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KR100726872B1 - 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃 및 그 제조 방법 - Google Patents

도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃은 구리, 니켈 및 아연을 포함하되 구리는 50 내지 80 중량백분율로 존재하고, 니켈은 5 내지 20 중량백분율로 존재하며, 아연은 15 내지 30 중량백분율로 존재하며, 합금 타깃의 중량백분율은 100이다.

Description

도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃 및 그 제조 방법{Alloy Target For Conductive Film Or Its Protection Layer And Manufacturing Method Thereof}
본 발명은 도전막(Conductive Film) 또는 그 보호층용 합금 타깃(Alloy Target) 및 그 제조 방법에 관한 것이고, 더욱 상세하게는, 반도체 기판 또는 평판 디스플레이 기판 또는 전극 또는 보조 전극의 보호층에 사용되는 도전막선(Conductive Film Line)용이고, 보호층의 항산화성 및 흡착성과 같은 성질을 향상시켜서 제품의 생산량 및 품질을 높이는 보호층용 합금 타깃에 관한 것이다.
액정 디스플레이(LCD), 유기 EL 디스플레이(OELD) 등과 같은 평판 디스플레이 장치는 가볍고 얇은 특징으로 인해 음극선관 튜브(CRT) 디스플레이를 급속히 대체하고 있으며 시장에서의 주요 디스플레이 장치가 되고 있다. 그러나, 비록 다양한 종류의 평판 디스플레이(LCD, OELD와 같은)에 따라 구조나 디스플레이 방식이 변화하더라도, 모든 종류의 평판 디스플레이의 구조는 모두 인듐-주석 복합 산화물(ITO) 또는 알루미늄-아연 복합 산화물(AZO)과 같은 도전체를 그 기판에 있어서 양극(Anode)으로서 사용하고, 일함수(Work Function)가 낮은 금속 또는 합금의 음극(Cathode)을 발광 픽셀 제어용 구조로 사용하고 있다.
비록 은이나 은 합금으로 만들어진 반도체 장치 또는 평판 디스플레이의 기판의 도전선(Conducting Line) 또는 전극이 우수한 전기 전도성을 가지더라도, 항산화성 또는 흡착성은 불량하다. 그로 인해 제조 공정에서의 생산량이 적다. 그러므로, 반도체 장치의 또는 평판 디스플레이 장치의 기판의 도전선 또는 전극용으로서 우수한 항산화성 및 흡착성을 가지는 금속이나 합금 박막을 찾아내는 것이 중요하다.
결국, 앞의 문제점을 해결할 수 있는 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명의 목적은, 도전선, 전극 또는 보조 전극 상에서 우수한 항산화성 및 흡착성을 가지는 도전막 보호층을 제공하고, 산소 플라즈마를 사용하는 하향 세정(Downstream Washing) 공정 또는 에칭(Etching) 공정 도중에 도전선, 전극 또는 보조 전극을 손상으로부터 보호하기 위하여 도전막 보호층용 합금 타깃 및 그 제조 방법을 제공함으로써, 제품의 생산량 및 품질을 향상시키는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 우수한 항산화성, 낮은 저항, 높은 전기 전도성, 그리고 우수한 흡착성을 가지는 도전선, 전극 또는 보조 전극을 형성하고, 산소 플라즈마를 사용하는 하향 세정 공정 또는 에칭 공정 도중에 도전선, 전극 또는 보조 전극을 손상으로부터 보호하기 위하여 도전막용 합금 타깃 및 그 제조 방법을 제공함으로써, 제품의 생산량 및 품질을 향상시키는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 적어도 구리, 니켈 및 아연을 포함하되, 구리는 50 내지 80 중량백분율(wt.%), 니켈은 5 내지 20 중량백분율, 아연은 15 내지 30 중량백분율로 존재하고, 합금 타깃의 총 중량백분율이 100인 도전막 보호층용 합금 타깃을 제공한다.
전술한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 적어도 구리, 니켈 및 아연을 포함하되, 구리는 50 내지 80 중량백분율, 니켈은 5 내지 20 중량백분율, 아연은 15 내지 30 중량백분율로 존재하되, 합금 타깃의 총 중량백분율이 100인 도전막용 합금 타깃을 제공한다.
