORTING STRUCTURE OF A HEATING ELEMENT, HEATING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Heat Insulation Wall, SUPPORTING STRUCTURE OF A HEATING ELEMENT, HEATING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

도 1은 본 발명의 1실시예인 CVD 장치를 나타내는 정면 단면도이다. 1 is a front sectional view showing a CVD apparatus which is one embodiment of the present invention.

도 2는 발명의 1실시예인 히터 유닛의 주요부를 나타내는 평면 단면도이다.2 is a plan sectional view showing main parts of a heater unit which is one embodiment of the invention.

도 3은 본 발명의 1실시예인 발열체의 유지 구조체의 주요부를 도시하고 있어, (a)는 내측으로부터 본 전개도, (b)는 (a)의 b-b 선에 따르는 평면 단면도, (c)는 (a)의 c-c 선에 따르는 측면 단면도이다. Fig. 3 shows a main part of the holding structure of the heating element which is one embodiment of the present invention, (a) is an exploded view from the inside, (b) is a plan sectional view taken along line bb of (a), (c) is (a) It is a side cross-sectional view along the cc line of ().

도 4의 (a)는 외측 애자를 도시하는 사시도, (b)는 마찬가지로 내측 애자를 나타내는 사시도이다. (A) is a perspective view which shows an outer insulator, (b) is a perspective view which shows an inner insulator similarly.

도 5는 히터 유닛의 사시도이다. 5 is a perspective view of a heater unit.

도 6은 변형 방지의 작용을 나타내는 각 외부 대략 평면 단면도이며, (a)는 비교예의 경우를, (b)은 본 실시예의 경우를 각각 도시하고 있다.Fig. 6 is a schematic cross sectional view of each outer surface showing the effect of deformation prevention, (a) shows a case of a comparative example, and (b) shows a case of this example, respectively.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1: 웨이퍼(기판) 11: 프로세스튜브1: wafer (substrate) 11: process tube

12: 외부튜브 13: 내부튜브12: outer tube 13: inner tube

l4: 처리실 15: 화로구l4: treatment chamber 15: brazier

l6: 매니폴드 17: 배기관6: manifold 17: exhaust pipe

18: 배기로 19: 히터 베이스18: exhaust passage 19: heater base

20: 밀봉캡 21: 보트 엘리베이터20: sealing cap 21: boat elevator

22: 보트 23: 가스 도입관22: boat 23: gas introduction pipe

24: 온도 센서 25: 회전 기구24: temperature sensor 25: rotating mechanism

30: 히터 유닛(가열 장치) 31: 케이스30: heater unit (heating device) 31: case

32: 간격 33: 단열벽체32: gap 33: insulation wall

34: 천장벽부 35: 측벽부34: ceiling wall portion 35: side wall portion

36: 단열 블럭 37: 본체36: heat insulation block 37: main body

37a: 돌출부 38: 결합수컷부(볼록부)37a: protrusion 38: coupling male portion (convex portion)

39: 결합오목부(오목부) 40: 부착홈(오목부)39: coupling recessed part (recessed part) 40: attachment groove (recessed part)

40a: 홈 밑바닥 40b, 40c: 테이퍼면40a: groove bottom 40b, 40c: tapered surface

41: 유지구 42: 발열체41: holder 42: heating element

43: 간격 44: 양단부43: interval 44: both ends

45, 46: 급전부 47, 48: 접속부45, 46: power supply part 47, 48: connection part

49, 50: 삽입통과홈 51: 원통부49, 50: insert-through groove 51: cylindrical portion

52: 외측 애자(절연 구조체) 53, 54: 유지 홈52: outer insulator (insulation structure) 53, 54: holding groove

55: 내측 애자(절연 구조체) 56, 57: 유지홈55: inner insulator (insulation structure) 56, 57: holding groove

58: 격벽부 61: 급전 단자58: partition 61: power supply terminal

62: 브리지선 63: 단자 케이스62: bridge wire 63: terminal case

64: 단열재 65: 절연 애자64: insulation 65: insulator

본 발명은 단열벽체, 발열체의 유지 구조체, 가열 장치 및 기판 처리 장치에 관한 것으로, 예컨대, 반도체 집적 회로 장치(이하, IC라고 함)가 작성하여 넣어지는 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)에 절연막이나 금속제막 및 반도체막을 퇴적(디포지션)시키는 CVD 장치, 산화막 형성 장치, 확산 장치, 이온 주입 후의 캐리어 활성화나 평탄화를 위한 리플로우나 풀림 등의 열처리(thermal treatment)에 사용되는 열처리 장치(furnace) 등의 반도체 제조 장치에 이용하여 유효한 것에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat insulating wall, a holding structure of a heating element, a heating apparatus, and a substrate processing apparatus. For example, an insulating film is formed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) into which a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as IC) is created and put. Or a CVD apparatus for depositing (depositing) metal and semiconductor films, an oxide film forming apparatus, a diffusion apparatus, and a heat treatment apparatus used for thermal treatment such as reflow or annealing for carrier activation or planarization after ion implantation. It is related with what is effective for using for semiconductor manufacturing apparatuses, such as these.

IC의 제조 방법에 있어서, 웨이퍼에 성막 처리나 확산 처리를 실시하는데 배치식 종형 핫월형 확산ㆍCVD 장치가 널리 사용되고 있다. In the IC manufacturing method, a batch type hotwall diffusion / CVD apparatus is widely used to perform a film forming process and a diffusion process on a wafer.

일반적으로, 배치식 종형 핫월형 확산ㆍCVD 장치(이하, CVD 장치라고 함)는 웨이퍼가 반입되는 처리실을 형성하는 내부튜브 및 이 내부튜브를 둘러싸는 외부튜브로 구성되어 종형으로 설치된 프로세스튜브와, 피 처리 기판인 복수매의 웨이퍼를 유지하여 내부튜브의 처리실에 반입하는 보트와, 내부튜브 내에 원료 가스를 도입하는 가스 도입관과, 프로세스튜브 내를 배기하는 배기관과, 프로세스튜브 밖에 마련되어 프로세스튜브 내를 가열하는 히터 유닛을 구비하고 있다. In general, a batch vertical hotwall diffusion / CVD apparatus (hereinafter referred to as a CVD apparatus) includes a process tube which is vertically formed by an inner tube forming a process chamber into which a wafer is carried and an outer tube surrounding the inner tube, A boat which holds a plurality of wafers as a substrate to be processed and carries them into a processing chamber of an inner tube, a gas introduction tube which introduces raw material gas into the inner tube, an exhaust pipe exhausting the inside of the process tube, and a process tube provided outside the process tube It is provided with the heater unit which heats.

그리고, 복수매의 웨이퍼가 보트에 의해서 수직 방향으로 정렬되어 유지된 상태로 내부튜브 내에 하단의 화로구로부터 반입(보트 로딩)된 후에, 내부튜브 내에 원료 가스가 가스 도입관으로부터 도입됨과 동시에, 히터 유닛에 의해서 프로세스튜브 내가 가열된다. 이에 따라, 웨이퍼에 CVD 막이 디포지션되고, 또한, 확산 처리가 실시된다. Then, after a plurality of wafers are loaded (boat-loaded) from the brazier at the lower end in the inner tube in a state of being kept aligned in a vertical direction by the boat, the source gas is introduced from the gas introduction tube into the inner tube, and at the same time, the heater The inside of the process tube is heated by the unit. As a result, a CVD film is deposited on the wafer and a diffusion process is performed.

종래의 이 종류의 CVD 장치에 있어서, 가열 장치인 히터 유닛은 알루미나나 실리카 등의 단열재(heat insulating material)가 사용되어 배큠폼(진공 흡착 형성)법에 의해 프로세스튜브를 전체적으로 피복하는 긴 원통 형상으로 형성된 단열벽체와, 철-크롬-알루미늄(Fe-Cr-Al) 합금이나 몰리브덴 실리사이드(MoSi2)가 사용되어 길고 크게 형성된 발열체와, 단열벽체를 피복하는 케이스를 구비하고 있어, 발열체가 단열벽체의 내주에 마련되어 구성되어 있다. In the conventional CVD apparatus of this kind, the heater unit, which is a heating device, has a long cylindrical shape in which a heat insulating material such as alumina or silica is used to cover the process tube as a whole by a vacuum foam (vacuum adsorption formation) method. The formed heat insulating wall is provided with a long and large heating element formed by using an iron-chromium-aluminum (Fe-Cr-Al) alloy or molybdenum silicide (MoSi 2 ), and a case covering the insulating wall. It is provided in the inner circumference and is comprised.

이러한 히터 유닛에 있어서, 예컨대 30℃/분 이상의 급속 가열을 실시하는 경우에는, 발열 유효 면적을 크게 하기 위해서 판 형상으로 형성된 발열체가 사용되고 있다.In such a heater unit, when rapid heating, for example, 30 degrees C / min or more, the heat generating body formed in the plate shape is used in order to enlarge the heat generating effective area.

이 판 형상의 발열체를 단열벽체의 내주에 마련한 종래의 발열체의 유지 구조체로서는, 단열벽체의 내주에 마련된 복수의 부착홈의 각각에 발열체가 홈 바닥면으로부터 떨어진 상태로 마련되어 있는 것이 있다. 예컨대, 특허 문헌 l 참조.As a holding structure of the conventional heating element which provided this plate-shaped heat generating body in the inner periphery of a heat insulation wall, there exist some in which the heat generating body was provided in the state which separated | separated from the groove bottom surface in each of the some attachment groove provided in the inner periphery of a heat insulating wall. See, eg, patent document l.

(특허 문헌 1) 일본국 특허 공개 2004-39967 호 공보(Patent Document 1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-39967

상기한 단열벽체에 있어서는, 발열체가 부착홈 내에 각각 설치되어 있기 때문에, 상하로 인접하는 발열체끼리의 접촉은 방지할 수 있다. In the above-mentioned heat insulation wall body, since the heat generating body is provided in the attachment groove, respectively, the contact of the heat generating bodies adjacent to each other up and down can be prevented.

그러나, 발열체의 열팽창 및 열수축에 대처할 필요 때문에, 발열체는 반경 방향으로는 움직일 수 있게 되어 있다. However, since it is necessary to cope with thermal expansion and thermal contraction of the heating element, the heating element can move in the radial direction.

따라서, 열팽창 시에는, 발열체는 부착홈 내에 있어서 반경 방향 외향으로 움직이고, 열수축 시에는, 발열체는 부착홈 내에 있어서 반경 방향 내향으로 움직여 본래의 위치로 되돌아간다. Therefore, during thermal expansion, the heating element moves radially outward in the attachment groove, and during thermal contraction, the heating element moves radially inward in the attachment groove and returns to its original position.

그러나, 발열체가 열팽창 시에 부착홈의 측벽면에 걸려, 해당 걸린 부위가 고정단처럼 작용함으로써, 발열체가 변형해 버린다. 마찬가지로, 발열체가 열팽창 시에 부착홈의 측벽면에 걸려, 그 걸린 상태대로, 발열체가 온도 하강하여 수축하면, 해당 걸린 부위가 고정단처럼 작용함으로써 발열체가 변형해 버린다. However, the heating element is caught by the side wall surface of the attachment groove at the time of thermal expansion, and the affected portion acts as a fixed end, thereby deforming the heating element. Similarly, when the heating element catches on the side wall surface of the attachment groove during thermal expansion, and the heating element falls and contracts as it is, the heating element deforms by acting as a fixed end.

