KR100758186B1 - 반도체 기판 세정제 및 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 비공유 전자쌍을 갖는 질소 원자를 분자 중에 지니는 화합물을 포함하여 이루어지는, 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면용 세정제 및 그 세정제로, 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면의 세정 방법을 개시한다.
본 발명에 따른 세정제는 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체에 있어서의, Cu 배선(Cu 박막), 층간 절연막인 SiO2를 부식시키지 않고, 나아가서는 표면의 평탄도를 손상시키지 않고서, Cu-CMP 공정에서 부착된 반도체 표면의 CuO 및 파티클을 제거하는 데에 유효하다.
Description
본 발명은 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면의 세정제 및 세정 방법에 관한 것이다.
최근, LSI의 구조는 고집적화에 따라 미세화가 진행되고 있어, 반도체 표면에 금속 배선 등이 수개의 단이나 겹쳐진 다층 구조로 되어 있다. 또한, 사용되는 금속 배선도, 종래의 알루미늄으로부터 전기 저항이 보다 낮은 구리(Cu)로 변경하는 것이 제안되고 있다.
Cu 배선을 이용한 다층 구조를 형성하려는 경우, 산화규소 등의 절연막 상에 오목부를 붙인 후, 도금법이나 스퍼터링 등의 방법에 의해 반도체 표면 전체에 금속 Cu를 퇴적시키고, 그 후 여분의 금속 Cu를, 수용액 중에 알루미나 또는 실리카 등의 미립자 금속 산화물을 분산시킨 슬러리와, 산화제를 동시에 웨이퍼 표면에 공급하고, 금속 Cu를 산화시키면서 물리적으로 반도체 기판 표면을 연마하여 평탄화하는, 소위 화학적 물리적 연마 기술(CMP)에 의해 연마하고, 오목부 부분만큼 Cu를 남겨 배선을 완성시키면서, 표면을 평탄화(Cu-CMP 공정)함으로써 Cu 배선을 형성하고, 이 공정을 반복함으로써 각 층을 평탄화시킬 필요가 있다.
한편, Cu-CMP 공정후의 반도체 표면은 산화철이나 배선의 Cu가 산화된 산화구리(CuO) 등의, 반도체의 전기 특성에 영향을 주어, 디바이스를 파괴하는 불순물이나, 사용한 슬러리에서 유래하는 파티클 등에 의해 오염되어 있기 때문에, Cu-CMP 공정후에 세정 공정(Cu-CMP 후세정)을 도입하여, Cu-CMP 공정후의 반도체 표면의 동일 평면상에 노출된 배선의 금속 Cu와 층간 절연막인 산화규소(SiO2)에 영향을 주지 않고, 이들 오염 물질을 세정 제거할 필요가 있다.
이러한 Cu-CMP 후세정은 종래, 예컨대 HPM(염산-과수계), DHF(묽은 불소산계) 등의 산성 세정제, 완충 불소산 등의 중성 세정제, APM(암모니아-과수계) 등의 알칼리 세정제나 구연산을 대표로 하는 유기산계 세정액 등을 사용하는 화학적 세정, 또는 예컨대 고속 회전의 폴리비닐알콜성 브러시나 고주파 등을 사용하는 물리적 세정 또는 이들의 병용에 의해 이루어지고 있다.
그러나, 화학적 세정에 있어서, 산계 세정액을 사용한 경우는, CuO의 제거 능력은 높지만, 파티클에 대한 제거 능력이 낮고, 또한, 강산성 용액을 사용한 경우는 Cu 배선을 부식시켜 버린다. 또한, 불소산계 세정액은 SiO2를 용해시키는 성질을 갖기 때문에, 이것을 사용한 경우는 층간 절연막인 SiO2를 에칭시켜 버린다. 더욱이, 중성이나 알칼리성 세정액을 사용한 경우는 Cu 배선을 부식시키지 않고, 파티클을 제거하는 능력은 우수하지만, 일반적으로 그 세정액은 CuO의 용해력이 약하고, CuO의 제거 능력이 불충분하다.
또한, 물리적 세정은 파티클을 물리적으로 제거할 수 있고, Cu 배선의 부식 을 일으키지 않는다는 점에서는 우수하지만, CuO의 제거 능력을 기대할 수 없다. 그 때문에, 통상은 상기한 바와 같은 산계 세정액과 병용된다. 그러나, 물리적 세정과 산계 세정액을 병용하는 경우라도, 상기와 같은 산계 세정액에 기인하는 문제점을 갖고 있기 때문에, 사용하는 산의 농도를 최대한 묽게 하거나, 세정에 소요되는 시간을 짧게 하는 등의 연구가 필요하게 되어, CuO나 파티클 등의 충분한 세정 효과는 기대할 수 없는 경우가 있다.
이상과 같이 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체 표면에 잔존하는 CuO 및 파티클을 동시에 또 간단한 조작으로 제거할 수 있는 유효한 수단은 아직 발견되지 못하고 있다.
본 발명은 상기와 같은 상황에 감안하여 이루어진 것으로, 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면의 세정제 및 세정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 해결할 목적으로 이루어진 것으로, 비공유 전자쌍을 갖는 질소 원자를 분자 중에 갖는 화합물을 포함하여 이루어지는, 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면용 세정제에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체 표면을, 비공유 전자쌍을 갖는 질소 원자를 분자 중에 갖는 화합물을 포함하여 이루어지는 세정제로 처리하는 것을 특징으로 하는, 반도체 표면의 세정 방법에 관한 것이다.
더욱이, 본 발명은 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체 표면을, 비공유 전자쌍을 갖는 질소 원자를 분자 중에 갖는 화합물을 포함하여 이루어지는 세정제의 존재 하에서, 물리적 세정 공정으로 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면의 세정 방법에 관한 것이다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 비공유 전자쌍을 갖는 질소 원자를 분자 중에 갖는 화합물을, 세정 작용을 나타내는 유효 성분으로서 포함하여 이루어지는 세정제를 사용하여, 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체 표면을 세정함으로써, Cu 배선(Cu 박막), 층간 절연막인 SiO2를 부식시키지 않고, 나아가 표면의 평탄도를 손상시키지 않고서, Cu-CMP 공정에서 부착된 반도체 표면의 CuO 및 파티클을 제거할 수 있음을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명에 따른 비공유 전자쌍을 갖는 질소 원자를 분자 중에 지니는 화합물(이하, 본 발명에 따른 화합물이라 약기함)로서는, 그 분자 중에 비공유 전자쌍을 갖는 질소 원자를 1 이상 갖는 화합물, 예컨대 분자 중에 N-N, N=N, N-C 또는 N=C 결합을 갖는 화합물이면 된다.
구체적으로는 제1급∼제3급 아미노기, 이미노기, 아조기 또는 아조메틴기를 갖는 화합물을 들 수 있다.
이러한 제1급∼제3급 아미노기, 이미노기, 아조기 또는 아조메틴기를 갖는 화합물은 보다 구체적으로는, 하기 화학식 1, 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 또는 화학식 5로 나타낸 것이다.
{상기 화학식에서, R1은 히드록실기, 카르복실기 또는 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기, 하기 화학식 6으로 나타낸 기 또는, 하기 화학식 7로 나타낸 기이고,
(상기 화학식에서, R 및 R'은 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타냄),
R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기, 카르복실기 또는 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타내고, R1∼R3은 서로 결합하여 질소 원자를 고리원 중에 포함하는 방향족환 또는 방향족 축합환을 형성하고 있더라도 좋음},
{상기 화학식에서, R4∼R7은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기, 카르복실기 또는 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타내고, Y1은 결합손, 2가의 탄화수소기, 
또는 
을 나타냄},
(상기 화학식에서, R8∼R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기, 카르복실기 또는 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타내고, Y2 및 Y3은 각각 독립적으로 알킬렌기를 나타내며, n은 1 이상의 정수를 나타냄)
(상기 화학식에서, X는 =CR14 또는 질소 원자이고, R13∼R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 히드록실기 또는 카르복실기를 갖고 있더라도 좋은 탄화수소기, 또는 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기를 나타냄)
(상기 화학식에서, R16 및 R17은 각각 독립적으로, 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기를 나타냄)
화학식 1∼화학식 3에 있어서, R1∼R12로 나타낸 히드록실기, 카르복실기 또는 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기의 알킬기로서는, 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형이라도 좋으며, 통상 탄소수 1∼6인 것을 들 수 있고, 구체적으로는 예컨대 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, tert-펜틸기, 1-메틸펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 이소헥실기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.
한편, 히드록실기, 카르복실기 또는 포스폰산기는 통상 분자 중에 1∼3개, 바람직하게는 1개, 임의의 위치에 치환되어 있다.
화학식 4에 있어서, R13∼R15로 나타낸 히드록실기 또는 카르복실기를 갖고 있더라도 좋은 탄화수소기의 탄화수소기로서는, 예컨대 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등을 들 수 있다.
알킬기로서는, 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형이라도 좋고, 통상 탄소수 1∼6인 것을 들 수 있으며, 구체적으로는, 예컨대 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, tert-펜틸기, 1-메틸펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 이소헥실기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.
