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KR100726990B1 - 전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

전계발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100726990B1
KR100726990B1 KR1020060041720A KR20060041720A KR100726990B1 KR 100726990 B1 KR100726990 B1 KR 100726990B1 KR 1020060041720 A KR1020060041720 A KR 1020060041720A KR 20060041720 A KR20060041720 A KR 20060041720A KR 100726990 B1 KR100726990 B1 KR 100726990B1
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South Korea
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wiring
electrode
exposed
forming
light emitting
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Inventor
이춘탁
Original Assignee
엘지전자 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

본 발명은 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전계발광소자는, 기판; 기판 상에 위치하는 하나 이상의 배선 및 제1전극; 배선의 일부 영역 또는 전체 및 제1전극 상에 위치하며 배선이 노출된 하나 이상의 노출부를 갖는 절연막; 제1전극 상에 위치하는 하나 이상의 발광부; 발광부 상에 위치하는 하나 이상의 제2전극; 및 배선을 노출시키는 노출부 내에 위치하는 금속막을 포함한다.
전계발광소자, 배선, 격벽

Description

전계발광소자 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE and METHOD FOR MANUFACTURING the same}
도 1a는 종래 전계발광소자를 나타낸 도면.
도 1b는 도 1a의 A 영역의 사시도.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자를 나타낸 도면.
도 2b는 도 2a의 B 영역의 사시도.
도 2c는 도 2a의 V영역을 확대한 확대도.
도 2d는 도 2c의 C-C까지 절단한 절단면도.
도 3a 및 도 3b는 도 2c및 도 2d의 변형된 실시예를 나타낸 도면.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 전계발광소자의 개략도.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
210: 기판 220: 제1전극
225: 배선 230: 절연막
235: 오픈부 236: 콘택홀
237: 노출부 240: 제1격벽
245: 제2격벽 250: 발광부
260: 제2전극
본 발명은 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전계발광표시장치에 사용되는 전계발광소자는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다. 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기전계발광소자와 유기전계발광소자로 나눌 수 있었다.
또한, 전계발광소자는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식과 배면발광(Bottom-Emission) 방식이 있고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix)으로 나누어져 있다.
이하, 도시된 도면을 참조하여 종래 전계발광소자를 설명한다.
도 1a는 종래 전계발광소자를 나타낸 도면이고, 도 1b는 도 1a A영역의 사시도 이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 종래 전계발광소자(100)는, 기판(110) 상에 애노드 전극(120)을 비롯한 스캔배선(125)이 형성되어 있고, 애노드 전극(120)을 절연하는 절연막(130)이 애노드 전극(120) 상에 형성되어 있다.
여기서, A 영역과 X 영역은 보다 상세한 내부를 나타내기 위하여 캐소드 전극(160)을 드러내어 도시한다. 이러한 절연막(130)에는 유기 발광부(150)를 형성할 수 있도록 오픈부(135)가 형성되어 있다. 그리고 캐소드 전극(160)과 스캔배선(125)이 전기적으로 연결되도록 콘택부(126)가 형성된 영역에 대응하여 콘택 홀(136)이 형성되어 있다.
덧붙여, 절연막(130) 상에는 격벽(140)이 오버행 또는 역 테이퍼 형상으로 형성되어 있어, 캐소드 전극(160)은 격벽(140)에 의해 각각 구분되어 스캔배선(125)의 콘택부(126)와 발광부(150)에 전기적으로 연결되어 있다.