구리는 60 내지 70 중량백분율로 존재하는 것이 바람직하고, 니켈은 10 내지 15 중량백분율로 존재하는 것이 바람직하며, 아연은 20 내지 25 중량백분율로 존재하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃은 귀금속 및/또는 내식성 금속을 추가로 포함하되, 귀금속은 백금, 금 및 팔라듐으로 구성되는 집단으로부터 적어도 하나의 선택된 것이고, 귀금속은 0.1 내지 5.0 중량백분율, 바람직하게는 0.5 내지 1.0 중량백분율로 존재하며, 내식성 금속은 티타늄, 알루미늄, 코발트, 크롬 및 그 혼합물로 구성되는 집단으로부터 적어도 하나의 선택된 것이고, 내식성 금속은 0.01 내지 1.0 중량백분율, 바람직하게는 0.05 내지 0.2 중량백분율로 존재한다.
전술한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃의 제조방법은 다음 단계를 포함한다.
단계 (A) 구리, 니켈 및 아연을 적절한 비율로 혼합한 후 그 혼합물을 제련(Smelting)하여 잉곳(Ingot)을 제작하되, 구리는 50 내지 80 중량백분율로 존재하고, 니켈은 5 내지 20 중량백분율로 존재하며, 아연은 15 내지 30 중량백분율로 존재하며, 합금 타깃의 총 중량백분율은 100이다.
혼합물을 제련하는 방법으로는 대기(Atmospheric) 중에서 제련하는 방법, 진공(Vacuum) 중에서 제련하는 방법 또는 진공 중에서 정련하는 방법이 있으며, 진공 중에서 제련하는 방법의 진공도(Vacuum Pressure)는 약 10-1 ~ 10-3 토르(Torr)이다.
단계 (B) 합금 타깃을 얻기 위해 단조(Forging), 열간 압연(Hot Rolling) 또는 열처리와 같은 열 및 기계적 처리 과정을 거친다.
게다가, 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃의 제조 방법 중 단계 A는 귀금속 및/또는 내식성 금속을 그 혼합물에 부가하는 단계를 추가로 포함하되, 귀금속은 백금, 금 및 팔라듐으로 구성되는 집단으로부터 적어도 하나의 선택된 것이고, 귀금속은 0.1 내지 5.0 중량백분율, 바람직하게는 0.5 내지 1.0 중량백분율로 존재하며, 내식성 금속은 티타늄, 알루미늄, 코발트, 크롬 및 그 혼합물로 구성되는 집단으로부터 적어도 하나의 선택된 것이고, 내식성 금속은 0.01 내지 1.0 중량백분율, 바람직하게는 0.05 내지 0.2 중량백분율로 존재한다.
본 발명은 구리, 니켈 및 아연 합금을 사용하여 도전막 보호층 또는 도전막용 합금 타깃을 만든다. 그러므로, 만들어진 도전막 보호층은 항산화성 및 우수한 흡착성을 가지고, 만들어진 도전선, 전극 또는 보조 전극은 항산화성, 낮은 저항, 높은 전기 전도성 및 우수한 흡착성과 같은 성질을 가진다. 구리 합금 에칭액과 함께, 도전 패턴 또는 그 보호층은 반도체 장치의 기판 또는 평판 디스플레이의 기판 상에 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 도전막 보호층용 합금 타깃은 적어도 구리, 니켈 및 아연을 포함하되, 구리는 50 내지 80 중량백분율로 존재하고, 니켈은 5 내지 20 중량백분율로 존재하며, 아연은 15 내지 30 중량백분율로 존재하며, 합금 타깃의 총 중량백분율은 100이다.
본 발명에 따른 도전막 보호층용 합금 타깃은 귀금속 및/또는 내식성 금속을 추가로 포함하되, 귀금속은 백금, 금 및 팔라듐으로 구성되는 집단으로부터 적어도 하나의 선택된 것이고, 귀금속은 0.1 내지 5.0 중량백분율, 바람직하게는 0.5 내지 1.0 중량백분율로 존재하며, 내식성 금속은 티타늄, 알루미늄, 코발트, 크롬 및 그 혼합물로 구성되는 집단으로부터 적어도 하나의 선택된 것이고, 내식성 금속은 0.01 내지 1.0 중량백분율, 가장 바람직하게는 0.05 내지 0.2 중량백분율로 존재한다. 내식성 금속은 판(Panel) 또는 기판(Substrate) 상에 형성되는 도전막의 내식성을 향상시키고 판 또는 기판 상의 도적 박막의 흡착성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃은 어떠한 종류의 기판의 스퍼터링(Sputtering) 공정에도 사용될 수 있다. 바람직하게는, 합금 타깃은, 보호층을 가지는 도전선, 전극 또는 보조 전극을 반도체 장치의 기판 또는 평판 디스플레이의 기판 상에 형성하는 공정에서 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃의 제조 방법은, 구리, 니켈 및 아연을 적절한 비율로 혼합한 후 그 혼합물을 제련하여 잉곳을 제작하고, 그 잉곳을 열 및 기계적 처리 공정을 거쳐서 합금 타깃을 제조하는 것을 포함한다.