알케닐기로서는 통상 탄소수 2∼6인 것을 들 수 있으며, 구체적으로는, 예컨 대 비닐기, 알릴기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 3-부테닐기, 2-부테닐기, 1-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 4-펜테닐기, 3-펜테닐기, 2-펜테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-펜타디에닐기, 2,4-펜타디에닐기, 1,1-디메틸-2-프로페닐기, 1-에틸-2-프로페닐기, 1,2-디메틸-1-프로페닐기, 1-메틸-1-부테닐기, 5-헥세닐기, 4-헥세닐기, 2-헥세닐기, 1-헥세닐기, 1-시클로프로페닐기, 2-시클로프로페닐기, 2,4-시클로펜타디에닐기, 2-시클로헥세닐기, 1-시클로헥세닐기, 2-시클로헥세닐기, 3-시클로헥세닐기 등을 들 수 있다.
아릴기로서는, 통상 탄소수 6∼14인 것을 들 수 있으며, 구체적으로는, 예컨대 페닐기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, 2,3-크실릴기, 2,4-크실릴기, 2,5-크실릴기, 2,6-크실릴기, 3,5-크실릴기, 나프틸기, 안톨릴기 등을 들 수 있다.
아랄킬기로서는, 통상 탄소수 7∼12인 것을 들 수 있고, 구체적으로는, 예컨대 벤질기, 펜에틸기, 페닐프로필기, 페닐부틸기, 페닐헥실기, 메틸벤질기, 메틸펜에틸기, 에틸벤질기 등을 들 수 있다.
또한, 히드록실기, 카르복실기 또는 포스폰산기는 통상 분자 중에 1∼3개, 바람직하게는 1개, 임의의 위치에 치환되어 있다.
화학식 4에 있어서, R13∼R15으로 나타낸 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기로서는, 통상 1∼4개의 질소 원자를 포함하는 통상 5∼6원의 복소환에서 유래하는 것을 들 수 있고, 구체적으로는, 예컨대 피롤릴기, 2H-피롤릴기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 트리아졸릴기, 피리딜기, 피라딜기, 피리미딜기, 피리다질기, 테트라질기 등을 들 수 있다.
화학식 5에 있어서, R16 및 R17로 나타낸 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기로서는, 통상 1∼4개의 질소 원자를 포함하는 통상 5∼6원의 복소환에서 유래한 것을 들 수 있고, 구체적으로는, 예컨대 피롤릴기, 2H-피롤릴기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 트리아졸릴기, 피리딜기, 피라딜기, 피리미딜기, 피리다질기, 테트라질기 등을 들 수 있다.
또한, 화학식 5로 나타낸 화합물에 있어서는, 2개의 상기와 같은 R16 및 R17로 나타낸 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기가, 각각의 탄소 원자 사이에서 결합된 구조를 갖는다.
화학식 1에서, R1로서의 화학식 6 또는 화학식 7로 나타낸 기에 있어서의 R 및 R'로 나타낸 탄화수소기로서는, 예컨대 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등을 들 수 있다.
화학식 6
화학식 7
알킬기로서는, 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형이라도 좋고, 통상 탄소수 1∼6인 것을 들 수 있으며, 구체적으로는, 예컨대 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프 로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, tert-펜틸기, 1-메틸펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 이소헥실기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.
알케닐기로서는, 통상 탄소수 2∼6인 것을 들 수 있고, 구체적으로는, 예컨대 비닐기, 알릴기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 3-부테닐기, 2-부테닐기, 1-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 4-펜테닐기, 3-펜테닐기, 2-펜테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-펜타디에닐기, 2,4-펜타디에닐기, 1,1-디메틸-2-프로페닐기, 1-에틸-2-프로페닐기, 1,2-디메틸-1-프로페닐기, 1-메틸-1-부테닐기, 5-헥세닐기, 4-헥세닐기, 2-헥세닐기, 1-헥세닐기, 1-시클로프로페닐기, 2-시클로프로페닐기, 2,4-시클로펜타디에닐기, 2-시클로헥세닐기, 1-시클로헥세닐기, 2-시클로헥세닐기, 3-시클로헥세닐기 등을 들 수 있다.
아릴기로서는, 통상 탄소수 6∼14인 것을 들 수 있고, 구체적으로는, 예컨대 페닐기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, 2,3-크실릴기, 2,4-크실릴기, 2,5-크실릴기, 2,6-크실릴기, 3,5-크실릴기, 나프틸기, 안톨릴기 등을 들 수 있다.
아랄킬기로서는, 통상 탄소수 7∼12인 것을 들 수 있고, 구체적으로는, 예컨대 벤질기, 펜에틸기, 페닐프로필기, 페닐부틸기, 페닐헥실기, 메틸벤질기, 메틸펜에틸기, 에틸벤질기 등을 들 수 있다.
화학식 1에 있어서, R1∼R3이 서로 결합하여 형성하는 질소 원자를 고리원 중에 포함하는 방향족환로서는, 고리원 중에 통상 1∼4개, 바람직하게는 1∼2개의 질 소 원자를 포함하는 통상 5∼6원, 바람직하게는 6원의 것을 들 수 있고, 구체적으로는, 예컨대 피롤환, 2H-피롤환, 이미다졸환, 파라졸환, 트리아졸환, 테트라졸환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 트리아진환, 테트라진환 등을 들 수 있다.
화학식 1에 있어서, R1∼R3이 서로 결합하여 형성하는 질소 원자를 고리원 중에 포함하는 방향족 축합환으로서는, 상기와 같은 고리원 중에 통상 1∼4개, 바람직하게는 1∼2개의 질소 원자를 포함하는 통상 5∼6원, 바람직하게는 6원의 방향족환이 통상 2개 이상, 바람직하게는 2개 축합된 것, 또는 상기 방향족환이 통상 1개 이상, 바람직하게는 1∼2개와, 벤젠환이 통상 1개 이상, 바람직하게는 1∼2개 축합된 것을 들 수 있고, 구체적으로는 예컨대 인돌환, 이소인돌환, 인돌리진환, 카르바졸환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 4H-퀴놀리진환, 페난트리딘환, 아크리딘환, 벤즈이미다졸환, 1H-인다졸환, 1,8-나프티리진환, 퀴녹살린환, 퀴나졸린환, 신놀린환, 프탈라진환, 푸린환, 프테리딘환, 페리미딘환, 1,10-페난트롤린환, 페나진환, 벤즈트리아졸환, 벤조트리아진환 등을 들 수 있다.
화학식 2에 있어서, Y1로 나타낸 2가의 탄화수소기로서는, 예컨대 알킬렌기, 2가의 방향족기, 2가의 방향족지방족기 등을 들 수 있다.
알킬렌기로서는, 직쇄형이라도 분지쇄형이라도 또는 고리형이라도 좋고, 통상 탄소수 1∼10인 것을 들 수 있으며, 구체적으로는, 예컨대 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 부틸렌기, 2-메틸프로필렌기, 펜타메 틸렌기, 펜틸렌기, 2,2-디메틸프로필렌기, 2-에틸프로필렌기, 헥사메틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 2-에틸헥실렌기, 노닐렌기, 데실렌기, 시클로프로필렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 아다만탄디일기, 트리시클로[5.2.1.02.6]데칸디일기, 노르보르난디일기, 메틸노르보르난디일기, 이소보르난디일기, 데칼린디일기 등을 들 수 있다.
2가의 방향족기로서는, 예컨대 o-페닐렌기, m-페닐렌기, p-페닐렌기, 디페닐렌기, p-크실렌-α,α'-디일기 등을 들 수 있다.
2가의 방향족지방족기로서는, 예컨대 상기 알킬렌기와 방향족기로 구성되는 것을 들 수 있다.
또한, 화학식 2에 있어서의 Y1으로서는 결합손, 2가의 탄화수소기, 또는 
이 바람직하다.
화학식 3에 있어서, Y2∼Y3으로 나타낸 알킬렌기로서는 직쇄형이거나 분지쇄형이거나 또는 고리형이라도 좋고, 통상 탄소수 1∼10인 것을 들 수 있으며, 구체적으로는, 예컨대 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 부틸렌기, 2-메틸프로필렌기, 펜타메틸렌기, 펜틸렌기, 2,2-디메틸프로필렌기, 2-에틸프로필렌기, 헥사메틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 2-에틸헥실렌기, 노닐렌기, 데실렌기, 시클로프로필렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 아다만탄디일기, 트리시클로[5.2.1.02.6]데칸디일기, 노르보르난디일기, 메틸노르보르난디 일기, 이소노르보르난디일기, 데칼린디일기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 나타낸 화합물 중에서도, 하기 화학식 1'로 나타낸 것이 바람직하다.
[화학식 1']
〔상기 화학식에서, R1'은 히드록실기, 카르복실기 또는 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기, 하기 화학식 6으로 나타낸 기 또는 하기 화학식 7로 나타낸 기이고,
화학식 6
화학식 7
(상기 화학식에서, R 및 R'은 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타냄),
R2' 및 R3'은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기, 카르복실기 또는 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타낸다.
화학식 1'에 있어서, R1'∼R3'으로 나타낸 히드록실기, 카르복실기 또는 포스 폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기는 상기 화학식 1에 있어서의 R1∼R3으로 나타낸 히드록실기, 카르복실기 또는 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기와 동일하다. 또한, 상기 화학식 6 및 화학식 7로 나타낸 기에 있어서의 R 및 R'도 상기와 동일하다.