그러나 위와 같은 종래 전계발광소자(100)는, 스캔배선(125)으로부터 입력된 신호가 캐소드 전극(160)을 통해 공급될 때, 캐소드 전극(160)에 신호 전송 용량에 따른 발열이나 부하 등에 의해 저항이 증가하는 문제가 발생하였다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 배선 상에 금속막을 형성하여 저저항 배선 구조를 제공함으로써, 전계발광소자의 신뢰성을 확보하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명에 따른 전계발광소자는, 기판; 기판 상에 위치하는 하나 이상의 배선 및 제1전극; 배선의 일부 영역 또는 전체 및 제1전극 상에 위치하며 배선이 노출된 하나 이상의 노출부를 갖는 절연막; 제1전극 상에 위치하는 하나 이상의 발광부; 발광부 상에 위치하며 배선과 전기적으로 연결된 하나 이상의 제2전극; 및 배선을 노출시키는 노출부 내에 위치하는 금속막을 포함한다.
여기서, 노출부는, 배선의 길이에 따라 노출된 영역이 다른 것일 수 있다.
여기서, 노출부는, 배선이 짧게 배선된 영역보다 길게 배선된 영역으로 갈수 록 배선이 점차 더 노출된 것일 수 있다.
여기서, 배선의 어느 한 부분에는, 제2전극과 전기적으로 연결된 콘택부를 포함하며, 노출부는, 콘택부의 인접 영역부터 배선의 꺾이는 영역까지 형성된 것일 수 있다.
여기서, 금속막은, 제2전극과 동일한 재료일 수 있다.
여기서, 절연막 상에는, 발광부와 구분되는 제1격벽이 하나 이상 위치하는 것을 포함하며, 제2전극은 제1격벽에 의해 분리 형성된 것일 수 있다.
여기서, 절연막 상에는, 배선의 일부 영역 또는 전체에 위치하여 배선을 구분하는 제2격벽이 하나 이상 위치하는 것을 포함하며, 금속막은 제2격벽에 의해 노출부 내에 각각 구분되어 위치하는 것일 수 있다.
여기서, 제2격벽은, 배선이 노출된 노출부의 형상에 대응하도록 배선의 인접 영역에서 노출부를 둘러싸도록 형성된 것일 수 있다.
여기서, 제1격벽과 제2격벽은, 역 테이퍼 형상인 것일 수 있다.
여기서, 발광부는, 유기층으로 형성된 것일 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 전계발광소자의 제조방법은, 기판 상에 배선 및 제1전극을 하나 이상 형성하는 배선 및 제1전극 형성단계; 배선의 일부 영역 또는 전체 및 제1전극 상에 형성하여 배선이 노출된 하나 이상의 노출부와, 제1전극이 노출된 하나 이상의 오픈부를 갖는 절연막을 형성하는 절연막 형성단계; 제1전극 상에 위치하는 절연막 상에 형성하여 오픈부와 구분되도록 제1격벽을 하나 이상 형성하는 제1격벽 형성단계; 배선의 일부 영역 또는 전체에 위치하는 절연막 상에 형성하여 노출부와 구분되도록 제2격벽을 하나 이상 형성하는 제2격벽 형성단계; 오픈부 내에 발광부를 하나 이상 형성하는 발광부 형성단계; 발광부 상에 형성하여 배선과 전기적으로 연결되도록 제2전극을 하나 이상 형성하는 제2전극 형성단계; 및 배선 상에 위치하는 노출부 내에 금속막을 형성하는 금속막 형성단계를 포함한다.
여기서, 노출부는, 배선의 길이에 따라 노출된 영역이 다르도록 하는 것일 수 있다.
여기서, 노출부는, 배선이 짧게 배선된 영역보다 길게 배선된 영역으로 갈수록 배선을 점차 더 노출되도록 형성하는 것일 수 있다.
여기서, 제2격벽은, 배선이 노출된 노출부의 형상에 대응하도록 배선의 인접 영역에서 노출부를 둘러싸도록 형성하는 것일 수 있다.
여기서, 제1격벽 형성단계와 제2격벽 형성단계는, 동일 공정 단계이며, 제1 및 제2격벽은 역 테이퍼 형상일 수 있다.