이와 같은 변형이 축적된 경우나 변형이 큰 경우에는, 발열체가 단선된다는 문제점이 있다. In the case where such deformation is accumulated or when deformation is large, there is a problem that the heating element is disconnected.

본 발명의 제 1 목적은 발열체의 걸림을 방지하여, 발열체의 변형을 미연에 방지할 수 있는 단열벽체를 제공하는 것에 있다.A first object of the present invention is to provide a heat insulation wall that can prevent the heating element from being caught and prevent deformation of the heating element in advance.

본 발명의 제 2 목적은 발열체의 걸림을 방지하여, 발열체의 변형을 미연에 방지할 수 있는 발열체의 유지 구조체를 제공하는 것에 있다. It is a second object of the present invention to provide a holding structure of a heating element which can prevent the heating element from being caught and prevent deformation of the heating element in advance.

본 발명의 제 3 목적은 발열체의 걸림을 방지하여, 발열체의 변형을 미연에 방지할 수 있는 가열 장치를 제공하는 것에 있다. It is a third object of the present invention to provide a heating apparatus that can prevent a jam of a heating element and prevent deformation of the heating element in advance.

본 발명의 제 4 목적은 발열체의 걸림을 방지하여, 발열체의 변형을 미연에 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다. A fourth object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing the heating element from being caught and preventing deformation of the heating element in advance.

상기한 과제를 해결하기 위한 수단 중 대표적인 것은 다음과 같다.Typical examples of the means for solving the above problems are as follows.

(1) 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖고, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 홈 밑바닥에 가까이 감에 따라서 작아지도록 형성되어 있는 단열벽체. (1) A cylindrical heat insulating wall of a heating device used in a substrate processing apparatus, comprising a pair of sidewalls having an attachment groove for accommodating a plate-shaped heating element along the cylindrical inner circumferential surface and forming the attachment groove. An insulated wall formed so that the gap becomes smaller as it approaches the bottom of the groove.

(2) 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖고, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 상기 부착홈의 바닥부로부터 해당 측벽의 정상부를 향해서 점차 커지도록 형성되어 있는 단열벽체.(2) A cylindrical heat insulation wall of a heating device used in a substrate processing apparatus, comprising a pair of side walls having an attachment groove for accommodating a plate-shaped heating element along the cylindrical inner circumferential surface, and forming the attachment groove. A heat insulation wall is formed such that the gap gradually increases from the bottom of the attachment groove toward the top of the side wall.

(3) 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖고, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 상기 부착홈의 밑바닥으로부터 상기 원통 형상의 반경 방향 중심측을 향해서 점차 커지도록 형성되어 있는 단열벽 체.(3) A cylindrical heat insulating wall of a heating device used in a substrate processing apparatus, comprising a pair of sidewalls having an attachment groove for accommodating a flat heating element along the inner circumferential surface of the cylinder and forming the attachment groove. The heat insulation wall body which is formed so that a space | interval becomes gradually larger from the bottom of the said attachment groove toward the radial center side of the said cylindrical shape.

(4) 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖고, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽 중 상기 발열체로부터 수직 방향 상측에 위치하는 측벽은, 상기 원통 형상의 반경 방향 중심측을 향해서 점차 수직 방향 상측으로 넓어지고, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽 중 상기 발열체로부터 수직 방향 하측에 위치하는 측벽은, 상기 원통 형상의 반경 방향 중심측을 향해서 점차 수직 방향 하측으로 넓어지도록 형성되어 있는 단열벽체.(4) A cylindrical heat insulating wall of a heating device used in a substrate processing apparatus, comprising: a pair of sidewalls having an attachment groove for accommodating a plate-shaped heating element along the cylindrical inner circumferential surface, and forming the attachment groove. The side wall located above the heating element in the vertical direction gradually widens upward in the vertical direction toward the radial center side of the cylindrical shape, and is located below the heating element in the vertical direction of the pair of side walls forming the attachment groove. The side wall is formed so as to gradually widen downward in the vertical direction toward the radial center side of the cylindrical shape.

(5) 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖고, 상기 부착홈의 수직 방향의 폭은 적어도 상기 발열체의 수직 방향의 상하단보다 크게 형성되어 있고, 해당 폭은 상기 원통 형상의 반경 방향 중심측을 향해서 점차 커지도록 형성되어 있는 단열벽체.(5) A cylindrical heat insulating wall of a heating apparatus used in a substrate processing apparatus, having an attachment groove for accommodating a plate-shaped heating element along the cylindrical inner circumferential surface, wherein the width in the vertical direction of the attachment groove is at least as described above. It is formed larger than the upper and lower ends of the heating element in the vertical direction, and the said heat insulation wall is formed so that it may become large gradually toward the radial center side of the said cylindrical shape.

(6) 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖는 원통 형상의 단열 블록이 복수 적층되고, 상기 단열 블록 중 하나에 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 한 쪽이 되는 제1 측벽이 형성되어 있고, 상기 제1 측벽이 형성되는 단열 블록에 인접하여 적층된 단열 블록에는, 상기 제1 측벽에 대향하여 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 다른 쪽이 되는 제2 측벽이 형성되어 있고, 상기 제1 측벽과 상기 제2 측벽과의 간격은, 상기 부착홈의 바닥부로부터 해당 부착홈의 정상 부를 향해서 점차 커지도록 형성되어 있는 단열벽체.(6) A cylindrical heat insulating wall of a heating device used in a substrate processing apparatus, wherein a plurality of cylindrical heat insulating blocks having an attachment groove for accommodating a plate-shaped heating element along an inner circumferential surface are laminated, and in one of the heat insulating blocks. A first side wall is formed, which is one side of the pair of side walls forming the attachment groove, and the insulation block stacked adjacent to the insulation block on which the first side wall is formed is opposed to the first side wall. A second side wall, which is the other side of the pair of side walls forming the groove, is formed, and the distance between the first side wall and the second side wall gradually increases from the bottom of the attachment groove toward the top of the attachment groove. Insulation wall formed to be large.

(7) 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖는 원통 형상의 단열 블록이 복수 적층되고, 상기 단열 블록의 하단부에는 상기 단열 블록의 내주의 일부가 원형 링 형상으로 잘려진 상태로 결합 수컷부가 형성되어 있고, 상기 단열 블록의 상단부에는 상기 단열 블록의 외주의 일부가 원형 링 형상으로 잘려진 상태로 결합 오목부가 형성되어 있고, 상기 단열 블록의 내주면에 있어서의 상단과 해당 단열 블록과 인접하는 단열 블록의 내주면에 있어서의 상단과의 사이에 상기 부착홈이 형성되어 있고, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 상기 부착홈의 바닥부로부터 해당 측벽의 정상부를 향해서 점차 커지도록 형성되어 있는 단열벽체.(7) A cylindrical heat insulating wall of a heating device used in a substrate processing apparatus, wherein a plurality of cylindrical heat insulating blocks having an attachment groove for accommodating a plate-shaped heating element are stacked along an inner circumferential surface thereof, A coupling male part is formed in a state in which a portion of the inner circumference of the insulating block is cut into a circular ring shape, and a coupling recess is formed in a state in which a portion of the outer circumference of the insulating block is cut in a circular ring shape in an upper end of the insulating block. The attachment groove is formed between an upper end on the inner circumferential surface of the heat insulating block and an upper end on the inner circumferential surface of the heat insulating block adjacent to the heat insulating block, and the interval between the pair of side walls forming the attachment groove is A heat insulation wall formed to gradually increase from the bottom of the attachment groove toward the top of the side wall.

(8) 상기 부착홈이 수직 방향으로 복수 개 형성되어 있는 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나의 단열벽체.(8) The heat insulation wall according to any one of the above (1) to (7), wherein a plurality of the attachment grooves are formed in the vertical direction.

(9) 기판 처리 장치에 이용되는 발열체의 유지 구조체로서, 원통 형상으로 형성된 단열벽체의 내주면을 따라 평판 형상의 부착홈이 형성되어 있고, 이 부착홈 내에 상기 발열체가 마련되어 있고, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 홈 밑바닥에 가까이 감에 따라서 작아지도록 형성되어 있는 발열체의 유지 구조체.(9) A holding structure for a heating element used in a substrate processing apparatus, wherein a flat mounting groove is formed along an inner circumferential surface of a heat insulating wall formed in a cylindrical shape, the heating element is provided in the mounting groove, and the mounting groove is formed. The holding structure of the heating element which is formed so that the space | interval of a pair of side walls may become small as it approaches a bottom of a groove | channel.

(10) 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나의 단열벽체를 갖는 가열 장치.(10) The heating apparatus which has a heat insulation wall in any one of said (1)-(7).

(11) 상기 (8)의 단열벽체를 갖는 가열 장치.(11) The heating apparatus which has a heat insulation wall of said (8).

(12) 상기 (10)의 가열 장치를 갖는 기판 처리 장치.(12) A substrate processing apparatus having the heating device of (10).

(13) 상기 (11)의 가열 장치를 갖는 기판 처리 장치.(13) A substrate processing apparatus having the heating device of (11).

(14) 기판을 처리하는 처리실을 형성하는 프로세스 튜브와, 해당 프로세스 튜브의 주위를 포위하고 해당 프로세스 튜브의 내부를 가열하는 가열 장치를 포함하며, 상기 가열 장치는 원통 형상으로 형성되고, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖고, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 홈 밑바닥에 가까이 감에 따라 작아지도록 형성되어 있는 단열벽체를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.(14) a process tube forming a process chamber for processing a substrate, and a heating device surrounding the process tube and heating the inside of the process tube, wherein the heating device is formed in a cylindrical shape, and the cylindrical shape It has an insulating groove for accommodating the plate-shaped heating element along the inner circumferential surface of the, and has a heat insulating wall is formed so that the distance between the pair of side walls forming the attachment groove becomes smaller as the bottom of the groove closer Substrate processing apparatus.

(15) 상기 (14)의 기판 처리 장치를 이용하여 처리하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 프로세스 튜브의 내부에 기판을 반입하는 공정과, 상기 가열 장치가 상기 프로세스 튜브의 내부를 가열하고, 상기 기판을 열처리하는 공정과, 상기 프로세스 튜브의 내부로부터 기판을 반출하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.(15) A method of manufacturing a semiconductor device, which is processed using the substrate processing apparatus of (14), wherein the step of loading a substrate into the process tube, and the heating device heats the inside of the process tube, And a step of carrying out the heat treatment of the substrate and a step of carrying out the substrate from the inside of the process tube.

이하, 본 발명의 1실시예를 도면에 의거하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of this invention is described based on drawing.

본 실시예에 있어서, 본 발명에 관한 단열벽체는 본 발명에 관한 기판 처리 장치의 1실시예인 CVD 장치(배치식 종형 핫월형 감압 CVD 장치)에 설치된 본 발명에 관한 가열 장치의 1실시예인 히터 유닛에 사용되고 있다. In the present embodiment, the heat insulation wall according to the present invention is a heater unit which is one embodiment of the heating apparatus according to the present invention installed in a CVD apparatus (batch-type vertical hotwall pressure reduction CVD apparatus) which is one embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. It is used for.

본 발명의 기판 처리 장치의 1실시예인 CVD 장치는, 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 수직으로 배치되어 고정적으로 지지된 종형의 프로세스튜브(11)를 갖추고 있고, 프로세스튜브(11)는 외부튜브(12)와 내부튜브(13)로 구성되어 있다. The CVD apparatus, which is one embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention, has a vertical process tube 11 arranged vertically and fixedly supported as shown in FIG. 1, and the process tube 11 is an outer tube. It consists of 12 and the inner tube 13.