상기 화학식 1로 나타낸 화합물의 구체예로서는, 예컨대 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 에탄올아민, 아닐린 등의 제1급 아민, 예컨대 디메틸아민, 메틸에틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민 등의 제2급 아민, 예컨대 트리메틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민 등의 제3급 아민, 예컨대 디메틸에탄올아민, 디에틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 히드록시 함유 제3급 아민, 예컨대 글리신, 알라닌, 아스파라긴산, 글루타민산, 발린, 로이신, 세린, 트레오닌, 리신, 아르기닌 등의 비환상 아미노산류, 예컨대 페닐알라닌, 티로신, 히스티딘, 트립토판, 프롤린, 아미노벤조산 등의 환상 아미노산류, 예컨대 히드록시에틸이미노2아세트산(HIDA), 이미노2아세트산(IDA), 니트릴로3아세트산(NTA), 니트릴로삼프로피온산(NTP) 등의 아미노폴리카르복실산, 예컨대 니트릴로트리스(메틸렌포스폰산) (NTPO) 등의 아미노폴리포스폰산, 예컨대 8-퀴놀리놀 등의 퀴놀린류, 예컨대 니코틴산, 피콜린산 등의 피리딘 유도체, 예컨대 4-피라졸카르복실산 등의 피라졸류, 예컨대 5,10,15,20-테트라페닐-21H,23H-포르피린테트라설폰산 (TPPS) 등의 포르피린류, 2,3-피라진디카르복실산 등의 피라진류, 예컨대 N-아세틸글리신, 벤질아미드 등의 아미드류, 예컨대 비시클로헥사논옥살릴디히드라존 (BCOD) 등의 히드라존류, 예컨대 o-페난트롤린 또는 그 유도체 등을 들 수 있다.
상기 화학식 1'로 나타낸 화합물의 구체예로서는, 예컨대 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 에탄올아민, 아닐린 등의 제1급 아민, 예컨대 디메틸아민, 메틸에틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민 등의 제2급 아민, 예컨대 트리메틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민 등의 제3급 아민, 예컨대 디메틸에탄올아민, 디에틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 히드록시 함유 제3급 아민, 예컨대 글리신, 알라닌, 아스파라긴산, 글루타민산, 발린, 로이신, 세린, 트레오닌, 리신, 아르기닌 등의 비환상 아미노산류, 예컨대 히드록시에틸아미노2아세트산 (HIDA), 이미노2아세트산 (IDA), 니트릴로3아세트산 (NTA), 니트릴로삼프로피온산 (NTP) 등의 아미노폴리카르복실산, 예컨대 니트릴로트리스(메틸렌포스폰산) (NTPO) 등의 아미노폴리포스폰산 등을 들 수 있다.
상기 화학식 2로 나타낸 화합물의 구체예로서는, 예컨대 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 이소프로필디아민, 부틸디아민 등의 디아민류, 예컨대 에틸렌디아민4아세트산 (EDTA), trans-1,2-디아미노시클로헥산-N,N,N',N'-4아세트산 (CyDTA), 디아미노프로판올4아세트산 (DPTA-OH), 에틸렌디아민2아세트산 (EDDA), 에틸렌디아민이프로피온산이염산염 (EDDP), 히드록시에틸에틸렌디아민3아세트산 (EDTA-OH), 글리콜에테르디아민4아세트산 (GEDTA), 1,6-헥사메틸렌디아민-N,N,N',N'-4아세트산 (HDTA), 디아미노프로판4아세트산 (메틸-EDTA) 등의 아미노폴리카르복실산류, 예컨대 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산) (EDTPO), 에틸렌디아민-N,N'-비스(메틸렌포스폰산) (EDDPO), 이소프로필디아민테트라키스(메틸렌포스폰산) 등의 아미노 폴리포스폰산류, 예컨대 퀴날딘산 등의 퀴날딘류, 예컨대 디아미노벤젠, 디아미노나프탈렌 등의 방향족 디아민류, 예컨대 요소, 요산 등의 요소류, 예컨대 티오요소, 티오세미카르바디드 등의 티오요소류 등을 들 수 있다.
상기 화학식 3으로 나타낸 화합물의 구체예로서는, 예컨대 디에틸렌트리아민, 디프로필렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민 등의 폴리아민류, 예컨대 트리에틸렌테트라민6아세트산(TTHA), 디에틸렌트리아민-N,N,N',N",N"-5아세트산(DTPA) 등의 아미노폴리카르복실산, 예컨대 디에틸렌트리아민-N,N,N',N",N"-펜타(메틸렌포스폰산) 등의 아미노포스폰산 등을 들 수 있다.
상기 화학식 4로 나타낸 화합물의 구체예로서는, 예컨대 2,2'-디히드록시아조벤젠, 카르시크롬, 카르가마이트, 루모고리온 등의 아조벤젠류, 예컨대 o-살레틸리덴아미노페놀 등의 아조메틴류, 예컨대 히드라디노벤젠설폰산 등의 히드라진류, 예컨대 시아눌산 등의 트리아진류, 예컨대 1-(2-피리딜아조)-2-나프톨(PAN), 4-(2-피리딜아조)레조르시놀(PAR) 등의 피리딜아조류, 예컨대 트리아미노벤젠 등의 방향족 폴리아민류 등을 들 수 있다.
상기 화학식 5로 나타낸 화합물의 구체예로서는, 예컨대 2,2'-디피리딜, 4,4'-디피리딜 등의 디피리딜류 또는 그 유도체 등을 들 수 있다.
이들 그 중에서도, 상기 화학식 1', 화학식 2 및 화학식 3으로 나타낸 화합물이 바람직하며, 특히 디아민류, 폴리아민류, 아미노폴리카르복실산, 아미노폴리포스폰산류, 티오요소류, 비환상 아미노산류가 특히 바람직하며, 구체적으로는, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 디에틸렌트리아민-N,N,N',N",N"-5아세트산 (DTPA), 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산) (EDTPO), 티오요소, 글리신, 알라닌 등이 바람직하고, 더욱 바람직하게는, 특히 디아민류, 폴리아민류, 아미노폴리카르복실산, 아미노폴리포스폰산류, 비환상 아미노산류이며, 구체적으로는, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 디에틸렌트리아민-N,N,N',N",N"-5아세트산 (DTPA), 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산) (EDTPO), 글리신, 알라닌 등이다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따른 화합물은 단독으로 사용하더라도, 또한, 2종 이상을 적절하게 조합하여 사용하더라도 좋다.
본 발명에 따른 화합물의 사용량은, 세정제 전량의 통상 0.0001∼30 중량%, 바람직하게는 0.001∼1 중량%, 보다 바람직하게는 0.001∼0.1 중량%이다.
한편, 본 발명에 따른 화합물을 2종 이상 조합하여 사용하는 경우는 각각의 화합물 사용량의 총합이 세정제 전량의 통상 0.0001∼30 중량%, 바람직하게는 0.001∼1 중량%, 보다 바람직하게는 0.001∼0.1 중량%이다.
본 발명의 세정제는 통상 수용액 상태이며, 상기한 바와 같은 본 발명에 따른 화합물을 물에 첨가 용해시킴으로써 조제된다.
본 발명에 따른 화합물을 첨가하는 방법으로서는, 예컨대 물 속에 별도로 용해한 본 발명에 따른 화합물을 첨가하는 방법이나, 결정 또는 액상의 본 발명에 따른 화합물을 직접 물에 첨가, 용해, 교반하는 방법 등을 들 수 있다.
이와 같이 하여 조제한 본 발명의 세정제는 사용전에 여과 처리 등을 하는 것이 바람직하다. 또한, 여기서 사용되는 물은 증류, 이온 교환 처리 등에 의해 정제된 것이라면 좋지만, 이 분야에서 사용되는 소위 초순수(超純水)가 보다 바람직 하다.
본 발명의 세정제는 약산성 내지 알카리성이 바람직하며, 통상 pH 4∼13, 바람직하게는 pH 5∼12, 보다 바람직하게는 pH 6∼9이다. 이러한 pH 범위로 함으로써, 층간 절연막인 SiO2를 에칭시킬 우려가 보다 적어지고, 나아가서는 반도체 표면과 파티클의 전기적인 반발이 커지기 때문에, 파티클 및 CuO 세정 효과가 향상된다.
본 발명의 세정제를 상기와 같은 pH 범위로 하기 위해서, 필요하면, 통상 이 분야에서 사용되는 pH 조정제, 예컨대 구연산, 옥살산, 프탈산, 주석산 등의 카르복실산류, 이들의 유도체, 또는 이들의 염, 인산, 인산 유도체 또는 염, 예컨대 테트라메틸암모늄히드록시드 (TMAH), 콜린 등의 제4급 아민류 등을 사용하더라도 좋다.
또한, 본 발명의 세정제는 상기와 같은 pH 범위 내에서 완충 능력을 갖는 것이 특히 바람직하다. 본 발명의 세정제에 완충 능력을 부여하기 위해서는, 상기한 바와 같은 pH 완충제 중, 그 자체가 상기한 바와 같은 pH 범위 내에서 완충 능력을 갖는 것을 단독 또는 2종 이상 조합하더라도, 또는 이 밖의 pH 조정제와 조합하여 사용하더라도 좋고, 또한, 그 자체는 완충 능력을 갖지 않지만, 2종 이상 조합하여 사용함으로써 본 발명의 세정제에 완충 능력을 부여할 수 있는 것, 또는 본 발명에 따른 화합물과 조합하여 사용함으로써 본 발명의 세정제에 완충 능력을 부여할 수 있는 것을 사용하더라도 좋다.
이들 pH 조정제의 사용량으로서는, 사용하는 pH 조정제의 종류에 따라 다르기 때문에 일률적으로는 말할 수 없지만, 본 발명에 따른 화합물을 함유하는 용액에 첨가시켰을 때에, 그 용액이 상기와 같은 pH 범위내가 되는 양이라면 좋고, 예컨대, 세정제 전량의 통상 0.0001∼10 중량%, 바람직하게는 0.001∼1 중량%이다.