여기서, 제2전극 형성단계와 금속막 형성단계는, 동일 공정 단계이며, 제1 및 제2격벽에 의해 발광부 상에는 제2전극으로 형성되고, 노출부 내에는 금속막으로 각각 분리 형성되는 것일 수 있다.
여기서, 발광부는, 유기층으로 형성하는 것일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
<일실시예>
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자를 나타낸 도면이고, 도 2b는 도 2a의 B 영역의 사시도 이며, 도 2c는 도 2a의 V영역을 확대한 확대도이고, 도 2d는 도 2c의 C-C까지 절단한 절단면도이며, 도 3a 및 도 3b는 도 2c 및 도 2d의 변형된 실시예를 나타낸 도면이고, 도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 전계발광소자의 개략도이다.
도 2a 및 도 2d를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자(200)를 설명한다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 기판(210) 상에는 하나 이상의 배선(225) 및 제1전극(220)이 형성된다. 여기서, B 영역과 Y 영역은 보다 상세한 내부를 나타내기 위하여 제2전극(260)을 드러내어 도시한다.
배선(225)의 일부 영역 또는 전체 및 제1전극(220) 상에는 배선(225)이 노출된 하나 이상의 노출부(237)와, 제1전극(220)이 노출된 하나 이상의 오픈부(235)를 갖는 절연막(230)이 형성된다.
제1전극(220)이 노출된 오픈부(235) 내에는 유기층의 발광부(250)가 하나 이상 형성된다. 발광부(250) 상에는 배선(225)과 전기적으로 연결된 하나 이상의 제2전극(260)이 형성되며 배선(225)을 노출시키는 노출부(237) 내에는 금속막(265)이 형성된다.
배선(225)과 제2전극(260)은 절연막(230) 상에 형성된 콘택홀(236)을 통해 배선(225)의 어느 한 부분인 말단에 형성된 콘택부(226)와 제2전극(260)이 상호 전기적으로 연결된다.
여기서, 절연막(230) 상에는, 발광부(250)와 구분되는 제1격벽(240)이 하나 이상 형성되며, 제2전극(260)은 제1격벽(240)에 의해 분리 형성된 것일 수 있다.
또한, 절연막(230) 상에는 배선(225)의 일부 영역 또는 전체에 위치하여 배선(225)을 구분하는 제2격벽(245)이 하나 이상 형성된다. 덧붙여, 제1격벽(240)과 제2격벽(245)은 역 테이퍼 형상으로 형성된다.
여기서, 제1격벽(240)과 제2격벽(245)을 이용하면 제2전극(260) 형성시 발광부(250)와 노출부(237)에 동일한 재료 예를 들면, 알루미늄 등을 동일 공정으로 형성할 수 있으나 노출부(237)에는 다른 재료로 형성될 수 있다. 그리고 노출부(237)는 배선(225)의 길이에 따라 노출된 영역이 다를 수 있다. 또한, 제2격벽(245)은 배선(225)이 노출된 노출부(237)의 형상에 대응하도록 배선(225)의 인접 영역에서 노출부(237)를 둘러싸도록 형성될 수도 있음은 물론이다.
도 2c 및 도 2d를 참조하여 상세 부를 설명하면, V 영역에 도시된 것과 같이 절연막(230)은 배선(225)의 일부 영역 또는 전체에 위치하며, 배선(225) 상에 위치하는 절연막(230)의 노출부(237) 내에는 금속막(265)이 형성된다. 여기서, 도 2d는 단면도를 도시하여 보다 용이한 이해를 돕는다.
한편, 도시되어 있진 않지만, 이와 같은 전계발광소자(200)는 기판(210) 상에 형성된 소자가 수분이나 산소 등에 의해 부식되는 것을 방지하기 위해 메탈 캡 등을 이용하여 밀봉을 하게 된다. 그리고 배선(225) 및 제1전극(220)의 어느 한쪽 말단부에 신호를 입력받을 수 있는 신호라인을 각각 형성하고, 스캔신호와 데이터신호를 입력하여 디스플레이를 할 수 있게 된다.