본 발명에 따른 도전막 보호층 또는 도전막용 합금 타깃, 그리고 그 제조 방법의 세 가지 바람직한 실시예가 아래와 같이 예시된다.
실시예 1 : 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃의 제조 방법
우선, 다음과 같은 중량비를 가지는 구리, 니켈, 아연 및 백금을 혼합하여 혼합물을 만든다. 구리 45 ㎏, 니켈 11.25 ㎏, 아연 18.75 ㎏ 및 백금 750 g. 다음으로, 그 혼합물을 진공 제련용 노(Oven)에 넣어 10-1 ~ 10-3 토르의 진공도 및 1100 ~ 1300 ℃에서 3 ~ 5 시간 유지한다. 금속 혼합물이 녹자마자, 금속 용액을 금형에 부어서 서서히 냉각시킨다. 금속 합금이 냉각되면, 그것은 금형 안에서 고상(Solid-State) 합금 잉곳이 된다.
요구되는 합금 타깃의 크기에 따라 합금 잉곳은, 600 ~ 800 톤 이하에서의 열간 압연과 80 마력 이상에서의 단조와 같은 열 및 기계적 처리 공정을 거쳐서 방향성이 없는 결정 구조를 가지는 합금 타깃이 된다. 합금 타깃의 결정립(Grain) 크기는 20 내지 50 ㎛ 이다.
실시예 2 : 스퍼터링에 의한 도전막 보호층의 형성
실시예 1에서 제조한 합금 타깃을, 평판 디스플레이 장치의 미리 정해진 도전선 패턴을 가지는 기판과 함께 스퍼터링 챔버(Chamber)에 넣는다. 다음으로, 20 sccm 의 유속(Flow Rate)을 갖는 아르곤 가스가 챔버에 유입되고 챔버는 5 mtorr 의 진공도를 가진다. 1.5 분 동안 200 W 의 직류 전원을 사용함으로써 1300 Å의 두께를 갖는 보호층이 평판 디스플레이 장치의 기판 상에 미리 정해진 도전선 패턴에 형성된다. 산소 플라즈마로 시험을 마친 후, 형성된 보호층은 탁월한 항산화성을 가진다. 심지어 고온다습(80 ℃ / RH 85 %)한 상태에서 탭(Tap)을 이용한 박리 시험(Peeling Test)을 마친 후에도 보호층의 탁월한 흡착성이 확인된다.
실시예 3 : 스퍼터링 공정에 의한 도적 박막 형성
실시예 1에서 제조한 합금 타깃을, 평판 디스플레이 장치의 기판과 함께 스퍼터링 챔버에 넣는다. 다음으로, 20 sccm 의 유속을 갖는 아르곤 가스가 챔버에 유입되고 챔버는 5 mtorr 의 진공도를 가진다. 1 분 동안 100 W 의 직류 전원을 사용함으로써 1100 Å의 두께를 갖는 도전선 패턴이 평판 디스플레이 장치의 기판 상에 형성된다. 산소 플라즈마로 시험을 마친 후, 도전선 패턴이 탁월한 항산화성을 가지는 것이 확인된다. 심지어 고온다습(80 ℃ / RH 85 %)한 상태에서 탭을 이용한 박리 시험을 마친 후에도 도전선 패턴의 탁월한 흡착성이 확인된다.
본 발명은 구리, 니켈 및 아연 합금을 사용하여 도전막 보호층 또는 도전막용 합금 타깃을 만든다. 그러므로, 만들어진 도전막 보호층은 항산화성 및 우수한 흡착성을 가지고, 만들어진 도전선, 전극 또는 보조 전극은 항산화성, 낮은 저항, 높은 전기 전도성 및 우수한 흡착성과 같은 성질을 가진다. 구리 합금 에칭액과 함께, 도전 패턴 또는 그 보호층은 반도체 장치의 기판 또는 평판 디스플레이의 기판 상에 형성될 수 있다.
비록 바람직한 실시예와 관련하여 본 발명에 관해 설명하였다 하더라도 이하에서 청구되는 본 발명의 의도 및 범위로부터 벗어나지 않는 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 이해해야 한다.
본 발명은 구리, 니켈 및 아연 합금을 사용하여 도전막 보호층 또는 도전막용 합금 타깃을 만든다. 그러므로, 만들어진 도전막 보호층은 항산화성 및 우수한 흡착성을 가지고, 만들어진 도전선, 전극 또는 보조 전극은 항산화성, 낮은 저항, 높은 전기 전도성 및 우수한 흡착성과 같은 성질을 가진다. 구리 합금 에칭액과 함께, 도전 패턴 또는 그 보호층은 반도체 장치의 기판 또는 평판 디스플레이의 기판 상에 형성될 수 있다.