구체적으로는 예컨대 구연산을 사용하는 경우는, 세정제 전량의 통상 0.0001∼10 중량%, 바람직하게는 0.001∼1 중량%이며, 예컨대 TMAH을 사용하는 경우는, 세정제 전량의 통상 0.0001∼10 중량%, 바람직하게는 0.001∼1 중량%이다. 또한, 콜린을 사용하는 경우는 세정제 전량의 통상 0.0001∼10 중량%, 바람직하게는 0.001∼1 중량%이다.
더욱이, 본 발명의 세정제 중에는 상기와 같은 본 발명에 따른 화합물 이외에, 통상 이 분야에서 사용되는 시약류를 사용할 수 있다.
이러한 시약류는, 예컨대 배선의 Cu를 보호하여, Cu의 부식을 방지할 목적으로 사용되는, 예컨대 히드라진 또는 그 유도체, 아스코르빈산, 포름산, 포르말린 등의 환원제, 예컨대 벤조트리아졸 또는 그 유도체 (예컨대 벤조트리아졸환에 예컨대 카르복실기, 예컨대 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 저급 알킬기, 예컨대 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자 등의 치환기를 갖는 것을 들 수 있고, 구체적으로는, 예컨대 4-카르복시벤조트리아졸, 5-카르복시벤조트리아졸, 4-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 5-클로로벤조트리아졸 등을 들 수 있음), 티오요소류, 머캅토티아졸, 머캅토에탄올, 티오글리세롤 등의 티올 화합물 등의 금속 부식 방지제 등, 반도체 표면에 대한 세정제의 습윤성을 개선하 고, 세정 효과를 향상시킬 목적으로 사용된다. 예컨대 NCW601A〔폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 와코쥰야쿠고교(주) 제조], NCW1002〔폴리옥시알킬렌알킬에테르, 와코쥰야쿠고교(주) 제조〕 등의 비이온계 계면 활성제, 도데실벤젠설폰산 등의 음이온계 계면 활성제, 알킬트리메틸암모늄 등의 양이온계 계면 활성제, 카르복시베타인 등의 양성 계면 활성제 등이다.
이들 시약류는 통상 이 분야에서 사용되는 농도 범위에서 사용하면 된다.
예컨대 환원제의 사용량은 금속 Cu의 산화를 방지할 수 있는 양이면 되며, 통상 0.01∼5 중량%, 바람직하게는 0.05∼1 중량%이다. 또한, 금속 부식 방지제의 사용량은 금속 Cu와 약한 결합을 형성하여 Cu에 대한 세정제의 용해력을 억제할 수 있는 양이면 되며, 통상 0.01∼5 중량%, 바람직하게는 0.05∼1 중량%이며, 계면 활성제의 사용량은 세정제의 표면 장력을 저하시킬 수 있는 양이면 되며, 통상 0.0001∼1 중량%, 바람직하게는 0.001∼0.1 중량%이다.
본 발명의 세정제의 보다 바람직한 형태로서는, 상기와 같은 본 발명에 따른 화합물과, 상기와 같은 pH 조정제 및 금속 부식 방지제를 포함하여 이루어지는 것이다.
본 발명의 세정제는, 이에 포함되는 본 발명에 따른 화합물이 갖는, 반도체 표면의 CuO의 구리 원자 및 Cu 배선의 구리 원자를 동시에 공격하여 CuO의 구리 원자와는 착체를 형성하여 이것을 용이하게 용해하지만, Cu 배선의 구리 원자의 용해 시간은 CuO의 구리 원자에 비해서 극단적으로 느리고, 용이하게 용해(부식)되지 않는다고 하는 성질을 이용한 것으로, 본 발명의 세정제를 사용하여 표면에 Cu 배선 이 형성된 반도체 표면을 세정하면, CuO만을 선택적으로 용해할 수 있기 때문에, Cu 배선이나 Cu 박막, 층간 절연막인 SiO2 등을 부식시키지 않고서, 반도체 표면의 CuO와 파티클을 동시에 제거할 수 있다.
본 발명의 세정 방법은, 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체 표면을, 상기와 같은 본 발명에 따른 화합물, 필요하면 pH 조정제, 환원제, 금속 부식 방지제, 계면 활성제 등을 포함하여 이루어지는 세정제, 상기와 같은 본 발명에 따른 화합물, pH 조정제, 나아가서는 금속 부식 방지제, 필요하면 환원제, 계면 활성제 등을 포함하여 이루어지는 세정제로 처리하면 된다.
표면에 Cu 배선이 형성된 반도체 표면을 본 발명의 세정제로 처리하는 방법으로서는 통상 이 분야에서 수행되는 자체 공지의 반도체 표면을 세정하는 방법이라도 좋고, 구체적으로는, 단순히 반도체를 세정제 중에 침지하는 침지 처리, 반도체에 세정제를 샤워형으로 뿌리는 싱글 웨이퍼(枚葉) 처리 등의 방법을 들 수 있다.
더욱이, 본 발명에서는, 세정시에 물리적 세정을 병용함으로써, 보다 효과적으로 CuO를 제거할 수 있다. 병용의 구체적 방법으로서는, 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체 표면을 본 발명 세정제의 존재하에서 물리적 세정 공정으로 처리하는 것 등을 들 수 있다.
상기 방법에 있어서, 본 발명의 세정제를 존재하게 하는 방법은 구체적으로는 상기와 같은 침지 처리, 싱글 웨이퍼 처리 등에 의해 본 발명의 세정제를 존재 시킨 상태로 하여 물리적 세정 공정으로 처리하는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 물리적 세정(공정)으로서는, 예컨대 고속 회전의 폴리비닐알콜제 브러시 등을 사용하여 반도체 표면을 세정하는 브러시 스크럽 세정, 고주파를 사용하는 메가소닉 세정 등을 들 수 있다.
물리적 세정을 병용하는 경우의 보다 구체적인 수법으로서는, 예컨대 반도체를 본 발명의 세정제 중에 침지시킨 후, 그 세정액으로부터 빼내어 반도체 표면에 그 세정제가 존재하게 만든 상태로 한 후에 물리적 세정을 하는 방법, 반도체를 본 발명의 세정제 중에 침지시킨 채로 물리적 세정을 하는 방법, 반도체 표면에 본 발명의 세정제를 뿌려 반도체 표면에 그 세정제가 존재하게 만든 상태로 한 후에 물리적 세정을 하는 방법, 또는 반도체 표면에 본 발명의 세정제를 뿌리면서 물리적 세정을 하는 방법 등을 들 수 있다.
이하에 실시예 및 비교예를 들지만, 본 발명은 이들에 의해 하등 한정되는 것이 아니다.
한편, 본 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼는 각각 이하의 방법에 의해 조제한 것을 사용하며, 또한, CuO 오염 웨이퍼 표면에 흡착 잔존하고 있는 CuO 농도(잔존 CuO 농도)와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께는 각각 이하의 방법에 의해 측정하였다.
CuO 오염 웨이퍼
열 산화법에 의해 표면을 SiO2로 한 4 인치 실리콘 웨이퍼를, 1 ppm이 되도록 Cu를 첨가한 3% 알루미나 함유 슬러리 수용액에 1 분간 침지하여, 초순수에 의해 10 분간 흐르는 물로 세정한 후, 스핀 건조시킨 것을 CuO 오염 웨이퍼로 하였다.
한편, 이하의 방법에 의해, 상기 CuO 오염 웨이퍼에는 CuO로서 잔존하고 있다고 생각되는 Cu가 5×1014 원자/㎠, 알루미나에서 유래하였다고 생각되는 파티클이 약 8,500 개/4 인치 웨이퍼 흡착 잔존하고 있음을 확인하였다.
금속 Cu 퇴적 웨이퍼
4 인치 실리콘 웨이퍼의 표면에 스퍼터법에 의해 금속 Cu를 1,000Å가 되도록 퇴적시킨 것을 금속 Cu 퇴적 웨이퍼로 하였다.
CuO 농도 측정법
웨이퍼 표면에 흡착 잔존된 CuO를, 질산-불소산 용액으로 용해 회수한 후, 그 회수액 중의 Cu 농도를, 흑연로 원자 흡광 분광 분석 장치에 의해 측정하였다. 얻은 측정치에 기초하여 (잔존) CuO 농도를 구하였다.
파티클의 수 측정법
웨이퍼 표면에 흡착 잔존하고 있는 파티클을 표면 이물 검사 장치(파티클 카운터)에 의해 측정하였다.
금속 Cu 막 두께 측정법
웨이퍼를 반으로 나눠, 단면을 전자 현미경에 의해 관찰하고, 금속 Cu 막 두 께를 측정하였다.
한편, 본 실시예 및 비교예에서는, 특별이 언급이 없는 한, 농도를 나타내는 %, ppm, ppb는 전부 중량비를 나타낸다. 또한, 사용하는 물은 전부 초순수이며, Cu가 0.01 ppb 이하임을 확인하고 나서 사용하였다.