따라서, 위와 같이 본 발명에 따른 전계발광소자(200)는, 배선(225) 상에 형성된 노출부(237)에 금속막(265)을 형성함으로써 제2전극(260) 또는 배선(225)에 저저항 배선 구조를 제공할 수 있게 된다. 이에 따라, 신호 전송 용량에 따른 발열이나 부하 등에 의해 제2전극(260) 또는 배선(225)에 저항이 증가하는 문제를 해결할 수 있게 된다.
한편, 도 3a 및 도 3b를 참조하여 상세 부의 변형된 실시예를 설명하면, 제1격벽(340)과 제2격벽(345)은 동일 공정에 의해 오버행 또는 역 테이퍼 형상으로 형성하며, 서로 연결할 수 있게 된다. 이에 따라, 노출부(337), 콘택부(326) 및 제2전극(360)은 동일한 재질 예를 들면, 알루미늄 등으로 형성되어 저저항 배선 구조를 제공할 수 있게 된다.
여기서, 도 3b는 단면도를 도시하여 보다 용이한 이해를 돕는데, 도시된 바와 같이 배선(325)으로부터 이격하여 제2격벽(345)을 형성하거나 노출부(337)의 폭을 넓게 형성하면, 금속막(337)을 더욱 넓게 형성할 수도 있게 된다.
한편, 도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 전계발광소자의 개략도이다.
먼저, 도 4를 참조하여 다른 실시예의 특징부를 설명하면, 배선(425)이 짧게 배선된 영역보다 길게 배선된 영역으로 갈수록 배선(425)이 점차 더 노출되도록 형성할 수도 있다. 즉, 가장 길게 형성되어 저항이 높은 제1영역(L1)은 금속막(465)을 길게 형성하고, 가장 짧게 형성되어 저항이 상대적으로 낮은 제2영역(L2)은 금속막(465)을 상대적으로 짧게 형성되어 저저항 배선 구조를 제공할 수 있게 된다.
또한, 도 5를 참조하여 다른 실시예의 특징부를 설명하면, 도시되어 있진 않지만, 콘택부 또는 제2전극의 인접 영역부터 배선(525)의 꺾이는 영역(P)까지만 배 선(525)이 노출되도록 형성하고, 금속막(565)을 형성할 수도 있다. 이와 같은 구조는 제2격벽(545) 형성이 보다 용이할 것이다.
여기서, 도시된 도 4 및 도 5에는 배선의 구조가 좌측 또는 우측을 기준으로 교번되어 배선되어 있지만 이에 한정되지 않는다.
<제조 방법>
한편, 본 발명에 따른 전계발광소자의 제조방법은 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한다.
먼저, 배선 및 제1전극 형성단계는 기판(210) 상에 배선(225) 및 제1전극(220)을 하나 이상 형성하는 단계이다. 배선(225)은 도 2a와 같이 기판(210) 상의 좌측 또는 우측으로 교번하여 배선할 수 있으나 기판(210)을 상부와 하부로 나누어 반씩 배선할 수도 있으며 배선 방법은 이에 한정되지 않는다. 여기서 배선(225)은 단층으로 형성하거나 도전층을 포함하여 다층으로 형성할 수도 있다.
그리고 제1전극(220)은 기판(210) 상에 띠 형태로 패터닝하여 형성하며 제1전극(220) 또한 단층으로 형성하거나 도전층을 포함하여 다층으로 형성할 수도 있다.
이후, 절연막 형성단계는 배선(225)의 일부 영역 또는 전체 및 제1전극(220) 상에 형성하여 배선(225)이 노출된 하나 이상의 노출부(237)와, 제1전극(220)이 노출된 하나 이상의 오픈부(236)를 갖는 절연막(230)을 형성하는 단계이다.