외부튜브(12)는 석영(SiO2)이 사용되어 원통 형상으로 일체 형성되어 있고, 내부튜브(3)는 석영(SiO2)또는 탄화 실리콘(SiC)이 사용되어 원통 형상으로 일체 형성되어 있다. The outer tube 12 is formed of a cylindrical shape using quartz (SiO 2 ), and the inner tube 3 is formed of a cylindrical shape using quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC).

외부튜브(12)는 내경이 내부튜브(13)의 외경보다도 크고 상단이 폐색하고 하단이 개구한 원통 형상으로 형성되어 있고, 내부튜브(13)에 그 외측을 둘러싸도록 동심원으로 씌워져 있다. The outer tube 12 is formed in a cylindrical shape whose inner diameter is larger than the outer diameter of the inner tube 13 and the upper end is closed and the lower end is opened, and the inner tube 13 is covered with concentric circles so as to surround the outer side thereof.

내부튜브(13)는 상하 양단이 개구한 원통 형상으로 형성되어 있고, 내부튜브(13)의 통 중공부는 보트(22)에 의해서 수직 방향으로 정렬한 상태로 유지된 복수매의 웨이퍼가 반입되는 처리실(14)을 형성하고 있다. 내부튜브(13)의 하단 개구는 웨이퍼를 출납하기 위한 화로구(15)를 구성하고 있다. The inner tube 13 is formed in a cylindrical shape with upper and lower ends open, and the hollow portion of the inner tube 13 is a process chamber into which a plurality of wafers held in a vertically aligned state by the boat 22 are loaded. (14) is formed. The lower end opening of the inner tube 13 constitutes a furnace opening 15 for taking in and out of the wafer.

외부튜브(12)와 내부튜브(13)의 사이의 하단부는, 원형 링 형상으로 형성된 매니폴드(16)에 의해서 기밀 밀봉되어 있고, 매니폴드(16)는 내부튜브(13) 및 외부튜브(12)에 대한 교환 등을 위해 내부튜브(13) 및 외부튜브(12)에 각각 착탈 자유롭게 부착되어 있다.The lower end portion between the outer tube 12 and the inner tube 13 is hermetically sealed by a manifold 16 formed in a circular ring shape, and the manifold 16 has an inner tube 13 and an outer tube 12. Removably attached to the inner tube 13 and the outer tube 12, for example, for exchange for).

매니폴드(16)가 CVD 장치의 히터 베이스(19)에 지지되는 것에 의해, 프로세스튜브(11)는 수직으로 설치된 상태로 되어 있다. By the manifold 16 being supported by the heater base 19 of the CVD apparatus, the process tube 11 is in a vertically installed state.

매니폴드(16)의 측벽의 상부에는 배기관(17)이 접속되어 있고, 배기관(17)은 배기 장치(도시하지 않음)에 접속되어 처리실(14)을 소정의 진공도로 진공 배기할 수 있도록 구성되어 있다. 배기관(17)은 외부튜브(12)와 내부튜브(13)의 사이에 형성된 간격에 연통한 상태로 되어 있고, 외부튜브(12)와 내부튜브(13)의 간격에 의해서 배기로(18)가 구성되어 있다. 배기로(18)의 횡단면 형상은 일정 폭의 원형 링 형상으로 되어 있다. An exhaust pipe 17 is connected to an upper portion of the side wall of the manifold 16, and the exhaust pipe 17 is connected to an exhaust device (not shown) so that the process chamber 14 can be evacuated to a predetermined vacuum degree. have. The exhaust pipe 17 is in a state of communicating with the gap formed between the outer tube 12 and the inner tube 13, and the exhaust path 18 is closed by the gap between the outer tube 12 and the inner tube 13. Consists of. The cross-sectional shape of the exhaust path 18 is a circular ring shape of a predetermined width.

배기관(17)이 매니폴드(16)에 접속되어 있기 때문에, 배기관(17)은 원통 형상의 중공체가 형성되어 수직 방향으로 길게 형성된 배기로(18)의 최하단부에 배치된 상태로 되어 있다.Since the exhaust pipe 17 is connected to the manifold 16, the exhaust pipe 17 is in a state in which a cylindrical hollow body is formed and is arranged at the lowermost end of the exhaust path 18 formed long in the vertical direction.

매니폴드(16)에는 하단 개구를 폐색하는 밀봉캡(20)이, 수직 방향 하측으로부터 맞닿게 되어 있다. 밀봉캡(20)은 외부튜브(12)의 외경과 대략 같은 원반 형상으로 형성되어 있고, 프로세스튜브(11)의 외부에 설비된 보트 엘리베이터(21)(일부만이 도시됨)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성되어 있다. In the manifold 16, the sealing cap 20 which closes the lower end opening comes into contact with the lower side in the vertical direction. The sealing cap 20 is formed in a disk shape approximately equal to the outer diameter of the outer tube 12, and is lifted in the vertical direction by a boat elevator 21 (only a part of which is shown) installed on the outside of the process tube 11. It is configured to be.

밀봉캡(20)의 중심선 상에는 피 처리 기판으로서의 웨이퍼(1)를 유지하기 위한 보트(22)가 수직으로 입각되어 지지되어 있다. On the centerline of the sealing cap 20, the boat 22 for holding the wafer 1 as a substrate to be processed is vertically supported.

보트(22)는 복수매의 웨이퍼를 수평으로 또한 서로 중심을 모은 상태로 정렬시켜 유지하도록 되어 있다. The boat 22 is arranged to hold a plurality of wafers horizontally and aligned with each other at a center.

밀봉캡(20)에는 가스 도입관(23)이 내부튜브(13)의 화로구(15)에 연통하도록 접속되어 있고, 가스 도입관(23)에는 원료 가스 공급 장치 및 캐리어 가스 공급 장치(모두 도시하지 않음)에 접속되어 있다. 가스 도입관(23)으로부터 화로구(15)에 도입된 가스는 내부튜브(13)의 처리실(14) 내를 유통하여 배기로(18)를 통하여 배 기관(17)으로부터 배기된다. A gas introduction tube 23 is connected to the sealing cap 20 so as to communicate with the furnace 15 of the inner tube 13, and the gas introduction tube 23 is provided with a source gas supply device and a carrier gas supply device (both shown). Not connected). The gas introduced into the furnace port 15 from the gas introduction pipe 23 flows through the process chamber 14 of the inner tube 13 and is exhausted from the exhaust pipe 17 through the exhaust path 18.

외부튜브(12)의 외부에는 프로세스튜브(11)의 내부를 가열하는 가열 장치인 히터 유닛(30)이 외부튜브(12)의 주위를 포위하도록 동심원으로 설비되어 있다. Outside the outer tube 12, a heater unit 30, which is a heating device for heating the inside of the process tube 11, is provided in a concentric manner so as to surround the outer tube 12.

히터 유닛(30)은 스테인리스강(SUS)이 사용되어 상단 폐색이고 하단 개구의 원통 형상으로 형성된 케이스(31)를 구비하고 있고, 케이스(31)의 내경 및 전체 길이는 외부튜브(12)의 외경 및 전체 길이보다도 크게 설정되어 있다. The heater unit 30 is provided with a case 31 formed of a cylindrical shape of a lower end opening and closed at the top by using stainless steel (SUS), and the inner diameter and the total length of the case 31 are the outer diameter of the outer tube 12. And larger than the total length.

케이스(31)의 내부에는 본 발명의 1실시예인 발열체의 유지 구조체가 설치되어 있다. 본 실시예에 관한 발열체의 유지 구조체는 발열체와 단열벽체(33)를 구비하고 있다. Inside the case 31, a holding structure for the heating element, which is an embodiment of the present invention, is provided. The holding structure of the heating element according to the present embodiment includes a heating element and a heat insulating wall 33.

본 발명의 1실시예인 단열벽체(33)는 외부튜브(12)의 외경보다도 큰 원통 형상으로 형성되어 있고, 외부튜브(12)와 동심원으로 설치되어 있다. 단열벽체(33)와 케이스(31)의 내주면과의 사이의 간격(32)은 공랭을 위한 공간이다. The heat insulation wall 33 which is one Embodiment of this invention is formed in cylindrical shape larger than the outer diameter of the outer tube 12, and is provided concentrically with the outer tube 12. As shown in FIG. The space | interval 32 between the heat insulation wall 33 and the inner peripheral surface of the case 31 is a space for air cooling.

단열벽체(33)는 케이스(31)의 내경보다 작은 외경을 갖는 원반 형상의 천장벽부(34)와, 외부튜브(12)의 외경보다도 큰 내경 및 케이스(31)의 내경보다도 작은 외경을 갖는 원통 형상의 측벽부(35)를 구비하고 있다. The heat insulating wall 33 has a disk-shaped ceiling wall portion 34 having an outer diameter smaller than the inner diameter of the case 31, an inner diameter larger than the outer diameter of the outer tube 12, and an outer diameter smaller than the inner diameter of the case 31. The cylindrical side wall part 35 is provided.

천장벽부(34)는 측벽부(35)의 상단의 개구를 폐색하도록 씌워지고 있고, 천장벽부(34)의 상단면은 케이스(31)의 천장벽의 하면에 접하도록 마련되어 있다. The ceiling wall part 34 is covered so that the opening of the upper end of the side wall part 35 may be closed, and the upper end surface of the ceiling wall part 34 is provided in contact with the lower surface of the ceiling wall of the case 31.

또한, 천장벽부(34) 및 케이스(3l)의 천장벽을 관통하는 배기구를 마련하여, 단열벽체(33)와 외부튜브(12)와의 사이의 분위기를 강제 공랭시키도록 구성해도 좋다. In addition, an exhaust port penetrating the ceiling wall 34 and the ceiling wall of the case 3l may be provided so as to forcibly air-cool the atmosphere between the heat insulation wall 33 and the outer tube 12.

측벽부(35)의 외경이 케이스(31)의 내경보다도 작게 설정되어 있는 것에 의해, 측벽부(35)와 케이스(31)와의 사이에는 공랭 공간으로서의 간격(32)이 형성되어 있다. Since the outer diameter of the side wall part 35 is set smaller than the inner diameter of the case 31, the space | interval 32 as an air cooling space is formed between the side wall part 35 and the case 31.

또한, 간격(32)과 단열벽체(33)와 외부튜브(12)와의 사이의 공간을 관통시키도록 단열벽체(33)의 측벽부(35)에 관통공을 마련하여, 단열벽체(33)와 외부튜브(12)와의 사이의 분위기를 강제 공랭 시키도록 구성해도 좋다. In addition, a through hole is provided in the side wall part 35 of the heat insulating wall 33 so as to allow a space between the gap 32 and the heat insulating wall 33 and the outer tube 12 to pass through the heat insulating wall 33 and the heat insulating wall 33. The atmosphere between the outer tube 12 and the outer tube 12 may be forced to be air cooled.

그리고, 단열벽체(33)의 측벽부(35)는 단열 블럭(36)이 복수개, 수직 방향으로 적층되는 것으로 하나의 통체로서 구축되어 있다. The side wall part 35 of the heat insulating wall 33 is constructed as a single cylinder by stacking a plurality of heat insulating blocks 36 in the vertical direction.