실시예 1
초순수 중에 본 발명에 따른 화합물인 트리에탄올아민을 0.01% 용해한 세정제(pH 12)를 세정조에 넣고, 상기 방법으로 제작한 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 실온하에서, 10 분간 침지하였다. 그 후, 웨이퍼를 세정조에서 빼내어, 초순수로 10 분간 린스하고, 스핀 건조시켰다. 이와 같이 처리한 CuO 오염 웨이퍼 표면에 대해서는 불순물 제거 능력을 평가하기 위해, 웨이퍼 표면에 흡착 잔존하고 있는 잔존 CuO 농도와 파티클의 수를 측정하고, 또한, 금속 Cu 퇴적 웨이퍼에 대해서는, 금속 Cu의 부식 유무를 확인하기 위해서, 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 한편, 표 1 중의 ↑은 이상을, ↓은 이하를 각각 나타낸다.
실시예 2
트리에탄올아민 대신에 본 발명에 따른 화합물인 2,2'-디피리딘을 0.01% 용해한 세정제(pH 7)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
실시예 3
트리에탄올아민 대신에 본 발명에 따른 화합물인 EDTA를 0.1% 용해하고, pH 조정제로서 TMAH를 사용하고 pH 12가 되도록 조정한 세정제를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
실시예 4
트리에탄올아민 대신에 본 발명에 따른 화합물인 에틸렌디아민을 0.5% 용해하고, pH 조정제로서 구연산을 사용하여 pH 5가 되도록 조정한 세정제를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
실시예 5
트리에탄올아민 대신에 본 발명에 따른 화합물인 니트릴로트리스(메틸렌포스폰산)를 0.2% 및 에탄올아민을 0.8% 용해한 세정제(pH 12)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
실시예 6
트리에탄올아민 대신에 본 발명에 따른 화합물인 o-페난트롤린을 0.05% 용해 하고, 또한 계면 활성제인 NCW601A [폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 와코쥰야쿠고교(주) 상품명]을 0.02% 용해한 세정제(pH 7)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
실시예 7
트리에탄올아민 대신에 본 발명에 따른 화합물인 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산)을 1% 용해하고, 또한 금속 부식 방지제인 벤조트리아졸을 0.02% 용해하고, pH 조정제로서 콜린을 사용하여 pH 9가 되도록 조정한 세정제를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
실시예 8
트리에탄올아민 대신에 본 발명에 따른 화합물인 2,2'-디히드록시아조벤젠을 0.2% 용해하고, 또한 환원제인 히드라진을 0.5% 용해한 세정제(pH 7)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
비교예 1
초순수(pH 7)만으로 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
비교예 2
트리에탄올아민 대신에 종래의 화학적 세정에서 사용되고 있는 불소화수소산을 1% 용해한 세정제(pH 1 이하)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
비교예 3
트리에탄올아민 대신에 종래의 화학적 세정에서 사용되고 있는 염산을 5% 용해한 세정제(pH 1 이하)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
비교예 4
초순수에 pH 조정제인 TMAH를 0.01% 용해한 세정제(pH 12 이상)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
비교예 5
트리에탄올아민 대신에 아세트산을 1% 용해하고, pH 조정제로서 TMAH를 사용하여 pH 5가 되도록 조정한 세정제를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
비교예 6
트리에탄올아민 대신에 아세틸아세톤을 0.01% 용해하고, pH 조정제로서 콜린을 사용하여 pH 9가 되도록 조정한 세정제를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
| 첨가제 (첨가량:중량%) | pH | CuO 오염 웨이퍼 | 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 | ||
| 잔존 CuO 농도 (원자/㎠) | 파티클의 수 (개/웨이퍼) | 금속 Cu 막 두께(㎚) | |||
| 실시예 1 | 트리에탄올아민(0.01%) | 12 | 5 ×109↓ | 30↓ | 1,000 |
| 실시예 2 | 2,2'-디피리딜(0.01%) | 7 | 2 ×1010 | 40 | 1,000 |
| 실시예 3 | EDTA(0.1%) TMAH(pH 조정제) | 12 | 1 ×1010 | 30↓ | 950 |
| 실시예 4 | 에틸렌디아민(0.5%) 구연산(pH 조정제) | 5 | 3 ×1010 | 34 | 950 |
| 실시예 5 | 니트릴로트리스 (메틸렌포스폰산)(0.2%) 에탄올아민(0.8%) | 12 | 5 ×109↓ | 30↓ | 1,000 |
| 실시예 6 | o-페난트롤린(0.05%) NCW601A(계면활성제:0.02%) | 7 | 6 ×1010 | 30↓ | 950 |
| 실시예 7 | 에틸렌디아민테트라키스 (메틸렌포스폰산) (1%) 벤조트리아졸 (금속 부식 방지제:0.02%) 콜린(pH 조정제) | 9 | 8 ×109 | 32 | 1,000 |
| 실시예 8 | 2,2'-디히드록시아조벤젠 (0.2%) 히드라진(환원제: 0.5%) | 7 | 5 ×109↓ | 30↓ | 950 |
| 비교예 1 | 무첨가 | 7 | 3 ×1014 | 259 | 1,000 |
| 비교예 2 | 불소화수소산(1%) | 1↓ | 8 ×1011 | 1,200 | 150 |
| 비교예 3 | 염산(5%) | 1↓ | 5 ×109↓ | 850 | 600 |
| 비교예 4 | TMAH(pH 조정제: 0.01%) | 12↑ | 3 ×1014 | 30↓ | 950 |
| 비교예 5 | 아세트산(1%) TMAH(pH 조정제) | 5 | 1 ×1014 | 102 | 950 |
| 비교예 6 | 아세틸아세톤(0.01%) 콜린(pH 조정제) | 9 | 4 ×1013 | 89 | 1,000 |
표 1에서부터 명백한 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 세정제(실시예 1∼8)는 CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도를 1010 오더 이하로 억제할 수 있고, 또한 웨이퍼 표면에 흡착 잔존하는 파티클의 수도 40 이하로 억제할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 세정제는 금속 Cu 퇴 적 웨이퍼 표면의 Cu 막 두께에 거의 변화를 주지 않으므로, Cu를 용해나 에칭 등을 하지 않음을 알 수 있다.
즉, 본 발명의 세정제는, 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체의 해당 Cu 배선이나 Cu 박막 등에 악영향을 미치지 않으면서, 상기 반도체 표면에 흡착 잔존하는 CuO와 파티클을 동시에 효율적으로 제거할 수 있음을 알 수 있다.
이에 대하여, 종래의 화학적 세정에서 사용되고 있는 세정제(비교예 2∼3)는 CuO의 제거 효과는 비교적 양호하지만, 파티클 제거 효과는 낮고, 더구나 금속 Cu를 현저히 용해 또는 에칭하고 있음을 알 수 있다. 또한, 비교예 1, 4∼6의 세정제는 파티클의 제거 효과는 비교적 양호하고, 또한, 금속 Cu를 용해 또는 에칭하지 않지만, CuO 제거 효과가 낮음을 알 수 있다.
이상에서, 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체의 해당 Cu 배선이나 Cu 박막 등에 악영향을 주지 않으면서, 그 반도체 표면에 흡착 잔존하는 CuO와 파티클을 동시에 효율적으로 제거할 수 있는 것은, 본원 발명에 따른 화합물을 함유하는 세정제 뿐임을 알 수 있다.
실시예 9
실시예 3의 세정제(초순수 중에 본 발명에 따른 화합물인 EDTA를 0.1% 용해하고, pH 조정제로서 TMAH를 사용하여 pH 12가 되도록 조정한 것)를 세정조에 넣어, 상기 방법으로 제작한 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 실온하에서, 1 MHz의 고주파를 인가하면서 10 분간 침지하였다. 그 후, 웨이퍼를 세정조에서 빼내어, 초순수로 10 분간 린스하고, 스핀 건조시켰다. 이와 같이 처리한 CuO 오염 웨이퍼 표면에 대해서는, 불순물 제거 능력을 평가하기 위해서, 웨이퍼 표면에 흡착 잔존하고 있는 잔존 CuO 농도와 파티클의 수를 측정하고, 또한, 금속 Cu 퇴적 웨이퍼에 대해서는, 금속 Cu의 부식 유무를 확인하기 위해서, 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다. 한편, 표 2 중의 ↑은 이상을, ↓은 이하를 각각 나타낸다.
비교예 7
실시예 3의 세정제 대신에 비교예 4의 세정제 [초순수에 pH 조정제인 TMAH를 0.01% 용해한 것 (pH 12 이상)]를 사용한 것 이외에는 실시예 9와 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 2에 함께 나타낸다.
| 첨가제 (첨가량:중량%) | pH | CuO 오염 웨이퍼 | 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 | ||
| 잔존 CuO 농도 (원자/㎠) | 파티클의 수 (개/웨이퍼) | 금속 Cu 막 두께(㎚) | |||
| 실시예 9 | EDTA(0.1%) TMAH(pH 조정제) | 12 | 5 ×109↓ | 30↓ | 1,000 |
| 비교예 7 | TMAH(pH 조정제: 0.01%) | 12↑ | 1 ×1013 | 30↓ | 1,000 |
표 1 및 표 2에서 명백한 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 세정제는 화학적 세정과 물리적 세정(고주파 세정)을 병용함으로써(실시예 9), 화학적 세정만을 행한 경우(실시예 3)에 비해서, 보다 효과적으로 CuO를 제거할 수 있음을 알 수 있다.
이에 대하여, 종래의 세정제는 화학적 세정만을 행한 경우(비교예 4)에 비해서, 화학적 세정과 물리적 세정을 조합시킨 경우(비교예 7) 쪽이 CuO 제거 효과가 향상되고 있지만, 그 효과는 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 세정제를 사용하여 화학적 세정만을 행한 경우보다도 낮아 불충분하다는 것을 알 수 있다.