절연막(230)은 배선(225)의 일부 영역 또는 전체 및 제1전극(220) 상부에 형 성하여 그 일부 이상을 패터닝하여 배선(225) 상에는 노출부(237)를 형성하고, 제1전극(220) 상에는 오픈부(236)를 형성한다.
여기서, 노출부(237)는 배선(225)의 길이에 따라 노출된 영역이 다르도록 할 수 있고, 배선(225)이 짧게 배선된 영역보다 길게 배선된 영역으로 갈수록 배선(225)을 점차 더 노출되도록 형성할 수 있다.
이후, 제1격벽 형성단계는 제1전극(220) 상에 위치하는 절연막(230) 상에 형성하여 오픈부(236)와 구분되도록 제1격벽(240)을 하나 이상 형성하는 단계이다.
이와 같은 제1격벽(240)은 향후 제2전극(260) 형성시 제1격벽(240)에 의해 발광부(250) 내에 각각 분리 형성될 수 있도록 오버행 또는 역 테이퍼 형상으로 패터닝하여 형성한다.
이후, 제2격벽 형성단계는 배선(225)의 일부 영역 또는 전체에 위치하는 절연막(230) 상에 형성하여 노출부(237)와 구분되도록 제2격벽(245)을 하나 이상 형성하는 단계이다.
이와 같은 제2격벽(245)은 향후 금속막(265) 형성시 제2격벽(245)에 의해 노출부(237) 내에 각각 분리 형성될 수 있도록 오버행 또는 역 테이퍼 형상으로 패터닝하여 형성한다.
한편, 제2격벽(245)은 배선(225)이 노출된 노출부(237)의 형상에 대응하도록 배선(225)의 인접 영역에서 노출부(237)를 둘러싸도록 형성하는 것일 수 있다. 이는 배선(225)에 패턴된 노출부(237) 내부에만 금속막(265)을 형성할 수 있도록 격리부(separator) 역할을 하기 위한 것이다.
여기서, 앞서 설명한 제1격벽 형성단계와 제2격벽 형성단계는 동일 공정으로 형성된 것일 수 있다.
이후, 발광부 형성단계는 오픈부(236) 내에 발광부(250)를 하나 이상 형성하는 단계이다. 제1전극(220)이 노출된 오픈부(236) 내에는 발광부(250)을 형성한다.
보통 진공 챔버 내에서 메탈마스크 공정 등을 이용하여 유기층의 발광부(250)를 형성하지만 이에 한정되지 않는다.
이후, 제2전극 형성단계는 발광부(250) 상에 형성하여 배선(225)과 전기적으로 연결되도록 제2전극(260)을 하나 이상 형성하는 단계이다.
제2전극(260)은 진공 챔버 내에서 제1격벽(240)에 의해 발광부(250) 상에 각각 분리 형성하여 발광부(250) 상에서 제1전극(220)과 교차하게 된다.
이후, 금속막 형성단계는 배선(225) 상에 위치하는 노출부(237) 내에 금속막(265)을 형성하는 단계이다. 금속막(265)은 제2격벽(245)을 이용하여 각 노출부(237) 내에 증착된다.
한편, 제2전극 형성단계와 금속막 형성단계는 동일 공정 단계이며, 제1 및 제2격벽(240,245)에 의해 발광부(250) 상에는 제2전극(260)으로 형성되고, 노출부(237) 내에는 금속막(265)으로 각각 분리 형성될 수 있다. 즉, 한 번의 공정으로 제2전극(260) 및 금속막(265)을 동일하게 형성할 수 있음을 의미하며 또한 동일한 재료로 형성할 수 있음을 의미한다.
위와 같은 전계발광소자의 제조방법은 배선 상에 금속막을 형성하여 저저항 배선 구조를 갖는 전계발광소자를 제공하는 효과가 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 본 발명의 구성에 따르면, 배선 상에 금속막을 형성하여 저저항 배선 구조를 갖는 전계발광소자를 제공하는 효과가 있다.