도 1 및 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 단열 블럭(36)은 단척의 원통 형상인 도너츠 형상의 본체(37)를 갖추고 있고, 본체(37)는 섬유 형상 또는 구 형상의 알루미나나 실리카 등의 절연재(insulating material)로서도 기능하는 단열재가 사용되고, 배큠폼 법의 성형 형태에 의해서 일체 성형되어 있다.As shown in Figs. 1 and 2, the insulating block 36 has a donut-shaped main body 37 which is a short cylindrical shape, and the main body 37 is made of fibrous or spherical alumina, silica or the like. A heat insulating material which also functions as an insulating material is used, and is integrally formed by the molding form of the foaming method.

또한, 단열 블럭(36) 및 본체(37)는 원통 형상의 내주 방향으로 복수개로 분할, 예컨대 원통 형상을 소정의 각도로 복수개로 분할한 상태로 성형하고, 그 후, 원통 형상으로 조립하도록 해도 좋다. In addition, the heat insulation block 36 and the main body 37 may be shape | molded in the state which divided into several in the cylindrical circumferential direction, for example, divided into several in the cylindrical shape at predetermined angle, and, after that, you may make it assemble into a cylindrical shape. .

이렇게 하면, 단열 블럭(36)에도 여유공간(움직기 쉬움)이 형성되기 때문에, 단열 블럭(36)에 응력이 가해졌다고 해도 깨지기 어렵게 된다. 바람직하게는, 4분할로 하면 사이즈적으로도 좋다.In this case, since a free space (easy movement) is formed also in the heat insulation block 36, even if a stress is applied to the heat insulation block 36, it will become hard to be broken. Preferably, it is also good in size if it is divided into four.

본체(37)의 하단부에는 결합수컷부(볼록부)(38)가 본체(37)의 내주 일부를 원형 링 형상으로 잘려진 상태로 형성되어 있다. 본체(37)의 상단부에는 결합 오 목부(오목부)(39)가 본체(37)의 외주의 일부를 원형 링 형상으로 잘려진 상태로 형성되어 있다. A coupling male part (convex part) 38 is formed at the lower end of the main body 37 in a state in which a part of the inner circumference of the main body 37 is cut into a circular ring shape. An engaging concave portion (concave portion) 39 is formed at the upper end of the main body 37 in a state in which a part of the outer circumference of the main body 37 is cut into a circular ring shape.

또한, 본체(37)의 상단의 내주측에는 내측 방향으로 돌출한 돌출부(37a)가 형성되어 있다. Further, a protruding portion 37a protruding inward is formed on the inner circumferential side of the upper end of the main body 37.

인접하는 상하의 단열블럭(36)의 돌출부(37a)의 사이에, 발열체를 부착하기 위한 부착홈(오목부)(40)이 측벽부(35)의 내주면을 원형 링형상으로 절결된 상태로 되도록, 일정깊이 일정높이로 형성되어 있다. 부착홈(40)은 각각의 단열블럭(36)에 대해 1개씩 형성되어 있으며, 1개의 닫힌 원형형상으로 되어있다. Between the protruding portions 37a of the adjacent upper and lower insulating blocks 36, the attachment grooves (concave portions) 40 for attaching the heating element are formed so that the inner circumferential surface of the side wall portion 35 is cut into a circular ring shape. It is formed to have a certain depth. The attachment grooves 40 are formed one by one for each insulating block 36, and have one closed circular shape.

부착홈(40)의 내주면에는 도 3(b)에 도시되어 있는 바와 같이, 발열체를 위치 결정 유지하기 위한 걸쇠형상의 유지기구(41)가 복수개, 둘레방향으로 대략 등간격으로 부착되어 있다. As shown in Fig. 3 (b), a plurality of clasp-shaped holding mechanisms 41 for positioning and holding the heating element are attached to the inner circumferential surface of the attachment groove 40 at substantially equal intervals in the circumferential direction.

부착홈(40)은 그 상하 방향의 폭이 원통 형상의 측벽부(35)의 외경 방향(원통의 중심과 반대 방향), 즉 홈 밑바닥(40a)에 가까이 감에 따라서 차차 좁아지도록 형성되어 있다. 즉, 부착홈(40)의 상하의 한 쌍의 측벽에는 테이퍼면(40b), (40c)이 형성되어 있고, 양 테이퍼면(40b), (40c) 사이의 거리는 홈 밑바닥(40a)에 가까이 갈수록 작아진다. The attachment groove 40 is formed such that its width is gradually narrowed as the width of the attachment groove 40 approaches the outer diameter direction (the direction opposite to the center of the cylinder) of the cylindrical side wall portion 35, that is, the groove bottom 40a. That is, tapered surfaces 40b and 40c are formed on a pair of upper and lower sidewalls of the attachment groove 40, and the distance between both tapered surfaces 40b and 40c becomes smaller as the groove bottom 40a gets closer. Lose.

또한, 다르게 말하면, 부착홈(40)의 수직 방향의 한 쌍의 측벽의 간격은, 측벽의 정상부(돌출부(37a)의 내주면 상)로부터 부착홈(40)의 바닥부(홈 밑바닥(40a)의 내주면 상)에 가까이 갈수록 점차 작아진다. In other words, the distance between the pair of side walls in the vertical direction of the attachment groove 40 is the bottom of the attachment groove 40 (on the bottom of the groove 40a) from the top of the side wall (on the inner circumferential surface of the protrusion 37a). The closer to the inner circumference), the smaller it becomes.

또한, 도 3(c)에 도시되어 있는 바와 같이, 테이퍼면(40b)은 부착홈(40)의 수직 방향의 한 쌍의 측벽 중 상측의 측벽에 형성되고, 부착홈(40)에 수납되어 있는 발열체(42)로부터 수직 방향 상측에 위치하여, 부착홈(40)의 원통 형상 반경 방향 중심측을 향해서 점차 수직 방향 상측으로 넓어지고 있다. In addition, as shown in FIG. 3C, the tapered surface 40b is formed on the upper sidewall of the pair of sidewalls in the vertical direction of the attachment groove 40 and is accommodated in the attachment groove 40. It is located above the heating element 42 in the vertical direction, and gradually widens upward in the vertical direction toward the cylindrical radial direction center side of the attachment groove 40.

또한, 테이퍼면(40c)은 부착홈(40)의 수직 방향의 한 쌍의 측벽 중 하측의 측벽에 형성되고, 부착홈(40)에 수납되어 있는 발열체(42)로부터 수직 방향 하측에 위치하여, 부착홈(40)의 원통 형상 반경 방향 중심측을 향해서 점차 수직 방향 하측으로 넓어지고 있다. Further, the tapered surface 40c is formed on the lower sidewall of the pair of sidewalls in the vertical direction of the attachment groove 40, and is located below the heating element 42 stored in the attachment groove 40 in the vertical direction. Toward the cylindrical radial direction center side of the attachment groove 40, it is gradually spreading downward in the vertical direction.

발열체(42)에는 Fe-Cr-Al 합금이나 MOSi2 및 SiC 등의 저항 발열 재료가 사용된다. 발열체(42)는 도 3(a)에 도시되어 있는 바와 같이, 물결형의 평판 형상을 하고 있다. 또한, 상측 물결부(42a)와 상측 간격(43a) 및 하측 물결부(42b)와 하측간격(43b)이 각각 교대로 형성되어 있다. 이들은 프레스 가공이나 레이저 절단 가공 등에 의해서 일체 성형된다. As the heat generating element 42, a resistive heat generating material such as Fe—Cr—Al alloy or MOSi 2 and SiC is used. The heat generating element 42 has a wavy flat plate shape, as shown in Fig. 3A. Further, the upper wave portion 42a, the upper gap 43a, and the lower wave portion 42b and the lower interval 43b are alternately formed. These are integrally formed by press working, laser cutting, or the like.

발열체(42)는 단열 블럭(36)의 내주를 따라, 원형 링 형상으로 마련되어 있다. 발열체(42)가 형성하는 원형 링 형상의 외경은 단열 블럭(36)의 부착홈(40)의 내경(내주면의 직경)보다 약간만 소경이다. The heating element 42 is provided in a circular ring shape along the inner circumference of the heat insulating block 36. The outer ring-shaped outer diameter formed by the heating element 42 is only slightly smaller than the inner diameter (diameter of the inner circumferential surface) of the attachment groove 40 of the heat insulating block 36.

또한, 발열체(42)가 형성하는 원형 링 형상의 내경은 단열 블럭(36)의 돌출부(37a)의 내경보다 약간만 대경이다. In addition, the inner diameter of the circular ring shape formed by the heating element 42 is only slightly larger than the inner diameter of the protrusion 37a of the heat insulating block 36.

이상 기술한 바와 같이, 원형 링형상을 한 발열체(42)의 원통부(51)가 형성된다. As described above, the cylindrical portion 51 of the heat generating element 42 having a circular ring shape is formed.

도 1∼도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 발열체(42)의 원통부(51)는 단열블럭(36)의 부착홈(40)마다 마련되어 있다. 그 상하단에는 인접하는 다른 발열체(42)의 원통부(51)가 격리되어 마련되어 있다.As shown in FIGS. 1-3, the cylindrical part 51 of the heat generating body 42 is provided for every attachment groove 40 of the heat insulation block 36. As shown in FIG. At the upper and lower ends, cylindrical portions 51 of adjacent other heat generating elements 42 are provided in isolation.

도 3(a), (b)에 도시되어 있는 바와 같이, 복수개의 유지 기구(41, 41)가 상측 간격(43a)의 하단으로부터 하측 간격(43b)의 상단에 걸치도록 각각 배치되고, 단열 블럭(36)에 삽입된다. 이와 같이 해서, 부착홈(40)의 내주면으로부터 떨어진 상태에서 발열체(42)는 유지되어 있다.As shown in Figs. 3A and 3B, a plurality of holding mechanisms 41 and 41 are disposed so as to extend from the lower end of the upper gap 43a to the upper end of the lower gap 43b, respectively, and the thermal insulation block It is inserted in 36. In this manner, the heating element 42 is held in a state away from the inner circumferential surface of the attachment groove 40.

도 2 및 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 발열체(42)의 원통부(51)의 양단부(44, 44)에는 한 쌍의 급전부(45), (46)가 원형 링 형상의 원주 방향과 직각이고 반경 방향 외향으로 각각 굴곡되어 형성되어 있다. 한 쌍의 급전부(45), (46)의 선단부에는 한 쌍의 접속부(47), (48)가 서로 역방향이 되도록, 급전부(45), (46)와 직각으로 각각 굴곡되어 형성되어 있다. As shown in Fig. 2 and Fig. 3, a pair of feed portions 45, 46 is provided at both ends 44, 44 of the cylindrical portion 51 of the heat generating element 42 in the circumferential direction of the circular ring shape. They are formed at right angles and bent in radial outward directions, respectively. The front end portions of the pair of feed sections 45 and 46 are bent at right angles to the feed sections 45 and 46 so that the pair of connecting sections 47 and 48 are opposite to each other. .

한 쌍의 급전부(45), (46)에 있어서의 발열량의 저하를 억제하기 위해, 한 쌍의 급전부(45), (46)의 간격은 작게 설정되어 있다. In order to suppress the fall of the heat generation amount in the pair of power supply parts 45 and 46, the space | interval of the pair of power supply parts 45 and 46 is set small.