실시예 10
실시예 4의 세정제(초순수 중에 본 발명에 따른 화합물인 에틸렌디아민을 0.5% 용해하고, pH 조정제로서 구연산을 사용하여 pH 5가 되도록 조정한 것)를, 실온하에서, 상기 방법으로 제작한 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼에 상기 세정제를 샤워형으로 뿌리면서, 1 분간, 고속 회전의 폴리비닐알콜제 브러시로 세정하였다. 그 후, 웨이퍼를 초순수로 10 분간 린스하고, 스핀 건조시켰다. 이와 같이 처리한 CuO 오염 웨이퍼 표면에 대해서는, 불순물 제거 능력을 평가하기 위해서, 웨이퍼 표면에 흡착 잔존하고 있는 잔존 CuO 농도와 파티클의 수를 측정하고, 또한, 금속 Cu 퇴적 웨이퍼에 대해서는 금속 Cu의 부식 유무를 확인하기 위해서, 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 3에 나타낸다. 한편, 표 3에서 ↑은 이상을, ↓은 이하를 각각 나타낸다.
비교예 8
실시예 4의 세정제 대신에 비교예 5의 세정제(초순수 중에 아세트산을 1% 용해하고, pH 조정제로서 TMAH를 사용하여 pH 5가 되도록 조정한 것)를 사용한 것 이외에는 실시예 10과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 3에 함께 나타낸다.
| 첨가제 (첨가량:중량%) | pH | CuO 오염 웨이퍼 | 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 | ||
| 잔존 CuO 농도 (원자/㎠) | 파티클의 수 (개/웨이퍼) | 금속 Cu 막 두께 (㎚) | |||
| 실시예 10 | 에틸렌디아민(0.5%) 구연산(pH 조정제) | 5 | 5 ×109↓ | 30↓ | 950 |
| 비교예 8 | 아세트산(1%) TMAH(pH 조정제) | 5 | 9 ×1012 | 51 | 950 |
표 1 및 표 3에서 명백한 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 세정제는 화학적 세정과 물리적 세정(브러시 스크럽 세정)을 병용함으로써(실시예 10), 화학적 세정만을 한 경우(실시예 4)에 비해서, 보다 효과적으로 CuO와 파티클을 제거할 수 있음을 알 수 있다.
이에 대하여, 종래의 세정제는 화학적 세정만을 행한 경우(비교예 5)에 비해서, 화학적 세정과 물리적 세정을 조합시킨 경우(비교예 8)가 CuO 제거 효과가 향상되고 있지만, 그 효과는 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 세정제를 사용하여 화학적 세정만을 한 경우보다도 낮아 불충분한 것임을 알 수 있다.
실시예 11
트리에탄올아민 대신에 본 발명에 따른 화합물인 에틸렌디아민을 0.5% 용해하고, 또한 금속 부식 방지제인 머캅토이미다졸을 0.001% 용해하고, pH 조정제로서 구연산을 사용하여 pH 10이 되도록 조정한 세정제를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 4에 나타낸다.
실시예 12
트리에탄올아민 대신에 본 발명에 따른 화합물인 에틸렌디아민을 0.5% 용해하고, 또한 금속 부식 방지제인 3-머캅토-1-프로판올을 0.01% 용해하고, pH 조정제로서 구연산을 사용하여 pH 10이 되도록 조정한 세정제를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 CuO 오염 웨이퍼 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼를 처리한 후, CuO 오염 웨이퍼 표면의 잔존 CuO 농도와 파티클의 수 및 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 표면의 금속 Cu 막 두께를 측정하였다. 결과를 표 4에 함께 나타낸다. 한편, 비교예 1∼6의 결과도 아울러 표 4에 나타낸다.
| 첨가제 (첨가량:중량%) | pH | CuO 오염 웨이퍼 | 금속 Cu 퇴적 웨이퍼 | ||
| 잔존 CuO 농도 (원자/㎠) | 파티클의 수 (개/웨이퍼) | 금속 Cu 막 두께(㎚) | |||
| 실시예11 | 에틸렌디아민(0.5%) 머캅토이미다졸 (금속 부식 방지제: 0.001%) 구연산(pH 조정제) | 10 | 5 ×1010 | 35 | 1,000 |
| 실시예12 | 에틸렌디아민(0.5%) 3-머캅토-1-프로판올 (금속 부식 방지제: 0.01%) 구연산(pH 조정제) | 10 | 2 ×1010 | 35 | 1,000 |
| 비교예 1 | 무첨가 | 7 | 3 ×1014 | 259 | 1,000 |
| 비교예 2 | 불소화수소산(1%) | 1↓ | 8 ×1011 | 1,200 | 150 |
| 비교예 3 | 염산(5%) | 1↓ | 5 ×109↓ | 850 | 600 |
| 비교예 4 | TMAH(pH 조정제: 0.01%) | 12↑ | 3 ×1014 | 30↓ | 950 |
| 비교예 5 | 아세트산(1%) TMAH(pH 조정제) | 5 | 1 ×1014 | 102 | 950 |
| 비교예 6 | 아세틸아세톤(0.01%) 콜린(pH 조정제) | 9 | 4 ×1013 | 89 | 1,000 |
표 4로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 세정제는 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체의 해당 Cu 배선이나 Cu 박막 등에 악영향을 미치는 일 없이, 그 반도체 표면에 흡착 잔존하는 CuO와 파티클을 동시에 효율적으로 제거할 수 있음을 알 수 있다.
이상에서, 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체의 해당 Cu 배선이나 Cu 박막 등에 악영향을 미치는 일 없이, 그 반도체 표면에 흡착 잔존하는 CuO와 파티클을 동시에 효율적으로 제거할 수 있는 것은, 본원 발명에 따른 화합물을 함유하는 세정제 뿐임을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체 표면에 흡착 잔존하는 CuO와 파티클을 동시에 제거할 수 있고, 또한 Cu 배선이나 Cu 박막, 층간 절연막인 SiO2를 부식시키지 않는 세정제 및 세정 방법을 제공하는 것으로, 본 발명의 세정제를 사용하여, 표면에 Cu 배선이 형성된 반도체 표면을 세정하면, CuO만을 선택적으로 용해시킬 수 있기 때문에, Cu 배선이나 Cu 박막, 층간 절연막인 SiO2 등을 부식시키지 않고서, 반도체 표면의 CuO와 파티클을 동시에 제거할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
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- - 하기 화학식 1'로 나타낸 화합물;- 글리신;- 알라닌;- 퀴날딘산;- 디아미노벤젠 및 디아미노나프탈렌으로 구성된 군에서 선택되는방향족 디아민류;- 요소 및 요산으로 구성된 군에서 선택되는 요소류;- 티오요소 및 티오세미카르바지드로 구성된 군에서 선택되는 티오요소류;- 화학식 3으로 나타낸 화합물;- 화학식 4로 나타낸 화합물;- 화학식 5로 나타낸 화합물; 또는- o-페난트롤린 혹은 그 유도체를 포함하여 이루어지는, 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면용 세정제.화학식 1'
(상기 화학식에서, R1' 및 R2'는 알킬기를 나타내고, R3'는 수소 원자 또는 알킬기를 나타냄),화학식 3
(상기 화학식에서, R8∼R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기 혹은 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타내고, Y2 및 Y3은 각각 독립적으로 알킬렌기를 나타내고, n은 1 이상의 정수를 나타냄),화학식 4
(상기 화학식에서, X는 =CR14 또는 질소 원자를 나타내고, R13∼R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 히드록실기 또는 카르복실기를 갖고 있더라도 좋은 탄화수소기, 또는 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기를 나타냄),화학식 5
(상기 화학식에서, R16 및 R17은 각각 독립적으로 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기를 나타냄). - 제26항에 있어서, 글리신 또는 알라닌을 포함하는 것인 세정제.
- 제26항에 있어서, 화학식 3으로 나타낸 화합물이 디에틸렌트리아민 또는 트리에틸렌테트라민인 것인 세정제.
- 제26항에 있어서, 화학식 5로 나타낸 화합물이 2,2'-디피리딜 또는 4,4'-디피리딜인 것인 세정제.
- 제26항 내지 제29항 중 어느 하나의 항에 있어서, 약산성 내지 알칼리성인 것인 세정제.
- 제30항에 있어서, 약산성 내지 알칼리성이 pH 5∼12인 것인 세정제.
- 제26항 내지 제29항 중 어느 하나의 항에 있어서, pH 조정제로서 제4급 아민을 더 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제32항에 있어서, 제4급 아민이 테트라메틸암모늄히드록시드 또는 콜린인 것인 세정제.
- 제26항 내지 제29항 중 어느 하나의 항에 있어서, pH 조정제로서 카르복실산류, 이들의 유도체, 또는 이들의 염을 더 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제34항에 있어서, 카르복실산류, 이들의 유도체, 또는 이들의 염이 구연산, 옥살산, 프탈산, 주석산, 이들의 유도체 및 이들의 염으로 구성된 군에서 선택되는 것인 세정제.
- 제26항 내지 제29항 중 어느 하나의 항에 있어서, 금속 부식 방지제를 더 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제36항에 있어서, 금속 부식 방지제가 벤조트리아졸 혹은 그 유도체, 티오요소류 또는 머캅토티아졸, 머캅토에탄올 및 티오글리세롤로 구성된 군에서 선택되는 티올 화합물인 것인 세정제.