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 하나 이상의 배선 및 제1전극;
    상기 배선의 일부 영역 또는 전체 및 상기 제1전극 상에 위치하며 상기 배선이 노출된 하나 이상의 노출부를 갖는 절연막;
    상기 제1전극 상에 위치하는 하나 이상의 발광부;
    상기 발광부 상에 위치하며 상기 배선과 전기적으로 연결된 하나 이상의 제2전극; 및
    상기 배선을 노출시키는 상기 노출부 내에 위치하는 금속막을 포함하는 전계발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노출부는,
    상기 배선의 길이에 따라 노출된 영역이 다른 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 노출부는,
    상기 배선이 짧게 배선된 영역보다 길게 배선된 영역으로 갈수록 상기 배선이 점차 더 노출된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 배선의 어느 한 부분에는,
    상기 제2전극과 전기적으로 연결된 콘택부를 포함하며,
    상기 노출부는, 상기 콘택부의 인접 영역부터 상기 배선의 꺾이는 영역까지 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속막은,
    상기 제2전극과 동일한 재료인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 절연막 상에는,
    상기 발광부와 구분되는 제1격벽이 하나 이상 위치하는 것을 포함하며,
    상기 제2전극은 상기 제1격벽에 의해 분리 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 절연막 상에는,
    상기 배선의 일부 영역 또는 전체에 위치하여 상기 배선을 구분하는 제2격벽이 하나 이상 위치하는 것을 포함하며,
    상기 금속막은 상기 제2격벽에 의해 상기 노출부 내에 각각 구분되어 위치하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2격벽은,
    상기 배선이 노출된 상기 노출부의 형상에 대응하도록 상기 배선의 인접 영역에서 상기 노출부를 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 제1격벽과 상기 제2격벽은,
    역 테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 발광부는,
    유기층으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  11. 기판 상에 배선 및 제1전극을 하나 이상 형성하는 배선 및 제1전극 형성단계;
    상기 배선의 일부 영역 또는 전체 및 상기 제1전극 상에 형성하여 상기 배선이 노출된 하나 이상의 노출부와, 상기 제1전극이 노출된 하나 이상의 오픈부를 갖는 절연막을 형성하는 절연막 형성단계;
    상기 제1전극 상에 위치하는 상기 절연막 상에 형성하여 상기 오픈부와 구분되도록 제1격벽을 하나 이상 형성하는 제1격벽 형성단계;
    상기 배선의 일부 영역 또는 전체에 위치하는 상기 절연막 상에 형성하여 상기 노출부와 구분되도록 제2격벽을 하나 이상 형성하는 제2격벽 형성단계;
    상기 오픈부 내에 발광부를 하나 이상 형성하는 발광부 형성단계;
    상기 발광부 상에 형성하여 상기 배선과 전기적으로 연결되도록 제2전극을 하나 이상 형성하는 제2전극 형성단계; 및
    상기 배선 상에 위치하는 상기 노출부 내에 금속막을 형성하는 금속막 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 노출부는,
    상기 배선의 길이에 따라 노출된 영역이 다르도록 하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 노출부는,
    상기 배선이 짧게 배선된 영역보다 길게 배선된 영역으로 갈수록 상기 배선을 점차 더 노출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 제2격벽은,
    상기 배선이 노출된 상기 노출부의 형상에 대응하도록 상기 배선의 인접 영역에서 상기 노출부를 둘러싸도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 제1격벽 형성단계와 상기 제2격벽 형성단계는,
    동일 공정 단계이며, 상기 제1 및 제2격벽은 역 테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제2전극 형성단계와 상기 금속막 형성단계는,
    동일 공정 단계이며, 상기 제1 및 제2격벽에 의해 상기 발광부 상에는 상기 제2전극으로 형성되고, 상기 노출부 내에는 상기 금속막으로 각각 분리 형성되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 발광부는,
    유기층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
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