바람직하게는 한 쌍의 급전부(45), (46)가 원형 링 형상의 원주 방향으로부터 반경 방향 외향의 직각으로 각각 굴곡되는 개소는, 발열체(42)의 상측 물결부(42a)의 최상부 부근 혹은 하측 물결부(42b)의 최하부 부근으로 하면 좋다. Preferably, the portions where the pair of feed portions 45 and 46 are bent at right angles in the radially outward direction from the circumferential direction of the circular ring shape are near the uppermost portion of the upper wave portion 42a of the heating element 42 or What is necessary is just to make it the lowest vicinity of the lower wave part 42b.

이렇게 하는 것에 의해, 발열체(42)를 한 쌍의 급전부(45), (46)에 더욱 간격없이 깔 수 있다.By doing in this way, the heat generating body 42 can be spread | discovered further on the pair of power supply parts 45 and 46 without space | interval.

한 쌍의 급전부(45), (46)의 위치에 대응하는 원통 형상의 단열 블럭(36)에 는 한 쌍의 삽입통과홈(49), (50)이 각각 형성되어 있다. 양 삽입통과홈(49), (50)은 부착홈(40)측으로부터 원통 형상의 직경 방향으로 본체(37)의 외주측에 걸쳐 도달하도록 형성된다. 양 급전부(45), (46)가 양 삽입통과홈(49), (50)에 각각 삽입통과되어 있다.A pair of insertion through grooves 49 and 50 are formed in the cylindrical insulating block 36 corresponding to the positions of the pair of feed sections 45 and 46, respectively. Both insertion through grooves 49 and 50 are formed to reach from the attachment groove 40 side to the outer circumferential side of the main body 37 in the radial direction of the cylindrical shape. Both feed sections 45 and 46 are inserted through the insertion slots 49 and 50, respectively.

또한, 삽입통과홈(49), (50)은 양 급전부(45), (46)가 삽입통과되기 전에는, 양 삽입통과홈(49), (50)의 사이도 포함시켜, 양 삽입통과홈(49), (50)이 하나의 삽입통과홈으로 되도록 형성해 두고, 양 급전부(45), (46)를 삽입통과한 후에, 양 급전부(45), (46) 사이에 섬유 형상 또는 구 형상의 알루미나나 실리카 등의 절연재로서도 기능하는 단열재를 매립함으로써, 단열벽체(33) 및 삽입통과홈(49), (50)을 형성해도 좋다.In addition, the insertion through grooves 49 and 50 include the space between the insertion grooves 49 and 50 before the feed portions 45 and 46 are inserted. (49) and (50) are formed so as to be one insertion through groove, and after inserting both feed portions 45 and 46, a fibrous or spherical shape is formed between the feed portions 45 and 46. The heat insulating material 33 and the insertion through grooves 49 and 50 may be formed by embedding a heat insulating material which also functions as an insulating material such as alumina or silica having a shape.

본체(37)의 외주면에 있어서의 양 삽입통과홈(49), (50)의 부분에는 애자(이하, 외측애자라고 함, 52)가 마련되어 있다. Insulators (hereinafter referred to as outer insulators) 52 are provided in the portions of the both insertion through grooves 49 and 50 on the outer circumferential surface of the main body 37.

외측애자(52)는 알루미나나 실리카 등의 내수성을 갖는 절연재로서의 세라믹이 사용되고, 소결법 등의 적당한 제법에 의해, 단열 블럭(36)보다 경도, 구부림 강도 및 밀도를 높게 할 수 있다. 예를 들면, 외측애자(52)는 단열 블럭(36)보다 알루미나 성분의 함유율을 높게 함으로써 경도, 구부림 강도, 밀도를 높게 할 수 있다.As the outer insulator 52, a ceramic as an insulating material having water resistance such as alumina or silica is used, and the hardness, bending strength and density can be made higher than that of the insulating block 36 by a suitable manufacturing method such as sintering method. For example, the outer insulator 52 can increase the hardness, the bending strength, and the density by making the content of the alumina component higher than that of the insulating block 36.

도 4(a)에 도시되어 있는 바와 같이, 외측애자(52)는 대략 정방형이며, 단열 블럭(36)의 외주면의 곡면에 대응하도록 약간의 곡면 R1을 갖는 평반 형상으로 일체 성형되어 있고, 본체(37)의 외주면에 고정되어 있다.As shown in Fig. 4A, the outer insulator 52 is substantially square, integrally molded into a flat plate shape having a slight curved surface R1 so as to correspond to the curved surface of the outer circumferential surface of the insulating block 36, and the main body ( It is fixed to the outer peripheral surface of 37).

외측애자(52)는 적어도 단열 블럭(36)과 동등 이상의 경도, 동등 이상의 구부림 강도 및 동등 이상의 밀도를 구비하고 있다.The outer insulator 52 has at least equivalent hardness, equivalent or greater bending strength, and equivalent or greater density to the insulating block 36.

또, 바람직하게는 외측애자(52)의 경도를 단열 블럭(36)의 경도보다도 높게 하면, 효과적으로 발열체(42)의 날뜀을 억지할 수 있다.In addition, preferably, if the hardness of the outer insulator 52 is made higher than the hardness of the heat insulating block 36, it is possible to effectively prevent the heating element 42 from jumping.

또한, 바람직하게는 외측애자(52)의 구부림 강도 및/또는 밀도를 단열 블럭(36)의 구부림 강도 및/또는 밀도보다 높게 하면, 효과적으로 발열체(42)의 날뜀을 억지할 수 있다.In addition, preferably, when the bending strength and / or density of the outer insulator 52 is higher than the bending strength and / or density of the insulating block 36, the jumping of the heating element 42 can be effectively prevented.

외측애자(52)의 상부에는 한 쌍의 급전부를 삽입통과하기 위한 삽입통과부로서의 한 쌍의 유지홈(53), (54)이 각각 형성되어 있다. 양 유지홈(53), (54)의 위치는 양 삽입통과홈(49), (50)의 위치에 대응시키고, 대략 동일 위치가 되도록 하고 있다. 양 유지홈(53), (54)에는 양 삽입통과홈(49), (50)에 삽입통과된 양 급전부(45), (46)가 각각 삽입통과되어 유지되어 있다.On the upper side of the outer insulator 52, a pair of retaining grooves 53 and 54 are formed as insertion inserting portions for inserting a pair of feed sections. The positions of the two holding grooves 53 and 54 correspond to the positions of the two insertion through grooves 49 and 50, and are made to be substantially the same position. In both retaining grooves 53 and 54, both feed passages 45 and 46 inserted through the insertion grooves 49 and 50 are inserted and held, respectively.

바람직하게는 도 4(a)에 도시되어 있는 바와 같이, 유지홈(53), (54)은 외측애자(52)의 최상부에 이를 때까지 절결되도록 형성하면 좋다. 한 쌍의 급전부를 설치한 후에, 외측애자(52)를 부착하거나, 교환하는 것이 가능해지기 때문이다. 단, 유지홈(53), (54)은 외측애자(52)의 최상부까지 잘라내지 않고 구멍 형상으로 형성할 수도 있다.Preferably, as shown in Figure 4 (a), the retaining grooves 53, 54 may be formed so as to be cut until the top of the outer insulator 52. This is because after the pair of feed sections are provided, the outer insulator 52 can be attached or replaced. However, the holding grooves 53 and 54 can also be formed in a hole shape without cutting out to the top of the outer insulator 52.

외측애자(52)의 양 유지홈(53), (54)은 발열체(42)의 급전부(45), (46)를 유지하는 것에 의해, 발열체(42)의 날뜀을 억제할 수 있다. 양 유지홈(53), (54)의 간격은 본체(37)의 양 삽입통과홈(49), (50)의 간격에 대응시키고, 동일한 간격으 로 하고 있다.The holding grooves 53 and 54 of the outer insulator 52 hold the feed portions 45 and 46 of the heat generating element 42, thereby suppressing the skipping of the heat generating element 42. The space | interval of both holding grooves 53 and 54 corresponds to the space | interval of both insertion groove | channel 49 and 50 of the main body 37, and is made the same space | interval.

여기서, 발열체(42)의 날뜀이라는 것은 발열체(42)에 급전하는 것에 의해 발열체(42)가 열팽창을 일으키거나, 급전을 중지하는 것에 의해 열수축을 일으키거나 해서, 본래 배치되어 있는 위치로부터 어긋나거나, 이동하거나, 비틀리도록 움직이는 현상의 것을 말한다.Here, the skipping of the heating element 42 means that the heating element 42 causes thermal expansion by feeding the heating element 42 or thermal contraction by stopping the feeding, and shifts from the originally arranged position, It refers to a phenomenon of moving or twisting.

부착홈(40)의 내주면에 있어서의 양 삽입통과홈(49), (50)에 대응하는 부위에는 애자(이하, 내측 애자라고 함, 55)가 맞닿아 고정되어 있다. Insulators (hereinafter referred to as inner insulators) 55 abut against and are fixed to portions corresponding to both insertion through grooves 49 and 50 on the inner circumferential surface of the attachment groove 40.

내측 애자(55)는 알루미나나 실리카 등의 내열성을 갖는 절연재로서의 세라믹이 사용되며, 소결법 등의 적당한 제법에 의해, 단열 블럭(36)보다도 경도, 구부림 강도 및 밀도를 높게 할 수 있다.The inner insulator 55 is made of a ceramic as an insulating material having heat resistance such as alumina or silica, and can be made to have higher hardness, bending strength and density than the insulating block 36 by a suitable manufacturing method such as sintering method.

예컨대, 내측 애자(55)는 단열 블럭(36)보다 알루미나의 성분의 함유율을 높게 함으로써, 경도, 구부림 강도, 밀도를 높게 할 수 있다.For example, the inner insulator 55 can make hardness, bending strength, and density high by making content of an alumina component higher than the heat insulation block 36. As shown in FIG.

도 4(b)에 도시되어 있는 바와 같이 내측 애자(55)는 대략 정방형으로서, 단열 블럭(36)의 부착홈(40)의 내주면의 곡면에 대응하도록 약간의 곡면 R2를 갖는 평반 형상으로 일체 성형되어 있다.As shown in Fig. 4 (b), the inner insulator 55 is substantially square and integrally formed into a flat plate shape having a slight curved surface R2 so as to correspond to the curved surface of the inner circumferential surface of the attachment groove 40 of the insulating block 36. It is.

내측 애자(55)는 적어도 단열 블럭(36)과 동등 이상의 경도가 구비되어 있다. The inner insulator 55 is provided with at least the hardness equivalent to the heat insulation block 36 at least.

또한, 바람직하게는, 내측 애자(55)의 경도를 단열 블럭(36)의 경도보다 높게 하면, 효과적으로 발열체(42)의 날뜀을 억지할 수 있다.In addition, preferably, if the hardness of the inner insulator 55 is higher than the hardness of the heat insulation block 36, it is possible to effectively prevent the heating of the heating element 42.

또한, 바람직하게는 내측 애자(55)의 구부림 강도 및/또는 밀도를 단열 블 럭(36)의 구부림 강도 및/또는 밀도보다 높게 하면, 효과적으로 발열체(42)의 날뜀을 억지할 수 있다.In addition, if the bending strength and / or density of the inner insulator 55 is higher than the bending strength and / or density of the thermal insulation block 36, it is possible to effectively prevent the heating of the heating element 42.