- 제26항 내지 제29항 중 어느 하나의 항에 있어서, 환원제를 더 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제38항에 있어서, 환원제가 아스코르빈산인 것인 세정제.
- 제26항 내지 제29항 중 어느 하나의 항에 있어서, 계면활성제를 더 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제40항에 있어서, 계면활성제가 비이온성 계면활성제인 것인 세정제.
- 하기 화학식 1', 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 혹은 화학식 5로 나타낸 화합물, 또는 o-페난트롤린 혹은 그 유도체를 포함하여 이루어지고, 약산성 내지 알칼리성인, 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면용 세정제.화학식 1'
{상기 화학식에서, R1'은 히드록실기, 카르복실기 혹은 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기, 하기 화학식 6으로 나타낸 기 또는 하기 화학식 7로 나타낸 기이고,화학식 6
화학식 7
(상기 화학식에서, R 및 R'은 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타냄),R2' 및 R3'은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기, 카르복실기 혹은 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타냄},화학식 2
(상기 화학식에서, R4∼R7은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기, 카르복실기 혹은 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타내고, Y1은 결합손, 2가의 탄화수소기,또는
을 나타냄),
화학식 3
(상기 화학식에서, R8∼R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기, 카르복실기 혹은 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타내고, Y2 및 Y3은 각각 독립적으로 알킬렌기를 나타내고, n은 1 이상의 정수를 나타냄),화학식 4
(상기 화학식에서, X는 =CR14 또는 질소 원자를 나타내고, R13∼R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 히드록실기 혹은 카르복실기를 갖고 있더라도 좋은 탄화수소기, 또는 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기를 나타냄),화학식 5
(상기 화학식에서, R16 및 R17은 각각 독립적으로, 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기를 나타냄). - 제42항에 있어서, 화학식 1'로 나타낸 화합물이 글리신 또는 알라닌인 것인 세정제.
- 제42항에 있어서, 화학식 2로 나타낸 화합물이 에틸렌디아민, 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산) 및 티오요소로 구성된 군에서 선택되는 것인 세정제.
- 제42항에 있어서, 화학식 3으로 나타낸 화합물이 디에틸렌트리아민, 디에틸렌트리아민-N,N,N',N",N"-5아세트산 또는 트리에틸렌테트라민인 것인 세정제.
- 제42항에 있어서, 화학식 5로 나타낸 화합물이 2,2'-디피리딜 또는 4,4'-디피리딜인 것인 세정제.
- 제42항 내지 제46항 중 어느 하나의 항에 있어서, 약산성 내지 알칼리성이 pH 5∼12인 것인 세정제.
- 제42항 내지 제46항 중 어느 하나의 항에 있어서, pH 조정제를 더 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제42항 내지 제46항 중 어느 하나의 항에 있어서, 금속 부식 방지제를 더 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제48항에 있어서, pH 조정제가 카르복실산류, 이들의 유도체, 이들의 염 및 제4급 아민류로 구성된 군에서 선택되는 것인 세정제.
- 제50항에 있어서, 카르복실산류, 이들의 유도체, 또는 이들의 염이 구연산, 옥살산, 프탈산, 주석산, 이들의 유도체 및 이들의 염으로 구성된 군에서 선택되는 것인 세정제.
- 제50항에 있어서, 제4급 아민이 테트라메틸암모늄히드록시드 또는 콜린인 것인 세정제.
- 제49항에 있어서, 금속 부식 방지제가 벤조트리아졸 혹은 그 유도체, 티오요소류 또는 머캅토티아졸, 머캅토에탄올 및 티오글리세롤로 구성된 군에서 선택되는 티올 화합물인 것인 세정제.
- 제42항 내지 제46항 중 어느 하나의 항에 있어서, 환원제를 더 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제54항에 있어서, 환원제가 아스코르빈산인 것인 세정제.
- 제42항 내지 제46항 중 어느 하나의 항에 있어서, 계면활성제를 더 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제56항에 있어서, 계면활성제가 비이온성 계면활성제인 것인 세정제.
- 제48항에 있어서, pH 조정제를 0.0001∼10 중량% 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제49항에 있어서, 금속 부식 방지제를 0.01∼5 중량% 포함하여 이루어지는 것인 세정제.
- 제42항 내지 제46항 중 어느 하나의 항에 있어서, 표면에 구리 배선이 형성된 반도체가 화학적 물리적 연마 공정으로 처리된 후의 것인 세정제.
- 하기 화학식 1', 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 혹은 화학식 5로 나타낸 화합물, 또는 o-페난트롤린 혹은 그 유도체를 포함하여 이루어지고, 약산성 내지 알칼리성인, 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면용 산화구리 및 파티클의 동시 제거제.화학식 1'
{상기 화학식에서, R1'은 히드록실기, 카르복실기 혹은 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기, 하기 화학식 6으로 나타낸 기 또는 하기 화학식 7로 나타낸 기이고,화학식 6
화학식 7
(상기 화학식에서, R 및 R'은 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타냄),R2' 및 R3'은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기, 카르복실기 혹은 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타냄},화학식 2
(상기 화학식에서, R4∼R7은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기, 카르복실기 혹은 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타내고, Y1은 결합손, 2가의 탄화수소기,또는
을 나타냄),
화학식 3
(상기 화학식에서, R8∼R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록실기, 카르복실기 혹은 포스폰산기를 갖고 있더라도 좋은 알킬기를 나타내고, Y2 및 Y3은 각각 독립적으로 알킬렌기를 나타내고, n은 1 이상의 정수를 나타냄),화학식 4
(상기 화학식에서, X는 =CR14 또는 질소 원자를 나타내고, R13∼R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 히드록실기 혹은 카르복실기를 갖고 있더라도 좋은 탄화수소기, 또는 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기를 나타냄),화학식 5
(상기 화학식에서, R16 및 R17은 각각 독립적으로, 질소 원자를 구성 원자로서 포함하는 복소환에서 유래하는 1가의 기를 나타냄). - 화학적 물리적 연마 공정으로 처리된 후의 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면을 제26항 또는 제42항에 기재한 세정제로 처리하는 것을 특징으로 하는 화학적 물리적 연마 공정으로 처리된 후의 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면의 세정 방법.
- 화학적 물리적 연마 공정으로 처리된 후의 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면을 제26항 또는 제42항에 기재한 세정제의 존재하에 물리적 세정 공정으로 처리하는 것을 특징으로 하는, 화학적 물리적 연마 공정으로 처리된 후의 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면의 세정 방법.
- 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면을 제61항에 기재한 제거제로 처리하는 것을 특징으로 하는 표면에 구리 배선이 형성된 반도체 표면에 잔존하는 산화구리 및 파티클을 동시에 제거하는 방법.
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Families Citing this family (84)
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| US7208049B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment |
| US7582564B2 (en) * | 2001-03-14 | 2009-09-01 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing |
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| US7232514B2 (en) | 2001-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US6899804B2 (en) * | 2001-04-10 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing |
| US20030119692A1 (en) | 2001-12-07 | 2003-06-26 | So Joseph K. | Copper polishing cleaning solution |
| US20070295611A1 (en) * | 2001-12-21 | 2007-12-27 | Liu Feng Q | Method and composition for polishing a substrate |
| TWI257126B (en) * | 2002-07-25 | 2006-06-21 | Hitachi Chemical Co Ltd | Slurry and polishing method |
| JP4752270B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2011-08-17 | 和光純薬工業株式会社 | 洗浄液及びそれを用いた洗浄方法 |
| AU2003294291A1 (en) * | 2002-11-18 | 2004-06-15 | Aramco Services Company | Descaling and corrosion inhibiting composition |
| US6858527B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-02-22 | Intel Corporation | Method to increase electromigration resistance of copper using self-assembled organic thiolate monolayers |
| US7390429B2 (en) * | 2003-06-06 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing |
| US20050092620A1 (en) * | 2003-10-01 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for polishing a substrate |
| US8372757B2 (en) | 2003-10-20 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing |
| US20050090106A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Jinru Bian | Method of second step polishing in copper CMP with a polishing fluid containing no oxidizing agent |
| TWI362415B (en) * | 2003-10-27 | 2012-04-21 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Novel detergent and method for cleaning |
| US7205235B2 (en) * | 2003-12-15 | 2007-04-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for reducing corrosion of metal surfaces during semiconductor processing |
| CN1312745C (zh) * | 2003-12-16 | 2007-04-25 | 上海华虹（集团）有限公司 | 一种去除铜籽晶表面氧化膜及增强铜层黏附力的前处理方法 |
| US7390744B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US7435712B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
| US20050205835A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Tamboli Dnyanesh C | Alkaline post-chemical mechanical planarization cleaning compositions |
| KR100585139B1 (ko) * | 2004-04-12 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정액의 금속 측정 시약과 웨이퍼 세정액의 금속오염 모니터링 장치 및 방법 |
| KR100663624B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2007-01-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
| KR100606187B1 (ko) * | 2004-07-14 | 2006-08-01 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 기판 세정용 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법 |
| US7084064B2 (en) | 2004-09-14 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing |
| JP2008516419A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-15 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド | ウェハー様物の加工のためのオゾンの使用 |
| US20060154186A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings |
| US20060157080A1 (en) * | 2005-01-20 | 2006-07-20 | Teng-Chun Tsai | Cleaning method for semiconductor wafer |
| WO2006081406A1 (en) * | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
| US7923423B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
| TW200727356A (en) * | 2005-01-28 | 2007-07-16 | Applied Materials Inc | Tungsten electroprocessing |
| US20060169674A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Daxin Mao | Method and composition for polishing a substrate |
| US20060249394A1 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for electrochemical mechanical polishing |
| US20060249395A1 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-09 | Applied Material, Inc. | Process and composition for electrochemical mechanical polishing |
| JP2008543060A (ja) * | 2005-05-26 | 2008-11-27 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 銅不活性化化学機械研磨後洗浄組成物及び使用方法 |
| KR100660344B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2006-12-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
| TW200734448A (en) * | 2006-02-03 | 2007-09-16 | Advanced Tech Materials | Low pH post-CMP residue removal composition and method of use |