Claims (10)

  1. 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃 및 그 제조방법에 있어서, 적어도 구리, 니켈 및 아연을 포함하고, 각각의 함유량은 구리 50 내지 80 중량백분율, 니켈 5 내지 20 중량백분율, 아연 20 내지 25 중량백분율로 하고, 합금 타깃의 총 중량백분율은 100으로 하는 것을 특징으로 하는 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구리의 가장 바람직한 함유량을 60 내지 70 중량백분율로 하는 것을 특징으로 하는 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 니켈의 가장 바람직한 함유량을 10 내지 15 중량백분율로 하는 것을 특징으로 하는 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    백금, 금 및 팔라듐 중 적어도 어느 하나를 포함하는 귀금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 귀금속의 함유량을 0.1 내지 5.0 중량백분율로 하는 것을 특징으로 하는 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃.
  7. 제 1 항에 있어서,
    적어도 티타늄, 알루미늄, 코발트, 크롬 및 그 혼합물 중 어느 하나를 포함하는 내식성 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 내식성 금속의 함유량을 0.1 내지 5.0 중량백분율로 하는 것을 특징으로 하는 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃.
  9. 제 1 항에 있어서,
    반도체 및 평판(Flat Panel)의 패널 및 기판에 응용되어, 도전선, 전극 및 보조 전극 상에서 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃.
  10. 청구항 1에 기재된 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃의 제조방법에 있어서,
    (A) 구리, 니켈, 아연, 은, 백금, 금 및 팔라듐 중 적어도 어느 하나를 포함하는 귀금속 및 티타늄, 알루미늄, 코발트, 크롬 및 그 혼합물 중 어느 하나를 포함하는 내식성 금속을 포함하고, 적절한 비율로 이들 재료를 혼합한 것을 진공 상태에 놓고, 제련하여 잉곳을 제작하는 단계; 및
    (B) 상기 잉곳을 열 및 기계적으로 처리하여 상기 합금 타깃을 완성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전막 또는 그 보호층용 합금 타깃의 제조방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007039781A (ja) * 2005-07-06 2007-02-15 Idemitsu Kosan Co Ltd スパッタリングターゲット、その製造方法、反射膜、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5532767B2 (ja) * 2009-09-04 2014-06-25 大同特殊鋼株式会社 Ｃｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材
JP5724998B2 (ja) * 2012-12-10 2015-05-27 三菱マテリアル株式会社 保護膜形成用スパッタリングターゲットおよび積層配線膜
JP5979034B2 (ja) 2013-02-14 2016-08-24 三菱マテリアル株式会社 保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP6135275B2 (ja) 2013-04-22 2017-05-31 三菱マテリアル株式会社 保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP5757318B2 (ja) * 2013-11-06 2015-07-29 三菱マテリアル株式会社 保護膜形成用スパッタリングターゲットおよび積層配線膜
JP6207406B2 (ja) * 2014-01-14 2017-10-04 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ スパッタリングターゲット材及び配線積層体
JP6398594B2 (ja) * 2014-10-20 2018-10-03 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030001508A (ko) * 2001-03-15 2003-01-06 소니 가부시끼 가이샤 형광체 분말 및 그 제조 방법, 표시용 패널, 및 평면형표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030001508A (ko) * 2001-03-15 2003-01-06 소니 가부시끼 가이샤 형광체 분말 및 그 제조 방법, 표시용 패널, 및 평면형표시 장치

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KR20060096890A (ko) 2006-09-13

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