내측 애자(55)의 상부에는 한 쌍의 급전부를 삽입통과하기 위한 삽입통과부로서의 한 쌍의 유지홈(56), (57)이 각각 형성되어 있다. 양 유지홈(56), (57)의 위치는 양 삽입통과홈(49), (50)의 위치에 대응시키고, 대략 동일위치가 되도록 하고 있다. 양 유지홈(56), (57)에는 양 삽입통과홈(49), (50)에 삽입통과된 양 급전부(45), (46)가 각각 삽입통과되어 유지되어 있다.On the upper portion of the inner insulator 55, a pair of retaining grooves 56, 57 are formed, respectively, as insertion passage portions for inserting a pair of feed sections. The positions of the two retaining grooves 56 and 57 correspond to the positions of the both insertion through grooves 49 and 50, and are made to be substantially the same position. In both holding grooves 56 and 57, both feed passage portions 45 and 46 inserted through the insertion grooves 49 and 50 are inserted and held, respectively.

바람직하게는, 도 4(b)에 도시되어 있는 바와 같이, 유지홈(56), (57)은 내측 애자(55)의 최상부에 이를 때까지 절결되도록 형성하면 좋다. 한 쌍의 급전부(45), (46)를 설치한 후에 내측 애자(55)를 부착하거나, 교환하는 것이 가능해지기 때문이다. 단, 유지홈(56), (57)은 내측 애자(55)의 최상부까지 잘라내지 않고 구멍 형상으로 형성할 수도 있다.Preferably, as shown in Figure 4 (b), the retaining grooves 56, 57 may be formed so as to be cut to the top of the inner insulator 55. This is because the inner insulator 55 can be attached or replaced after the pair of feed sections 45 and 46 are provided. However, the holding grooves 56 and 57 can also be formed in a hole shape without cutting out to the top of the inner insulator 55.

내측 애자(55)의 양 유지홈(56), (57)은 발열체(42)의 급전부(45), (46)를 유지하는 것에 의해 발열체(42)의 날뜀을 억제할 수 있다. 양 유지홈(56), (57)의 간격은 본체(37)의 삽입통과홈(49), (50)에 대응시키며, 동일한 간격으로 하고 있다.Both holding grooves 56 and 57 of the inner insulator 55 can suppress the heating of the heating element 42 by holding the power feeding portions 45 and 46 of the heating element 42. The space | interval of both holding | maintenance groove | channels 56 and 57 corresponds to the insertion through groove | channel 49 and 50 of the main body 37, and is made the same space | interval.

내측 애자(55)의 내측 단면(단열 블럭(36)과 반대측의 단면 즉 발열체(42)의 원통부(51)측의 단면)에는 양 유지홈(56), (57)의 사이에, 발열체(42)의 한 쌍의 급전부(45), (46) 및 원통부(51)를 떼어놓는 격벽부(58)가 마련되어 있다. 격벽부(58)는 부착홈(40)의 내주면에 맞닿아 고정시켰을 때에 적어도 발열체(42)의 원 통부(51)의 내주면 상의 위치까지 마련되는 두께(t)로 되어 있다.An inner end face of the inner insulator 55 (an end face opposite to the heat insulation block 36, that is, an end face of the cylindrical portion 51 side of the heat generating element 42) is formed between the holding grooves 56 and 57. The partition wall part 58 which isolate | separates the pair of power supply parts 45, 46, and the cylindrical part 51 of 42 is provided. The partition wall portion 58 has a thickness t provided at least up to a position on the inner circumferential surface of the cylindrical portion 51 of the heat generating element 42 when the partition wall 58 abuts against and fixes the inner circumferential surface of the attachment groove 40.

바람직하게는 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 격벽부(58)는 부착홈(40)의 내주면에 접하도록 마련하여 고정시켰을 때에, 발열체(42)의 원통부(51)의 내주면 상을 넘어서 원통부(51)의 내측까지 마련되는 두께(t)로 하면 좋다. 이와 같이 하는 것에 의해, 효과적으로 발열체(42)의 한 쌍의 급전부(45), (46) 및 원통부(51)를 떼어놓을 수 있다.Preferably, as shown in FIG. 2, when the partition wall 58 is provided to be in contact with the inner circumferential surface of the attachment groove 40 and fixed, the partition wall 58 extends over the inner circumferential surface of the cylindrical portion 51 of the heating element 42. What is necessary is just to set it as the thickness t provided to the inner side of the part 51. By doing in this way, the pair of power supply parts 45, 46, and the cylindrical part 51 of the heat generating body 42 can be separated effectively.

또한, 격벽부(58)의 높이(h)는 부착홈(40)의 내주면에 맞닿아 고정했을 때에, 적어도 발열체(42)의 판 폭과 동등 이상의 값 내지 치수(h)로 되어 있다. 또한, 발열체(42)의 한 쌍의 급전부(45), (46)를 떼어놓도록 한 쌍의 급전부(45), (46)를 동일 높이의 위치에 설치할 수 있도록, 양 유지홈(56), (57)과 동일한 높이 위치에 마련되어 있다.In addition, when the height h of the partition 58 is in contact with and fixed to the inner circumferential surface of the attachment groove 40, at least the height h is equal to or larger than the plate width of the heat generating element 42. In addition, both holding grooves 56 allow the pair of feed portions 45 and 46 to be disposed at the same height so as to separate the pair of feed portions 45 and 46 of the heating element 42. ) Are provided at the same height position as (57).

바람직하게는 격벽부(58)의 높이(h)는 도 3(a)에 도시되는 바와 같이, 부착홈(40)의 내주면에 접하도록 마련해서 고정했을 때에, 발열체(42)의 원통부(51)의 상측 물결부(42a)의 최상부의 높이와 하측 물결부(42b)의 최하부의 높이와의 사이의 값(h1)보다 크게 하면 좋다. 이와 같이 하는 것에 의해, 한 쌍의 급전부(45), (46) 및 원통부(51)를 효과적으로 떼어놓을 수 있다.Preferably, the height h of the partition wall portion 58 is the cylindrical portion 51 of the heating element 42 when the height h of the partition wall portion 58 is provided and fixed to contact the inner circumferential surface of the attachment groove 40. What is necessary is just to make it larger than the value h1 between the height of the uppermost part of the upper side wavy part 42a, and the height of the lowest part of the lower side wavy part 42b. By doing in this way, the pair of power supply parts 45, 46, and the cylindrical part 51 can be separated effectively.

격벽부(58)는 내측 애자(55)의 내측 단면으로부터 양측에 구부림부 R3을 형성시켜 마련되어 있다. 이 구부림부 R3이 마련되는 것에 의해, 내측 애자(55)를 쉽게 성형할 수 있음과 동시에, 내측 애자(55)의 강도가 증가하여, 발열체(42)의 원통부(51)가 팽창하고, 신장하며, 격벽부(58)와 접촉해도 내측 애자(55)가 잘 깨 지지 않게 된다.The partition 58 is formed by forming bent portions R3 on both sides from an inner end face of the inner insulator 55. By providing the bent portion R3, the inner insulator 55 can be easily formed, the strength of the inner insulator 55 increases, and the cylindrical portion 51 of the heating element 42 expands and extends. In addition, the inner insulator 55 is hardly broken even when the partition wall 58 is in contact with the partition wall 58.

또, 구부림부 R3은 곡면 형상으로 할 뿐만 아니라, 평탄면으로 이루어지는 테이퍼 형상으로 해도 좋다.In addition, the bent portion R3 may be not only curved, but also tapered.

도 2 및 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 상단측의 발열체(42)의 한쪽의 접속부(이하, 플러스측 접속부라 함, 47)에는 급전단자(61)가 용접되어 있고, 다른 쪽의 접속부(이하, 마이너스측 접속부라 함, 48)에는 브리지선(62)의 상단부가 용접되어 있다. 브리지선(62)의 하단부는 하단측의 발열체(42)의 플러스측 접속부(47)에 접속되어 있다.2 and 3, a feed terminal 61 is welded to one connection portion (hereinafter referred to as a positive side connection portion 47) of the heating element 42 on the upper end side, and the other connection portion ( Hereinafter, the upper end of the bridge wire 62 is welded to the negative side connection part 48. The lower end part of the bridge wire 62 is connected to the positive side connection part 47 of the heat generating body 42 of the lower end side.

따라서, 하단측의 발열체(42)의 플러스측 접속부(47)는 상단측의 발열체(42)의 마이너스측 접속부(48)의 바로 아래 부근에 위치하고 있으며, 그만큼 하단측의 발열체(42)의 원통부(51)의 양단부(44, 44)는 상단측의 발열체(42)의 원통부(51)의 양단부(44, 44)보다도 둘레방향으로 어긋난 상태로 되어 있다.Therefore, the positive side connecting portion 47 of the heat generating element 42 on the lower end side is located just below the negative side connecting portion 48 of the heat generating element 42 on the upper end, and the cylindrical portion of the heat generating element 42 on the lower side as much. Both ends 44 and 44 of 51 are shifted in the circumferential direction than the both ends 44 and 44 of the cylindrical part 51 of the heat generating body 42 of the upper end side.

브리지선(62)은 이 브리지선(62)의 표면으로부터의 방열을 작게 억제하기 위해서, Fe-Cr-A1합금이나 MOSi2 및 SiC 등의 저항 발열 재료가 사용되고, 단면이 원형인 둥근 봉 형상으로 형성되어 있다. 단, 브리지선의 전류 용량의 사정에 따라서는 브리지선(62)은 단면이 사각형인 각진 봉 형상으로 형성해도 좋다.The bridge wire 62 is made of a resistive heating material such as Fe-Cr-A1 alloy or MOSi 2 and SiC in order to reduce heat radiation from the surface of the bridge wire 62 in a small round rod shape. Formed. However, depending on the current capacity of the bridge wire, the bridge wire 62 may be formed in an angled rod shape having a rectangular cross section.

도 2 및 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 히터유닛(30)의 케이스(31)의 외주면에 있어서의 급전 단자(61)의 설치 장소에 대응하는 위치에는, 양 접속부(47), (48)나 브리지선(62)을 피복하는 단자 케이스(63)가 씌워져 있고, 단자 케이스(63) 의 내부에는 유리 울 등의 단열재(64)가 충전되어 있다. 단자 케이스(63)에는 복수개의 급전 단자(61)가 절연 애자(65)를 거쳐서 삽입되어 있다.As shown in FIG.2 and FIG.5, both connection parts 47 and 48 are located in the position corresponding to the installation place of the feed terminal 61 in the outer peripheral surface of the case 31 of the heater unit 30. As shown in FIG. The terminal case 63 covering the bridge wire 62 is covered, and a heat insulating material 64 such as glass wool is filled in the terminal case 63. The plurality of power supply terminals 61 are inserted into the terminal case 63 via the insulator 65.

다음에, 상기 구성에 관한 CVD장치에 의한 IC 등의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 성막 공정을 간단하게 설명한다.Next, the film formation process in the manufacturing method of semiconductor devices, such as IC by the CVD apparatus concerning the said structure, is demonstrated easily.

도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 복수매의 웨이퍼(1)가 보트(22)에 장전(웨이퍼 차지)되면, 복수매의 웨이퍼(1)를 유지한 보트(22)는 보트 엘레베이터(21)에 의해서 들어 올려져 처리실(14)로 반입(보트로딩)된다. As shown in FIG. 1, when the plurality of wafers 1 are loaded (wafer charged) into the boat 22, the boat 22 holding the plurality of wafers 1 is transferred to the boat elevator 21. Is lifted up and brought into the processing chamber 14 (boat loading).