| US20070225186A1 (en) * | 2006-03-27 | 2007-09-27 | Matthew Fisher | Alkaline solutions for post CMP cleaning processes |
| US20070254485A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Daxin Mao | Abrasive composition for electrochemical mechanical polishing |
| US20080076688A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Barnes Jeffrey A | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use |
| US8685909B2 (en) | 2006-09-21 | 2014-04-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antioxidants for post-CMP cleaning formulations |
| EP2082024A4 (en) * | 2006-09-25 | 2010-11-17 | Advanced Tech Materials | COMPOSITIONS AND METHODS FOR REMOVING A PHOTORESISTANT AGENT FOR RECYCLING A SILICON GALETTE |
| JP4963948B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2012-06-27 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| CN101627463B (zh) * | 2007-03-13 | 2012-05-30 | 富士通株式会社 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
| CN102839062A (zh) * | 2007-08-22 | 2012-12-26 | 大金工业株式会社 | 残渣除去液的使用 |
| JP2009099945A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法 |
| KR101533970B1 (ko) | 2007-12-21 | 2015-07-06 | 와코 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤 | 에칭제, 에칭방법 및 에칭제 조제액 |
| US7919446B1 (en) * | 2007-12-28 | 2011-04-05 | Intermolecular, Inc. | Post-CMP cleaning compositions and methods of using same |
| TWI460557B (zh) * | 2008-03-07 | 2014-11-11 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 半導體表面用處理劑組成物及使用半導體表面用處理劑組成物之半導體表面處理方法 |
| CN101255386B (zh) * | 2008-04-07 | 2011-03-30 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 半导体硅片化学机械抛光用清洗液 |
| JP5561914B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-07-30 | 関東化学株式会社 | 半導体基板洗浄液組成物 |
| US8747564B2 (en) * | 2008-08-25 | 2014-06-10 | Daikin Industries, Ltd. | Solution for removal of residue after semiconductor dry process and residue removal method using same |
| US9074170B2 (en) | 2008-10-21 | 2015-07-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper cleaning and protection formulations |
| WO2010118206A2 (en) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | Sunsonix | Process and apparatus for removal of contaminating material from substrates |
| US9005367B2 (en) * | 2009-05-07 | 2015-04-14 | Basf Se | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices |
| US8765653B2 (en) * | 2009-07-07 | 2014-07-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and method for post-CMP cleaning |
| WO2011028667A2 (en) | 2009-09-02 | 2011-03-10 | Novellus Systems, Inc. | Reduced isotropic etchant material consumption and waste generation |
| JP5646882B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-12-24 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2011082374A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | C Uyemura & Co Ltd | 中和還元剤及びデスミア方法 |
| SG182789A1 (en) * | 2010-01-29 | 2012-09-27 | Advanced Tech Materials | Cleaning agent for semiconductor provided with metal wiring |
| JP5508130B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法 |
| TWI496523B (zh) * | 2010-07-06 | 2015-08-11 | Esionic Corp | 處理銅表面以增進其對用於印刷電路板之有機基材之黏著的方法 |
| CN107039516B (zh) * | 2011-05-18 | 2020-07-10 | 住友电气工业株式会社 | 化合物半导体衬底 |
| JP6066552B2 (ja) * | 2011-12-06 | 2017-01-25 | 関東化學株式会社 | 電子デバイス用洗浄液組成物 |
| JP5924761B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-05-25 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄液、及び防食剤 |
| JP6123334B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-05-10 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
| SG11201406961PA (en) | 2012-04-27 | 2014-11-27 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Cleaning agent for semiconductor substrates and method for processing semiconductor substrate surface |
| TWI561615B (en) * | 2012-07-24 | 2016-12-11 | Ltc Co Ltd | Composition for removal and prevention of formation of oxide on surface of metal wiring |
| WO2014123126A1 (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
| KR101692757B1 (ko) * | 2013-04-18 | 2017-01-04 | 제일모직 주식회사 | 절연막용 린스액 및 절연막의 린스 방법 |
| JP6203525B2 (ja) * | 2013-04-19 | 2017-09-27 | 関東化學株式会社 | 洗浄液組成物 |
| JP6488740B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2019-03-27 | 三菱ケミカル株式会社 | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
| JP2015203047A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
| CN104498231A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-08 | 镇江市港南电子有限公司 | 一种太阳能硅片的清洗剂配方 |
| JP6991711B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2022-01-12 | 関東化学株式会社 | 洗浄液組成物 |
| JP7122258B2 (ja) | 2017-01-17 | 2022-08-19 | 株式会社ダイセル | 半導体基板洗浄剤 |
| JPWO2018174092A1 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-01-30 | 三菱ケミカル株式会社 | 半導体デバイス用基板の洗浄液、半導体デバイス用基板の洗浄方法、半導体デバイス用基板の製造方法及び半導体デバイス用基板 |
| KR102687599B1 (ko) * | 2018-12-21 | 2024-07-24 | 주식회사 케이씨텍 | 세정액 조성물 및 그것을 이용한 세정 방법 |
| JP2020107641A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | Jsr株式会社 | 半導体表面処理用組成物及び半導体表面の処理方法 |
| WO2021131452A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社 | 洗浄液、洗浄方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09255991A (ja) * | 1996-03-21 | 1997-09-30 | Hitachi Ltd | 表面処理液および基板表面処理方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50158281A (ko) * | 1974-06-10 | 1975-12-22 | ||
| DE3712329A1 (de) * | 1987-04-11 | 1988-10-20 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von serin-n,n-diessigsaeure und derivaten, ihre verwendung insbesondere als komplexbildner und diese enthaltende wasch- und reinigungsmittel |
| JP2599021B2 (ja) * | 1989-11-09 | 1997-04-09 | 新日本製鐵株式会社 | シリコンウエハのエッチング方法および洗浄方法 |
| JP2906590B2 (ja) * | 1990-06-14 | 1999-06-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | アルミニウム配線半導体基板の表面処理剤 |
| US5466389A (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-14 | J. T. Baker Inc. | PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates |
| KR960005765A (ko) * | 1994-07-14 | 1996-02-23 | 모리시다 요이치 | 반도체 장치의 배선형성에 이용하는 무전해 도금욕 및 반도체 장치의 배선성형방법 |
| DE19525521B4 (de) * | 1994-07-15 | 2007-04-26 | Lam Research Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Fremont | Verfahren zum Reinigen von Substraten |
| US5561105A (en) * | 1995-05-08 | 1996-10-01 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Chelating reagent containing photoresist stripper composition |
| EP0789071B1 (en) * | 1995-07-27 | 2006-10-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method for treating surface of substrate and surface treatment composition therefor |
| JP3219020B2 (ja) * | 1996-06-05 | 2001-10-15 | 和光純薬工業株式会社 | 洗浄処理剤 |
| TW416987B (en) * | 1996-06-05 | 2001-01-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | A composition for cleaning the semiconductor substrate surface |
| JP3755776B2 (ja) * | 1996-07-11 | 2006-03-15 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 |
| JPH1140526A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Hitachi Ltd | 配線形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| TW387936B (en) * | 1997-08-12 | 2000-04-21 | Kanto Kagaku | Washing solution |
| JPH1197400A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Nippon Steel Corp | 半導体ウエハの化学機械研磨後の基板洗浄方法 |
| US5997658A (en) * | 1998-01-09 | 1999-12-07 | Ashland Inc. | Aqueous stripping and cleaning compositions |
| JPH11283953A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄液及びその洗浄方法 |
| JP3180779B2 (ja) | 1998-10-05 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001181854A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-03 | Ebara Corp | 無電解めっき液及びこれを用いた配線形成方法 |
| JP3869608B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2007-01-17 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 防食剤 |
| JP3907151B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| TWI229123B (en) * | 2000-03-03 | 2005-03-11 | Nec Electronics Corp | Anticorrosive treating concentrate |
| WO2002094462A1 (fr) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Procede de nettoyage de la surface d'un substrat |
| US6620215B2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-09-16 | Dynea Canada, Ltd. | Abrasive composition containing organic particles for chemical mechanical planarization |
| US6773873B2 (en) * | 2002-03-25 | 2004-08-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates |
-
2001
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09255991A (ja) * | 1996-03-21 | 1997-09-30 | Hitachi Ltd | 表面処理液および基板表面処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030083214A1 (en) | 2003-05-01 |
| US7375066B2 (en) | 2008-05-20 |
| JP4821082B2 (ja) | 2011-11-24 |
| CN1267972C (zh) | 2006-08-02 |
| JPWO2001071789A1 (ja) | 2004-03-04 |
| AU2001241190A1 (en) | 2001-10-03 |
| WO2001071789A1 (fr) | 2001-09-27 |
| TWI246123B (en) | 2005-12-21 |
| CN1872976A (zh) | 2006-12-06 |
| KR20020084189A (ko) | 2002-11-04 |
| CN1419709A (zh) | 2003-05-21 |
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