이 상태에서, 밀봉캡(20)은 매니폴드(16)의 하단 개구를 밀봉한 상태가 된다.In this state, the sealing cap 20 is in a state of sealing the lower end opening of the manifold 16.

프로세스튜브(11)의 내부가 소정의 압력(진공도)이 되도록 배기관(17)을 거쳐서 진공 배기된다.The inside of the process tube 11 is evacuated through the exhaust pipe 17 so as to have a predetermined pressure (vacuum degree).

또한, 프로세스튜브(11)의 내부가 소정의 온도가 되도록 히터 유닛(30)에 의해서 가열된다. 이 때, 처리실(14) 내가 소정의 온도 분포로 되도록, 온도 센서(24)가 검출한 온도 정보에 의거하여 히터 유닛(30)의 발열체(42)로의 통전 상태가 피드백 제어된다.In addition, the inside of the process tube 11 is heated by the heater unit 30 to a predetermined temperature. At this time, the electricity supply state of the heater unit 30 to the heat generating element 42 is feedback-controlled based on the temperature information detected by the temperature sensor 24 so that the process chamber 14 may become predetermined temperature distribution.

계속해서, 보트(22)가 회전 기구(25)에 의해서 회전되는 것에 의해, 웨이퍼(1)가 회전된다. Subsequently, the wafer 1 is rotated by the boat 22 being rotated by the rotating mechanism 25.

다음에, 소정의 유량으로 제어된 원료가스가 처리실(14) 내로 가스 도입관(23)을 통해서 도입된다. Next, the source gas controlled at a predetermined flow rate is introduced into the processing chamber 14 through the gas introduction pipe 23.

도입된 원료 가스는 처리실(14) 내를 상승하고, 내부튜브(13)의 상단 개구로 부터 배기로(18)로 유출하여 배기관(17)으로부터 배기된다. The introduced source gas rises in the processing chamber 14, flows out of the upper end of the inner tube 13 into the exhaust path 18, and is exhausted from the exhaust pipe 17.

원료 가스는 처리실(14) 내를 통과할 때에 웨이퍼(1)의 표면과 접촉하고, 이 때, 열CVD 반응에 의해서 웨이퍼(1)의 표면 상에 박막이 퇴적(데포지션)된다.The source gas is in contact with the surface of the wafer 1 when passing through the process chamber 14, and at this time, a thin film is deposited (deposition) on the surface of the wafer 1 by the thermal CVD reaction.

미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 불활성가스 공급원(도시하지 않음)으로부터 불활성 가스가 공급되고, 처리실(14) 내가 불활성 가스로 치환됨과 동시에, 처리실(14) 내의 압력이 상압으로 복귀된다.When a predetermined processing time elapses, an inert gas is supplied from an inert gas supply source (not shown), the process chamber 14 is replaced with an inert gas, and the pressure in the process chamber 14 is returned to normal pressure.

그 후, 보트 엘레베이터(21)에 의해 밀봉캡(20)이 하강되고, 매니폴드(16)의 하단이 개구됨과 동시에, 처리 완료의 웨이퍼(1)가 보트(22)에 유지된 상태에서, 매니폴드(16)의 하단으로부터 프로세스튜브(11)의 외부로 반출(보트언로딩)된다. Thereafter, the sealing cap 20 is lowered by the boat elevator 21, the lower end of the manifold 16 is opened, and the manifold is maintained in the boat 22 while the wafer 1 being processed is held in the boat 22. It is carried out (bottom unloaded) out of the process tube 11 from the lower end of the fold 16.

그후, 처리 완료의 웨이퍼(1)는 보트(22)로부터 꺼내진다(웨이퍼 디스챠지).Thereafter, the processed wafer 1 is taken out of the boat 22 (wafer discharge).

그런데, 히터유닛(30)의 발열체(42)는 온도가 상승하면, 열팽창에 의해서 신장하기 때문에, 전체적으로 원형 링 형상의 발열체(42)의 원통부(51)는 직경이 커진다. 발열체(42)의 직경이 커지면, 발열체(42)는 유지 기구(41)에 의해 단열벽체(33)의 중심 방향으로의 이동만이 규제되어 있기 때문에, 발열체(42)는 부착홈(40) 내에서 반경 방향 외향으로 움직이는 상태가 된다. By the way, since the heat generating body 42 of the heater unit 30 expands by thermal expansion when temperature rises, the cylindrical part 51 of the circular ring-shaped heat generating body 42 becomes large in diameter. When the diameter of the heat generating element 42 becomes large, since the heat generating element 42 is restricted only to the center direction of the heat insulation wall 33 by the holding mechanism 41, the heat generating element 42 is formed in the attachment groove 40. Is moving radially outward.

예컨대, 도 6(a)에 도시되어 있는 바와 같이, 상하의 측벽이 서로 평행하게 형성된 부착홈(40’)의 경우에는, 부착홈(40’) 내에서 반경 방향 외향으로 움직일 때에, 발열체(42)가 부착홈(40’)의 측벽면에 걸려버려, 걸린 부위가 고정단처럼 작용함으로써 발열체가 변형해 버릴 가능성이 있다. For example, as shown in Fig. 6A, in the case of the attachment groove 40 'where the upper and lower side walls are formed in parallel with each other, the heating element 42 moves radially outward in the attachment groove 40'. Is caught by the side wall surface of the attachment groove 40 ', and a part which acts like a fixed end may deform a heating element.

또한, 마찬가지로, 발열체가 열팽창 시에 부착홈(40’)의 측벽면에 걸려 그 걸린 상태대로, 발열체(42)가 온도 하강하여 수축하면, 해당 걸린 부위가 고정단처럼 작용함으로써, 발열체(42)가 변형해 버린다. 이러한 변형이 축적한 경우나 변형이 큰 경우에는, 발열체(42)가 단선될 가능성이 있다. 또한, 열팽창에 의해 상측 물결부(42a)는 상측에 하측 물결부(42b)는, 하측에 각각 신장하기 때문에 부착홈(40)의 양측벽과 발열체(42)와의 거리는 좁아지므로 상술의 문제는 더욱 현저해 진다. Similarly, when the heating element catches on the side wall surface of the attachment groove 40 'at the time of thermal expansion, and the heating element 42 decreases in temperature as it is caught, the corresponding portion acts as a fixed end, thereby generating the heating element 42. Will transform. When such deformation accumulates or the deformation is large, there is a possibility that the heating element 42 is disconnected. In addition, since the upper wave portion 42a extends upward and the lower wave portion 42b extends downward due to thermal expansion, the distance between both side walls of the attachment groove 40 and the heating element 42 becomes narrower. Becomes remarkable.

그러나, 본 실시예에 있어서는, 부착홈(40)의 양측벽에는 테이퍼면(40b), (40c)이 형성되어 있기 때문에, 도 6(b)에 도시되어 있는 바와 같이, 부착홈(40) 내에 있어 반경 방향 외향으로 움직일 때에, 발열체(42)가 부착홈(40)의 측벽면에 걸려 버리는 것을 방지할 수 있다. 또한, 발열체(42)가 열팽창 시에 한쪽의 측벽측에 어긋났다고 해도, 테이퍼면에 발열체(42)가 미끄러져, 소정의 상하 위치에 둘 수 있다. However, in this embodiment, since the tapered surfaces 40b and 40c are formed in both side walls of the attachment groove 40, as shown in FIG. 6 (b), in the attachment groove 40, as shown in FIG. Therefore, when moving radially outward, the heating element 42 can be prevented from being caught by the side wall surface of the attachment groove 40. Moreover, even if the heat generating body 42 has shifted to one side wall side at the time of thermal expansion, the heat generating body 42 may slide on a taper surface, and it may be placed in a predetermined up-down position.

따라서, 발열체(42)가 온도 하강하여 수축해도, 발열체(42)는 부착홈(40) 내에서 반경 방향 내향으로 움직여 본래의 위치로 되돌아간다. 즉, 발열체(42)의 열팽창 및 열수축에 동반하는 변형, 열화, 단선은 미연에 방지할 수 있다.Therefore, even if the heating element 42 shrinks due to the temperature drop, the heating element 42 moves radially inward in the attachment groove 40 to return to the original position. That is, deformation, deterioration, and disconnection accompanying thermal expansion and thermal contraction of the heating element 42 can be prevented in advance.

또한, 바람직하게는, 부착홈(40)의 홈 밑바닥(40a)의 수직 방향(상하 방향)의 폭은, 적어도 발열체(42a)의 원통부(5l)의 상측 물결부(42a)의 최상부의 높이와 하측 파(42b)의 최하부의 높이와의 사이의 값(hl)보다 큰 폭으로 하면 좋다. 이렇게 하는 것에 의해, 부착홈(40)의 홈 밑바닥(40a)까지 발열체(42)는 측벽면에 걸려 버리는 일 없이 열팽창 할 수 있다. Preferably, the width in the vertical direction (up and down direction) of the groove bottom 40a of the attachment groove 40 is at least the height of the uppermost part of the upper wave portion 42a of the cylindrical portion 5l of the heating element 42a. And the width larger than the value hl between the height of the lower wave 42b and the lowermost part of the lower wave 42b. By doing in this way, the heat generating body 42 can thermally expand to the groove bottom 40a of the attachment groove 40, without being caught by the side wall surface.

상기 실시예에 의하면, 다음의 효과를 얻을 수 있다. According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

l) 발열체가 부착되는 부착홈의 측벽을, 측벽간의 거리가 홈 밑바닥에 가까이 갈수록 작아지도록 경사시키는 것에 의해, 열팽창에 따라 발열체가 부착홈 내에 있어서 반경 방향 외향으로 움직일 때에, 발열체가 부착홈의 측벽면에 걸려 버리는 것을 방지할 수 있다. 이 결과, 발열체가 온도 하강하여 수축해도, 발열체는 부착홈 내에 있어서 반경 방향 내향으로 움직여 본래의 위치로 되돌아갈 수 있다. l) By inclining the side wall of the attachment groove to which the heating element is attached such that the distance between the side walls becomes smaller as the distance between the side walls becomes closer to the bottom of the groove, when the heating element moves radially outward in the attachment groove due to thermal expansion, It can prevent you from hanging on the wall. As a result, even if the heating element shrinks due to the temperature drop, the heating element can move radially inward in the attachment groove to return to the original position.

2) 발열체의 열팽창 및 열수축에 따르는 발열체의 변형이나 응력 부하를 방지하는 것에 의해, 발열체의 열팽창 및 열수축에 따라 발생하는 발열체의 열화나 단선을 미연에 방지할 수 있기 때문에, 발열체의 수명을 연장할 수 있다. 2) By preventing deformation or stress load of the heating element due to thermal expansion and thermal contraction of the heating element, deterioration or disconnection of the heating element generated by thermal expansion and thermal contraction of the heating element can be prevented in advance, thereby extending the life of the heating element. Can be.

3) 발열체의 열팽창 및 열수축에 따르는 발열체의 상하 방향(수직 방향)의 움직임을 소망하는 범위로 하는 것에 의해, 프로세스튜브 내의 보트에 상하 방향(수직 방향)으로 깔린 웨이퍼를 가열할 때의 상하 방향의 웨이퍼간의 온도가 발열체의 상하 방향으로의 이동에 의해, 웨이퍼로의 온도 분포를 열화시키거나, 적정한 온도 분포로 하도록 재조정할 필요가 발생하거나 하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 히터 유닛, 나아가서는 CVD 장치의 성능을 향상시킬 수 있다. 3) Up and down direction when heating the wafer spread in the up and down direction (vertical direction) to the boat in the process tube by setting the desired range of the vertical direction (vertical direction) movement of the heating element due to thermal expansion and thermal contraction of the heating element. Since the temperature between the wafers can be prevented from deteriorating the temperature distribution to the wafer or the need for readjustment to the proper temperature distribution due to the movement of the heating element in the vertical direction, the heater unit and the CVD apparatus Can improve the performance.

또, 본 발명은 상기 실시예의 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능한 것은 말할 필요도 없다. In addition, this invention is not limited to the form of the said Example, Needless to say that various changes are possible in the range which does not deviate from the summary.

예컨대, 단열벽체는 복수개의 단열 블럭을 수직 방향으로 적층하여 일체의 원통체로 구축하여 구성하는 것에 한하지 않고, 일체적으로 성형해도 좋다. For example, the heat insulating wall is not limited to a plurality of heat insulating blocks stacked in a vertical direction to form an integral cylindrical body, and may be formed integrally.

외측 애자 및 내측 애자는 상기 실시예의 것을 사용하는 것에 한하지 않고, 생략하더라도 좋다. The outer insulator and the inner insulator are not limited to those of the above embodiment, and may be omitted.

본 발명에 관한 단열벽체는, CVD 장치의 히터 유닛에 있어서의 발열체의 유지 구조체에 적용하는 것에 한하지 않고, 산화막 형성 장치나 확산 장치 및 풀림 장치의 히터 유닛 등의 가열 장치의 단열벽체 전반에 적용할 수 있다. The heat insulating wall according to the present invention is not limited to being applied to the holding structure of the heating element in the heater unit of the CVD apparatus, but is applied to the whole heat insulating wall of the heating apparatus such as the oxide film forming apparatus, the diffusion apparatus, and the heater unit of the annealing apparatus. can do.

더욱이, 본 발명에 관한 기판 처리 장치는, CVD 장치에 적용하는 것에 한하지 않고, 산화막 형성 장치나 확산 장치 및 풀림 장치 등의 기판 처리 장치 전반에 적용할 수 있다. Furthermore, the substrate processing apparatus according to the present invention can be applied not only to a CVD apparatus but also to a substrate processing apparatus such as an oxide film forming apparatus, a diffusion apparatus, and an unwinding apparatus.

본 발명에 의하면, 열팽창 시에, 발열체가 부착홈 내에 있어서 반경 방향 외향으로 움직여도, 발열체가 부착홈의 측벽면에 걸리는 것을 방지할 수 있기 때문에, 열수축 시에는, 발열체는 부착홈 내에 있어서 반경 방향 내향으로 움직여 본래의 위치로 되돌아갈 수 있다.According to the present invention, since the heating element can be prevented from being caught by the side wall surface of the attachment groove even when the heating element moves radially outward in the attachment groove during thermal expansion, the heating element is radially inward in the attachment groove at the time of thermal contraction. To return to its original position.

Claims (15)

기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서,As a cylindrical heat insulation wall of the heating apparatus used for a substrate processing apparatus, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖고,It has an attachment groove for accommodating a flat heating element along the cylindrical inner peripheral surface, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 홈 밑바닥에 가까이 감에 따라서 작아지도록 형성되어 있는The gap between the pair of sidewalls forming the attachment grooves is formed to become smaller as the grooves approach the bottom of the grooves. 단열벽체.Insulation Wall. 삭제delete 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, As a cylindrical heat insulation wall of the heating apparatus used for a substrate processing apparatus, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착 홈을 갖고,It has an attachment groove for accommodating a flat heating element along the cylindrical inner peripheral surface, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 상기 부착홈의 밑바닥으로부터 상기 원통 형상의 반경 방향 중심측을 향해서 점차 커지도록 형성되어 있는The space | interval of a pair of side wall which forms the said attachment groove is formed so that it may become gradually larger toward the radial center side of the said cylindrical shape from the bottom of the said attachment groove. 단열벽체.Insulation Wall. 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서,As a cylindrical heat insulation wall of the heating apparatus used for a substrate processing apparatus, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖고,It has an attachment groove for accommodating a flat heating element along the cylindrical inner peripheral surface, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽 중 상기 발열체로부터 수직 방향 상측에 위치하는 측벽은, 상기 원통 형상의 반경 방향 중심측을 향해서 점차 수직 방향 상측으로 넓어지고,Among the pair of sidewalls forming the attachment groove, the sidewall located above the heating element in the vertical direction gradually widens upward in the vertical direction toward the radial center side of the cylindrical shape, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽 중 상기 발열체로부터 수직 방향 하측에 위치하는 측벽은, 상기 원통 형상의 반경 방향 중심측을 향해서 점차 수직 방향 하측으로 넓어지도록 형성되어 있는Of the pair of sidewalls forming the attachment groove, the sidewall located downward in the vertical direction from the heating element is formed to gradually widen downward in the vertical direction toward the radial center side of the cylindrical shape. 단열벽체.Insulation Wall. 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, As a cylindrical heat insulation wall of the heating apparatus used for a substrate processing apparatus, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착 홈을 갖고,It has an attachment groove for accommodating a flat heating element along the cylindrical inner peripheral surface, 상기 부착홈의 수직 방향의 폭은 적어도 상기 발열체의 수직 방향의 상하단보다 크게 형성되어 있고, 해당 폭은 상기 원통 형상의 반경 방향 중심측을 향해서 점차 커지도록 형성되어 있는The width in the vertical direction of the attachment groove is formed at least larger than the upper and lower ends in the vertical direction of the heating element, the width is formed to gradually increase toward the radial center side of the cylindrical shape. 단열벽체.Insulation Wall. 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, As a cylindrical heat insulation wall of the heating apparatus used for a substrate processing apparatus, 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖는 원통 형상의 단열 블록이 복수 적층되고,A plurality of cylindrical insulating blocks having an attachment groove for accommodating a plate-shaped heating element are laminated along the inner circumferential surface, 상기 단열 블록 중 하나에 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 한 쪽이 되는 제1 측벽이 형성되어 있고,The first side wall which is one side of a pair of side wall which forms the said attachment groove is formed in one of the said heat insulation blocks, 상기 제1 측벽이 형성되는 단열 블록에 인접하여 적층된 단열 블록에는, 상기 제1 측벽에 대향하여 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 다른 쪽이 되는 제2 측벽이 형성되어 있고,In the heat insulation block laminated | stacked adjacent to the heat insulation block in which the said 1st side wall is formed, the 2nd side wall which becomes the other side of a pair of side wall which forms the said attachment groove facing the said 1st side wall is formed, 상기 제1 측벽과 상기 제2 측벽과의 간격은, 상기 부착홈의 바닥부로부터 해당 부착홈의 정상부를 향해서 점차 커지도록 형성되어 있는The distance between the first side wall and the second side wall is formed to gradually increase from the bottom of the attachment groove toward the top of the attachment groove. 단열벽체.Insulation Wall. 기판 처리 장치에 이용되는 가열 장치의 원통 형상의 단열벽체로서, As a cylindrical heat insulation wall of the heating apparatus used for a substrate processing apparatus, 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖는 원통 형상의 단열 블록이 복수 적층되고,A plurality of cylindrical insulating blocks having an attachment groove for accommodating a plate-shaped heating element are laminated along the inner circumferential surface, 상기 단열 블록의 하단부에는 상기 단열 블록의 내주의 일부가 원형 링 형상으로 잘려진 상태로 결합 수컷부가 형성되어 있고,The lower end of the insulating block is formed with a coupling male part in a state in which a part of the inner circumference of the insulating block is cut into a circular ring shape, 상기 단열 블록의 상단부에는 상기 단열 블록의 외주의 일부가 원형 링 형상으로 잘려진 상태로 결합 오목부가 형성되어 있고,A coupling recess is formed at an upper end of the insulating block in a state in which a part of the outer circumference of the insulating block is cut into a circular ring shape. 상기 단열 블록의 내주면에 있어서의 상단과 해당 단열 블록과 인접하는 단열 블록의 내주면에 있어서의 상단과의 사이에 상기 부착홈이 형성되어 있고,The attachment groove is formed between an upper end of the inner peripheral surface of the heat insulating block and an upper end of the inner peripheral surface of the insulating block adjacent to the insulating block, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 상기 부착홈의 바닥부로부터 해당 측벽의 정상부를 향해서 점차 커지도록 형성되어 있는The gap between the pair of side walls forming the attachment groove is formed to gradually increase from the bottom of the attachment groove toward the top of the side wall. 단열벽체.Insulation Wall. 제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 and 3 to 7, 상기 부착홈이 수직 방향으로 복수 개 형성되어 있는The plurality of attachment grooves are formed in the vertical direction 단열벽체.Insulation Wall. 기판 처리 장치에 이용되는 발열체의 유지 구조체로서,As a holding structure of a heating element used for a substrate processing apparatus, 원통 형상으로 형성된 단열벽체의 내주면을 따라 평판 형상의 부착홈이 형성되어 있고, 이 부착홈 내에 상기 발열체가 마련되어 있고, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 홈 밑바닥에 가까이 감에 따라서 작아지도록 형성되어 있는As the plate-shaped mounting groove is formed along the inner circumferential surface of the heat insulating wall formed in a cylindrical shape, the heating element is provided in the mounting groove, and the distance between the pair of side walls forming the attachment groove approaches the bottom of the groove. Formed to be small 발열체의 유지 구조체.Retention structure of the heating element. 제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 하나의 단열벽체를 갖는 가열 장치.The heating apparatus which has a heat insulation wall of any one of Claims 1-7. 제8항의 단열벽체를 갖는 가열 장치.The heating apparatus which has a heat insulation wall of Claim 8. 제10항의 가열 장치를 갖는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus which has a heating apparatus of Claim 10. 제11항의 가열 장치를 갖는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus which has a heating apparatus of Claim 11. 기판을 처리하는 처리실을 형성하는 프로세스 튜브와,A process tube forming a processing chamber for processing the substrate, 해당 프로세스 튜브의 주위를 포위하고 해당 프로세스 튜브의 내부를 가열하는 가열 장치A heating device that surrounds the process tube and heats the interior of the process tube 를 포함하며,Including; 상기 가열 장치는 원통 형상으로 형성되고, 해당 원통 형상의 내주면을 따라 평판 형상의 발열체를 수납하기 위한 부착홈을 갖고, 상기 부착홈을 형성하는 한 쌍의 측벽의 간격이 홈 밑바닥에 가까이 감에 따라 작아지도록 형성되어 있는 단열벽체를 갖는 것The heating device is formed in a cylindrical shape, and has an attachment groove for accommodating a plate-shaped heating element along the inner circumferential surface of the cylindrical shape, and as the distance between the pair of side walls forming the attachment groove approaches the bottom of the groove. With insulating walls formed to be small 을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus, characterized in that. 제14항의 기판 처리 장치를 이용하여 처리하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,In the manufacturing method of the semiconductor device which processes using the substrate processing apparatus of Claim 14, 상기 프로세스 튜브의 내부에 기판을 반입하는 공정과,Bringing a substrate into the process tube; 상기 가열 장치가 상기 프로세스 튜브의 내부를 가열하고, 상기 기판을 열처리하는 공정과,The heating device heating the inside of the process tube and heat treating the substrate; 상기 프로세스 튜브의 내부로부터 기판을 반출하는 공정Process of carrying out the substrate from the inside of the process tube 을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.The manufacturing method of the semiconductor device which has.
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